CN112987501B - 直写光刻***和直写光刻方法 - Google Patents
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Abstract
一种直写光刻***和直写光刻方法,其中直写光刻***包括直写光源、运动机构、中央控制器、光斑图形输入装置以及投影光学装置;运动机构用于带动投影光学装置沿预设路径扫描,并用于发出参考点的位置数据;中央控制器用于根据位置数据读取光斑图形文件序列中对应的光斑图像数据;光斑图形输入装置用于根据光斑图像数据将直写光源提供的起始光束调制生成图形光;投影光学装置用于根据图形光向光刻件的表面投影出变形光斑,并在运动机构的带动下沿预设路径扫描,在扫描过程中光斑图像数据随位置数据而变化,形成预设的可控变形光斑。本发明的直写光刻***和直写光刻方法实现了复杂表面三维形貌结构的无掩模灰度光刻,并提高了光刻精度和光刻效率。
Description
技术领域
本发明涉及微纳米加工技术领域,尤其涉及一种直写光刻***和直写光刻方法。
背景技术
光电子是继微电子之后迅速发展的高新技术,当前的激光器件、光探测器、衍射光栅等是光电子技术的初始发展产品,光电子技术未来在显示、成像、探测等方面有着广阔的发展前景。
从器件微结构分析,微电子器件中的电路是2D图形,且图形占空比不高,而光电子器件更关注微结构的表面3D形貌,多台阶、连续形貌是主要特征。所以面向光电子新应用的3D微结构的加工需求与当前微电子需求不同,面型需求从2D转变到3D。虽然当前产品应用较普遍的微棱镜、微透镜等也具有3D结构,但还属于规则结构,随着技术发展,光电子应用微结构需求从规则3D到复杂3D转变。复杂3D结构的加工方法对于光电子领域诸多研究支撑极具科学意义,对于新行业、新应用的发展具有战略意义。
当前,实现3D微纳形貌的主要微加工技术手段有精密金刚石车削、3D打印、光刻等技术。金刚石车削是制作数十微米尺寸、规则排列3D形貌微结构的优选方法,其典型应用是微棱镜膜;3D打印技术可以制作复杂的3D结构,但传统振镜扫描3D打印技术的分辨率为数十微米;DLP投影式3D打印的分辨率为10-20um;双光子3D打印技术,虽然分辨率能达到亚微米,但属于串行加工方式,效率极低。基于光刻胶曝光模式的微光刻技术仍然是现代微加工的主流技术手段,其光刻胶材料成熟,工艺可控,是目前为止所能达到的最高精度的加工手段。
2D投影光刻技术已经广泛应用于微电子领域,3D形貌光刻技术目前还处于初级阶段,没有形成成熟的技术体系,目前进展如下:
1、传统掩模套刻法,用于做多台阶结构,结合离子刻蚀控制结构深度,工艺过程需要多次对准,工艺要求高,难以加工连续的3D形貌。
2、灰度掩模曝光法,其技术方案是制作半色调掩模版(half-tone),汞灯光源照射后产生灰度分布的透过光场,对光刻胶进行感光,形成3D表面结构。然而,这类掩模版制作难度大,结构分辨率差,流程复杂,且价格非常昂贵。
3、移动掩膜曝光法,较适于制作规则的微透镜阵列等结构。
4、声光扫描直写法,使用单光束直写,效率较低,还存在图形拼缝问题。
5、电子束灰度直写法,代表厂商及产品型号包括:日本Joel JBX9300、德国Vistec、Leica VB6,该方法面向较大幅面的器件制备效率极低,受限于电子束的能量,3D形貌深度调控能力不足,只能适用于制备小尺度的3D形貌微结构。
6、数字灰度光刻法,属于将灰度掩模和数字光处理技术结合而发展来的微纳加工技术,采用DMD空间光调制器作为数字掩膜,通过一次曝光加工出连续三维面形的浮雕微结构,对于大于一个曝光视场的图形采用步进拼接的方法。主要不足是灰度调制能力受DMD灰度等级的限制,存在明显台阶问题和视场间拼缝问题,并且光斑内部光强均匀性会影响3D形貌的面型品质。
综上,3D形貌光刻的研究现状与前沿需求之间存在着明显差距,因此,实现任意3D形貌的高品质光刻方法成为了相关领域对微光刻技术提出的重要且迫切的需求。
发明内容
本发明的目的在于提供一种直写光刻***和直写光刻方法,以实现复杂表面三维形貌结构的无掩模灰度光刻,并提高光刻精度和光刻效率。
根据本发明的目的提供一种直写光刻***,该直写光刻***包括直写光源、运动机构、中央控制器、光斑图形输入装置以及投影光学装置;
所述直写光源用于提供起始光束;
所述运动机构用于控制所述投影光学装置相对于待曝光的光刻件沿预设路径扫描,并用于发出参考点的位置数据;
所述中央控制器用于根据所述位置数据读取光斑图形文件序列中对应的光斑图像数据,并将所述光斑图像数据上载至所述光斑图形输入装置;
所述光斑图形输入装置用于根据所述光斑图像数据将所述直写光源提供的起始光束调制生成图形光,并将所述图形光输入投影光学装置;
所述投影光学装置控制所述图形光向所述光刻件的表面投影出变形光斑,并在运动机构的控制下沿所述预设路径扫描,在扫描过程中所述光斑图像数据随位置数据而变化,形成预设的可控变形光斑。
进一步地,所述直写光刻***还包括三维形貌生成装置和三维形貌分析装置;
所述三维形貌生成装置用于生成三维形貌数据;
所述三维形貌分析装置用于根据所述三维形貌数据和所述直写光刻***的预设参数生成光斑图形文件序列,所述光斑图形文件序列包括坐标序列和与所述坐标序列相对应的光斑图像数据序列。
进一步地,所述变形光斑的内部为固定光强,所述光斑图像数据包括光斑形状;所述直写光刻***的预设参数包括所述预设路径、扫描速度以及所述固定光强。
进一步地,所述变形光斑的内部为灰度分布光强,所述光斑图像数据包括光斑形状和光斑内光强分布;所述直写光刻***的预设参数包括所述预设路径以及扫描速度。
进一步地,所述中央控制器还用于向所述运动机构传输位移指令,以使得所述投影光学装置相对于所述光刻件进行三维方向的运动,实现所述投影光学装置的位移与聚焦。
本发明还提供了一种直写光刻方法,该直写光刻方法包括以下步骤:
S1:生成三维形貌数据;
S2:根据所述三维形貌数据和直写光刻***的预设参数生成光斑图形文件序列,所述光斑图形文件序列包括坐标序列和与所述坐标序列相对应的光斑图像数据序列;
S3:根据所述光斑图像数据序列生成图形光,将所述图形光投影至待曝光的光刻件的表面形成变形光斑,并沿预设路径扫描,在扫描过程中所述变形光斑的形状随位置数据而变化,形成预设的可控变形光斑。
进一步地,在所述步骤S3中,在扫描过程中所述变形光斑的光强分布也随位置数据而变化。
进一步地,所述步骤S3具体包括:
S31:获取参考点的位置数据;
S32:根据所述位置数据读取所述光斑图形文件序列中对应的光斑图像数据;
S33:根据所述光斑图像数据生成所述图形光,
S34:将所述图形光投影至所述光刻件的表面形成所述变形光斑;
S35:控制所述变形光斑进行一定位移;
重复执行步骤S31~S35,至直写光刻结束。
进一步地,在所述步骤S3中,沿预设路径扫描的步骤具体包括,控制所述变形光斑按先后顺序沿若干条预设路径扫描;所述若干条预设路径首尾间断或者首尾连续,所述若干条路径之间平行或者存在交叉。
进一步地,所述投影光学装置对所述变形光斑的投影采用并行成像方式。
进一步地,在所述步骤S3之前还可以包括步骤:
提供基板;
根据三维形貌的需求,在所述基板的表面涂布相应厚度的光刻胶;
所述步骤S2中,所述直写光刻***的预设参数包括光刻胶曝光灵敏度曲线。
本发明提供一种直写光刻***和直写光刻方法,采用在拖曳扫描过程中形状和/或光强分布不断变化的变形光斑对光刻件的表面进行曝光,使得光刻件上的各个评估点受到变剂量曝光,以实现复杂表面三维形貌结构的无掩模灰度光刻,并提高了光刻精度和光刻效率。
附图说明
图1为本发明的直写光刻***中变形光斑在拖曳扫描过程中的形状变化和光刻件的光刻槽型示意图。
图2a为本发明的直写光刻***中变形光斑在某一时刻的形状示意图。
图2b为本发明的直写光刻方法中在某一时刻变形光斑扫描过光刻件表面的剖面示意图。
图3为本发明第一实施例的直写光刻***的框架示意图。
图4为本发明第一实施例的直写光刻方法的步骤流程图。
图5为图4所示直写光刻方法中步骤S3的具体步骤流程图。
图6a~图6c为本发明第一实施例的直写光刻方法中多种预设路径的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。
本发明提供一种直写光刻***和直写光刻方法,采用在拖曳扫描过程中形状和/或光强分布不断变化的变形光斑10对光刻件20的表面进行曝光,使得光刻件20上的各个评估点受到变剂量曝光,以实现复杂表面三维形貌结构的无掩模灰度光刻。
请参阅图1和图3,图1示出了本发明的变形光斑10在拖曳扫描过程中的形状变化和光刻件20的光刻槽型示意图。沿扫描路径,变形光斑10进行间隔刷新,该刷新由中央控制器35进行控制,例如以固定的时间间隔进行帧频刷新,或者根据三维形貌的需求进行非等时间间隔的刷新。每次刷新后,变形光斑10的形状发生变化,进一步地,变形光斑10的内部为灰度分布光强,每次刷新后,变形光斑10的形状和/或光强分布发生变化。
请参阅图2a和图2b,图2a示出了变形光斑10在某一时刻的形状示意图,投影光学装置37的直写光学头所生成的投影面积内包括亮区101和遮光区102,称亮区101为变形光斑10的内部。图2b示出了在某一时刻变形光斑10扫描过光刻件20表面的剖面示意图。对于光刻件20表面的任一评估点Q,变形光斑10沿一定扫描路径和一定扫描速度扫过该评估点Q,本发明的直写光刻方法调控变形光斑10的前端11和尾端12掠过评估点Q的曝光时间和/或光强分布,曝光时间和光强分布影响评估点Q处的曝光量,进而附近多个评估点的刻蚀深度定义了光刻件20在该位置的光刻槽型。例如,当变形光斑10沿一路径扫描时,内部线条A-A’上的各点依次扫过评估点Q,评估点Q处的曝光量受线条A-A’上的各点的光强和扫描速度影响;当变形光斑10沿另一路径扫描时,内部线条B-B’上的各点依次扫过该评估点Q,评估点Q处的曝光量受线条B-B’上的各点的光强和扫描速度影响。
因此,根据所需光刻形成的三维形貌,结合直写光学***中扫描路径、扫描速度等预设参数,再配合光刻件20针对曝光量的敏感度等因素,可以推算设计出一系列特定的二维光斑,光斑的形状和/或光强与扫描路径所经过的(x,y)坐标具有对应关系。该系列特定的二维光斑的形状和/或光强与位置数据的对应关系构成光斑图形文件序列。本发明的直写光刻***根据光斑图形文件序列产生在拖曳扫描过程中形状和/或光强分布不断变化的变形光斑10。
第一实施例
请参阅图3,本实施例的直写光刻***包括:三维形貌生成装置31、三维形貌分析装置32、直写光源33、运动机构34、中央控制器35、光斑图形输入装置36以及投影光学装置37。其中,三维形貌生成装置31和三维形貌分析装置32和中央控制器35可以设置于一台或多台计算机或服务器中。
三维形貌生成装置31用于生成三维形貌数据。三维形貌数据包含但不限于,三维形貌各个点位的x、y横向坐标及对应的z向高度数据,该三维形貌数据通过三维造型软件生成,该三维造型软件可以导出供计算机解析的通用三维数据格式,例如:STL、3DS、STP、IGS、OBJ等,并优选地为矢量文件。
三维形貌分析装置32用于根据三维形貌数据和直写光刻***的预设参数生成光斑图形文件序列,光斑图形文件序列包括坐标序列和与坐标序列相对应的光斑图像数据序列。本实施例中,变形光斑10的内部采用固定光强,光斑图像数据序列中的每个光斑图像数据包括光斑形状,光斑形状在光斑图像数据中的限定方式为描述光斑轮廓的多个坐标,或者直写光学头所生成的投影面积内各点的二值化光强数据。直写光刻***的预设参数包括预设路径P、扫描速度以及该固定光强,且不限于此。光斑图形文件序列在生成后按顺序存储在存储器中,中央控制器35可对存储器中的光斑图形文件序列进行读取、匹配等操作。
直写光源33用于向光斑图形输入装置36提供起始光束。直写光源33可以采用对光刻件20上的光刻材料感光的LED、半导体激光器、固体激光器、气体激光器等,优选地为非相干性的连续光源。
运动机构34用于控制投影光学装置37相对于待曝光的光刻件20沿预设路径P扫描,并用于发出位置数据。需要说明的是,本发明所称扫描、运动或位移为投影光学装置37和光刻件20的相对位移。具体地,运动机构34包括带动投影光学装置37在水平方向移动的第一步进轴和第一驱动电机,以及带动投影光学装置37上下移动的第二步进轴和第二驱动电机;或者,运动机构34包括带动承载光刻件20的载物台在水平方向移动的第一步进轴和第一驱动电机,以及带动载物台上下移动的第二步进轴和第二驱动电机;也可以采用两种运动方式的结合。投影光学装置37或载物台在水平方向上的移动采用直角坐标***或极坐标***。运动机构34通过激光或超声波等方式获取位置数据,该位置数据包括且不限于:变形光斑10内参考点的坐标、投影光学装置37上参考点的坐标、运动机构34上进行移动的参考点的坐标等。
中央控制器35根据位置数据读取光斑图形文件序列中对应的光斑图像数据,并将光斑图像数据上载至光斑图形输入装置36。具体地,中央控制器35将存储的光斑图形文件序列和位置数据进行匹配,读取与位置数据对应的光斑形状,控制光斑图形输入装置36生成对应的图形光并刷新。进一步地,中央控制器35还用于向运动机构34传输位移指令,以使得投影光学装置37相对于光刻件20进行三维方向的运动,实现投影光学装置37的位移与聚焦。
光斑图形输入装置36用于根据光斑图像数据将直写光源33提供的起始光束调制生成图形光,并将图形光输入投影光学装置37。光斑图形输入装置36采用二维阵列结构的空间光调制器,例如数字微镜阵列(DMD)、硅基液晶(LCOS)等。
投影光学装置37用于控制图形光向光刻件20的表面投影出动态变形结构光斑,并在运动机构34的带动下沿预设路径P扫描。投影光学装置37还在中央控制器35和运动机构34的辅助下进行调焦,通过调焦控制一定形状的变形光斑10在光刻件20表面的投影面积。由于在扫描过程中,参考点的位置数据被不断上传至中央控制器35,图形光的形状随之进行刷新,因此变形光斑10的形状随位置数据而变化,形成预设的可控变形光斑。在第n(n为正整数)次刷新和第n+1次刷新的间隔时间内,变形光斑10保持第n次刷新后的形状,因此投影光学装置37的扫描方式为拖曳步进式扫描。投影光学装置37对变形光斑10的投影采用并行成像方式,如采用平场微缩成像投影光学方法,而非声光调制光学方法、振镜光学方法等串行成像方式。
进一步地,直写光刻***还可以包括对直写光源33发出的起始光束进行整形的光束整形器,光束整形器位于直写光源33和光斑图形输入装置36之间。
请参图4,本实施例还提供了一种直写光刻方法,该方法包括以下步骤:
S1:生成三维形貌数据;
S2:根据三维形貌数据和直写光刻***的预设参数生成光斑图形文件序列,光斑图形文件序列包括坐标序列和与坐标序列相对应的光斑图像数据序列;
S3:根据光斑图像数据序列生成图形光,将图形光投影至待曝光的光刻件20的表面形成变形光斑10,并沿预设路径P扫描,在扫描过程中变形光斑10的形状随位置数据而变化,形成预设的可控变形光斑。
具体地,请参图5,步骤S3包括:
S31:获取位置数据;
S32:根据位置数据读取光斑图形文件序列中对应的光斑图像数据;
S33:根据光斑图像数据生成图形光,
S34:将图形光投影至光刻件20的表面形成变形光斑10;
S35:控制变形光斑10进行一定位移;
重复执行步骤S31~S35,至直写光刻结束。
在步骤S3中,沿预设路径P扫描的步骤具体包括,控制变形光斑10按先后顺序沿若干条预设路径P扫描,该若干条预设路径P首尾间断或者首尾连续,且若干条路径之间平行或者存在交叉。请参图6a至图6c,示出了扫描路径的三个特例,图6a中变形光斑10沿连续的预设路径P扫描,投影光学装置37的直写光学头的扫描面积形成连续的条带图形13并无重叠地拼接,构成幅面图形;图6b中变形光斑10沿间断的预设路径P扫描,直写光学头的扫描面积形成多个条带图形13,多条预设路径P平行且条带图形13存在交叠区域14,构成幅面图形;图6c中变形光斑10沿预设路径P扫描,预设路径P存在交叉,直写光学头的扫描面积形成多个条带图形13并有重叠地拼接,构成幅面图形。
在步骤S3之前还可以包括步骤:
提供基板21;
根据三维形貌的需求,在基板21的表面涂布相应厚度的光刻胶22;
在上述步骤S2中,直写光刻***的预设参数包括光刻胶22曝光灵敏度曲线,该曲线为曝光量和光刻胶曝光灵敏度的对应关系,光刻胶曝光灵敏度是指在光刻胶22上产生一个良好的图形所需一定波长光的最小能量值。进一步地,直写光刻***的预设参数还包括光刻胶22的厚度、光刻胶22的对比度等,光刻胶22的对比度指光刻胶22从曝光区到非曝光区过渡的陡度。
在上述步骤S3之后还可以包括步骤:对光刻件20进行显影等化学处理,灰度化地去除部分光刻胶22,光刻胶22的去除深度与表面各点获得的曝光量相关,从而获得具有预期三维形貌的三维微纳结构图形母版。其后还可以进一步包括步骤,在三维微纳结构图形母版的基础上进行离子刻蚀、复制、电镀等步骤。
第二实施例
本实施例提供一种直写光刻***和直写光刻方法。本实施例的直写光刻方法与上述第一实施例的区别点在于:
变形光斑10的内部为灰度分布光强,光斑图像数据包括光斑形状和光斑内光强分布。直写光刻***的预设参数包括预设路径P以及扫描速度,该预设参数还可以进一步包括光刻胶22的曝光灵敏度曲线、厚度、对比度等。
本实施例的直写光刻方法与上述第一实施例的区别点在于:
在步骤S2中,根据三维形貌数据、预设路径P、扫描速度生成光斑图形文件序列,光斑图形文件序列包括坐标序列、与坐标序列相对应的光斑图像数据序列以及与坐标序列相对应的光强分布序列。
在步骤S3中,在扫描过程中变形光斑10的光强分布也随位置数据而变化。进一步地,在步骤S32中,根据位置数据读取光斑图形文件序列中对应的光斑图像数据的步骤具体为,根据位置数据读取光斑图形文件序列中对应的光斑形状和光斑内光强分布。
在本实施例中,第n(n为正整数)次刷新的变形光斑10和第n+1次刷新的变形光斑10,可能具有相同形状和不同光强分布,也可能具有不同形状和不同光强分布。
综上所述,本发明提供了一种直写光刻***和直写光刻方法,采用在拖曳扫描过程中形状和/或光强分布不断变化的变形光斑10对光刻件20的表面进行曝光,使得光刻件20上的各个评估点受到变剂量曝光,以实现无掩模灰度光刻,由于光斑图形文件序列具有高度灵活性,可以实现复杂表面三维形貌结构,不需要制作高精度的半色调掩模版,节约了成本,并提高了光刻精度和光刻效率。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种直写光刻***,其特征在于,包括直写光源(33)、运动机构(34)、中央控制器(35)、光斑图形输入装置(36)以及投影光学装置(37);
所述直写光源(33)用于提供起始光束;
所述运动机构(34)用于控制所述投影光学装置(37)相对于待曝光的光刻件(20)沿预设路径(P)扫描,并用于发出参考点的位置数据;
所述中央控制器(35)用于根据所述位置数据读取光斑图形文件序列中对应的光斑图像数据,并将所述光斑图像数据上载至所述光斑图形输入装置(36);
所述光斑图形输入装置(36)用于根据所述光斑图像数据将所述直写光源(33)提供的起始光束调制生成图形光,并将所述图形光输入投影光学装置(37);
所述投影光学装置(37)控制所述图形光向所述光刻件(20)的表面投影出变形光斑(10),并在运动机构(34)的控制下沿所述预设路径(P)扫描,在扫描过程中所述光斑图像数据随位置数据而变化,形成预设的可控变形光斑;
根据所需光刻形成的三维形貌,结合所述直写光刻***中扫描路径、扫描速度、所述光刻件(20)针对曝光量的敏感度设计出一系列的变形光斑(10),变形光斑(10)的形状与扫描路径所经过的坐标具有对应关系,该系列的变形光斑(10)的形状与位置数据的对应关系构成所述光斑图形文件序列。
2.根据权利要求1所述的直写光刻***,其特征在于,所述直写光刻***还包括三维形貌生成装置(31)和三维形貌分析装置(32);
所述三维形貌生成装置(31)用于生成三维形貌数据;
所述三维形貌分析装置(32)用于根据所述三维形貌数据和所述直写光刻***的预设参数生成光斑图形文件序列,所述光斑图形文件序列包括坐标序列和与所述坐标序列相对应的光斑图像数据序列。
3.根据权利要求1所述的直写光刻***,其特征在于,所述变形光斑(10)的内部为固定光强,所述光斑图像数据包括光斑形状;所述直写光刻***的预设参数包括所述预设路径(P)、扫描速度以及所述固定光强。
4.根据权利要求1所述的直写光刻***,其特征在于,所述变形光斑(10)的内部为灰度分布光强,所述光斑图像数据包括光斑形状和光斑内光强分布;所述直写光刻***的预设参数包括所述预设路径(P)以及扫描速度。
5.根据权利要求1所述的直写光刻***,其特征在于,所述中央控制器(35)还用于向所述运动机构(34)传输位移指令,以使得所述投影光学装置(37)相对于所述光刻件(20)进行三维方向的运动,实现所述投影光学装置(37)的位移与聚焦。
6.一种直写光刻方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:生成三维形貌数据;
S2:根据所述三维形貌数据和直写光刻***的预设参数生成光斑图形文件序列,所述光斑图形文件序列包括坐标序列和与所述坐标序列相对应的光斑图像数据序列;
S3:根据所述光斑图像数据序列生成图形光,将所述图形光投影至待曝光的光刻件(20)的表面形成变形光斑(10),并沿预设路径(P)扫描,在扫描过程中所述变形光斑(10)的形状随位置数据而变化,形成预设的可控变形光斑;
根据所需光刻形成的三维形貌,结合所述直写光刻***中扫描路径、扫描速度、所述光刻件(20)针对曝光量的敏感度设计出一系列的变形光斑(10),变形光斑(10)的形状与扫描路径所经过的坐标具有对应关系,该系列的变形光斑(10)的形状与位置数据的对应关系构成所述光斑图形文件序列。
7.根据权利要求6所述的直写光刻方法,其特征在于,在所述步骤S3中,在扫描过程中所述变形光斑(10)的光强分布也随位置数据而变化。
8.根据权利要求6所述的直写光刻方法,其特征在于,所述步骤S3具体包括:
S31:获取参考点的位置数据;
S32:根据所述位置数据读取所述光斑图形文件序列中对应的光斑图像数据;
S33:根据所述光斑图像数据生成所述图形光,
S34:将所述图形光投影至所述光刻件(20)的表面形成所述变形光斑(10);
S35:控制所述变形光斑(10)进行一定位移;
重复执行步骤S31~S35,至直写光刻结束。
9.根据权利要求6所述的直写光刻方法,其特征在于,在所述步骤S3中,沿预设路径(P)扫描的步骤具体包括,控制所述变形光斑(10)按先后顺序沿若干条预设路径(P)扫描;所述若干条预设路径(P)首尾间断或者首尾连续,所述若干条路径之间平行或者存在交叉。
10.根据权利要求6所述的直写光刻方法,其特征在于,在所述步骤S3之前还可以包括步骤:
提供基板(21);
根据三维形貌的需求,在所述基板(21)的表面涂布相应厚度的光刻胶(22);
所述步骤S2中,所述直写光刻***的预设参数包括光刻胶曝光灵敏度曲线。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911303595.7A CN112987501B (zh) | 2019-12-17 | 2019-12-17 | 直写光刻***和直写光刻方法 |
JP2022513961A JP7345769B2 (ja) | 2019-12-17 | 2020-11-04 | 直接描画露光システム及び直接描画露光方法 |
KR1020227021405A KR20220106166A (ko) | 2019-12-17 | 2020-11-04 | 직접 기록 포토에칭 시스템 및 직접 기록 포토에칭 방법 |
PCT/CN2020/126362 WO2021120906A1 (zh) | 2019-12-17 | 2020-11-04 | 直写光刻***和直写光刻方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911303595.7A CN112987501B (zh) | 2019-12-17 | 2019-12-17 | 直写光刻***和直写光刻方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112987501A CN112987501A (zh) | 2021-06-18 |
CN112987501B true CN112987501B (zh) | 2023-01-24 |
Family
ID=76342464
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911303595.7A Active CN112987501B (zh) | 2019-12-17 | 2019-12-17 | 直写光刻***和直写光刻方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7345769B2 (zh) |
KR (1) | KR20220106166A (zh) |
CN (1) | CN112987501B (zh) |
WO (1) | WO2021120906A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113934115B (zh) * | 2021-10-22 | 2023-10-27 | 合肥芯碁微电子装备股份有限公司 | 控制直写式光刻机的方法和直写式光刻机 |
CN114114848B (zh) * | 2021-10-26 | 2023-12-15 | 江苏迪盛智能科技有限公司 | 扫描光刻的控制方法、装置、设备及存储介质 |
CN115629480A (zh) * | 2022-08-18 | 2023-01-20 | 西北大学 | 一种基于矢量图结构和光场调制的激光刻印***与方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19626176A1 (de) * | 1996-06-29 | 1998-01-08 | Deutsche Forsch Luft Raumfahrt | Lithographie-Belichtungseinrichtung und Lithographie-Verfahren |
JP3704994B2 (ja) * | 1999-02-23 | 2005-10-12 | ノーリツ鋼機株式会社 | 焼付装置の光量調整方法 |
TW478032B (en) * | 1999-11-04 | 2002-03-01 | Seiko Epson Corp | Method and device for laser plotting, hologram master and the manufacturing method thereof |
US6730256B1 (en) * | 2000-08-04 | 2004-05-04 | Massachusetts Institute Of Technology | Stereolithographic patterning with interlayer surface modifications |
CN100561356C (zh) * | 2007-05-23 | 2009-11-18 | 芯硕半导体(合肥)有限公司 | 综合式直写光刻方法 |
EP2017833A1 (en) * | 2007-07-16 | 2009-01-21 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Scanned writing of an exposure pattern on a substrate |
CN101339300B (zh) * | 2008-08-13 | 2010-08-25 | 哈尔滨工业大学 | 双光束干涉可调增益激光写入滤波方法与装置 |
US8465910B2 (en) * | 2010-07-06 | 2013-06-18 | Massachusetts Institute Of Technology | Hybrid lithographic method for fabricating complex multidimensional structures |
CN102357735B (zh) * | 2011-09-22 | 2015-05-13 | 中国航天科技集团公司第五研究院第五一0研究所 | 基于可控光束剖面形状与功率分布的双扫描三维激光刻蚀加工方法 |
CN102837128B (zh) * | 2012-08-28 | 2015-09-23 | 中国科学院光电研究院 | 采用液晶光阀整形的激光直写加工*** |
CN103744271B (zh) * | 2014-01-28 | 2015-10-28 | 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 | 一种激光直写***与光刻方法 |
JP6030597B2 (ja) * | 2014-04-04 | 2016-11-24 | 株式会社松浦機械製作所 | 三次元造形装置及び三次元形状造形物の製造方法 |
EP3978184A1 (en) * | 2015-11-23 | 2022-04-06 | NLIGHT, Inc. | Method and apparatus for fine-scale temporal control for laser beam material processing |
CN105480939A (zh) * | 2015-12-03 | 2016-04-13 | 中国科学院物理研究所 | 一种具有液体全超憎功能的三维结构的制备方法 |
CN105700302A (zh) * | 2016-03-18 | 2016-06-22 | 天津中精微仪器设备有限公司 | 一种快速光刻*** |
-
2019
- 2019-12-17 CN CN201911303595.7A patent/CN112987501B/zh active Active
-
2020
- 2020-11-04 JP JP2022513961A patent/JP7345769B2/ja active Active
- 2020-11-04 KR KR1020227021405A patent/KR20220106166A/ko not_active Application Discontinuation
- 2020-11-04 WO PCT/CN2020/126362 patent/WO2021120906A1/zh active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112987501A (zh) | 2021-06-18 |
JP7345769B2 (ja) | 2023-09-19 |
WO2021120906A1 (zh) | 2021-06-24 |
JP2022547841A (ja) | 2022-11-16 |
KR20220106166A (ko) | 2022-07-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |