CN113066767A - 临时承载板及其制作方法和封装基板的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本说明书实施例提供一种临时承载板及其制作方法和封装基板的制造方法。具体地,所述临时承载板包括第一承载芯层、在所述第一承载芯层上的第一铜箔层、在所述第一铜箔层上的第二承载芯层和在所述第二承载芯层上的第二铜箔层;其中所述第一铜箔层包括物理压合的第一外层铜箔和第一内层铜箔,所述第二铜箔层包括物理压合的第二外层铜箔和第二内层铜箔。

Description

临时承载板及其制作方法和封装基板的制造方法
技术领域
本说明书实施例涉及半导体技术领域,尤其涉及一种临时承载板及其制作方法以及利用该临时承载板制造封装基板的方法。
背景技术
随着电子***微型化和便携化趋势的推进,现如今所有电子产品的器件都追求轻、薄、短、小,以最有限的占用空间,实现最强大的功能,因此负载器件的电路板也要求越来越薄。传统线路板工艺是采用有芯基板作为电路板,随着线路板制程能力的提升,有芯基板厚度可以做到例如0.06mm左右,但在工艺制作过程中,设备能力不足难以传输如此轻薄的板,而且人员的上、下板操作也会带来不可控的板破、折板的风险,大大降低产品的良率。同时,后续封装制程,是将器件封装到此薄板上,不管是操作可行性还是生产良率,都受到很大的制约。为此,承载板技术应运而生,此类承载板只是起到临时补强、支撑的作用,待完成基板或者封装工序,即可去除承载板。
目前,通常使用金属承载板如铜板作为临时承载板。为了平衡支撑强度和成本,金属承载板具有0.2mm~0.3mm厚度,导致后续蚀刻移除金属承载板的过程中,至少需要0.25~0.35mm的蚀刻量才能完成蚀刻,而蚀刻液可轻松通过金属板表面存在的凸起和凹陷等缺陷位置破环或蚀穿上方的线路层或铜柱层。因无芯基板上一般都是薄的线路层(10~40μm)和铜柱(30~100μm),远小于蚀刻承载板的蚀刻量,因此使用金属承载板制作的产品缺陷高。另外0.2mm~0.3mm厚度的金属承载板很重,人员搬运、设备的吸附和传送难度都很大,不利于量产,而且成本也很高。
此外,现有技术也存在采用覆铜板作为临时承载板的技术方案。由于在覆铜板上引入能够选择性粘合覆铜板而不与后续压合的绝缘层粘合的耐热膜,此种耐热膜由于直接压合绝缘层,因此不能直接做嵌埋线路,存在产品设计局限,而且由于需要一整套新的设备和配套药剂,导致成本高,难以普及。
发明内容
有鉴于此,本说明书的一个目的在于提出一种可以制造超薄基板、并用于封装的临时承载板及其制作方法,以克服现有技术中的缺陷。本发明的另一个目的是提供一种利用该临时承载板制造封装基板的方法。
基于上述目的,第一方面,本说明书一个或多个实施例提供了一种临时承载板,包括第一承载芯层、在所述第一承载芯层上的第一铜箔层、在所述第一铜箔层上的第二承载芯层和在所述第二承载芯层上的第二铜箔层;其中所述第一铜箔层包括物理压合的第一外层铜箔和第一内层铜箔,所述第二铜箔层包括物理压合的第二外层铜箔和第二内层铜箔。
在一些实施例中,在所述第一承载芯层的两面上分别设置有所述第一铜箔层,在两个所述第一铜箔层上均设置有所述第二承载芯层和在所述第二承载芯层的表面上均设置有所述第二铜箔层。
在一些实施例中,所述第一承载芯层包括环氧玻纤布层压板和在所述环氧玻纤布层压板表面上的环氧树脂层,所述第二承载芯层包括环氧树脂层。
在一些实施例中,所述第一外层铜箔的厚度大于所述第一内层铜箔的厚度。
在一些实施例中,所述第一外层铜箔的厚度为15~20微米,所述第一内层铜箔的厚度为2~5微米。
在一些实施例中,所述第二外层铜箔的厚度小于所述第二内层铜箔的厚度。
在一些实施例中,所述第二外层铜箔的厚度为2~5微米,所述第二内层铜箔的厚度为15~20微米。
在一些实施例中,所述第一外层铜箔的横向尺寸小于所述第一内层铜箔的横向尺寸,从而暴露出所述第一内层铜箔的第一外缘区域;所述第二外层铜箔的横向尺寸小于所述第二内层铜箔的横向尺寸,从而暴露出所述第二内层铜箔的第二外缘区域。
在一些实施例中,所述第二外层铜箔的横向尺寸小于所述第一外层铜箔的横向尺寸,使得所述第二外缘区域的横向尺寸大于所述第一外缘区域的横向尺寸。
在一些实施例中,在所述第一铜箔层和所述第二铜箔层的外表面上分别施加有第一蚀刻阻挡层和第二蚀刻阻挡层,使得所述第一蚀刻阻挡层覆盖所述第一外层铜箔和所述第一外缘区域,所述第二蚀刻阻挡层覆盖所述第二外层铜箔和所述第二外缘区域。
在一些实施例中,所述蚀刻阻挡层包括镍层和铜层。
第二方面,本说明书实施例提供一种临时承载板的制作方法,包括以下步骤:
(a)在第一承载芯层的两个表面上分别压合第一铜箔层,其中所述第一铜箔层包括物理压合的第一外层铜箔和第一内层铜箔;
(b)在所述第一铜箔层上涂布第一光刻胶层并图案化暴露出所述第一外层铜箔的外周边缘,蚀刻暴露的第一外层铜箔直至暴露出所述第一内层铜箔的第一外缘区域;
(c)移除所述第一光刻胶层,并在所述第一铜箔层的表面上施加第一蚀刻阻挡层,使得所述第一蚀刻阻挡层覆盖所述第一外缘区域和所述第一外层铜箔;
(d)在所述第一蚀刻阻挡层的表面上分别依次压合第二承载芯层和第二铜箔层,其中所述第二铜箔层包括物理压合的第二外层铜箔和第二内层铜箔;
(e)在所述第二铜箔层上涂布第二光刻胶层并图案化暴露出所述第二外层铜箔的外周边缘,蚀刻暴露的第二外层铜箔直至暴露出所述第二内层铜箔的第二外缘区域,其中所述第二外缘区域的横向尺寸小于所述第一外缘区域的横向尺寸;
(f)移除所述第二光刻胶层,并在所述第二铜箔层的表面上施加第二蚀刻阻挡层,使得所述第二蚀刻阻挡层覆盖所述第二外缘区域和所述第二外层铜箔。
在一些实施例中,所述第一承载芯层包括环氧玻纤布层压板和压合在所述环氧玻纤布层压板表面上的环氧树脂层,所述第二承载芯层包括环氧树脂层。
在一些实施例中,所述第二外层铜箔的厚度小于所述第二内层铜箔的厚度。
在一些实施例中,所述第一外层铜箔的厚度大于所述第一内层铜箔的厚度。
第三方面,本说明书实施例提供一种制造封装基板的方法,包括以下步骤:
在如前任一所述的临时承载板的表面上制作基板;
沿第一外层铜箔边缘与第二外层铜箔边缘之间的切割线整体切割;
分离所述第一外层铜箔和所述第一内层铜箔以移除第一承载芯层;
在所述基板上贴装器件并封装;
沿第二外层铜箔边缘内侧的切割线整体切割;
分离所述第二外层铜箔和所述第二内层铜箔以移除第二承载芯层。
在一些实施例中,所述方法还包括:
在移除第二承载芯层后,蚀刻移除所述基板底面上的第二外层铜箔以及蚀刻阻挡层。
从上面所述可以看出,本说明书一个或多个实施例提供的临时承载板包括第一承载芯层、在所述第一承载芯层上的第一铜箔层、在所述第一铜箔层上的第二承载芯层和在所述第二承载芯层上的第二铜箔层;其中所述第一铜箔层包括物理压合的第一外层铜箔和第一内层铜箔,所述第二铜箔层包括物理压合的第二外层铜箔和第二内层铜箔。
优点在于:1)本发明的临时承载板包括第一和第二承载芯层,通过二次分板使得基板的制作过程和器件贴装封装过程分别在不同厚度的承载板上进行,既可以保证超薄基板在制造过程中获得足够的刚性,又可以通过一次分板使得器件封装过程在较薄的承载板上进行,使得基板封装过程中不至于厚度和重量过大,满足在超薄基板上贴装厚度或重量较大的器件的设备需求,既能够全程获得足够刚性减少发生破板和折板的可能,又能够避免厚度和重量超标,满足现有设备的兼容性;2)通过蚀刻阻挡层对内外层铜箔边缘进行密封,可以防止制程期间水汽等对双层铜箔间隙的渗透,从而防止发生制程期间爆板的风险;3)通过从第一铜箔层的第一边缘区域到第二铜箔层的第二边缘区域之间向内侧缩窄,便于通过逐步切割实现二次分板,同时不影响对双层铜箔的密封,使得分板操作简便化,减少分板导致的爆板风险;4)利用蚀刻阻挡层与铜箔之间蚀刻速度的差异,可以防止基板底面铜箔蚀刻期间对基板底面的误蚀刻,有利于提高基板的良率。因此,本发明的临时承载板能够实现对基板的制作、贴装封装全流程的支撑和保护,同时提高设备的兼容性,便于人员搬运、设备转移等操作,降低了制作难度,提高了良品率,而且本发明的临时承载板还具有制作成本低,产量高的优点。
附图说明
为了更清楚地说明本说明书一个或多个实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本说明书一个或多个实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本说明书一个或多个实施例提供的临时承载板的截面示意图;
图2(a)-2(g)为本说明书一个或多个实施例提供的临时承载板的制作步骤的截面示意图;
图3(a)-3(h)为本说明书一个或多个实施例提供的利用本说明书实施例的临时承载板制造封装基板的步骤的截面示意图。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白,以下结合具体实施例,并参照附图,对本公开进一步详细说明。
需要说明的是,除非另外定义,本说明书一个或多个实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本说明书一个或多个实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。
本说明书实施例涉及用于制造、封装超薄基板的临时承载板,临时承载板作为无芯基板制造工艺的起始支撑板起到临时支撑的作用。
如图1所示,临时承载板包括第一承载芯层1120、在所述第一承载芯层1120上的第一铜箔层1212、在所述第一铜箔层1212上的第二承载芯层130和在所述第二承载芯层130上的第二铜箔层1312;其中所述第一铜箔层1212包括物理压合的第一外层铜箔122和第一内层铜箔121,所述第二铜箔层1312包括物理压合的第二外层铜箔132和第二内层铜箔131。通常,物理压合彼此之间不存在化学键而只是以物理方式附着,这样可以便于后续制程的分板和移除承载芯层的操作。
由此可见,本说明书实施例提供的临时承载板包括第一承载芯层1120和第二承载芯层130,通过二次分板使得基板的制作过程和器件贴装封装过程分别在不同厚度的承载板上进行,既可以保证超薄基板在制造过程中获得足够的刚性,又可以通过一次分板使得器件封装过程在较薄的承载板上进行,使得基板封装过程中不至于厚度和重量过大,满足在超薄基板上贴装厚度或重量较大的器件的设备需求,既能够全程获得足够刚性减少发生破板和折板的可能,又能够避免厚度和重量超标,满足现有设备的兼容性。
在一些实施例中,在所述第一承载芯层1120的两面上分别设置有所述第一铜箔层1212,在两个所述第一铜箔层上均设置有所述第二承载芯层130和在所述第二承载芯层130的表面上均设置有所述第二铜箔层1312。这样的方式,使得所述临时承载板的两面均能够进行基板的增层制备,提高产率。
在厚度要求和成本的综合因素下,所示第一承载芯层1120的材料是有机树脂。例如,热固性有机树脂,包括但不限于半固化片和薄膜型树脂ABF等。又如,热塑性有机树脂,包括但不限于聚乙烯、聚丙烯等。
在一些实施例中,所述第一承载芯层1120包括环氧玻纤布层压板(FR-4)110和在所述环氧玻纤布层压板110表面上的环氧树脂层120,所述第二承载芯层130包括环氧树脂层。通常,所述环氧树脂板120可以压合至所述环氧玻纤布层压板上。
需要说明的是,所述环氧玻纤布层压板110的厚度、尺寸根据设计要求而进行选择,这里不做具体限定。
在一些实施例中,所述第一外层铜箔122的厚度大于所述第一内层铜箔121的厚度。在一些实施例中,所述第二外层铜箔132的厚度小于所述第二内层铜箔131的厚度。
通过这样的设置,在去除第一承载芯层1120后,厚度较大的第一外层铜箔122继续留存于所述第二承载芯层130上,有利于提高所述第二承载芯层130的支撑强度。在去除第二承载芯层130时能够同时移除厚度较大的第二内层铜箔131,使得厚度较小的第二外层铜箔132留存于基板上,有利于后续通过蚀刻工艺去除,蚀刻量非常小,蚀刻成本低,并且不会破坏位于其上的基板。
在一些实施例中,所述第一外层铜箔122的厚度为15~20微米,所述第一内层铜箔121的厚度为2~5微米。可选地,所述第一外层铜箔122的厚度为18微米,第一内层铜箔121的厚度为3微米。
在一些实施例中,所述第二外层铜箔132的厚度为2~5微米,所述第二内层铜箔131的厚度为15~20微米。可选地,所述第二外层铜箔132的厚度为3微米,所述第二内层铜箔131的厚度为18微米。
在制作、封装超薄基板的过程中,由于反复的热应力(例如,压合和金属喷溅工艺)和机械应力(例如,磨板抛光工艺)可能会导致第一外层铜箔122和第一内层铜箔121由边缘分开、第二外层铜箔132和第二内层铜箔131由边缘分开。特别是,在经过电镀、蚀刻、退膜等有药水的工艺时,第一外层铜箔122和第一内层铜箔121分开的缝隙以及第二外层铜箔132和第二内层铜箔131分开的缝隙内会留藏水汽,容易导致双层铜箔在制程中途爆开(爆板),进而导致产品完全失效。
由此,在一些实施例中,所述第一外层铜箔122的横向尺寸小于所述第一内层铜箔121的横向尺寸,从而暴露出所述第一内层铜箔121的第一外缘区域;所述第二外层铜箔132的横向尺寸小于所述第二内层铜箔131的横向尺寸,从而暴露出所述第二内层铜箔131的第二外缘区域。可选地,在所述第一铜箔层1212和所述第二铜箔层1312的外表面上分别施加有第一蚀刻阻挡层124和第二蚀刻阻挡层134,使得所述第一蚀刻阻挡层124覆盖所述第一外层铜箔122和所述第一外缘区域,所述第二蚀刻阻挡层134覆盖所述第二外层铜箔132和所述第二外缘区域。这样的技术方案,能够完全密封双层铜箔边缘防止水汽侵入,有效提高两者的结合强度,避免内外铜箔分离。
可选地,所述蚀刻阻挡层(第一蚀刻阻挡层124和第二蚀刻阻挡层134)包括镍层。可选地,所述蚀刻阻挡层包括镍层和铜层。
在一些实施例中,所述第二外层铜箔132的横向尺寸小于所述第一外层铜箔122的横向尺寸,使得所述第二外缘区域的横向尺寸大于所述第一外缘区域的横向尺寸。这样的方式,能够保证在去除第一承载芯层1120的过程中不会破坏所述第二铜箔层1312的密封,有效避免第二铜箔层1312在后续的封装过程中爆板分离。
应当理解的,通常一块基板包括多个封装体。请参阅图2(g),作为一个可选的实施例,所述第二外层铜箔132包括多个彼此分离的子区域,所述第二蚀刻阻挡层134覆盖所述子区域以及未被所述子区域覆盖的第二内层铜箔131,由此实现对每个封装体分别密封保护。
图2(a)-2(g)为本说明书一个或多个实施例提供的临时承载板的制作步骤的截面示意图。参照图2(a)-2(g),临时承载板的制作方法包括如下步骤:在第一承载芯层的两个表面上分别压合第一铜箔层,其中所述第一铜箔层包括物理压合的第一外层铜箔122和第一内层铜箔121—步骤(a),如图2(b)所示。
通常,请参阅图2(a)和图2(b),所述第一承载芯层包括环氧玻纤布层压板110和压合在所述环氧玻纤布层压板110表面上的环氧树脂层120,其中,图2(a)示出了环氧玻纤布层压板110相对设置的第一表面111和第二表面112。这里,所述环氧玻纤布层压板110的厚度和尺寸根据不同的需求具体定制。
在一些实施例中,所述第一外层铜箔的厚度大于所述第一内层铜箔的厚度。示例性的,第一内层铜箔121的厚度可以是2~5微米,优选3微米;第一外层铜箔122铜箔的厚度为15~20微米,优选18微米。接着,在所述第一铜箔层上涂布第一光刻胶层123并图案化暴露出所述第一外层铜箔122的外周边缘,蚀刻暴露的第一外层铜箔122直至暴露出所述第一内层铜箔121的第一外缘区域—步骤(b),如图2(c)所示。需要说明的是,外缘区域到板边的宽度通常小于板图形无效区,例如,以510×410mm的面板为例,板面有效区500×400mm,无效区在X和Y方向上的宽度都是10mm,因此外缘区域在X和Y方向上的宽度可以是2~6mm。外缘区域的尺寸可以根据实际情况进行确定,本实施例对此不作限定。
应当理解的是,光刻胶包括感光干膜或者液态光阻,PCB光刻胶亦称为光阻或光阻剂,通过紫外光、深紫外光、电子束、离子束、X射线等光照或辐射后变化成耐蚀刻薄膜材料,从而起到对下层结构保护遮蔽的作用。本申请的一些实施例优选采用感光干膜。
本说明书实施例中,光刻胶可以采用低成本产品,而不需要高解析率的,厚度通常为15~25微米,以使退膜反应时间短。
然后,移除所述第一光刻胶层123,并在所述第一铜箔层的表面上施加第一蚀刻阻挡层124,使得所述第一蚀刻阻挡层124覆盖所述第一外缘区域和所述第一外层铜箔—步骤(c),如图2(d)所示。
在一些实施例中,蚀刻阻挡层例如可以是镍层,厚度为5~10微米。通常为了避免镍层表面的氧化和污染,在电镀镍层后会再镀上2~5微米的铜层。蚀刻阻挡层主要起到对第一铜箔层、第二铜箔层的密封作用,防止其外层和内层铜箔在制程中间发生分层或侵入水汽等。
接着,在所述第一蚀刻阻挡层124的表面上分别依次压合第二承载芯层130和第二铜箔层,其中所述第二铜箔层包括物理压合的第二外层铜箔132和第二内层铜箔131—步骤(d),如图2(e)所示。
在一些实施例中,所述第二承载芯层包括环氧树脂层。
在一些实施例中,所述第二外层铜箔132的厚度小于所述第二内层铜箔131的厚度。示例性的,第二内层铜箔131的厚度可以是15~20微米,优选18微米;第二外层铜箔132铜箔的厚度为2~5微米,优选3微米。
然后,在所述第二铜箔层上涂布第二光刻胶层133并图案化暴露出所述第二外层铜箔132的外周边缘,蚀刻暴露的第二外层铜箔直至暴露出所述第二内层铜箔131的第二外缘区域,其中所述第二外缘区域的横向尺寸小于所述第一外缘区域的横向尺寸—步骤(e),如图2(f)所示。
最后,移除所述第二光刻胶层133,并在所述第二铜箔层的表面上施加第二蚀刻阻挡层134,使得所述第二蚀刻阻挡层134覆盖所述第二外缘区域和所述第二外层铜箔—步骤(f),如图2(g)所示。
在一些实施例中,通过蚀刻将所述第二铜箔层的外层铜箔132分为多个彼此分离的子区域,所述第二蚀刻阻挡层覆盖所述子区域以及未被所述子区域覆盖的第二内层铜箔。
图3(a)-3(h)为本说明书一个或多个实施例提供的使用本说明书实施例的临时承载板制造封装基板的步骤的截面示意图。参考图3(a)-3(h),所述制造方法包括如下步骤:在前述任一所述的临时承载板的表面上制作基板135,如图3(a)所示。这里,基板135可根据实际需要设计,可以是单层板、双面板、多层板;最薄厚度可以做到20微米甚至更薄。
接着,沿第一外层铜箔边缘与第二外层铜箔边缘之间的切割线整体切割,参见图3(b)。通过切割,解除第一外层铜箔122和第一内层铜箔121之间密封,便于分离第一外层铜箔122和第一内层铜箔121。
然后,分离所述第一外层铜箔122和所述第一内层铜箔121以移除第一承载芯层,参见图3(c)。由此,通过一块临时承载板就能够得到两片载板140,如图3(d)所示。从此开始,在后续针对载板的制程中,待处理的载板数变成初始投料数的两倍,显著提高了生产效率。
这里,载板140包括第二承载芯层、第二铜箔层和基板135。载板140借助第二承载芯层的支撑作用,能够安全搬运,不易折板,无严重板翘。通过移除第一承载芯层1120能够降低临时承载板的质量,便于后续封装操作以得到最终产品。这里,所述基板135可以是超薄基板。
接着,在所述基板135上贴装器件141并封装,请参阅图3(e)。通常,经过封装形成封装层142。
然后,沿第二外层铜箔边缘内侧的切割线整体切割,参阅图3(f)。这里,切割线位于第二外层铜箔的内侧,以不损害基板上的线路、器件为准,具体不做限定。通过切割,解除第二外层铜箔132和第二内层铜箔131之间密封,便于分离第二外层铜箔132和第二内层铜箔131。
接着,分离所述第二外层铜箔132和所述第二内层铜箔131以移除第二承载芯层,参阅图3(g)。
本说明书实施例中,分板操作可以简单地通过在双层铜箔的结合边缘处施加机械外力实现。例如,将第二铜箔层固定在台面上,以夹角30°~60°对封装层施加外力,从而实现分离。
在一些实施例中,所述方法还包括:
在移除第二承载芯层后,蚀刻移除所述基板底面上的第二外层铜箔132。利用蚀刻阻挡层与铜箔之间蚀刻速度的差异,可以防止基板底面铜箔蚀刻期间对基板底面的误蚀刻,有利于提高基板的良率。
在一些实施例中,所述方法还包括蚀刻移除所述基板底面上的第二蚀刻阻挡层134,得到最终封装体的产品,如图3(h)所示。
本说明书实施例的临时承载板,采用通用的设备、流程、参数、常规的材料即可制备得到,简单易行且低成本低廉。
所属领域的普通技术人员应当理解:以上任何实施例的讨论仅为示例性的,并非旨在暗示本公开的范围(包括权利要求)被限于这些例子;在本公开的思路下,以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合,步骤可以以任意顺序实现,并存在如上所述的本说明书一个或多个实施例的不同方面的许多其它变化,为了简明它们没有在细节中提供。
尽管已经结合了本公开的具体实施例对本公开进行了描述,但是根据前面的描述,这些实施例的很多替换、修改和变型对本领域普通技术人员来说将是显而易见的。
本说明书一个或多个实施例旨在涵盖落入所附权利要求的宽泛范围之内的所有这样的替换、修改和变型。因此,凡在本说明书一个或多个实施例的精神和原则之内,所做的任何省略、修改、等同替换、改进等,均应包含在本公开的保护范围之内。

Claims (17)

1.一种临时承载板,其特征在于,包括第一承载芯层、在所述第一承载芯层上的第一铜箔层、在所述第一铜箔层上的第二承载芯层和在所述第二承载芯层上的第二铜箔层;其中所述第一铜箔层包括物理压合的第一外层铜箔和第一内层铜箔,所述第二铜箔层包括物理压合的第二外层铜箔和第二内层铜箔。
2.根据权利要求1所述的临时承载板,其特征在于,在所述第一承载芯层的两面上分别设置有所述第一铜箔层,在两个所述第一铜箔层上均设置有所述第二承载芯层和在所述第二承载芯层的表面上均设置有所述第二铜箔层。
3.根据权利要求1所述的临时承载板,其特征在于,所述第一承载芯层包括环氧玻纤布层压板和在所述环氧玻纤布层压板表面上的环氧树脂层,所述第二承载芯层包括环氧树脂层。
4.根据权利要求1所述的临时承载板,其特征在于,靠近所述第二承载芯层一侧的所述第一外层铜箔的厚度大于远离所述第二承载芯层一侧的所述第一内层铜箔的厚度。
5.根据权利要求4所述的临时承载板,其特征在于,所述第一外层铜箔的厚度为15~20微米,所述第一内层铜箔的厚度为2~5微米。
6.根据权利要求1所述的临时承载板,其特征在于,所述第二外层铜箔的厚度小于所述第二内层铜箔的厚度。
7.根据权利要求1所述的临时承载板,其特征在于,所述第二外层铜箔的厚度为2~5微米,所述第二内层铜箔的厚度为15~20微米。
8.根据权利要求1所述的临时承载板,其特征在于,所述第一外层铜箔的横向尺寸小于所述第一内层铜箔的横向尺寸,从而暴露出所述第一内层铜箔的第一外缘区域;所述第二外层铜箔的横向尺寸小于所述第二内层铜箔的横向尺寸,从而暴露出所述第二内层铜箔的第二外缘区域。
9.根据权利要求8所述的临时承载板,其特征在于,所述第二外层铜箔的横向尺寸小于所述第一外层铜箔的横向尺寸,使得所述第二外缘区域的横向尺寸大于所述第一外缘区域的横向尺寸。
10.根据权利要求8所述的临时承载板,其特征在于,在所述第一铜箔层和所述第二铜箔层的外表面上分别施加有第一蚀刻阻挡层和第二蚀刻阻挡层,使得所述第一蚀刻阻挡层覆盖所述第一外层铜箔和所述第一外缘区域,所述第二蚀刻阻挡层覆盖所述第二外层铜箔和所述第二外缘区域。
11.根据权利要求10所述的临时承载板,其特征在于,所述蚀刻阻挡层包括镍层和铜层。
12.一种临时承载板的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
(a)在第一承载芯层的两个表面上分别压合第一铜箔层,其中所述第一铜箔层包括物理压合的第一外层铜箔和第一内层铜箔;
(b)在所述第一铜箔层上涂布第一光刻胶层并图案化暴露出所述第一外层铜箔的外周边缘,蚀刻暴露的第一外层铜箔直至暴露出所述第一内层铜箔的第一外缘区域;
(c)移除所述第一光刻胶层,并在所述第一铜箔层的表面上施加第一蚀刻阻挡层,使得所述第一蚀刻阻挡层覆盖所述第一外缘区域和所述第一外层铜箔;
(d)在所述第一蚀刻阻挡层的表面上分别依次压合第二承载芯层和第二铜箔层,其中所述第二铜箔层包括物理压合的第二外层铜箔和第二内层铜箔;
(e)在所述第二铜箔层上涂布第二光刻胶层并图案化暴露出所述第二外层铜箔的外周边缘,蚀刻暴露的第二外层铜箔直至暴露出所述第二内层铜箔的第二外缘区域,其中所述第二外缘区域的横向尺寸小于所述第一外缘区域的横向尺寸;
(f)移除所述第二光刻胶层,并在所述第二铜箔层的表面上施加第二蚀刻阻挡层,使得所述第二蚀刻阻挡层覆盖所述第二外缘区域和所述第二外层铜箔。
13.根据权利要求12所述的制作方法,其特征在于,所述第一承载芯层包括环氧玻纤布层压板和压合在所述环氧玻纤布层压板表面上的环氧树脂层,所述第二承载芯层包括环氧树脂层。
14.根据权利要求12所述的制作方法,其特征在于,所述第二外层铜箔的厚度小于所述第二内层铜箔的厚度。
15.根据权利要求14所述的制作方法,其特征在于,所述第一外层铜箔的厚度大于所述第一内层铜箔的厚度。
16.一种制造封装基板的方法,包括以下步骤:
在如权利要求1-11中任一项所述的临时承载板的表面上制作基板;
沿第一外层铜箔边缘与第二外层铜箔边缘之间的切割线整体切割;
分离所述第一外层铜箔和所述第一内层铜箔以移除第一承载芯层;
在所述基板上贴装器件并封装;
沿第二外层铜箔边缘内侧的切割线整体切割;
分离所述第二外层铜箔和所述第二内层铜箔以移除第二承载芯层。
17.根据权利要求16所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
在移除第二承载芯层后,蚀刻移除所述基板底面上的第二外层铜箔以及蚀刻阻挡层。
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TW111107545A TWI812037B (zh) 2021-03-05 2022-03-02 臨時承載板及其製作方法和封裝基板的製造方法
KR1020220027189A KR20220125691A (ko) 2021-03-05 2022-03-03 임시 캐리어판 및 그 제작 방법과 패키지 기판의 제조 방법
JP2022033950A JP7321314B2 (ja) 2021-03-05 2022-03-04 仮キャリアボード及びその製造方法ならびにパッケージ基板の製造方法

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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003229662A (ja) * 2001-11-30 2003-08-15 Ngk Spark Plug Co Ltd 配線基板の製造方法
CN103579009A (zh) * 2012-08-02 2014-02-12 富葵精密组件(深圳)有限公司 封装基板及其制作方法、芯片封装结构及芯片封装体制作方法
CN103779233A (zh) * 2012-10-17 2014-05-07 宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司 承载板的制作方法
CN104183567A (zh) * 2014-08-19 2014-12-03 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 薄型封装基板及其制作工艺
WO2016107649A1 (en) * 2014-12-30 2016-07-07 Circuit Foil Luxembourg Peelable copper foils, manufacturing method of coreless substrate, and coreless substrate obtained by the manufacturing method
CN106409688A (zh) * 2016-07-22 2017-02-15 深南电路股份有限公司 一种超薄无芯封装基板的加工方法和结构
CN108269766A (zh) * 2017-12-20 2018-07-10 深南电路股份有限公司 一种超薄封装基板结构及其加工制作方法
CN111800945A (zh) * 2020-06-24 2020-10-20 珠海越亚半导体股份有限公司 一种临时承载板及使用其制造无芯基板的方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI425887B (zh) * 2011-12-02 2014-02-01 Unimicron Technology Corp 具有支撐體的封裝基板及其製法
CN104685978B (zh) 2012-09-26 2018-04-27 日立化成株式会社 多层配线板及多层配线板的制造方法
JP2017157700A (ja) 2016-03-02 2017-09-07 イビデン株式会社 回路基板の製造方法
US10581081B1 (en) * 2019-02-01 2020-03-03 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Copper foil for negative electrode current collector of lithium ion secondary battery

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003229662A (ja) * 2001-11-30 2003-08-15 Ngk Spark Plug Co Ltd 配線基板の製造方法
CN103579009A (zh) * 2012-08-02 2014-02-12 富葵精密组件(深圳)有限公司 封装基板及其制作方法、芯片封装结构及芯片封装体制作方法
CN103779233A (zh) * 2012-10-17 2014-05-07 宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司 承载板的制作方法
CN104183567A (zh) * 2014-08-19 2014-12-03 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 薄型封装基板及其制作工艺
WO2016107649A1 (en) * 2014-12-30 2016-07-07 Circuit Foil Luxembourg Peelable copper foils, manufacturing method of coreless substrate, and coreless substrate obtained by the manufacturing method
CN106409688A (zh) * 2016-07-22 2017-02-15 深南电路股份有限公司 一种超薄无芯封装基板的加工方法和结构
CN108269766A (zh) * 2017-12-20 2018-07-10 深南电路股份有限公司 一种超薄封装基板结构及其加工制作方法
CN111800945A (zh) * 2020-06-24 2020-10-20 珠海越亚半导体股份有限公司 一种临时承载板及使用其制造无芯基板的方法

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