CN113072043B - 一种铅催化的PbSe纳米线的制备方法 - Google Patents
一种铅催化的PbSe纳米线的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113072043B CN113072043B CN202110324883.1A CN202110324883A CN113072043B CN 113072043 B CN113072043 B CN 113072043B CN 202110324883 A CN202110324883 A CN 202110324883A CN 113072043 B CN113072043 B CN 113072043B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- lead
- substrate
- pbse
- temperature
- catalyzed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 49
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 31
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 28
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000003599 detergent Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 21
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 19
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 18
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 16
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 claims 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 abstract description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 abstract description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
- C01B19/007—Tellurides or selenides of metals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
- C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明涉及一种铅催化的PbSe纳米线的制备方法，包括步骤：步骤1、在清洁的衬底表面镀上铅层：将衬底切割，用洗剂清洗衬底后烘干；将烘干后的衬底放入真空镀膜机内，在衬底表面加入铅，控制蒸发电流的大小和蒸发时长，蒸发铅丸，在衬底表面得到厚度符合要求的铅层；步骤2、在铅的催化作用下制备PbSe纳米线。本发明的有益效果是：本发明更换相应的生长源就可以生长PbSe纳米线；简化制备工艺和对设备的需求；气相环境相比液相环境更加可控，制备工艺稳定性高，有利于制备大面积均一样品；本发明可为纳米线的生长提供另一种思路；本发明通过控制镀铅的时间、电流，也可以改变铅层厚度，从而控制纳米线的规格。
Description
技术领域
本发明属于纳米线的制备领域，尤其涉及一种铅催化的PbSe纳米线的制备方法。
背景技术
PbSe纳米线是中红外探测器小型化的理想材料，是目前IV-VI族纳米材料领域的研究热点和重点。该材料在现有报道中主要用CVD法，通入含有5％氢气的氮气来制备。这一制备方法对设备有较高要求，氢气的使用也一定程度上增加了实验的危险性。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术中的不足，提供一种铅催化的PbSe纳米线的制备方法；
这种铅催化的PbSe纳米线的制备方法，具体包括如下步骤：
步骤1、在清洁的衬底表面镀上铅层：将衬底切割，用洗剂清洗衬底后烘干；将烘干后的衬底放入真空镀膜机内，在衬底表面加入铅，控制蒸发电流的大小和蒸发时长，蒸发铅丸，在衬底表面得到厚度符合要求的铅层；根据蒸发时间的不同，铅层的厚度也会相应发生变化；蒸发时间越长，蒸发电流越高，则铅层的厚度越厚；蒸发时间接近20s时，最终得到的纳米线长度接近20μm；蒸发时间60s的情况下，最终得到的纳米线长度超过100μm；
步骤2、在铅的催化作用下制备PbSe纳米线：
步骤2.1、在试管中放入PbSe粉末，将步骤1获得的多个具有铅层的衬底首尾相接铺放在试管内靠近管口的位置，以保障纳米线的稳定生长；将试管平放于高温管式炉上的石英管中央，使得PbSe粉末处于加热的正中央的位置以精确控制温度；用抽气泵将高温管式炉上密封的石英管抽至真空；
步骤2.2、缓慢加热高温管式炉，并向石英管中通入不含其它气体的纯净氮气作为保护气体；控制石英管内的气压，缓慢提升温度，保持该温度，PbSe粉末缓慢气化，并在气流的影响下从试管底部向试管口流动；
步骤2.3、降低温度，气化了的PbSe粉末冷凝后，在衬底表面铅层中铅的催化作用下生长为纳米线阵列；缓缓降温至室温，降温期间保持气压不变；在温度接近室温后，抽干石英管内气体以防止氧化。
作为优选，步骤1中衬底为晶面指数<100>的硅片，衬底表面还镀有二氧化硅。
作为优选，步骤1中将衬底切割成1x3cm2的小块。
作为优选，步骤1中清洗衬底的洗剂为甲苯，采用甲苯清洗衬底时在超声波下清洗5分钟。
作为优选，当步骤1中衬底表面得到的铅层厚度符合要求时，真空镀膜机蒸发电流的大小为60A～80A，蒸发时长为20～60秒。
作为优选，真空镀膜机蒸发电流的大小为70A。
作为优选，步骤2.1中试管为单口石英试管。
作为优选，步骤2.2中缓慢加热高温管式炉至600度，向石英管中通入纯净氮气的速率为0.5L/min，控制石英管内的气压在0.7mpa，缓慢提升温度直到PbSe粉末的温度为900～930℃(930℃较优)，衬底温度为400～600℃；保持该温度40～50分钟。
作为优选，步骤2.3中气化了的PbSe粉末在400～600℃冷凝。
本发明的有益效果是：CVD方法制备单独PbSe等其他种类半导体纳米结构已经非常成熟，有丰富资源可以利用，包括硬件设施和文献资料。本发明采用CVD方法制备单独PbSe的同一套设备，更换相应的生长源就可以生长PbSe纳米线；原生长源为PbS，PbTe等，本发明采用的生长源为PbSe的粉末，简化制备工艺和对设备的需求。气相环境相比液相环境更加可控，制备工艺稳定性高，有利于制备大面积均一样品。本发明利用铅作为催化金属生长PbSe纳米线，可以为纳米线的生长提供另一种思路；本发明通过控制镀铅的时间、电流，也可以改变铅层厚度，从而控制纳米线的规格。
附图说明
图1为利用CVD方法在铅层上生长的PbSe细纳米线的SEM图；
图2为利用CVD方法在铅层上生长的PbSe粗纳米线的SEM图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明做进一步描述。下述实施例的说明只是用于帮助理解本发明。应当指出，对于本技术领域的普通人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。
作为一种实施例，一种采用CVD技术(化学气相沉积)制备PbSe纳米线的方法，步骤如下：
步骤1、在衬底表面制备铅镀层。
步骤2、将步骤1获得的具有铅镀层的衬底置于高温管式炉中，以高纯PbSe粉为反应源，将反应源温度升至900～930℃，衬底温度为400～600℃，制备得到PbSe纳米线阵列。
(1)铅层的制备：
PbSe纳米线采用化学气相沉积的方法在硅片衬底上生长。首先，切出若干个约1x3cm2的矩形硅片。衬底在甲苯中超声清洗两遍，再150℃烘干。然后制备铅层。打开真空镀膜机，在真空镀膜机内盛放原料的钨舟上放入八枚铅丸，将硅片粘在蒸发板上。设置第一蒸发时间为2分钟，蒸发电流70A。设置第二蒸发时间为20秒，蒸发电流70A。设置第三蒸发时间为20秒。
关紧阀门，开机械泵，开粗抽阀，半小时后关闭粗抽阀，开预抽阀，扩散泵。再过半小时后开精抽阀。气压抽至0.003Pa以下后关闭精抽阀，调整旋钮至自动。在蒸发一阶段微调蒸发电流至稳定70A，在蒸发二阶段保持70A蒸发2分钟，在蒸发三阶段稍等片刻即将旋钮调至手动。待内部冷却之后取出镀铅的硅片。
(2)以铅为催化剂生长PbSe纳米线：
采用CVD法生长PbSe纳米线。首先，取洁净的石英试管，放入0.3g的PbSe粉末。将镀有铅层的硅片在试管口附近约2cm处向内平铺3片，之后将石英试管平放入管式炉中，使得试管底部恰好位于管式炉加热中心位置，方便控制温度。
将管式炉上的石英管密封后，抽至真空。而后缓慢加热到600度，之后以0.5L/min的速率通入氮气，控制气压在0.7mPa，之后缓慢加热到930度，保持45min，在此期间，PbSe蒸气会在硅片表面的铅的催化作用下沉积为纳米线。而后自然降温至200度以下，抽至真空。待管内冷却后可以取出硅片。
由图1可知PbSe细纳米线的长度在20μm以下，由图2可知粗纳米线的长度在100μm以上。
Claims (9)
1.一种铅催化的PbSe纳米线的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、在清洁的衬底表面镀上铅层：将衬底切割，用洗剂清洗衬底后烘干；将烘干后的衬底放入真空镀膜机内，在衬底表面加入铅，控制蒸发电流的大小和蒸发时长，蒸发铅，在衬底表面得到厚度符合要求的铅层；
步骤2、在铅的催化作用下制备PbSe纳米线：
步骤2.1、在试管中放入PbSe粉末，将步骤1获得的多个具有铅层的衬底首尾相接铺放在试管内靠近管口的位置；将试管平放于高温管式炉上的石英管中央，用抽气泵将高温管式炉上密封的石英管抽至真空；
步骤2.2、缓慢加热高温管式炉，并向石英管中通入不含其它气体的纯净氮气作为保护气体；控制石英管内的气压，缓慢提升温度，保持该温度，PbSe粉末缓慢气化，并在气流的影响下从试管底部向试管口流动；
步骤2.3、降低温度，气化了的PbSe粉末冷凝后，在衬底表面铅层中铅的催化作用下生长为纳米线阵列；缓缓降温至室温，降温期间保持气压不变；在温度接近室温后，抽干石英管内气体。
2.根据权利要求1所述铅催化的PbSe纳米线的制备方法，其特征在于：步骤1中衬底为晶面指数<100>的硅片，衬底表面还镀有二氧化硅。
3.根据权利要求1所述铅催化的PbSe纳米线的制备方法，其特征在于：步骤1中将衬底切割成1x3cm2的小块。
4.根据权利要求1所述铅催化的PbSe纳米线的制备方法，其特征在于：步骤1中清洗衬底的洗剂为甲苯，采用甲苯清洗衬底时在超声波下清洗5分钟。
5.根据权利要求1所述铅催化的PbSe纳米线的制备方法，其特征在于：当步骤1中衬底表面得到的铅层厚度符合要求时，真空镀膜机蒸发电流的大小为60A～80A，蒸发时长为20～60秒。
6.根据权利要求5所述铅催化的PbSe纳米线的制备方法，其特征在于：真空镀膜机蒸发电流的大小为70A。
7.根据权利要求1所述铅催化的PbSe纳米线的制备方法，其特征在于：步骤2.1中试管为单口石英试管。
8.根据权利要求1所述铅催化的PbSe纳米线的制备方法，其特征在于：步骤2.2中缓慢加热高温管式炉至600度，向石英管中通入纯净氮气的速率为0.5L/min，控制石英管内的气压在0.7MP a，缓慢提升温度直到PbSe粉末的温度为900～930℃，衬底温度为400～600℃；保持该温度40～50分钟。
9.根据权利要求1所述铅催化的PbSe纳米线的制备方法，其特征在于：步骤2.3中气化了的PbSe粉末在400～600℃冷凝。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110324883.1A CN113072043B (zh) | 2021-03-26 | 2021-03-26 | 一种铅催化的PbSe纳米线的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110324883.1A CN113072043B (zh) | 2021-03-26 | 2021-03-26 | 一种铅催化的PbSe纳米线的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113072043A CN113072043A (zh) | 2021-07-06 |
| CN113072043B true CN113072043B (zh) | 2022-03-29 |
Family
ID=76610639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110324883.1A Expired - Fee Related CN113072043B (zh) | 2021-03-26 | 2021-03-26 | 一种铅催化的PbSe纳米线的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113072043B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114774859B (zh) * | 2022-03-25 | 2023-12-26 | 华中科技大学 | 一种基底诱导改善硫化铅薄膜取向结晶性方法和硫化铅薄膜及其应用 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014501680A (ja) * | 2010-10-26 | 2014-01-23 | カリフォルニア インスティテュート オブ テクノロジー | 高い熱電性能を有する高濃度にドープされたＰｂＳｅ |
| CN106929820A (zh) * | 2017-04-05 | 2017-07-07 | 国家纳米科学中心 | 一种ZnSe纳米线及其制备方法和应用 |
| CN109650354A (zh) * | 2019-01-22 | 2019-04-19 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种二维碲化铅纳米片的制备方法、应用和一种纳米材料 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050279274A1 (en) * | 2004-04-30 | 2005-12-22 | Chunming Niu | Systems and methods for nanowire growth and manufacturing |
| US7781317B2 (en) * | 2007-01-03 | 2010-08-24 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Method of non-catalytic formation and growth of nanowires |
-
2021
- 2021-03-26 CN CN202110324883.1A patent/CN113072043B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014501680A (ja) * | 2010-10-26 | 2014-01-23 | カリフォルニア インスティテュート オブ テクノロジー | 高い熱電性能を有する高濃度にドープされたＰｂＳｅ |
| CN106929820A (zh) * | 2017-04-05 | 2017-07-07 | 国家纳米科学中心 | 一种ZnSe纳米线及其制备方法和应用 |
| CN109650354A (zh) * | 2019-01-22 | 2019-04-19 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种二维碲化铅纳米片的制备方法、应用和一种纳米材料 |
Non-Patent Citations (4)
| Title |
|---|
| A New Twist on Nanowire Formation: Screw-Dislocation Driven Growth of Nanowires and Nanotubes;Song Jin et al.;《J. Phys. Chem. Lett.》;20100506;第1卷;第1472-1480页 * |
| PbX(X=S,Se)纳米结构材料的制备方法;危兆玲等;《材料导报》;20100810(第15期);第39-43页 * |
| Synthesis and Thermoelectrical Characterization of Lead Chalcogenide Nanowires;Melissa Fardy et al.;《Adv. Mater.》;20070911;第19卷;第3047-3051页 * |
| 硫化铅超细纳米带和纳米线的TEM表征;张华等;《电子显微学报》;20050425(第02期);第108-113页 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113072043A (zh) | 2021-07-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108118395A (zh) | 一种化学气相沉积制备二硒化钨单晶薄膜的方法 | |
| CN104087909B (zh) | 一种立方碳化硅薄膜的制备方法 | |
| TW201145447A (en) | Semiconductor thin-film manufacturing method, seminconductor thin-film manufacturing apparatus, susceptor, and susceptor holding tool | |
| CN107083540B (zh) | 一种柔性聚酰亚胺衬底上的氮化镓基薄膜及其制备方法 | |
| CN110373718B (zh) | 一种二维二硫化钨薄膜的制备方法 | |
| CN107513698B (zh) | 一种立方碳化硅涂层的制备方法 | |
| CN112501584A (zh) | 一种基于石墨基底的复合涂层及其制备方法 | |
| CN111020487B (zh) | 一种取向可控的准一维结构材料的薄膜制备方法 | |
| CN113072043B (zh) | 一种铅催化的PbSe纳米线的制备方法 | |
| CN103456603A (zh) | 在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法及氧化镓膜 | |
| CN110335809A (zh) | 一种在云母衬底上生长单晶γ相硒化铟薄膜的方法 | |
| CN103531447A (zh) | 一种降低氮化镓纳米线阵列晶体缺陷密度的方法 | |
| JP4214250B2 (ja) | シリコンナノ結晶構造体の作製方法及び作製装置 | |
| JPS61272922A (ja) | 半導体装置ウエハ−基板とその製造方法 | |
| CN117012622A (zh) | p型碲硒合金半导体的制备方法 | |
| CN100366786C (zh) | 液相基底表面金属薄膜的制备技术 | |
| CN111410191A (zh) | 一种石墨烯半导体制备装置及方法 | |
| JP2014084494A (ja) | 結晶配向制御装置、及びそれを備えた成膜装置、アニール装置並びに結晶配向制御方法 | |
| JP4068817B2 (ja) | ダイヤモンド膜の製造方法及びダイヤモンド膜 | |
| CN107164741A (zh) | 一种控制二硫化钼薄膜形貌的方法 | |
| JP2002110551A (ja) | 半導体薄膜の形成方法及び装置 | |
| CN114292129A (zh) | 利用溶液法在石墨件表面沉积碳化硅涂层的方法 | |
| CN103498191B (zh) | 高纯度短棒状结晶FeWO4/FeS核壳纳米结构的制备方法 | |
| CN113584458A (zh) | 一种利用微波等离子体化学气相沉积技术在钽铌酸钾晶体上制备金刚石薄膜的方法 | |
| CN111074234A (zh) | 一种基于推拉小车的方式生长二维材料的装置及方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20220329 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |