CN113130550A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

提供了一种显示装置。该显示装置包括基板，在该基板中限定了包括发射区域和电路区域的多个子像素。该显示装置还包括存储电容器，其布置在电路区域中，并且包括第一电容器电极和在第一电容器电极上的第二电容器电极。该显示装置还包括布置在电路区域中的驱动晶体管。该显示装置还包括布置在多个子像素中的每个中的发光二极管。多个子像素包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素。并且，白色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间的距离小于红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间的距离。因此，白色子像素的存储电容器的面积减小，并且孔径比和亮度增加。

Description

显示装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年12月31日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0179701号的优先权，其公开内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开内容涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种通过改变存储电容器的结构来改善亮度的显示装置。

背景技术

作为用于计算机、电视或蜂窝电话的显示屏的显示装置，存在作为自发光装置的有机发光显示装置(OLED)和需要单独的光源的液晶显示装置(LCD)。

显示装置的适用范围被多样化到个人数字助理以及计算机和电视的显示屏，并且正在研究具有大的显示面积和减小的体积和重量的显示装置。

同时，显示装置包括布置在多个子像素之间以减少多个子像素的颜色混合和多个子像素之间的颜色混合的堤。然而，存在以下问题：为了形成堤，额外的处理是必需的，并且湿气通过由有机材料形成的堤渗透到显示装置中。因此，已经进行了对不包括堤的显示装置的研究，以简化处理并使湿气渗透最小化。

发明内容

要由本公开内容实现的目的是提供一种显示装置，该显示装置通过改变白色子像素的存储电容器的结构来减小存储电容器的面积。

要由本公开内容实现的另一个目的是提供一种显示装置，该显示装置增加白色子像素的孔径比并且改进亮度。

本公开内容的目的不限于以上提到的目的，并且本领域技术人员根据以下描述可以清楚地理解以上未提到的其他目的。

根据本公开内容的一方面，提供了一种显示装置。该显示装置包括基板，在该基板中限定了包括发射区域和电路区域的多个子像素。该显示装置还包括存储电容器，其布置在电路区域中，并且包括第一电容器电极和在第一电容器电极上的第二电容器电极。该显示装置还包括布置在电路区域中的驱动晶体管。该显示装置还包括布置在多个子像素中的每个子像素中的发光二极管。多个子像素包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素。白色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间的距离小于红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间的距离。

根据本公开内容的另一个方面，提供了一种显示装置。该显示装置包括基板，在该基板中限定了包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素的多个子像素。该显示装置还包括存储电容器，其布置在多个子像素中的每个子像素中，并且包括第一电容器电极和在第一电容器电极上的第二电容器电极。该显示装置还包括布置在多个子像素中的每个子像素中的驱动晶体管。该显示装置还包括布置在多个子像素中的每个子像素中的发光二极管。白色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间的绝缘层的数目小于红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间的绝缘层的数目。

根据本公开内容的又一个方面，提供了一种显示装置。该显示装置包括基板，在该基板中限定了包括发射区域和电路区域的多个子像素。该显示装置还包括存储电容器，其布置在电路区域中，并且包括第一电容器电极和在第一电容器电极上的第二电容器电极。该显示装置还包括驱动晶体管，其布置在电路区域中，并且包括第一有源层和在第一有源层上的第一栅电极。该显示装置还包括布置在多个子像素中的每个子像素中的发光二极管。多个子像素包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素。白色子像素的第一电容器电极和第二电容器电极中的一个布置在与第一有源层相同的层上。红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的第一电容器电极和第二电容器电极两者均布置在与第一有源层不同的层上。

示例性实施方式的其他详细内容包括在具体实施方式和附图中。

根据本公开内容，可以通过减小白色子像素的第一电容器电极与第二电容器电极之间的距离来减小存储电容器的面积。

根据本公开内容，减小了白色子像素的存储电容器的面积，以增加孔径比和亮度，并且增加显示装置的发光效率。

根据本公开内容的效果不限于以上例示的内容，并且在本说明书中包括更多不同的效果。

附图说明

根据以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解本公开内容的以上和其他方面、特征和其他优点，在附图中：

图1是根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置的平面图；

图2是根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置的子像素的电路图；

图3是图1的区域A的放大平面图；

图4是沿图3的线IV-IV'截取的截面图；

图5是沿图3的线V-V'截取的截面图；

图6是根据本公开内容的另一示例性实施方式的显示装置的放大平面图；以及

图7是沿图6的线VII-VII'截取的截面图。

具体实施方式

通过参考以下与附图一起详细描述的示例性实施方式，本公开内容的优点和特征以及实现优点和特征的方法将变得清楚。然而，本公开内容不限于本文中公开的示例性实施方式，而是将以各种形式来实现。仅通过示例的方式提供示例性实施方式，使得本领域技术人员可以完全理解本公开内容的公开内容和本公开内容的范围。因此，本公开内容将仅由所附权利要求的范围来限定。

在附图中示出的用于描述本公开内容的示例性实施方式的形状、尺寸、比率、角度、数目等仅是示例，并且本公开内容不限于此。贯穿说明书，相同的附图标记通常表示相同的元件。此外，在本公开内容的以下描述中，可以省略对已知现有技术的详细说明，以避免不必要地使本公开内容的主题模糊。本文中使用的诸如“包括”、“具有”和“包含”的术语通常旨在允许添加其他部件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。除非另有明确说明，否则对单数的任何提及均可以包括复数。

即使没有明确说明，部件也被解释为包括一般的误差范围。

当使用诸如“在……上”、“在……上方”、“在……下方”和“紧接”的术语来描述两个部分之间的位置关系时，除非这些术语与术语“紧接”或“直接”一起使用，否则一个或更多个部分可以位于这两个部分之间。

当元件或层布置在另一元件或层“上”时，另一层或另一元件可以直接置于另一元件上或它们之间。

尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各种部件，但是这些部件不受这些术语限制。这些术语仅用于将一个部件与另一个部件区分开。因此，在本公开内容的技术构思中，下面要提到的第一部件可以是第二部件。

贯穿说明书，相同的附图标记通常表示相同的元件。

为了便于描述，示出了附图中所示的每个部件的尺寸和厚度，并且本公开内容不限于所示的部件的尺寸和厚度。

本公开内容的各个实施方式的特征可以部分或全部彼此粘合或组合，并且可以以技术上不同的方式互锁和操作，并且各实施方式可以彼此独立地或彼此相关联地执行。

在下文中，将参照附图详细地描述本公开内容。

图1是根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置的平面图。在图1中，为了便于描述，在显示装置100的各个部件中，仅示出了基板110和多个子像素SP。

基板110是用于支承显示装置100的其他部件的支承构件，并且可以由绝缘材料配置。例如，基板110可以由玻璃或树脂形成。此外，基板110可以被配置成包括诸如聚合物或聚酰亚胺的塑料，或者可以由具有柔性的材料形成。

基板110包括显示区域AA和非显示区域NA。

显示区域AA是显示图像的区域。在显示区域AA中，可以布置显示图像的多个子像素SP和驱动多个子像素SP的驱动电路。驱动电路可以包括用于驱动子像素SP的各种薄膜晶体管、存储电容器和布线。例如，电路可以包括各种部件，例如驱动晶体管、开关晶体管、感测晶体管、存储电容器、栅极线和数据线，但是不限于此。

非显示区域NA是不显示图像并且布置有用于驱动子像素SP的各种布线和驱动IC的区域。例如，在非显示区域NA中，可以布置诸如栅极驱动器IC和数据驱动器IC的各种驱动IC。

同时，即使在图1中示出了非显示区域NA包围显示区域AA，但是非显示区域NA也可以是从显示区域AA的一侧延伸的区域，但是不限于此。

多个子像素SP布置在基板110的显示区域AA中。多个子像素SP中的每个是发光的独立单元，并且在多个子像素SP中的每个中，形成了发光二极管和驱动电路。例如，多个子像素SP可以包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素，但是不限于此。

在下文中，将参照图2一起更详细地描述多个子像素SP的驱动电路。

图2是根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置的子像素的电路图。

参照图2，驱动多个子像素SP的每个发光二极管160的驱动电路包括第一晶体管120、第二晶体管130、第三晶体管140、存储电容器150、栅极线GL、数据线DL、高电势电力线VDD、感测线SL和参考线RL。

包括在子像素SP的驱动电路中的第一晶体管120、第二晶体管130和第三晶体管140中的每个包括栅电极、源电极和漏电极。第一晶体管120、第二晶体管130和第三晶体管140可以是P型薄膜晶体管或N型薄膜晶体管。例如，由于在P型薄膜晶体管中，空穴从源电极流到漏电极，所以电流从源电极流到漏电极。由于在N型薄膜晶体管中，电子从源电极流到漏电极，所以电流可以从漏电极流到源电极。在下文中，将在第一晶体管120、第二晶体管130和第三晶体管140是电流从漏电极流到源电极的N型薄膜晶体管的假设下进行描述，但是不限于此。

第一晶体管120包括第一有源层、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极。第一栅电极连接至第一节点N1，第一源电极连接至发光二极管160的第一电极，并且第一漏电极连接至高电势电力线VDD。当第一节点N1的电压高于阈值电压时，第一晶体管120导通，并且当第一节点N1的电压低于阈值电压时，第一晶体管120可以关断。当第一晶体管120导通时，第一晶体管120可以将电力信号从高电势电力线VDD传送至发光二极管160。第一晶体管120可以被称为驱动晶体管。

第二晶体管130包括第二有源层、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极。第二栅电极连接至栅极线GL，第二源电极连接至第一节点N1，并且第二漏电极连接至数据线DL。第二晶体管130可以基于来自栅极线GL的栅极信号而导通或关断。当第二晶体管130导通时，来自数据线DL的数据信号可以在第一节点N1处充电。第二晶体管130可以被称为开关晶体管。

第三晶体管140包括第三有源层、第三栅电极、第三源电极和第三漏电极。第三栅电极连接至感测线SL，第三源电极连接至第二节点N2，并且第三漏电极连接至参考线RL。第三晶体管140可以基于来自感测线SL的感测信号而导通或关断。当第三晶体管140导通时，来自参考线RL的参考电压可以被传送至存储电容器150。第三晶体管140可以被称为感测晶体管。同时，即使在图2中示出了栅极线GL和感测线SL是分开的布线，栅极线GL和感测线SL也可以被实现为一条布线。

存储电容器150包括第一电容器电极和第二电容器电极。第一电容器电极连接至第一节点N1，并且第二电容器电极连接至第二节点N2。当发光二极管160发光时，存储电容器150保持第一晶体管120的第一栅电极与第一源电极之间的电势差，使得可以将恒定电流供应至发光二极管160。

发光二极管160的第一电极连接至第二节点N2，并且第二电极连接至低电势电力线VSS。从第一晶体管120向发光二极管160供应电流以发光。在这种情况下，来自低电势电力线的低电势电力信号可以是接地电压。

同时，在图2中，描述了根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100的子像素SP的驱动电路具有包括三个晶体管和一个存储电容器的3T1C结构。然而，晶体管和存储电容器的数目和连接关系可以取决于设计以各种方式变化，并且不限于此。

在下文中，将参照图3和图4更详细地描述多个子像素SP。

图3是图1的区域A的放大平面图。图4是沿图3的线IV-IV'截取的截面图。为了便于说明，在图3中，仅示出了还包括图4的基板110上的第一电极161的部件，并且未示出多个滤色器。图4是红色子像素SPR的截面图，但是红色子像素SPR的截面结构可以与蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的截面结构基本上相同。

参照图3和图4，根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100包括基板110、栅极线GL、数据线DL、高电势电力线VDD、感测线SL、参考线RL、发光二极管160、第一晶体管120、第二晶体管130、第三晶体管140、存储电容器150、滤色器171和172、缓冲层111、栅绝缘层112、钝化层113和平坦化层114。

首先，参照图3，多个子像素SP包括红色子像素SPR、白色子像素SPW、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG，并且每个子像素SP包括发射区域EA和电路区域CA。

发射区域EA是其中一种颜色的光被独立地发射并且发光二极管160可以布置在其中的区域。红色子像素SPR的发射区域EA是发射红光的红色发射区域，白色子像素SPW的发射区域EA是发射白光的白色发射区域，蓝色子像素SPB的发射区域EA是发射蓝光的蓝色发射区域，并且绿色子像素SPG的发射区域EA是发射绿光的绿色发射区域。

在电路区域CA中，布置有用于驱动多个发光二极管160的驱动电路，并且例如布置了第一晶体管120、第二晶体管130、第三晶体管140和存储电容器150。

红色子像素SPR、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的电路区域CA可以具有相似的结构。白色子像素SPW可以具有与红色子像素SPR、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG不同的结构。具体地，红色子像素SPR、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG中的每个的第一晶体管120a和存储电容器150a可以具有与白色子像素SPW的第一晶体管120b和存储电容器150b的结构不同的结构。下面将参照图5进行描述。

一起参照图3和图4，在列方向上延伸的多条高电势电力线VDD、多条数据线DL和参考线RL在基板110上布置在多个子像素SP之间。多条高电势电力线VDD、多条数据线DL和参考线RL布置在基板110的同一层上并且由相同的材料形成。例如，多条高电势电力线VDD、多条数据线DL和参考线RL可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金的导电材料配置，但是不限于此。

多条高电势电力线VDD是将电力信号传送至多个子像素SP的线，并且包括第一高电势电力线VDD1和第二高电势电力线VDD2。在行方向上彼此相邻的两个子像素SP可以共享在多条高电势电力线VDD中的一条高电势电力线VDD。例如，第一高电势电力线VDD1布置在红色子像素SPR的左侧，以将电力信号传送至红色子像素SPR的第一晶体管120a和白色子像素SPW的第一晶体管120b。第二高电势电力线VDD2布置在绿色子像素SPG的右侧，以将电力信号传送至蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的第一晶体管120a。

多条数据线DL是将数据信号传送至多个子像素SP的线，并且包括第一数据线DL1、第二数据线DL2、第三数据线DL3和第四数据线DL4。第一数据线DL1布置在红色子像素SPR与白色子像素SPW之间，即，在红色子像素SPR的右侧，以将数据信号传送至红色子像素SPR的第二晶体管130。第二数据线DL2布置在第一数据线DL1与白色子像素SPW之间，即，在白色子像素SPW的左侧，以将数据信号传送至白色子像素SPW的第二晶体管130。第三数据线DL3布置在蓝色子像素SPB与绿色子像素SPG之间，即，在蓝色子像素SPB的右侧，以将数据信号传送至蓝色子像素SPB的第二晶体管130。第四数据线DL4布置在第三数据线DL3与绿色子像素SPG之间，即，在绿色子像素SPG的左侧，以将数据信号传送至绿色子像素SPG的第二晶体管130。

参考线RL将参考信号传送至多个子像素SP中的每个，并且可以布置在白色子像素SPW与蓝色子像素SPB之间。形成一个像素的多个子像素SP可以共享一条参考线RL。参考线RL可以将参考信号传送至红色子像素SPR、白色子像素SPW、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的第三晶体管140。

缓冲层111布置在多条高电势电力线VDD、多条数据线DL和参考线RL上。缓冲层111可以减少湿气或杂质从基板110的渗透。缓冲层111可以由单层或双层的氧化硅SiOx或氮化硅SiNx配置，但是不限于此。然而，取决于基板110的类型或薄膜晶体管的类型，可以省略缓冲层111，但是不限于此。

第一晶体管120a布置在红色子像素SPR、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG中的每个的电路区域CA中。第一晶体管120a可以包括第一栅电极121a、第一源电极122a、第一漏电极123a和第一有源层124a。电连接至发光二极管160的第一电极161和高电势电力线VDD的第一晶体管120a可以是驱动晶体管。

首先，第一漏电极123a布置在缓冲层111上。第一漏电极123a电连接至多条高电势电力线VDD。具体地，红色子像素SPR的第一漏电极123a通过形成在缓冲层111中的接触孔电连接至第一高电势电力线VDD1。蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的第一漏电极123a通过形成在缓冲层111中的接触孔电连接至第二高电势电力线VDD2。

第一有源层124a布置在缓冲层111上。第一有源层124a可以由诸如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅的半导体材料形成，但是不限于此。例如，当第一有源层124a由氧化物半导体形成时，第一有源层124a由沟道区、源区和漏区形成，并且源区和漏区可以是在其上包含在第一有源层124a中的材料变为导电的区域，但是不限于此。

同时，红色子像素SPR的第一漏电极123a和白色子像素SPW的第一漏电极123b可以一体地形成。蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的第一漏电极123a可以一体地形成。具体地，红色子像素SPR的第一漏电极123a和白色子像素SPW的第一漏电极123b可以一体地形成，以共享一条第一高电势电力线VDD1。例如，来自第一高电势电力线VDD1的电力信号经由红色子像素SPR的第一漏电极123a被传送至白色子像素SPW的第一漏电极123b。来自第二高电势电力线VDD2的电力信号经由绿色子像素SPG的第一漏电极123a被传送至蓝色子像素SPB的第一漏电极123a。然而，本公开内容不限于此，并且红色子像素SPR的第一漏电极123a和白色子像素SPW的第一漏电极123b单独地形成。此外，蓝色子像素SPB的第一漏电极123a和绿色子像素SPG的第一漏电极123a可以单独地形成。

红色子像素SPR、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG中的每个的第一有源层124a和第一漏电极123a可以一体地形成。例如，当电压被施加至红色子像素SPR的第一栅电极121a时，与第一有源层124a一体地形成并且由变为导电的包含在第一有源层124a中的材料形成的第一漏电极123a可以将电力信号从第一高电势电力线VDD1传送至第一有源层124a和第一源电极122a。然而，第一漏电极123a被限定为与第一高电势电力线VDD1一体地形成，但是不限于此。

栅绝缘层112布置在第一有源层124a上。栅绝缘层112可以是使第一栅电极121a与第一有源层124a绝缘的层。栅绝缘层112可以仅布置在与第一栅电极121a和通过相同工艺由与第一栅电极121a相同的材料形成的导电层相对应的区域中。例如，栅绝缘层112布置在基板110的整个表面上，并且然后在第一栅电极121a和布置在栅绝缘层112上的导电层被图案化时一起去除。例如，栅绝缘层112可以由诸如单层或双层的氧化硅SiOx或氮化硅SiNx的绝缘材料配置，但是不限于此。

第一栅电极121a布置在栅绝缘层112上，以与红色子像素SPR、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG中的每个的第一有源层124a交叠。第一栅电极121a可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金的导电材料配置，但是不限于此。

与第一栅电极121a间隔开的第一源电极122a在红色子像素SPR、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG中的每个中布置在栅绝缘层112上。第一源电极122a可以通过形成在栅绝缘层112中的接触孔电连接至第一有源层124a。第一源电极122a布置在与第一栅电极121a相同的层上，以由相同的材料形成，但是不限于此。第一源电极122a可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金的导电材料配置，但是不限于此。

第二晶体管130布置在多个子像素SP中的每个的电路区域CA中。第二晶体管130包括第二栅电极131、第二源电极132、第二漏电极133和第二有源层134。电连接至栅极线GL、数据线DL和第一晶体管120a的第一栅电极121a的第二晶体管130可以是开关晶体管。

首先，在多个子像素SP中的每个中，第二漏电极133布置在基板110与缓冲层111之间。第二漏电极133电连接至多条数据线DL中的一条数据线DL。第二漏电极133与多条数据线DL一体地形成，以由与多条数据线DL相同的材料形成。例如，红色子像素SPR的第二漏电极133与第一数据线DL1一体地形成，白色子像素SPW的第二漏电极133与第二数据线DL2一体地形成。此外，蓝色子像素SPB的第二漏电极133与第三数据线DL3一体地形成，并且绿色子像素SPG的第二漏电极133与第四数据线DL4一体地形成。第二漏电极133可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金的导电材料配置，但是不限于此。

在多个子像素SP中的每个中，与第二漏电极133间隔开的第二源电极132布置在基板110与缓冲层111之间。第二源电极132布置在与第二漏电极133相同的层上，以由相同的材料形成，但是不限于此。第二源电极132可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金的导电材料配置，但是不限于此。

第二有源层134在多个子像素SP中的每个中布置在缓冲层111上。第二有源层134可以通过形成在缓冲层111中的接触孔电连接至第二源电极132和第二漏电极133。第二有源层134可以由诸如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅的半导体材料形成，但是不限于此。

在多个子像素SP中的每个中，第二栅电极131布置在栅绝缘层112上，以与第二有源层134交叠。第二栅电极131可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金的导电材料配置，但是不限于此。

第二栅电极131从栅极线GL延伸。因此，第二栅电极131和栅极线GL可以由相同的材料形成。栅极线GL可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金的导电材料配置，但是不限于此。

栅极线GL将栅极信号传送至多个子像素SP中的每个，并且在行方向上延伸以横穿多个子像素SP。例如，栅极线GL在行方向上在多个子像素SP中的每个的电路区域CA与发射区域EA之间延伸，以与在列方向上延伸的多条高电势电力线VDD、多条数据线DL和参考线RL交叉。

第三晶体管140布置在多个子像素SP中的每个的电路区域CA中。第三晶体管140包括第三栅电极141、第三源电极142、第三漏电极143和第三有源层144。电连接至参考线RL、感测线SL和存储电容器150的第二电容器电极152a和152b的第三晶体管140可以是感测晶体管。

首先，在多个子像素SP中的每个中，第三源电极142布置在基板110与缓冲层111之间。第三源电极142布置在与多条高电势电力线VDD、多条数据线DL和参考线RL相同的层上，并且可以由相同的材料形成。第三源电极142可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金的导电材料配置，但是不限于此。

第三源电极142可以电连接至第一源电极122a和122b。具体地，第三源电极142朝向第一源电极122a和122b延伸。第三源电极142与第一有源层124a和124b的与第一源电极122a和122b交叠的部分接触，以电连接至第一源电极122a和122b。此外，第三源电极142可以电连接至形成存储电容器150的第二电容器电极152a和152b，这将在下面描述。

同时，第三源电极142可以用作遮光层，该遮光层阻挡入射至第一晶体管120的第一有源层124a和124b上的光。例如，当光照射至第一有源层124a和124b上时，生成泄漏电流，使得第一晶体管120的可靠性可能劣化。在这种情况下，由不透明的导电材料形成的第三源电极142布置在第一有源层124a和124b以及第一栅电极121a和121b下方，以阻挡从基板110的下部入射至第一有源层124a和124b上的光。因此，可以改善第一晶体管120的可靠性。

第三有源层144在多个子像素SP中的每个中布置在缓冲层111上。第三有源层144通过形成在缓冲层111中的接触孔电连接至第三源电极142，并且通过形成在栅绝缘层112中的接触孔电连接至第三漏电极143。第三有源层144可以由诸如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅的半导体材料形成，但是不限于此。

在多个子像素SP中的每个中，第三栅电极141布置在栅绝缘层112上以与第三有源层144交叠。第三栅电极141电连接至感测线SL。第三栅电极141与感测线SL一体地形成，以由与感测线SL相同的材料形成。第三栅电极141可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金的导电材料配置，但是不限于此。

感测线SL将感测信号传送至多个子像素SP中的每个，并且在行方向上在多个子像素SP之间延伸。例如，感测线SL在行方向上在多个子像素SP之间的边界处延伸，以与在列方向上延伸的多条高电势电力线VDD、多条数据线DL和参考线RL交叉。

第三漏电极143在多个子像素SP中的每个中布置在栅绝缘层112上。第三漏电极143可以通过形成在栅绝缘层112中的接触孔电连接至第三有源层144。第三漏电极143可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金的导电材料配置，但是不限于此。

第三漏电极143通过辅助参考线SRL电连接至参考线RL。形成一个像素的多个子像素SP可以共享一条参考线RL。在这种情况下，辅助参考线SRL将参考信号从参考线RL传送至多个子像素SP中的每个。辅助参考线SRL电连接至参考线RL并且在行方向上延伸。辅助参考线SRL通过形成在缓冲层111和栅绝缘层112中的接触孔电连接至在白色子像素SPW与蓝色子像素SPB之间在列方向上延伸的参考线RL。此外，辅助参考线SRL从参考线RL在行方向上延伸，以电连接至多个子像素SP中的每个的第三漏电极143。辅助参考线SRL与第三漏电极143一体地形成，以由相同的材料形成。辅助参考线SRL可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金的导电材料配置，但是不限于此。

存储电容器150a布置在红色子像素SPR、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG中的每个的电路区域CA中。存储电容器150a可以存储在第一晶体管120a的第一栅电极121a与第一源电极122a之间的电压，以使得发光二极管160能够在一帧时间内连续保持恒定状态。存储电容器150a包括第一电容器电极151a和第二电容器电极152a。

在红色子像素SPR、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG中的每个中，第一电容器电极151a布置在基板110与缓冲层111之间。第一电容器电极151a可以布置成在布置在基板110上的导电部件中最靠近基板110。因此，第一电容器电极151a与第二电极165之间的距离增加，使得可以最小化在第一电容器电极151a与第二电极165之间可能生成的寄生电容。

第一电容器电极151a可以与第二源电极132一体地形成，以电连接至第二源电极132。此外，第一电容器电极151a可以通过形成在缓冲层111中的接触孔电连接至第一栅电极121a。也就是说，第二晶体管130的第二源电极132和第一晶体管120a的第一栅电极121a可以通过第一电容器电极151a彼此电连接。与第二源电极132一体地形成的第一电容器电极151a由与第二源电极132相同的材料形成。例如，第一电容器电极151a可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金的导电材料配置，但是不限于此。

在这种情况下，第一电容器电极151a布置在第一栅电极121a和第一源电极122a下方。第一电容器电极151a被布置成与第一源电极122a交叠。

在红色子像素SPR、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG中的每个中，第二电容器电极152a布置在栅绝缘层112上。第二电容器电极152a可以布置在第一电容器电极151a上，以与第一电容器电极151a交叠。在这种情况下，可以在第二电容器电极152a与第一电容器电极151a之间布置两个绝缘层，即，缓冲层111和栅绝缘层112。

第二电容器电极152a可以抑制在红色子像素SPR、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的电路区域CA中的漏光。具体地，在红色子像素SPR、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的发射区域EA中，与对应像素相对应的滤色器171和172被布置成将从发光二极管160发射的白光转换成红光、蓝光或绿光。当从红色子像素SPR、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的电路区域CA发射非预期的光时，从发射区域EA发射的光和电路区域CA的光被混合，使得每个子像素SP的色坐标可能失真。在这种情况下，第二电容器电极152a可以由不透明的导电材料形成，以布置在发光二极管160下方。因此，即使从红色子像素SPR、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的电路区域CA发射非预期的光，也可以通过第二电容器电极152a抑制从电路区域CA发射的光穿过基板110。因此，抑制电路区域CA中的漏光，并且可以改善每个子像素SP中的颜色纯度。

第二电容器电极152a可以与第一源电极122a一体地形成，以电连接至第一源电极122a。第一源电极122a的与第一电容器电极151a交叠的部分可以被限定为第二电容器电极152a。与第一源电极122a一体地形成的第二电容器电极152a由与第一源电极122a相同的材料形成。例如，第二电容器电极152a可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金的导电材料配置，但是不限于此。

总之，存储电容器150a的第一电容器电极151a与第二源电极132一体地形成，以电连接至第一晶体管120a的第一栅电极121a和第二晶体管130的第二源电极132。此外，第二电容器电极152a与第一源电极122a一体地形成，以电连接至第一晶体管120a的第一源电极122a和第三晶体管140的第三源电极142。

接下来，钝化层113布置在第一晶体管120、第二晶体管130、第三晶体管140、存储电容器150、多条高电势电力线VDD、多条数据线DL、参考线RL、栅极线GL和感测线SL上。钝化层113是用于保护钝化层113下方的部件的绝缘层。例如，钝化层113可以由单层或双层的氧化硅SiOx或氮化硅SiNx配置，但是不限于此。此外，取决于示例性实施方式，可以省略钝化层113。

多个滤色器布置在钝化层113上。具体地，多个滤色器可以布置在平坦化层114与钝化层113之间。多个滤色器包括第一滤色器171、第二滤色器172和第三滤色器。例如，第一滤色器171是红色滤色器，第二滤色器172是蓝色滤色器，第三滤色器可以是绿色滤色器。

第一滤色器171可以布置在多个子像素SP中的一个子像素SP的发射区域EA中的基板110与平坦化层114之间。第一滤色器171可以布置在多个子像素SP中的一个子像素SP的电路区域CA中的第一晶体管120与平坦化层114之间。例如，第一滤色器171可以是红色滤色器。第一滤色器171布置在红色子像素SPR的发射区域EA中的基板110与平坦化层114之间，并且布置在红色子像素SPR的电路区域CA中的平坦化层114与第一晶体管120a之间。第一滤色器171可以布置在除了红色子像素SPR之外的白色子像素SPW、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG中的每个的电路区域CA中的基板110与平坦化层114之间。因此，布置在红色子像素SPR的发射区域EA中以及在多个子像素SP中的每个的电路区域CA中的第一滤色器171可以形成为网格形状。

第二滤色器172可以布置在多个子像素SP中的另一个子像素SP的发射区域EA中的基板110与平坦化层114之间。第二滤色器172布置在多个子像素SP中的另一个子像素SP的电路区域CA中的第一晶体管120a与平坦化层114之间，并且布置在一个子像素SP的电路区域CA中的第一滤色器171与平坦化层114之间。例如，第二滤色器172是蓝色滤色器。第二滤色器172布置在蓝色子像素SPB的发射区域EA中的基板110与平坦化层114之间，并且布置在蓝色子像素SPB的电路区域CA中的平坦化层114与第一晶体管120a之间。此外，第二滤色器172可以布置在红色子像素SPR的电路区域CA中的第一滤色器171与平坦化层114之间。第二滤色器172可以布置在除了蓝色子像素SPB和红色子像素SPR的电路区域CA之外的白色子像素SPW和绿色子像素SPG中的每个的每个电路区域CA中的基板110与平坦化层114之间。因此，布置在蓝色子像素SPB的发射区域EA和多个子像素中的每个的电路区域CA中的第二滤色器172可以形成为网格形状。

此外，布置在多个子像素SP中的每个的电路区域CA中的第一滤色器171和第二滤色器172可以部分地交叠。在多个子像素SP中的每个的电路区域CA中，第一滤色器171布置在基板110与平坦化层114之间，第二滤色器172布置在第一滤色器171与平坦化层114之间。因此，第一滤色器171和第二滤色器172可以在多个子像素SP中的每个的电路区域CA中交叠。

同时，尽管描述了第一滤色器171和第二滤色器172在多个子像素SP中的每个的电路区域CA中交叠，但是这只是根据处理顺序进行的配置，但电路区域CA中层叠的多个滤色器的类型不限于此。例如，当第三滤色器和第一滤色器171被顺序地形成在钝化层113上时，第三滤色器和第一滤色器171可以层叠在多个子像素SP中的每个的整个电路区域CA中。

第三滤色器布置在多个子像素SP中的另一个子像素SP的发射区域EA中。例如，第三滤色器是绿色滤色器，并且可以布置在绿色子像素SPG的发射区域EA中的基板110与平坦化层114之间。在这种情况下，在绿色子像素SPG的电路区域CA中，代替第三滤色器，可以布置第一滤色器171和第二滤色器172。因此，由于第三滤色器仅布置在绿色子像素SPG的发射区域EA中，所以第三滤色器可以形成为具有岛形状。然而，本公开内容不限于此，并且第一滤色器171或第二滤色器172仅布置在发射区域EA中，以形成为具有岛形状。在这种情况下，在多个子像素SP中的每个的电路区域CA中，第三滤色器可以被布置成与第一滤色器171或第二滤色器172交叠。

同时，滤色器171和172没有布置在白色子像素SPW的发射区域EA中，而是仅布置在电路区域CA中。具体地，发光二极管160发射白光，使得白色子像素SPW不需要用于转换从发光二极管160发射的光的滤色器。因此，在白色子像素SPW的发射区域EA中没有布置单独的滤色器。

多个滤色器中的至少一些被层叠在电路区域CA中，使得第一电容器电极151a与第二电极165之间的寄生电容可以被最小化。具体地，多个滤色器可以布置在发光二极管160与基板110之间，以将从发光二极管160发射的光转换成各种颜色。在这种情况下，多个滤色器中的每个不仅布置在发射区域EA中，而且布置在电路区域CA中，以增加电路区域CA中的第一电容器电极151a与第二电极165之间的距离。例如，第一滤色器171和第二滤色器172可以布置在电路区域CA中的第一电容器电极151a与第二电极165之间。因此，第一电容器电极151a与第二电极165之间的距离增加，并且由第一电容器电极151a与第二电极165之间可能生成的寄生电容而导致的数据信号失真可以被最小化。

平坦化层114布置在钝化层113和滤色器171和172上。平坦化层114是使其上布置有第一晶体管120、第二晶体管130、第三晶体管140、存储电容器150、多条高电势电力线VDD、多条数据线DL、参考线RL、栅极线GL和感测线SL的基板110的上部平坦化的绝缘层。平坦化层114可以由有机材料形成，并且例如可以由单层或双层的聚酰亚胺或光丙烯构成，但是不限于此。

发光二极管160布置在多个子像素SP中的每个中。发光二极管160布置在多个子像素SP中的每个中的平坦化层114上。发光二极管160包括第一电极161、发光层164和第二电极165。

第一电极161布置在发射区域EA中的平坦化层114上。第一电极161向发光层164供应空穴，使得第一电极161可以由具有高功函数的导电材料形成，并且可以被称为阳极。例如，第一电极161可以由透明导电材料(如铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO))形成，但不限于此。

同时，当根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100是顶部发光型时，可以在第一电极161下方添加由具有优异反射效率的金属材料诸如铝(Al)或银(Ag)形成的反射层。因此，从发光层164发射的光被反射至第一电极161以被向上引导，即，被引导至第二电极165。相反，当显示装置100是底部发光型时，第一电极161可以仅由透明导电材料形成。在下文中，将在假设根据本公开内容的示例性实施方式的显示设备100是底部发光型的情况下进行描述。

在发射区域EA和电路区域CA中，发光层164布置在第一电极161上。发光层164可以形成为多个子像素SP上的一个层。也就是说，多个子像素SP的发光层164被连接以被一体地形成。发光层164可以被配置成一个发光层164，或者可以具有发射不同颜色的光的多个发光层164被层叠的结构。发光层164还可以包括有机层，诸如空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层。

在发射区域EA和电路区域CA中，第二电极165布置在发光层164上。第二电极165向发光层164供应电子，使得第二电极可以由具有低功函数的导电材料形成，并且可以被称为阴极。第二电极165可以形成为多个子像素SP上的一个层。也就是说，多个子像素SP的第二电极165被连接以被一体地形成。例如，第二电极165可以由透明导电材料诸如铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)或镱(Yb)合金形成，并且还可以包括金属掺杂层，但不限于此。即使在图3和图4中没有示出，但发光二极管160的第二电极165可以电连接至低电势电力线VSS，以被提供低电势电力信号。

发光二极管160包括从第一电极161延伸至电路区域CA的延伸部162。延伸部162从发射区域EA的第一电极161延伸至电路区域CA的第一源电极122a和122b，以通过形成在平坦化层114和钝化层113中的接触孔而电连接至第一源电极122a和122b。因此，发光二极管160的第一电极161可以通过延伸部162而电连接至第一晶体管120的第一源电极122a和122b以及存储电容器150的第二电容器电极152a和152b。

根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100布置了延伸部162，以降低发光二极管160的功耗并使色坐标的失真最小化。首先，发光层164和第二电极165布置在整个发射区域EA和电路区域CA中。发光层164布置在整个发射区域EA和电路区域CA中，但是光不是从整个发光层164发射，而是仅从与第二电极165和第一电极161都交叠的发光层164的部分发射。在这种情况下，当第一电极161布置在整个电路区域CA中时，光甚至从电路区域CA发射，并且可以增加发光二极管160的功耗和光量。然而，由于根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100是底部发光型，所以即使光从电路区域CA发射，光也被电路区域CA的多个晶体管和存储电容器150阻挡。因此，光提取效率降低。此外，当使用从发射区域EA发射的光来实现图像时，非预期的光从电路区域CA发射，使得色坐标可能由于漏光而失真。因此，在电路区域CA中，至少仅布置了电连接至第一电极161的延伸部162，使得电路区域CA中的光发射被最小化，并且可以减少发光二极管160的功耗和色坐标的失真。

发光二极管160包括从第一电极161延伸至相邻子像素SP的电路区域CA的修复单元163。修复单元163延伸至在相邻子像素SP中发射具有相同颜色的光的子像素SP的电路区域CA。例如，一个红色子像素SPR的修复单元163可以朝向在垂直方向上与一个红色子像素SPR相邻的另一个红色子像素SPR的电路区域CA延伸。修复单元163可以朝向相邻子像素SP的电路区域CA的第三晶体管140的第三源电极142延伸。修复单元163可以与第三源电极142交叠，其间具有平坦化层114和钝化层113。

如果在电路区域CA的多个晶体管和存储电容器150中出现缺陷，则将激光照射至朝向相邻子像素SP的第三源电极142延伸的修复单元163上，以将修复单元163电连接至相邻子像素SP的第三源电极142。此时，第三源电极142被电连接在第一晶体管120的第一源电极122a和122b与发光二极管160的第一电极161之间，即，在从第一晶体管120供应至发光二极管160的电流流动的点处。因此，即使在驱动电路中出现缺陷，第一晶体管120和修复单元163也可以通过相邻子像素SP的第三源电极142电连接，并且两个发光二极管160可以由一个驱动电路来驱动。同时，尽管在附图中，示出了修复单元163与第三源电极142交叠，但是修复单元163可以与第一晶体管120交叠，但不限于此。

修复图案RP布置在修复单元163与第三源电极142之间。修复图案RP可以由与同一层上的第一栅电极121a和栅极线GL相同的材料形成。具有岛形状的修复图案RP被布置成与第三源电极142和修复单元163交叠。当驱动电路中出现缺陷时，将激光照射至修复单元163上，以将修复单元163、修复图案RP和第三源电极142彼此电连接。在这种情况下，多个绝缘层诸如缓冲层111、栅绝缘层112、钝化层113和平坦化层114被布置在第三源电极142与修复单元163之间。此外，修复图案RP还被布置在第三源电极142与修复单元163之间，以容易地连接第三源电极142和修复单元163。然而，取决于设计可以省略修复单元163和修复图案RP，但不限于此。

同时，由与栅极线GL相同的材料形成的虚拟图案DP被布置在多个接触孔的一些接触孔、高电势电力线VDD和参考线RL上。具有岛形状的虚拟图案DP可以被布置成使得与高电势电力线VDD、参考线RL或接触孔交叠。虚拟图案DP是用于掩模设计的图案，使得虚拟图案DP的布置可以取决于掩模设计而变化，但不限于此。

在下文中，将参照图3和图5更详细地描述白色子像素SPW。

图5是沿图3的线V-V'截取的截面视图。

参照图3和图5，第一晶体管120b、第二晶体管130、第三晶体管140和存储电容器150b被布置在白色子像素SPW的电路区域CA中。第二晶体管130和第三晶体管140的结构与上述红色子像素SPR的结构基本相同，因此将省略多余的描述。

白色子像素SPW的第一晶体管120b包括第一栅电极121b、第一源电极122b、第一漏电极123b和第一有源层124b。电连接至发光二极管160的第一电极161和高电势电力线VDD的第一晶体管120b可以是驱动晶体管。

首先，第一漏电极123b布置在缓冲层111上。白色子像素SPW的第一漏电极123b可以与红色子像素SPR的第一漏电极123a一体地形成。也就是说，白色子像素SPW的第一漏电极123b和红色子像素SPR的第一漏电极123a可以被一体地形成，以共享一个第一高电势电力线VDD1。因此，第一漏电极123b可以通过形成在缓冲层111上的接触孔而电连接至第一高电势电力线VDD1。

白色子像素SPW的第一有源层124b布置在缓冲层111上。第一有源层124b可以与第一漏电极123b一体地形成。也就是说，当电压被施加至白色子像素SPW的第一栅电极121b时，与第一有源层124b一体地形成并且由变得导电的第一有源层124a中包含的材料形成的第一漏电极123b可以将电力信号从第一高电势电力线VDD1传送至第一有源层124b和第一源电极122b。此外，不是导电区域的第一有源层124b可以用作第一晶体管120b的沟道。

白色子像素SPW的第一栅电极121b布置在栅绝缘层112上，以与第一有源层124b交叠。白色子像素SPW的第一栅电极121b布置在与红色子像素SPR、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的第一栅电极121a相同的层上，以由相同的材料形成，但不限于此。

白色子像素SPW的第一源电极122b布置在栅绝缘层112上，以与第一栅电极121b间隔开。第一源电极122b可以通过在栅绝缘层112上形成的接触孔而电连接至第一有源层124b。第一源电极122b布置在与第一栅电极121b相同的层上，以由相同的材料形成，但是不限于此。例如，第一源电极122b与第一有源层124b被一体地形成，以连接第一有源层124b和第二电容器电极152b。在这种情况下，第一源电极122b从第一有源层124b延伸，使得包含在第一有源层124b中的材料变得导电。第二电容器电极152b从第一源电极122b延伸，使得包含在第一有源层124b中的材料变得导电。

白色子像素SPW的存储电容器150b可以在第一晶体管120b的第一栅电极121b与第一源电极122b之间存储电压，以使发光二极管160能够持续保持一帧的恒定状态。存储电容器150b包括第一电容器电极151b和第二电容器电极152b。

白色子像素SPW的第一电容器电极151b布置在基板110与缓冲层111之间。白色子像素SPW的第一电容器电极151b可以布置在与红色子像素SPR的第一电容器电极151a相同的层上，并且由相同的材料形成，但是不限于此。第一电容器电极151b布置在第一栅电极121b和第一源电极122b下方。具体地，第一电容器电极151b可以被布置成在基板110上布置的导电部件中最靠近基板110。因此，第一电容器电极151b与第二电极165之间的距离增加，从而可以使第一电容器电极151b与第二电极165之间可能生成的寄生电容最小化。

第一电容器电极151b可以与第二源电极132一体地形成，以电连接至第二源电极132。此外，第一电容器电极151b可以通过缓冲层111中形成的接触孔而电连接至第一栅电极121b。也就是说，第二晶体管130的第二源电极132和第一晶体管120b的第一栅电极121b可以通过第一电容器电极151b彼此电连接。

白色子像素SPW的第二电容器电极152b布置在缓冲层111上。第二电容器电极152b布置在与第一有源层124b相同的层上，使得包含在第一有源层124b中的材料变得导电。第二电容器电极152b可以布置在第一电容器电极151b上，以与第一电容器电极151b交叠。在这种情况下，只有一个绝缘层(即缓冲层111)布置在第二电容器电极152b与第一电容器电极151b之间。

第二电容器电极152b可以通过栅绝缘层112中形成的接触孔而电连接至第一源电极122b。替选地，第二电容器电极152b可以与第一源电极122b一体地形成，以电连接至第一源电极122b。当第二电容器电极152b和第一源电极122b一体地形成时，第二电容器电极152b可以被定义为与第一源电极122b的第一电容器电极151b交叠的区域。第二电容器电极152b可以通过第一源电极122b而电连接至第三晶体管140的第三源电极142。

在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，白色子像素SPW的第一电容器电极151b与第二电容器电极152b之间的绝缘层的数目可以小于红色子像素SPR、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的第一电容器电极151a与第二电容器电极152a之间的绝缘层的数目。具体地，可以仅将缓冲层111布置在白色子像素SPW的第一电容器电极151b与第二电容器电极152b之间。此外，缓冲层111和栅绝缘层112可以布置在红色子像素SPR、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的第一电容器电极151a与第二电容器电极152a之间。也就是说，一个绝缘层可以布置在白色子像素SPW的第一电容器电极151b与第二电容器电极152b之间。两个绝缘层可以布置在红色子像素SPR、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的第一电容器电极151a与第二电容器电极152a之间。

换言之，栅绝缘层112被布置在红色子像素SPR、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的第一电容器电极151a与第二电容器电极152a之间。然而，在白色子像素SPW的第一电容器电极151b与第二电容器电极152b之间可以省略栅绝缘层112。因此，白色子像素SPW的第一电容器电极151b与第二电容器电极152b之间的距离小于红色子像素SPR、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的第一电容器电极151a与第二电容器电极152a之间的距离。

因此，白色子像素SPW的第一电容器电极151b和第二电容器电极152b的面积可以减小。具体地，对应的子像素SP所需的电容可以存在于多个子像素SP中的每个中。在这种情况下，白色子像素SPW的第一电容器电极151b与第二电容器电极152b之间的距离减小，使得白色子像素SPW所需的电容被保持，并且第一电容器电极151b和第二电容器电极152b的面积可以减小。因此，白色子像素SPW的第一电容器电极151b和第二电容器电极152b的面积可以小于红色子像素SPR、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的第一电容器电极151a和第二电容器电极152a的面积。根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100具有省略了堤的结构，使得可以从布置有第一电极161的所有区域发射光。也就是说，不仅在发射区域EA中，而且还在电路区域CA的布置有延伸部162的区域中，可以发射光。因此，白色子像素SPW的第一电容器电极151b和第二电容器电极152b的面积减小，使得发射光的面积可以增加到与第一电容器电极151b和第二电容器电极152b的减小的面积一样大。因此，从白色子像素SPW释放的光的孔径比增加，从而可以提高亮度。

此外，白色子像素SPW的第一电容器电极151b包括金属材料，并且第二电容器电极152b可以是包含在第一有源层124b中的半导体材料变得导电的区域。相反，红色子像素SPR、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的所有第一电容器电极151a和第二电容器电极152a可以包括金属材料。也就是说，在白色子像素SPW中，一个金属层被布置在与存储电容器150b对应的延伸部162下方，并且在红色子像素SPR、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG中，两个金属层可以布置在与存储电容器150b对应的延伸部162下方。减少了在白色子像素SPW的延伸部162下方布置的金属层的数目，从而抑制了由金属层导致的发射光的阻挡，并且可以进一步增加孔径比。

在一般的显示装置中，为了便于设计，具有相同截面结构的存储电容器被应用于所有多个子像素。具体地，在每个子像素中，第一电容器电极被布置在与遮光层相同的层上，以及第二电容器电极被布置在与栅电极相同的层上。因此，入射至每个子像素的电路单元上的光被第一电容器电极和第二电容器电极阻挡，并且由电路单元中生成的非预期的光而导致的漏光被抑制。在这种情况下，第一电容器电极被布置在基板与缓冲层之间，并且第二电容器电极被布置在缓冲层上的栅绝缘层与钝化层之间。因此，两个绝缘层(即缓冲层和栅绝缘层)被布置在第一电容器电极与第二电容器电极之间。因此，为了使存储电容器能够具有足够的电容，第一电容器电极和第二电容器电极的面积需要保持在预定水平或更高。

在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，红色子像素SPR、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的存储电容器150a的结构被配置成与白色子像素SPW的存储电容器150b的结构不同。因此，白色子像素SPW的孔径比增加，并且亮度提高。

具体地，由于发光二极管160是白光发光二极管，因此即使在白色子像素SPW的电路区域CA中产生漏光，也可以有助于改善白色子像素SPW的孔径比和亮度。也就是说，白色子像素SPW不需要单独的漏光抑制结构，使得第二电容器电极152b可以不在与红色子像素SPR、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的第二电容器电极152a相同的层上由相同的金属层形成。

因此，白色子像素SPW的第二电容器电极152b形成在与第一有源层124b相同的层上，使得包含在第一有源层124b中的材料变得导电。也就是说，在白色子像素SPW的第一电容器电极151b与第二电容器电极152b之间省略栅绝缘层112，并且布置了作为一个绝缘层的缓冲层111。因此，由于第一电容器电极151b与第二电容器电极152b之间的距离减小，所以存储电容器150b的电容被保持，并且第一电容器电极151b与第二电容器电极152b的面积可以减小。只要减少白色子像素SPW的存储电容器150b的面积，就可以增加孔径比，从而可以改进白色子像素SPW的亮度。

换言之，在红色子像素SPR、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG中，第二电容器电极152a和第一栅电极121a可以布置在同一层上，以抑制电路区域CA的漏光。因此，两个绝缘层可以布置在第一电容器电极151a与第二电容器电极152a之间。相反，在白色子像素SPW的情况下，漏光可以有助于改进亮度，使得第二电容器电极152b和第一有源层124b可以布置在同一层上。因此，一个绝缘层被布置在第一电容器电极151b与第二电容器电极152b之间，并且它们之间的距离可以相对接近。因此，白色子像素SPW的存储电容器150b的面积可以减小。此外，白色子像素SPW的第二电容器电极152b由变得导电的第一有源层124b中包含的半导体材料形成，使得只有存储电容器150b的第一电容器电极152a可以由金属层形成。因此，由白色子像素SPW的存储电容器150b的金属层导致的对从电路区域CA发射光的阻挡可以被最小化。因此，改进了白色子像素SPW的孔径比和亮度，从而可以改进显示装置100的发光效率。

图6是根据本公开内容的另一示例性实施方式的显示装置的放大平面图。图7是沿图6的线VII-VII'截取的截面视图。图6和图7的显示装置600具有不同于图1至图5的显示装置100的白色子像素SPW的第一晶体管620b、第二晶体管630、存储电容器650b和延伸部662的结构，但是其他配置基本相同。因此，将省略多余的描述。

参照图6和图7，第一晶体管620b、第二晶体管630、第三晶体管140、存储电容器650b和延伸部662被布置在白色子像素SPW的电路区域CA中。

白色子像素SPW的第一晶体管620b包括第一栅电极621b、第一源电极622b、第一漏电极623b和第一有源层624b。电连接至发光二极管160的第一电极161和高电势电力线VDD的第一晶体管620b可以是驱动晶体管。

首先，第一漏电极623b布置在缓冲层111上。白色子像素SPW的第一漏电极623b可以与红色子像素SPR的第一漏电极123a一体地形成。也就是说，白色子像素SPW的第一漏电极623b和红色子像素SPR的第一漏电极123a可以被一体地形成，以共享一个第一高电势电力线VDD1。因此，第一漏电极623b可以通过缓冲层111上形成的接触孔而电连接至第一高电势电力线VDD1。

白色子像素SPW的第一有源层624b布置在缓冲层111上。第一有源层624b可以与第一漏电极623b一体地形成。也就是说，当电压被施加至白色子像素SPW的第一栅电极621b时，与第一有源层624b一体地形成使得包含在第一有源层624b中的材料变得导电的第一漏电极623b可以将电力信号从第一高电势电力线VDD1传送至第一有源层624b和第一源电极622b。此外，不是导电区域的第一有源层624b可以用作第一晶体管620b的沟道。

白色子像素SPW的第一栅电极621b布置在栅绝缘层112上，以与第一有源层624b交叠。白色子像素SPW的第一栅电极621b被布置在与红色子像素SPR、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的第一栅电极121a相同的层上，以由相同的材料形成，但是不限于此。

白色子像素SPW的第一源电极622b布置在栅绝缘层112上，以与第一栅电极621b间隔开。第一源电极622b可以通过栅绝缘层112上形成的接触孔而电连接至第一有源层624b。第一源电极622b布置在与第一栅电极621b相同的层上，以由相同的材料形成，但是不限于此。例如，第一源电极622b可以与第一有源层624b一体地形成。在这种情况下，第一源电极622b从第一有源层624b延伸，使得包含在第一有源层624b中的材料变得导电。

白色子像素SPW的第二晶体管630包括第二栅电极631、第二源电极632、第二漏电极633和第二有源层634。电连接至第一晶体管620a的栅极线GL、数据线DL和第一栅电极621a的第二晶体管630可以是开关晶体管。

首先，第二漏电极633布置在基板110与缓冲层111之间。第二漏电极633电连接至多条数据线DL中的一条数据线DL。第二漏电极633与多条数据线DL一体地形成，以由与多条数据线DL相同的材料形成。例如，白色子像素SPW的第二漏电极633可以与第二数据线DL2一体地形成。

白色子像素SPW的第二有源层634布置在缓冲层111上。第二有源层634可以通过缓冲层111上形成的接触孔而电连接至第二漏电极633。第二有源层634布置在与第一有源层624b相同的层上，以由相同的材料形成，但是不限于此。

白色子像素SPW的第二源电极632布置在缓冲层111上。第二源电极632可以与第二有源层634一体地形成。也就是说，第二源电极632从第二有源层634延伸，使得包含在第二有源层634中的材料变得导电。第二源电极632将第二晶体管630电连接至第一晶体管620a的第一栅电极621a。

白色子像素SPW的第二栅电极631布置在栅绝缘层112上，以与第二有源层634交叠。第二栅电极631从栅极线GL延伸。因此，第二栅电极631与栅极线GL一体地形成，以由与栅极线GL相同的材料形成。

白色子像素SPW的存储电容器650b可以在第一晶体管620b的第一栅电极621b与第一源电极622b之间存储电压，以使发光二极管160能够持续保持一帧的恒定状态。存储电容器650b包括第一电容器电极651b和第二电容器电极652b。

白色子像素SPW的第一电容器电极651b布置在缓冲层111与钝化层113之间。第一电容器电极651b可以与第二源电极632一体地形成，以电连接至第二源电极632。也就是说，第一电容器电极651b布置在与第一有源层624b和第二有源层634相同的层上，使得包含在第一有源层624b和第二有源层634中的材料变得导电。第一电容器电极651b可以通过栅绝缘层112中形成的接触孔而电连接至第一栅电极621b。也就是说，第二晶体管630的第二源电极632和第一晶体管620b的第一栅电极621b可以通过第一电容器电极651b彼此电连接。

白色子像素SPW的第二电容器电极652b布置在钝化层113上。第二电容器电极652b与从发光二极管160的第一电极161朝向电路区域CA延伸的延伸部662一体地形成，以电连接至延伸部662。因此，第二电容器电极652b可以由与第一电极161相同的透明导电材料形成。在这种情况下，第二电容器电极652b可以被限定为延伸部662的与第一电容器电极651b交叠的区域。

同时，延伸部662的部分区域被布置在与第一电极161相同的层的平坦化层114上，并且剩余区域可以布置在钝化层113上。在这种情况下，延伸部分662的被布置在钝化层113上的剩余区域可以与第二电容器电极652b对应。具体地，平坦化层114可以布置在钝化层113上，以使钝化层113的与第一电容器电极651b交叠的部分暴露。也就是说，平坦化层114没有布置在与第一电容器电极651b交叠的钝化层113上。此外，第二电容器电极652b从平坦化层114上的延伸部662延伸，以布置在被平坦化层114暴露的钝化层113上。因此，只有一个绝缘层(即钝化层113)被布置在第二电容器电极652b与第一电容器电极651b之间。

第二电容器电极652b可以连接至延伸部662，以通过平坦化层114和钝化层113中形成的接触孔而电连接至第一源电极622b。第二电容器电极652b可以通过延伸部662和第一源电极622b而电连接至第三晶体管140的第三源电极142。

延伸部662从发射区域EA的第一电极161延伸至白色子像素SPW中的电路区域CA。在这种情况下，发光二极管160的发光层164和第二电极165被布置在整个发射区域EA和电路区域CA中。因此，发光层164和第二电极165可以布置在延伸部662上。因此，在电路区域CA的布置有延伸部662的区域中，可以发射光。

白色子像素SPW的延伸部662从第一电极161延伸至第一源电极622b。在这种情况下，与第一电极161类似，延伸部662的部分区域可以布置在平坦化层114上。延伸部662可以通过形成在平坦化层114和钝化层113中的接触孔而电连接至第一源电极622b。因此，发光二极管160的第一电极161可以通过延伸部662而电连接至第一晶体管620b的第一源电极622b。

白色子像素SPW的延伸部662与存储电容器650b的第二电容器电极652b一体地形成，以电连接至第二电容器电极652b。具体地，延伸部662的部分区域可以用作第二电容器电极652b。在这种情况下，延伸部662的与第二电容器电极652b对应的部分区域可以布置在钝化层113上。因此，延伸部662的与第二电容器电极652b对应的区域可以与第一电容器电极651b交叠，钝化层113位于其间。

在根据本公开内容的另一示例性实施方式的显示装置600中，白色子像素SPW的第一电容器电极651b与第二电容器电极652b之间的绝缘层的数目可以小于红色子像素SPR、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的第一电容器电极151a与第二电容器电极152a之间的绝缘层的数目。具体地，可以仅将作为一个绝缘层的钝化层113布置在白色子像素SPW的第一电容器电极651b与第二电容器电极652b之间。具体地，两个绝缘层(即缓冲层111和栅绝缘层112)可以布置在红色子像素SPR、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的第一电容器电极151a与第二电容器电极152a之间。因此，白色子像素SPW的第一电容器电极651b与第二电容器电极652b之间的距离可以相对小于红色子像素SPR、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的第一电容器电极151a与第二电容器电极152a之间的距离。

随着白色子像素SPW的第一电容器电极651b与第二电容器电极652b之间的距离减小，白色子像素SPW所需的电容被保持，并且第一电容器电极651b的面积可以减小。因此，白色子像素SPW的第一电容器电极651b和第二电容器电极652b的面积可以小于红色子像素SPR、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的第一电容器电极151a和第二电容器电极152a的面积。此外，只要存储电容器650b的面积减少，发射光的面积就增加，使得孔径比和亮度可以增加。

此外，在白色子像素SPW中，漏光有助于孔径比和亮度的改善，从而不需要用于抑制漏光的单独结构。因此，第一电容器电极651b和第二电容器电极652b可以不在与红色子像素SPR、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的第一电容器电极151a和第二电容器电极152a相同的层上由相同的金属层形成。因此，第一电容器电极651b布置在与第一有源层624b相同的层上，使得包含在第一有源层624b中的材料变得导电。在这种情况下，缓冲层111和基板110布置在第一电容器电极651b下方，从而没有金属层。此外，第二电容器电极652b形成在与第一电极161相同的层上，以由透明导电材料形成，类似于第一电极161。因此，由不透明金属层导致的对从白色子像素SPW的电路区域CA发射光的阻挡被最小化，并且可以提高孔径比和亮度。

在根据本公开内容的另一示例性实施方式的显示装置600中，白色子像素SPW的第二电容器电极652b可以与从第一电极161延伸的延伸部662一体地形成。也就是说，延伸部662的一部分用作第二电容器电极652b，使得延伸部662可以具有与第一电容器电极651b完全交叠的区域。因此，白色子像素SPW的延伸部662的面积可以大于红色子像素SPR、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的延伸部162的面积。在这种情况下，发光层164和第二电极165可以布置在延伸部分662上。也就是说，第二电容器电极652b可以与第一电容器电极651a一起用作存储电容器650a的部件，并且还与发光层164和第二电极165一起用作发光二极管的部件。换言之，光可以从白色子像素SPW的存储电容器650b发射。因此，与白色子像素SPW的电路区域CA中的存储电容器650b所占据的面积一样，发射光的面积可以增加。结果，可以进一步增加白色子像素SPW的孔径比和亮度，并且可以提高显示装置600的发光效率。

本公开内容的示例性实施方式也可以描述如下：

根据本公开内容的一个方面，提供了显示装置。该显示装置包括如下基板，在该基板中限定了包括发射区域和电路区域的多个子像素。显示装置还包括存储电容器，该存储电容器布置在电路区域中，并且包括第一电容器电极和在第一电容器电极上的第二电容器电极。显示装置还包括布置在电路区域中的驱动晶体管。显示装置还包括布置在多个子像素中的每个子像素中的发光二极管。多个子像素包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素。以及白色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间的距离小于红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间的距离。

白色子像素中的第一电容器电极和第二电容器电极中的每个的面积小于红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中的第一电容器电极和第二电容器电极中的每个的面积。

多个子像素的第一电容器电极形成在同一层上，并且白色子像素的第二电容器电极布置在红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的第二电容器电极下方。

白色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间的绝缘层的数目小于红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间的绝缘层的数目。

显示装置还可以包括布置在基板和第一电容器电极上的缓冲层以及布置在驱动晶体管的第一栅电极下方的栅绝缘层。缓冲层和栅绝缘层可以布置在红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间。缓冲层可以布置在白色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间。

显示装置还可以包括布置在基板上的缓冲层、布置在驱动晶体管的第一栅电极下方的栅绝缘层以及布置在第一栅电极上方的钝化层。缓冲层和栅绝缘层可以布置在红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间。钝化层可以布置在白色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间。

发光二极管可以包括布置在发射区域中的第一电极和从第一电极延伸至电路区域的延伸部。白色子像素的延伸部可以与白色子像素的第二电容器电极一体地形成。

白色子像素的延伸部可以与白色子像素的第一电容器电极交叠。白色子像素的延伸部的面积可以大于红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的延伸部的面积。

显示装置还可以包括使驱动晶体管和存储电容器的上部平坦化的平坦化层。发光二极管可以包括平坦化层上的第一电极、位于第一电极上并布置在整个发射区域和电路区域中的发光层、以及位于发光层上并布置在整个发射区域和电路区域中的第二电极。多个子像素的第一电极可以被布置成彼此间隔开。发光层可以布置在彼此间隔开的第一电极之间。

根据本公开内容的另一方面，提供了显示装置。该显示装置包括如下基板，在该基板中限定了包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素的多个子像素。该显示装置还包括存储电容器，该存储电容器布置在多个子像素中的每个中，并且包括第一电容器电极和第一电容器电极上的第二电容器电极。显示装置还包括布置在多个子像素中的每个中的驱动晶体管。显示装置还包括布置在多个子像素中的每个中的发光二极管。白色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间的绝缘层的数目小于红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间的绝缘层的数目。

白色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间的距离可以小于红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间的距离。

白色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极中的每个的面积可以小于红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中的第一电容器电极和第二电容器电极中的每个的面积。

驱动晶体管可以包括第一有源层和第一有源层上的第一栅电极。白色子像素的第一电容器电极或第二电容器电极可以布置在与第一有源层相同的层上。红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的第一电容器电极和第二电容器电极二者可以布置在与第一有源层不同的层上。

多个子像素的第一电容器电极可以形成在相同的层上。白色子像素的第二电容器电极可以布置在红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的第二电容器电极下方。

发光二极管可以包括布置在多个子像素中的每个中的阳极和从阳极朝向存储电容器延伸的延伸部。白色子像素的延伸部可以与白色子像素的第二电容器电极一体地形成。

显示装置还可以包括使驱动晶体管和存储电容器的上部平坦化的平坦化层。发光二极管可以包括：在多个子像素中的每个中的平坦化层上的多个阳极；完全地布置在多个子像素中以覆盖多个阳极的发光层；以及完全地布置在多个子像素中以覆盖发光层的阴极。发光层的一部分可以布置在平坦化层上。

根据本公开内容的又一方面，提供了显示装置。该显示装置包括如下基板，在该基板中限定了包括发射区域和电路区域的多个子像素。该显示装置还包括存储电容器，该存储电容器布置在电路区域中，并且包括第一电容器电极和第一电容器电极上的第二电容器电极。该显示装置还包括驱动晶体管，该驱动晶体管布置在电路区域中，并且包括第一有源层和第一有源层上的第一栅电极。显示装置还包括布置在多个子像素中的每个中的发光二极管。多个子像素包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素。白色子像素的第一电容器电极和第二电容器电极中的一个布置在与第一有源层相同的层上。红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的第一电容器电极和第二电容器电极二者布置在与第一有源层不同的层上。

多个子像素的第一电容器电极可以形成在相同的层上。白色子像素的第二电容器电极可以布置在与第一有源层相同的层上。红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的第二电容器电极可以布置在与第一栅电极相同的层上。

显示装置还可以包括第一栅电极上的钝化层以及布置在钝化层上以使钝化层的一部分暴露的平坦化层。白色子像素的第一电容器电极可以布置在与第一有源层相同的层上。白色子像素的第二电容器电极可以布置在由平坦化层暴露的钝化层上。红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的第一电容器电极可以布置在第一有源层下方。红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的第二电容器电极可以布置在与第一栅电极相同的层上。

白色子像素的第一电容器电极或第二电容器电极可以包括从第一有源层中包括的材料改变的导电材料。红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的第二电容器电极可以包括与第一栅电极相同的材料。

显示装置还可以包括在基板与第一有源层之间布置的遮光层。红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的第一电容器电极可以包括与遮光层相同的材料。红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的第二电容器电极可以包括与第一栅电极相同的材料。白色子像素的第一电容器电极可以包括与遮光层相同的材料。白色子像素的第二电容器电极可以包括从第一有源层中包括的材料改变的导电材料。

显示装置还可以包括在基板与第一有源层之间布置的遮光层。发光二极管可以包括第一电极、发光层和第二电极。红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的第一电容器电极可以包括与遮光层相同的材料。红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的第二电容器电极可以包括与第一栅电极相同的材料。白色子像素的第一电容器电极可以包括从第一有源层中包括的材料改变的导电材料。白色子像素的第二电容器电极可以包括与第一电极相同的材料。

尽管已经参照附图详细描述了本公开内容的示例性实施方式，但是本公开内容不限于此，并且可以在不偏离本公开内容的技术概念的情况下以多种不同的形式来实施。因此，本公开内容的示例性实施方式仅出于说明的目的而被提供，但不旨在限制本公开内容的技术概念。本公开内容的技术概念的范围不限于此。因此，应当理解的是，上述示例性实施方式在所有方面都是说明性的，并且不限制本公开内容。本公开内容的保护范围应当基于所附权利要求来解释，并且其等效范围内的所有技术概念应当被解释为落入本公开内容的范围内。

本公开内容还包括以下技术方案。

1.一种显示装置，包括：

基板，在所述基板中限定了包括发射区域和电路区域的多个子像素；

存储电容器，其布置在所述电路区域中，并且包括第一电容器电极和在所述第一电容器电极上的第二电容器电极；

驱动晶体管，其布置在所述电路区域中；以及

发光二极管，其布置在所述多个子像素中的每个中，

其中，所述多个子像素包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素，并且

其中，所述白色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间的距离小于所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间的距离。

2.根据技术方案1所述的显示装置，其中，所述白色子像素中的第一电容器电极和第二电容器电极中的每个的面积小于所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素中的第一电容器电极和第二电容器电极中的每个的面积。

3.根据技术方案1所述的显示装置，其中，所述多个子像素的第一电容器电极形成在同一层上，并且所述白色子像素的第二电容器电极布置在所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素的第二电容器电极下方。

4.根据技术方案1所述的显示装置，其中，所述白色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间的绝缘层的数目小于所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间的绝缘层的数目。

5.根据技术方案4所述的显示装置，还包括：

缓冲层，其布置在所述基板和所述第一电容器电极上；以及

栅绝缘层，其布置在所述驱动晶体管的第一栅电极下方，

其中，所述缓冲层和所述栅绝缘层布置在所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间，并且

其中，所述缓冲层布置在所述白色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间。

6.根据技术方案4所述的显示装置，还包括：

缓冲层，其布置在所述基板上；

栅绝缘层，其布置在所述驱动晶体管的第一栅电极下方；以及

钝化层，其布置在所述第一栅电极上方，

其中，所述缓冲层和所述栅绝缘层布置在所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间，并且

其中，所述钝化层布置在所述白色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间。

7.根据技术方案1所述的显示装置，其中，所述发光二极管包括：第一电极，其布置在所述发射区域中；以及延伸部，其从所述第一电极延伸至所述电路区域，并且

其中，所述白色子像素的延伸部与所述白色子像素的第二电容器电极一体地形成。

8.根据技术方案7所述的显示装置，其中，所述白色子像素的延伸部与所述白色子像素的第一电容器电极交叠，并且

其中，所述白色子像素的延伸部的面积大于所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素的延伸部的面积。

9.根据技术方案1所述的显示装置，还包括：

平坦化层，其使所述存储电容器和所述驱动晶体管的上部平坦化，

其中，所述发光二极管包括：

第一电极，其被布置在所述平坦化层上；

发光层，其被布置在所述第一电极上，并且被布置在整个所述发射区域和电路区域中；以及

第二电极，其被布置在所述发光层上，并且被布置在整个所述发射区域和电路区域中，

其中，所述多个子像素的第一电极被彼此间隔开，并且

其中，所述发光层被布置在彼此间隔开的第一电极之间。

10.一种显示装置，包括：

基板，在所述基板中限定了包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素的多个子像素；

存储电容器，其布置在所述多个子像素中的每个中，并且包括第一电容器电极和在所述第一电容器电极上的第二电容器电极；

驱动晶体管，其布置在所述多个子像素中的每个中；以及

发光二极管，其布置在所述多个子像素中的每个中，

其中，所述白色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间的绝缘层的数目小于所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间的绝缘层的数目。

11.根据技术方案10所述的显示装置，其中，所述白色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间的距离小于所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间的距离。

12.根据技术方案10所述的显示装置，其中，所述白色子像素中的第一电容器电极和第二电容器电极中的每个的面积小于所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素中的第一电容器电极和第二电容器电极中的每个的面积。

13.根据技术方案10所述的显示装置，其中，所述驱动晶体管包括第一有源层和在所述第一有源层上的第一栅电极，

其中，所述白色子像素的第一电容器电极或第二电容器电极布置在与所述第一有源层相同的层上，并且

其中，所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素的第一电容器电极和第二电容器电极两者均布置在与所述第一有源层不同的层上。

14.根据技术方案10所述的显示装置，其中，所述多个子像素的第一电容器电极形成在同一层上，并且

其中，所述白色子像素的第二电容器电极布置在所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素的第二电容器电极的下方。

15.根据技术方案10所述的显示装置，其中，所述发光二极管包括：阳极，其被布置在所述多个子像素中的每个中；以及延伸部，其从所述阳极朝向所述存储电容器延伸，并且

其中，所述白色子像素的延伸部与所述白色子像素的第二电容器电极一体地形成。

16.根据技术方案10所述的显示装置，还包括：

平坦化层，其使所述存储电容器和所述驱动晶体管的上部平坦化，

其中，所述发光二极管包括：

多个阳极，其在所述多个子像素中的每个中的平坦化层上；

发光层，其完全地布置在所述多个子像素中以覆盖所述多个阳极；以及

阴极，其完全地布置在所述多个子像素中以覆盖所述发光层，

其中，所述发光层的一部分布置在所述平坦化层上。

17.一种显示装置，包括：

基板，在所述基板中限定了包括发射区域和电路区域的多个子像素；

存储电容器，其布置在所述电路区域中，并且包括第一电容器电极和在所述第一电容器电极上的第二电容器电极；

驱动晶体管，其布置在所述电路区域中，并且包括第一有源层和在所述第一有源层上的第一栅电极；以及

发光二极管，其布置在所述多个子像素中的每个中，

其中，所述多个子像素包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素，

其中，所述白色子像素的第一电容器电极和第二电容器电极中的一个布置在与所述第一有源层相同的层上，并且

其中，所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素的第一电容器电极和第二电容器电极两者均布置在与所述第一有源层不同的层上。

18.根据技术方案17所述的显示装置，其中，所述多个子像素的第一电容器电极形成在同一层上，

其中，所述白色子像素的第二电容器电极布置在与所述第一有源层相同的层上，并且

其中，所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素的第二电容器电极布置在与所述第一栅电极相同的层上。

19.根据技术方案17所述的显示装置，还包括：

钝化层，其在所述第一栅电极上；以及

平坦化层，其布置在所述钝化层上，以暴露所述钝化层的一部分，

其中，所述白色子像素的第一电容器电极布置在与所述第一有源层相同的层上，

其中，所述白色子像素的第二电容器电极布置在由所述平坦化层暴露的钝化层上，

其中，所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素的第一电容器电极布置在所述第一有源层的下方，并且

其中，所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素的第二电容器电极布置在与所述第一栅电极相同的层上。

20.根据技术方案17所述的显示装置，其中，所述白色子像素的第一电容器电极或第二电容器电极包括从所述第一有源层中包括的材料改变的导电材料，并且

其中，所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素的第二电容器电极包括与所述第一栅电极相同的材料。

21.根据技术方案17所述的显示装置，还包括：

遮光层，其布置在所述基板与所述第一有源层之间，

其中，所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素的第一电容器电极包括与所述遮光层相同的材料，

其中，所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素的第二电容器电极包括与所述第一栅电极相同的材料，

其中，所述白色子像素的第一电容器电极包括与所述遮光层相同的材料，并且

其中，所述白色子像素的第二电容器电极包括从所述第一有源层中包括的材料改变的导电材料。

22.根据技术方案17所述的显示装置，还包括：

遮光层，其布置在所述基板与所述第一有源层之间，

其中，所述发光二极管包括第一电极、发光层和第二电极，

其中，所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素的第一电容器电极包括与所述遮光层相同的材料，

其中，所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素的第二电容器电极包括与所述第一栅电极相同的材料，

其中，所述白色子像素的第一电容器电极包括从所述第一有源层中包括的材料改变的导电材料，并且

其中，所述白色子像素的第二电容器电极包括与所述第一电极相同的材料。

Claims (10)

1.一种显示装置，包括：

基板，在所述基板中限定了包括发射区域和电路区域的多个子像素；

存储电容器，其布置在所述电路区域中，并且包括第一电容器电极和在所述第一电容器电极上的第二电容器电极；

驱动晶体管，其布置在所述电路区域中；以及

发光二极管，其布置在所述多个子像素中的每个中，

其中，所述多个子像素包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素，并且

其中，所述白色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间的距离小于所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间的距离。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述白色子像素中的第一电容器电极和第二电容器电极中的每个的面积小于所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素中的第一电容器电极和第二电容器电极中的每个的面积。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个子像素的第一电容器电极形成在同一层上，并且所述白色子像素的第二电容器电极布置在所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素的第二电容器电极下方。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述白色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间的绝缘层的数目小于所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间的绝缘层的数目。

5.根据权利要求4所述的显示装置，还包括：

缓冲层，其布置在所述基板和所述第一电容器电极上；以及

栅绝缘层，其布置在所述驱动晶体管的第一栅电极下方，

其中，所述缓冲层和所述栅绝缘层布置在所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间，并且

其中，所述缓冲层布置在所述白色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间。

6.根据权利要求4所述的显示装置，还包括：

缓冲层，其布置在所述基板上；

栅绝缘层，其布置在所述驱动晶体管的第一栅电极下方；以及

钝化层，其布置在所述第一栅电极上方，

其中，所述缓冲层和所述栅绝缘层布置在所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间，并且

其中，所述钝化层布置在所述白色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述发光二极管包括：第一电极，其布置在所述发射区域中；以及延伸部，其从所述第一电极延伸至所述电路区域，并且

其中，所述白色子像素的延伸部与所述白色子像素的第二电容器电极一体地形成。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述白色子像素的延伸部与所述白色子像素的第一电容器电极交叠，并且

其中，所述白色子像素的延伸部的面积大于所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素的延伸部的面积。

9.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：

平坦化层，其使所述存储电容器和所述驱动晶体管的上部平坦化，

其中，所述发光二极管包括：

第一电极，其被布置在所述平坦化层上；

发光层，其被布置在所述第一电极上，并且被布置在整个所述发射区域和电路区域中；以及

第二电极，其被布置在所述发光层上，并且被布置在整个所述发射区域和电路区域中，

其中，所述多个子像素的第一电极被彼此间隔开，并且

其中，所述发光层被布置在彼此间隔开的第一电极之间。

10.一种显示装置，包括：

基板，在所述基板中限定了包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素的多个子像素；

存储电容器，其布置在所述多个子像素中的每个中，并且包括第一电容器电极和在所述第一电容器电极上的第二电容器电极；

驱动晶体管，其布置在所述多个子像素中的每个中；以及

发光二极管，其布置在所述多个子像素中的每个中，

其中，所述白色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间的绝缘层的数目小于所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素中的第一电容器电极与第二电容器电极之间的绝缘层的数目。

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