CN112993167B - 有机铵盐改性金属氧化物纳米颗粒在正置钙钛矿太阳能电池中的应用及器件的制备方法 - Google Patents

有机铵盐改性金属氧化物纳米颗粒在正置钙钛矿太阳能电池中的应用及器件的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112993167B
CN112993167B CN202110169284.7A CN202110169284A CN112993167B CN 112993167 B CN112993167 B CN 112993167B CN 202110169284 A CN202110169284 A CN 202110169284A CN 112993167 B CN112993167 B CN 112993167B
Authority
CN
China
Prior art keywords
ammonium salt
organic ammonium
solar cell
metal oxide
transport layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110169284.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112993167A (zh
Inventor
陈江照
毕欢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chongqing University
Original Assignee
Chongqing University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chongqing University filed Critical Chongqing University
Priority to CN202110169284.7A priority Critical patent/CN112993167B/zh
Publication of CN112993167A publication Critical patent/CN112993167A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112993167B publication Critical patent/CN112993167B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
    • H10K30/15—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明涉及有机铵盐改性金属氧化物纳米颗粒在正置钙钛矿太阳能电池中的应用及器件的制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明将有机铵盐改性金属氧化物纳米颗粒用于制备正置钙钛矿太阳能电池的电子传输层。首先，通过有机铵盐改性，能够抑制纳米颗粒团聚，改善电子传输层的电学性能。此外，有机铵盐改性能够降低电子传输层的粗糙度，改善其薄膜润湿性，有利于后期钙钛矿晶体的生长，增加钙钛矿薄膜的晶粒尺寸，取向更好，从而有利于载流子的传输。最后，有机铵盐能够钝化电子传输层/钙钛矿层界面的缺陷，改善界面电接触。总之，有机铵盐改性能够改善载流子输运和收集效率，从而抑制体相和界面载流子非辐射复合损失，最终同时提升器件的功率转换效率和稳定性。

Description

有机铵盐改性金属氧化物纳米颗粒在正置钙钛矿太阳能电池中的应用及器件的制备方法
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及有机铵盐改性金属氧化物纳米颗粒在正置钙钛矿太阳能电池中的应用及器件的制备方法。
背景技术
近年来，有机-无机杂化钙钛矿材料因其具有摩尔消光系数高、带隙可调、激子结合能低、缺陷容忍度高、载流子扩散长度长、可溶液加工、成本低、可柔性制备等优点而被广泛应用于各种各样的光电器件，如太阳能电池、发光二极管、激光、光电探测器等。其中，在太阳能电池中的应用已经取得了巨大的研究进展。迄今为止，钙钛矿太阳能电池(PSC)已经取得了25.5％的记录认证功率转换效率(PCE)。然而，目前PSC差的运行稳定性严重阻碍了其大规模商业化应用。大量研究表明，体相和界面非辐射复合损失是PCE和稳定性损失的主要原因。因此，通过将体相和界面非辐射复合损失最小化来进一步提高PCE和稳定性迫在眉睫。
专利CN 112201756介绍了一种具有界面修饰层的钙钛矿太阳能电池。该方法只是能钝化钙钛矿薄膜的缺陷。然而，器件效率和稳定性的损失不仅仅来源于钙钛矿光吸收层，其他功能层的质量也会影响器件的性能。因此，该方法仍然具有较大的局限性。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的之一在于提供有机铵盐改性金属氧化物纳米颗粒在正置钙钛矿太阳能电池中的应用；目的之二在于提供一种正置钙钛矿太阳能电池；目的之三在于提供正置钙钛矿太阳能电池的制备方法。
为达到上述目的，本发明提供如下技术方案：
1、有机铵盐改性金属氧化物纳米颗粒在正置钙钛矿太阳能电池中的应用，所述应用具体为：有机铵盐改性金属氧化物纳米颗粒用于制备正置钙钛矿太阳能电池的电子传输层。
优选地，所述有机铵盐的结构式如下：
Figure BDA0002938541120000011
式中：
R1为-NH-NH2、-OH或-NH2；
R2为-CH2-、-CH2CH2-或-CH2CH2CH2-；
R3为
Figure BDA0002938541120000021
或-NH3；
X为Cl、Br、I、BF4、PF6或CF3SO3。
优选地，所述金属氧化物纳米颗粒为ZnO、TiO2、SnO2或CeO2中的至少一种。
优选地，有机铵盐改性金属氧化物纳米颗粒的方法如下：将有机铵盐水溶液加入金属氧化物纳米颗粒分散液中，震荡后即可。
优选地，所述有机铵盐与金属氧化物纳米颗粒的质量比为0.05-50:100，所述震荡的时间为5min-48h。
2、一种正置钙钛矿太阳能电池，所述电池由下往上依次由导电基底层、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和金属背电极层叠组成，所述电子传输层由有机铵盐改性金属氧化物纳米颗粒制备。
优选地，所述导电基底层为ITO或FTO中的一种；所述钙钛矿吸光层为ABX3钙钛矿吸光层，其中A为CH3NH3 +、CH(NH2)2 +、Cs+或Rb+中的至少一种，B为Pb2+、Sn2+或Ge2+中的至少一种，X为Cl-、Br-或I-中的至少一种；所述空穴传输材料为2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴、聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]、聚(3-己基噻吩-2,5-二基)、硫氰酸亚铜、碘化亚铜或氧化镍中的至少一种；所述金属背电极为Au、Cu或Ag中的一种。
3、所述的一种正置钙钛矿太阳能电池的制备方法，所述方法如下：
(1)对导电基底进行预处理；
(2)将有机铵盐水溶液加入金属氧化物纳米颗粒分散液中，震荡后，在经步骤(1)处理后的导电基底上旋涂制备电子传输层，随后对所述电子传输层进行紫外臭氧照射处理；
(3)在步骤(2)中电子传输层上旋涂制备钙钛矿吸光层；
(4)在步骤(3)中钙钛矿吸光层上旋涂制备空穴传输层；
(5)在步骤(4)中空穴传输层上蒸镀金属背电极，即可。
优选地，步骤(2)中，所述紫外臭氧照射处理的时间为10-40min。
本发明的有益效果在于：本发明提供了有机铵盐改性金属氧化物纳米颗粒在正置钙钛矿太阳能电池中的应用及器件的制备方法，以有机铵盐改性金属氧化物纳米颗粒制备正置钙钛矿太阳能电池电子传输层。首先，通过有机铵盐改性，能够抑制纳米颗粒团聚，改善电子传输层的电学性能。此外，有机铵盐改性能够降低电子传输层的粗糙度，改善其薄膜润湿性，有利于后期钙钛矿晶体的生长，增加钙钛矿薄膜的晶粒尺寸，取向更好，从而有利于载流子的传输。最后，有机铵盐能够钝化电子传输层/钙钛矿层界面的缺陷，改善界面电接触。总之，有机铵盐改性能够改善载流子输运和收集效率，从而抑制体相和界面载流子非辐射复合损失，最终同时提升器件的功率转换效率和稳定性。而且有机铵盐改性减少电池的J-V迟滞。以有机铵盐改性金属氧化物纳米颗粒制备电子传输层时工艺简单且重复性好，在推动钙钛矿太阳能电池的产业化进程方面具有十分重要的意义。
本发明的其他优点、目标和特征在某种程度上将在随后的说明书中进行阐述，并且在某种程度上，基于对下文的考察研究对本领域技术人员而言将是显而易见的，或者可以从本发明的实践中得到教导。本发明的目标和其他优点可以通过下面的说明书来实现和获得。
附图说明
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作优选的详细描述，其中：
图1为对比实施例和实施例1中钙钛矿太阳能电池的电流-电压曲线图；
图2为对比实施例和实施例1中钙钛矿太阳能电池的迟滞因子统计图；
图3为对比实施例和实施例1中钙钛矿太阳能电池低湿度稳定性以及热稳定性统计图(图3中(a)为对比实施例和实施例1中钙钛矿太阳能电池低湿度稳定性统计图，图3中(b)为对比实施例和实施例1中钙钛矿太阳能电池热稳定性统计图)；
图4为实施例2中钙钛矿太阳能电池的电流密度-电压曲线图；
图5为实施例3中钙钛矿太阳能电池的电流密度-电压曲线图；
图6为实施例4中钙钛矿太阳能电池的电流密度-电压曲线图；
图7为实施例5中钙钛矿太阳能电池的电流密度-电压曲线图；
图8为实施例6中钙钛矿太阳能电池的电流密度-电压曲线图；
图9为实施例7中钙钛矿太阳能电池的电流密度-电压曲线图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
对比实施例
制备钙钛矿太阳能电池
(1)将ITO导电基底依次经洗涤剂、去离子水、无水乙醇超声清洗20min后以氮气吹干，然后经紫外臭氧处理20min，冷却备用；
(2)向质量分数为15％的SnO2纳米颗粒分散液中加入去离子水(VSnO2:VH2O＝1:4)，混匀后滴加到经步骤(1)处理后的ITO导电基底上，然后以4000rpm的转速旋涂30s，随后在150℃下退火30min，制得电子传输层，随后对电子传输层进行紫外臭氧照射处理10min；
(3)将FAI(232.8mg)、MABr(8.0mg)、RbI(15.9mg)、MACl(36.0mg)、PbI2(656.9mg)和PbBr2(27.5mg)溶解在DMF和DMSO混合溶剂中(VDMF:VDMSO＝8:1)，震荡10min，得到浓度为1.5mol/L的钙钛矿溶液，将钙钛矿溶液滴加到步骤(2)中制得的电子传输层上，以4000rpm的转速旋涂30s，在旋涂结束前第14s滴加80μL氯苯，随后在155℃下退火23min，制得钙钛矿吸光层；
(4)将72.3mg的2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴(Spiro-OMeTAD)溶解在l mL的氯苯中，并加入29μL的TBP和18μL的Li-TFSI(浓度为520mg/mL，溶剂为无水乙腈)，混匀后滴加到步骤(3)中制得的钙钛矿吸光层上，以3000rpm的转速旋涂30s，制得空穴传输层；
(5)在高真空(10-4Pa)下，通过热蒸发在步骤(4)中制得的空穴传输层上蒸镀厚度为80nm的Au电极，即可。
实施例1
制备钙钛矿太阳能电池
与对比实施例的区别在于，步骤(2)具体为：
向质量分数为15％的SnO2纳米颗粒分散液中加入浓度为0.5mg/mL的有机铵盐A的水溶液(VSnO2:V改性剂A＝1:8)，使有机铵盐A与SnO2纳米颗粒的质量比为2.5:100，震荡5min后滴加到经步骤(1)处理后的ITO导电基底上，然后以4000rpm的转速旋涂30s，随后在150℃下退火30min，制得电子传输层，随后对电子传输层进行紫外臭氧照射处理10min。
Figure BDA0002938541120000041
有机铵盐A
图1为对比实施例和实施例1中钙钛矿太阳能电池的电流密度-电压曲线图，并根据该图获得两种电池的各光伏参数，结果见表1，由图1和表1可知实施例1中钙钛矿太阳能电池的效率显著提升。
表1
Figure BDA0002938541120000051
图2为对比实施例和实施例1中钙钛矿太阳能电池的迟滞因子统计图，可知实施例1中钙钛矿太阳能电池的迟滞因子显著降低。
图3为对比实施例和实施例1中钙钛矿太阳能电池低湿度稳定性以及热稳定性统计图，其中，图3中(a)为对比实施例和实施例1中钙钛矿太阳能电池低湿度稳定性统计图，图3中(b)为对比实施例和实施例1中钙钛矿太阳能电池热稳定性统计图，可知实施例1中钙钛矿太阳能电池无论是低湿度(5％-10％)还是60℃的环境中，均表现出优异的稳定性。
实施例2
与实施例1的区别在于，步骤(3)中钙钛矿溶液的浓度为1.55mol/L。
图4为实施例2中钙钛矿太阳能电池的电流密度-电压曲线图，该电池的效率为20.88％，相比于对比实施例中电池的效率(19.77％)，器件效率得到明显的提升。
实施例3
与实施例1的区别在于，步骤(3)中钙钛矿溶液的浓度为1.6mol/L。
图5为实施例3中钙钛矿太阳能电池的电流密度-电压曲线图，该电池的效率为21.08％，相比于对比实施例中电池的效率(19.77％)，器件效率获得明显的提升。
实施例4
与实施例1的区别在于，将步骤(2)中浓度为0.5mg/mL的有机铵盐A的水溶液替换为浓度为5mg/mL的有机铵盐B的水溶液
Figure BDA0002938541120000052
使有机铵盐B与SnO2纳米颗粒的质量比为25:100。
Figure BDA0002938541120000061
有机铵盐B
图6为实施例4中钙钛矿太阳能电池的电流密度-电压曲线图，该电池的效率为20.72％，相比于对比实施例中电池的效率(19.77％)，器件效率有明显的提升。
实施例5
与实施例1的区别在于，将步骤(2)中浓度为0.5mg/mL的有机铵盐A的水溶液替换为浓度为1mg/mL的有机铵盐C的水溶液(VSnO2:V改性剂B＝1:8)，使有机铵盐C与SnO2纳米颗粒的质量比为5:100。
Figure BDA0002938541120000062
有机铵盐C
图7为实施例5中钙钛矿太阳能电池的电流密度-电压曲线图，该电池的效率为20.68％，相比于对比实施例中电池的效率(19.77％)，器件效率有明显的提升。
实施例6
与实施例1的区别在于，步骤(2)中，将质量分数为15％的SnO2纳米颗粒分散液替换为质量分数为15％的ZnO纳米颗粒分散液。
图8为实施例6中钙钛矿太阳能电池的电流密度-电压曲线图，该电池的效率为20.55％，相比于对比实施例中电池的效率(19.77％)，器件效率有明显的提升。
实施例7
与实施例2的区别在于，步骤(2)中，将有机铵盐A替换为有机铵盐D。
Figure BDA0002938541120000063
有机铵盐D
图9为实施例7中钙钛矿太阳能电池的电流密度-电压曲线图，该电池的效率为21.15％，相比于对比实施例中电池的效率(19.77％)，器件效率有明显的提升。
最后说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。

Claims (8)

1.有机铵盐改性金属氧化物纳米颗粒在正置钙钛矿太阳能电池中的应用，其特征在于，所述应用具体为：有机铵盐改性金属氧化物纳米颗粒用于制备正置钙钛矿太阳能电池的电子传输层；
所述有机铵盐的结构式如下：
Figure FDA0004078381840000011
式中：
R1为-NH-NH2、-OH或-NH2；
R2为-CH2-、-CH2CH2-或-CH2CH2CH2-；
R3为
Figure FDA0004078381840000012
或-NH3；
X为Cl、Br、I、BF4、PF6或CF3SO3。
2.如权利要求1所述的应用，其特征在于，所述金属氧化物纳米颗粒为ZnO、TiO2、SnO2或CeO2中的至少一种。
3.如权利要求1所述的应用，其特征在于，有机铵盐改性金属氧化物纳米颗粒的方法如下：将有机铵盐水溶液加入金属氧化物纳米颗粒分散液中，震荡后即可。
4.如权利要求3所述的应用，其特征在于，所述有机铵盐与金属氧化物纳米颗粒的质量比为0.05-50:100，所述震荡的时间为5min-48h。
5.一种正置钙钛矿太阳能电池，所述电池由下往上依次由导电基底层、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和金属背电极层叠组成，其特征在于，所述电子传输层由有机铵盐改性金属氧化物纳米颗粒制备；
所述有机铵盐的结构式如下：
Figure FDA0004078381840000013
式中：
R1为-NH-NH2、-OH或-NH2；
R2为-CH2-、-CH2CH2-或-CH2CH2CH2-；
R3为
Figure FDA0004078381840000021
或-NH3；
X为Cl、Br、I、BF4、PF6或CF3SO3。
6.如权利要求5所述的一种正置钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述导电基底层为ITO或FTO中的一种；所述钙钛矿吸光层为ABX3钙钛矿吸光层，其中A为CH3NH3 +、CH(NH2)2 +、Cs+或Rb+中的至少一种，B为Pb2+、Sn2+或Ge2+中的至少一种，X为Cl-、Br-或I-中的至少一种；所述空穴传输层为2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴、聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]、聚(3-己基噻吩-2,5-二基)、硫氰酸亚铜、碘化亚铜或氧化镍中的至少一种；所述金属背电极为Au、Cu或Ag中的一种。
7.权利要求5所述的一种正置钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法如下：
(1)对导电基底进行预处理；
(2)将有机铵盐水溶液加入金属氧化物纳米颗粒分散液中，震荡后，在经步骤(1)处理后的导电基底上旋涂制备电子传输层，随后对所述电子传输层进行紫外臭氧照射处理；
(3)在步骤(2)中电子传输层上旋涂制备钙钛矿吸光层；
(4)在步骤(3)中钙钛矿吸光层上旋涂制备空穴传输层；
(5)在步骤(4)中空穴传输层上蒸镀金属背电极，即可。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，步骤(2)中，所述紫外臭氧照射处理的时间为10-40min。
CN202110169284.7A 2021-02-07 2021-02-07 有机铵盐改性金属氧化物纳米颗粒在正置钙钛矿太阳能电池中的应用及器件的制备方法 Active CN112993167B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110169284.7A CN112993167B (zh) 2021-02-07 2021-02-07 有机铵盐改性金属氧化物纳米颗粒在正置钙钛矿太阳能电池中的应用及器件的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110169284.7A CN112993167B (zh) 2021-02-07 2021-02-07 有机铵盐改性金属氧化物纳米颗粒在正置钙钛矿太阳能电池中的应用及器件的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112993167A CN112993167A (zh) 2021-06-18
CN112993167B true CN112993167B (zh) 2023-04-07

Family

ID=76349010

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110169284.7A Active CN112993167B (zh) 2021-02-07 2021-02-07 有机铵盐改性金属氧化物纳米颗粒在正置钙钛矿太阳能电池中的应用及器件的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112993167B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113416213B (zh) * 2021-06-22 2022-10-11 重庆大学 有机鏻鎓盐分子在钙钛矿太阳能电池中的应用及其器件的制备方法
CN113540358B (zh) * 2021-06-28 2023-04-25 苏州大学 一种无铅锡基钙钛矿室内光伏器件及其制备方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105489769A (zh) * 2016-01-07 2016-04-13 苏州大学 一种阴阳极共同修饰的钙钛矿型太阳能电池的制备方法
CN106784329A (zh) * 2017-01-12 2017-05-31 武汉大学 一种SnO2量子点电子传输层钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN106848068A (zh) * 2017-02-21 2017-06-13 华侨大学 一种低温钙钛矿太阳能电池的制备方法
CN110504362A (zh) * 2019-07-17 2019-11-26 浙江浙能技术研究院有限公司 一种SnO2电子选择传输层的改性方法
CN110880550A (zh) * 2018-09-05 2020-03-13 杭州纤纳光电科技有限公司 含有表面活性剂的前驱体溶液的涂布设备及其方法
CN111180587A (zh) * 2019-12-30 2020-05-19 电子科技大学 一种特殊掺杂的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN112018242A (zh) * 2019-05-29 2020-12-01 北京宏泰创新科技有限公司 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105489769A (zh) * 2016-01-07 2016-04-13 苏州大学 一种阴阳极共同修饰的钙钛矿型太阳能电池的制备方法
CN106784329A (zh) * 2017-01-12 2017-05-31 武汉大学 一种SnO2量子点电子传输层钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN106848068A (zh) * 2017-02-21 2017-06-13 华侨大学 一种低温钙钛矿太阳能电池的制备方法
CN110880550A (zh) * 2018-09-05 2020-03-13 杭州纤纳光电科技有限公司 含有表面活性剂的前驱体溶液的涂布设备及其方法
CN112018242A (zh) * 2019-05-29 2020-12-01 北京宏泰创新科技有限公司 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN110504362A (zh) * 2019-07-17 2019-11-26 浙江浙能技术研究院有限公司 一种SnO2电子选择传输层的改性方法
CN111180587A (zh) * 2019-12-30 2020-05-19 电子科技大学 一种特殊掺杂的钙钛矿太阳能电池及其制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
界面修饰对有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池性能的影响;姬超,梁春军,由芳田,何志群;《物理学报》;20200924;1-30页 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN112993167A (zh) 2021-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109904318B (zh) 一种基于反溶液浴的钙钛矿薄膜制备方法及太阳能电池
CN108807694B (zh) 一种超低温稳定的平板钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN112993167B (zh) 有机铵盐改性金属氧化物纳米颗粒在正置钙钛矿太阳能电池中的应用及器件的制备方法
CN109728169B (zh) 一种掺杂有功能添加剂的钙钛矿太阳电池及其制备方法
CN111987220A (zh) 基于下转换层的钙钛矿太阳能电池及制备方法
CN112018242A (zh) 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN111029470B (zh) 基于纳米草状介孔层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN114883493A (zh) 一种基于三维/二维钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN115117247A (zh) 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN114784193A (zh) 一种基于金属诱导有机界面层的有机光电器件及制备方法
CN111192964B (zh) 一种钙钛矿量子点太阳能电池及其制备方法
CN113421976A (zh) 一种l-半胱氨酸盐修饰二氧化锡的方法及其在钙钛矿太阳能电池中的应用
CN114805150B (zh) 一种应用于铅基钙钛矿太阳能电池的界面修饰分子
CN114447234B (zh) 有机无机杂化钙钛矿表界面处理方法、材料及应用
CN111223993A (zh) 一种高开路电压的半透明钙钛矿太阳能电池
CN111063806A (zh) 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN115835744A (zh) 钙钛矿薄膜、其制备方法及钙钛矿光电器件
CN115768222A (zh) 一种钙钛矿太阳电池及其快速制备方法
CN115697010A (zh) 一种多功能添加剂修饰的倒置钙钛矿太阳能电池
CN112909175B (zh) 一种基于非卤铅源的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN114975790A (zh) 一种离子液体修饰双界面的钙钛矿太阳电池及其制备方法和应用
CN110311042B (zh) 一种自组装单分子层和钙钛矿太阳能电池的制备方法及钙钛矿太阳能电池
CN114400291A (zh) 一种有机分子在正置钙钛矿太阳能电池中的应用
CN114284440A (zh) 一种双功能离子盐钝化锡基钙钛矿薄膜及其钙钛矿太阳能电池的制备方法和应用
CN113903862A (zh) 基于苯硼酸衍生物修饰的SnO2钙钛矿太阳能电池的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant