CN117643197A - 显示基板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本公开提供了一种显示基板和显示装置。显示基板包括设置在基底(10)上的驱动结构层(20)和设置在驱动结构层(20)上的发光结构层(30)，发光结构层(30)至少包括阴极(24)和辅助电极(70)，阴极(24)与辅助电极(70)连接；辅助电极(70)包括沿着远离基底(10)方向叠设的第一辅助电极(71)、第二辅助电极(72)和第三辅助电极(73)，第三辅助电极(73)相对于第二辅助电极(72)的侧壁具有凸出部，凸出部的凸出距离大于或等于第二辅助电极(72)的厚度，凸出距离为第三辅助电极(73)的边缘与第二辅助电极(72)的侧壁之间的距离。
Description
本公开涉及但不限于显示技术领域，尤指一种显示基板和显示装置。
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)和量子点发光二极管(Quantum-dot Light Emitting Diodes，简称QLED)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。随着显示技术的不断发展，以OLED或QLED为发光器件、由薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)进行信号控制的显示装置已成为目前显示领域的主流产品。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
一方面，本公开提供了一种显示基板，包括设置在基底上的驱动结构层和设置在所述驱动结构层远离所述基底一侧的发光结构层，所述发光结构层至少包括阴极和辅助电极，所述阴极与所述辅助电极连接；所述辅助电极包括沿着远离所述基底方向叠设的第一辅助电极、第二辅助电极和第三辅助电极，所述第三辅助电极相对于所述第二辅助电极的侧壁具有凸出部，所述凸出部和所述第二辅助电极的侧壁形成内陷结构，所述凸出部的凸出距离大于或等于所述第二辅助电极的厚度，所述凸出距离为所述第三辅助电极的边缘与所述第二辅助电极的侧壁之间的距离。
在示例性实施方式中，所述凸出距离为所述第二辅助电极的厚度的1.0倍至2.5倍。
在示例性实施方式中，所述第三辅助电极的厚度大于所述阴极的厚度。
在示例性实施方式中，所述发光结构层还包括有机发光层，所述有机发光层与所述阴极连接，所述凸出距离为所述有机发光层的厚度的1倍至2倍。
在示例性实施方式中，所述第二辅助电极的厚度大于所述有机发光层的厚度。
在示例性实施方式中，所述显示基板还包括设置在所述发光结构层远离所述基底一侧的第一封装层，所述第一封装层包裹所述辅助电极，所述第三辅助电极的厚度与所述有机发光层的厚度之比具有第一比值，所述第二辅助电极的厚度与所述第一封装层的厚度之比具有第二比值，所述第一比值大于所述第二比值。
在示例性实施方式中，在平行于所述基底的平面上，所述第二辅助电极的宽度小于所述第一辅助电极的宽度，所述第二辅助电极在所述基底上的正投影位于所述第一辅助电极在所述基底上的正投影的范围之内；所述第二辅助电极的宽度小于所述第三辅助电极的宽度，所述第二辅助电极在所述基底上的正投影位于所述第三辅助电极在所述基底上的正投影的范围之内；所述第三辅助电极的宽度小于所述第一辅助电极的宽度，所述第三辅助电极在所述基底上的正投影位于所述第一辅助电极在所述基底上的正投影的范围之内。
在示例性实施方式中，在垂直于所述基底的平面上，所述第二辅助电极的剖面形状为梯形。
在示例性实施方式中，所述驱动结构层包括在所述基底上依次设置的第一导电层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二导电层、第三绝缘层、第三导电层、第四绝缘层和平坦层，所述第一导电层至少包括遮挡电极，所述半导体层可以至少包括有源层，所述第二导电层至少包括栅电极，所述第三导电层至少包括源电极、漏电极和电源电极，所述辅助电极中的第一辅助电极通过过孔与所述电源电极连接。
在示例性实施方式中，所述发光结构层还包括阳极，所述阳极包括沿着远离所述基底方向叠设的第一阳极、第二阳极和第三阳极，所述第二阳极在所述基底上的正投影位于所述第一阳极在所述基底上的正投影的范围之内， 所述第二阳极在所述基底上的正投影位于所述第三阳极在所述基底上的正投影的范围之内。
在示例性实施方式中，所述第一辅助电极与所述第一阳极同层设置，材料相同；所述第二辅助电极与所述第二阳极同层设置，材料相同；所述第三辅助电极与所述第三阳极同层设置，材料相同。
在示例性实施方式中，所述发光结构层还包括像素定义层，所述像素定义层上设置有像素开口和辅助电极开口，所述像素开口暴露出所述阳极中第三阳极的表面，所述辅助电极开口暴露出所述辅助电极中第三辅助电极的全部表面和第一辅助电极的部分表面。
在示例性实施方式中，所述第二辅助电极和第三辅助电极在所述基底上的正投影位于所述辅助电极开口在所述基底上的正投影的范围之内。
在示例性实施方式中，在所述辅助电极开口内，所述阴极与所述第一辅助电极远离所述基底一侧的表面搭接。
在示例性实施方式中，所述阴极与所述第一辅助电极远离所述基底一侧的表面具有第一搭接距离，所述凸出距离小于所述第一搭接距离。
在示例性实施方式中，所述发光结构层还包括有机发光层，所述有机发光层与所述第一辅助电极远离所述基底一侧的表面搭接，所述有机发光层靠近所述第二辅助电极一侧的边缘与所述第二辅助电极的侧壁之间具有所述第一搭接距离。
在示例性实施方式中，所述凸出部呈向所述基底方向下垂的弧形，所述凸出部靠近所述有机发光层一侧的边缘与所述有机发光层靠近所述凸出部一侧的边缘之间的最小距离，大于所述第三辅助电极的厚度。
在示例性实施方式中，在所述辅助电极开口内，所述阴极与所述第二辅助电极的侧壁搭接。
在示例性实施方式中，所述阴极与所述第二辅助电极的侧壁具有第二搭接距离，所述凸出距离大于所述第二搭接距离。
在示例性实施方式中，所述发光结构层还包括有机发光层、发光块和阴 极块，所述有机发光层与所述第三阳极连接，所述阴极与所述有机发光层连接，所述发光块设置在所述第三辅助电极远离所述基底一侧的表面上，所述发光块与所述有机发光层相互隔离，所述阴极块设置在所述发光块远离所述基底一侧的表面上，所述阴极块与所述阴极相互隔离。
另一方面，本公开还提供了一种显示装置，包括前述的显示基板。
在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开的技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。
图1为一种显示基板的结构示意图；
图2为一种显示基板的平面结构示意图；
图3为一种显示区域的平面结构示意图；
图4为一种像素驱动电路的等效电路示意图；
图5为本公开示例性实施例一种显示基板的结构示意图；
图6为图5中辅助电极区域的放大图；
图7为本公开示例性实施例形成驱动结构层图案后的示意图；
图8为本公开实施例形成第一阳极导电层图案后的示意图；
图9为本公开实施例形成第二和第三阳极导电层图案后的示意图；
图10为本公开实施例一种辅助电极的剖面示意图；
图11为本公开实施例形成像素定义层图案后的示意图；
图12为本公开实施例形成有机发光层图案后的示意图；
图13为本公开实施例一种有机发光层和发光块的剖面示意图；
图14为本公开实施例形成阴极图案后的示意图；
图15为本公开实施例阴极与辅助电极连接的示意图；
图16和图17为本公开实施例形成第一封装层图案后的示意图。
附图标记说明:
10—基底； 11—第一绝缘层； 12—第二绝缘层；
13—第三绝缘层； 14—第四绝缘层； 15—平坦层；
20—驱动结构层； 21—阳极； 22—像素定义层；
23—有机发光层； 24—阴极； 30—发光结构层；
40—封装结构层； 41—第一封装层； 51—遮挡电极；
52—有源层； 53—栅电极； 54—源电极；
55—漏电极； 61—栅极走线； 62—电源电极；
70—辅助电极； 71—第一辅助电极； 72—第二辅助电极；
73—第三辅助电极； 80—发光块； 90—阴极块。
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。注意，实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了部分已知功能和已知部件的详细说明。本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计
本公开中的附图比例可以作为实际工艺中的参考，但不限于此。例如：沟道的宽长比、各个膜层的厚度和间距、各个信号线的宽度和间距，可以根据实际需要进行调整。显示基板中像素的个数和每个像素中子像素的个数也不是限定为图中所示的数量，本公开中所描述的附图仅是结构示意图，本公 开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。
本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。
在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
在本说明书中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。注意，在本说明书中，沟道区域是指电流主要流过的区域。
在本说明书中，第一极可以为漏电极、第二极可以为源电极，或者第一极可以为源电极、第二极可以为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。
在本说明书中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容 器、其它具有各种功能的元件等。
在本说明书中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。
在本说明书中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。
本说明书中三角形、矩形、梯形、五边形或六边形等并非严格意义上的，可以是近似三角形、矩形、梯形、五边形或六边形等，可以存在公差导致的一些小变形，可以存在导角、弧边以及变形等。
本公开中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。
图1为一种显示装置的结构示意图。如图1所示，显示装置可以包括时序控制器、数据驱动器、扫描驱动器、发光驱动器和像素阵列，时序控制器分别与数据驱动器、扫描驱动器和发光驱动器连接，数据驱动器分别与多个数据信号线(D1到Dn)连接，扫描驱动器分别与多个扫描信号线(S1到Sm)连接，发光驱动器分别与多个发光信号线(E1到Eo)连接。像素阵列可以包括多个子像素Pxij，i和j可以是自然数，至少一个子像素Pxij可以包括电路单元和与电路单元连接的发光器件，电路单元可以包括像素驱动电路，像素驱动电路分别与扫描信号线、数据信号线和发光信号线连接。在示例性实施方式中，时序控制器可以将适合于数据驱动器的规格的灰度值和控制信号提供到数据驱动器，可以将适合于扫描驱动器的规格的时钟信号、扫描起始信号等提供到扫描驱动器，可以将适合于发光驱动器的规格的时钟信号、发射停止信号等提供到发光驱动器。数据驱动器可以利用从时序控制器接收的灰度值和控制信号来产生将提供到数据信号线D1、D2、D3、……和Dn的数据电压。例如，数据驱动器可以利用时钟信号对灰度值进行采样，并且以像素行为单位将与灰度值对应的数据电压施加到数据信号线D1至Dn，n可以是自然数。扫描驱动器可以通过从时序控制器接收时钟信号、扫描起始信号等来产生将提供到扫描信号线S1、S2、S3、……和Sm的扫描信号。例 如，扫描驱动器可以将具有导通电平脉冲的扫描信号顺序地提供到扫描信号线S1至Sm。例如，扫描驱动器可以被构造为移位寄存器的形式，并且可以以在时钟信号的控制下顺序地将以导通电平脉冲形式提供的扫描起始信号传输到下一级电路的方式产生扫描信号，m可以是自然数。发光驱动器可以通过从时序控制器接收时钟信号、发射停止信号等来产生将提供到发光信号线E1、E2、E3、……和Eo的发射信号。例如，发光驱动器可以将具有截止电平脉冲的发射信号顺序地提供到发光信号线E1至Eo。例如，发光驱动器可以被构造为移位寄存器的形式，并且可以以在时钟信号的控制下顺序地将以截止电平脉冲形式提供的发射停止信号传输到下一级电路的方式产生发射信号，o可以是自然数。
图2为一种显示基板的平面结构示意图。如图2所示，显示基板可以包括以矩阵方式排布的多个像素单元P，多个像素单元P的至少一个包括出射第一颜色光线的第一子像素P1、出射第二颜色光线的第二子像素P2和出射第三颜色光线的第三子像素P3，第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3均包括像素驱动电路和发光器件。第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3中的像素驱动电路分别与扫描信号线、数据信号线和发光信号线连接，像素驱动电路被配置为在扫描信号线和发光信号线的控制下，接收数据信号线传输的数据电压，向所述发光器件输出相应的电流。第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3中的发光器件分别与所在子像素的像素驱动电路连接，发光器件被配置为响应所在子像素的像素驱动电路输出的电流发出相应亮度的光。
在示例性实施方式中，第一子像素P1可以是出射红色光线的红色子像素(R)，第二子像素P2可以是出射蓝色光线的蓝色子像素(B)，第三子像素P3可以是出射绿色光线的绿色子像素(G)。在示例性实施方式中，子像素的形状可以是矩形状、菱形、五边形或六边形，三个子像素可以采用水平并列、竖直并列或品字方式排列，本公开在此不做限定。
在其它示例性实施方式中，像素单元可以包括四个子像素，四个子像素可以采用水平并列、竖直并列或正方形等方式排列，本公开在此不做限定。
图3为一种显示基板的剖面结构示意图，示意了OLED显示基板三个子 像素的结构。如图3所示，在垂直于显示基板的平面上，显示基板可以包括设置在基底10上的驱动结构层20、设置在驱动结构层20远离基底10一侧的发光结构层30以及设置在发光结构层30远离基底10一侧的封装结构层40。在一些可能的实现方式中，显示基板可以包括其它膜层，如触控结构层等，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，基底10可以是柔性基底，或者可以是刚性基底。每个子像素的驱动结构层20可以包括构成像素驱动电路的多个晶体管和存储电容。发光结构层30可以包括阳极、像素定义层、有机发光层和阴极，阳极通过过孔与驱动晶体管的漏电极连接，有机发光层与阳极连接，阴极与有机发光层连接，有机发光层在阳极和阴极驱动下出射相应颜色的光线。封装结构层40可以包括叠设的第一封装层、第二封装层和第三封装层，第一封装层和第三封装层可以采用无机材料，第二封装层可以采用有机材料，第二封装层设置在第一封装层和第三封装层之间，可以保证外界水汽无法进入发光结构层30。
图4为一种像素驱动电路的等效电路示意图。在示例性实施方式中，像素驱动电路可以是3T1C、4T1C、5T1C、5T2C、6T1C或7T1C结构。如图4所示，像素驱动电路为3T1C结构，可以包括3个开关晶体管(第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3)、1个存储电容C和6个信号线(数据线D、第一扫描线S1、第二扫描线S2、补偿线B、第一电源线VDD和第二电源线VSS)。在示例性实施方式中，第一晶体管T1为开关晶体管，第二晶体管T2为驱动晶体管，第三晶体管T3为补偿晶体管。第一晶体管T1的栅电极耦接于第一扫描线S1，第一晶体管T1的第一极耦接于数据线D，第一晶体管T1的第二极耦接于第二晶体管T2的栅电极，第一晶体管T1用于在第一扫描线S1控制下，接收数据线D传输的数据信号，使第二晶体管T2的栅电极接收所述数据信号。第二晶体管T2的栅电极耦接于第一晶体管T1的第二极，第二晶体管T2的第一极耦接于第一电源线VDD，第二晶体管T2的第二极耦接于OLED的第一极，第二晶体管T2用于在其栅电极所接收的数据信号控制下，在第二极产生相应的电流。第三晶体管T3的栅电极耦接于第二扫描线S2，第三晶体管T3的第一极连接补偿线B，第三晶体管T3 的第二极耦接于第二晶体管T2的第二极，第三晶体管T3用于响应补偿时序提取第二晶体管T2的阈值电压Vth以及迁移率，以对阈值电压Vth进行补偿。OLED的第一极耦接于第二晶体管T2的第二极，OLED的第二极耦接于第二电源线VSS，OLED用于响应第二晶体管T2的第二极的电流而发出相应亮度的光。存储电容C的第一极与第二晶体管T2的栅电极耦接，存储电容C的第二极与第二晶体管T2的第二极耦接，存储电容C用于存储第二晶体管T2的栅电极的电位。
在示例性实施方式中，第一电源线VDD的信号为持续提供高电平信号，第二电源线VSS的信号为低电平信号。第一晶体管T1到第三晶体管T3可以是P型晶体管，或者可以是N型晶体管。像素驱动电路中采用相同类型的晶体管可以简化工艺流程，减少显示面板的工艺难度，提高产品的良率。在一些可能的实现方式中，第一晶体管T1到第三晶体管T3可以包括P型晶体管和N型晶体管。
在示例性实施方式中，发光器件可以是有机电致发光二极管(OLED)，包括叠设的第一极(阳极)、有机发光层和第二极(阴极)。
按照出光方向，OLED显示基板可以分为三种：底发射OLED、顶发射OLED与双面发射OLED。底发射OLED是光从基板底部方向出射，顶发射OLED是光从基板顶部方向出射，双面发射OLED是光同时从基板底部方向和基板顶部方向出射。与底发射OLED相比，顶发射OLED具有开口率大、色纯度高、容易实现高分辨率(Pixels per inch，简称PPI)等优点，受到了人们的广泛重视。
对于顶发射OLED，由于出光方向在阴极(Cathode)一侧，因此要求阴极具有较好的透光性和导电性，特别是大尺寸透明显示装置。透明显示是显示技术一个重要的个性化显示领域，是指在透明状态下进行图像显示，观看者不仅可以看到显示装置中的影像，而且可以看到显示装置背后的景象，可以广泛应用于汽车/地铁等车载显示以及酒店/服装店等橱窗展示等，具有画质清晰、显示效果逼真等显著优点。为了提升透明效果，大尺寸透明显示装置会要求阴极的厚度很薄，因而存在阴极阻抗较大的问题，不仅导致电压上升、功耗增大，而且导致阴极上各处电压分布不均匀，出现亮度不均匀。
本公开示例性实施例提供了一种显示基板，包括设置在基底上的驱动结构层和设置在所述驱动结构层远离所述基底一侧的发光结构层，所述发光结构层至少包括阴极和辅助电极，所述阴极与所述辅助电极连接；所述辅助电极包括沿着远离所述基底方向叠设的第一辅助电极、第二辅助电极和第三辅助电极，所述第三辅助电极相对于所述第二辅助电极的侧壁具有凸出部，所述凸出部和所述第二辅助电极的侧壁形成内陷结构，所述凸出部的凸出距离大于或等于所述第二辅助电极的厚度，所述凸出距离为所述第三辅助电极的边缘与所述第二辅助电极的侧壁之间的距离。
在示例性实施方式中，所述凸出距离为所述第二辅助电极的厚度的1.0倍至2.5倍。
在示例性实施方式中，所述第三辅助电极的厚度大于所述阴极的厚度。
在示例性实施方式中，所述发光结构层还包括有机发光层，所述有机发光层与所述阴极连接，所述凸出距离为所述有机发光层的厚度的1倍至2倍。
在示例性实施方式中，所述第二辅助电极的厚度大于所述有机发光层的厚度。
在示例性实施方式中，所述显示基板还包括设置在所述发光结构层远离所述基底一侧的第一封装层，所述第一封装层包裹所述辅助电极，所述第三辅助电极的厚度与所述有机发光层的厚度之比具有第一比值，所述第二辅助电极的厚度与所述第一封装层的厚度之比具有第二比值，所述第一比值大于所述第二比值。
在示例性实施方式中，所述发光结构层还包括阳极，所述阳极包括沿着远离所述基底方向叠设的第一阳极、第二阳极和第三阳极，所述第二阳极在所述基底上的正投影位于所述第一阳极在所述基底上的正投影的范围之内，所述第二阳极在所述基底上的正投影位于所述第三阳极在所述基底上的正投影的范围之内。
在示例性实施方式中，所述第二辅助电极和第三辅助电极在所述基底上的正投影位于所述辅助电极开口在所述基底上的正投影的范围之内。
在示例性实施方式中，在所述辅助电极开口内，所述阴极与所述第一辅助电极远离所述基底一侧的表面搭接。
在示例性实施方式中，所述阴极与所述第一辅助电极远离所述基底一侧的表面具有第一搭接距离，所述凸出距离小于所述第一搭接距离。
在示例性实施方式中，所述发光结构层还包括有机发光层，所述有机发光层与所述第一辅助电极远离所述基底一侧的表面搭接，所述有机发光层靠近所述第二辅助电极一侧的边缘与所述第二辅助电极的侧壁之间具有所述第一搭接距离。
在示例性实施方式中，所述凸出部呈向所述基底方向下垂的弧形，所述凸出部靠近所述有机发光层一侧的边缘与所述有机发光层靠近所述凸出部一侧的边缘之间的最小距离，大于所述第三辅助电极的厚度。
在示例性实施方式中，在所述辅助电极开口内，所述阴极与所述第二辅助电极的侧壁搭接。
在示例性实施方式中，所述阴极与所述第二辅助电极的侧壁具有第二搭接距离，所述凸出距离大于所述第二搭接距离。
图5为本公开示例性实施例一种显示基板的结构示意图，示意了显示基板中一个子像素的剖面结构。如图5所示，在垂直于显示基板的平面上，显示基板可以包括设置在基底10上的驱动结构层20和设置在驱动结构层20远离基底10一侧的发光结构层30。驱动结构层20可以至少包括电源电极62和构成像素驱动电路的晶体管20A，发光结构层30可以至少包括阳极21、像素定义层22、有机发光层23、阴极24和辅助电极70，阳极21与晶体管20A的漏电极连接，有机发光层23分别与阳极21和阴极24连接，阴极24与辅助电极70连接，辅助电极70与电源电极62连接，形成利用辅助电极(Auxiliary electrode)降低阴极压降的结构。
在示例性实施方式中，驱动结构层20可以包括在基底10上依次设置的第一导电层、第一绝缘层11、半导体层、第二绝缘层12、第二导电层、第三绝缘层13、第三导电层、第四绝缘层14和平坦层15，第一导电层可以至少包括遮挡电极，半导体层可以至少包括有源层，第二导电层可以至少包括栅 电极和栅极走线61，第三导电层可以至少包括源电极、漏电极和电源电极62，遮挡电极、有源层、栅电极、源电极和漏电极可以构成晶体管20A。
在示例性实施方式中，栅极走线61与晶体管20A中的栅电极可以同层设置，材料相同，且通过同一次图案化工艺同时形成。
在示例性实施方式中，电源电极62与晶体管20A中的源电极和漏电极可以同层设置，材料相同，且通过同一次图案化工艺同时形成。
图6为图5中辅助电极区域的放大图。如图6所示，在示例性实施方式中，在垂直于显示基板的平面上，辅助电极70可以包括第一辅助电极71、设置在第一辅助电极71远离基底一侧的第二辅助电极72和设置在第二辅助电极72远离基底一侧的第三辅助电极73，叠设的第一辅助电极71、第二辅助电极72和第三辅助电极73构成“工”字形结构，第一辅助电极71通过过孔与电源电极62连接。
在示例性实施方式中，第二辅助电极72的第二宽度L2小于第一辅助电极71的第一宽度L1，第二辅助电极72在基底上的正投影可以位于第一辅助电极71在基底上的正投影的范围之内。
在示例性实施方式中，第二辅助电极72的第二宽度L2小于第三辅助电极73的第三宽度L3，第二辅助电极72在基底上的正投影可以位于第三辅助电极73在基底上的正投影的范围之内。
在示例性实施方式中，第三辅助电极73的第三宽度L3小于第一辅助电极71的第一宽度L1，第三辅助电极73在基底上的正投影可以位于第一辅助电极71在基底上的正投影的范围之内。
在示例性实施方式中，在垂直于基底的平面上，第二辅助电极72的剖面形状可以为梯形。
在示例性实施方式中，在平行于基底的平面上，第三辅助电极73相对于第二辅助电极72的侧壁具有凸出部，该凸出部和第二辅助电极72的侧壁形成内陷结构，该凸出部具有凸出距离B，凸出距离B可以为第三辅助电极73的边缘与第二辅助电极72的侧壁之间的距离。在垂直于基底的平面上，第二辅助电极72具有厚度H，第二辅助电极的厚度H可以为第二辅助电极72靠 近基底一侧的表面与远离基底一侧的表面之间的距离。
在示例性实施方式中，凸出距离B可以大于或等于第二辅助电极的厚度H。
在示例性实施方式中，凸出距离B/第二辅助电极的厚度H可以约为1.0至2.5，即凸出距离B可以约为1.0倍至2.5倍的第二辅助电极的厚度H。
在示例性实施方式中，凸出距离B/第二辅助电极的厚度H可以约为1.5至2.0，即凸出距离B可以约为1.5倍至2.0倍的第二辅助电极的厚度H。
在示例性实施方式中，在平行于显示基板的平面上，辅助电极70的形状可以包括如下任意一种或多种：三角形、正方形、矩形、五边形、六边形、圆形和椭圆形。
在示例性实施方式中，在垂直于显示基板的平面上，阳极21可以包括叠设的第一阳极、第二阳极和第三阳极，第二阳极在基底上的正投影可以位于第一阳极在基底上的正投影的范围之内，第二阳极在基底上的正投影可以位于第三阳极在基底上的正投影的范围之内。
在示例性实施方式中，第一辅助电极71与第一阳极可以同层设置，材料相同，且通过同一次图案化工艺同步形成。
在示例性实施方式中，第二辅助电极72与第二阳极同层设置，材料相同，第三辅助电极73与第三阳极同层设置，材料相同。
在示例性实施方式中，发光结构层30中的像素定义层22设置有像素开口和辅助电极开口，像素开口暴露出阳极21中第三阳极的表面，辅助电极开口暴露出辅助电极中第三辅助电极73的全部表面和第一辅助电极71的部分表面。
在示例性实施方式中，第二辅助电极72和第三辅助电极73在基底上的正投影位于辅助电极开口在基底上的正投影的范围之内。
在示例性实施方式中，在辅助电极开口内，阴极24与暴露出的第一辅助电极71的表面连接，即第一辅助电极71的至少部分表面贴合有阴极24。
在示例性实施方式中，在辅助电极开口内，阴极与第二辅助电极72的侧 壁连接，即第二辅助电极72的至少部分侧壁贴合有阴极24。
在示例性实施方式中，发光结构层30还包括位于辅助电极开口内的发光块80，发光块80设置在辅助电极70中第三辅助电极73远离基底的一侧，发光块80在基底上的正投影位于第三辅助电极73在基底上的正投影的范围之内，发光块80与有机发光层23隔离设置。
在示例性实施方式中，发光结构层30还包括位于辅助电极开口内的阴极块90，阴极块90设置在发光块80远离基底的一侧，阴极块90在基底上的正投影位于发光块80在基底上的正投影的范围之内，阴极块90与阴极24隔离设置。
下面通过显示基板的制备过程进行示例性说明。本公开所说的“图案化工艺”，对于金属材料、无机材料或透明导电材料，包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，对于有机材料，包括涂覆有机材料、掩模曝光和显影等处理。沉积可以采用溅射、蒸镀、化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂、旋涂和喷墨打印中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种，本公开不做限定。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积、涂覆或其它工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需图案化工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”需图案化工艺，则在图案化工艺前称为“薄膜”，图案化工艺后称为“层”。经过图案化工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次图案化工艺同时形成，膜层的“厚度”为膜层在垂直于显示基板方向上的尺寸。本公开示例性实施例中，“B的正投影位于A的正投影的范围之内”，是指B的正投影的边界落入A的正投影的边界范围内，或者A的正投影的边界与B的正投影的边界重叠。
在示例性实施方式中，显示基板的制备过程可以包括如下操作。
(1)提供基底。在示例性实施方式中，基底可以是柔性基底，或者可以是刚性基底。在示例性实施方式中，柔性基底可以包括叠设的第一柔性材料层、第一无机材料层、半导体层、第二柔性材料层和第二无机材料层。第一、第二柔性材料层的材料可以采用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯 (PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料，第一、第二无机材料层的材料可以采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等，用于提高基底的抗水氧能力，第一、第二无机材料层也称为阻挡(Barrier)层，半导体层的材料可以采用非晶硅(a-si)。在示例性实施方式中，以一种叠层结构为例，其制备过程可以包括：先在玻璃载板上涂布一层聚酰亚胺，固化成膜后形成第一柔性(PI1)层；随后在第一柔性层上沉积一层阻挡薄膜，形成覆盖第一柔性层的第一阻挡(Barrier1)层；然后在第一阻挡层上沉积一层非晶硅薄膜，形成覆盖第一阻挡层的非晶硅(a-si)层；然后在非晶硅层上再涂布一层聚酰亚胺，固化成膜后形成第二柔性(PI2)层；然后在第二柔性层上沉积一层阻挡薄膜，形成覆盖第二柔性层的第二阻挡(Barrier2)层，完成基底的制备。
(2)在基底上制备驱动结构层图案。在示例性实施方式中，驱动结构层的制备过程可以包括：
在基底10上沉积第一导电薄膜，通过图案化工艺对第一导电薄膜进行图案化，形成设置在基底10上的第一导电层图案，第一导电层至少包括遮挡电极51。
随后，依次沉积第一绝缘薄膜和半导体薄膜，通过图案化工艺对半导体薄膜进行图案化，形成覆盖遮挡电极图案的第一绝缘层11，以及设置在第一绝缘层11上的半导体层图案，半导体层图案至少包括有源层52，有源层52在基底上的正投影位于遮挡电极51在基底上的正投影的范围之内。
随后，依次沉积第二绝缘薄膜和第二导电薄膜，通过图案化工艺对第二导电薄膜和第二绝缘薄膜进行图案化，形成设置在半导体层图案上的第二绝缘层12，以及设置在第二绝缘层12上的第二导电层图案，第二导电层图案至少包括栅电极53和栅极走线61，栅电极53在基底上的正投影位于有源层52在基底上的正投影的范围之内，第二导电层图案在基底上的正投影位于第二绝缘层12在基底上的正投影的范围之内。
随后，利用栅电极53上光刻胶的遮挡，采用自对准导体化工艺对有源层52进行导体化处理，使有源层52形成沟道区和位于沟道区两侧的导体区。
随后，沉积第三绝缘薄膜，通过图案化工艺对第三绝缘薄膜进行图案 化，形成覆盖第二导电层图案的第三绝缘层13，第三绝缘层13上开设有有源过孔和遮挡过孔图案。两个有源过孔位于有源层52两端的导体区，有源过孔内的第三绝缘层13被刻蚀掉，暴露出有源层52的表面。至少一个遮挡过孔位于遮挡电极51的边缘所在位置，遮挡过孔内的第三绝缘层13和第一绝缘层11被刻蚀掉，暴露出遮挡电极51的表面。
随后，沉积第三导电薄膜，通过图案化工艺对第三导电薄膜进行图案化，在第三绝缘层13上形成第三导电层图案，第三导电层图案至少包括源电极54、漏电极55和电源电极62，源电极54和漏电极55分别通过有源过孔与有源层52连接，漏电极55还通过遮挡过孔与遮挡电极51连接。
随后，先沉积第四绝缘薄膜，然后在第四绝缘薄膜涂覆平坦薄膜，通过图案化工艺对平坦薄膜和第四绝缘薄膜进行图案化，形成覆盖第三导电层图案的第四绝缘层14和设置在第四绝缘层14上形成平坦层15，第四绝缘层14和平坦层15上开设有第一过孔K1和第二过孔K2，第一过孔K1内的平坦层15和第四绝缘层14被刻蚀掉，暴露出漏电极55的表面，第二过孔K2内的平坦层15和第四绝缘层14被刻蚀掉，暴露出电源电极62的表面。
至此，在基底10上制备完成驱动结构层20图案，如图7所示。在示例性实施方式中，遮挡电极51、有源层52、栅电极53、源电极54和漏电极55可以组成顶栅结构的晶体管20A。顶栅结构的晶体管具有短沟道的特点，可以有效提升开态电流Ion，显著提升显示效果，有效降低功耗。此外，顶栅结构的晶体管的栅极与源漏电极重叠面积较小，寄生电容较小，发生源漏短路(GDS)等不良的可能性较低。在示例性实施方式中，电源电极62可以作为传输低电压电源信号的电极，例如，电源电极62可以与第二电源线VSS连接。在示例性实施方式中，晶体管20A可以是像素驱动电路中的驱动晶体管，驱动晶体管可以是薄膜晶体管。
在示例性实施方式中，第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第一绝缘层称为缓冲(Buffer)层，第二绝缘层称为栅绝缘(GI)层，第三绝缘层称为层间绝缘(ILD)层，第四绝缘层称为钝化(PVX)层。平坦薄膜可以采用有机材料， 如树脂等。第一导电层、第二导电层和第三导电层可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等。半导体层可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩、聚噻吩等各种材料，即本公开适用于基于氧化物Oxide技术、硅技术以及有机物技术制造的晶体管。
(3)形成第一阳极导电层图案。在示例性实施方式中，形成第一阳极导电层图案可以包括：在形成前述图案的基底上沉积第一透明导电薄膜，通过图案化工艺对第一透明导电薄膜进行图案化，形成设置在平坦层15上的第一阳极导电层图案，第一阳极导电层图案至少包括第一阳极21-1和第一辅助阴极71，第一阳极21-1通过第一过孔K1与晶体管20A的漏电极55连接，第一辅助阴极71通过第二过孔K2与电源电极62连接，如图8所示。
在示例性实施方式中，第一透明导电薄膜可以采用氧化铟锡(ITO)等透明导电材料。
(4)形成第二阳极导电层和第三阳极导电层图案。在示例性实施方式中，形成第二阳极导电层和第三阳极导电层图案可以包括：在形成前述图案的基底上依次沉积反射薄膜和第二透明导电薄膜，通过图案化工艺对反射薄膜和第二透明导电薄膜进行图案化，形成第二阳极导电层和第三阳极导电层图案，第二阳极导电层图案至少包括第二阳极21-2和第二辅助阴极72，第三阳极导电层图案至少包括第三阳极21-3和第三辅助阴极73，如图9所示。
在示例性实施方式中，第二透明导电薄膜可以采用氧化铟锡(ITO)等透明导电材料，反射薄膜可以采用铝(Al)等金属材料，因而辅助阴极70具有很强的导电能力，有利于解决阴极压降的问题。
在示例性实施方式中，第二阳极21-2可以设置在第一阳极21-1远离基底的一侧，且与第一阳极21-1搭接，第三阳极21-3可以设置在第二阳极21-2远离基底的一侧，且与第三阳极21-3搭接，第一阳极21-1、第二阳极21-2和第二阳极21-2组成阳极21。
在示例性实施方式中，第二辅助阴极72可以设置在第一辅助阴极71远 离基底的一侧，且与第一辅助阴极71搭接，第三辅助阴极73可以设置在第二辅助阴极72远离基底的一侧，且与第二辅助阴极72搭接，第一辅助阴极71、第一辅助阴极71和第三辅助阴极73组成辅助阴极70。
在示例性实施方式中，形成第二阳极导电层和第三阳极导电层图案可以包括，经过掩膜、曝光和显影形成光刻胶图案后，可以先采用第一刻蚀液对未被光刻胶覆盖的第二透明导电薄膜进行刻蚀，形成第三阳极21-3和第三辅助阴极73。随后，采用第二刻蚀液刻蚀暴露出的反射薄膜，形成第二阳极21-2和第二辅助阴极72。在采用第二刻蚀液对反射薄膜进行刻蚀时，通过对反射薄膜进行较大过刻量的刻蚀，第二辅助阴极72具有较大的缩进量，使得第一辅助阴极71和第三辅助阴极73相对于第二辅助阴极72的侧壁具有凸出部，上下两个凸出部和第二辅助阴极72的侧壁均形成内陷结构，第二辅助阴极72在基底上的正投影位于第一辅助阴极71在基底上的正投影的范围之内，第二辅助阴极72在基底上的正投影位于第三辅助阴极73在基底上的正投影的范围之内，叠设的第一辅助阴极71、第二辅助阴极72和第三辅助阴极73形成“工”字形结构。
在示例性实施方式中，第三辅助阴极73的宽度可以小于第一辅助阴极71的宽度，第三辅助阴极73在基底上的正投影位于第一辅助阴极71在基底上的正投影的范围之内，因而辅助阴极70呈现上部小、下部大的整体形貌。
在示例性实施方式中，由于第二阳极21-2和第二辅助阴极72通过同一次刻蚀工艺同步形成，因而第二阳极21-2也具有较大的缩进量，使得第一阳极21-1和第三阳极21-3相对于第二阳极21-2的侧壁具有凸出部，第二阳极21-2在基底上的正投影位于第一阳极21-1在基底上的正投影的范围之内，第二阳极21-2在基底上的正投影位于第三阳极21-3在基底上的正投影的范围之内，第一阳极21-1在基底上的正投影位于第三阳极21-3在基底上的正投影的范围之内。
在示例性实施方式中，第一刻蚀液可以采用H
2SO
4系稀酸，第二刻蚀液可以采用H
3PO
4系浓酸，第二刻蚀液刻蚀反射薄膜的速率大于刻蚀第二刻蚀液刻蚀第二透明导电薄膜的速率。
图10为本公开实施例一种辅助电极的剖面示意图，为图9中辅助电极的 放大图。如图10所示，在垂直于显示基板的平面上，辅助电极可以包括叠设的第一辅助电极71、第二辅助电极72和第三辅助电极73，即第一辅助电极71设置在平坦层远离基底的一侧，第二辅助电极72设置在第一辅助电极71远离基底的一侧，第三辅助电极73设置在第二辅助电极72远离基底的一侧。位于第二辅助电极72远离基底一侧(上侧)的第三辅助电极73相对于第二辅助电极72的侧壁具有凸出部，形成一个“屋檐”结构，位于第二辅助电极72靠近基底一侧(下侧)的第一辅助电极71相对于第二辅助电极72的侧壁具有凸出部，形成一个台阶结构，即第一辅助电极71和第三辅助电极73均凸出第二辅助电极72一段距离，使得叠设的第一辅助电极71、第二辅助电极72和第三辅助电极73形成“工”字形结构。
在示例性实施方式中，第二辅助电极72的第二宽度L2可以小于第一辅助电极71的第一宽度L1，第二辅助电极72在基底上的正投影可以位于第一辅助电极71在基底上的正投影的范围之内。
在示例性实施方式中，第二辅助电极72的第二宽度L2可以小于第三辅助电极73的第三宽度L3，第二辅助电极72在基底上的正投影可以位于第三辅助电极73在基底上的正投影的范围之内。
在示例性实施方式中，第三辅助电极73的第三宽度L3可以小于第一辅助电极71的第一宽度L1，第三辅助电极73在基底上的正投影可以位于第一辅助电极71在基底上的正投影的范围之内。
在示例性实施方式中，在垂直于基底的平面上，第二辅助电极72的剖面形状可以为梯形，即第二辅助电极72远离基底一侧表面的宽度小于第二辅助电极72靠近基底一侧表面的宽度。在示例性实施方式中，梯形状的侧壁可以是直线形，或者可以是弧线形。
在示例性实施方式中，在平行于基底的平面上，第三辅助电极73相对于第二辅助电极72具有凸出距离B，即凸出部具有凸出距离B，凸出距离B可以为在平行于基底的平面上，第三辅助电极73的边缘与第二辅助电极72的侧壁之间的距离。在示例性实施方式中，在垂直于基底的平面上，第二辅助电极72具有厚度H，第二辅助电极的厚度H可以为在垂直于基底的平面上，第二辅助电极72靠近基底一侧的表面与第二辅助电极72远离基底一侧 的表面之间的距离。
在示例性实施方式中，凸出距离B与第二辅助电极的厚度H之比可以约为1.0至2.5，即凸出距离B可以约为1.0倍至2.5倍的第二辅助电极的厚度H。
在示例性实施方式中，凸出距离B与第二辅助电极的厚度H之比可以约为1.5至2.0，即凸出距离B可以约为1.5倍至2.0倍的第二辅助电极的厚度H。
在示例性实施方式中，由于第二辅助电极72的剖面形状呈梯形状，使得第三辅助电极73凸出第二辅助电极72的凸出部因失去支撑而呈向基底方向下垂的弧形。
在示例性实施方式中，第三辅助电极73的边缘处与基底之间的距离可以小于第二辅助电极72远离基底一侧的表面与基底之间的距离。
(4)形成像素定义层图案。在示例性实施方式中，形成像素定义层图案可以包括：在形成前述图案的基底上涂覆像素定义薄膜，通过图案化工艺对像素定义薄膜进行图案化，形成像素定义(PDL)层22图案，像素定义层22上开设有像素开口K3和辅助电极开口K4。像素开口K3内的像素定义层22被去掉，暴露出阳极21的表面。辅助电极开口K4内的像素定义层22被去掉，暴露出辅助电极70的表面，如图11所示。
在示例性实施方式中，像素开口K3暴露出阳极21中第三阳极21-3的部分表面，像素开口K3在基底上的正投影可以位于第一阳极21-1、第二阳极21-2和第三阳极21-3在基底上的正投影的范围之内。
在示例性实施方式中，辅助电极开口K4暴露出辅助电极70中第一辅助电极71的部分表面，辅助电极开口K4暴露出辅助电极70中第三辅助电极73的全部表面，辅助电极开口K4在基底上的正投影位于第一辅助电极71在基底上的正投影的范围之内，第二辅助电极72和第三辅助电极73在基底上的正投影位于辅助电极开口K4在基底上的正投影的范围之内。
在示例性实施方式中，像素定义层可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等。在平行于显示基板的平面上，第一像素开口K3和辅助 电极开口K4的形状可以是三角形、矩形、多边形、圆形或椭圆形等。在垂直于显示基板的平面上，第一像素开口K3和辅助电极开口K4的截面形状可以是矩形或者梯形等。
(5)形成有机发光层图案。在示例性实施方式中，形成有机发光层图案可以包括：在形成前述图案的基底上蒸镀有机发光材料，形成有机发光层23和发光块80图案，有机发光层23设置在第二辅助电极72以外的区域，有机发光层23通过第一像素开口K3与阳极21连接，发光块80设置在辅助电极开口K4内的辅助电极70远离基底一侧的表面上，发光块80与有机发光层23隔离设置，如图12所示。
在示例性实施方式中，由于辅助电极70的“工”字形结构，第三辅助电极73凸出第二辅助电极72一段距离，蒸镀方式中有机发光材料的扩散性能较差，因而第三辅助电极73的“屋檐”结构可以切断有机发光材料，不仅使得有机发光材料在第三辅助电极73的侧面边缘处断开，在第三辅助电极73的上表面形成发光块80，而且“屋檐”结构可以阻挡有机发光材料扩散到屋檐的下方，有机发光材料形成在第一辅助电极71的部分表面上，第一辅助电极71靠近第二辅助电极72区域的表面没有蒸镀上有机发光材料，实现了有机发光层23与发光块80的相互隔离。
在示例性实施方式中，发光块80在基底上的正投影可以位于第三辅助电极73在基底上的正投影的范围之内。
在示例性实施方式中，位于第一像素开口K3区域的有机发光层23与第三阳极23-1搭接，因而实现了有机发光层23与阳极21的连接。
图13为本公开实施例一种有机发光层和发光块的剖面示意图，为图12中辅助电极所在区域的放大图。如图13所示，在垂直于基底的平面上，辅助电极70具有多个暴露的表面，这些暴露的表面至少包括：第一辅助电极71远离基底一侧的第一表面(上表面)701，第二辅助电极72侧壁的第二表面702，第三辅助电极73朝向基底一侧的第三表面(下表面)703，第三辅助电极73远离基底一侧的第四表面(上表面)704。在示例性实施方式中，侧表面是指法线方向与基底平面平行或接***行的表面。例如，在平行于基底的平面上，第二辅助电极72的侧表面411包括周向的多个表面。
在示例性实施方式中，发光块80可以设置在第三辅助电极73的第四表面704，第三辅助电极73的第三表面703和第二辅助电极72的第二表面702既没有搭接有机发光层23，也没有搭接发光块80。
在示例性实施方式中，有机发光层23可以延伸到辅助电极开口K4所在区域，一方面覆盖辅助电极开口K4的侧壁，另一方面覆盖第一辅助电极71的部分第一表面701。
在示例性实施方式中，有机发光层23搭接在第一表面701上，且有机发光层23靠近第二辅助电极72一侧的边缘与第二辅助电极72的侧壁之间具有第一搭接距离D1，第一搭接距离D1被配置为使后续形成阴极与第一表面701搭接。
在示例性实施方式中，第一搭接距离D1可以大于凸出距离B。本公开通过设置第一搭接距离D1与凸出距离B的尺寸关系，第一搭接距离D1大于凸出距离B，可以扩大第三辅助电极73的凸出部与第二辅助电极72的侧壁形成内陷结构的空间，有利于后续形成的阴极扩散到第二辅助阴极72的侧壁上，实现阴极与第二辅助阴极的侧壁的搭接。
在示例性实施方式中，有机发光层(发光块)的厚度可以约为凸出距离B的0.5倍到1倍，即凸出距离B可以约为有机发光层(发光块)的厚度的1倍到2倍。本公开通过设置有机发光层的厚度与凸出距离B的比值，可以避免因较厚的发光块对凸出部施加较大的压力，在实现有机发光层在凸出部的侧面边缘处断开的情况下，保证凸出部不会断裂。
在示例性实施方式中，第二辅助电极的厚度H可以大于有机发光层(发光块)的厚度。本公开通过设置第二辅助电极的厚度与有机发光层的厚度的比值，避免因较厚的有机发光层堵塞阴极材料扩散到内陷结构的通道，可以保证后续形成的阴极材料可以扩散到内陷结构中，实现阴极与第二辅助阴极的侧壁的搭接。
在示例性实施方式中，辅助电极开口K4内，位于第一表面701上的有机发光层23靠近凸出部一侧的边缘与第三辅助电极73的凸出部靠近有机发光层23一侧的边缘之间的最小距离L，可以大于第三辅助电极73(凸出部)的厚度。由于第三辅助电极73的凸出部呈向基底方向下垂的弧形，因而会减 小阴极材料扩散到内陷结构的通道。本公开通过设置凸出部与有机发光层之间的最小距离大于凸出部的厚度，可以避免因凸出部下垂程度较大导致凸出部断裂，还可以避免因凸出部下垂程度较大堵塞阴极材料扩散到内陷结构的通道，可以保证后续形成的阴极材料可以扩散到内陷结构中，实现阴极与第二辅助阴极的侧壁的搭接。
在示例性实施方式中，有机发光层可以包括发光层(EML)，以及如下任意一层或多层：空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。在示例性实施方式中，有机发光层可以采用精细金属掩模版(Fine Metal Mask，简称FMM)或者开放式掩膜版(Open Mask)蒸镀形成，或者采用喷墨工艺形成。
在示例性实施方式中，可以采用如下制备方法制备有机发光层。先采用开放式掩膜版依次蒸镀空穴注入层和空穴传输层，在显示基板上形成空穴注入层和空穴传输层的共通层。随后，采用精细金属掩模版在红色子像素蒸镀电子阻挡层和红色发光层，在绿色子像素蒸镀电子阻挡层和绿色发光层，在蓝色子像素蒸镀电子阻挡层和蓝色发光层，相邻子像素的电子阻挡层和发光层可以有少量的交叠(例如，交叠部分占各自发光层图案的面积小于10％)，或者可以是隔离的。随后，采用开放式掩膜版依次蒸镀空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层，在显示基板上形成空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层的共通层。
在示例性实施方式中，电子阻挡层可以作为发光器件的微腔调节层，通过设计电子阻挡层的厚度，可以使得阴极和阳极之间有机发光层的厚度满足微腔长度的设计。在一些示例性实施方式中，可以采用有机发光层中的空穴传输层、空穴阻挡层或电子传输层作为发光器件的微腔调节层，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，发光层可以包括主体(Host)材料和掺杂在主体材料中的客体(Dopant)材料，发光层客体材料的掺杂比例为1％至20％。在该掺杂比例范围内，一方面发光层主体材料可将激子能量有效转移给发光层客体材料来激发发光层客体材料发光，另一方面发光层主体材料对发光层 客体材料进行了“稀释”，有效改善了发光层客体材料分子间相互碰撞、以及能量间相互碰撞引起的荧光淬灭，提高了发光效率和器件寿命。在示例性实施方式中，掺杂比例是指客体材料的质量与发光层的质量之比，即质量百分比。在示例性实施方式中，可以通过多源蒸镀工艺共同蒸镀主体材料和客体材料，使主体材料和客体材料均匀分散在发光层中，可以在蒸镀过程中通过控制客体材料的蒸镀速率来调控掺杂比例，或者通过控制主体材料和客体材料的蒸镀速率比来调控掺杂比例。在示例性实施方式中，发光层的厚度可以约为10nm至50nm。
在示例性实施方式中，空穴注入层可以采用无机的氧化物，如钼氧化物、钛氧化物、钒氧化物、铼氧化物、钌氧化物、铬氧化物、锆氧化物、铪氧化物、钽氧化物、银氧化物、钨氧化物或锰氧化物，或者可以采用强吸电子体系的p型掺杂剂和空穴传输材料的掺杂物。在示例性实施方式中，空穴注入层的厚度可以约为5nm至20nm。
在示例性实施方式中，在示例性实施方式中，空穴传输层可以采用空穴迁移率较高的材料，如芳胺类化合物，其取代基团可以是咔唑、甲基芴、螺芴、二苯并噻吩或呋喃等。在示例性实施方式中，空穴传输层的厚度可以约为40nm至150nm。
在示例性实施方式中，空穴阻挡层和电子传输层可以采用芳族杂环化合物，例如苯并咪唑衍生物、咪唑并吡啶衍生物、苯并咪唑并菲啶衍生物等咪唑衍生物；嘧啶衍生物、三嗪衍生物等嗪衍生物；喹啉衍生物、异喹啉衍生物、菲咯啉衍生物等包含含氮六元环结构的化合物(也包括在杂环上具有氧化膦系的取代基的化合物)等。在示例性实施方式中，空穴阻挡层的厚度可以约为5nm至15nm，电子传输层的厚度可以约为20nm至50nm。
在示例性实施方式中，电子注入层可以采用碱金属或者金属，例如氟化锂(LiF)、镱(Yb)、镁(Mg)或钙(Ca)等材料，或者这些碱金属或者金属的化合物等。在示例性实施方式中，电子注入层的厚度可以约为0.5nm至2nm。
(6)形成阴极图案。在示例性实施方式中，形成阴极图案可以包括：在形成前述图案的基底上沉积阴极薄膜，形成阴极24和阴极块90图案，阴极 24与有机发光层23和辅助电极70连接，阴极块90与发光块80连接，阴极24与阴极块90隔离设置，如图14所示。
在示例性实施方式中，在辅助电极70以外区域，阴极24可以是连通在一起的整体结构，阴极24设置在有机发光层23上。在辅助电极70所在区域，阴极24与辅助电极70中的第一辅助电极71和第二辅助电极72连接。
在示例性实施方式中，阴极块90设置在发光块80远离基底一侧的表面上，阴极块90在基底上的正投影可以位于发光块80在基底上的正投影的范围之内。
在示例性实施方式中，阴极薄膜可以采用透明的氧化铟锌(IZO)，可以采用用磁控溅射(Sputter)沉积方式。由于磁控溅射方式沉积氧化铟锌的扩散性能较好，因此氧化铟锌可以绕过第三辅助电极73的“屋檐”结构扩散到屋檐的下方，一方面在暴露的第一表面701上形成阴极24，另一方面可以在部分或者全部第二表面702上形成阴极24，不仅可以顺利实现了阴极与辅助电极之间的搭接，而且可以有效增加了阴极与辅助电极的接触面积，有效降低了接触界面处的电阻，提高了连接可靠性。
图15为本公开实施例阴极与辅助电极连接的示意图，为图14中辅助电极所在区域的放大图。如图15所示，阴极24可以分别搭接在第一表面701、至少部分第二表面702以及有机发光层23远离基底的一侧，因而实现了阴极24与辅助电极的连接。
在示例性实施方式中，阴极24可以延伸到辅助电极开口K4所在区域，一方面覆盖有机发光层23，另一方面覆盖第一辅助电极71的部分第一表面701，又一方面覆盖第二辅助电极72的部分第二表面702。
在示例性实施方式中，在辅助电极开口区域内，阴极24与第一辅助电极71的第一表面701具有第一搭接距离D1，第一搭接距离D1可以大于凸出距离B。本公开通过设置第一搭接距离D1与凸出距离B的尺寸关系，可以有利于阴极扩散到第二辅助阴极的侧壁上，实现阴极与第二辅助阴极的侧壁的搭接。
在示例性实施方式中，在辅助电极开口区域内，阴极24与第二辅助电极72的第二表面702具有第二搭接距离D2，第二搭接距离D2可以小于凸出距 离B。
在示例性实施方式中，发光块80可以设置在第四表面704上，阴极块90可以设置在发光块80远离基底的一侧。
在示例性实施方式中，阴极24(阴极块80)的厚度可以小于第三辅助电极73的厚度，即凸出部的厚度可以大于阴极块的厚度。
在示例性实施方式中，阴极24可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)和锂(Li)中的任意一种或多种，或采用上述金属中任意一种或多种制成的合金。阴极24的厚度可以约为100nm至300nm。
在一些可能的示例性实施方式中，可以在形成阴极图案后形成光学耦合层图案，光学耦合层设置在阴极上，光学耦合层的折射率可以大于阴极的折射率，有利于光取出并增加出光效率，光学耦合层的材料可以采用有机材料，或者采用无机材料，或者采用有机材料和无机材料，可以是单层、多层或复合层，本公开在此不做限定。
至此，在驱动结构层20上制备完成发光结构层30图案，发光结构层30可以包括阳极21、像素定义层22、有机发光层23、阴极24和辅助电极70，有机发光层23分别与阳极21和阴极24连接，阴极24与辅助电极70连接。
(7)形成第一封装层图案。在示例性实施方式中，形成第一封装层图案可以包括：采用的沉积方式沉积第一封装薄膜，形成第一封装层41图案，在辅助电极70以外区域，第一封装层41覆盖阴极24，在辅助电极70所在区域，第一封装层41包裹辅助电极70，如图16和图17所示，图17为图16中第一封装层包裹辅助电极的示意图。
在示例性实施方式中，第一封装层41包裹辅助电极70是指，第一封装层41覆盖辅助电极70暴露出的全部表面，即第一封装层41覆盖位于辅助电极70远离基底一侧的阴极块和发光块、覆盖辅助电极70朝向显示区域100一侧的内侧表面、覆盖辅助电极70的侧表面、以及覆盖搭接辅助电极70的阴极，形成第一封装层41对辅助电极70的完整包裹。本公开示例性实施例通过第一封装层完整包裹辅助电极70所在区域，可以截断水氧的传输通道，有效阻断了水氧入侵，保证了封装有效性和可靠性。
在示例性实施方式中，第三辅助电极(凸出部)的厚度与有机发光层(发光块)的厚度之比具有第一比值，第二辅助电极(第二辅助电极的厚度)的厚度与第一封装层的厚度之比具有第二比值，第一比值可以大于第二比值。第一比值的大小可以反映出凸出部的下垂程度，第一比值越小，凸出部的下垂程度越大，第一比值越大，凸出部的下垂程度越小。第二比值的大小可以反映出第一封装层包裹辅助电极的效果，第二比值越小，第一封装层包裹辅助电极的效果差，第二比值越大，第一封装层包裹辅助电极的效果好。本公开通过设置凸出部的下垂程度与第一封装层包裹辅助电极的能力之间的关系，可以在保证辅助电极工作可靠性的前提下，保证封装有效性和可靠性。
在示例性实施方式中，显示基板的制备过程还可以包括：利用喷墨打印工艺在第一封装层上喷墨打印有机材料，固化成膜后，形成第二封装层。随后，利用开放式掩膜板沉积第二无机薄膜，形成第三封装层，第一封装层、第二封装层和第三封装层组成封装层。在示例性实施例中，第一封装层和第三封装层可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或多种，可以是单层、多层或复合层，第二封装层可以采用树脂材料，形成无机材料/有机材料/无机材料的叠层结构，有机材料层设置在两个无机材料层之间，可以保证外界水汽无法进入发光结构层。
在示例性实施方式中，制备完成封装结构层后，可以在封装结构层上形成触摸结构层(TSP)，触摸结构层可以包括触控电极层，或者包括触控电极层和触控绝缘层，本公开在此不作限定。
在示例性实施方式中，在制备柔性显示基板时，显示基板的制备过程可以包括剥离玻璃载板、贴附背膜、切割等工艺，本公开在此不作限定。
通过本公开示例性实施例显示基板的结构及其制备过程可以看出，本公开示例性实施例通过设置辅助电极，阴极与辅助电极连接，可以有效降低阴极压降。本公开通过将辅助电极的剖面形状设置成“工”字形，使得有机发光层和阴极在辅助电极的边缘处断开，利用磁控溅射方式沉积阴极，不仅顺利实现了阴极与辅助电极之间的搭接，而且有效增加了阴极与辅助电极的接触面积，有效降低了接触界面处的电阻，提高了连接可靠性。本公开示例性实施例通过设置凸出距离与第二辅助电极的厚度之间的关系，实现阴极与“工” 字形辅助电极之间的最优搭接结构，提高了生产效率和产品良率，提升了显示品质。本公开示例性实施例通过将电源电极与晶体管的源电极和漏电极同层设置，将辅助电极与阳极同层设置，辅助阴极位于有机发光层靠近显示基板的一侧，不仅有效减少了工艺流程，降低了生产成本，而且不会影响发光效能，有利于提高封装可靠性。本公开示例性实施例显示基板的制备方法具有良好的工艺兼容性，工艺实现简单，易于实施，生产效率高，生产成本低，良品率高。
本公开示例性实施例显示基板的结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明。在示例性实施方式中，可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少图案化工艺，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，本公开显示基板可以应用于具有像素驱动电路的显示装置中，如OLED、量子点显示(QLED)、发光二极管显示(Micro LED或Mini LED)或量子点发光二极管显示(QDLED)等，本公开在此不做限定。
本公开还提供了一种显示装置，包括前述实施例的显示基板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何本公开所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本申请的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (21)
- 一种显示基板，包括设置在基底上的驱动结构层和设置在所述驱动结构层远离所述基底一侧的发光结构层，所述发光结构层至少包括阴极和辅助电极，所述阴极与所述辅助电极连接；所述辅助电极包括沿着远离所述基底方向叠设的第一辅助电极、第二辅助电极和第三辅助电极，所述第三辅助电极相对于所述第二辅助电极的侧壁具有凸出部，所述凸出部和所述第二辅助电极的侧壁形成内陷结构，所述凸出部的凸出距离大于或等于所述第二辅助电极的厚度，所述凸出距离为所述第三辅助电极的边缘与所述第二辅助电极的侧壁之间的距离。
- 根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述凸出距离为所述第二辅助电极的厚度的1.0倍至2.5倍。
- 根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第三辅助电极的厚度大于所述阴极的厚度。
- 根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述发光结构层还包括有机发光层，所述有机发光层与所述阴极连接，所述凸出距离为所述有机发光层的厚度的1倍至2倍。
- 根据权利要求4所述的显示基板，其中，所述第二辅助电极的厚度大于所述有机发光层的厚度。
- 根据权利要求4所述的显示基板，其中，所述显示基板还包括设置在所述发光结构层远离所述基底一侧的第一封装层，所述第一封装层包裹所述辅助电极，所述第三辅助电极的厚度与所述有机发光层的厚度之比具有第一比值，所述第二辅助电极的厚度与所述第一封装层的厚度之比具有第二比值，所述第一比值大于所述第二比值。
- 根据权利要求1所述的显示基板，其中，在平行于所述基底的平面上，所述第二辅助电极的宽度小于所述第一辅助电极的宽度，所述第二辅助电极在所述基底上的正投影位于所述第一辅助电极在所述基底上的正投影的范围之内；所述第二辅助电极的宽度小于所述第三辅助电极的宽度，所述第二辅助电极在所述基底上的正投影位于所述第三辅助电极在所述基底上的正 投影的范围之内；所述第三辅助电极的宽度小于所述第一辅助电极的宽度，所述第三辅助电极在所述基底上的正投影位于所述第一辅助电极在所述基底上的正投影的范围之内。
- 根据权利要求1所述的显示基板，其中，在垂直于所述基底的平面上，所述第二辅助电极的剖面形状为梯形。
- 根据权利要求1至8任一项所述的显示基板，其中，所述驱动结构层包括在所述基底上依次设置的第一导电层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二导电层、第三绝缘层、第三导电层、第四绝缘层和平坦层，所述第一导电层至少包括遮挡电极，所述半导体层可以至少包括有源层，所述第二导电层至少包括栅电极，所述第三导电层至少包括源电极、漏电极和电源电极，所述辅助电极中的第一辅助电极通过过孔与所述电源电极连接。
- 根据权利要求1至8任一项所述的显示基板，其中，所述发光结构层还包括阳极，所述阳极包括沿着远离所述基底方向叠设的第一阳极、第二阳极和第三阳极，所述第二阳极在所述基底上的正投影位于所述第一阳极在所述基底上的正投影的范围之内，所述第二阳极在所述基底上的正投影位于所述第三阳极在所述基底上的正投影的范围之内。
- 根据权利要求10所述的显示基板，其中，所述第一辅助电极与所述第一阳极同层设置，材料相同；所述第二辅助电极与所述第二阳极同层设置，材料相同；所述第三辅助电极与所述第三阳极同层设置，材料相同。
- 根据权利要求10所述的显示基板，其中，所述发光结构层还包括像素定义层，所述像素定义层上设置有像素开口和辅助电极开口，所述像素开口暴露出所述阳极中第三阳极的表面，所述辅助电极开口暴露出所述辅助电极中第三辅助电极的全部表面和第一辅助电极的部分表面。
- 根据权利要求12所述的显示基板，其中，所述第二辅助电极和第三辅助电极在所述基底上的正投影位于所述辅助电极开口在所述基底上的正投影的范围之内。
- 根据权利要求12所述的显示基板，其中，在所述辅助电极开口内，所述阴极与所述第一辅助电极远离所述基底一侧的表面搭接。
- 根据权利要求14所述的显示基板，其中，所述阴极与所述第一辅助电极远离所述基底一侧的表面具有第一搭接距离，所述凸出距离小于所述第一搭接距离。
- 根据权利要求15所述的显示基板，其中，所述发光结构层还包括有机发光层，所述有机发光层与所述第一辅助电极远离所述基底一侧的表面搭接，所述有机发光层靠近所述第二辅助电极一侧的边缘与所述第二辅助电极的侧壁之间具有所述第一搭接距离。
- 根据权利要求16所述的显示基板，其中，所述凸出部呈向所述基底方向下垂的弧形，所述凸出部靠近所述有机发光层一侧的边缘与所述有机发光层靠近所述凸出部一侧的边缘之间的最小距离，大于所述第三辅助电极的厚度。
- 根据权利要求12所述的显示基板，其中，在所述辅助电极开口内，所述阴极与所述第二辅助电极的侧壁搭接。
- 根据权利要求18所述的显示基板，其中，所述阴极与所述第二辅助电极的侧壁具有第二搭接距离，所述凸出距离大于所述第二搭接距离。
- 根据权利要求10所述的显示基板，其中，所述发光结构层还包括有机发光层、发光块和阴极块，所述有机发光层与所述第三阳极连接，所述阴极与所述有机发光层连接，所述发光块设置在所述第三辅助电极远离所述基底一侧的表面上，所述发光块与所述有机发光层相互隔离，所述阴极块设置在所述发光块远离所述基底一侧的表面上，所述阴极块与所述阴极相互隔离。
- 一种显示装置，包括权利要求1至20任一项所述的显示基板。
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