CN113161982B - 继电装置 - Google Patents
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Abstract
本发明一个或多个实施例提供了一种继电装置,包括:输入电源、用电负载、第一开关电器、保护电路以及处理器;所述输入电源、所述用电负载以及所述第一开关电器串联,所述第一开关电器用于在导通时使所述用电负载供电,在关断后停止所述用电负载的供电;所述保护电路连接于所述第一开关电器两端,用于受所述处理器的控制导通所述保护电路的通路或断开所述保护电路的通路;所述处理器用于在控制所述第一开关电器断开之前,控制所述保护电路的通路导通,再控制所述第一开关电器断开。该装置可使得开关电器可在无电弧条件下切断,提高了开关电器的安全性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种继电装置。
背景技术
目前,对开关电器,例如直流继电器的电流进行切断操作,可以使用直流继电器或直流接触器对继电器的电流进行机械性切断,或使用半导体器件对直流继电器的电流进行切断。采用直流继电器切断继电器的电流是机械性切断,为了保护机械触点,通常需要设计灭弧室等特殊装置,这使得继电器体积大且十分昂贵,不符合当前市场对产品小型化的需求。若使用半导体器件切断继电器的电流,则会导致通态压降大,导通损耗高,以及承受冲击能力差,易损坏等问题。可见,一种切断继电器电流的措施有待被提出。
发明内容
有鉴于此,本发明一个或多个实施例提供了一种继电装置,该装置可使得开关电器可在无电弧条件下切断,提高了开关电器的安全性。
本发明一个或多个实施例提供了一种继电装置,包括:输入电源、用电负载、第一开关电器、保护电路以及处理器;所述输入电源、所述用电负载以及所述第一开关电器串联,所述第一开关电器用于在导通时使所述用电负载供电,在关断后停止所述用电负载的供电;所述保护电路连接于所述第一开关电器两端,用于受所述处理器的控制导通所述保护电路的通路或断开所述保护电路的通路;所述处理器用于在控制所述第一开关电器断开之前,控制所述保护电路的通路导通,再控制所述第一开关电器断开。
可选的,所述保护电路包括:第二开关电器以及可变电阻,所述第二开关电器以及所述可变电阻串联,所述处理器还用于在所述通路导通第一预设时长后,控制所述保护电路的通路断开。
可选的,所述可变电阻为正温度系数热敏电阻或功率电阻。
可选的,所述装置还包括:采样电阻以及检测电路,所述采样电阻的一端与所述第一开关电器串联,所述检测电路连接于所述采样电阻两端,用于检测所述采样电阻两端的采样电压,所述采样电阻的另一端接地。
可选的,所述检测电路,包括:第一电阻、第二电阻、放大器、第三电阻、第四电阻、第五电阻以及第六电阻;所述放大器的第一输入端以第二输入端分别通过所述第一电阻以及所述第二电阻连接于所述采样电阻两端,所述放大器的第一输入端还分别与所述第四电阻的一端以及所述第五电阻的一端相连,所述第四电阻的另一端与外部电源相连,所述第五电阻的另一端接地,所述放大器的第二输入端通过所述第六电阻与所述放大器的输出端相连,所述放大器的输出端通过所述第三电阻与所述处理器相连。
可选的,所述装置还包括:状态判断电路,所述状态判断电路包括:第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻以及第十二电阻;所述第一晶体管的第一极分别与所述输入电源的正极以及所述用电负载的一端相连,所述第一晶体管的第二极通过所述第七电阻与所述第二晶体管的控制极相连,所述第一晶体管的控制极通过所述第八电阻分别与所述第九电阻的一端以及所述用电负载的另一端相连;所述第二晶体管的第一极、所述第三晶体管的第一极、所述第四晶体管的第一极与所述输入电压的负极相连,所述第二晶体管的第二极分别与所述第三晶体管的控制极以及所述第九电阻的另一端相连,所述第三晶体管的第二极分别与所述处理器的输入端、所述第三电阻的另一端以及通过所述第十电阻与所述第四晶体管的第二极相连,所述第四晶体管的控制极通过所述第十一电阻与所述第四晶体管的第一极相连,所述第四晶体管的控制极还通过所述第十二电阻连接于所述用电负载以及所述第一开关电器之间。
可选的,所述第三晶体管与所述第十电阻之间设置有电压采样点,所述处理器还用于根据所述电压采样点的电压值,确定所述用电负载的状况。
可选的,所述第一开关电器以及所述用电负载之间还设置有熔断体,所述处理器具体用于,在所述电压采样点的电压值不大于第一阈值时,确定所述用电负载发生短路故障或所述用电负载为阻性负载,若检测到所述第二开关电器闭合后,再次获取所述电压采样点的电压值,以及判断再次获取的所述电压采样点的电压值是否不小于第二阈值,若再次获取的所述电压采样点的电压值不小于所述第二阈值,确定所述用电负载为阻性负载,确定所述第一开关电器处于正常工作状态以及确定所述熔断体未熔断,若再次获取的所述电压采样点的电压值不大于所述第一阈值,则确定所述用电负载发生故障;在所述电压采样点的电压值不小于第三阈值不大于第四阈值时,确定所述用电负载为空载或所述用电负载为容性负载,若检测到所述第一开关电器闭合,再次获取所述电压采样节点的电压值,判断再次获取的所述电压采样节点的电压值是否等于第五阈值,若再次获取到的所述电压采样节点的电压值等于所述第五阈值,则确定所述用电负载为空载且所述熔断体未熔断,若再次获取到的所述电压采样节点的电压值大于所述第五阈值,则确定所述用电负载为容性负载且所述熔断体未熔断;在检测到所述电压采样节点的电压值不小于所述第二阈值时,确定所述用电负载为空载或所述用电负载为容性负载,以及确定熔断体已熔断,其中,所述第一阈值、所述第三阈值、所述第四阈值、所述第二阈值以及所述第五阈值依次增大。
可选的,所述处理器还用于在确定所述用电负载发生短路故障时,每隔第二预设时长闭合所述第二开关电器一次,判断所述短路故障是否排除,若所述短路故障排除,控制所述第一开关电器闭合,若所述短路故障未排除,继续根据所述电压采样点的电压值判断所述负载的状况;在确定所述装置的主电路发生短路故障时,断开为所述用电负载的供电。
可选的,所述第一开关电器以及所述第二开关电器为以下任意一种器件:
金属氧化物半导体场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管、直流继电器、直流接触器以及可控硅半导体器件。
在本发明的一个或多个实施例中,通过在第一开关电器两端增加保护电路,可在第一开关电器断开之前,先导通连接于第一开关电器两端的保护电路的通路,使得通过第一开关电器的电流可以转移到保护电路的通路中,从而可使得第一开关电器在不起电弧的情况下断开,可延长第一开关电器的使用寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1是根据本发明一个或多个实施例示出的一种继电装置的结构示意图;
图2是根据本发明一个或多个实施例示出的一种继电装置的结构示意图;
图3是根据本发明一个或多个实施例示出的一种检测电路的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明实施例进行详细描述。
应当明确,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
图1是根据本发明一个或多个实施例示出的一种继电装置的主电路的示意图,如图1所示,该主电路包括输入电源Vin,用电负载RL,熔断体F1,第一开关电器J1以及检测电阻Rs,在主电路正常工作条件下,控制器接收到供电命令后,控制J1导通为RL供电,控制器接收到断电命令后,控制J1断开以停止为RL供电。
图2是根据本发明一个或多个实施例示出的一种继电装置的示意图,如图2所示,该装置包括:
输入电源Vin、用电负载RL、第一开关电器J1、保护电路以及处理器;
在本发明的一个或多个实施例中,第一开关电器例如可以是不具有灭弧室的普通继电器,若直接控制该第一开关电器断开会导致电弧烧毁其机械触点。
在在本发明的一个或多个实施例中,第一开关器件J1可以是以下任意一种器件:
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极晶体管)、直流继电器、直流接触器以及可控硅半导体器件。
其中,所述输入电源Vin、所述用电负载RL以及所述第一开关电器J1串联,所述第一开关电器J1用于在导通时使所述用电负载RL供电,在关断后停止所述用电负载RL的供电;
所述保护电路连接于所述第一开关电器J1两端,用于受所述处理器的控制导通所述保护电路的通路或断开所述保护电路的通路;
所述处理器用于在控制所述第一开关电器J1断开之前,控制所述保护电路的通路导通,再控制所述第一开关电器J1断开。
仍以图2所示的继电装置为例,处理器可通过J1驱动器控制J1断开。
在本发明的一个或多个实施例中,通过在第一开关电器两端增加保护电路,可在第一开关电器断开之前,先导通连接于第一开关电器两端的保护电路的通路,使得通过第一开关电器的电流可以转移到保护电路的通路中,从而可使得第一开关电器在不起电弧的情况下断开,可延长第一开关电器的使用寿命。
在本发明的一个或多个实施例中,仍以图2所示的装置为例,所述保护电路可包括:第二开关电器以及可变电阻,所述第二开关电器以及所述可变电阻串联,所述处理器还用于在所述通路导通第一预设时长后,控制所述保护电路的通路断开。仍以图2所示的继电装置为例,处理器可通过J2驱动器控制J2闭合或关断。其中,可变电阻例如可以是功率电阻或热敏电阻中的一种,此处,可变电阻以PTC(Positive Temperature Coefficient,正温度系数)热敏电阻为例进行说明,在J1断开之前,先通过J2驱动器控制J2闭合,再通过J1驱动器控制J1断开,J1断开时,流过J1的电流转移到J2及PTC1的串联电路中,使得J1可以在不起电弧的情况下断开,随后PTC1会因流过较大的电流而升温,导致PTC1的阻值越来越大,从而使得流过该支路的电流逐渐降低,最终J2也可在不起电弧的情况下断开,这样可以使得J1以及J2安全工作,延长二者的使用寿命。在上述开关电器为继电器的情况下,利用PTC的特性,可以合理安排两个继电器的动作,避免了继电器金属触点间因电压上升速率太快而起电弧导致烧毁金属触点的问题,有效的保护了继电器安全的切换大功率直流电,且可减小产品的体积和成本。
在本发明的一个或多个实施例中,上述所述装置还可包括:采样电阻以及检测电路,所述采样电阻的一端与所述第一开关电器串联,所述检测电路连接于所述采样电阻两端,用于检测所述采样电阻两端的采样电压,所述采样电阻的另一端接地。仍以图2所示为例,当负载电流流过采样电阻Rs时,会在Rs两端产生压降Vrs,通过对该压降的Vrs可对主电路或用电负载的状况进行判断。故,可通过设置于Rs两端的检测电路来检测该压降,在检测到Rs两端的压降Vrs后,可将该Vrs发送给上述处理器,通过上述处理器基于该Vrs的数值确定主电路或用电负载的状况。
在本发明的一个或多个实施例中,以图3所示的检测电路为例,上述检测电路可包括:
第一电阻R11、第二电阻R12、放大器U1、第三电阻R8、第四电阻R9、第五电阻R10以及第六电阻R13;
所述放大器U1的两个输入端分别通过所述第一电阻R11以及所述第二电阻R12连接于所述采样电阻Rs两端,所述放大器U1的第一输入端(如图2中所示,该第一输入端为正向输入端)分别与所述第四电阻R9的一端以及所述第五电阻R10的一端相连,所述第四电阻R9的另一端与外部电源,例如如图2所示的3.3V的外部电源相连,所述第五电阻R10的另一端接地,所述放大器U1的第二输入端(如图2中所示,该第二输入端为反向输入端)通过所述第六电阻R13与所述放大器U1的输出端相连,所述放大器U1的输出端通过所述第三电阻R8与所述处理器相连。如图3所示,当负载电流流过采样电阻Rs时,在Rs两端产生的压降Vrs,经运算放大器U1及周围电阻R11-R13,将Vrs放大可提高采样精度。其中,R9以及R10将3.3V的外部电源分压为放大电路提供偏置电压,可以提高采样精度,同时为处理器基于Vrs的值判断主电路以及用电负载的状况提供了条件。例如,通过R9以及R10设置偏置电压为1V,1A的电流经采样电阻进行采样放大后对应的Vrs为10mV,输出电流为0时,CPU的采样端口,如AD采样端口连接信号Vio为1V;10A的电流经采样电阻进行采样放大后对应的Vrs为10V,输出电流为0时,CPU采样端口连接信号Vio为1.1V,相应的,电流为50A时对应的Vrs为1.5V。
在本发明的一个或多个实施例中,仍以图2所示为例,上述继电装置还可包括:状态判断电路,所述状态判断电路可包括:第一晶体管P1、第二晶体管N1、第三晶体管N2、第四晶体管N3、第七电阻R1、第八电阻R2、第九电阻R3、第十电阻R5、第十一电阻R6以及第十二电阻R7;所述第一晶体管P1的第一极分别与所述输入电源Vin的正极以及所述用电负载RL的一端相连,所述第一晶体管P1的第二极通过所述第七电阻R2与所述第二晶体管N1的控制极相连,所述第一晶体管P1的控制极通过所述第八电阻R2分别与所述第九电阻R3的一端以及所述用电负载RL的另一端相连;所述第二晶体管N1的第一极、所述第三晶体管N2的第一极、所述第四晶体管N3的第一极与所述输入电压Vin的负极相连,所述第二晶体管N1的第二极分别与所述第三晶体管N2的控制极以及所述第九电阻R3的另一端相连,所述第三晶体管N2的第二极分别与所述处理器的输入端、所述第三电阻R8的另一端以及通过所述第十电阻R5与所述第四晶体管N3的第二极相连,所述第四晶体管N3的控制极通过所述第十一电阻R6与所述第四晶体管N3的第一极相连,所述第四晶体管的控制极还通过所述第十二电阻R7连接于所述用电负载以及所述第一开关电器之间。如图2所示,其中,N1-N3可以是N型三极管,P1可以是P型三极管。以上各晶体管的控制极例如可以是晶体管的栅极,第一极以及第二极可以是晶体管的源极或漏极。
在本发明的一个或多个实施例中,仍以图2所示的继电装置为例,所述第三晶体管N2与所述第十电阻R5之间可设置有电压采样点Vio,所述处理器还可用于根据所述电压采样点的电压值,确定所述用电负载的状况。
在本发明的一个或多个实施例中,仍以图2所示的继电装置为例,所述第一开关电器以及所述用电负载之间还可设置有熔断体F1,所述处理器具体可用于,在所述电压采样点的电压值Vio不大于第一阈值,例如Vio≤0.3V(为第一阈值的一个示例)时,确定所述用电负载RL发生短路故障或所述用电负载RL为阻性负载,其后,若检测到所述第二开关电器J2闭合后,再次获取所述电压采样点的电压值Vio,以及判断再次获取的所述电压采样点的电压值Vio是否不小于第二阈值,例如可以为0.8V,若再次获取的所述电压采样点的电压值Vio不小于所述第二阈值,确定所述用电负载RL为阻性负载,确定所述第一开关电器J1处于正常工作状态以及确定所述熔断体F1未熔断,若再次获取的所述电压采样点的电压值Vio不大于所述第一阈值,则确定所述用电负载RL发生故障;在所述电压采样点的电压值Vio不小于第三阈值(例如可以为0.4V)且不大于第四阈值(例如可以为0.6V)时,确定所述用电负载RL为空载或所述用电负载RL为容性负载,若检测到所述第一开关电器J1闭合,再次获取所述电压采样节点的电压值Vio,判断再次获取的所述电压采样节点的电压值Vio是否等于第五阈值(例如可以为1V),若再次获取到的所述电压采样节点的电压值Vio等于所述第五阈值,则确定所述用电负载为空载且所述熔断体未熔断,若再次获取到的所述电压采样节点的电压值Vio大于所述第五阈值,则确定所述用电负载为容性负载且所述熔断体未熔断;在检测到所述电压采样节点的电压值Vio不小于所述第二阈值时,确定所述用电负载为空载或所述用电负载为容性负载,以及确定熔断体已熔断,其中,所述第一阈值、所述第三阈值、所述第四阈值、所述第二阈值以及所述第五阈值依次增大。
在本发明的一个或多个实施例中,所述处理器还可用于在所述用电负载发生短路故障时,每隔第二预设时长闭合所述第二开关电器一次,判断所述短路故障是否排除,若所述短路故障排除,控制所述第一开关电器闭合,若所述短路故障未排除,继续根据所述电压采样点的电压值判断所述负载的状况,以及在继电装置的主电路发生短路故障时,断开对所述用电负载的供电。例如,当处理器根据上述电压采样节点的电压值确定出负载故障时,可上报该故障信息,若负载短路,可每隔一段时间,如5min(为上述第二预设时长的一个示例),闭合一次上述第二开关电器,判断负载短路故障是否已经排除,若排除则正常闭合上述第一开关器件,若未排除,则处理器可继续判断短路故障是否排除。又例如,若继电装置的主电路在装置正常工作时出现短路,则根据***实际情况断开为用电负载的供电。通过检测电路去采样电阻两端的采样电压,以及通过处理器基于采样电压值判断负载的实际状况,避免负载短路时直接对负载供电而引起供电事故或扩大事故范围的情况发生,同时,还可判断电路中熔断体的工作情况,在熔断体故障时及时上报,以提示及时更换熔断体,保证了装置可正常工作。
在本发明的一个或多个实施例中,上述继电装置还可包括:控制电路,该控制电路包括CPU(为上述处理器的一个示例)以及继电器驱动电路(为上述第一开关电器以及第二开关电器的驱动电路)。
所属领域的普通技术人员应当理解:以上任何实施例的讨论仅为示例性的,并非旨在暗示本公开的范围(包括权利要求)被限于这些例子;在本公开的思路下,以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合,步骤可以以任意顺序实现,并存在如上所述的本公开的不同方面的许多其它变化,为了简明它们没有在细节中提供。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
本说明书中的各个实施例均采用相关的方式描述,各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。
尤其,对于装置实施例而言,由于其基本相似于方法实施例,所以描述的比较简单,相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
为了描述的方便,描述以上装置是以功能分为各种单元/模块分别描述。当然,在实施本发明时可以把各单元/模块的功能在同一个或多个软件和/或硬件中实现。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程,是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成,所述的程序可存储于一计算机可读取存储介质中,该程序在执行时,可包括如上述各方法的实施例的流程。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (6)
1.一种继电装置,其特征在于,包括:
输入电源、用电负载、第一开关电器、保护电路以及处理器;
所述输入电源、所述用电负载以及所述第一开关电器串联,所述第一开关电器用于在导通时使所述用电负载供电,在关断后停止所述用电负载的供电;
所述保护电路连接于所述第一开关电器两端,用于受所述处理器的控制导通所述保护电路的通路或断开所述保护电路的通路;
所述处理器用于在控制所述第一开关电器断开之前,控制所述保护电路的通路导通,再控制所述第一开关电器断开;
所述保护电路包括:
第二开关电器以及可变电阻,所述第二开关电器以及所述可变电阻串联,所述处理器还用于在所述通路导通第一预设时长后,控制所述保护电路的通路断开;
所述装置还包括:
检测电路,所述检测电路,包括:
第一电阻、第二电阻、放大器、第三电阻、第四电阻、第五电阻以及第六电阻;
所述装置还包括:
状态判断电路,所述状态判断电路包括:
第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻以及第十二电阻;
所述第一晶体管的第一极分别与所述输入电源的正极以及所述用电负载的一端相连,所述第一晶体管的第二极通过所述第七电阻与所述第二晶体管的控制极相连,所述第一晶体管的控制极通过所述第八电阻分别与所述第九电阻的一端以及所述用电负载的另一端相连;所述第二晶体管的第一极、所述第三晶体管的第一极、所述第四晶体管的第一极与输入电压的负极相连,所述第二晶体管的第二极分别与所述第三晶体管的控制极以及所述第九电阻的另一端相连,所述第三晶体管的第二极分别与所述处理器的输入端、所述第三电阻的另一端以及通过所述第十电阻与所述第四晶体管的第二极相连,所述第四晶体管的控制极通过所述第十一电阻与所述第四晶体管的第一极相连,所述第四晶体管的控制极还通过所述第十二电阻连接于所述用电负载以及所述第一开关电器之间;
所述第三晶体管与所述第十电阻之间设置有电压采样点,所述处理器还用于根据所述电压采样点的电压值,确定所述用电负载的状况;
所述第一开关电器以及所述用电负载之间还设置有熔断体,
所述处理器具体用于,在所述电压采样点的电压值不大于第一阈值时,确定所述用电负载发生短路故障或所述用电负载为阻性负载,若检测到所述第二开关电器闭合后,再次获取所述电压采样点的电压值,以及判断再次获取的所述电压采样点的电压值是否不小于第二阈值,若再次获取的所述电压采样点的电压值不小于所述第二阈值,确定所述用电负载为阻性负载,确定所述第一开关电器处于正常工作状态以及确定所述熔断体未熔断,若再次获取的所述电压采样点的电压值不大于所述第一阈值,则确定所述用电负载发生故障;在所述电压采样点的电压值不小于第三阈值不大于第四阈值时,确定所述用电负载为空载或所述用电负载为容性负载,若检测到所述第一开关电器闭合,再次获取所述电压采样点的电压值,判断再次获取的所述电压采样点的电压值是否等于第五阈值,若再次获取到的所述电压采样点的电压值等于所述第五阈值,则确定所述用电负载为空载且所述熔断体未熔断,若再次获取到的所述电压采样点的电压值大于所述第五阈值,则确定所述用电负载为容性负载且所述熔断体未熔断;在检测到所述电压采样点的电压值不小于所述第二阈值时,确定所述用电负载为空载或所述用电负载为容性负载,以及确定熔断体已熔断,其中,所述第一阈值、所述第三阈值、所述第四阈值、所述第二阈值以及所述第五阈值依次增大。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述可变电阻为正温度系数热敏电阻或功率电阻。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述装置还包括:
采样电阻,所述采样电阻的一端与所述第一开关电器串联,所述检测电路连接于所述采样电阻两端,用于检测所述采样电阻两端的采样电压,所述采样电阻的另一端接地。
4.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,
所述放大器的第一输入端以第二输入端分别通过所述第一电阻以及所述第二电阻连接于所述采样电阻两端,所述放大器的第一输入端还分别与所述第四电阻的一端以及所述第五电阻的一端相连,所述第四电阻的另一端与外部电源相连,所述第五电阻的另一端接地,所述放大器的第二输入端通过所述第六电阻与所述放大器的输出端相连,所述放大器的输出端通过所述第三电阻与所述处理器相连。
5.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,
所述处理器还用于在确定所述用电负载发生短路故障时,每隔第二预设时长闭合所述第二开关电器一次,判断所述短路故障是否排除,若所述短路故障排除,控制所述第一开关电器闭合,若所述短路故障未排除,继续根据所述电压采样点的电压值判断所述负载的状况;在确定所述装置的主电路发生短路故障时,断开为所述用电负载的供电。
6.根据权利要求1至5任一项所述的装置,其特征在于,所述第一开关电器以及所述第二开关电器为以下任意一种器件:
金属氧化物半导体场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管、直流继电器、直流接触器以及可控硅半导体器件。
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