CN113125859A - 一种用于测试屏蔽效能的封装结构和屏蔽效能的测试方法 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了一种用于测试屏蔽效能的封装结构和屏蔽效能的测试方法，封装结构包括基体，所述基体为绝缘体，所述基体内至少铺设一层第一金属层，且所述基体具有第一连接件和第二连接件，所述第一连接件与所述第一金属层电连接；发射天线，所述发射天线设置于所述基体的上表面，所述第二连接件与所述发射天线电连接，所述发射天线位于所述第一金属层上侧；塑封层，所述塑封层设置于所述基体上并且所述塑封层包覆所述发射天线。本申请通过改进用于测试屏蔽效能的测试样品的结构，使测试样品更贴近实际工作场景，使用改进后的测试样品即本申请中的封装结构进行测试，能够更加准确地得出屏蔽效能的测试结果。
Description
技术领域
本申请属于屏蔽效能测试技术领域，具体地，涉及一种用于测试屏蔽效能的封装结构和屏蔽效能的测试方法。
背景技术
SIP封装由于具有较高的集成度和小型化的优势，越来越受到广泛的应用，特别是在一些穿戴类的产品中。然而，由于SIP的集成化和小型化，导致的芯片与芯片间距离缩短将会造成一些问题。例如，若SIP中集成了射频，高速信号以及开关电源的情况下，会引起严重的电磁干扰(EMI)问题，影响设备正常工作。解决上述磁干扰的问题就需要在封装上通过设置屏蔽的工艺设置屏蔽结构，防止封装内的部件免受磁干扰的问题。在屏蔽结构使用前都会对不同的屏蔽结构进行测试。
现有的测试方法主要是在一块圆形基板上溅射金属屏蔽层作为测试样品，将测试样品置于法兰同轴支架内进行测试，但是这种用于测试的样品测试结果误差较大，使测试结果不准确；且该方案以平面波作为激励源，也就是说仅考虑了对远场干扰的屏蔽效果，而没有考虑到近场干扰的屏蔽效果，同时该方案无法考虑分腔屏蔽场景下的屏蔽效能，测试形式单一。
发明内容
本申请旨在提供一种用于测试屏蔽效能的封装结构和屏蔽效能的测试方法，解决屏蔽效能的测试结果不准确的问题。
根据本申请的第一方面，提供了一种用于测试屏蔽效能的封装结构，包括：
基体，所述基体为绝缘体，所述基体内至少铺设一层第一金属层，且所述基体具有第一连接件和第二连接件，所述第一连接件与所述第一金属层电连接；
发射天线，所述发射天线设置于所述基体的上表面，所述第二连接件与所述发射天线电连接，所述发射天线位于所述第一金属层上侧；
塑封层，所述塑封层设置于所述基体上并且所述塑封层包覆所述发射天线；其中，
所述塑封层和所述基体用于设置金属屏蔽结构。
可选地，所述塑封层和至少部分所述基体外表面上连续设置有第一金属屏蔽层，所述第一金属屏蔽层与所述第一金属层连接。
可选地，封装结构还包括接收天线和第三连接件，所述接收天线和所述第三连接件设置于所述基体上，所述第三连接件与所述接收天线电连接，所述塑封层包覆所述接收天线；
所述塑封层上具有贯穿所述塑封层的开口，且所述开口设置在所述发射天线和所述接收天线之间。
可选地，封装结构还包括第二金属层，所述第二金属层设置在所述基体上，所述第二金属层设置于所述第一金属层上侧且与所述第一金属层电连接，且所述第二金属层通过所述开口显露于外部环境。
可选地，所述塑封层和至少部分所述基体外表面上连续设置有第一金属屏蔽层，所述开口内设置有第二金属屏蔽层，所述第一金属屏蔽层与所述第一金属层连接，所述第二金属屏蔽层被配置为与参考地连接。
可选地，所述封装结构包括第三金属层，所述第三金属层铺设于所述基体内，所述第三金属层设置在所述第一金属层下侧，所述第一连接件通过所述第三金属层与所述第一金属层电连接。
可选地，封装结构还包括电路板，所述第一连接件与所述电路板上的参考地连接，所述第二连接件与所述电路板电连接。
可选地，封装结构还包括电路板，所述第一连接件与所述电路板上的参考地连接，所述第二连接件与所述电路板电连接，所述第三连接件与所述电路板电连接。
根据本申请的第二方面，提供了一种屏蔽效能的测试方法，应用于以上所述的用于测试屏蔽效能的封装结构，所述方法包括：
将检测装置的发射端与所述第二连接件连接，将所述第一连接件与参考地连接；
获取所述检测装置的检测端位于测试位置时的测试参数；
在所述封装结构外通过屏蔽工艺设置金属屏蔽结构，使金属屏蔽结构与参考地连接；
获取所述检测装置的检测端位于所述测试位置时的屏蔽参数；
将所述测试参数和所述屏蔽参数进行比较或者运算获得屏蔽效能参数。
可选地，所述金属屏蔽结构包括在所述塑封层和至少部分所述基体外表面上连续设置的第一金属屏蔽层。
可选地，所述测试位置包括所述检测装置的检测端远离所述封装结构的位置；或者，
所述测试位置包括所述检测装置的检测端靠近所述封装结构的位置。
可选地，封装结构还包括接收天线和第三连接件，所述接收天线和所述第三连接件设置于所述基体上，所述第三连接件与所述接收天线电连接，所述塑封层包覆所述接收天线，所述塑封层上具有贯穿所述塑封层的开口，且所述开口设置在所述发射天线和所述接收天线之间；
所述金属屏蔽结构包括在所述塑封层和至少部分所述基体外表面上连续设置的第一金属屏蔽层，和在所述开口内设置的第二金属屏蔽层。
可选地，所述测试位置包括所述检测装置的检测端与所述第三连接件连接的位置。
申请的一个技术效果在于，通过改进用于测试屏蔽效能的测试样品的结构，使测试样品更贴近实际工作场景，使用改进后的测试样品进行测试能够更加准确地得出屏蔽效能的测试结果。
通过以下参照附图对本申请的示例性实施例的详细描述，本申请的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本申请的实施例，并且连同其说明一起用于解释本申请的原理。
图1是本申请提供的一种用于测试屏蔽效能的封装结构的剖视图；
图2是第一实施例下的基体的俯视图；
图3是基体的仰视图；
图4是第二实施例下的基体的俯视图；
图5是第三实施例下的基体的俯视图；
图6是塑封层具有开口的封装结构剖视图；
图7是塑封层开口内设置第二金属屏蔽层的封装结构剖视图；
图8是设置有第一金属屏蔽层和第二金属屏蔽层的封装结构剖视图；
图9是塑封层不具有开口的封装结构设置在电路板上的剖视图；
图10是对封装结构的远场干扰测试示意图；
图11是对封装结构的近场干扰测试示意图；
图12是塑封层具有开口的封装结构设置在电路板上的剖视图；
图13是对分腔屏蔽测试的示意图。
附图标记：
1、基体；2、第一金属层；3、第二金属层；4、第三金属层；5、第一连接件；6、第二连接件；7、第三连接件；8、塑封层；9、发射天线；10、接收天线；11、PA放大器；12、LNA放大器；13、第一电阻；14、第二电阻；15、开口；16、电路板；17、第一连接部；18、第二连接部；19、第三连接部；20、第一接头；21、第二接头；22、检测装置；23、发射端；24、检测端；25、第一金属屏蔽层；26、第二金属屏蔽层。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本申请的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本申请的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本申请及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
如图1至图5所示，本申请提供了一种用于测试屏蔽效能的封装结构，包括基体1、发射天线9和塑封层8。所述基体1为绝缘体，能够防止基体1上设置的电子元件相互导通，起到承载封装结构上其他部件的作用。所述基体1内至少铺设一层第一金属层2，优选地，所述第一金属层2分布在整个基体1在水平方向的截面上，也就是说，第一金属层2的四周边缘均能够从基体1的侧壁上观察到，且第一金属层2的四周边缘连续设置，便于在后续设置金属屏蔽结构的步骤中实现与金属屏蔽结构的连接。且所述基体1具有第一连接件5和第二连接件6，所述第一连接件5和第二连接件6均设置于封装结构的外表面，便于与外壁设备连通，第一连接件5与第二连接件6可以设置在基体1的下底面。所述第一连接件5与所述第一金属层2电连接，能够实现第一金属层2在基体1内与外部设备的电连接，优选地，可以在基体1内开设有过孔，所述第一连接件5通过所述过孔与基体1内的第一金属层2连接，能够使整个封装结构模块化，使后续的操作更为简便。
所述发射天线9设置于所述基体1的上表面，比如将所述发射天线9在基体1的上表面贴附设置，所述发射天线9的形状可以为多种形状，比如螺旋形、L形或者蛇形等，其中螺旋形的发射天线9效果优于其他形状的天线。所述第二连接件6与所述发射天线9电连接，同样的，可以在基体1内设置有过孔，所述第二连接件6通过所述过孔与所述发射天线9电连接，所述发射天线9位于所述第一金属层2上侧，即所述第一金属层2的一面与所述发射天线9正对，便于在封装结构上设置金属屏蔽结构时，使金属屏蔽结构与第一金属层2之间形成一屏蔽空间，将发射天线9设置在屏蔽空间内而实现对发射天线9发出的辐射的屏蔽。
所述塑封层8设置于所述基体1上并且所述塑封层8包覆所述发射天线9，实现对发射天线9的保护，更便于设置金属屏蔽结构。所述塑封层8和所述基体1用于设置金属屏蔽结构，也就是说塑封层8和基体1上用于承载金属屏蔽结构，使用整个封装结构实现对金属屏蔽结构的屏蔽效能的测试，金属屏蔽结构可以设置于所述塑封层8和所述基体1的外表面上，也可以设置在塑封层8和基体1的内部。
现有的测试屏蔽效能的测试样品为一圆形基板，在上述的基板上通过溅射等方式将金属屏蔽层设置在基板上，这种情形没有考虑金属屏蔽层的实际应用场景，而使测试结果不准确，比如现有的测试样品是平面结构的，仅能测试金属屏蔽结构在平面设置时的屏蔽效能，而金属屏蔽结构在实际中的应用并非是平面设置，而是应用在立体的结构上，在立体结构中，实际封装顶层和侧壁都会溅射屏蔽层即金属屏蔽结构，且侧壁屏蔽层厚度为顶层屏蔽层厚度的一半。
而本申请通过改进用于测试屏蔽效能的测试样品的结构，将测试样品的结构调整到立体的形态，使测试样品更贴近实际工作场景，使用改进后的测试样品进行测试能够更加准确地得出屏蔽效能的测试结果，有利于选择效果更佳的金属屏蔽结构以及设置金属屏蔽结构的工艺，保证最终产品的屏蔽效能，其中，所述检测装置22可以为矢量网络分析仪。
进一步地，现有的方案以平面波作为激励源，也就是说仅考虑了对远场干扰的屏蔽效果，而没有考虑近场干扰的屏蔽效果，而本申请的封装结构上设置有发射天线9，能够利用发射天线9作为辐射源，从封装结构外部检测封装结构是否屏蔽了辐射，可以用同一个封装结构在不同的场景下测试远场屏蔽效果和近场屏蔽效果，能够测试不同场景下的屏蔽效果；同时，现有的方案需要应用法兰同轴支架对圆形的基板进行测试，而该设备价格比较昂贵，本申请的封装结构在测试时不需要使用上述法兰同轴支架，能够节省测试成本。
进一步地，所述封装结构包括PA放大器12LNA11PA，所述PA放大器12LNA11PA设置于所述基体1，所述第二连接件6通过所述PA放大器12LNA11PA与所述发射天线9连接，所述PA放大器12LNA11PA用于增大天线发射功率，有利于检测辐射；所述封装结构还包括第一电阻13，所述第一电阻13设置于所述基体1，所述第一电阻13与所述发射天线9电连接，能够减小信号反射，达到宽频测量，且所述第一电阻13优选为50Ω电阻。
可选地，所述塑封层8和至少部分所述基体1外表面上连续设置有第一金属屏蔽层25，所述第一金属屏蔽层25与所述第一金属层2连接，实际测试时将第一金属层2与参考地连通，使第一金属屏蔽层25与第一金属层2能够形成一屏蔽空间，保证封装结构的屏蔽效果。第一金属屏蔽层25可以采用溅射，喷涂和电镀等方法设置在塑封层8和至少部分所述基体1外表面上，所述第一金属屏蔽层25具有高电导率。优选地，第一金属屏蔽层25与所述第一金属层2的四周的边缘连接，使所述第一金属屏蔽层25与所述第一金属层2共同围设形成一屏蔽空间，其中第一金属屏蔽层25可以为共形屏蔽结构。
可选地，如图6至图8所示，封装结构还包括接收天线10和第三连接件7，所述接收天线10和所述第三连接件7设置于所述基体1上，所述接收天线10可以与所述发射天线9设置于基体1的同一面，便于后续金属屏蔽结构的设置，所述第三连接件7可以与第一连接件5和第二连接件6设置于基体1的同一面，便于与外部设备之间的连接，所述第三连接件7与所述接收天线10电连接，同样的，可以在基体1内设置有过孔，通过过孔实现第三连接件7和接收天线10之间的电连接，所述塑封层8包覆所述接收天线10，便于对接收天线10的保护，同时便于第一金属屏蔽层25将所述接收天线10包覆在内。设置有接收天线10，能够使本申请的封装结构同时具有发射天线9和接收天线10，为测试同一封装结构内的分腔屏蔽提供了便利条件，使本申请的封装结构具有功能的多样性。
所述塑封层8上具有贯穿所述塑封层8的开口15，且所述开口15设置在所述发射天线9和所述接收天线10之间，上述的开口15内能够设置金属屏蔽结构，为实现在封装结构内测试分腔屏蔽提供了结构上的支持，优选地，上述开口15将整个塑封层8分为两部分，一部分塑封层8包覆有发射天线9，一部分塑封层8包覆有接收天线10，在开口15内设置金属屏蔽结构时，能够保证封装结构具有较为优选的屏蔽效果。
需要说明的是，分腔屏蔽指的是，在一个封装结构中，设置有数量比较多的电子元件，这些电子元件之间也会产生辐射而影响同一封装结构中的其他部件，此时需要将发出辐射的部件与受影响的部件之间屏蔽，这种屏蔽即为分腔屏蔽。
进一步地，所述封装结构包括LNA放大器12LNA11PA，所述LNA放大器12LNA11PA设置于所述基体1，所述第三连接件7通过所述LNA放大器12LNA11PA与所述接收天线10电连接，用于放大接收信号，有利于接收信号；所述封装结构包括第二电阻14，所述第二电阻14设置于所述基体1，所述第二电阻14与所述接收天线10电连接，能够减小信号反射，达到宽频测量，且所述第二电阻14优选为50Ω电阻。
可选地，封装结构还包括第二金属层3，所述第二金属层3设置在所述基体1上，所述第二金属层3设置于所述第一金属层2上侧且与所述第一金属层2电连接，且所述第二金属层3通过所述开口15显露于外部环境，其中，第一金属层2是接参考地，第二金属层3与第一金属层2连接是为了能够将参考地延伸到设置有天线的基体1表面，而第二金属层3通过塑封层8上的开设的开口15线路与外部环境，便于在开口15内的金属屏蔽结构与第二金属层3连接从而使所述开口15内设置的金属屏蔽结构接地，较佳的实现分腔屏蔽的效果，当然也可以不设置第二金属层3，设置在开口15内的金属屏蔽结构能够与设置在外表面的第一金属屏蔽结构形成电连接，也能够实现分腔屏蔽的效果，但是前者的效果优于后者的效果。
可选地，所述塑封层8和至少部分所述基体1外表面上连续设置有第一金属屏蔽层25，所述开口15内设置有第二金属屏蔽层26，所述第一金属屏蔽层25与所述第一金属层2连接，所述第二金属屏蔽层26被配置为与参考地连接，此时可以为在第一金属屏蔽层25穿过塑封层8上的开设的开口15时，所述第一金属屏蔽层25与所述第二金属屏蔽层26形成连接关系，使第一金属屏蔽层25和所述第二金属金属屏蔽层同时为参考地，确保屏蔽效果，同时，第二金属屏蔽层26也可以与设置在基体1上的第二金属层3连接，能够使封装结构具有更佳的屏蔽效果。此外，第二金属层3优选为银，设置第二金属屏蔽层26时于开口15内设置银浆，能够起到较佳的屏蔽效果。
可选地，所述封装结构包括第三金属层4，所述第三金属层4铺设于所述基体1内，所述第三金属层4可以为与第一金属层2相同的设置方式，使第三金属层4的周向侧壁显露在基体1的外表面，所述第三金属层4设置在所述第一金属层2下侧，所述第一连接件5通过所述第三金属层4与所述第一金属层2电连接，使在基体1内设置有两层金属层，也就是说在基体1内设置有两层接地的屏蔽层，能够保证更佳的屏蔽效果，减小基体1本身的设置对金属屏蔽结构屏蔽性能测试的影响，进一步提升了屏蔽效能测试的准确性。
可选地，如图9和图12所示，封装结构还包括电路板16，所述第一连接件5与所述电路板16上的参考地连接，所述第二连接件6与所述电路板16电连接，在测试时，将检测装置22的发射端23与电路板16连接，电路板16能够将上述的发射端23与第二连接件6连通，也就是说，将电路板16当做转接件，使外部设备通过电路板16与封装结构连接，因为封装结构是安装实际情况制造的，因而封装结构的尺寸较小，无法与外部设备的插接头之间连接，通过电路板16作为转接，能够便于实现外部设备与封装结构之间的电连接。
可选地，封装结构还包括电路板16，所述第一连接件5与所述电路板16上的参考地连接，所述第二连接件6与所述电路板16电连接，所述第三连接件7与所述电路板16电连接，本方案中的电路板16与上文中提到的电路板16具有相同的作用，仅是针对的封装结构不同而在电路板16内的连接关系不同，此处不再赘述。
进一步地，所述电路板16上设置有第一连接部17、第二连接部18和第一接头20，所述第一连接部17为参考地，所述第二连接部18与所述第一接头20电连接；所述第一连接部17与所述第一连接件5电连接，所述第二连接部18与所述第二连接件6电连接，同时，所述电路板16上也可以具有第三连接部19和第二接头21，所述第三连接部19与所述第二接头21电连接，所述第三连接部19与所述第三连接件7电连接，所述电路板16作为转接件时，通过在电路板16上的第一接头20和第二接头21实现封装结构和外部设备的电连接。
本申请提供了一种屏蔽效能的测试方法，应用于以上所述的用于测试屏蔽效能的封装结构，所述方法包括：
将检测装置22的发射端23与所述第二连接件6连接，将所述第一连接件5与参考地连接。
检测装置22的发射端23能够发出激励信号，将检测装置22的第二端与第二连接件6连接，能够将激励信号传送到发射天线9，使发射天线9向外辐射，第一连接件5与第一金属层2连接，能够使第一金属层2接地，进一步地，检测装置22与封装结构之间可以以电路板16作为中转件，以电路板16连接。
获取所述检测装置22的检测端24位于测试位置时的测试参数。
所述测试参数为本申请的封装结构在没有设置屏蔽层时，在测试位置检测到的天线辐射的参数，测试参数用于对比或者运算出屏蔽效能。获取的测试参数可以为预先设置好并附随封装结构一同标明的，也可以为在测设屏蔽效能时通过实现现场测试出来的，测试参数的数值可以从检测装置22上直接读取，现场测试的测试参数的准确度会更佳。
在所述封装结构外通过屏蔽工艺设置金属屏蔽结构，使金属屏蔽结构与参考地连接，能够使金属屏蔽结构阻隔发射天线9向金属屏蔽结构外散发的辐射。
获取所述检测装置22的检测端24位于所述测试位置时的屏蔽参数。
当发射天线9向外散发辐射时，使检测装置22的检测端24位于测试位置，获取屏蔽参数，此时屏蔽参数可以从检测装置22上直接的读取。
将所述测试参数和所述屏蔽参数进行比较或者运算获得屏蔽效能参数，比如，屏蔽效能可以通过特定的公式，用测试参数和屏蔽参数进行运算；屏蔽效能也可以通过将测试参数和屏蔽参数进行比较而得出，为本申请的封装结构提供了检测方法。
可选地，所述金属屏蔽结构包括在所述塑封层8和至少部分所述基体1外表面上连续设置的第一金属屏蔽层25，也就是仅在封装结构的外表面上设置有第一金属屏蔽层25。
可选地，如图10所示，所述测试位置包括所述检测装置22的检测端24远离所述封装结构的位置，此时，测试的是远场屏蔽效能，具体的，检测装置22的检测端24可以距离封装结构一米远的情况下测试并得出参数，测试远场屏蔽效能的情况下，所述检测装置22的检测端24可以为天线。
或者，如图11所示，所述测试位置包括所述检测装置22的检测端24靠近所述封装结构的位置，此时，测试的是近场屏蔽效能，具体的，检测装置22的检测端24可以在靠近封装结构上表面的情况下测试并得出参数，测试近场屏蔽效能的情况下，所述检测装置22的检测端24可以为磁探棒。
进一步地，当金属屏蔽结构包括第一金属屏蔽层25和第二金属屏蔽层26的情况下，也可以测试封装结构的远场屏蔽效能和近场屏蔽效能；在测试远场屏蔽效能和近场屏蔽效能时优选在EMC暗室中进行。
可选地，封装结构还包括接收天线10和第三连接件7，所述接收天线10和所述第三连接件7设置于所述基体1上，所述第三连接件7与所述接收天线10电连接，所述塑封层8包覆所述接收天线10，所述塑封层8上具有贯穿所述塑封层8的开口15，且所述开口15设置在所述发射天线9和所述接收天线10之间；所述金属屏蔽结构包括在所述塑封层8和至少部分所述基体1外表面上连续设置的第一金属屏蔽层25，和在所述开口15内设置的第二金属屏蔽层26，即在封装结构上具有的第一金属屏蔽层25和第二金属屏蔽层26且具有接收天线10的情况下，对封装结构进行屏蔽效能的测试。
如图13所示，所述测试位置包括所述检测装置22的检测端24与所述第三连接件7连接的位置，即，此时将封装结构上的接收天线10作为监测装置的检测端24，也就是说，用封装结构内的发射天线9散发辐射，用封装结构内的天线接收辐射，能够测试封装结构的分腔屏蔽效能。
虽然已经通过例子对本申请的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本申请的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本申请的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本申请的范围由所附权利要求来限定。
Claims (13)
1.一种用于测试屏蔽效能的封装结构，其特征在于，包括：
基体，所述基体为绝缘体，所述基体内至少铺设一层第一金属层，且所述基体具有第一连接件和第二连接件，所述第一连接件与所述第一金属层电连接；
发射天线，所述发射天线设置于所述基体的上表面，所述第二连接件与所述发射天线电连接，所述发射天线位于所述第一金属层上侧；
塑封层，所述塑封层设置于所述基体上并且所述塑封层包覆所述发射天线；其中，
所述塑封层和所述基体用于设置金属屏蔽结构。
2.根据权利要求1所述的用于测试屏蔽效能的封装结构，其特征在于，所述塑封层和至少部分所述基体外表面上连续设置有第一金属屏蔽层，所述第一金属屏蔽层与所述第一金属层连接。
3.根据权利要求1所述的用于测试屏蔽效能的封装结构，其特征在于，封装结构还包括接收天线和第三连接件，所述接收天线和所述第三连接件设置于所述基体上，所述第三连接件与所述接收天线电连接，所述塑封层包覆所述接收天线；
所述塑封层上具有贯穿所述塑封层的开口，且所述开口设置在所述发射天线和所述接收天线之间。
4.根据权利要求3所述的用于测试屏蔽效能的封装结构，其特征在于，封装结构还包括第二金属层，所述第二金属层设置在所述基体上，所述第二金属层设置于所述第一金属层上侧且与所述第一金属层电连接，且所述第二金属层通过所述开口显露于外部环境。
5.根据权利要求3所述的用于测试屏蔽效能的封装结构，其特征在于，所述塑封层和至少部分所述基体外表面上连续设置有第一金属屏蔽层，所述开口内设置有第二金属屏蔽层，所述第一金属屏蔽层与所述第一金属层连接，所述第二金属屏蔽层被配置为与参考地连接。
6.根据权利要求1所述的用于测试屏蔽效能的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括第三金属层，所述第三金属层铺设于所述基体内，所述第三金属层设置在所述第一金属层下侧，所述第一连接件通过所述第三金属层与所述第一金属层电连接。
7.根据权利要求1-2任一项所述的用于测试屏蔽效能的封装结构，其特征在于，封装结构还包括电路板，所述第一连接件与所述电路板上的参考地连接，所述第二连接件与所述电路板电连接。
8.根据权利要求3-5任一项所述的用于测试屏蔽效能的封装结构，其特征在于，封装结构还包括电路板，所述第一连接件与所述电路板上的参考地连接，所述第二连接件与所述电路板电连接，所述第三连接件与所述电路板电连接。
9.一种屏蔽效能的测试方法，应用于如权利要求1-8任一项所述的用于测试屏蔽效能的封装结构，其特征在于，所述方法包括：
将检测装置的发射端与所述第二连接件连接，将所述第一连接件与参考地连接；
获取所述检测装置的检测端位于测试位置时的测试参数；
在所述封装结构外通过屏蔽工艺设置金属屏蔽结构，使金属屏蔽结构与参考地连接；
获取所述检测装置的检测端位于所述测试位置时的屏蔽参数；
将所述测试参数和所述屏蔽参数进行比较或者运算获得屏蔽效能参数。
10.根据权利要求9所述的屏蔽效能的测试方法，其特征在于，所述金属屏蔽结构包括在所述塑封层和至少部分所述基体外表面上连续设置的第一金属屏蔽层。
11.根据权利要求10所述的屏蔽效能的测试方法，其特征在于，所述测试位置包括所述检测装置的检测端远离所述封装结构的位置；或者，
所述测试位置包括所述检测装置的检测端靠近所述封装结构的位置。
12.根据权利要求9所述的屏蔽效能的测试方法，其特征在于，封装结构还包括接收天线和第三连接件，所述接收天线和所述第三连接件设置于所述基体上，所述第三连接件与所述接收天线电连接，所述塑封层包覆所述接收天线，所述塑封层上具有贯穿所述塑封层的开口，且所述开口设置在所述发射天线和所述接收天线之间；
所述金属屏蔽结构包括在所述塑封层和至少部分所述基体外表面上连续设置的第一金属屏蔽层，和在所述开口内设置的第二金属屏蔽层。
13.根据权利要求12所述的屏蔽效能的测试方法，其特征在于，所述测试位置包括所述检测装置的检测端与所述第三连接件连接的位置。
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