CN113064322B - 一种掩模图案校正方法、存储介质以及设备 - Google Patents

一种掩模图案校正方法、存储介质以及设备 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种掩模图案校正方法、存储介质以及设备，对于至少包括第一图案、第二图案和第三图案，第三图案设置在第一图案和第二图案之间，在靠近第三图案的一侧，第一图案的轮廓包括第一斜线线段、分别和第一斜线线段的两端连接的第一直线线段和第二直线线段，第一直线线段和第二直线线段平行；第二图案的轮廓包括第二斜线线段、分别和第二斜线线段的两端连接的第三直线线段和第四直线线段，第三直线线段和第四直线线段平行的掩模图案，可以通过调整第一斜线线段与第一直线线段的第一夹角以及第二斜线线段与第三直线线段的第二夹角实现对掩模图案的校正，从而避免在第一斜线线段、第二斜线线段和第三图案之间的位置处出现桥接的缺陷。

Description

一种掩模图案校正方法、存储介质以及设备
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种掩模图案校正方法、存储介质以及设备。
背景技术
在半导体器件制备过程中，通常采用光刻工艺将电路布局图案转印到半导体基底上。在进行光刻工艺之前，可以先根据需要的电路布局设计掩模图案，再利用光刻工艺将掩模图案以特定的比例转印到半导体基底上的光刻胶层，最后再基于形成目标图案的光刻胶层刻蚀半导体基底，以在基底上形成需要的电路布局图案。
随着半导体器件逐渐小型化，在采用光刻工艺将掩模图案转印到光刻胶层的过程中容易出现光学邻近效应，从而使光刻胶层上形成的目标图案出现桥接或者缺失的缺陷。因此，需要提供一种校正掩模图案的方法，以在基底上能够形成精确的电路布局图案。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：如何提供一种校正掩模图案的方法，以形成精确的电路布局图案。
为解决上述技术问题，本发明提供了掩模图案校正方法、存储介质以及设备。
本发明的第一个方面提供了一种掩模图案校正方法，所述掩模图案至少包括第一图案、第二图案和第三图案，所述第三图案设置在所述第一图案和所述第二图案之间，在靠近所述第三图案的一侧，所述第一图案的轮廓包括第一斜线线段、分别和所述第一斜线线段的两端连接的第一直线线段和第二直线线段，所述第一直线线段和所述第二直线线段平行；所述第二图案的轮廓包括第二斜线线段、分别和所述第二斜线线段的两端连接的第三直线线段和第四直线线段，所述第三直线线段和所述第四直线线段平行，所述校正方法包括：
通过调整所述第一斜线线段与所述第一直线线段的第一夹角以及所述第二斜线线段与所述第三直线线段的第二夹角实现对所述掩模图案的校正。
在一些实施例中，调整所述第一斜线线段与所述第一直线线段的第一夹角以及所述第二斜线线段与所述第三直线线段的第二夹角实现对所述掩模图案的校正，包括：
增大所述第一夹角以及所述第二夹角，以将所述第一斜线线段与所述第一直线线段的所述第一夹角调整至第三夹角以及将所述第二斜线线段与所述第三直线线段的所述第二夹角调整至第四夹角实现对所述掩模图案的校正。
在一些实施例中，所述第一图案和所述第二图案沿所述第三图案的中心轴方向对称设置，所述第三图案的中心轴与所述第一直线线段平行；
增大所述第一夹角以及所述第二夹角，以将所述第一斜线线段与所述第一直线线段的所述第一夹角调整至第三夹角以及将所述第二斜线线段与所述第三直线线段的所述第二夹角调整至第四夹角实现对所述掩模图案的校正，包括：
增大所述第一夹角以及所述第二夹角，以将所述第一斜线线段与所述第一直线线段的所述第一夹角调整至第三夹角以及将所述第二斜线线段与所述第三直线线段的所述第二夹角调整至第四夹角，所述第三夹角和所述第四夹角相等。
在一些实施例中，在远离所述第三图案的一侧，所述第一图案的轮廓包括第一弯折线段，所述第一弯折线段与由所述第一直线线段、所述第一斜线线段和所述第二直线线段依次连接形成的第二弯折线段平行；所述第二图案的轮廓包括第三弯折线段，所述第三弯折线段与由所述第三直线线段、所述第二斜线线段和所述第四直线线段依次连接形成的第四弯折线段平行；
调整所述第一斜线线段与所述第一直线线段的第一夹角以及所述第二斜线线段与所述第三直线线段的第二夹角之后，所述掩模图案校正方法还包括：
通过对比调整前后的所述第一图案得到第一辅助图案，将所述第一辅助图案拼接到所述第一弯折线段形成第五弯折线段；以及，通过对比调整前后的所述第二图案得到第二辅助图案，将所述第二辅助图案拼接到所述第三弯折线段形成第六弯折线段。
本发明的第二个方面提供了一种掩模图案校正方法，所述掩模图案至少包括第一图案、第二图案和第三图案，所述第三图案设置在所述第一图案和所述第二图案之间，在靠近所述第三图案的一侧，所述第一图案的轮廓包括第一斜线线段、分别和所述第一斜线线段的两端连接的第一直线线段和第二直线线段，所述第一直线线段和所述第二直线线段平行；所述第二图案的轮廓包括第二斜线线段、分别和所述第二斜线线段的两端连接的第三直线线段和第四直线线段，所述第三直线线段和所述第四直线线段平行，所述校正方法包括：
通过调整所述第一斜线线段与所述第一直线线段的交点至所述第三图案的第一距离以及所述第二斜线线段与所述第三直线线段的交点至所述第三图案的第二距离实现对所述掩模图案的校正。
在一些实施例中，调整所述第一斜线线段与所述第一直线线段的交点至所述第三图案的第一距离以及所述第二斜线线段与所述第三直线线段的交点至所述第三图案的第二距离实现对所述掩模图案的校正，包括：
增大所述第一距离，以将所述第一斜线线段与所述第一直线线段的交点至所述第三图案的所述第一距离调整至第三距离，所述第三距离至少为所述第一距离的两倍；以及，
增大所述第二距离，以将所述第二斜线线段与所述第三直线线段的交点至所述第三图案的所述第二距离调整至第四距离，所述第四距离至少为所述第二距离的两倍。
在一些实施例中，调整所述第一斜线线段与所述第一直线线段的交点至所述第三图案的第一距离以及所述第二斜线线段与所述第三直线线段的交点至所述第三图案的第二距离实现对所述掩模图案的校正，包括：
增大所述第一距离，以将所述第一斜线线段与所述第一直线线段的交点至所述第三图案的所述第一距离调整至第三距离，所述第三距离至少为所述第二直线线段至所述第三图案距离的1.5倍；以及，
增大所述第二距离，以将所述第二斜线线段与所述第三直线线段的交点至所述第三图案的所述第二距离调整至第四距离，所述第四距离至少为所述第四直线线段至所述第三图案距离的1.5倍。
在一些实施例中，所述第一图案和所述第二图案沿所述第三图案的中心轴方向对称设置，所述第三图案的中心轴与所述第一直线线段平行；
增大所述第一距离以及所述第二距离，以将所述第一斜线线段与所述第一直线线段的交点至所述第三图案的所述第一距离调整至第三距离以及将所述第二斜线线段与所述第三直线线段的交点至所述第三图案的所述第二距离调整至第四距离，包括：
增大所述第一距离以及所述第二距离，以将所述第一斜线线段与所述第一直线线段的交点至所述第三图案的所述第一距离调整至所述第三距离以及将所述第二斜线线段与所述第三直线线段的交点至所述第三图案的所述第二距离调整至第四距离，所述第三距离等于所述第四距离。
在一些实施例中，在远离所述第三图案的一侧，所述第一图案的轮廓包括第一弯折线段，所述第一弯折线段与由所述第一直线线段、所述第一斜线线段和所述第二直线线段依次连接形成的第二弯折线段平行；所述第二图案的轮廓包括第三弯折线段，所述第三弯折线段与由所述第三直线线段、所述第二斜线线段和所述第四直线线段依次连接形成的第四弯折线段平行；
调整所述第一斜线线段与所述第一直线线段的交点至所述第三图案的第一距离以及所述第二斜线线段与所述第三直线线段的交点至所述第三图案的第二距离之后，所述掩模图案校正方法还包括：
通过对比调整前后的所述第一图案得到第一辅助图案，将所述第一辅助图案拼接到所述第一弯折线段形成第五弯折线段；以及，通过对比调整前后的所述第二图案得到第二辅助图案，将所述第二辅助图案拼接到所述第三弯折线段形成第六弯折线段。
在一些实施例中，所述掩模图案校正方法还包括：对校正后的所述掩模图案进行规则检查。
在一些实施例中，所述对校正后的所述掩模图案进行规则检查，包括：对校正后的所述掩模图案进行掩模规则检查或光刻规则检查。
在一些实施例中，所述对校正后的所述掩模图案进行光刻规则检查之后，所述掩模图案校正方法还包括：
响应于检测出图案热点的信号，对校正后的所述掩模图案进行二次校正。
本发明的第三个方面提供了一种存储介质，所述存储介质中存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时，能够实现如上所述的掩模图案校正方法。
本发明的第四个方面提供了一种设备，所述设备包括存储器和处理器，所述存储器中存储有计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时能够实现如上所述的掩模图案校正方法。
与现有技术相比，上述方案中的一个或多个实施例可以具有如下优点或有益效果：
应用本发明的掩模图案校正方法，对于至少包括第一图案、第二图案和第三图案，第三图案设置在第一图案和第二图案之间，在靠近第三图案的一侧，第一图案的轮廓包括第一斜线线段、分别和第一斜线线段的两端连接的第一直线线段和第二直线线段，第一直线线段和第二直线线段平行；第二图案的轮廓包括第二斜线线段、分别和第二斜线线段的两端连接的第三直线线段和第四直线线段，第三直线线段和第四直线线段平行的掩模图案，可以通过调整第一斜线线段与第一直线线段的第一夹角以及第二斜线线段与第三直线线段的第二夹角实现对掩模图案的校正，从而避免在第一斜线线段、第二斜线线段和第三图案之间的位置处出现桥接的缺陷，从而有利于形成精确的电路布局图案。
附图说明
通过结合附图阅读下文示例性实施例的详细描述可更好地理解本公开的范围。其中所包括的附图是：
图1示出了经过光学邻近校正后的掩模图案以及基于该掩模图案进行光刻工艺后在晶片上形成的图案；
图2示出了本发明实施例提供的一种掩模图案示意图；
图3示出了本发明实施例一提供的掩模图案校正方法流程示意图；
图4示出了调整第一夹角以及第二夹角后的掩模图案示意图；
图5示出了本发明实施例提供的另一掩模图案示意图；
图6示出了本发明实施例一提供的校正后的掩模图案示意图；
图7示出了本发明实施例一提供的另一掩模图案校正方法流程示意图；
图8示出了本发明实施例二提供的一种掩模图案校正方法流程示意图；
图9示出了本发明实施例二提供的校正后的掩模图案示意图；
图10示出了本发明实施例二提供另一掩模图案示意图；
图11示出了本发明实施例二提供的另一掩模图案校正方法流程示意图；
图12示出了本发明实施例提供的设备结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方法，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。
在半导体器件制备过程中，通常采用光刻工艺将电路布局图案转印到半导体基底上。在进行光刻工艺之前，可以先根据需要的电路布局设计掩模图案，再利用光刻工艺将掩模图案以特定的比例转印到半导体基底上的光刻胶层，最后再基于形成目标图案的光刻胶层刻蚀半导体基底，以在基底上形成需要的电路布局图案。
随着半导体器件逐渐小型化，在采用光刻工艺将掩模图案转印到光刻胶层的过程中容易出现光学邻近效应，从而使光刻胶层上形成的目标图案出现桥接或者缺失的缺陷，参见图1所示，图1示出了经过光学邻近校正后的掩模图案(左图)以及基于该掩模图案进行光刻工艺后在晶片上形成的图案(右图)，由图1可以看出，在晶片上形成的图案中在矩形围成的区域出现了图形缺陷。因此，需要提供一种校正掩模图案的方法，以在基底上能够形成精确的电路布局图案。
有鉴于此，本发明提供了一种掩模图案校正方法，对于至少包括第一图案、第二图案和第三图案，第三图案设置在第一图案和第二图案之间，在靠近第三图案的一侧，第一图案的轮廓包括第一斜线线段、分别和第一斜线线段的两端连接的第一直线线段和第二直线线段，第一直线线段和第二直线线段平行；第二图案的轮廓包括第二斜线线段、分别和第二斜线线段的两端连接的第三直线线段和第四直线线段，第三直线线段和第四直线线段平行的掩模图案，可以通过调整第一斜线线段与第一直线线段的第一夹角以及第二斜线线段与第三直线线段的第二夹角实现对掩模图案的校正，从而避免在第一斜线线段、第二斜线线段和第三图案之间的位置处出现桥接的缺陷。
实施例一
参见图2所示，图2示出了本发明实施例提供的一种掩模图案示意图，该掩模图案至少包括第一图案21、第二图案22和第三图案23，第三图案23设置在第一图案21和第二图案22之间，在靠近第三图案23的一侧，第一图案21的轮廓包括第一斜线线段211、分别和第一斜线线段211的两端连接的第一直线线段212和第二直线线段213，第一直线线段212和第二直线线段213平行；第二图案22的轮廓包括第二斜线线段221、分别和第二斜线线段221的两端连接的第三直线线段222和第四直线线段223，第三直线线段222和第四直线线段223平行。
需要说明的是，在本发明实施例中，掩模图案可以为第一图案21和第二图案22沿第三图案23的中心轴方向对称设置的镜面对称图案，在其他实施例中，第一图案21和第二图案22也可以互不为对称图案。在本发明实施例中，将以第一图案21和第二图案22沿第三图案23的中心轴方向对称设置的掩模图案为例进行描述。
参见图3所示，图3示出了本发明实施例一提供的掩模图案校正方法流程示意图，其包括：
步骤S301:通过调整第一斜线线段211与第一直线线段212的第一夹角以及第二斜线线段221与第三直线线段222的第二夹角实现对掩模图案的校正。
在一些实施例中，调整第一斜线线段211与第一直线线段212的第一夹角以及第二斜线线段221与第三直线线段222的第二夹角可以为，增大第一斜线线段211与第一直线线段212的第一夹角以及第二斜线线段221与第三直线线段222的第二夹角。其中，调整前，第一斜线线段211与第一直线线段212的第一夹角可以为θ1，调整前第二斜线线段221与第三直线线段222的第二夹角可以为θ2；调整后，第一斜线线段211与第一直线线段212的第三夹角可以为θ3，第二斜线线段221与第三直线线段222的第四夹角可以为θ4，并且有θ3﹥θ1，θ4﹥θ2。具体可参见图4所示，图4示出了调整第一夹角以及第二夹角后的掩模图案示意图。
在一些实施例中，增大第一斜线线段211与第一直线线段212的第一夹角以及第二斜线线段221与第三直线线段222的第二夹角还可以包括：增大第一斜线线段211与第一直线线段212的第一夹角以及第二斜线线段221与第三直线线段222的第二夹角，使调整后的第一斜线线段211与第一直线线段212的第一夹角与第二斜线线段221与第三直线线段222的第二夹角相等，即θ3＝θ4。当调整前的掩模图案为第一图案21和第二图案22沿第三图案23的中心轴方向对称设置时，通过增大第一斜线线段211与第一直线线段212的第一夹角以及第二斜线线段221与第三直线线段222的第二夹角，并使调整后的第一斜线线段211与第一直线线段212的第一夹角与第二斜线线段221与第三直线线段222的第二夹角相等，可在调整后得到仍沿第三图案23的中心轴方向成镜像对称的掩模图案并扩大了第一斜线线段211、第二斜线线段221和第三图案23之间的空间，从而能够避免在掩模图案中第一斜线线段211、第二斜线线段221和第三图案23之间的位置处出现桥接的缺陷。
在另一些实施例中，参见图5所示，图5示出了本发明实施例提供的另一掩模图案示意图。在远离第三图案23的一侧，第一图案21的轮廓可以包括第一弯折线段，其中，第一弯折线段可以包括依次连接的直线线段、斜线线段和另一直线线段三条线段，第一弯折线段与由第一直线线段212、第一斜线线段211和第二直线线段213依次连接形成的第二弯折线段平行；第二图案22的轮廓包括第三弯折线段，其中，第三弯折线段可以包括依次连接的直线线段、斜线线段和另一直线线段三条线段，第三弯折线段与由第三直线线段222、第二斜线线段221和第四直线线段223依次连接形成的第四弯折线段平行；
调整第一斜线线段211与第一直线线段212的第一夹角以及第二斜线线段221与第三直线线段222的第二夹角之后，还可以包括：
通过对比调整前后的第一图案21得到第一辅助图案61，将第一辅助图案61拼接到第一弯折线段形成第五弯折线段，其中，第五弯折线段可以包括依次连接的直线线段、斜线线段和另一直线线段三条线段，在一些实施例中，第五弯折线段与调整后的第二弯折线段平行；以及，通过对比调整前后的第二图案22得到第二辅助图案62，将第二辅助图案62拼接到第三弯折线段形成第六弯折线段，其中，第六弯折线段可以包括依次连接的直线线段、斜线线段和另一直线线段三条线段，在一些实施例中，第六弯折线段与调整后的第四弯折线段平行。具体可参见图6所示，图6示出了本发明实施例一提供的校正后的掩模图案示意图。通过将第一辅助图案61拼接到第一弯折线段形成第五弯折线段，有利于在调整后仍得到线宽均匀的第一图案21；将第二辅助图案62拼接到第三弯折线段形成第六弯折线段，有利于在调整后仍得到线宽均匀的第二图案22，同时能够避免调整后线宽变窄引起缺陷。
需要说明的是，待校正的掩模图案还可以包括多个与第一图案21相同的图案，该图案可以与第一图案21在第三图案23的同一侧平行且间隔设置；也可以包括多个与第二图案22相同的图案，该图案可以与第二图案22在第三图案23的同一侧平行且间隔设置(图中未示出)。
在一些实施例中，参见图7所示，图7示出了本发明实施例一提供的另一掩模图案校正方法流程示意图，其可以包括：
步骤S301：通过调整第一斜线线段211与第一直线线段212的第一夹角以及第二斜线线段221与第三直线线段222的第二夹角实现对掩模图案的校正。
步骤S302：对校正后的掩模图案进行规则检查。
在校正后的掩模图案符合检查规则时，即检查出掩模图案没有缺陷时，则可以输出用于光刻工艺的掩模图案；在校正后的掩模图案不符合检查规则时，即检查出掩模图案的目标位置出现图案热点时，则还可以执行步骤S303。
步骤S303：响应于检测出图案热点的信号，对校正后的掩模图案进行二次校正。
在本发明实施例中，步骤S302可以具体为，对校正后的掩模图案进行掩模规则检查或光刻规则检查，其中，可以选择掩模图案的目标区域作为检查对象，作为示例，可以选择包括第一斜线线段211、第二斜线线段221和第三图案23的区域作为目标区域，以检测是否实现了对掩模图案目标区域的校正。掩模规则检查或光刻规则检查可以为采用本领域现有的方法，为了简要起见在此不再赘述。
在步骤S303可以采用和步骤S301相同的方式对掩模图案进行校正，进而，还可以对二次校正后的掩模图案进行规则检查，直至掩模图案中的目标区域不存在缺陷，则实现对掩模图案的校正。
以上为本发明实施例提供的一种掩模图案校正方法，对于至少包括第一图案21、第二图案22和第三图案23，第三图案23设置在第一图案21和第二图案22之间，在靠近第三图案23的一侧，第一图案21的轮廓包括第一斜线线段211、分别和第一斜线线段211的两端连接的第一直线线段212和第二直线线段213，第一直线线段212和第二直线线段平行213；第二图案22的轮廓包括第二斜线线段221、分别和第二斜线线段221的两端连接的第三直线线段222和第四直线线段223，第三直线线段222和第四直线线段223平行的掩模图案，可以通过调整第一斜线线段211与第一直线线段212的第一夹角以及第二斜线线段221与第三直线线段222的第二夹角实现对掩模图案的校正，从而避免在第一斜线线段211、第二斜线线段221和第三图案23之间的位置处出现桥接的缺陷。另外，通过对校正后的掩模图案进行规则检查还可以验证是否实现掩模图案的校正，从而能够有效避免掩模图案中出现缺陷，有利于形成精确的电路布局图案。
以上为本发明实施例提供的一种掩模图案校正方法，此外，本发明还提供了另一种掩模图案校正方法，具体请参见以下实施例二的描述。
实施例二
需要说明的是，在本发明实施例二中，可以针对与实施例一中图2示出的掩模图案相同的掩模图案进行校正。
参见图8所示，图8示出了本发明实施例二提供的一种掩模图案校正方法流程示意图，其包括：
步骤S801：通过调整第一斜线线段211与第一直线线段212的交点至第三图案23的第一距离以及第二斜线线段221与第三直线线段222的交点至第三图案23的第二距离实现对掩模图案的校正。
在一些实施例中，调整第一斜线线段211与第一直线线段212的交点至第三图案23的第一距离以及第二斜线线段221与第三直线线段222的交点至第三图案23的第二距离实现对掩模图案的校正，包括：
增大第一距离，以将第一斜线线段211与第一直线线段212的交点至第三图案23的第一距离调整至第三距离，第三距离至少为第一距离的两倍；以及，
增大第二距离，以将第二斜线线段221与第三直线线段222的交点至第三图案23的第二距离调整至第四距离，所述第四距离至少为所述第二距离的两倍。
具体可参见图9所示，图9示出了本发明实施例二提供的校正后的掩模图案示意图。调整前，第一斜线线段211与第一直线线段212的交点至第三图案23的第一距离可以表示为L1，第二斜线线段221与第三直线线段222的交点至第三图案23的第二距离可以表示为L2；调整后，第一斜线线段211与第一直线线段212的交点至第三图案23的第三距离可以表示为L3，第二斜线线段221与第三直线线段222的交点至第三图案23的第四距离可以表示为L4，并且有L3≥2L1，L4≥2L2。
在另一些实施例中，调整第一斜线线段211与第一直线线段212的交点至第三图案23的第一距离以及第二斜线线段221与第三直线线段222的交点至第三图案23的第二距离实现对掩模图案的校正，包括：
增大第一距离，以将第一斜线线段211与第一直线线段212的交点至第三图案23的第一距离调整至第三距离，第三距离至少为第二直线线段至第三图案距离的1.5倍；以及，
增大第二距离，以将第二斜线线段221与第三直线线段222的交点至第三图案23的第二距离调整至第四距离，第四距离至少为第四直线线段至第三图案距离的1.5倍。
具体可参见图10所示，图10示出了本发明实施例二提供另一掩模图案示意图，调整前，第一斜线线段211与第一直线线段212的交点至第三图案23的第一距离可以表示为L1，第二斜线线段221与第三直线线段222的交点至第三图案23的第二距离可以表示为L2；调整后，第一斜线线段211与第一直线线段212的交点至第三图案23的第三距离可以表示为L3，第二斜线线段221与第三直线线段222的交点至第三图案23的第四距离可以表示为L4，第二直线线段至第三图案的距离可以表示为L5，第四直线线段至第三图案的距离为L6，并且有L3>1.5L5，L4>1.5L6。
在一些实施例中，增大第一距离以及第二距离，以将第一斜线线段211与第一直线线段212的交点至第三图案23的第一距离调整至第三距离以及将第二斜线线段221与第三直线线段222的交点至第三图案23的第二距离调整至第四距离，包括：
增大第一距离以及第二距离，以将第一斜线线段211与第一直线线段212的交点至第三图案23的第一距离调整至第三距离以及将第二斜线线段221与第三直线线段222的交点至第三图案23的第二距离调整至第四距离，使调整后第一斜线线段211与第一直线线段212的交点至第三图案23的第三距离等于第二斜线线段221与第三直线线段222的交点至第三图案23的第四距离，即L3＝L4。当调整前的掩模图案为第一图案21和第二图案22沿第三图案23的中心轴方向对称设置时，通过增大第一斜线线段211与第一直线线段212的交点至第三图案23的第一距离以及第二斜线线段221与第三直线线段222的交点至第三图案23的第二距离，并使调整后第一斜线线段211与第一直线线段212的交点至第三图案23的第一距离等于第二斜线线段221与第三直线线段222的交点至第三图案23的第二距离，可在调整后得到仍沿第三图案23的中心轴方向成镜像对称的掩模图案并扩大了第一斜线线段211、第二斜线线段221和第三图案23之间的空间，从而能够避免在掩模图案中第一斜线线段211、第二斜线线段221和第三图案23之间的位置处出现桥接的缺陷。
在另一些实施例中，还可以参见如上实施例一中图5示出的掩模图案示意图，在远离第三图案23的一侧，第一图案21的轮廓可以包括第一弯折线段，其中，第一弯折线段可以包括由直线线段、斜线线段和另一直线线段依次相连的三条线段，第一弯折线段与由第一直线线段212、第一斜线线段211和第二直线线段213依次连接形成的第二弯折线段平行；第二图案22的轮廓包括第三弯折线段，第三弯折线段可以包括由直线线段、斜线线段和另一直线线段依次相连的三条线段，第三弯折线段与由第三直线线段222、第二斜线线段221和第四直线线段223依次连接形成的第四弯折线段平行。
调整第一斜线线段211与第一直线线段212的交点至第三图案23的第一距离以及第二斜线线段221与第三直线线段222的交点至第三图案23的第二距离之后，还可以包括：
通过对比调整前后的第一图案21得到第一辅助图案61，将第一辅助图案61拼接到第一弯折线段形成第五弯折线段，其中，第五弯折线段可以包括依次连接的直线线段、斜线线段和另一直线线段三条线段，在一些实施例中，第五弯折线段与调整后的第二弯折线段平行；以及，通过对比调整前后的第二图案22得到第二辅助图案62，将第二辅助图案62拼接到第三弯折线段形成第六弯折线段，其中，第六弯折线段可以包括依次连接的直线线段、斜线线段和另一直线线段三条线段，在一些实施例中，第六弯折线段与调整后的第四弯折线段平行。具体可参见如上实施例一中图6示出的校正后的掩模图案示意图。通过将第一辅助图案61拼接到第一弯折线段形成第五弯折线段，有利于在调整后仍得到线宽均匀的第一图案21；将第二辅助图案62拼接到第三弯折线段形成第六弯折线段，有利于在调整后仍得到线宽均匀的第二图案22，同时能够避免调整后线宽变窄引起缺陷。
在一些实施例中，参见图11所示，图11示出了本发明实施例二提供的另一掩模图案校正方法流程示意图，其可以包括：
步骤S801：通过调整第一斜线线段211与第一直线线段212的交点至第三图案23的第一距离以及第二斜线线段221与第三直线线段222的交点至第三图案23的第二距离实现对掩模图案的校正。
步骤S802：对校正后的掩模图案进行规则检查。
在校正后的掩模图案符合检查规则时，即检查出掩模图案没有缺陷时，则可以输出用于光刻工艺的掩模图案；在校正后的掩模图案不符合检查规则时，即检查出掩模图案的目标位置出现图案热点时，则还可以执行步骤S803。
步骤S803：响应于检测出图案热点的信号，对校正后的掩模图案进行二次校正。
在本发明实施例中，步骤S802可以具体为，对校正后的掩模图案进行掩模规则检查或光刻规则检查，其中，可以选择掩模图案的目标区域作为检查对象，作为示例，可以选择包括第一斜线线段211、第二斜线线段221和第三图案23的区域作为目标区域，以检测是否实现了对掩模图案目标区域的校正。掩模规则检查或光刻规则检查可以为采用本领域现有的方法，为了简要起见在此不再赘述。
在步骤S803可以采用和步骤S801相同的方式对掩模图案进行校正，进而，还可以对二次校正后的掩模图案进行规则检查，直至掩模图案中的目标区域不存在缺陷，则实现对掩模图案的校正。
以上为本发明实施例提供的一种掩模图案校正方法，对于至少包括第一图案21、第二图案22和第三图案23，第三图案23设置在第一图案21和第二图案22之间，在靠近第三图案23的一侧，第一图案21的轮廓包括第一斜线线段211、分别和第一斜线线段211的两端连接的第一直线线段212和第二直线线段213，第一直线线段212和第二直线线段平行213；第二图案22的轮廓包括第二斜线线段221、分别和第二斜线线段221的两端连接的第三直线线段222和第四直线线段223，第三直线线段222和第四直线线段223平行的掩模图案，可以通过调整第一斜线线段211与第一直线线段212的交点至第三图案23的第一距离以及第二斜线线段221与第三直线线段222的交点至第三图案23的第二距离实现对掩模图案的校正，从而避免在第一斜线线段211、第二斜线线段221和第三图案23之间的位置处出现桥接的缺陷。另外，通过对校正后的掩模图案进行规则检查还可以验证是否实现掩模图案的校正，从而能够有效避免掩模图案中出现缺陷，有利于形成精确的电路布局图案。
本申请的另一方面，还提供了一种存储介质，该存储介质中存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时，能够实现如上实施例一或实施例二中所述的掩模图案校正方法。
参见图12所示，图12示出了本发明实施例提供的设备结构示意图，该设备包括存储器121和处理器122，存储器121中存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时能够实现如上实施例一或实施例二中所述的掩模图案校正方法。
虽然本发明所公开的实施方式如上，但所述的内容只是为了便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属技术领域内的技术人员，在不脱离本发明所公开的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化，但本发明的保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (14)

1.一种掩模图案校正方法，其特征在于，所述掩模图案至少包括第一图案、第二图案和第三图案，所述第三图案设置在所述第一图案和所述第二图案之间，在靠近所述第三图案的一侧，所述第一图案的轮廓包括第一斜线线段、分别和所述第一斜线线段的两端连接的第一直线线段和第二直线线段，所述第一直线线段和所述第二直线线段平行；所述第二图案的轮廓包括第二斜线线段、分别和所述第二斜线线段的两端连接的第三直线线段和第四直线线段，所述第三直线线段和所述第四直线线段平行，所述校正方法包括：
通过调整所述第一斜线线段与所述第一直线线段的第一夹角以及所述第二斜线线段与所述第三直线线段的第二夹角实现对所述掩模图案的校正。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，调整所述第一斜线线段与所述第一直线线段的第一夹角以及所述第二斜线线段与所述第三直线线段的第二夹角实现对所述掩模图案的校正，包括：
增大所述第一夹角以及所述第二夹角，以将所述第一斜线线段与所述第一直线线段的所述第一夹角调整至第三夹角以及将所述第二斜线线段与所述第三直线线段的所述第二夹角调整至第四夹角实现对所述掩模图案的校正。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一图案和所述第二图案沿所述第三图案的中心轴方向对称设置，所述第三图案的中心轴与所述第一直线线段平行；
增大所述第一夹角以及所述第二夹角，以将所述第一斜线线段与所述第一直线线段的所述第一夹角调整至第三夹角以及将所述第二斜线线段与所述第三直线线段的所述第二夹角调整至第四夹角实现对所述掩模图案的校正，包括：
增大所述第一夹角以及所述第二夹角，以将所述第一斜线线段与所述第一直线线段的所述第一夹角调整至第三夹角以及将所述第二斜线线段与所述第三直线线段的所述第二夹角调整至第四夹角，所述第三夹角和所述第四夹角相等。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在远离所述第三图案的一侧，所述第一图案的轮廓包括第一弯折线段，所述第一弯折线段与由所述第一直线线段、所述第一斜线线段和所述第二直线线段依次连接形成的第二弯折线段平行；所述第二图案的轮廓包括第三弯折线段，所述第三弯折线段与由所述第三直线线段、所述第二斜线线段和所述第四直线线段依次连接形成的第四弯折线段平行；
调整所述第一斜线线段与所述第一直线线段的第一夹角以及所述第二斜线线段与所述第三直线线段的第二夹角之后，所述方法还包括：
通过对比调整前后的所述第一图案得到第一辅助图案，将所述第一辅助图案拼接到所述第一弯折线段形成第五弯折线段；以及，通过对比调整前后的所述第二图案得到第二辅助图案，将所述第二辅助图案拼接到所述第三弯折线段形成第六弯折线段。
5.一种掩模图案校正方法，其特征在于，所述掩模图案至少包括第一图案、第二图案和第三图案，所述第三图案设置在所述第一图案和所述第二图案之间，在靠近所述第三图案的一侧，所述第一图案的轮廓包括第一斜线线段、分别和所述第一斜线线段的两端连接的第一直线线段和第二直线线段，所述第一直线线段和所述第二直线线段平行；所述第二图案的轮廓包括第二斜线线段、分别和所述第二斜线线段的两端连接的第三直线线段和第四直线线段，所述第三直线线段和所述第四直线线段平行，所述校正方法包括：
通过调整所述第一斜线线段与所述第一直线线段的交点至所述第三图案的第一距离以及所述第二斜线线段与所述第三直线线段的交点至所述第三图案的第二距离实现对所述掩模图案的校正。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，调整所述第一斜线线段与所述第一直线线段的交点至所述第三图案的第一距离以及所述第二斜线线段与所述第三直线线段的交点至所述第三图案的第二距离实现对所述掩模图案的校正，包括：
增大所述第一距离，以将所述第一斜线线段与所述第一直线线段的交点至所述第三图案的所述第一距离调整至第三距离，所述第三距离至少为所述第一距离的两倍；以及，
增大所述第二距离，以将所述第二斜线线段与所述第三直线线段的交点至所述第三图案的所述第二距离调整至第四距离，所述第四距离至少为所述第二距离的两倍。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，调整所述第一斜线线段与所述第一直线线段的交点至所述第三图案的第一距离以及所述第二斜线线段与所述第三直线线段的交点至所述第三图案的第二距离实现对所述掩模图案的校正，包括：
增大所述第一距离，以将所述第一斜线线段与所述第一直线线段的交点至所述第三图案的所述第一距离调整至第三距离，所述第三距离至少为所述第二直线线段至所述第三图案距离的1.5倍；以及，
增大所述第二距离，以将所述第二斜线线段与所述第三直线线段的交点至所述第三图案的所述第二距离调整至第四距离，所述第四距离至少为所述第四直线线段至所述第三图案距离的1.5倍。
8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述第一图案和所述第二图案沿所述第三图案的中心轴方向对称设置，所述第三图案的中心轴与所述第一直线线段平行；
增大所述第一距离以及所述第二距离，以将所述第一斜线线段与所述第一直线线段的交点至所述第三图案的所述第一距离调整至第三距离以及将所述第二斜线线段与所述第三直线线段的交点至所述第三图案的所述第二距离调整至第四距离，包括：
增大所述第一距离以及所述第二距离，以将所述第一斜线线段与所述第一直线线段的交点至所述第三图案的所述第一距离调整至所述第三距离以及将所述第二斜线线段与所述第三直线线段的交点至所述第三图案的所述第二距离调整至第四距离，所述第三距离等于所述第四距离。
9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在远离所述第三图案的一侧，所述第一图案的轮廓包括第一弯折线段，所述第一弯折线段与由所述第一直线线段、所述第一斜线线段和所述第二直线线段依次连接形成的第二弯折线段平行；所述第二图案的轮廓包括第三弯折线段，所述第三弯折线段与由所述第三直线线段、所述第二斜线线段和所述第四直线线段依次连接形成的第四弯折线段平行；
调整所述第一斜线线段与所述第一直线线段的交点至所述第三图案的第一距离以及所述第二斜线线段与所述第三直线线段的交点至所述第三图案的第二距离之后，所述方法还包括：
通过对比调整前后的所述第一图案得到第一辅助图案，将所述第一辅助图案拼接到所述第一弯折线段形成第五弯折线段；以及，通过对比调整前后的所述第二图案得到第二辅助图案，将所述第二辅助图案拼接到所述第三弯折线段形成第六弯折线段。
10.根据权利要求1或5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：对校正后的所述掩模图案进行规则检查。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述对校正后的所述掩模图案进行规则检查，包括：对校正后的所述掩模图案进行掩模规则检查或光刻规则检查。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述对校正后的所述掩模图案进行光刻规则检查之后，所述方法还包括：
响应于检测出图案热点的信号，对校正后的所述掩模图案进行二次校正。
13.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质中存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时，能够实现如上权利要求1至12中任意一项所述的掩模图案校正方法。
14.一种设备，其特征在于，所述设备包括存储器和处理器，所述存储器中存储有计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时能够实现如上权利要求1至12中任意一项所述的掩模图案校正方法。
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