CN113031360A - 一种阵列基板、阵列基板母版、显示面板和显示装置 - Google Patents

Abstract

一种阵列基板母版、阵列基板、显示面板和显示装置，所述阵列基板包括包括基底，依次设置在所述基底上的驱动结构层、绝缘层和段差改善层，所述基底包括显示区、围绕所述显示区的非显示区，以及，位于所述非显示区远离所述显示区一侧的切割保留区，所述绝缘层在所述基底上的正投影覆盖所述显示区、非显示区和切割保留区，所述段差改善层在所述基底上的正投影至少覆盖所述切割保留区。本实施例提供的方案，通过设置段差改善层，减少切割保留区的段差，提高阵列基板的平坦度，改善漏光。

Description

一种阵列基板、阵列基板母版、显示面板和显示装置

技术领域

本公开实施例涉及但不限于显示技术，尤指一种阵列基板、阵列基板母版、显示面板和显示装置。

背景技术

当前高级超维场转换(Advanced Super Dimension Switch，ADS)显示模式具有视角广、色偏小、透过率高很多优势，但同时机械抗压力弱，在受到外力的挤压作用时，容易产生暗态漏光现象，影响了客户的视觉效果。黑态漏光是影响液晶显示器模组黑态均匀性的主要因素，即在黑态(灰阶为零)的状态下，由于液晶显示器玻璃材料、液晶模式、模组机械结构等诸多因素造成的漏光现象。

发明内容

以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本公开实施例提供了一种阵列基板、阵列基板母版、显示面板和显示装置，改善漏光。

一方面，本公开实施例提供一种阵列基板，包括基底，依次设置在所述基底上的驱动结构层、绝缘层和段差改善层，所述基底包括显示区、围绕所述显示区的非显示区，以及，位于所述非显示区远离所述显示区一侧的切割保留区，所述绝缘层在所述基底上的正投影覆盖所述显示区、非显示区和切割保留区，所述段差改善层在所述基底上的正投影至少覆盖所述切割保留区。

在一示例性实施例中，所述段差改善层的正投影还覆盖所述非显示区，且位于所述切割保留区的段差改善层远离所述基底一侧的表面至所述基底的第一距离，与位于所述非显示区的段差改善层远离所述基底一侧表面至所述基底的第二距离相同；或者，所述第一距离与所述第二距离不同。

在一示例性实施例中，位于所述切割保留区的段差改善层远离所述基底一侧的表面至所述基底的距离，与位于所述非显示区的绝缘层远离所述基底一侧表面至所述基底的距离相同。

在一示例性实施例中，所述阵列基板还包括设置在所述绝缘层远离所述基底一侧的取向层，所述取向层在所述基底上的正投影覆盖所述显示区，所述段差改善层远离所述基底一侧的表面至所述基底的距离，与所述取向层远离所述基底一侧的表面至所述基底的距离相同。

在一示例性实施例中，所述取向层远离所述基底一侧表面为被摩擦处理过的表面，且所述段差改善层远离所述基底一侧的表面为未被摩擦处理过的表面。

在一示例性实施例中，所述段差改善层与所述取向层同层设置。

在一示例性实施例中，所述段差改善层在垂直于所述基底的方向的最大厚度为1.3微米至2微米。

在一示例性实施例中，所述段差改善层的材料包括有机材料。

又一方面，本公开实施例提供了一种阵列基板母版，包括基底，依次设置在所述基底上的驱动结构层、绝缘层和段差改善层，所述基底包括至少一个阵列基板区，以及，围绕所述阵列基板区的切割区，所述绝缘层在所述基底上的正投影覆盖所述阵列基板区和切割区，所述段差改善层在所述基底上的正投影至少覆盖所述切割区。

在一示例性实施例中，所述阵列基板区包括显示区和围绕所述显示区的非显示区，所述段差改善层的正投影还覆盖所述非显示区，且位于所述切割区的段差改善层远离所述基底一侧的表面至所述基底的第一距离，与位于所述非显示区的段差改善层远离所述基底一侧表面至所述基底的第二距离相同。

在一示例性实施例中，所述阵列基板母版还包括设置在所述绝缘层远离所述基底一侧的取向层，所述取向层在所述基底上的正投影覆盖所述显示区，所述段差改善层远离所述基底一侧的表面至所述基底的距离，与所述取向层远离所述基底一侧的表面至所述基底的距离相同。

在一示例性实施例中，所述取向层远离所述基底一侧表面为被摩擦处理过的表面，且所述段差改善层远离所述基底一侧的表面为未被摩擦处理过的表面。

在一示例性实施例中，所述段差改善层与所述取向层同层设置。

在一示例性实施例中，所述段差改善层在垂直于所述基底的方向的最大厚度为1.3微米至2微米。

在一示例性实施例中，所述段差改善层的材料包括有机材料。

再一方面，本公开实施例提供一种阵列基板，所述阵列基板使用上述阵列基板母版进行切割得到。

又一方面，本公开实施例提供一种显示面板，包括彩膜基板和上述阵列基板。

在一示例性实施例中，所述显示面板还包括：设置在所述彩膜基板和所述阵列基板之间的封框胶，所述封框胶中设置有填充物，所述填充物的大小根据所述显示面板的盒厚和所述段差改善层的厚度确定。

本公开实施例提供一种显示装置，包括上述显示面板。

本公开实施例包括一种阵列基板母版、阵列基板、显示面板和显示装置，所述阵列基板母版包括基底，依次设置在所述基底上的驱动结构层、绝缘层和段差改善层，所述基底包括至少一个阵列基板区，以及，围绕所述阵列基板区的切割区，所述绝缘层在所述基底上的正投影覆盖所述阵列基板区和切割区，所述段差改善层在所述基底上的正投影至少覆盖所述切割区。本实施例提供的方案，通过设置段差改善层，减少切割区的段差，提高阵列基板母版的平坦度，改善漏光。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。

附图说明

附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对技术方案的限制。

图1为一技术方案提供的阵列基板母版截面图；

图2为一示例性实施例提供的阵列基板母版平面示意图；

图3为一示例性实施例提供的阵列基板母版截面图；

图4为另一实施例提供的阵列基板母版截面图；

图5a为双层玻璃基板受压示意图；

图5b为双层玻璃基板漏光示意图；

图6a为一技术方案提供的阵列基板母版应力示意图；

图6b为一实施例提供的阵列基板母版应力示意图；

图7为本公开实施例提供的阵列基板示意图；

图8为另一实施例提供的阵列基板示意图；

图9为一示例性实施提供的显示面板母版示意图。

具体实施方式

下文中将结合附图对本公开实施例进行详细说明。在不冲突的情况下，本公开实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机***中执行。并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。

在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了各构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的实施方式并不一定限定于该尺寸，附图中各部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的实施方式不局限于附图所示的形状或数值。

本公开中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，并不表示任何顺序、数量或者重要性。

在本公开中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在公开中说明的词句，根据情况可以适当地更换。

在本公开中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。

在本公开中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。

漏光的产生一方面是由于液晶面板上下基板(玻璃)在受到外力作用时发生应力形变，产生相位延迟，上下基板受力方向相反，光轴方向垂直，产生漏光；另一方面，当面板受到外力作用下，ADS产品水平排列的液晶分子受到挤压，排列方向发生变化，发生扭转，光通过液晶分子时偏振方向发生变化，从而导致漏光的发生。大尺寸4K/8K产品，在生产过程中，由于面板(Panel)周边切割区(也称Dummy区)段差的存在，对盒厚会产生较大的应力，玻璃基板形变量大，制成面板后易产生漏光。本公开实施例中，提供一种阵列基板母版，在切割区设置段差改善层，改善切割区与其他区的段差，从而改善产品的漏光水平。

图1为一技术方案提供的阵列基板母版截面示意图。如图1所示，在垂直于所述基底10的方向上，所述阵列基板母版包括基底10、设置在基底10上的驱动结构层20，设置在驱动结构层20远离基底10一侧的第一绝缘层30，第一绝缘层30靠近基底10一侧还可设置第二绝缘层21。阵列基板母版的基底10包括阵列基板区200和围绕阵列基板区200的切割区300，阵列基板区200包括显示区201和非显示区202。本方案中，切割区300由于不存在金属走线，和周边区域存在较大的段差，造成周边支撑能力较差，如果是大尺寸产品，本身抗形变能力较差，容易造成漏光的产生。

图2为本公开实施例提供的阵列基板母版平面示意图。如图2所示，所述阵列基板母版100包括基底，所述基底包括阵列基板区200和围绕所述阵列基板区200的切割区300，所述阵列基板区包括显示区201和围绕所述显示区201的非显示区202，非显示区202也可以称为封框区(Sealing区)。对阵列基板母版100进行切割后，即可得到多个阵列基板(一个阵列基板区200对应一个阵列基板)。图2所示的阵列基板区200的数量仅为示例，阵列基板母版100可以包括更多阵列基板区200。

图3为本公开实施例提供的阵列基板母版截面示意图。如图3所示，本实施例提供的阵列基板母版100，包括基底10、设置在基底10上的驱动结构层20，设置在驱动结构层20远离所述基底10一侧的第一绝缘层30，设置在绝缘层30远离基底10一侧的段差改善层40。第一绝缘层30靠近所述基底一侧还可包括第二绝缘层21。基底10包括阵列基板区200和围绕阵列基板区200的切割区300，所述阵列基板区200包括显示区201和非显示区202，所述驱动结构层20在所述基底10上的正投影可以覆盖所述显示区201和非显示区202，所述第一绝缘层30在所述基底10上的正投影可以覆盖所述阵列基板区200和切割区300，所述段差改善层40在所述基底10上的正投影至少覆盖所述切割区300，即切割区300落入段差改善层40在所述基底10的正投影内，包括段差改善层40在所述基底10的正投影与切割区300重合的情况。本实施例提供的方案，通过在切割区300设置段差改善层，改善所述切割区300与周边区域的段差，增大了阵列基板母版的支撑面积和支撑强度，减小了阵列基板母版的应力，使得水平排列的液晶分子排列影响程度减弱，光通过液晶分子时偏振方向变化较小，从而可改善漏光问题，提高用户体验。

在一示例性实施例中，所述基底10可以是玻璃基底，但不限于此。

在一示例性实施例中，所述驱动结构层20可以包括薄膜晶体管、像素电极、公共电极、数据线和栅极线等，可以根据需要设置，本申请实施例对此不作限定。

在一示例性实施中，所述段差改善层40远离所述基底10一侧的表面的正投影可以覆盖所述切割区300，即段差改善层40对切割区300进行完全填充，减小切割区300与周边区域的段差，增加平坦度。

在一示例性实施例中，所述段差改善层40在垂直于所述基底10的方向的厚度可以为微米级。本实施例中，通过设置微米级别厚度的段差改善层，可以提高阵列基板母版的平坦度，减小受压时的内力，改善漏光。图3中所示段差改善层40远离所述基底10一侧的表面可以与非显示区202中的第一绝缘层30远离基底10一侧表面齐平。但本公开实施例不限于此，在垂直于所述基底10的方向上，所述段差改善层40远离基底10一侧的表面可以高于所述非显示区202的第一绝缘层30远离基底10一侧的表面，或者低于所述非显示区202的第一绝缘层30远离基底10一侧表面。

图4为另一实施例提供的阵列基板母版示意图。如图4所示，本实施例中，所述段差改善层40的正投影可以覆盖所述切割区300和所述非显示区202。比如，所述段差改善层40远离所述基底10一侧的表面的正投影可以覆盖所述切割区300和所述非显示区202，即段差段差层40对切割区300和非显示区202进行完全填充，提高切割区300和非显示区202的平坦度。本实施例提供的方案，可以改善非显示区202与显示区201之间的段差，以及，改善切割区300与非显示区202之间的段差，提高平坦度，改善漏光。在另一实施例中，所述段差改善层40的正投影可以覆盖所述切割区300和以及所述非显示区202的部分区域，比如，如图7所示，所述非显示区202可以包括靠近显示区201的虚拟像素区2021和远离显示区的封装区2022，所述段差改善层40的正投影可以覆盖所述切割区300和以及所述封装区2022。

在一示例性实施例中，位于所述切割区300的段差改善层40远离所述基底10一侧的表面至所述基底10的第一距离，与位于所述非显示区202的段差改善层40远离所述基底10一侧表面至所述基底10的第二距离可以相同。即段差改善层40远离基底10一侧的表面在非显示区202和切割区300齐平。但本公开实施例不限于此，段差改善层40远离基底10一侧的表面在非显示区202和切割区300可以不齐平。

在一示例性实施例中，所述阵列基板母版100还包括设置在所述第一绝缘层30远离所述基底10一侧的取向层50，所述取向层50在所述基底10上的正投影覆盖所述显示区201，所述段差改善层40远离所述基底10一侧的表面至所述基底10的距离，与所述取向层50远离所述基底一侧10的表面至所述基底10的距离相同。即段差改善层40远离基底10一侧的表面与取向层50远离基底10一侧的表面齐平。本实施例提供的方案，使得阵列基板母版平坦度大大提高，可以有效改善漏光。但本公开实施例不限于此，在垂直于所述基底10的方向上，段差改善层40远离基底10一侧的表面可以高于或者低于取向层50远离基底10一侧的表面。

在一示例性实施例中，所述取向层50远离所述基底一侧表面为被摩擦处理过的表面，且所述段差改善层40远离所述基底一侧的表面为未被摩擦处理过的表面。所述摩擦处理可以包括：使用摩擦布，按一定方向对取向层50进行定向摩擦，使得取向层50的表面状态发生有规律的变化，从而使液晶分子按一定方向排列。本公开实施例不限于此，所述段差改善层40远离所述基底一侧的表面可以为被摩擦处理过的表面。

在一示例性实施例中，所述段差改善层40在所述基底10上的正投影和取向层50在所述基底10上的正投影可以无交叠。

在一示例性实施例中，所述段差改善层40在垂直于基底10的方向上的最大厚度可以为1.3微米(μm)至2μm，比如，在切割区300的段差改善层40在垂直于基底10的方向上的厚度可以为1.3μm至2μm。所述厚度比如可以是1.5μm，1.75μm，2μm等等。

在一示例性实施例中，所述段差改善层40的材料可以是有机材料。比如，段差改善层40的材料可以是聚酰亚胺(Polyimide，简称PI)。

在一示例性实施例中，所述段差改善层40可以与所述取向层50同层设置，即通过一次制备工艺形成段差改善层40和取向层50。段差改善层40可以和取向层50使用相同的材料制备，比如都使用PI制备。

在一示例性实施例中，所述段差改善层40可以通过喷墨打印的方式制备。比如，可以在切割区300和非显示区202滴注PI液制备所述段差改善层40。段差改善层40的厚度较大时，可以通过多次喷墨打印的方式形成所述段差改善层40。

根据L0漏光产生理论-玻璃相位延迟理论，面板受到外界应力后发生形变，产生相位差(retardation)，且由于上下玻璃基板受力方向相反，光轴方向垂直，产生漏光。因此减小面板应力是改善L0漏光的一种有效方式。如图5a所示，面板受压后上下玻璃基板受到应力发生形变，导致上下玻璃基板产生相位差(retardation)值，且由于上下基板受力方向相反，光轴方向垂直，产生漏光。图5b为漏光(Light Leakage)光强随相位差变化的模拟曲线图，随相位差上升，漏光强度增大；比如，ADS显示模式，上下基板无形变无相位延迟的话，漏光光强为0.20尼特(nit)。在一实施例中，在切割区300和非显示区202设置段差改善层40，提高阵列基板母版平坦度，当阵列基板母版周边受压时，支撑面积增大，支撑强度增加，基底很难产生进一步形变，阵列基板母版内应力减弱，另外，水平排列的液晶分子排列影响程度减弱，光通过液晶分子时偏振方向变化较小，从而可改善漏光的发生。如图6a和图6b所示，阵列基板母版设置了段差改善层40后，受力后产生的应力(即图6b中曲线62所示应力)小于未设置段差改善层40时产生的应力(即图6a中曲线61所示应力)。

本公开实施例提供一种阵列基板，可以使用上述阵列基板母版进行切割得到。

如图7所示，本公开实施例提供的阵列基板包括：基底10，依次设置在所述基底10上的驱动结构层20、第一绝缘层30和段差改善层40，所述基底10包括显示区201、围绕所述显示区201的非显示区202，以及，位于所述非显示区202远离所述显示区一侧的切割保留区301，所述第一绝缘层30在所述基底上的正投影覆盖所述显示区201、非显示区202和切割保留区301，所述段差改善层40在所述基底上的正投影至少覆盖所述切割保留区301，即切割保留区301落入段差改善层40在所述基底10的正投影内。本实施例提供的方案，通过在切割保留区301设置段差改善层，改善所述切割保留区301与周边区域的段差，增大了阵列基板支撑面积和支撑强度，减小了阵列基板的应力，使得水平排列的液晶分子排列影响程度减弱，光通过液晶分子时偏振方向变化较小，从而可改善漏光问题，提高用户体验。

在一示例性实施例中，如图8所示，本实施例中，所述段差改善层40的正投影可以覆盖所述非显示区202和切割保留区301。比如，所述段差改善层40远离所述基底10一侧的表面的正投影可以覆盖所述切割区300和所述非显示区202，即段差段差层40对切割保留区301和非显示区202进行完全填充，提高切割保留区301和非显示区202的平坦度。本实施例提供的方案，可以改善非显示区202与显示区201之间的段差，以及，改善切割保留区301与非显示区202之间的段差，提高平坦度，改善漏光。

在一示例性实施例中，位于所述切割区301的段差改善层40远离所述基底10一侧的表面至所述基底10的距离，与位于所述非显示区202的段差改善层40远离所述基底10一侧表面至所述基底10的距离可以相同。即段差改善层40远离基底10一侧的表面在非显示区202和切割保留区300齐平。但本公开实施例不限于此，段差改善层40远离基底10一侧的表面在非显示区202和切割保留区301可以不齐平。

在一示例性实施例中，所述阵列基板还包括设置在所述第一绝缘层30远离所述基底10一侧的取向层50，所述取向层50在所述基底10上的正投影覆盖所述显示区201，所述段差改善层40远离所述基底10一侧的表面至所述基底10的距离，与所述取向层50远离所述基底一侧10的表面至所述基底10的距离相同。即段差改善层40远离基底10一侧的表面与取向层50远离基底10一侧的表面齐平。但本公开实施例不限于此，段差改善层40远离基底10一侧的表面与取向层50远离基底10一侧的表面可以不齐平。

切割保留区301可以为切割区300的一部分，因此，阵列基板中段差改善层40的特征可以参考前述阵列基板母版中段差改善层40的特征，不再赘述。

本实施例提供的阵列基板，由于设置有段差改善层，提高了平坦度，支撑面积增大，支撑强度增加，切割制备所述阵列基板时产生的应力更小，切割所得的阵列基板可以减少漏光。

在一示例性实施例中，所述段差改善层40未被摩擦，即使用摩擦布进行摩擦时，可以避开段差改善层40，以避免可能产生的不良。但本公开实施例不限于此，对取向层50摩擦时，可以对段差改善层40进行摩擦。

本公开实施例提供一种显示面板，包括彩膜基板和上述阵列基板。

在一示例性实施例中，所述显示面板还包括：设置在所述彩膜基板和所述阵列基板之间的封框胶，所述封框胶中设置有填充物，所述填充物的大小根据所述显示面板的盒厚和所述段差改善层的厚度确定。本实施例提供的显示面板，由于阵列基板中设置了段差改善层，则相对于未设置段差改善层的阵列基板，总盒厚不变时，封框胶的厚度减小，相应的减小填充物的尺寸，避免周边发黄。封框胶中填充物的尺寸会影响液晶盒周边盒厚，根据液晶的双折射效应，光的相位差＝双折射系数Δn*盒厚d，盒厚增加，相位差随之增加，会导致颜色的色温发生偏移，导致显示面板周边发黄的产生；减小填充物的尺寸可以保证总盒厚不变，避免周边发黄。所述填充物比如为硅球。

显示面板还可包括其他结构，比如，填充在彩膜基板和阵列基板之间的液晶层等，不再赘述。

图9为一示例性实施例提供的显示面板母版示意图。如图9所示，所述显示面板母版包括阵列基板母版100和彩膜基板母版400，所述阵列基板母版100包括阵列基板区200和切割区300；所述阵列基板区200包括显示区201和非显示区202，所述显示区201可以包括依次设置在基底10上的透明电极层11、栅电极层12、栅绝缘层13和第一绝缘层30，还可以包括设置在第一第一绝缘层30远离基底10一侧的取向层(图9中未示出)；所述非显示区202可以包括虚拟像素区2021和封装区2022，所述虚拟像素区2021可以包括依次设置在基底10上栅绝缘层13、有源层14、源漏电极层15、第一绝缘层30和段差改善层40；所述封装区2022可以包括依次设置在基底10上的栅电极层12、栅绝缘层13、第一绝缘层30和段差改善层40；所述切割区300可以包括依次设置在基底10上的栅绝缘层13、第一绝缘层30和段差改善层40。所述阵列基板母版100和所述彩膜基板400之间设置有封框胶70，所述封框胶70填充有填充物71，所述填充物71可以是硅球。封框胶70可以设置在封装区2022，还可以设置在切割区300。图7中所示的膜层仅为示意，显示面板母版中可以包括其他膜层。可以看到，未设置段差改善层40时，切割区300的膜层较少，与其他区域的段差较大，设置段差改善层40后，可以改善不同区域之间的段差，提高平坦度，减少漏光。

本公开实施例还提供了一种显示装置，包括前述实施例的显示面板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (13)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括基底，依次设置在所述基底上的驱动结构层、绝缘层和段差改善层，所述基底包括显示区、围绕所述显示区的非显示区，以及，位于所述非显示区远离所述显示区一侧的切割保留区，所述绝缘层在所述基底上的正投影覆盖所述显示区、非显示区和切割保留区，所述段差改善层在所述基底上的正投影至少覆盖所述切割保留区。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述段差改善层的正投影还覆盖所述非显示区，且位于所述切割保留区的段差改善层远离所述基底一侧的表面至所述基底的第一距离，与位于所述非显示区的段差改善层远离所述基底一侧表面至所述基底的第二距离相同；或者，所述第一距离与所述第二距离不同。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，位于所述切割保留区的段差改善层远离所述基底一侧的表面至所述基底的距离，与位于所述非显示区的绝缘层远离所述基底一侧表面至所述基底的距离相同。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括设置在所述绝缘层远离所述基底一侧的取向层，所述取向层在所述基底上的正投影覆盖所述显示区，所述段差改善层远离所述基底一侧的表面至所述基底的距离，与所述取向层远离所述基底一侧的表面至所述基底的距离相同。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述取向层远离所述基底一侧表面为被摩擦处理过的表面，且所述段差改善层远离所述基底一侧的表面为未被摩擦处理过的表面。

6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述段差改善层与所述取向层同层设置。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述段差改善层在垂直于所述基底的方向的最大厚度为1.3微米至2微米。

8.根据权利要求1至7任一所述的阵列基板，其特征在于，所述段差改善层的材料包括有机材料。

9.一种阵列基板母版，其特征在于，包括基底，依次设置在所述基底上的驱动结构层、绝缘层和段差改善层，所述基底包括至少一个阵列基板区，以及，围绕所述阵列基板区的切割区，所述绝缘层在所述基底上的正投影覆盖所述阵列基板区和切割区，所述段差改善层在所述基底上的正投影至少覆盖所述切割区。

10.根据权利要求9所述的阵列基板母版，其特征在于，所述阵列基板区包括显示区和围绕所述显示区的非显示区，所述段差改善层的正投影还覆盖所述非显示区，且位于所述切割区的段差改善层远离所述基底一侧的表面至所述基底的第一距离，与位于所述非显示区的段差改善层远离所述基底一侧表面至所述基底的第二距离相同。

11.一种显示面板，其特征在于，包括彩膜基板和如权利要求1至8任一所述的阵列基板。

12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，还包括：设置在所述彩膜基板和所述阵列基板之间的封框胶，所述封框胶中设置有填充物，所述填充物的大小根据所述显示面板的盒厚和所述段差改善层的厚度确定。

13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求11或12所述的显示面板。

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