CN113009789A - 潜在热点图形区域确定方法及光刻热点图形获取方法 - Google Patents
潜在热点图形区域确定方法及光刻热点图形获取方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113009789A CN113009789A CN202110244338.1A CN202110244338A CN113009789A CN 113009789 A CN113009789 A CN 113009789A CN 202110244338 A CN202110244338 A CN 202110244338A CN 113009789 A CN113009789 A CN 113009789A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- region
- hot spot
- pattern
- acquiring
- graph
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 64
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 238000004088 simulation Methods 0.000 claims abstract description 35
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000013461 design Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 75
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 42
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 13
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 claims description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 6
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 abstract description 11
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 10
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000012821 model calculation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
本发明公开了一种潜在热点图形区域确定方法及光刻热点图形获取方法，所述潜在热点图形区域确定方法包括：获取电路版图上的图形区域，对所述图形区域进行遍历并获取截断点；确定各相邻所述截断点的中心点为图形切割中心点；基于各所述图形切割中心获取潜在热点图形区域，其中，各所述潜在热点图形区域为以各所述图形切割中心点为中心，并以第一预设扩展距离形成的正方形区域，所述第一预设扩展距离为所述第一正方形区域的对角线长度的一半。可选出少量的潜在热点图形区域，并且可以提供足够的图形类别覆盖率，相较于普通模式和点聚类法两种方案，降低光刻友好设计的仿真面积和运算时间，提升LFD仿真加速效率，同时提高了光刻友好设计的精确度。
Description
技术领域
本发明涉及半导体芯片设计领域，尤其涉及一种潜在热点图形区域确定方法及光刻热点图形获取方法。
背景技术
摩尔定律的发展速率随着节点的演进逐渐放缓，但制造难度和成本却持续攀升。随着制造芯片愈加复杂化，在投片前的仿真验证变得尤为重要，完善的仿真验证可极大程度避免后续流片的返工。流片前的检查包括设计规则检查(design rule check，DRC)，但通常仅仅依靠设计规则检查是无法保证芯片的可靠良率，则需大量的基于光刻物理模型的仿真计算。光刻工艺的模型计算主要依赖于光刻友好设计(lithography friendly design，LFD)，LFD包含代工厂的光刻版图拆分方案、光刻临近效应矫正方案及光刻制造检查规则验证等重要模块。仿真前的光刻工艺的仿真验证在先进节点极度耗时，对先进接待你的超大规模集成电路设计必须进行有效加速，以提升流片钱的工艺仿真验证迭代速度。
对于大规模芯片，并非每个区域均为制造的难点和热点，对每个区域使用LFD验证的仿真计算较为耗时，并且很大概率检测不出光刻工艺热点。可根据工艺技术，使用一定的算法来选择最容易出问题的区域进行仿真，从而发现可能的工艺热点区域。
传统LFD加速算法分为两种，第一种是普通LFD加速算法，第二种是潜在热点区域点聚类法。普通模式LFD加速算法在筛选中会忽略一些其他重要的热点图形，导致LFD仿真结果精确度不够；潜在热点区域点聚类法由于标记的潜在热点数量过多，即使经过聚类后，剩下的热点数量仍然较大，造成仿真面积过大，LFD加速效率不理想。
发明内容
基于此，为了解决LFD仿真结果不够精确、仿真加速效率不理想的问题，提供一种潜在热点图形区域确定方法及光刻热点图形获取方法。
为解决上述技术问题，本申请的第一方面提出一种潜在热点图形区域确定方法，包括：
获取电路版图上的图形区域，对所述图形区域进行遍历并获取截断点；
确定各相邻所述截断点的中心点为图形切割中心点；
基于各所述图形切割中心获取潜在热点图形区域，其中，各所述潜在热点图形区域为以各所述图形切割中心点为中心，并以第一预设扩展距离形成的第一正方形区域，所述第一预设扩展距离为所述第一正方形区域的对角线长度的一半。
于上述实施例中提供的潜在热点图形区域确定方法中，获取电路版图上的图形区域，对所述图形区域进行遍历并获取截断点；确定各相邻所述截断点的中心点为图形切割中心点；基于各所述图形切割中心获取潜在热点图形区域，其中，各所述潜在热点图形区域为以各所述图形切割中心点为中心，并以第一预设扩展距离形成的正方形区域，所述第一预设扩展距离为所述第一正方形区域的对角线长度的一半。可选出少量的潜在热点图形区域，并且可以提供足够的图形类别覆盖率，以便于后续获取精准且全面的光刻热点和光刻热点图形，相较于普通模式和点聚类法两种方案，不仅降低光刻友好设计的仿真面积，从而降低运算时间，提升光刻友好设计仿真加速效率，同时提高了光刻友好设计仿真的精确度。
在其中一个实施例中，所述图形区域包括金属线，各所述金属线为相互平行的直线。
在其中一个实施例中，所述对所述图形区域进行遍历并获取截断点，包括：
确定所述图形区域内的任意一条金属线为第一金属线；
获取所述截断点的第一起始位置，所述第一起始位置为所述第一金属线与所述图形区域相交的位置；
获取位于所述第一金属线上的第一标识线，所述第一标识线为以所述第一起始位置为起始点，并以第一预设步长等间距形成的标记线；
获取第二金属线，所述第二金属线与所述第一金属线的距离小于预设阈值距离；
获取位于所述第一金属线上的第二标识线，所述第二标识线为所述第二金属线的尾端在所述第一金属线上的正投影线。
在其中一个实施例中，所述对所述图形区域进行遍历并获取截断点，还包括：
获取截断点区域，所述截断点区域为所述图形区域内除却所述金属线形成的多边形区域；
获取所述截断点的第二起始位置，所述第二起始位置为所述截断点区域与所述图形区域相交的位置；
获取位于所述截断点区域内的第三标识线，所述第三标识线为以所述第二起始位置为起点，沿所述金属线以第二预设步长等间距形成的标记线；
获取位于所述截断点区域内的矩形区域，所述矩形区域的任一条边长的长度大于所述第二预设步长，其中，所述矩形区域的中心点为所述图形切割中心点。
本申请的第二方面提出一种光刻热点图形获取方法，包括：
基于如上述的潜在热点图形区域的确定方法获取所述潜在热点图形区域；
对各所述潜在热点图形区域内的图形进行预处理，以获取各所述潜在热点图形区域内的图形对应的唯一图样；
根据各所述潜在热点图形区域内的图形对应的唯一图样确定光刻热点；
基于各所述光刻热点确定光刻热点图形。
在其中一个实施例中，所述预处理包括对各所述潜在热点图形区域内的图形依次进行比对及去重。
在其中一个实施例中，所述根据各所述潜在热点图形区域内的图形对应的唯一图样确定光刻热点，包括：
获取各所述唯一图样对应的仿真区域，所述仿真区域为以各所述唯一图样为中心，并以第二预设扩展距离形成的第二正方形区域，所述第二预设扩展距离为所述第二正方形区域的对角线长度的一半；
判断所述仿真区域对应的唯一图样是否为光刻热点。
在其中一个实施例中，所述根据各所述潜在热点图形区域内的图形对应的唯一图样确定光刻热点，还包括：
基于各所述唯一图样，利用光刻友好设计仿真和光学规则检查确定所述光刻热点。
在其中一个实施例中，所述基于各所述光刻热点确定光刻热点图形，包括：
获取电路版图上的光刻热点区域，所述光刻热点区域为以各所述光刻热点为中心，并以第三预设扩展距离形成的第三正方形区域，所述第三预设扩展距离为所述第三正方形区域的对角线长度的一半；
获取各所述光刻热点区域内图形的形状信息，将电路板图上与各所述光刻热点区域内图形的形状信息对应的图形确定为所述光刻热点图形。
本申请的第三方面提出一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述的方法的步骤。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他实施例的附图。
图1为本申请一实施例中提供的潜在热点图形区域确定方法的流程示意图；
图2为本申请一实施例中提供的潜在热点图形区域确定方法中获取截断点的流程示意图；
图3为本申请一实施例中提供的潜在热点图形区域确定方法中获取第一标识线的局部电路版图俯视示意图；
图4为本申请一实施例中提供的潜在热点图形区域确定方法中获取第二标识线的局部电路版图俯视示意图；
图5为本申请一实施例中提供的潜在热点图形区域确定方法中获取潜在热点图形区域的局部电路版图俯视示意图；
图6为本申请另一实施例中提供的潜在热点图形区域确定方法中获取截断点的流程示意图；
图7为本申请一实施例中提供的潜在热点图形区域确定方法中获取截断点区域的局部电路版俯视图示意图；
图8为本申请一实施例中提供的潜在热点图形区域确定方法中获取截断点区域内的第三标识线的局部电路版俯视图示意图；
图9为本申请另一实施例中提供的潜在热点图形区域确定方法中获取潜在热点图形区域的局部电路版图俯视示意图；
图10为本申请一实施例中提供的光刻热点图形获取方法的流程示意图。
附图标记说明：100-图形区域，10-第一金属线，20-第二金属线，11-第一起始位置，12-第一标识线，13-第二标识线，14-图形切割中心点，30-截断点区域，31-第二起始位置，32-第三标识线，33-矩形区域，40-潜在热点图形区域。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
在使用本文中描述的“包括”、“具有”、和“包含”的情况下，除非使用了明确的限定用语，例如“仅”、“由……组成”等，否则还可以添加另一部件。除非相反地提及，否则单数形式的术语可以包括复数形式，并不能理解为其数量为一个。
应当理解，尽管本文可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件和另一个元件区分开。例如，在不脱离本申请的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”等术语应做广义理解，例如，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
为了说明本申请上述的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明。
普通LFD加速算法对电路版图中的每个金属线尾端进行寻找和标记，作为潜在热点，以潜在热点为中心，以预设半径进行正方形图形区域切割；接着，对切割后的图形进行比对和去重，每个相同的图形在电路版图上只留下唯一图样，对唯一图样的代表区域进行光刻友好设计仿真。普通LFD加速算法仅仅对金属线段尾端进行标记，会忽略其他重要的热点图形，LFD仿真结果精确度不能满足客户需求。而潜在热点区域点聚类法对电路版图上的金属线段尾端中间为位置、金属线段和金属线段之间、金属线段尾端在相邻金属线的投影点以及上下层通孔均进行标记，但由于选取的潜在热点数量过多且密集，通过聚类方式在设定的区域内，将多个潜在热点标记聚类为一个，以降低潜在热点数量，得到少量代表点。但潜在热点区域点聚类法经过聚类后，降低潜在热点数量，最终保留下的潜在热点数量依然过多，LFD仿真速率不理想。
本申请中针对晶圆流片前，后段金属线的光刻友好设计加速算法，所选仿真区域内的后段金属线为相互平行的直线。
在本申请的一个实施例中提供的一种潜在热点图形区域确定方法中，如图1所示，包括如下步骤：
步骤S10：获取电路版图上的图形区域100，对所述图形区域100进行遍历并获取截断点；
步骤S20：确定各相邻所述截断点的中心点为图形切割中心点14；
步骤S30：基于各所述图形切割中心14获取潜在热点图形区域40，其中，各所述潜在热点图形区域40为以各所述图形切割中心点14为中心，并以第一预设扩展距离R1形成的正方形区域，所述第一预设扩展距离为所述第一正方形区域的对角线长度的一半，如图5和9所示。
于上述实施例中提供的潜在热点图形区域确定方法中，获取电路版图上的图形区域，对所述图形区域进行遍历并获取截断点；确定各相邻所述截断点的中心点为图形切割中心点；基于各所述图形切割中心获取潜在热点图形区域，其中，各所述潜在热点图形区域为以各所述图形切割中心点为中心，并以第一预设扩展距离形成的正方形区域，所述第一预设扩展距离为所述第一正方形区域的对角线长度的一半。可选出少量的潜在热点图形区域，并且可以提供足够的图形类别覆盖率，以便于后续获取精准且全面的光刻热点和光刻热点图形，相较于普通模式和点聚类法两种方案，不仅降低光刻友好设计的仿真面积，从而降低运算时间，提升光刻友好设计仿真加速效率，同时提高了光刻友好设计仿真的精确度。
在一个实施例中，图形区域100包括金属线，各所述金属线为相互平行的直线，其中，各金属线不存在拐角。
在一个实施例中，方案一：如图2所示，步骤S10中对所述图形区域进行遍历并获取截断点，包括如下步骤：
步骤S11a：确定所述图形区域内的任意一条金属线为第一金属线10；
作为示例，请参考图3，第一金属线还可以为另外两条较短的金属线段，并不对此限定。
步骤S12a：获取所述截断点的第一起始位置11，所述第一起始位置11为所述第一金属线10与所述图形区域相交的位置，如图3所示；
作为示例，第一起始位置即为图3中第一金属线的左侧边缘位置，第一起始位置还可以为第一金属线的右侧边缘位置。
步骤S13a：获取位于所述第一金属线10上的第一标识线12，所述第一标识线12为以所述第一起始位置11为起始点，并以第一预设步长等间距形成的标记线；
作为示例，第一预设步长S1在本申请并不做限定，第一预设步长S1可根据电路版图的大小变化做出准确调节。第一预设步长S1的范围为50nm-500nm，具体地，第一预设步长S1为50nm、60nm、100nm、200nm、300nm、400nm或500nm等等。第一标识线垂直于第一金属线的延伸方向。
步骤S14a：获取第二金属线20，所述第二金属线20与所述第一金属线10的距离小于预设阈值距离L1；
具体地，以第一金属线为中心，位于预设阈值距离L1范围内的金属线即第二金属线。
步骤S15a：获取位于所述第一金属线10上的第二标识线13，所述第二标识线13为所述第二金属线20的尾端在所述第一金属线10上的正投影线，如图4所示。
在另一个实施例中，方案二：如图6所示，步骤S10中对所述图形区域进行遍历并获取截断点，还包括如下步骤：
步骤S11b：获取截断点区域30，所述截断点区域为所述图形区域100内除却所述金属线形成的多边形区域，如图7所示；
具体地，图形区域100为所述截断点区域覆盖电路版图的区域与所述金属线覆盖电路版图的区域之和。
步骤S12b：获取所述截断点的第二起始位置31，所述第二起始位置31为所述截断点区域30与所述图形区域100相交的位置；
步骤S13b：获取位于所述截断点区域30内的第三标识线32，所述第三标识线32为以所述第二起始位置31为起点，沿所述金属线以第二预设步长S2等间距形成的标记线，如图8所示；
步骤S14b：获取位于所述截断点区域30内的矩形区域33，所述矩形区域33的任一条边长的长度大于所述第二预设步长S2，其中，所述矩形区域33的中心点为所述图形切割中心点14，如图9所示。
作为示例，第一预设步长S1和第二预设步长S2的长度可以相同，也可以不同，本申请不对此限定。
在一个实施例中，获取图形切割中心点的方案还可以将方案一和方案二分别获取截断点，再根据相邻截断点分别确定的图形切割中心点，得到两种方法的多个图形切割中心点，依据多个图形切割中心点以第一预设扩展距离L1形成多个潜在热点图形区域。
于上述实施例获取截断点的两个方案中，相较于普通LFD加速算法和潜在热点区域点聚类法获取截断点的方法，可减少截断点数量，降低后续LFD算法的仿真运行时间，提升LFD标记精度。基于此种获取截断点，后续得到的潜在热点图形区域内的图形经过比对和去重处理后，选取出少量且全面的光刻热点图形，提高LFD算法的加速效率。
在本申请的一个实施例中提供的一种光刻热点图形获取方法中，如图10所示，包括如下步骤：
步骤S40：基于如上述的潜在热点图形区域的确定方法获取所述潜在热点图形区域；
步骤S50：对各所述潜在热点图形区域内的图形进行预处理，以获取各所述潜在热点图形区域内的图形对应的唯一图样；
具体地，所述预处理包括对各所述潜在热点图形区域内的图形依次进行比对及去重，以使每一种图形在电路版图上只留下唯一图样。
步骤S60：根据各所述潜在热点图形区域内的图形对应的唯一图样确定光刻热点；
步骤S70：基于各所述光刻热点确定光刻热点图形。
在一个实施例中，步骤S60：根据各所述潜在热点图形区域内的图形对应的唯一图样确定光刻热点，还包括如下步骤：
步骤S61：获取各所述唯一图样对应的仿真区域，所述仿真区域为以各所述唯一图样为中心，并以第二预设扩展距离形成的第二正方形区域，所述第二预设扩展距离为所述第二正方形区域的对角线长度的一半；
具体地，第二预设扩展距离的范围为0.75um-1.5um，具体地，第二预设扩展距离为0.75um、0.8um、0.9um、1.0um或1.5um等等。
步骤S62：判断所述仿真区域对应的唯一图样是否为光刻热点。
在一个实施例中，步骤S60：根据各所述潜在热点图形区域内的图形对应的唯一图样确定光刻热点，还包括：
步骤S63：基于各所述唯一图样，利用光刻友好设计仿真和光学规则检查确定所述光刻热点。
作为示例，通过采用光刻友好设计仿真和光学规则检查唯一图样，若检查出各唯一图样对应的图形具有光刻工艺风险，则判定该唯一图样对应的图形为光刻热点。具体地，光刻热点为造成晶圆上电路开路的端点。
在一个实施例中，步骤S70：所述基于各所述光刻热点确定光刻热点图形，包括：
步骤S71：获取电路版图上的光刻热点区域，所述光刻热点区域为以各所述光刻热点为中心，并以第三预设扩展距离形成的第三正方形区域，所述第三预设扩展距离为所述第三正方形区域的对角线长度的一半；
步骤S72：获取各所述光刻热点区域内图形的形状信息，将电路板图上与各所述光刻热点区域内图形的形状信息对应的图形确定为所述光刻热点图形。
作为示例，第一预设扩展距离小于第二预设扩展距离，第二预设扩展距离小于第三预设扩展距离。
在一个实施例中，本申请提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
获取电路版图上的图形区域，对所述图形区域进行遍历并获取截断点；
确定各相邻所述截断点的中心点为图形切割中心点；
基于各所述图形切割中心获取潜在热点图形区域，其中，各所述潜在热点图形区域为以各所述图形切割中心点为中心，并以第一预设扩展距离形成的第一正方形区域，所述第一预设扩展距离为所述第一正方形区域的对角线长度的一半。
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
所述图形区域包括金属线，各所述金属线为相互平行的直线。
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
确定所述图形区域内的任意一条金属线为第一金属线；
获取所述截断点的第一起始位置，所述第一起始位置为所述第一金属线与所述图形区域相交的位置；
获取位于所述第一金属线上的第一标识线，所述第一标识线为以所述第一起始位置为起始点，并以第一预设步长等间距形成的标记线；
获取第二金属线，所述第二金属线与所述第一金属线的距离小于预设阈值距离；
获取位于所述第一金属线上的第二标识线，所述第二标识线为所述第二金属线的尾端在所述第一金属线上的正投影线。
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
获取截断点区域，所述截断点区域为所述图形区域内除却所述金属线形成的多边形区域；
获取所述截断点的第二起始位置，所述第二起始位置为所述截断点区域与所述图形区域相交的位置；
获取位于所述截断点区域内的第三标识线，所述第三标识线为以所述第二起始位置为起点，沿所述金属线以第二预设步长等间距形成的标记线；
获取位于所述截断点区域内的矩形区域，所述矩形区域的任一条边长的长度大于所述第二预设步长，其中，所述矩形区域的中心点为所述图形切割中心点。
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
基于如上述的潜在热点图形区域的确定方法获取所述潜在热点图形区域；
对各所述潜在热点图形区域内的图形进行预处理，以获取各所述潜在热点图形区域内的图形对应的唯一图样；
根据各所述潜在热点图形区域内的图形对应的唯一图样确定光刻热点；
基于各所述光刻热点确定光刻热点图形。
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
所述预处理包括对各所述潜在热点图形区域内的图形依次进行比对及去重。
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
获取各所述唯一图样对应的仿真区域，所述仿真区域为以各所述唯一图样为中心，并以第二预设扩展距离形成的第二正方形区域，所述第二预设扩展距离为所述第二正方形区域的对角线长度的一半；
判断所述仿真区域对应的唯一图样是否为光刻热点。
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
基于各所述唯一图样，利用光刻友好设计仿真和光学规则检查确定所述光刻热点。
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
获取电路版图上的光刻热点区域，所述光刻热点区域为以各所述光刻热点为中心，并以第三预设扩展距离形成的第三正方形区域，所述第三预设扩展距离为所述第三正方形区域的对角线长度的一半；
获取各所述光刻热点区域内图形的形状信息，将电路板图上与各所述光刻热点区域内图形的形状信息对应的图形确定为所述光刻热点图形。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、磁带、软盘、闪存或光存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)或外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，RAM可以是多种形式，比如静态随机存取存储器(Static Random Access Memory，SRAM)或动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)等。
应该理解的是，除非本文中有明确的说明，所述的步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，所述的步骤的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些子步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
请注意，上述实施例仅出于说明性目的而不意味对本发明的限制。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种潜在热点图形区域确定方法，其特征在于，包括：
获取电路版图上的图形区域，对所述图形区域进行遍历并获取截断点；
确定各相邻所述截断点的中心点为图形切割中心点；
基于各所述图形切割中心获取潜在热点图形区域，其中，各所述潜在热点图形区域为以各所述图形切割中心点为中心，并以第一预设扩展距离形成的第一正方形区域，所述第一预设扩展距离为所述第一正方形区域的对角线长度的一半。
2.根据权利要求1所述的潜在热点图形区域确定方法，其特征在于，所述图形区域包括金属线，各所述金属线为相互平行的直线。
3.根据权利要求2所述的潜在热点图形区域确定方法，其特征在于，所述对所述图形区域进行遍历并获取截断点，包括：
确定所述图形区域内的任意一条金属线为第一金属线；
获取所述截断点的第一起始位置，所述第一起始位置为所述第一金属线与所述图形区域相交的位置；
获取位于所述第一金属线上的第一标识线，所述第一标识线为以所述第一起始位置为起始点，并以第一预设步长等间距形成的标记线；
获取第二金属线，所述第二金属线与所述第一金属线的距离小于预设阈值距离；
获取位于所述第一金属线上的第二标识线，所述第二标识线为所述第二金属线的尾端在所述第一金属线上的正投影线。
4.根据权利要求2所述的潜在热点图形区域确定方法，其特征在于，所述对所述图形区域进行遍历并获取截断点，还包括：
获取截断点区域，所述截断点区域为所述图形区域内除却所述金属线形成的多边形区域；
获取所述截断点的第二起始位置，所述第二起始位置为所述截断点区域与所述图形区域相交的位置；
获取位于所述截断点区域内的第三标识线，所述第三标识线为以所述第二起始位置为起点，沿所述金属线以第二预设步长等间距形成的标记线；
获取位于所述截断点区域内的矩形区域，所述矩形区域的任一条边长的长度大于所述第二预设步长，其中，所述矩形区域的中心点为所述图形切割中心点。
5.一种光刻热点图形获取方法，其特征在于，包括：
基于如权利要求1～4任一项所述的潜在热点图形区域的确定方法获取所述潜在热点图形区域；
对各所述潜在热点图形区域内的图形进行预处理，以获取各所述潜在热点图形区域内的图形对应的唯一图样；
根据各所述潜在热点图形区域内的图形对应的唯一图样确定光刻热点；
基于各所述光刻热点确定光刻热点图形。
6.根据权利要求5所述的光刻热点图形获取方法，其特征在于，所述预处理包括对各所述潜在热点图形区域内的图形依次进行比对及去重。
7.根据权利要求5所述的光刻热点图形获取方法，其特征在于，所述根据各所述潜在热点图形区域内的图形对应的唯一图样确定光刻热点，包括：
获取各所述唯一图样对应的仿真区域，所述仿真区域为以各所述唯一图样为中心，并以第二预设扩展距离形成的第二正方形区域，所述第二预设扩展距离为所述第二正方形区域的对角线长度的一半；
判断所述仿真区域对应的唯一图样是否为光刻热点。
8.根据权利要求5所述的光刻热点图形获取方法，其特征在于，所述根据各所述潜在热点图形区域内的图形对应的唯一图样确定光刻热点，还包括：
基于各所述唯一图样，利用光刻友好设计仿真和光学规则检查确定所述光刻热点。
9.根据权利要求5所述的光刻热点图形获取方法，其特征在于，所述基于各所述光刻热点确定光刻热点图形，包括：
获取电路版图上的光刻热点区域，所述光刻热点区域为以各所述光刻热点为中心，并以第三预设扩展距离形成的第三正方形区域，所述第三预设扩展距离为所述第三正方形区域的对角线长度的一半；
获取各所述光刻热点区域内图形的形状信息，将电路板图上与各所述光刻热点区域内图形的形状信息对应的图形确定为所述光刻热点图形。
10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至9中任一项所述的方法的步骤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110244338.1A CN113009789A (zh) | 2021-03-05 | 2021-03-05 | 潜在热点图形区域确定方法及光刻热点图形获取方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110244338.1A CN113009789A (zh) | 2021-03-05 | 2021-03-05 | 潜在热点图形区域确定方法及光刻热点图形获取方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113009789A true CN113009789A (zh) | 2021-06-22 |
Family
ID=76406532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110244338.1A Pending CN113009789A (zh) | 2021-03-05 | 2021-03-05 | 潜在热点图形区域确定方法及光刻热点图形获取方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113009789A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113759659A (zh) * | 2021-09-08 | 2021-12-07 | 广东省大湾区集成电路与***应用研究院 | 光源掩模优化方法及光刻仿真装置 |
| CN114089607A (zh) * | 2021-11-29 | 2022-02-25 | 上海华力微电子有限公司 | 一种深度加速集成电路版图光刻工艺热点检查的方法 |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110096309A1 (en) * | 2009-10-28 | 2011-04-28 | Imec | Method and System for Wafer Inspection |
| CN103645611A (zh) * | 2013-11-29 | 2014-03-19 | 上海华力微电子有限公司 | 一种版图设计光刻工艺友善性检测方法 |
| CN103885285A (zh) * | 2014-03-20 | 2014-06-25 | 上海华力微电子有限公司 | 一种针对光刻版图接触孔热点的检查方法 |
| CN104460226A (zh) * | 2014-11-28 | 2015-03-25 | 上海华力微电子有限公司 | 一种光刻工艺热点的自动修复方法 |
| US20150168851A1 (en) * | 2013-12-18 | 2015-06-18 | Spansion, Llc | Increasing lithographic depth of focus window using wafer topography |
| CN105405783A (zh) * | 2015-10-28 | 2016-03-16 | 上海华力微电子有限公司 | 一种针对多晶硅层光刻版图的工艺热点检查方法 |
| CN105425532A (zh) * | 2015-11-20 | 2016-03-23 | 中国科学院微电子研究所 | 光源掩模协同优化方法 |
| CN108009316A (zh) * | 2017-11-09 | 2018-05-08 | 上海华力微电子有限公司 | Opc修正方法 |
| CN108873604A (zh) * | 2018-07-20 | 2018-11-23 | 上海华力微电子有限公司 | 一种光刻工艺热点的检查方法 |
| EP3454128A1 (en) * | 2017-09-12 | 2019-03-13 | IMEC vzw | A method and system for detecting defects of a lithographic pattern |
| CN112230509A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-01-15 | 上海华力微电子有限公司 | 光刻工艺热点的光学邻近修正的方法 |
-
2021
- 2021-03-05 CN CN202110244338.1A patent/CN113009789A/zh active Pending
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110096309A1 (en) * | 2009-10-28 | 2011-04-28 | Imec | Method and System for Wafer Inspection |
| CN103645611A (zh) * | 2013-11-29 | 2014-03-19 | 上海华力微电子有限公司 | 一种版图设计光刻工艺友善性检测方法 |
| US20150168851A1 (en) * | 2013-12-18 | 2015-06-18 | Spansion, Llc | Increasing lithographic depth of focus window using wafer topography |
| CN103885285A (zh) * | 2014-03-20 | 2014-06-25 | 上海华力微电子有限公司 | 一种针对光刻版图接触孔热点的检查方法 |
| CN104460226A (zh) * | 2014-11-28 | 2015-03-25 | 上海华力微电子有限公司 | 一种光刻工艺热点的自动修复方法 |
| CN105405783A (zh) * | 2015-10-28 | 2016-03-16 | 上海华力微电子有限公司 | 一种针对多晶硅层光刻版图的工艺热点检查方法 |
| CN105425532A (zh) * | 2015-11-20 | 2016-03-23 | 中国科学院微电子研究所 | 光源掩模协同优化方法 |
| EP3454128A1 (en) * | 2017-09-12 | 2019-03-13 | IMEC vzw | A method and system for detecting defects of a lithographic pattern |
| CN108009316A (zh) * | 2017-11-09 | 2018-05-08 | 上海华力微电子有限公司 | Opc修正方法 |
| CN108873604A (zh) * | 2018-07-20 | 2018-11-23 | 上海华力微电子有限公司 | 一种光刻工艺热点的检查方法 |
| CN112230509A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-01-15 | 上海华力微电子有限公司 | 光刻工艺热点的光学邻近修正的方法 |
Non-Patent Citations (4)
| Title |
|---|
| 曹葵康;沈海斌;杨巍;: "基于支持向量机及遗传算法的光刻热点检测", 浙江大学学报(理学版), no. 01, 15 January 2011 (2011-01-15) * |
| 王英菲;张青淳;苏晓菁;董立松;陈睿;张利斌;盖天洋;粟雅娟;韦亚一;叶甜春;: "先进工艺下的版图邻近效应研究进展", 微电子学, no. 05, 31 December 2020 (2020-12-31) * |
| 陈宝钦;: "电子束光刻技术与图形数据处理技术", 微纳电子技术, no. 06, 15 June 2011 (2011-06-15) * |
| 陈文辉;何建芳;董立松;韦亚一;: "光源掩模协同优化的原理与应用", 半导体技术, no. 09, 3 September 2017 (2017-09-03) * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113759659A (zh) * | 2021-09-08 | 2021-12-07 | 广东省大湾区集成电路与***应用研究院 | 光源掩模优化方法及光刻仿真装置 |
| CN114089607A (zh) * | 2021-11-29 | 2022-02-25 | 上海华力微电子有限公司 | 一种深度加速集成电路版图光刻工艺热点检查的方法 |
| CN114089607B (zh) * | 2021-11-29 | 2023-10-10 | 上海华力微电子有限公司 | 一种深度加速集成电路版图光刻工艺热点检查的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN113009789A (zh) | 潜在热点图形区域确定方法及光刻热点图形获取方法 | |
| CN109360185B (zh) | 一种版图测试图形提取方法、装置、设备及介质 | |
| US7516433B1 (en) | Non-orthogonal structures and space tiles for layout, placement, and routing of an integrated circuit | |
| US20130305204A1 (en) | Hierarchical feature extraction for electrical interaction calculations | |
| US20130152032A1 (en) | Method for inspecting a chip layout | |
| CN110347994B (zh) | 一种表格处理方法和装置 | |
| US11301982B2 (en) | Image morphing to meet desired constraints in geometric patterns | |
| JP4580006B2 (ja) | 半導体集積回路のマスクレイアウト設計データの検証方法 | |
| US10885261B2 (en) | Systems and methods of fabricating semiconductor devices | |
| US20060253817A1 (en) | Checks for signal lines | |
| CN103226624A (zh) | 半导体器件特征密度梯度检验 | |
| US9286432B1 (en) | Methods, systems, and articles of manufacture for implementing correct-by-construction physical designs with multiple-patterning-awareness | |
| US7793238B1 (en) | Method and apparatus for improving a circuit layout using a hierarchical layout description | |
| CN105405783A (zh) | 一种针对多晶硅层光刻版图的工艺热点检查方法 | |
| CN114764852A (zh) | 一种识别栅极上连续排列的m0图形集群的方法 | |
| US6516433B1 (en) | Method for finding the root cause of the failure of a faulty chip | |
| CN105892223B (zh) | 一种优化opc验证的方法 | |
| CN115587569A (zh) | 芯片版图的设计规则检查方法、***及存储介质 | |
| US8375342B1 (en) | Method and mechanism for implementing extraction for an integrated circuit design | |
| CN114692560A (zh) | 一种z型走线图形及集群的识别方法 | |
| CN114004189A (zh) | 静态随机存储器版图的验证方法 | |
| CN111948900B (zh) | 版图的特征图形的识别方法 | |
| CN106650107B (zh) | 一种集成电路版图精确定位短路点的方法 | |
| JP3095475B2 (ja) | マスクパターンの検査方法 | |
| Nakamura et al. | Clean pattern matching for full chip verification |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |