CN112992995A - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本公开提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括像素区和孔区，所述像素区包括设置在基底上的显示结构层，所述孔区包括设置在基底上的孔结构层；所述孔区包括至少一个贯通所述基底和孔结构层的拉伸孔；所述拉伸孔的内壁包括无机材料内壁段和有机材料内壁段，所述无机材料内壁段和有机材料内壁段沿着从基底到孔结构层的方向排布，所述有机材料内壁段位于所述拉伸孔远离所述孔结构层的一侧。本公开通过在拉伸孔内形成有机材料，使得后续形成的无机封装层设置在有机材料上，不仅避免了显示基板的膜层不能与玻璃衬底分离的情况，而且避免了无机封装层出现拉拽裂缝，有效保证了显示基板的封装效果。

Description

显示基板及其制备方法、显示装置
技术领域
本公开涉及但不限于显示技术领域，尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。随着显示技术的不断发展，以OLED为发光器件、由薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)进行信号控制的柔性显示装置(Flexible Display)已成为目前显示领域的主流产品，已被广泛应用于手机、电脑、电视、车载、智能可穿戴设备等领域。
目前，柔性显示装置正由二维可变模式逐渐发展到三维可变模式。例如，在显示基板上设置有一系列拉伸孔，以增加显示基板的可变形量，将显示基板的四个侧面拉伸后进行正常显示，形成全面屏幕手机。实际使用表明，设置拉伸孔的显示基板存在封装失效的问题。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本公开示例性实施例所要解决的技术问题是，提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，以解决现有结构存在封装失效的问题。
为了解决上述技术问题，本公开示例性实施例提供了一种显示基板，包括像素区和孔区，所述像素区包括设置在基底上的显示结构层，所述孔区包括设置在基底上的孔结构层；所述孔区包括至少一个贯通所述基底和孔结构层的拉伸孔；所述拉伸孔的内壁包括无机材料内壁段和有机材料内壁段，所述无机材料内壁段和有机材料内壁段沿着从基底到孔结构层的方向排布，所述有机材料内壁段位于所述拉伸孔远离所述孔结构层的一侧。
在示例性实施例中，所述孔结构层包括复合绝缘层、有机发光块和无机封装层；所述复合绝缘层设置在基底上，所述基底和复合绝缘层上设置有通孔；所述有机发光块设置在所述通孔内，所述无机封装层覆盖所述通孔的内壁和所述有机发光块；所述有机发光块上设置有发光块孔，所述无机封装层上设置有无机封装孔；所述拉伸孔包括相互连通的发光块孔、无机封装孔和内壁被所述无机封装层覆盖的通孔，所述无机封装孔的内壁和覆盖通孔内壁的无机封装层形成所述无机材料内壁段，所述发光块孔的内壁形成所述有机材料内壁段。
在示例性实施例中，所述孔结构层包括复合绝缘层、有机材料块和无机封装层；所述复合绝缘层设置在基底上，所述基底和复合绝缘层上设置有通孔；所述有机材料块设置在所述通孔内，所述无机封装层覆盖所述通孔的内壁和所述有机材料块；所述有机材料块上设置有材料块孔，所述无机封装层上设置有无机封装孔；所述拉伸孔包括相互连通的材料块孔、无机封装孔和内壁被所述无机封装层覆盖的通孔，所述无机封装孔的内壁和覆盖通孔内壁的无机封装层形成所述无机材料内壁段，所述材料块孔的内壁形成所述有机材料内壁段。
在示例性实施例中，所述孔结构层包括复合绝缘层、有机材料块、有机发光块和无机封装层；所述复合绝缘层设置在基底上，所述基底和复合绝缘层上设置有通孔；所述有机材料块设置在所述通孔内，所述有机发光块设置在所述有机材料块上，所述无机封装层覆盖所述通孔的内壁和所述有机发光块块；所述有机材料块上设置有材料块孔，所述有机发光块设置有发光块孔，所述无机封装层上设置有无机封装孔；所述拉伸孔包括相互连通的材料块孔、发光块孔、无机封装孔和内壁被所述无机封装层覆盖的通孔，所述无机封装孔的内壁和覆盖通孔内壁的无机封装层形成所述无机材料内壁段，所述材料块孔的内壁和所述发光块孔的内壁形成所述有机材料内壁段。
在示例性实施例中，所述基底包括第一柔性层、设置在所述第一柔性层上的第一无机层、设置在所述第一无机层远离所述第一柔性层一侧的第二柔性层以及设置在所述第二柔性层远离所述第一柔性层一侧的第二无机层；所述孔结构层包括复合绝缘层和无机封装层；所述复合绝缘层设置在基底上，所述复合绝缘层和基底中的第一无机层、第二柔性层以及第二无机层上设置有盲孔；所述无机封装层覆盖所述盲孔的内壁和所述第一柔性层；所述基底中的第一柔性层设置有第一柔性孔，所述无机封装层上设置有无机封装孔；所述拉伸孔包括相互连通的第一柔性孔、无机封装孔以及内壁被无机封装层覆盖的盲孔，所述无机封装孔的内壁以及覆盖通孔内壁的无机封装层形成无机材料内壁段，所述第一柔性孔的内壁形成有机材料内壁段。
在示例性实施例中，所述基底包括第一柔性层、设置在所述第一柔性层上的第一无机层、设置在所述第一无机层远离所述第一柔性层一侧的第二柔性层以及设置在所述第二柔性层远离所述第一柔性层一侧的第二无机层；所述孔结构层包括复合绝缘层、有机发光块和无机封装层；所述复合绝缘层设置在基底上，所述复合绝缘层和基底中的第一无机层、第二柔性层以及第二无机层上设置有盲孔；所述有机发光块设置在盲孔内的第一柔性层上，所述无机封装层覆盖所述盲孔的内壁和所述有机发光块；所述基底中的第一柔性层设置有第一柔性孔，所述有机发光块上设置有发光块孔，所述无机封装层上设置有无机封装孔；所述拉伸孔包括相互连通的第一柔性孔、发光块孔、无机封装孔以及内壁被无机封装层覆盖的盲孔，所述无机封装孔的内壁以及覆盖通孔内壁的无机封装层形成无机材料内壁段，所述第一柔性孔的内壁和所述发光块孔的内壁形成有机材料内壁段。
在示例性实施例中，所述基底包括第一柔性层、设置在所述第一柔性层上的第一无机层、设置在所述第一无机层远离所述第一柔性层一侧的第二柔性层以及设置在所述第二柔性层远离所述第一柔性层一侧的第二无机层；所述孔结构层包括复合绝缘层、有机材料块和无机封装层；所述复合绝缘层设置在基底上，所述复合绝缘层和基底中的第一无机层、第二柔性层以及第二无机层上设置有盲孔；所述有机材料块设置在盲孔内的第一柔性层上，所述无机封装层覆盖所述盲孔的内壁和所述有机材料块；所述基底中的第一柔性层设置有第一柔性孔，所述有机材料块上设置有材料块孔，所述无机封装层上设置有无机封装孔；所述拉伸孔包括相互连通的第一柔性孔、材料块孔、无机封装孔以及内壁被无机封装层覆盖的盲孔，所述无机封装孔的内壁以及覆盖通孔内壁的无机封装层形成无机材料内壁段，所述第一柔性孔的内壁和所述材料块孔的内壁形成有机材料内壁段。
在示例性实施例中，所述基底包括第一柔性层、设置在所述第一柔性层上的第一无机层、设置在所述第一无机层远离所述第一柔性层一侧的第二柔性层以及设置在所述第二柔性层远离所述第一柔性层一侧的第二无机层；所述孔结构层包括复合绝缘层、有机材料块、有机发光块和无机封装层；所述复合绝缘层设置在基底上，所述复合绝缘层和基底中的第一无机层、第二柔性层以及第二无机层上设置有盲孔；所述有机材料块设置在盲孔内的第一柔性层上，所述有机发光块设置在盲孔内的有机材料块上，所述无机封装层覆盖所述盲孔的内壁和所述有机发光块；所述基底中的第一柔性层设置有第一柔性孔，所述有机材料块上设置有材料块孔，所述有机发光块上设置有发光块孔，所述无机封装层上设置有无机封装孔；所述拉伸孔包括相互连通的第一柔性孔、材料块孔、发光块孔、无机封装孔以及内壁被无机封装层覆盖的盲孔，所述无机封装孔的内壁以及覆盖通孔内壁的无机封装层形成无机材料内壁段，所述第一柔性孔的内壁、所述材料块孔的内壁和所述发光块孔的内壁形成有机材料内壁段。
在示例性实施例中，所述显示结构层包括设置在基底上的发光结构层和设置在所述发光结构层远离所述基底一侧的封装层；所述发光结构层包括有机发光层，所述封装层包括叠设的第一封装层、有机封装层和第二封装层；所述无机封装层包括叠设的第一无机封装层和第二无机封装层；所述有机发光块与所述有机发光层同层设置，且材料相同；所述第一无机封装层与所述第一封装层同层设置，且材料相同；所述第二无机封装层与所述第三封装层同层设置，且材料相同。
在示例性实施例中，所述显示基板包括显示区域和非显示区域，所述拉伸孔包括所述显示区域的拉伸孔和所述非显示区域的拉伸孔。
在示例性实施例中，所述非显示区域包括位于所述显示区域***的电路区、位于所述电路区***的封装区和位于所述封装区***的边框区；所述拉伸孔包括如下任意一种或多种：位于所述电路区的拉伸孔、位于所述封装区的拉伸孔和位于所述边框区的拉伸孔。
在示例性实施例中，所述非显示区域中拉伸孔的宽度大于所述显示区域中拉伸孔的宽度。
在示例性实施例中，所述显示区域中拉伸孔的宽度为5μm至15μm，所述非显示区域中拉伸孔的宽度为20μm至40μm。
本公开示例性实施例还提供了一种显示装置，包括前述的显示基板。
为了解决上述技术问题，本公开示例性实施例还提供了一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括像素区和孔区，所述制备方法包括：
在所述像素区形成设置在基底上的显示结构层，在所述孔区形成设置在基底上的孔结构层；
在所述孔区形成至少一个贯通所述基底和孔结构层的拉伸孔，所述拉伸孔的内壁包括无机材料内壁段和有机材料内壁段，所述无机材料内壁段和有机材料内壁段沿着从基底到孔结构层的方向排布，所述有机材料内壁段位于所述拉伸孔远离所述孔结构层的一侧。
在示例性实施例中，在所述孔区形成设置在基底上的孔结构层，包括：
形成基底，所述基底包括叠设的第一柔性层、第一无机层、第二柔性层和第二无机层，所述第一无机层上设置有第一无机开口；
在所述基底上形成复合绝缘层，所述基底和复合绝缘层上设置有通孔或盲孔；所述通孔贯通所述复合绝缘层和基底，所述盲孔贯通所述复合绝缘层和基底中的第一无机层、第二柔性层以及第二无机层；
在所述通孔或盲孔的底部形成有机发光块，或者形成有机材料块，或者依次形成有机材料块和有机发光块；
在所述通孔或盲孔内形成无机封装层，所述无机封装层覆盖所述通孔或盲孔的内壁，以及覆盖所述有机发光块或者所述有机材料块。
在示例性实施例中，所述显示结构层包括设置在基底上的发光结构层和设置在所述发光结构层上的封装层；所述发光结构层包括有机发光层，所述封装层包括叠设的第一封装层、有机封装层和第二封装层；所述无机封装层包括叠设的第一无机封装层和第二无机封装层；所述有机发光块与所述有机发光层同层设置，且通过同一次工艺形成；所述第一无机封装层与所述第一封装层同层设置，且通过同一次工艺形成；所述第二无机封装层与所述第三封装层同层设置，且通过同一次工艺形成。
在示例性实施例中，在所述孔区形成至少一个贯通所述基底和孔结构层的拉伸孔，包括：
通过图案化工艺对所述通孔内的无机封装层和有机发光块进行刻蚀，形成相互连通的发光块孔和无机封装孔，所述发光块孔设置在有机发光块上，所述无机封装孔设置在所述无机封装层上；所述无机封装孔的内壁和覆盖通孔内壁的无机封装层形成所述无机材料内壁段，所述发光块孔的内壁形成所述有机材料内壁段；或者，
通过图案化工艺对所述通孔内的无机封装层和有机材料块进行刻蚀，形成相互连通的材料块孔和无机封装孔，所述材料块孔设置在有机发光块上，所述无机封装孔设置在所述无机封装层上；所述无机封装孔的内壁和覆盖通孔内壁的无机封装层形成所述无机材料内壁段，所述材料块孔的内壁形成所述有机材料内壁段；或者，
通过图案化工艺对所述通孔内的无机封装层、有机发光块和有机材料块进行刻蚀，形成相互连通的材料块孔、发光块孔和无机封装孔，所述材料块孔设置在有机发光块上，所述发光块孔设置在有机发光块上，所述无机封装孔设置在所述无机封装层上；所述无机封装孔的内壁和覆盖通孔内壁的无机封装层形成所述无机材料内壁段，所述材料块孔的内壁和所述发光块孔的内壁形成所述有机材料内壁段；或者，
通过图案化工艺对所述盲孔内的无机封装层、有机发光块和第一柔性层进行刻蚀，形成相互连通的第一柔性孔、发光块孔和无机封装孔，所述第一柔性孔设置在第一柔性层上，所述发光块孔设置在有机发光块上，所述无机封装孔设置在所述无机封装层上；所述无机封装孔的内壁和覆盖盲孔内壁的无机封装层形成所述无机材料内壁段，所述所述第一柔性孔的内壁和所述发光块孔的内壁形成所述有机材料内壁段；或者，
通过图案化工艺对所述盲孔内的无机封装层、有机材料块和第一柔性层进行刻蚀，形成相互连通的第一柔性孔、材料块孔和无机封装孔，所述第一柔性孔设置在第一柔性层上，所述材料块孔设置在有机材料块上，所述无机封装孔设置在所述无机封装层上；所述无机封装孔的内壁和覆盖盲孔内壁的无机封装层形成所述无机材料内壁段，所述所述第一柔性孔的内壁和所述材料块孔的内壁形成所述有机材料内壁段；或者，
通过图案化工艺对所述盲孔内的无机封装层、有机发光块、有机材料块和第一柔性层进行刻蚀，形成相互连通的第一柔性孔、材料块孔、发光块孔和无机封装孔，所述第一柔性孔设置在第一柔性层上，所述材料块孔设置在有机材料块上，所述发光块孔设置在有机发光块上，所述无机封装孔设置在所述无机封装层上；所述无机封装孔的内壁和覆盖盲孔内壁的无机封装层形成所述无机材料内壁段，所述所述第一柔性孔的内壁、所述材料块孔的内壁和所述发光块孔的内壁形成所述有机材料内壁段。
本公开示例性实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置，通过在拉伸孔内形成有机材料，使得后续形成的无机封装层设置在有机材料上，不仅避免了显示基板的膜层不能与玻璃衬底分离的情况，而且避免了无机封装层出现拉拽裂缝，有效保证了显示基板的封装效果。
在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开的技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。
图1为一种显示装置的结构示意图；
图2为一种显示基板的剖面结构示意图；
图3为一种像素驱动电路的等效电路示意图；
图4为一种像素驱动电路的工作时序图；
图5为一种显示基板的平面示意图；
图6为一种显示基板中拉伸孔的平面示意图；
图7为一种柔性显示基板剥离的示意图；
图8为本公开示例性实施例一种显示基板的结构示意图；
图9为本公开示例性实施例形成基底图案后的示意图；
图10为本公开示例性实施例形成驱动电路层图案后的示意图；
图11为本公开示例性实施例形成阳极图案后的示意图；
图12为本公开示例性实施例形成像素定义层图案后的示意图；
图13为本公开示例性实施例形成有机发光层图案后的示意图；
图14为本公开示例性实施例形成阴极图案后的示意图；
图15为本公开示例性实施例形成封装层图案后的示意图；
图16为本公开示例性实施例形成拉伸孔图案后的示意图；
图17为本公开示例性实施例另一种显示基板的结构示意图；
图18为本公开示例性实施例又一种显示基板的结构示意图；
图19为本公开示例性实施例又一种显示基板的结构示意图；
图20为本公开示例性实施例形成驱动电路层图案后孔区结构的示意图；
图21为本公开示例性实施例形成无机封装层图案后孔区结构的示意图；
图22为本公开示例性实施例又一种显示基板的结构示意图；
图23为本公开示例性实施例又一种显示基板的结构示意图；
图24为本公开示例性实施例又一种显示基板的结构示意图。
附图标记说明:
1—玻璃载板； 10—基底； 10A—第一柔性层；
10B—第一无机层； 10C—第二柔性层； 10D—第二无机层；
11—第一绝缘层； 12—第二绝缘层； 13—第三绝缘层；
14—平坦层； 21—阳极； 22—像素定义层；
23—有机发光层； 24—阴极； 31—第一封装层；
32—有机封装层； 33—第二封装层； 40—复合绝缘层；
41—第一无机封装层； 42—第二无机封装层； 51—有源层；
52—栅电极； 53—源电极； 54—漏电极；
61—第一电容电极； 62—第二电容电极； 100—显示区域；
101A—晶体管； 101B—存储电容； 102—驱动电路层；
103—发光结构层； 104—封装层； 200—非显示区域；
210—电路区； 220—封装区； 230—边框区；
300—拉伸孔； 301—有机发光块； 302—阴极块；
303—有机材料块； 400—通孔； 500—盲孔。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。注意，实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了各构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中各部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。
本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。
在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
在本说明书中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。注意，在本说明书中，沟道区域是指电流主要流过的区域。
在本说明书中，第一极可以为漏电极、第二极可以为源电极，或者第一极可以为源电极、第二极可以为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。
在本说明书中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有各种功能的元件等。
在本说明书中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。
在本说明书中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。
本公开中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。
图1为一种显示装置的结构示意图。如图1所示，OLED显示装置可以包括时序控制器、数据驱动器、扫描驱动器、发光驱动器和像素阵列，像素阵列可以包括多个扫描信号线(S1到Sm)、多个数据信号线(D1到Dn)、多个发光信号线(E1到Eo)和多个子像素Pxij。在示例性实施方式中，时序控制器可以将适合于数据驱动器的规格的灰度值和控制信号提供到数据驱动器，可以将适合于扫描驱动器的规格的时钟信号、扫描起始信号等提供到扫描驱动器，可以将适合于发光驱动器的规格的时钟信号、发射停止信号等提供到发光驱动器。数据驱动器可以利用从时序控制器接收的灰度值和控制信号来产生将提供到数据信号线D1、D2、D3、……和Dn的数据电压。例如，数据驱动器可以利用时钟信号对灰度值进行采样，并且以像素行为单位将与灰度值对应的数据电压施加到数据信号线D1至Dn，n可以是自然数。扫描驱动器可以通过从时序控制器接收时钟信号、扫描起始信号等来产生将提供到扫描信号线S1、S2、S3、……和Sm的扫描信号。例如，扫描驱动器可以将具有导通电平脉冲的扫描信号顺序地提供到扫描信号线S1至Sm。例如，扫描驱动器可以被构造为移位寄存器的形式，并且可以以在时钟信号的控制下顺序地将以导通电平脉冲形式提供的扫描起始信号传输到下一级电路的方式产生扫描信号，m可以是自然数。发光驱动器可以通过从时序控制器接收时钟信号、发射停止信号等来产生将提供到发光信号线E1、E2、E3、……和Eo的发射信号。例如，发光驱动器可以将具有截止电平脉冲的发射信号顺序地提供到发光信号线E1至Eo。例如，发光驱动器可以被构造为移位寄存器的形式，并且可以以在时钟信号的控制下顺序地将以截止电平脉冲形式提供的发射停止信号传输到下一级电路的方式产生发射信号，o可以是自然数。像素阵列可以包括多个子像素PXij。每个子像素PXij可以连接到对应的数据信号线、对应的扫描信号线和对应的发光信号线，i和j可以是自然数。子像素PXij可以指其中晶体管连接到第i扫描信号线且连接到第j数据信号线的子像素。
图2为一种显示基板的剖面结构示意图，示意了OLED显示基板三个子像素的结构。如图2所示，在垂直于显示基板的平面上，显示基板可以包括设置在基底10上的驱动电路层102、设置在驱动电路层102远离基底10一侧的发光器件103以及设置在发光器件103远离基底10一侧的封装层104。在一些可能的实现方式中，显示基板可以包括其它膜层，如隔垫柱等，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，基底10可以是柔性基底，或者可以是刚性基底。每个子像素的驱动电路层102可以包括构成像素驱动电路的多个晶体管和存储电容，图3中以每个子像素中包括一个驱动晶体管101A和一个存储电容101B为例进行示意。发光器件103可以包括阳极21、像素定义层22、有机发光层23和阴极24，阳极21通过过孔与驱动晶体管101A的漏电极连接，有机发光层23与阳极21连接，阴极24与有机发光层23连接，有机发光层23在阳极21和阴极24驱动下出射相应颜色的光线。封装层104可以包括叠设的第一封装层31、有机封装层32和第二封装层33，第一封装层31和第二封装层33可以采用无机材料，有机封装层32可以采用有机材料，有机封装层32设置在第一封装层31和第二封装层33之间，可以保证外界水汽无法进入发光器件103。
在示例性实施方式中，有机发光层23可以包括叠设的空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。在示例性实施方式中，所有子像素的空穴注入层和电子注入层可以是连接在一起的共通层，所有子像素的空穴传输层和电子传输层可以是连接在一起的共通层，所有子像素的空穴阻挡层可以是连接在一起的共通层，相邻子像素的发光层和电子阻挡层可以有少量的交叠，或者可以是隔离的。
在示例性实施方式中，像素驱动电路可以是3T1C、4T1C、5T1C、5T2C、6T1C或7T1C结构。图3为一种像素驱动电路的等效电路示意图。如图3所示，像素驱动电路可以包括7个开关晶体管(第一晶体管T1到第七晶体管T7)、1个存储电容C和7个信号线(数据信号线D、第一扫描信号线S1、第二扫描信号线S2、发光信号线E、初始信号线INIT、第一电源线VDD和第二电源线VSS)。
在示例性实施方式中，存储电容C的第一端与第一电源线VDD连接，存储电容C的第二端与第二节点N2连接，即存储电容C的第二端与第三晶体管T3的控制极连接。
第一晶体管T1的控制极与第二扫描信号线S2连接，第一晶体管T1的第一极与初始信号线INIT连接，第一晶体管的第二极与第二节点N2连接。当导通电平扫描信号施加到第二扫描信号线S2时，第一晶体管T1将初始化电压传输到第三晶体管T3的控制极，以使第三晶体管T3的控制极的电荷量初始化。
第二晶体管T2的控制极与第一扫描信号线S1连接，第二晶体管T2的第一极与第二节点N2连接，第二晶体管T2的第二极与第三节点N3连接。当导通电平扫描信号施加到第一扫描信号线S1时，第二晶体管T2使第三晶体管T3的控制极与第二极连接。
第三晶体管T3的控制极与第二节点N2连接，即第三晶体管T3的控制极与存储电容C的第二端连接，第三晶体管T3的第一极与第一节点N1连接，第三晶体管T3的第二极与第三节点N3连接。第三晶体管T3可以称为驱动晶体管，第三晶体管T3根据其控制极与第一极之间的电位差来确定在第一电源线VDD与第二电源线VSS之间流动的驱动电流的量。
第四晶体管T4的控制极与第一扫描信号线S1连接，第四晶体管T4的第一极与数据信号线D连接，第四晶体管T4的第二极与第一节点N1连接。第四晶体管T4可以称为开关晶体管、扫描晶体管等，当导通电平扫描信号施加到第一扫描信号线S1时，第四晶体管T4使数据信号线D的数据电压输入到像素驱动电路。
第五晶体管T5的控制极与发光信号线E连接，第五晶体管T5的第一极与第一电源线VDD连接，第五晶体管T5的第二极与第一节点N1连接。第六晶体管T6的控制极与发光信号线E连接，第六晶体管T6的第一极与第三节点N3连接，第六晶体管T6的第二极与发光器件的第一极连接。第五晶体管T5和第六晶体管T6可以称为发光晶体管。当导通电平发光信号施加到发光信号线E时，第五晶体管T5和第六晶体管T6通过在第一电源线VDD与第二电源线VSS之间形成驱动电流路径而使发光器件发光。
第七晶体管T7的控制极与第一扫描信号线S1连接，第七晶体管T7的第一极与初始信号线INIT连接，第七晶体管T7的第二极与发光器件的第一极连接。当导通电平扫描信号施加到第一扫描信号线S1时，第七晶体管T7将初始化电压传输到发光器件的第一极，以使发光器件的第一极中累积的电荷量初始化或释放发光器件的第一极中累积的电荷量。
在示例性实施方式中，发光器件的第二极与第二电源线VSS连接，第二电源线VSS的信号为低电平信号，第一电源线VDD的信号为持续提供高电平信号。第一扫描信号线S1为本显示行像素驱动电路中的扫描信号线，第二扫描信号线S2为上一显示行像素驱动电路中的扫描信号线，即对于第n显示行，第一扫描信号线S1为S(n)，第二扫描信号线S2为S(n-1)，本显示行的第二扫描信号线S2与上一显示行像素驱动电路中的第一扫描信号线S1为同一信号线，可以减少显示面板的信号线，实现显示面板的窄边框。
在示例性实施方式中，第一晶体管T1到第七晶体管T7可以是P型晶体管，或者可以是N型晶体管。像素驱动电路中采用相同类型的晶体管可以简化工艺流程，减少显示面板的工艺难度，提高产品的良率。在一些可能的实现方式中，第一晶体管T1到第七晶体管T7可以包括P型晶体管和N型晶体管。
在示例性实施方式中，第一扫描信号线S1、第二扫描信号线S2、发光信号线E和初始信号线INIT沿水平方向延伸，第二电源线VSS、第一电源线VDD和数据信号线D沿竖直方向延伸。
在示例性实施方式中，发光器件可以是有机电致发光二极管(OLED)，包括叠设的第一极(阳极)、有机发光层和第二极(阴极)。
图4为一种像素驱动电路的工作时序图。下面通过图3示例的像素驱动电路的工作过程说明本公开示例性实施例，图3中的像素驱动电路包括7个晶体管(第一晶体管T1到第六晶体管T7)、1个存储电容C和7个信号线(数据信号线D、第一扫描信号线S1、第二扫描信号线S2、发光信号线E、初始信号线INIT、第一电源线VDD和第二电源线VSS)，7个晶体管均为P型晶体管。
在示例性实施方式中，像素驱动电路的工作过程可以包括：
第一阶段A1，称为复位阶段，第二扫描信号线S2的信号为低电平信号，第一扫描信号线S1和发光信号线E的信号为高电平信号。第二扫描信号线S2的信号为低电平信号，使第一晶体管T1导通，初始信号线INIT的信号提供至第二节点N2，对存储电容C进行初始化，清除存储电容中原有数据电压。第一扫描信号线S1和发光信号线E的信号为高电平信号，使第二晶体管T2、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7断开，此阶段OLED不发光。
第二阶段A2、称为数据写入阶段或者阈值补偿阶段，第一扫描信号线S1的信号为低电平信号，第二扫描信号线S2和发光信号线E的信号为高电平信号，数据信号线D输出数据电压。此阶段由于存储电容C的第二端为低电平，因此第三晶体管T3导通。第一扫描信号线S1的信号为低电平信号使第二晶体管T2、第四晶体管T4和第七晶体管T7导通。第二晶体管T2和第四晶体管T4导通使得数据信号线D输出的数据电压经过第一节点N1、导通的第三晶体管T3、第三节点N3、导通的第二晶体管T2提供至第二节点N2，并将数据信号线D输出的数据电压与第三晶体管T3的阈值电压之差充入存储电容C，存储电容C的第二端(第二节点N2)的电压为Vd-|Vth|，Vd为数据信号线D输出的数据电压，Vth为第三晶体管T3的阈值电压。第七晶体管T7导通使得初始信号线INIT的初始电压提供至OLED的第一极，对OLED的第一极进行初始化(复位)，清空其内部的预存电压，完成初始化，确保OLED不发光。第二扫描信号线S2的信号为高电平信号，使第一晶体管T1断开。发光信号线E的信号为高电平信号，使第五晶体管T5和第六晶体管T6断开。
第三阶段A3、称为发光阶段，发光信号线E的信号为低电平信号，第一扫描信号线S1和第二扫描信号线S2的信号为高电平信号。发光信号线E的信号为低电平信号，使第五晶体管T5和第六晶体管T6导通，第一电源线VDD输出的电源电压通过导通的第五晶体管T5、第三晶体管T3和第六晶体管T6向OLED的第一极提供驱动电压，驱动OLED发光。
在像素驱动电路驱动过程中，流过第三晶体管T3(驱动晶体管)的驱动电流由其栅电极和第一极之间的电压差决定。由于第二节点N2的电压为Vdata-|Vth|，因而第三晶体管T3的驱动电流为：
I＝K*(Vgs-Vth)2＝K*[(Vdd-Vd+|Vth|)-Vth]2＝K*[(Vdd-Vd]2
其中，I为流过第三晶体管T3的驱动电流，也就是驱动OLED的驱动电流，K为常数，Vgs为第三晶体管T3的栅电极和第一极之间的电压差，Vth为第三晶体管T3的阈值电压，Vd为数据信号线D输出的数据电压，Vdd为第一电源线VDD输出的电源电压。
图5为一种显示基板的平面示意图。如图5所示，在平行于显示基板的平面内，显示基板可以包括显示区域100和位于显示区域100***的非显示区域200。在示例性实施方式中，显示区域100可以包括多个像素单元，称为有效区域(AA)，非显示区域200可以包括电路区210、封装区220和边框区230。在示例性实施方式中，电路区210可以位于显示区域100的***，可以包括相应的驱动电路和信号线等，配置为向显示区域100中的多个像素单元传输驱动信号。封装区220可以位于电路区210的***，可以包括相应的隔离坝，配置为阻隔水汽从边框区230进入显示区域100，隔离坝沿着平行于显示区域边缘的方向延伸，形成环绕显示区域100的环形结构。边框区230可以位于封装区220的***，可以包括裂缝坝和切割槽等结构。
图6为一种显示基板中拉伸孔的平面示意图，为图5中A区域的放大图。如图6所示，显示区域100可以包括以矩阵方式排布的多个像素单元P，多个像素单元P的至少一个可以包括出射第一颜色光线的第一发光单元(子像素)P1、出射第二颜色光线的第二发光单元P2和出射第三颜色光线的第三发光单元P3，每个发光单元包括像素驱动电路和发光器件，像素驱动电路分别与扫描信号线、数据信号线和发光信号线连接，像素驱动电路被配置为在扫描信号线和发光信号线的控制下，接收数据信号线传输的数据电压，向发光器件输出相应的电流，每个发光单元中的发光器件分别与所在发光单元的像素驱动电路连接，发光器件被配置为响应所在发光单元的像素驱动电路输出的电流发出相应亮度的光。在示例性实施方式中，第一发光单元P1可以是红色(R)发光单元，第二发光单元P2可以是蓝色(B)发光单元，第三发光单元P3可以是绿色(G)发光单元。在示例性实施方式中，多个像素单元P的至少一个可以包括四个发光单元，如红色发光单元、绿色发光单元、蓝色发光单元和白色发光单元。在示例性实施方式中，像素单元中发光单元的形状可以是矩形状、菱形、五边形或六边形。像素单元包括三个发光单元时，三个发光单元可以采用水平并列、竖直并列或品字方式排列，像素单元包括四个发光单元时，四个发光单元可以采用水平并列、竖直并列或正方形(Square)方式排列，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，显示区域100和非显示区域的电路区210可以包括多个拉伸孔300，拉伸孔300配置为增加显示基板的可变形量。在垂直于显示基板的平面上，拉伸孔300中的基底和结构膜层被全部去掉，形成通孔结构，或者，拉伸孔300中的基底和结构膜层被部分去掉，形成盲孔结构。在平行于显示基板的平面上，拉伸孔的形状可以是条形状，拉伸孔的形状可以包括如下任意一种或多种：“I”字形、“T”字形、“L”字形和“H”字形，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，显示区域中的多个拉伸孔可以将显示区域分为彼此隔开的多个像素区，显示区域中的多个像素区可以将显示区域分为彼此隔开的多个孔区。每个像素区可以包括一个或多个像素单元，每个像素单元包括3个或4个出射不同颜色光的发光单元，每个孔区可以包括一个或多个拉伸孔。在示例性实施方式中，非显示区域中拉伸孔的设置方式与显示区域中拉伸孔的设置方式基本上近似。
经本申请发明人研究发现，设置拉伸孔的显示基板存在封装失效的问题，在一定程度上是由于拉伸孔内存在无机封装层残留导致的。一种柔性显示基板的制备过程可以包括：在玻璃衬底上依次制备柔性基底、驱动电路层、发光结构层和封装层；然后进行整个显示基板中孔区的刻蚀，去除拉伸孔内所有的结构层；然后通过激光剥离(Laser Lift-Off，简称LLO)工艺，将显示基板与玻璃衬底剥离。图7为一种柔性显示基板剥离的示意图。目前孔区刻蚀工艺中，很难完全刻蚀掉拉伸孔内的结构层，特别是直接沉积在玻璃衬底上的无机封装层，使得拉伸孔底部会残留有部分贴合在玻璃衬底上的无机封装层。如图7所示，在拉伸孔底部残留有部分无机封装层时，由于无机封装层2与玻璃衬底1之间的粘着力较强，因而剥离工艺中存在部分无机封装层2未能与玻璃衬底1分离的情况。当无机封装层未能与玻璃衬底分离时，残留在玻璃衬底上的无机封装层会使封装层出现拉拽裂缝(Crack)，封装层上的裂缝扩展延伸到显示区域，则导致显示基板封装失效。
图8为本公开示例性实施例一种显示基板的结构示意图，示意了显示基板中一个像素区PA和一个孔区HA的剖面结构。如图8所示，在示例性实施方式中，显示基板可以包括像素区PA和孔区HA，像素区PA包括基底和设置在基底上的显示结构层，孔区HA包括基底和设置在基底上的孔结构层，孔区HA还包括至少一个贯通基底和孔结构层的拉伸孔300。在示例性实施方式中，贯通基底和孔结构层的拉伸孔300的内侧侧壁形成内壁，内壁为一种复合结构的内壁，复合结构的内壁包括由无机材料膜层形成的无机材料内壁段和由有机材料膜层形成的有机材料内壁段，在垂直于显示基板的平面内，无机材料内壁段和有机材料内壁段沿着第一方向D1排布，即有机材料内壁段位于拉伸孔300远离孔结构层的一侧，第一方向D1是从基底到显示结构层的方向。
在示例性实施方式中，像素区PA的显示结构层可以包括设置在基底10第一方向D1一侧的驱动电路层102、设置在驱动电路层102第一方向D1一侧的发光结构层103和设置在发光结构层103第一方向D1一侧的封装层104，驱动电路层102可以包括构成像素驱动电路的晶体管101A和存储电容101B，发光结构层103可以包括阳极21、像素定义层22、有机发光层23和阴极24，封装层104可以包括沿第一方向D1叠设的第一封装层31、有机封装层32和第二封装层33。
在示例性实施方式中，孔区HA的孔结构层可以包括复合绝缘层40、有机发光层23、有机发光块301和无机封装层。复合绝缘层40设置在基底10第一方向D1的一侧，基底10和复合绝缘层40上设置有通孔。有机发光层23设置在通孔之外的复合绝缘层40第一方向D1的一侧，有机发光块301设置在通孔内，位于孔结构层中沿着第一方向D1的反方向(即复合绝缘层40到基底10的方向)远离复合绝缘层40的一侧，有机发光块301上设置有发光块孔。无机封装层分别设置在有机发光层23第一方向D1一侧、设置在有机发光块301第一方向D1一侧、以及设置在通孔的内壁上，无机封装层上设置有无机封装孔。
在示例性实施方式中，有机发光块301上设置的发光块孔、无机封装层上设置的无机封装孔以及内壁被无机封装层覆盖的通孔相互连通，一起形成拉伸孔300。
在示例性实施方式中，无机封装孔的内壁以及覆盖通孔内壁的无机封装层组成无机材料内壁段，发光块孔的内壁组成有机材料内壁段。
在示例性实施方式中，无机封装层包括叠设的第一无机封装层41和第二无机封装层42，无机封装孔包括第一无机封装层41上设置的第一封装孔和第二无机封装层42上设置的第二封装孔，第一封装孔和第二封装孔相互连通。在示例性实施方式中，有机发光块301上设置的发光块孔、第一无机封装层41上设置的第一封装孔、第二无机封装层42上设置的第二封装孔、以及被第一无机封装层41和第二无机封装层42覆盖的通孔相互连通，一起形成拉伸孔300。第一封装孔的内壁、第二封装孔的内壁以及覆盖通孔的第二无机封装层组成无机材料内壁段，发光块孔的内壁组成有机材料内壁段。
在示例性实施方式中，孔结构层可以包括阴极24和阴极块302，阴极24设置在通孔之外的有机发光层23第一方向D1的一侧，阴极块302设置在通孔内的有机发光块301第一方向D1的一侧，阴极块302上设置的阴极块孔，阴极块孔与无机封装孔和发光块孔相互连通。阴极块孔的内壁组成导电材料内壁段，沿着第一方向D1，导电材料内壁段位于无机材料内壁段和有机材料内壁段之间。
在示例性实施方式中，孔结构层的有机发光块301与发光结构层的有机发光层23同层设置，材料相同，且通过同一次工艺同时形成。孔结构层的阴极块302与发光结构层的阴极24同层设置，材料相同，且通过同一次工艺同时形成。孔结构层的第一无机封装层41与封装层的第一封装层31同层设置，材料相同，且通过同一次工艺同时形成。第二无机封装层42与封装层的第二封装层33同层设置，材料相同，且通过同一次工艺同时形成。
在示例性实施方式中，像素区PA的驱动电路层102可以包括：设置在基底10上的有源层，覆盖有源层的第一绝缘层11，设置在第一绝缘层11上的栅电极和第一电容电极，覆盖栅电极和第一电容电极的第二绝缘层12，设置在第二绝缘层12上的第二电容电极，覆盖第二电容电极的第三绝缘层13，设置在第三绝缘层13上的源电极和漏电极，覆盖源电极和漏电极的平坦层14。有源层、栅电极、源电极和漏电极组成晶体管101A，第一电容电极和第二电容电极组成存储电容101B。
在示例性实施方式中，基底10可以包括第一柔性层、设置在第一柔性层第一方向D1一侧的第一无机层、设置在第一无机层第一方向D1一侧的第二柔性层以及设置在第二柔性层第一方向D1一侧的第二无机层，孔区HA的基底10上设置有基底孔。孔区HA的复合绝缘层40包括在基底10上叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层12和第三绝缘层13，复合绝缘层上设置有复合绝缘孔。在示例性实施方式中，前述的通孔包括相互连通的基底孔和复合绝缘孔。
在示例性实施方式中，显示基板可以包括显示区域和非显示区域，非显示区域可以包括电路区、封装区和边框区。图8所示的拉伸孔可以是显示区域的拉伸孔，或者可以是非显示区域的拉伸孔，拉伸孔可以包括如下任意一种或多种：位于显示区域的拉伸孔、位于电路区的拉伸孔、位于封装区的拉伸孔和位于边框区的拉伸孔。
在示例性实施方式中，在平行于显示基板的平面内，非显示区域中拉伸孔的宽度可以大于显示区域中拉伸孔的宽度，拉伸孔的宽度是指垂直于条形状拉伸孔延伸方向的尺寸。
在示例性实施方式中，显示区域中拉伸孔的宽度可以约为5μm至15μm，非显示区域中拉伸孔的宽度可以约为20μm至40μm。例如，显示区域中拉伸孔的宽度可以约为10μm，非显示区域中拉伸孔的宽度可以约为30μm。
在示例性实施方式中，在平行于显示基板的平面内，显示区域和非显示区域中拉伸孔的形状可以相同，或者，显示区域中拉伸孔的形状可以不同于非显示区域中拉伸孔的形状。例如，显示区域中拉伸孔的形状可以为“I”字形，非显示区域中拉伸孔的形状可以为“H”字形，本公开在此不做限定。
下面通过显示基板的制备过程进行示例性说明。本公开所说的“图案化工艺”，对于金属材料、无机材料或透明导电材料，包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，对于有机材料，包括涂覆有机材料、掩模曝光和显影等处理。沉积可以采用溅射、蒸镀、化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂、旋涂和喷墨打印中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种，本公开不做限定。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积、涂覆或其它工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需图案化工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”需图案化工艺，则在图案化工艺前称为“薄膜”，图案化工艺后称为“层”。经过图案化工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次图案化工艺同时形成，膜层的“厚度”为膜层在垂直于显示基板方向上的尺寸。本公开示例性实施例中，“A的正投影包含B的正投影”，是指B的正投影的边界落入A的正投影的边界范围内，或者A的正投影的边界与B的正投影的边界重叠。
在示例性实施方式中，显示基板的制备过程可以包括如下操作，显示基板以包括一个子像素的像素区PA和包括一个拉伸孔的孔区HA为例来示意性，子像素的像素驱动电路以包括一个晶体管和存储电容为例来示意。
(1)形成基底图案。本公开示例性实施例中，基底可以是柔性基底，包括在玻璃载板1上叠设的第一柔性层、第一无机层、第二柔性层和第二无机层。在示例性实施方式中，形成基底图案可以包括：先在玻璃载板1上涂布第一柔性薄膜，固化成膜后形成第一柔性层10A；随后沉积第一无机薄膜，通过图案化工艺对第一无机薄膜进行图案化，形成第一无机层10B，HA区的第一无机层10B形成有第一无机孔；随后涂布第二柔性薄膜，固化成膜后形成第二柔性层10C；随后沉积第二无机薄膜，形成第二无机层10D，完成基底10的制备，如图9所示。
在示例性实施方式中，第一柔性层和第二柔性层的材料可以采用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料，第一无机层和第二无机层的材料可以采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等，第一无机层和第二无机层可以称为阻挡(Barrier)层或缓冲(Buffer)层。
本次工艺后，PA区和HA区包括基底10，HA区的第一无机层10B设置有第一无机孔。
(2)在基底上形成驱动电路层图案。在示例性实施方式中，驱动电路层可以包括构成像素驱动电路的晶体管和存储电容。在示例性实施方式中，形成驱动电路层图案可以包括：
在基底10上沉积半导体薄膜，通过图案化工艺对半导体薄膜进行图案化，在基底10上形成半导体层图案，半导体层图案形成在PA区，至少包括有源层51。本次工艺后，HA区的半导体薄膜被刻蚀掉，暴露出基底10，即HA区包括基底10。
随后，依次沉积第一绝缘薄膜和第一金属薄膜，通过图案化工艺对第一金属薄膜进行图案化，形成覆盖半导体层图案的第一绝缘层11，以及设置在第一绝缘层11上的第一金属层图案，第一金属层图案形成在PA区，至少包括栅电极52和第一电容电极61，栅电极52在基底上的正投影位于有源层51在基底上的正投影的范围之内。本次工艺后，HA区的第一金属薄膜被刻蚀掉，保留第一绝缘层11，即HA区包括基底10和设置在基底10上的第一绝缘层11。
随后，依次沉积第二绝缘薄膜和第二金属薄膜，通过图案化工艺对第二金属薄膜进行图案化，形成覆盖第一金属层图案的第二绝缘层12，以及设置在第二绝缘层12上的第二金属层图案，第二金属层图案形成在PA区，至少包括第二电容电极62，第二电容电极62的位置与第一电容电极61的位置相对应。本次工艺后，HA区的第二金属薄膜被刻蚀掉，保留第二绝缘层12，即HA区包括基底10、设置在基底10上的第一绝缘层11以及设置在第一绝缘层11上的第二绝缘层12。
随后，沉积第三绝缘薄膜，通过图案化工艺对第三绝缘薄膜进行图案化，形成覆盖第二金属层图案的第三绝缘层13，PA区形成有有源过孔，HA区形成有通孔400。PA区中二个有源过孔的位置分别位于有源层51的两端，有源过孔内的第三绝缘层13、第二绝缘层12和第一绝缘层11被刻蚀掉，分别暴露出有源层51的表面。HA区中通孔400内的第三绝缘层13、第二绝缘层12、第一绝缘层11、第二无机层10D、第二柔性层10C和第一柔性层10A被去掉，暴露出玻璃衬底1的表面，通孔400包括第一无机孔。本次工艺后，HA区包括基底10和设置在基底10上的复合绝缘层40，通孔400贯通基底10和复合绝缘层，复合绝缘层40包括叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层12和第三绝缘层13。
随后，沉积第三金属薄膜，通过图案化工艺对第三金属薄膜进行图案化，在第三绝缘层13上形成第三金属层图案，第三金属层图案形成在PA区，至少包括源电极53和漏电极54，源电极53和漏电极54分别通过有源过孔与有源层51连接。本次工艺后，HA区的第三金属薄膜被刻蚀掉，HA区的结构与前一工艺后的结构相同。
随后，沉积平坦薄膜，通过图案化工艺对平坦薄膜进行图案化，在PA区形成覆盖第三金属层图案的平坦层14，平坦层14上开设有阳极过孔图案，阳极过孔内的平坦层14被去掉，暴露出漏电极54的表面。本次工艺后，HA区的平坦薄膜被去掉，HA区的结构与前一工艺后的结构相同。
至此，在PA区的制备完成设置在基底10上的驱动电路层102图案，如图10所示。在示例性实施方式中，有源层51、栅电极52、源电极53和漏电极54组成晶体管101A，第一电容电极61和第二电容电极62组成存储电容101B。在示例性实施方式中，晶体管可以是像素驱动电路中的驱动晶体管，驱动晶体管可以是薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)。
在示例性实施方式中，HA区的通孔400是由多个设置有开口的膜层组成，多个膜层可以划分为无机材料膜层和有机材料膜层。无机材料膜层可以包括第一无机层10B、第二无机层10D、第一绝缘层11、第二绝缘层12和第三绝缘层13，多个无机材料膜层上开口的宽度L1基本上相同。有机材料膜层可以包括第一柔性层10A和第二柔性层10C，多个有机材料膜层上开口的宽度L2基本上相同。在示例性实施方式中，由于刻蚀因素，无机材料膜层上开口的宽度L1小于有机材料膜层上开口的宽度L2，即有机材料膜层上开口在显示基板平面上的正投影包含无机材料膜层上开口在显示基板平面上的正投影，使得通孔400的内壁为凹凸结构。在示例性实施方式中，宽度L2与宽度L1之差可以约为0.6μm至1.4μm，即在通孔400的一侧，有机材料膜层上开口的内壁相对于无机材料膜层上开口的内壁凸出0.3μm至0.7μm。
在示例性实施方式中，第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第一绝缘层和第二绝缘层称为(GI)层，第三绝缘层称为层间绝缘(ILD)层。平坦薄膜可以采用有机材料，如树脂等。第一金属薄膜、第二金属薄膜和第三金属薄膜可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等。有源层薄膜可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩、聚噻吩等各种材料，即本公开适用于基于氧化物Oxide技术、硅技术以及有机物技术制造的晶体管。
在示例性实施方式中，驱动电路层102可以包括第四绝缘层，第四绝缘层可以覆盖第三金属层图案，平坦层设置在第四绝缘层上，第四绝缘层称为钝化(PVX)层。
(3)形成阳极图案。在示例性实施方式中，形成阳极图案可以包括：在形成前述图案的基底上沉积导电薄膜，通过图案化工艺对导电薄膜进行图案化，形成阳极21图案，阳极21形成在PA区，阳极21通过阳极过孔与晶体管210的漏电极连接，如图11所示。本次工艺后，沉积在HA区的导电薄膜被刻蚀掉，HA区的结构与前一工艺后的结构相同。
在示例性实施方式中，导电薄膜可以采用金属材料或者透明导电材料，金属材料可以包括银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，透明导电材料可以包括氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。在示例性实施方式中，导电薄膜可以是单层结构，或者是多层复合结构，如ITO/Al/ITO等。
(5)形成像素定义层图案。在示例性实施方式中，形成像素定义层图案可以包括：在形成前述图案的基底上涂覆像素定义薄膜，通过图案化工艺对像素定义薄膜进行图案化，形成像素定义(PDL)层22图案，像素定义层22图案形成在PA区，其上开设有像素开口，像素开口内的像素定义层被去掉，暴露出阳极21的表面，如图12所示。本次工艺后，涂覆在HA区的像素定义薄膜被去掉，HA区的结构与前一工艺后的结构相同。
在示例性实施方式中，像素定义层可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等。在平行于显示基板的平面内，像素开口的形状可以是三角形、矩形、多边形、圆形或椭圆形等。在垂直于显示基板的平面内，像素开口的截面形状可以是矩形或者梯形等。
(6)形成有机发光层图案。在示例性实施方式中，形成有机发光层图案可以包括：在形成前述图案的基底上，通过蒸镀方式或喷墨打印方式形成有机发光层23和有机发光块301图案。位于PA区的有机发光层23通过像素开口与阳极21连接，位于HA区的有机发光层23设置在通孔400之外的第三绝缘层13上。有机发光块301位于HA区，有机发光块301形成在通孔400内的玻璃载板1上，即有机发光块301位于通孔400中远离复合绝缘层40的一侧，或者有机发光块301位于复合绝缘层40到基底10的方向的一侧，如13所示。
在示例性实施例中，有机发光层23和有机发光块301同层设置，材料相同，且通过同一次工艺形成。
在示例性实施方式中，由于通孔400的内壁为凹凸结构，无机材料膜层凸出有机材料膜层一段距离，因而有机发光材料在通孔400的内壁处断开，在通孔400底部的玻璃载板1上形成有机发光块301，在通孔400以外区域形成有机发光层23，使得HA区中的有机发光块301与有机发光层23的相互隔离设置。
在示例性实施方式中，通过蒸镀工艺和喷墨打印工艺，可以使得形成在通孔400底部的有机发光块301的宽度L3约等于无机材料膜层上开口的宽度L1，即有机发光块301在基底上的正投影与无机材料膜层上开口在基底上的正投影基本上相等。在示例性实施方式中，通过喷墨打印工艺中液滴的流动效应，可以使得形成在通孔400底部的有机发光块301的宽度L3稍大于无机材料膜层上开口的宽度L1，本公开在此不做限定。
一种显示基板中，通常是在显示区域蒸镀有机发光材料，非显示区域不蒸镀有机发光材料，而蒸镀在显示区域的有机发光材料通常是蒸镀在像素区，显示区域的部分孔区也没有蒸镀有机发光材料。由于显示基板的部分孔区没有形成有机发光材料，因而后续形成的无机封装层直接沉积在通孔底部的玻璃衬底上，导致剥离工艺中存在部分无机封装层未能与玻璃衬底分离的情况。本公开示例性实施例中，通过在显示区域和非显示区域的通孔内形成有机发光块，使得后续形成的无机封装层形成在有机发光块上，由于有机发光材料与玻璃衬底容易分离，因而有效避免了显示基板和玻璃载板剥离过程中膜层不能剥离的情况。
在示例性实施方式中，形成有机发光块的通孔可以是如下任意一种或多种：显示区域中的通孔，电路区中的通孔，封装区中的通孔，以及边框区中的通孔。例如，通过修改蒸镀中使用的精细金属掩膜板，在显示区域、电路区、封装区和边框区中通孔所在位置均设置蒸镀开口，使有机发光材料蒸镀在相应通孔内，在通孔底部的玻璃载板上形成有机发光块。
在示例性实施方式中，可以设置非显示区域中通孔的宽度大于显示区域中通孔的宽度，使得非显示区域的通孔中可以形成尺寸较大的有机发光块，进一步避免显示基板和玻璃载板剥离过程中膜层不能剥离的情况。
在示例性实施方式中，显示区域中通孔的宽度可以约为10μm至20μm，非显示区域中通孔的宽度可以约为25μm至45μm。
在示例性实施方式中，在平行于显示基板的平面内，显示区域和非显示区域中通孔的形状可以相同，或者，显示区域中通孔的形状可以不同于非显示区域中通孔的形状，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，有机发光层可以包括发光层(Emitting Layer，简称EML)，以及如下任意一种或多种：空穴注入层(Hole Injection Layer，简称HIL)、空穴传输层(Hole Transport Layer，简称HTL)、电子阻挡层(Electron Block Layer，简称EBL)、空穴阻挡层(Hole Block Layer，简称HBL)、电子传输层(Electron Transport Layer，简称ETL)和电子注入层(Electron Injection Layer，简称EIL)。在示例性实施方式中，有机发光层可以通过采用精细金属掩模版(Fine Metal Mask，简称FMM)或者开放式掩膜版(OpenMask)蒸镀制备形成，或者采用喷墨工艺制备形成。
在示例性实施方式中，可以采用如下制备方法制备有机发光层。先采用开放式掩膜版依次蒸镀空穴注入层和空穴传输层，在显示基板上形成空穴注入层和空穴传输层的共通层。随后，采用精细金属掩模版在红色子像素蒸镀电子阻挡层和红色发光层，在绿色子像素蒸镀电子阻挡层和绿色发光层，在蓝色子像素蒸镀电子阻挡层和蓝色发光层，相邻子像素的电子阻挡层和发光层可以有少量的交叠(例如，交叠部分占各自发光层图案的面积小于10％)，或者可以是隔离的。随后，采用开放式掩膜版依次蒸镀空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层，在显示基板上形成空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层的共通层。
在示例性实施方式中，电子阻挡层可以作为发光器件的微腔调节层，通过设计电子阻挡层的厚度，可以使得阴极和阳极之间有机发光层的厚度满足微腔长度的设计。在一些示例性实施方式中，可以采用有机发光层中的空穴传输层、空穴阻挡层或电子传输层作为发光器件的微腔调节层，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，发光层可以包括主体(Host)材料和掺杂在主体材料中的客体(Dopant)材料，发光层客体材料的掺杂比例为1％至20％。在该掺杂比例范围内，一方面发光层主体材料可将激子能量有效转移给发光层客体材料来激发发光层客体材料发光，另一方面发光层主体材料对发光层客体材料进行了“稀释”，有效改善了发光层客体材料分子间相互碰撞、以及能量间相互碰撞引起的荧光淬灭，提高了发光效率和器件寿命。在示例性实施方式中，掺杂比例是指客体材料的质量与发光层的质量之比，即质量百分比。在示例性实施方式中，可以通过多源蒸镀工艺共同蒸镀主体材料和客体材料，使主体材料和客体材料均匀分散在发光层中，可以在蒸镀过程中通过控制客体材料的蒸镀速率来调控掺杂比例，或者通过控制主体材料和客体材料的蒸镀速率比来调控掺杂比例。在示例性实施方式中，发光层的厚度可以约为10nm至50nm。
在示例性实施方式中，空穴注入层可以采用无机的氧化物，如钼氧化物、钛氧化物、钒氧化物、铼氧化物、钌氧化物、铬氧化物、锆氧化物、铪氧化物、钽氧化物、银氧化物、钨氧化物或锰氧化物，或者可以采用强吸电子体系的p型掺杂剂和空穴传输材料的掺杂物。在示例性实施方式中，空穴注入层的厚度可以约为5nm至20nm。
在示例性实施方式中，在示例性实施方式中，空穴传输层可以采用空穴迁移率较高的材料，如芳胺类化合物，其取代基团可以是咔唑、甲基芴、螺芴、二苯并噻吩或呋喃等。在示例性实施方式中，空穴传输层的厚度可以约为40nm至150nm。
在示例性实施方式中，空穴阻挡层和电子传输层可以采用芳族杂环化合物，例如苯并咪唑衍生物、咪唑并吡啶衍生物、苯并咪唑并菲啶衍生物等咪唑衍生物；嘧啶衍生物、三嗪衍生物等嗪衍生物；喹啉衍生物、异喹啉衍生物、菲咯啉衍生物等包含含氮六元环结构的化合物(也包括在杂环上具有氧化膦系的取代基的化合物)等。在示例性实施方式中，空穴阻挡层的厚度可以约为5nm至15nm，电子传输层的厚度可以约为20nm至50nm。
在示例性实施方式中，电子注入层可以采用碱金属或者金属，例如氟化锂(LiF)、镱(Yb)、镁(Mg)或钙(Ca)等材料，或者这些碱金属或者金属的化合物等。在示例性实施方式中，电子注入层的厚度可以约为0.5nm至2nm。
(7)形成阴极图案。在示例性实施方式中，形成阴极图案可以包括：在形成前述图案的基底上，通过蒸镀方式形成阴极24和阴极块302图案。位于PA区的阴极24设置在有机发光层23上，位于HA区的阴极24设置在通孔400之外的有机发光层23上，阴极块302形成在HA区，阴极块302形成在通孔400内的有机发光块301上，如14所示。
在示例性实施例中，阴极24和阴极块302同层设置，材料相同，且通过同一次工艺形成。
在示例性实施方式中，阴极24可以是连通在一起的整体结构。在示例性实施方式中，由于拉伸孔300的内壁为凹凸结构，无机材料膜层凸出有机材料膜层一段距离，因而阴极材料在通孔400的内壁处断开，在通孔400底部的有机发光块301上形成阴极块302，在通孔400以外区域的有机发光层23上形成阴极24，使得HA区中的阴极块302与阴极24的相互隔离设置。
在示例性实施方式中，阴极块302的宽度可以等于有机材料膜层上开口的宽度L2，即阴极块302的宽度可以等于有机发光块301的宽度。
一种显示基板中，通常是在显示区域和非显示区域的电路区蒸镀阴极材料，非显示区域的封装区和边框区不蒸镀阴极材料，因而显示基板中一部分通孔内形成有阴极块，另一部分通孔内没有形成阴极块。在示例性实施方式中，形成阴极块302的通孔可以是如下任意一种或多种：显示区域中的通孔，电路区中的通孔，封装区中的通孔，以及边框区中中的通孔，本公开在此不做限定。
至此，在PA区的驱动结构层102上制备完成发光结构层103图案，发光结构层103包括阳极、像素定义层、有机发光层和阴极，有机发光层分别与阳极和阴极连接。
(8)形成封装层图案。示例性实施方式中，形成封装层图案可以包括：先利用开放式掩膜板采用沉积方式沉积第一封装薄膜，在PA区形成第一封装层31，在HA区形成第一无机封装层41。随后，利用喷墨打印工艺在PA区的第一封装层31上喷墨打印有机封装材料，固化成膜后，形成有机封装层32。随后，利用开放式掩膜板沉积第二封装薄膜，在PA区形成第二封装层33，在HA区形成第二无机封装层42，PA区的第一封装层31、有机封装层32和第二封装层33组成封装层，HA区的第一无机封装层41和第二无机封装层42组成无机封装层，如15所示。
在示例性实施例中，第一封装层31和第一无机封装层41同层设置，材料相同，且通过同一次工艺形成，第二封装层33和第二无机封装层42同层设置，材料相同，且通过同一次工艺形成。
在示例性实施例中，HA区形成的无机封装层为整体结构，覆盖通孔400暴露的表面，即无机封装层覆盖在通孔400的凹凸内壁，覆盖通孔400底部的有机发光块301和阴极块302，覆盖通孔400底部暴露出的玻璃衬底1。
在示例性实施例中，第一封装薄膜和第二封装薄膜可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或多种，可以是单层、多层或复合层，有机封装材料可以采用树脂材料，在PA区形成无机材料/有机材料/无机材料的叠层结构，有机材料层设置在两个无机材料层之间，在HA区形成无机材料/无机材料的叠层结构，可以保证外界水汽无法进入发光结构层。
至此，在PA区的发光结构层103上制备完成封装层104图案，在HA区制备完成孔结构层，封装层104可以包括叠设的第一封装层、有机封装层和第二封装层，孔结构层可以包括复合绝缘层40、有机发光层23、阴极24、有机发光块301、阴极块302和无机封装层，无机封装层包括第一无机封装层41和第二无机封装层42。
在示例性实施方式中，HA区的复合绝缘层40设置在基底10远离玻璃衬底1(第一方向D1)的一侧，基底10和复合绝缘层40上设置有通孔。HA区的有机发光层23设置在通孔之外的复合绝缘层40远离玻璃衬底1的一侧，HA区的阴极24设置在通孔之外的有机发光层23远离玻璃衬底1的一侧。有机发光块301设置在通孔底部的玻璃衬底1上，阴极块302设置在通孔底部的有机发光块301远离玻璃衬底1的一侧。第一无机封装层41分别覆盖有机发光层23和阴极24、覆盖通孔的内壁、覆盖通孔底部的有机发光块301和阴极块302、覆盖通孔底部暴露出的玻璃衬底1，第二无机封装层42覆盖第一无机封装层41。
在示例性实施方式中，制备完成封装层后，可以在PA区的封装层上形成触摸结构层(TSP)，触摸结构层可以包括触控电极层，或者包括触控电极层和触控绝缘层，本公开在此不作限定。
(9)形成拉伸孔图案。在示例性实施方式中，形成拉伸孔图案可以包括：在形成前述图案的基底上涂覆光刻胶，通过掩膜、曝光和显影形成光刻胶图案，通过刻蚀工艺对通孔400底部的膜层进行刻蚀，形成拉伸孔300图案，图16所示。
在示例性实施方式中，由于有机发光块301和阴极块302的宽度约等于无机材料膜层上开口的宽度L1，而无机封装层覆盖通孔400的内壁，刻蚀工艺基本上是沿着覆盖通孔400内壁的无机封装层的表面进行刻蚀，因而最终刻蚀形成的拉伸孔300的宽度M小于无机材料膜层上开口的宽度L1，即拉伸孔300的宽度M小于有机发光块301和阴极块302的宽度L1。这样，刻蚀形成拉伸孔300后，拉伸孔300的内壁可以包含由有机发光块301形成的有机材料内壁段、由阴极块302形成的导电材料内壁段和由无机封装层形成的无机材料内壁段，导电材料内壁段位于无机材料内壁段邻近玻璃衬底1的一侧，有机材料内壁段位于导电材料内壁段邻近玻璃衬底1的一侧。
在示例性实施方式中，通过刻蚀工艺形成拉伸孔300可以理解为是在无机封装层上开设无机封装孔、在阴极块302上开设阴极块孔、在有机发光块301上开设发光块孔，无机封装孔、阴极块孔和发光块孔相互连通，且与内壁被无机封装层覆盖的通孔连通，发光块孔、阴极块孔、无机封装孔和内壁被无机封装层覆盖的通孔一起构成拉伸孔300。无机封装层可以包括叠设的第一无机封装层41和第二无机封装层42，无机封装孔可以包括第一无机封装层41上设置的第一封装孔和第二无机封装层42上设置的第二封装孔，第一封装孔和第二封装孔相互连通。在示例性实施方式中，第一封装孔的内壁、第二封装孔的内壁以及覆盖通孔的第二无机封装层组成无机材料内壁段，阴极块孔的内壁形成导电材料内壁段，发光块孔的内壁形成有机材料内壁段。
在示例性实施方式中，在通孔内没有形成阴极块时，拉伸孔的内壁可以不包含导电材料内壁，有机材料内壁段位于无机材料内壁段邻近玻璃衬底的一侧。
在示例性实施方式中，在平行于显示基板的平面内，非显示区域中拉伸孔的宽度可以大于显示区域中拉伸孔的宽度，拉伸孔的宽度是指垂直于条形状拉伸孔延伸方向的尺寸。显示区域中拉伸孔的宽度可以约为5μm至15μm，非显示区域中拉伸孔的宽度可以约为20μm至40μm。例如，显示区域中拉伸孔的宽度可以约为10μm，非显示区域中拉伸孔的宽度可以约为30μm。
(10)剥离显示载板。在示例性实施方式中，剥离显示载板可以包括：通过激光剥离工艺将显示基板与玻璃衬底剥离。
本公开示例性实施例在通孔内形成有机发光块，使得后续形成的无机封装层形成在有机发光块上，在刻蚀形成拉伸孔时，即使拉伸孔底部的无机封装层未被完全刻蚀掉，残留有部分无机封装层，但残留的无机封装层是设置在有机发光块上，由于有机发光材料与玻璃衬底之间的粘着力较弱，因而激光剥离工艺中有机发光材料很容易与玻璃衬底分离。
在示例性实施方式中，在制备柔性显示基板时，显示基板的制备过程还可以包括贴附背膜、切割等工艺，本公开在此不作限定。
通过本公开示例性实施例显示基板的结构及其制备过程可以看出，本公开示例性实施例通过在拉伸孔内形成有机发光块，使得后续形成的无机封装层设置在有机发光块上，不仅避免了显示基板的膜层不能与玻璃衬底分离的情况，而且避免了无机封装层出现拉拽裂缝，有效保证了显示基板的封装效果。
图17为本公开示例性实施例另一种显示基板的结构示意图，示意了显示基板中一个像素区PA和一个孔区HA的剖面结构。在示例性实施方式中，本示例性实施例的结构与图8所示结构相近似，所不同的是，本示例性实施例中孔区HA的孔结构层包括有机材料块303，有机材料块303上设置有材料块孔，材料块孔的内壁组成有机材料内壁段。
如图17所示，孔区HA的孔结构层可以包括复合绝缘层40、有机材料块303和无机封装层，有机材料块303设置在通孔内，位于孔结构层中沿着复合绝缘层40到基底10的方向远离复合绝缘层40的一侧，有机材料块303上设置有材料块孔。无机封装层分别设置在通孔之外的复合绝缘层40上、设置在通孔内的有机材料块303上、以及设置在通孔的内壁上，无机封装层上设置有无机封装孔。
在示例性实施方式中，有机材料块303上设置的材料块孔、无机封装层上设置的无机封装孔以及内壁被无机封装层覆盖的通孔相互连通，一起形成拉伸孔300。无机封装孔的内壁以及覆盖通孔内壁的无机封装层组成无机材料内壁段，材料块孔的内壁组成有机材料内壁段。
在示例性实施方式中，通孔内的有机材料块303是单独制备的，有机材料块303的材料可以采用小分子有机材料，如4,4'-N,N'-二咔唑基联苯等。
在示例性实施方式中，基底、像素区PA的显示结构层、孔区HA的复合绝缘层40和无机封装层的结构与前述实施例近似，这里不再赘述。
在示例性实施方式中，本示例性实施例的制备过程与前述实施例的制备过程近似，所不同的是：在形成像素定义层图案图案后，采用喷墨打印方式在显示基板的所有孔区喷涂小分子有机材料，在通孔底部的玻璃载板上形成有机材料块303，即有机材料块303位于通孔中远离复合绝缘层40的一侧，有机材料块303的厚度可以约为50nm至350nm。在通孔内形成有机材料块303后，再进行有机发光层、阴极和封装层等制备。也就是说，本示例性实施例的制备过程增加了一个单独在通孔内形成有机材料块的步骤。这样，可以不用改变蒸镀有机发光层中使用的精细金属掩膜板，可以节省修改精细金属掩膜板的高费用。
本公开示例性实施例在通孔内形成有机材料块，使得后续形成的无机封装层形成在有机材料块上，在刻蚀形成拉伸孔时，即使拉伸孔底部的无机封装层未被完全刻蚀掉，残留有部分无机封装层，但残留的无机封装层是设置在有机材料块上，由于小分子有机材料与玻璃衬底之间的粘着力较弱，因而激光剥离工艺中有机材料很容易与玻璃衬底分离，不仅避免了显示基板的膜层不能与玻璃衬底分离的情况，而且避免了无机封装层出现拉拽裂缝，有效保证了显示基板的封装效果。
图18为本公开示例性实施例又一种显示基板的结构示意图，示意了显示基板中一个像素区PA和一个孔区HA的剖面结构。在示例性实施方式中，本示例性实施例的结构与图8所示结构相近似，所不同的是，本示例性实施例中孔区HA的孔结构层包括有机发光块301和有机材料块303，有机发光块301设置在有机材料块303上，有机发光块301上设置有发光块孔，有机材料块303上设置有材料块孔，发光块孔的内壁和材料块孔的内壁组成有机材料内壁段。
如图18所示，孔区HA的孔结构层可以包括复合绝缘层40、有机发光层23、有机材料块303、有机发光块301和无机封装层，有机材料块303设置在通孔内，位于孔结构层中沿着复合绝缘层40到基底10的方向远离复合绝缘层40的一侧，有机材料块303上设置有材料块孔。有机发光块301设置在通孔内的有机材料块303上，有机发光块301上设置有发光块孔。无机封装层分别设置在通孔之外的有机发光层23上、设置在通孔内的有机发光块301上、以及设置在通孔的内壁上，无机封装层上设置有无机封装孔。
在示例性实施方式中，有机材料块303上设置的材料块孔、有机发光块301上设置的发光块孔、无机封装层上设置的无机封装孔以及内壁被无机封装层覆盖的通孔相互连通，一起形成拉伸孔300。无机封装孔的内壁以及覆盖通孔内壁的无机封装层组成无机材料内壁段，发光块孔的内壁和材料块孔的内壁组成有机材料内壁段。
在示例性实施方式中，通孔内的有机材料块303是单独制备的，有机材料块303的材料可以采用小分子有机材料，如4,4'-N,N'-二咔唑基联苯等。
在示例性实施方式中，基底、像素区PA的显示结构层、孔区HA的复合绝缘层40和无机封装层的结构与前述实施例近似，这里不再赘述。
在示例性实施方式中，本示例性实施例的制备过程与前述实施例的制备过程近似，所不同的是：在形成像素定义层图案图案后，采用喷墨打印方式在显示基板的所有孔区喷涂小分子有机材料，在通孔底部的玻璃载板上形成有机材料块303，即有机材料块303位于通孔中远离复合绝缘层40的一侧，有机材料块303的厚度可以约为50nm至350nm。随后，通过蒸镀方式或喷墨打印方式形成有机发光层23和有机发光块301图案，有机发光块301形成在通孔内的有机材料块303上。随后，进行阴极和封装层等制备。
本公开示例性实施例在通孔内形成有机材料块和有机发光块，使得后续形成的无机封装层形成在有机材料块和有机发光块上，在刻蚀形成拉伸孔时，即使拉伸孔底部的无机封装层未被完全刻蚀掉，残留有部分无机封装层，但残留的无机封装层是设置在有机材料块和有机发光块上，由于小分子有机材料与玻璃衬底之间的粘着力较弱，因而激光剥离工艺中有机材料很容易与玻璃衬底分离，不仅避免了显示基板的膜层不能与玻璃衬底分离的情况，而且避免了无机封装层出现拉拽裂缝，有效保证了显示基板的封装效果。
图19为本公开示例性实施例又一种显示基板的结构示意图，示意了显示基板中一个像素区PA和一个孔区HA的剖面结构。如图19所示，在示例性实施方式中，显示基板可以包括像素区PA和孔区HA，像素区PA包括基底和设置在基底上的显示结构层，孔区HA包括基底和设置在基底上的孔结构层，孔区HA还包括至少一个贯通基底和孔结构层的拉伸孔300。在示例性实施方式中，贯通基底和孔结构层的拉伸孔300的内壁为一种复合结构的内壁，复合结构的内壁包括由无机材料膜层形成的无机材料内壁段和由有机材料膜层形成的有机材料内壁段，在垂直于显示基板的平面内，无机材料内壁段和有机材料内壁段沿着第一方向D1排布。
在示例性实施方式中，像素区PA的显示结构层与前述实施例基本上近似。孔区HA的孔结构层可以包括复合绝缘层40和无机封装层。复合绝缘层40设置在基底10第一方向D1的一侧，基底10中的第一柔性层10A上设置有第一柔性孔，基底10中的其它膜层和复合绝缘层40上设置有盲孔，无机封装层覆盖盲孔的内壁和第一柔性层10A，无机封装层上设置有无机封装孔。
在示例性实施方式中，第一柔性孔、无机封装孔以及内壁被无机封装层覆盖的盲孔相互连通，一起形成拉伸孔300。
在示例性实施方式中，无机封装孔的内壁以及覆盖通孔内壁的无机封装层组成无机材料内壁段，第一柔性孔的内壁形成有机材料内壁段。
在示例性实施方式中，本示例性实施例显示基板的制备过程包括如下操作。
(11)形成基底图案的过程与前述实施例相同。
(12)在基底上形成驱动电路层图案的过程中，形成半导体层、第一绝缘层11、第一金属层、第二绝缘层12、第二金属层、第三金属层和平坦层14的过程与前述实施例相同，与前述实施例不同的是，形成第三绝缘层13过程中，HA区形成有盲孔500，盲孔500内的第三绝缘层13、第二绝缘层12、第一绝缘层11、第二无机层、第二柔性层和第一无机层被去掉，暴露出第一柔性层10A的表面，即本次工艺中保留第一柔性层10A，如图20所示，图20仅示意出孔区的结构。
在示例性实施方式中，HA区的盲孔500是由多个设置有开口的膜层组成，多个膜层可以划分为无机材料膜层和有机材料膜层。无机材料膜层可以包括第一无机层10B、第二无机层10D、第一绝缘层11、第二绝缘层12和第三绝缘层13，多个无机材料膜层上开口的宽度L1基本上相同。有机材料膜层可以包括第二柔性层10C，有机材料膜层上开口在显示基板平面上的正投影包含无机材料膜层上开口在显示基板平面上的正投影，使得盲孔500的内壁为凹凸结构。
在示例性实施方式中，盲孔可以是如下任意一种或多种：显示区域中的盲孔，电路区中的盲孔，封装区中的盲孔，以及边框区中的盲孔。
(13)形成阳极、像素定义层、有机发光层、阴极和封装层图案的过程与前述实施例基本上近似，所不同的是，形成有机发光层和阴极时没有在盲孔500内形成有机发光块和阴极块，HA区形成的无机封装层覆盖盲孔500的内壁和盲孔500底部的第一柔性层10A，如图21所示，图21仅示意出孔区的结构。
(14)形成拉伸孔图案。在示例性实施方式中，形成拉伸孔图案可以包括：在形成前述图案的基底上涂覆光刻胶，通过掩膜、曝光和显影形成光刻胶图案，通过刻蚀工艺对盲孔500底部的膜层依次进行刻蚀，在第二无机封装层42上形成第二封装孔，在第一无机封装层41上形成第一封装孔，在第一柔性层10A上形成第一柔性孔，第二封装孔、第一封装孔和第一柔性孔相互连通，且与内壁被无机封装层覆盖的盲孔连通，第一柔性孔、第一封装孔、第二封装孔和内壁被无机封装层覆盖的盲孔一起构成拉伸孔300，图19所示。
一种显示基板中，通常是在沉积无机封装层之前在HA区形成通孔，因而形成的无机封装层直接沉积在通孔底部的玻璃衬底上，导致剥离工艺中存在部分无机封装层未能与玻璃衬底分离的情况。本公开示例性实施例中，通过在显示区域和非显示区域的HA区形成盲孔，使得后续形成的无机封装层形成在第一柔性层上，由于第一柔性层与玻璃衬底容易分离，因而有效避免了显示基板和玻璃载板剥离过程中膜层不能剥离的情况。
(15)剥离显示载板。在示例性实施方式中，剥离显示载板可以包括：通过激光剥离工艺将显示基板与玻璃衬底剥离。
本公开示例性实施例先形成盲孔，使得后续形成的无机封装层形成在第一柔性层上，在刻蚀形成拉伸孔时，即使拉伸孔底部的无机封装层未被完全刻蚀掉，残留有部分无机封装层，但残留的无机封装层是设置在第一柔性层上，由于第一柔性层与玻璃衬底容易分离，因而有效避免了显示基板和玻璃载板剥离过程中膜层不能剥离的情况，不仅避免了显示基板的膜层不能与玻璃衬底分离的情况，而且避免了无机封装层出现拉拽裂缝，有效保证了显示基板的封装效果。
图22为本公开示例性实施例又一种显示基板的结构示意图，示意了显示基板中一个孔区的剖面结构。在示例性实施方式中，本示例性实施例的结构与图19所示结构相近似，所不同的是，本示例性实施例中孔区的孔结构层包括有机材料块303，第一柔性层10A上设置有第一柔性孔，有机材料块303上设置有材料块孔，第一柔性孔的内壁和材料块孔的内壁组成有机材料内壁段。
如图22所示，孔区的孔结构层可以包括复合绝缘层40、有机材料块303和无机封装层，有机材料块303设置在盲孔底部的第一柔性层10A上，有机材料块303上设置有材料块孔。无机封装层分别设置在盲孔之外的复合绝缘层40上、设置在盲孔内的有机材料块303上、以及设置在盲孔的内壁上，无机封装层上设置有无机封装孔。
在示例性实施方式中，第一柔性孔、材料块孔、无机封装层以及内壁被无机封装层覆盖的盲孔相互连通，一起形成拉伸孔300。无机封装孔的内壁以及覆盖盲孔的无机封装层组成无机材料内壁段，第一柔性孔的内壁和材料块孔的内壁组成有机材料内壁段。
在示例性实施方式中，本示例性实施例的制备过程与前述实施例的制备过程近似，所不同的是：在形成像素定义层图案图案后，采用喷墨打印方式在显示基板的所有孔区喷涂小分子有机材料，在盲孔底部的第一柔性层10A上形成有机材料块303。在盲孔内形成有机材料块303后，再进行有机发光层、阴极和封装层等制备，孔区形成的无机封装层覆盖盲孔的内壁和盲孔底部的有机材料块303。随后，通过刻蚀工艺对盲孔底部的膜层依次进行刻蚀，在第二无机封装层42上形成第二封装孔，在第一无机封装层41上形成第一封装孔，在有机材料块303上形成材料块孔，在第一柔性层10A上形成第一柔性孔，第二封装孔、第一封装孔、材料块孔和第一柔性孔相互连通，且与内壁被无机封装层覆盖的盲孔连通，一起构成拉伸孔300。
图23为本公开示例性实施例又一种显示基板的结构示意图，示意了显示基板中一个孔区的剖面结构。在示例性实施方式中，本示例性实施例的结构与图19所示结构相近似，所不同的是，本示例性实施例中孔区的孔结构层包括有机发光块301，第一柔性层10A上设置有第一柔性孔，有机发光块301上设置有材料块孔，第一柔性孔的内壁和材料块孔的内壁组成有机材料内壁段。
如图23所示，孔区的孔结构层可以包括复合绝缘层40、有机发光层23、有机发光块301和无机封装层，有机发光块301设置在盲孔底部的第一柔性层10A上，有机发光块301上设置有发光块孔。无机封装层分别设置在盲孔之外的有机发光层23上、设置在盲孔内的有机发光块301上、以及设置在盲孔的内壁上，无机封装层上设置有无机封装孔。
在示例性实施方式中，第一柔性孔、发光块孔、无机封装层以及内壁被无机封装层覆盖的盲孔相互连通，一起形成拉伸孔300。无机封装孔的内壁以及覆盖盲孔的无机封装层组成无机材料内壁段，第一柔性孔的内壁和发光块孔的内壁组成有机材料内壁段。
在示例性实施方式中，本示例性实施例的制备过程与前述实施例的制备过程近似，所不同的是：在形成有机发光层图案工艺中，在像素区形成有机发光层23，在孔区盲孔之外的第三绝缘层上形成有机发光层23，在盲孔底部的第一柔性层10A上形成有机发光块301。随后进行阴极和封装层等制备，孔区形成的无机封装层覆盖盲孔的内壁和盲孔底部的有机发光块301。随后，通过刻蚀工艺对盲孔底部的膜层依次进行刻蚀，在第二无机封装层42上形成第二封装孔，在第一无机封装层41上形成第一封装孔，在有机发光块301上形成发光块孔，在第一柔性层10A上形成第一柔性孔，第二封装孔、第一封装孔、发光块孔和第一柔性孔相互连通，且与内壁被无机封装层覆盖的盲孔连通，一起构成拉伸孔300。
图24为本公开示例性实施例又一种显示基板的结构示意图，示意了显示基板中一个孔区的剖面结构。在示例性实施方式中，本示例性实施例的结构与图22和图23所示结构相近似，所不同的是，本示例性实施例中孔区的孔结构层包括有机材料块303和有机发光块301，第一柔性层10A上设置有第一柔性孔，有机材料块303上设置有材料块孔，有机发光块301上设置有材料块孔，第一柔性孔的内壁、材料块孔的内壁和发光块孔的内壁组成有机材料内壁段。
如图24所示，孔区的孔结构层可以包括复合绝缘层40、有机材料块303、有机发光块301和无机封装层，有机材料块303设置在盲孔底部的第一柔性层10A上，有机材料块303上设置有材料块孔。有机发光块301设置在盲孔底部的有机材料块303上，有机发光块301上设置有材料块孔。无机封装层分别设置在盲孔之外的有机发光层23上、设置在盲孔内的有机发光块301上、以及设置在盲孔的内壁上，无机封装层上设置有无机封装孔。
在示例性实施方式中，第一柔性孔、材料块孔、发光块孔、无机封装层以及内壁被无机封装层覆盖的盲孔相互连通，一起形成拉伸孔300。无机封装孔的内壁以及覆盖盲孔的无机封装层组成无机材料内壁段，第一柔性孔的内壁、材料块孔的内壁和发光块孔的内壁组成有机材料内壁段。
在示例性实施方式中，本示例性实施例的制备过程与前述实施例的制备过程近似，包括：在形成像素定义层图案图案后，采用喷墨打印方式在显示基板的所有孔区喷涂小分子有机材料，在盲孔底部的第一柔性层10A上形成有机材料块303。随后进行有机发光层图案工艺，在像素区形成有机发光层23，在孔区盲孔之外的第三绝缘层上形成有机发光层23，在盲孔底部的有机材料块303上形成有机发光块301。随后进行阴极和封装层等制备，孔区形成的无机封装层覆盖盲孔的内壁和盲孔底部的有机发光块301。随后，通过刻蚀工艺对盲孔底部的膜层依次进行刻蚀，在第二无机封装层42上形成第二封装孔，在第一无机封装层41上形成第一封装孔，在有机发光块301上形成发光块孔，在有机材料块303上形成材料块孔，在第一柔性层10A上形成第一柔性孔，第二封装孔、第一封装孔、发光块孔、材料块孔和第一柔性孔相互连通，且与内壁被无机封装层覆盖的盲孔连通，一起构成拉伸孔300。
需要说明的是，本公开示例性实施例所示结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明，可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少构图工艺，本公开在此不做限定。
本公开示例性实施例还提供了一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括像素区和孔区，所述制备方法可以包括：
S1、在所述像素区形成设置在基底上的显示结构层，在所述孔区形成设置在基底上的孔结构层；
S2、在所述孔区形成至少一个贯通所述基底和孔结构层的拉伸孔，所述拉伸孔的内壁包括无机材料内壁段和有机材料内壁段，所述无机材料内壁段和有机材料内壁段沿着从基底到孔结构层的方向排布，所述有机材料内壁段位于所述拉伸孔远离所述孔结构层的一侧。
在示例性实施方式中，在所述孔区形成设置在基底上的孔结构层，可以包括：
形成基底，所述基底包括叠设的第一柔性层、第一无机层、第二柔性层和第二无机层，所述第一无机层上设置有第一无机开口；
在所述基底上形成复合绝缘层，所述基底和复合绝缘层上设置有通孔或盲孔；所述通孔贯通所述复合绝缘层和基底，所述盲孔贯通所述复合绝缘层和基底中的第一无机层、第二柔性层以及第二无机层；
在所述通孔或盲孔的底部形成有机发光块，或者形成有机材料块，或者依次形成有机材料块和有机发光块；
在所述通孔或盲孔内形成无机封装层，所述无机封装层覆盖所述通孔或盲孔的内壁，以及覆盖所述有机发光块或者所述有机材料块。
在示例性实施方式中，所述显示结构层包括设置在基底上的发光结构层和设置在所述发光结构层上的封装层；所述发光结构层包括有机发光层，所述封装层包括叠设的第一封装层、有机封装层和第二封装层；所述无机封装层包括叠设的第一无机封装层和第二无机封装层；所述有机发光块与所述有机发光层同层设置，且通过同一次工艺形成；所述第一无机封装层与所述第一封装层同层设置，且通过同一次工艺形成；所述第二无机封装层与所述第三封装层同层设置，且通过同一次工艺形成。
在示例性实施方式中，在所述孔区形成至少一个贯通所述基底和孔结构层的拉伸孔，可以包括：通过图案化工艺对所述通孔内的无机封装层和有机发光块进行刻蚀，形成相互连通的发光块孔和无机封装孔，所述发光块孔设置在有机发光块上，所述无机封装孔设置在所述无机封装层上；所述无机封装孔的内壁和覆盖通孔内壁的无机封装层形成所述无机材料内壁段，所述发光块孔的内壁形成所述有机材料内壁段。
在示例性实施方式中，在所述孔区形成至少一个贯通所述基底和孔结构层的拉伸孔，可以包括：通过图案化工艺对所述通孔内的无机封装层和有机材料块进行刻蚀，形成相互连通的材料块孔和无机封装孔，所述材料块孔设置在有机发光块上，所述无机封装孔设置在所述无机封装层上；所述无机封装孔的内壁和覆盖通孔内壁的无机封装层形成所述无机材料内壁段，所述材料块孔的内壁形成所述有机材料内壁段。
在示例性实施方式中，在所述孔区形成至少一个贯通所述基底和孔结构层的拉伸孔，可以包括：通过图案化工艺对所述通孔内的无机封装层、有机发光块和有机材料块进行刻蚀，形成相互连通的材料块孔、发光块孔和无机封装孔，所述材料块孔设置在有机发光块上，所述发光块孔设置在有机发光块上，所述无机封装孔设置在所述无机封装层上；所述无机封装孔的内壁和覆盖通孔内壁的无机封装层形成所述无机材料内壁段，所述材料块孔的内壁和所述发光块孔的内壁形成所述有机材料内壁段。
在示例性实施方式中，在所述孔区形成至少一个贯通所述基底和孔结构层的拉伸孔，可以包括：通过图案化工艺对所述盲孔内的无机封装层、有机发光块和第一柔性层进行刻蚀，形成相互连通的第一柔性孔、发光块孔和无机封装孔，所述第一柔性孔设置在第一柔性层上，所述发光块孔设置在有机发光块上，所述无机封装孔设置在所述无机封装层上；所述无机封装孔的内壁和覆盖盲孔内壁的无机封装层形成所述无机材料内壁段，所述所述第一柔性孔的内壁和所述发光块孔的内壁形成所述有机材料内壁段。
在示例性实施方式中，在所述孔区形成至少一个贯通所述基底和孔结构层的拉伸孔，可以包括：通过图案化工艺对所述盲孔内的无机封装层、有机材料块和第一柔性层进行刻蚀，形成相互连通的第一柔性孔、材料块孔和无机封装孔，所述第一柔性孔设置在第一柔性层上，所述材料块孔设置在有机材料块上，所述无机封装孔设置在所述无机封装层上；所述无机封装孔的内壁和覆盖盲孔内壁的无机封装层形成所述无机材料内壁段，所述所述第一柔性孔的内壁和所述材料块孔的内壁形成所述有机材料内壁段。
在示例性实施方式中，在所述孔区形成至少一个贯通所述基底和孔结构层的拉伸孔，可以包括：通过图案化工艺对所述盲孔内的无机封装层、有机发光块、有机材料块和第一柔性层进行刻蚀，形成相互连通的第一柔性孔、材料块孔、发光块孔和无机封装孔，所述第一柔性孔设置在第一柔性层上，所述材料块孔设置在有机材料块上，所述发光块孔设置在有机发光块上，所述无机封装孔设置在所述无机封装层上；所述无机封装孔的内壁和覆盖盲孔内壁的无机封装层形成所述无机材料内壁段，所述所述第一柔性孔的内壁、所述材料块孔的内壁和所述发光块孔的内壁形成所述有机材料内壁段。
本实施例中，各个膜层的结构、材料、相关参数及其详细制备过程已在前述实施例中详细说明，这里不再赘述。
本公开示例性实施例提供了一种显示基板的制备方法，通过在拉伸孔内形成有机材料，使得后续形成的无机封装层设置在有机材料上，不仅避免了显示基板的膜层不能与玻璃衬底分离的情况，而且避免了无机封装层出现拉拽裂缝，有效保证了显示基板的封装效果。本公开的制备方法对现有工艺改进较小，能够很好地与现有制备工艺兼容，因此工艺实现简单，易于实施，生产效率高，具有易于工艺实现、生产成本低和良品率高等优点。
本公开示例性实施例还提供了一种显示装置，包括前述实施例的显示基板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何本公开所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (18)

1.一种显示基板，其特征在于，包括像素区和孔区，所述像素区包括设置在基底上的显示结构层，所述孔区包括设置在基底上的孔结构层；所述孔区包括至少一个贯通所述基底和孔结构层的拉伸孔；所述拉伸孔的内壁包括无机材料内壁段和有机材料内壁段，所述无机材料内壁段和有机材料内壁段沿着从基底到孔结构层的方向排布，所述有机材料内壁段位于所述拉伸孔远离所述孔结构层的一侧。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述孔结构层包括复合绝缘层、有机发光块和无机封装层；所述复合绝缘层设置在基底上，所述基底和复合绝缘层上设置有通孔；所述有机发光块设置在所述通孔内，所述无机封装层覆盖所述通孔的内壁和所述有机发光块；所述有机发光块上设置有发光块孔，所述无机封装层上设置有无机封装孔；所述拉伸孔包括相互连通的发光块孔、无机封装孔和内壁被所述无机封装层覆盖的通孔，所述无机封装孔的内壁和覆盖通孔内壁的无机封装层形成所述无机材料内壁段，所述发光块孔的内壁形成所述有机材料内壁段。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述孔结构层包括复合绝缘层、有机材料块和无机封装层；所述复合绝缘层设置在基底上，所述基底和复合绝缘层上设置有通孔；所述有机材料块设置在所述通孔内，所述无机封装层覆盖所述通孔的内壁和所述有机材料块；所述有机材料块上设置有材料块孔，所述无机封装层上设置有无机封装孔；所述拉伸孔包括相互连通的材料块孔、无机封装孔和内壁被所述无机封装层覆盖的通孔，所述无机封装孔的内壁和覆盖通孔内壁的无机封装层形成所述无机材料内壁段，所述材料块孔的内壁形成所述有机材料内壁段。
4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述孔结构层包括复合绝缘层、有机材料块、有机发光块和无机封装层；所述复合绝缘层设置在基底上，所述基底和复合绝缘层上设置有通孔；所述有机材料块设置在所述通孔内，所述有机发光块设置在所述有机材料块上，所述无机封装层覆盖所述通孔的内壁和所述有机发光块块；所述有机材料块上设置有材料块孔，所述有机发光块设置有发光块孔，所述无机封装层上设置有无机封装孔；所述拉伸孔包括相互连通的材料块孔、发光块孔、无机封装孔和内壁被所述无机封装层覆盖的通孔，所述无机封装孔的内壁和覆盖通孔内壁的无机封装层形成所述无机材料内壁段，所述材料块孔的内壁和所述发光块孔的内壁形成所述有机材料内壁段。
5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述基底包括第一柔性层、设置在所述第一柔性层上的第一无机层、设置在所述第一无机层远离所述第一柔性层一侧的第二柔性层以及设置在所述第二柔性层远离所述第一柔性层一侧的第二无机层；所述孔结构层包括复合绝缘层和无机封装层；所述复合绝缘层设置在基底上，所述复合绝缘层和基底中的第一无机层、第二柔性层以及第二无机层上设置有盲孔；所述无机封装层覆盖所述盲孔的内壁和所述第一柔性层；所述基底中的第一柔性层设置有第一柔性孔，所述无机封装层上设置有无机封装孔；所述拉伸孔包括相互连通的第一柔性孔、无机封装孔以及内壁被无机封装层覆盖的盲孔，所述无机封装孔的内壁以及覆盖通孔内壁的无机封装层形成无机材料内壁段，所述第一柔性孔的内壁形成有机材料内壁段。
6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述基底包括第一柔性层、设置在所述第一柔性层上的第一无机层、设置在所述第一无机层远离所述第一柔性层一侧的第二柔性层以及设置在所述第二柔性层远离所述第一柔性层一侧的第二无机层；所述孔结构层包括复合绝缘层、有机发光块和无机封装层；所述复合绝缘层设置在基底上，所述复合绝缘层和基底中的第一无机层、第二柔性层以及第二无机层上设置有盲孔；所述有机发光块设置在盲孔内的第一柔性层上，所述无机封装层覆盖所述盲孔的内壁和所述有机发光块；所述基底中的第一柔性层设置有第一柔性孔，所述有机发光块上设置有发光块孔，所述无机封装层上设置有无机封装孔；所述拉伸孔包括相互连通的第一柔性孔、发光块孔、无机封装孔以及内壁被无机封装层覆盖的盲孔，所述无机封装孔的内壁以及覆盖通孔内壁的无机封装层形成无机材料内壁段，所述第一柔性孔的内壁和所述发光块孔的内壁形成有机材料内壁段。
7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述基底包括第一柔性层、设置在所述第一柔性层上的第一无机层、设置在所述第一无机层远离所述第一柔性层一侧的第二柔性层以及设置在所述第二柔性层远离所述第一柔性层一侧的第二无机层；所述孔结构层包括复合绝缘层、有机材料块和无机封装层；所述复合绝缘层设置在基底上，所述复合绝缘层和基底中的第一无机层、第二柔性层以及第二无机层上设置有盲孔；所述有机材料块设置在盲孔内的第一柔性层上，所述无机封装层覆盖所述盲孔的内壁和所述有机材料块；所述基底中的第一柔性层设置有第一柔性孔，所述有机材料块上设置有材料块孔，所述无机封装层上设置有无机封装孔；所述拉伸孔包括相互连通的第一柔性孔、材料块孔、无机封装孔以及内壁被无机封装层覆盖的盲孔，所述无机封装孔的内壁以及覆盖通孔内壁的无机封装层形成无机材料内壁段，所述第一柔性孔的内壁和所述材料块孔的内壁形成有机材料内壁段。
8.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述基底包括第一柔性层、设置在所述第一柔性层上的第一无机层、设置在所述第一无机层远离所述第一柔性层一侧的第二柔性层以及设置在所述第二柔性层远离所述第一柔性层一侧的第二无机层；所述孔结构层包括复合绝缘层、有机材料块、有机发光块和无机封装层；所述复合绝缘层设置在基底上，所述复合绝缘层和基底中的第一无机层、第二柔性层以及第二无机层上设置有盲孔；所述有机材料块设置在盲孔内的第一柔性层上，所述有机发光块设置在盲孔内的有机材料块上，所述无机封装层覆盖所述盲孔的内壁和所述有机发光块；所述基底中的第一柔性层设置有第一柔性孔，所述有机材料块上设置有材料块孔，所述有机发光块上设置有发光块孔，所述无机封装层上设置有无机封装孔；所述拉伸孔包括相互连通的第一柔性孔、材料块孔、发光块孔、无机封装孔以及内壁被无机封装层覆盖的盲孔，所述无机封装孔的内壁以及覆盖通孔内壁的无机封装层形成无机材料内壁段，所述第一柔性孔的内壁、所述材料块孔的内壁和所述发光块孔的内壁形成有机材料内壁段。
9.根据权利要求2至8所述的显示基板，其特征在于，所述显示结构层包括设置在基底上的发光结构层和设置在所述发光结构层远离所述基底一侧的封装层；所述发光结构层包括有机发光层，所述封装层包括叠设的第一封装层、有机封装层和第二封装层；所述无机封装层包括叠设的第一无机封装层和第二无机封装层；所述有机发光块与所述有机发光层同层设置，且材料相同；所述第一无机封装层与所述第一封装层同层设置，且材料相同；所述第二无机封装层与所述第三封装层同层设置，且材料相同。
10.根据权利要求1至8任一项所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板包括显示区域和非显示区域，所述拉伸孔包括所述显示区域的拉伸孔和所述非显示区域的拉伸孔。
11.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述非显示区域包括位于所述显示区域***的电路区、位于所述电路区***的封装区和位于所述封装区***的边框区；所述拉伸孔包括如下任意一种或多种：位于所述电路区的拉伸孔、位于所述封装区的拉伸孔和位于所述边框区的拉伸孔。
12.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述非显示区域中拉伸孔的宽度大于所述显示区域中拉伸孔的宽度。
13.根据权利要求12所述的显示基板，其特征在于，所述显示区域中拉伸孔的宽度为5μm至15μm，所述非显示区域中拉伸孔的宽度为20μm至40μm。
14.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至13任一项所述的显示基板。
15.一种显示基板的制备方法，其特征在于，所述显示基板包括像素区和孔区，所述制备方法包括：
在所述像素区形成设置在基底上的显示结构层，在所述孔区形成设置在基底上的孔结构层；
在所述孔区形成至少一个贯通所述基底和孔结构层的拉伸孔，所述拉伸孔的内壁包括无机材料内壁段和有机材料内壁段，所述无机材料内壁段和有机材料内壁段沿着从基底到孔结构层的方向排布，所述有机材料内壁段位于所述拉伸孔远离所述孔结构层的一侧。
16.根据权利要求15所述的制备方法，其特征在于，在所述孔区形成设置在基底上的孔结构层，包括：
形成基底，所述基底包括叠设的第一柔性层、第一无机层、第二柔性层和第二无机层，所述第一无机层上设置有第一无机开口；
在所述基底上形成复合绝缘层，所述基底和复合绝缘层上设置有通孔或盲孔；所述通孔贯通所述复合绝缘层和基底，所述盲孔贯通所述复合绝缘层和基底中的第一无机层、第二柔性层以及第二无机层；
在所述通孔或盲孔的底部形成有机发光块，或者形成有机材料块，或者依次形成有机材料块和有机发光块；
在所述通孔或盲孔内形成无机封装层，所述无机封装层覆盖所述通孔或盲孔的内壁，以及覆盖所述有机发光块或者所述有机材料块。
17.根据权利要求16所述的制备方法，其特征在于，所述显示结构层包括设置在基底上的发光结构层和设置在所述发光结构层上的封装层；所述发光结构层包括有机发光层，所述封装层包括叠设的第一封装层、有机封装层和第二封装层；所述无机封装层包括叠设的第一无机封装层和第二无机封装层；所述有机发光块与所述有机发光层同层设置，且通过同一次工艺形成；所述第一无机封装层与所述第一封装层同层设置，且通过同一次工艺形成；所述第二无机封装层与所述第三封装层同层设置，且通过同一次工艺形成。
18.根据权利要求17所述的制备方法，其特征在于，在所述孔区形成至少一个贯通所述基底和孔结构层的拉伸孔，包括：
通过图案化工艺对所述通孔内的无机封装层和有机发光块进行刻蚀，形成相互连通的发光块孔和无机封装孔，所述发光块孔设置在有机发光块上，所述无机封装孔设置在所述无机封装层上；所述无机封装孔的内壁和覆盖通孔内壁的无机封装层形成所述无机材料内壁段，所述发光块孔的内壁形成所述有机材料内壁段；或者，
通过图案化工艺对所述通孔内的无机封装层和有机材料块进行刻蚀，形成相互连通的材料块孔和无机封装孔，所述材料块孔设置在有机发光块上，所述无机封装孔设置在所述无机封装层上；所述无机封装孔的内壁和覆盖通孔内壁的无机封装层形成所述无机材料内壁段，所述材料块孔的内壁形成所述有机材料内壁段；或者，
通过图案化工艺对所述通孔内的无机封装层、有机发光块和有机材料块进行刻蚀，形成相互连通的材料块孔、发光块孔和无机封装孔，所述材料块孔设置在有机发光块上，所述发光块孔设置在有机发光块上，所述无机封装孔设置在所述无机封装层上；所述无机封装孔的内壁和覆盖通孔内壁的无机封装层形成所述无机材料内壁段，所述材料块孔的内壁和所述发光块孔的内壁形成所述有机材料内壁段；或者，
通过图案化工艺对所述盲孔内的无机封装层、有机发光块和第一柔性层进行刻蚀，形成相互连通的第一柔性孔、发光块孔和无机封装孔，所述第一柔性孔设置在第一柔性层上，所述发光块孔设置在有机发光块上，所述无机封装孔设置在所述无机封装层上；所述无机封装孔的内壁和覆盖盲孔内壁的无机封装层形成所述无机材料内壁段，所述所述第一柔性孔的内壁和所述发光块孔的内壁形成所述有机材料内壁段；或者，
通过图案化工艺对所述盲孔内的无机封装层、有机材料块和第一柔性层进行刻蚀，形成相互连通的第一柔性孔、材料块孔和无机封装孔，所述第一柔性孔设置在第一柔性层上，所述材料块孔设置在有机材料块上，所述无机封装孔设置在所述无机封装层上；所述无机封装孔的内壁和覆盖盲孔内壁的无机封装层形成所述无机材料内壁段，所述所述第一柔性孔的内壁和所述材料块孔的内壁形成所述有机材料内壁段；或者，
通过图案化工艺对所述盲孔内的无机封装层、有机发光块、有机材料块和第一柔性层进行刻蚀，形成相互连通的第一柔性孔、材料块孔、发光块孔和无机封装孔，所述第一柔性孔设置在第一柔性层上，所述材料块孔设置在有机材料块上，所述发光块孔设置在有机发光块上，所述无机封装孔设置在所述无机封装层上；所述无机封装孔的内壁和覆盖盲孔内壁的无机封装层形成所述无机材料内壁段，所述所述第一柔性孔的内壁、所述材料块孔的内壁和所述发光块孔的内壁形成所述有机材料内壁段。
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