CN112968136B - 一种显示面板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开一种显示面板及其制备方法,显示面板包括:显示区和非显示区;所述非显示区包括开口子区域和至少一个隔断槽,所述隔断槽围绕所述开口子区域;所述非显示区包括衬底层和依次设置在所述衬底层一侧的第一隔离层、第二隔离层和发光层;在垂直于所述衬底层的方向上,所述非显示区内的所述第一隔离层和所述第二隔离层均被所述隔断槽截断;在所述隔断槽的侧壁上,所述第二隔离层的端面超出所述第一隔离层的端面,以使所述发光层在所述隔断槽的侧壁上断开。能够改善OLED显示面板中开孔处或开槽处的发光层容易形成水氧通道,从而避免外部水汽入侵到显示面板内部导致显示失效的情况,解决了目前显示面板可靠性较低的问题。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
随着科技的不断进步,智能手机和平板电脑等显示装置已经成为人们生活中不可或缺的部分。显示面板作为显示装置的重要组成部分,也被提出了更高的要求。有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示面板,因具有比液晶显示(LiquidCrystal Display,LCD)面板更轻薄、亮度高、功耗低、响应快、清晰度高、柔性好、发光效率高等优点,而被广泛应用在显示装置中。
目前,随着“高屏占比”概念的提出,“刘海屏”、“水滴屏”和“小孔屏”等相继出现。“刘海屏”、“水滴屏”和“小孔屏”的屏幕开孔或者开槽是应对前置摄像头等感应器件的放置需求,可以大大提高屏占比。但是,屏幕开孔或开槽的设计应用在OLED显示面板中时,在开孔处或开槽处的发光层容易形成水氧通道,使得外部水汽入侵到显示面板内部,从而导致显示失效,造成显示面板可靠性较低的问题。
发明内容
本申请实施例提供了一种显示面板及其制备方法,能够改善OLED显示面板中开孔处或开槽处的发光层容易形成水氧通道,从而避免外部水汽入侵到显示面板内部导致显示失效的情况,解决了目前显示面板可靠性较低的问题。
第一方面,一种显示面板,包括:显示区和非显示区;
所述非显示区包括开口子区域和至少一个隔断槽,所述隔断槽围绕所述开口子区域;
所述非显示区包括衬底层和依次设置在所述衬底层一侧的第一隔离层、第二隔离层和发光层;
在垂直于所述衬底层的方向上,所述非显示区内的所述第一隔离层和所述第二隔离层均被所述隔断槽截断;
在所述隔断槽的侧壁上,所述第二隔离层的端面超出所述第一隔离层的端面,以使所述发光层在所述隔断槽的侧壁上断开。
在一种可行的实施方式中,所述非显示区还包括缓冲层,所述缓冲层设置在所述衬底层与所述第一隔离层之间;
所述缓冲层包括第一缓冲材料层和第二缓冲材料层,所述第一缓冲材料层设置在所述第二缓冲材料层与所述第一隔离层之间;
在垂直于所述衬底层的方向上,所述第一缓冲材料层被所述隔断槽截断;
在所述隔断槽的侧壁上,所述第二隔离层的端面超出所述第一缓冲材料层的端面。
在一种可行的实施方式中,所述非显示区还包括半导体层,所述半导体层设置在所述缓冲层与所述第一隔离层之间;
在垂直于所述衬底层的方向上,所述半导体层被所述隔断槽截断;
在所述隔断槽的侧壁上,所述半导体层的端面超出所述第一隔离层的端面。
在一种可行的实施方式中,所述非显示区还包括绝缘层,所述绝缘层设置在所述第二隔离层与所述发光层之间;
所述绝缘层包括第一绝缘材料层和第二绝缘材料层,所述第一绝缘材料层设置在所述第二绝缘材料层与所述发光层之间;
在垂直于所述衬底层的方向上,所述第一绝缘材料层和所述第二绝缘材料层均被所述隔断槽截断;
在所述隔断槽的侧壁上,所述第二绝缘材料层的端面超出所述第一绝缘材料层的端面。
在一种可行的实施方式中,所述非显示区还包括绝缘层,所述绝缘层设置在所述第一隔离层与所述半导体层之间;
所述绝缘层包括依次叠加的第一绝缘材料层、第二绝缘材料层和第一绝缘材料层;
在垂直于所述衬底层的方向上,所述第一绝缘材料层和所述第二绝缘材料层均被所述隔断槽截断;
在所述隔断槽的侧壁上,所述第二绝缘材料层的端面超出所述第一绝缘材料层的端面。
在一种可行的实施方式中,所述第一隔离层的材料与所述第二隔离层的材料在相同刻蚀条件下的刻蚀速率不同。
在一种可行的实施方式中,所述第一隔离层的材料包括氧化硅,所述第二隔离层的材料包括氮化硅。
在一种可行的实施方式中,所述隔断槽部分围绕所述开口子区域,或,所述隔断槽全部围绕所述开口子区域。
第二方面,一种显示面板的制备方法,包括:
在衬底层的一侧依次设置第一隔离层和第二隔离层;
对非显示区内的所述第二隔离层和所述第一隔离层进行第一次刻蚀;
第一次刻蚀结束后,对所述非显示区内的所述第二隔离层和所述第一隔离层进行第二次刻蚀,形成隔断槽,得到第一基板;
第二次刻蚀结束后,在所述第一基板远离所述衬底层的一侧设置发光层,得到第二基板;
对所述第二基板进行封装,得到第三基板;
对所述第三基板的所述非显示区内设置开口,形成开口子区域,所述隔断槽围绕所述开口子区域,得到显示面板。
在一种可行的实施方式中,所述第一次刻蚀包括干法刻蚀;和/或,
所述第二次刻蚀包括湿法刻蚀。
针对发光层的材料对水汽较为敏感,能够传导水汽的材料属性,现有显示面板的开孔或者开槽位置截面的发光层容易入侵水汽而形成水氧通道,造成水气入侵到显示面板内部,导致显示失效以及可靠性较低的问题,本申请提供的显示面板及制备方法通过在开口子区域周围设置隔断槽,且隔断槽侧壁上的第二隔离层的端面超出第一隔离层的端面,在隔断槽内的侧壁上形成膜层台阶,能够使得在发光层成膜过程中,发光层在隔断槽内形成断裂的非连续状态,能够起到阻断水氧通道的作用。从而能够避免外部水汽入侵到显示面板内部导致显示失效的情况,解决了目前显示面板可靠性较低的问题。
附图说明
图1为本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图;
图2为本申请实施例提供的一种显示面板的结构沿A-A′的一种截面示意图;
图3为本申请实施例提供的另一种显示面板的结构示意图;
图4为本申请实施例提供的一种显示面板的结构沿A-A′的另一种截面示意图;
图5为本申请实施例提供的一种显示面板的结构沿A-A′的又一种截面示意图;
图6为本申请实施例提供的一种显示面板的结构沿A-A′的再一种截面示意图;
图7为本申请实施例提供的一种显示面板的结构沿A-A′的一种截面示意图;
图8为本申请实施例提供的一种显示面板的结构沿A-A′的另一种截面示意图;
图9为本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法的示意性流程图。
具体实施方式
为了更好的理解本说明书实施例提供的技术方案,下面通过附图以及具体实施例对本说明书实施例的技术方案做详细的说明,应当理解本说明书实施例以及实施例中的具体特征是对本说明书实施例技术方案的详细的说明,而不是对本说明书技术方案的限定,在不冲突的情况下,本说明书实施例以及实施例中的技术特征可以相互组合。
在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。术语“两个以上”包括两个或大于两个的情况。
目前,随着“高屏占比”概念的提出,“刘海屏”、“水滴屏”和“小孔屏”等相继出现。“刘海屏”、“水滴屏”和“小孔屏”的屏幕开孔或者开槽是应对前置摄像头等感应器件的放置需求,可以大大提高屏占比。但是,屏幕开孔或开槽的设计应用在OLED显示面板中时,在开孔处或开槽处的发光层容易形成水氧通道,使得外部水汽入侵到显示面板内部,从而导致显示失效,造成显示面板可靠性较低的问题。
有鉴于此,为解决上述问题,本申请提供一种显示面板,示例性的,图1为本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图;图2为本申请实施例提供的一种显示面板的结构沿A-A′的一种截面示意图。结合图1和图2,本申请实施例提供一种显示面板,包括:显示区100和非显示区200,非显示区200是如图1所示的虚线框;非显示区200包括开口子区域201和至少一个隔断槽202,隔断槽202是如图2所示的虚线框。如图1所示,隔断槽202围绕开口子区域201。非显示区200可以包括衬底层210和依次设置在衬底层210一侧的第一隔离层220、第二隔离层230和发光层240。在垂直于衬底层210的方向上,非显示区200内的第一隔离层220和第二隔离层230均被隔断槽202截断;在隔断槽202的侧壁上,第二隔离层230的端面231超出第一隔离层220的端面221,以使发光层240在隔断槽202的侧壁上断开。在发光层240远离衬底层210的一侧还可以设置有封装层250,封装层250用于封装发光层240,起到保护发光层240的作用,封装层250是整面覆盖的,可以将隔断槽202覆盖住。在封装层250之上还可以设置其他相应膜层,本申请不作一一列举,也不作具体限定。容易理解的是,显示区100内还会包括金属层或其他导电层,金属层可以用于设置金属走线或者器件电极,但是由于非显示区200不提供显示功能,在显示面板的整体制备工艺过程中,非显示区200内的金属层可以不做保留,会在形成金属走线或者器件电极的过程中去除掉非显示区200内的金属层或其他导电层,便于对非显示区200内的相关非金属膜层进行刻蚀成槽,最后形成隔断槽202,此处不作详细赘述。
容易理解的是,在隔断槽202的侧壁上,第二隔离层230的端面231超出第一隔离层220的端面221,可以看作是在隔断槽202的侧壁上第二隔离层230的端面231相对于第一隔离层220的端面221突出设置,即在隔断槽202的侧壁上,第二隔离层230作为相对的突起膜层,第一隔离层220作为相对的凹陷膜层;或者看作是在图2所示的截面图中,在隔断槽202的侧壁上,第二隔离层230的长度大于第一隔离层220的长度。最终达到的效果是隔断槽202的侧壁是凹凸不平的台阶状态,能够使得发光层240覆盖在隔断槽202上后,发光层240在隔断槽202的侧壁上断开,发光层240的膜层呈现为非连续状态。
容易理解的是,开口子区域201主要可以用于容纳前置摄像头以及闪光灯或者其他感应器件。开口子区域201可以通过切割工艺来实现,本申请不作具体限定。
针对发光层240的材料对水汽较为敏感,能够传导水汽的材料属性,现有显示面板的开孔或者开槽位置截面的发光层240容易入侵水汽而形成水氧通道,造成水气入侵到显示面板内部,导致显示失效以及可靠性较低的问题,本申请提供的显示面板通过在开口子区域201周围设置隔断槽202,在隔断槽202的侧壁上设置第二隔离层230的端面231超出第一隔离层220的端面221,在隔断槽202内的侧壁上形成膜层台阶,能够使得在发光层240成膜过程中,发光层240在隔断槽202内形成断裂的非连续状态,起到阻断水氧通道的作用。从而能够避免外部水汽入侵到显示面板内部导致显示失效的情况,解决了目前显示面板可靠性较低的问题。
在一种可行的实施方式中,如图1所示,开口子区域201为圆孔,隔断槽202全部围绕开口子区域201。开口子区域201还可以是椭圆孔或者方孔,只要满足隔断槽202全部围绕开口子区域201即可,本申请不作具体限定。
本申请实施例提供的显示面板,可以根据不同的外观需求设置开口子区域201的形状,隔断槽202全部围绕开口子区域201,能够全面阻隔由开口子区域201的内壁裸露的发光层240导入的外界水汽,从而能够避免外界水汽入侵到显示面板内部导致显示失效的情况,解决了目前显示面板可靠性较低的问题。
在一种可行的实施方式中,图3为本申请实施例提供的另一种显示面板的结构示意图。如图3所示,开口子区域201为缺口,隔断槽202部分围绕开口子区域201。缺口的形状可以是水滴状或者矩形,本申请不作具体限定。
本申请实施例提供的显示面板,可以根据外观设计的需求,将开口子区域201的形状设置为缺口,由于缺口的设置,隔断槽202只能部分围绕开口子区域201。虽然隔断槽202只能部分围绕开口子区域201,但是隔断槽202的部分围绕是在显示面板上的,同样能够全面阻隔由开口子区域201的内壁裸露的发光层240导入的外界水汽,从而能够避免外部水汽入侵到显示面板内部导致显示失效的情况,解决了目前显示面板可靠性较低的问题。
需要说明的是,图1和图3所示的开口子区域201在显示面板上的位置只是示意性的,不作为本申请的具体限定。
在一种可行的实施方式中,隔断槽202的数量可以是两个或者更多,可以根据实际的非显示区200的空间大小设置隔断槽202的数量,容易理解的是隔断槽202的数量越多,对于外界水汽的阻隔效果越好,但是隔断槽202的数量越多则会占用较多的空间,具体数量根据实际需求进行设置即可。
在一种可行的实施方式中,图4为本申请实施例提供的一种显示面板的结构沿A-A′的另一种截面示意图。如图4所示,本申请实施例提供的显示面板,非显示区200还包括缓冲层260,缓冲层260设置在衬底层210与第一隔离层220之间;缓冲层260包括第一缓冲材料层261和第二缓冲材料层262,第一缓冲材料层261设置在第二缓冲材料层262与第一隔离层220之间。在垂直于衬底层210的方向上,第一缓冲材料层261被隔断槽202截断;在隔断槽202的侧壁上,第二隔离层230的端面231超出第一缓冲材料层261的端面261a。在形成隔断槽202过程中,第一缓冲材料层261可以被部分刻蚀掉或者全部刻蚀掉,第二缓冲材料层262可以保留下来作为隔断槽202的槽底,本申请不作具体限定。
本申请实施例提供的显示面板,第二隔离层230的端面231超出缓冲层260的第一缓冲材料层261的端面261a,可以增加第二隔离层230的端面231形成的台阶段差,进一步加强发光层240成膜过程中在隔断槽202内的断裂状态,加强阻断水氧通道的效果,从而能够避免外部水汽入侵到显示面板内部导致显示失效的情况,解决了目前显示面板可靠性较低的问题。
在一种可行的实施方式中,图5为本申请实施例提供的一种显示面板的结构沿A-A′的又一种截面示意图。示例性的,如图5所示,非显示区200还包括半导体层270,半导体层270设置在缓冲层260与第一隔离层220之间。在垂直于衬底层210的方向上,半导体层270被隔断槽202截断;在隔断槽202的侧壁上,半导体层270的端面271超出第一隔离层220的端面221。半导体层270通常可以采用p-Si(poly silicon,多晶硅),本申请不作具体限定。
本申请实施例提供的显示面板,半导体层270的端面271超出第一隔离层220的端面221,可以增加一个隔断槽202的侧壁上的膜层台阶,隔断槽202的侧壁上的膜层台阶越多,对发光层240的截断效果越好,能够进一步截断发光层240,可以加强对外界水汽的阻隔。
在一种可行的实施方式中,图6为本申请实施例提供的一种显示面板的结构沿A-A′的再一种截面示意图。示例性的,如图6所示,非显示区200还可以包括绝缘层280,绝缘层280设置在第二隔离层230与发光层240之间;绝缘层280包括第一绝缘材料层281和第二绝缘材料层282,第一绝缘材料层281设置在第二绝缘材料层282与发光层240之间。在垂直于衬底层210的方向上,第一绝缘材料层281和第二绝缘材料层282均被隔断槽202截断;在隔断槽202的侧壁上,第二绝缘材料层282的端面282a超出第一绝缘材料层281的端面281a。第一绝缘材料层281和第一隔离层220采用的材料可以相同,第二绝缘材料层282和第二隔离层230采用的材料可以相同,本申请不作具体限定。
本申请实施例提供的显示面板,在第二隔离层230和发光层240之间设置绝缘层280,可以增加第二隔离层230的端面231形成的台阶宽度,进一步加强发光层240成膜过程中在隔断槽202内的断裂状态,加强阻断水氧通道的效果,从而能够避免外部水汽入侵到显示面板内部导致显示失效的情况,解决了目前显示面板可靠性较低的问题。
在一种可行的实施方式中,图7为本申请实施例提供的一种显示面板的结构沿A-A′的一种截面示意图。如图7所示,非显示区200还可以包括绝缘层280,绝缘层280设置在第一隔离层220与半导体层270之间;绝缘层280包括第一绝缘材料层281和第二绝缘材料层282,第二绝缘材料层282设置在第一绝缘材料层281与第一隔离层220之间。在垂直于衬底层210的方向上,第一绝缘材料层281和第二绝缘材料层282均被隔断槽202截断;在隔断槽202的侧壁上,第二绝缘材料层282的端面282a超出第一绝缘材料层281的端面281a。
本申请实施例提供的显示面板,在第一隔离层220与半导体层270之间设置绝缘层280,在隔断槽202的侧壁上,绝缘层280的第二绝缘材料层282相对于第一绝缘材料层281突出设置,能够增加隔断槽202的侧壁上的膜层台阶,进一步增强对于发光层240的膜层截断效果,进一步加强对于外界水汽的阻隔。
在一种可行的实施方式中,图8为本申请实施例提供的一种显示面板的结构沿A-A′的另一种截面示意图。如图8所示,非显示区200还可以包括绝缘层280,绝缘层280设置在第一隔离层220与半导体层270之间;绝缘层280包括依次叠加的第一绝缘材料层281、第二绝缘材料层282和第一绝缘材料层281。在垂直于衬底层210的方向上,第一绝缘材料层281和第二绝缘材料层282均被隔断槽202截断;在隔断槽202的侧壁上,第二绝缘材料层282的端面282a超出第一绝缘材料层281的端面281a。
本申请实施例提供的显示面板,绝缘层280采用三层膜叠加的结构,中间的第二绝缘材料层282相对于两边的第一绝缘材料层281突出设置,在不同膜层设置的情况下,增加隔断槽202的侧壁上的膜层台阶,进一步增强对于发光层240的膜层截断效果,进一步加强对于外界水汽的阻隔。
在一种可行的实施方式中,第一隔离层220的材料与第二隔离层230的材料在相同刻蚀条件下的刻蚀速率不同。容易理解的是,隔断槽202可以通过刻蚀工艺得到,可以在发光层240之前的所有膜层都形成后进行统一刻蚀成槽,也可以分两次进行刻蚀成槽。示例性的,如果第二隔离层230为PVx层(Passivation,钝化层),可以起到绝缘以及钝化金属层的作用。可以在PVx层成膜后,对非显示区200进行刻蚀成槽;也可以在PVx层成膜前进行一次刻蚀成槽,在一次刻蚀后进行PVx层的成膜,成膜后再对PVx层进行二次刻蚀,最后得到隔断槽202。示例性的,绝缘层280也可以作为最接近发光层240的PVx层,PVx层通常可以采用氧化物。示例性的,在刻蚀膜层形成隔断槽202的过程中,相同的刻蚀条件下,第一隔离层220的材料与第二隔离层230的刻蚀速率可以不同,以达到在隔断槽202的侧壁上形成膜层台阶的膜层结构,即第二隔离层230的端面231超出第一隔离层220的端面221。容易理解的是,参考图2,在相同刻蚀条件下,第一隔离层220的刻蚀速率大于第二隔离层230的刻蚀速率。为达到在隔断槽202的侧壁上形成膜层台阶的膜层结构,还可以通过其他方式,本申请具体限定。
在一种可行的实施方式中,在相同刻蚀条件下,第二隔离层230与第一缓冲材料层261的刻蚀速率可以不同,容易理解的是,参考图4,在相同刻蚀条件下,第一缓冲材料层261的刻蚀速率大于第二隔离层230的刻蚀速率,以使在隔断槽202的侧壁上,第二隔离层230的端面231超出第一缓冲材料层261的端面261a。
在一种可行的实施方式中,在相同刻蚀条件下,第一隔离层220与半导体层270的刻蚀速率可以不同,容易理解的是,参考图5,在相同刻蚀条件下,第一隔离层220的刻蚀速率大于半导体层270的刻蚀速率,以使在隔断槽202的侧壁上,半导体层270的端面271超出第一隔离层220的端面221。
在一种可行的实施方式中,在相同刻蚀条件下,第一绝缘材料层281和第二绝缘材料层282的刻蚀速率可以不同,容易理解的是,参考图6-图8,在相同刻蚀条件下,第一绝缘材料层281的刻蚀速率大于第二绝缘材料层282的刻蚀速率,以使在隔断槽202的侧壁上,第二绝缘材料层282的端面282a超出第一绝缘材料层281的端面281a。
本申请实施例提供的显示面板,通过不同膜层材料在相同刻蚀条件下的刻蚀速率不同的特性,实现在隔断槽202的侧壁上形成膜层台阶的膜层结构,以起到截断发光层240的作用,阻隔外界水汽。利用刻蚀速率不同,无需附加工艺流程,只需在现有工艺制程中进行非显示区膜层刻蚀成槽得到隔断槽202,原理简单,操作方便,效果明显。
在一种可行的实施方式中,第一隔离层220的材料可以包括氧化硅,第二隔离层230的材料可以包括氮化硅。
在一种可行的实施方式中,第一缓冲材料层261和第一绝缘材料层281中任一者或者两者的材料可以包括氧化硅,第二缓冲材料层262和第二绝缘材料层282中任一者或者两者的材料可以包括氮化硅。在相同刻蚀条件下,氧化硅的刻蚀速率大于氮化硅的刻蚀速率。
本申请实施例提供的显示面板,利用氮化硅和氧化硅的刻蚀速率差异,以及在显示面板领域通常采用氮化硅和氧化硅作为绝缘材料或者缓冲材料,实现在隔断槽202的侧壁上形成膜层台阶的膜层结构,以起到截断发光层240的作用,阻隔外界水汽。
示例性的,隔断槽202的宽度可以设置为5μm,还可以根据不同产品进行边框优化设计,本申请不作具体限定。
第二方面,图9为本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法的示意性流程图。如图9所示,一种显示面板的制备方法,包括:
S100:在衬底层的一侧依次设置第一隔离层和第二隔离层。
S200:对非显示区内的第二隔离层和第一隔离层进行第一次刻蚀。示例性的,第一次刻蚀可以包括干法刻蚀。干法刻蚀的气体可以采用CF4+O2,刻蚀时间可以大于或等于195s,可以根据具体膜层设置进行刻蚀时长的设定,本申请不作具体限定。示例性的,经过第一轮的干法刻蚀,可以得到底部宽度为3μm左右的隔断槽202,如图8所示的W1此时的取值可以是3μm。示例性的,如图8所示,W2代表膜层端面的上侧突出距离,W3代表膜层端面的下侧突出距离。第二隔离层230的端面231的上侧突出距离可以为0.15μm,第二隔离层230的端面231的下侧突出距离可以为0.1μm,以上数值只是示意性的,不作为本申请的具体限定。干法刻蚀能够形成隔断槽202侧壁上膜层端面的突出台阶的初步形貌。
S300:第一次刻蚀结束后,对非显示区内的第二隔离层和第一隔离层进行第二次刻蚀,形成隔断槽,得到第一基板。第二次刻蚀可以包括湿法刻蚀,湿法刻蚀能够形成隔断槽202侧壁上膜层端面的突出台阶的最终形貌。示例性的,湿法刻蚀的时间可以是60s,此时,参考图8,隔断槽202的底部宽度W1可以在4-5μm,具体可以是4.5μm;W2可以大于或等于0.3μm,W3可以大于或等于0.2μm。
需要说明的是,第一次刻蚀和第二次刻蚀具体采用干法刻蚀还是湿法刻蚀,可以根据具体工艺流程设计决定,本申请不作具体限定。
S400:第二次刻蚀结束后,在第一基板远离衬底层的一侧设置发光层,得到第二基板。参考图8,在蒸镀发光层的过程中,发光层在隔断槽202的侧壁上发生断裂。
S500:对第二基板进行封装,得到第三基板。封装层可以随形覆盖在隔断槽上防止水汽入侵。
S600:对第三基板的非显示区内设置开口,形成开口子区域,隔断槽围绕所述开口子区域,得到显示面板。示例性的,开口子区域可以通过切割工艺得到,本申请不作具体限定。
本申请实施例提供的显示面板制备方法,通过干法刻蚀和湿法刻蚀的结合应用,得到隔断槽,无论是干法刻蚀还是湿法刻蚀,第一隔离层和第二隔离层的刻蚀速率都是不同的,示例性的,在干法刻蚀和湿法刻蚀的条件下,氧化硅的刻蚀速率都大于氮化硅的刻蚀速率。干法刻蚀能够形成隔断槽侧壁上膜层端面的突出台阶的初步形貌,湿法刻蚀能够形成隔断槽侧壁上膜层端面的突出台阶的最终形貌,即湿法刻蚀可以加深隔断槽侧壁上膜层端面的突出台阶的形貌,得到较为突出的膜层端面的突出台阶,以截断发光层,阻止形成水氧通道,阻隔外界水汽的入侵。
尽管已描述了本说明书的优选实施例,但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念,则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以,所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本说明书范围的所有变更和修改。
显然,本领域的技术人员可以对本说明书进行各种改动和变型而不脱离本说明书的精神和范围。这样,倘若本说明书的这些修改和变型属于本说明书权利要求及其等同技术的范围之内,则本说明书也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (9)
1.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
在衬底层的一侧依次设置第一隔离层和第二隔离层;
对非显示区内的所述第二隔离层和所述第一隔离层进行第一次刻蚀;
第一次刻蚀结束后,对所述非显示区内的所述第二隔离层和所述第一隔离层进行第二次刻蚀,形成隔断槽,得到第一基板,其中,在所述隔断槽的侧壁上,所述第二隔离层的端面超出所述第一隔离层的端面,所述第一隔离层的材料与所述第二隔离层的材料在相同刻蚀条件下的刻蚀速率不同;
第二次刻蚀结束后,在所述第一基板远离所述衬底层的一侧设置发光层,得到第二基板;
对所述第二基板进行封装,得到第三基板;
对所述第三基板的所述非显示区内设置开口,形成开口子区域,所述隔断槽围绕所述开口子区域,得到显示面板。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述第一次刻蚀包括干法刻蚀;和/或,
所述第二次刻蚀包括湿法刻蚀。
3.一种显示面板,其特征在于,应用如权利要求1-2中任一项所述的显示面板的制备方法制备得到,所述显示面板包括:显示区和非显示区;
所述非显示区包括开口子区域和至少一个隔断槽,所述隔断槽围绕所述开口子区域;
所述非显示区包括衬底层和依次设置在所述衬底层一侧的第一隔离层、第二隔离层和发光层;
在垂直于所述衬底层的方向上,所述非显示区内的所述第一隔离层和所述第二隔离层均被所述隔断槽截断;
在所述隔断槽的侧壁上,所述第二隔离层的端面超出所述第一隔离层的端面,以使所述发光层在所述隔断槽的侧壁上断开。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述非显示区还包括缓冲层,所述缓冲层设置在所述衬底层与所述第一隔离层之间;
所述缓冲层包括第一缓冲材料层和第二缓冲材料层,所述第一缓冲材料层设置在所述第二缓冲材料层与所述第一隔离层之间;
在垂直于所述衬底层的方向上,所述第一缓冲材料层被所述隔断槽截断;
在所述隔断槽的侧壁上,所述第二隔离层的端面超出所述第一缓冲材料层的端面。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述非显示区还包括半导体层,所述半导体层设置在所述缓冲层与所述第一隔离层之间;
在垂直于所述衬底层的方向上,所述半导体层被所述隔断槽截断;
在所述隔断槽的侧壁上,所述半导体层的端面超出所述第一隔离层的端面。
6.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述非显示区还包括绝缘层,所述绝缘层设置在所述第二隔离层与所述发光层之间;
所述绝缘层包括第一绝缘材料层和第二绝缘材料层,所述第一绝缘材料层设置在所述第二绝缘材料层与所述发光层之间;
在垂直于所述衬底层的方向上,所述第一绝缘材料层和所述第二绝缘材料层均被所述隔断槽截断;
在所述隔断槽的侧壁上,所述第二绝缘材料层的端面超出所述第一绝缘材料层的端面。
7.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述非显示区还包括绝缘层,所述绝缘层设置在所述第一隔离层与所述半导体层之间;
所述绝缘层包括依次叠加的第一绝缘材料层、第二绝缘材料层和第一绝缘材料层;
在垂直于所述衬底层的方向上,所述第一绝缘材料层和所述第二绝缘材料层均被所述隔断槽截断;
在所述隔断槽的侧壁上,所述第二绝缘材料层的端面超出所述第一绝缘材料层的端面。
8.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一隔离层的材料包括氧化硅,所述第二隔离层的材料包括氮化硅。
9.根据权利要求3-8中任一项所述的显示面板,其特征在于,所述隔断槽部分围绕所述开口子区域,或,所述隔断槽全部围绕所述开口子区域。
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