CN112967980A - 芯片转移组件及其制作方法、芯片转移方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种芯片转移组件及其制作方法、芯片转移方法。芯片转移组件转移基板；在转移基板上形成的多孔胶层，多孔胶层内分布有第一孔隙；在多孔胶层上形成的胶体凸起，胶体凸起具有透光性，且胶体凸起内分布有用于容纳发光转换颗粒第二孔隙；在芯片转移过程中，第二孔隙中容纳有发光转换颗粒，在胶体凸起吸附的LED芯片转移至芯片焊接区，通过加热完成LED芯片的焊接过程中，胶体凸起与多孔胶层之间的接触面在热效应作用下形成分离面，从而便于胶体凸起与多孔胶层分离并保留在所述二极管芯片的出光面上作为发光转换层，不再需要再单独制备发光转换层，既能简化显示面板的制作工艺，提升制作效率，同时降低制作成本。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件领域，尤其涉及一种芯片转移组件及其制作方法、芯片转移方法。
背景技术
Micro-LED(Micro-Light Emitting Diode，微型发光二极管)是新一代的显示技术。与现有的液晶显示相比具有更高的光电效率，更高的亮度，更高的对比度，以及更低的功耗，且还能结合柔性面板实现柔性显示。
Micro-LED显示面板上包括了若干像素区域，每个像素区域包括红光LED芯片、蓝光LED芯片、绿光LED芯片。在显示面板的制作过程中，需先将蓝光LED芯片从生长基板转移到显示面板的显示背板上，然后再在显示背板上需要形成红光和绿光的蓝光LED芯片上单独制作红光量子点(Quantum Dots，QD)膜和绿光量子点膜，以将对应蓝光LED芯片发出的光转换成对应的红光和绿光。以上先将蓝光LED芯片转移至显示背板上后，再单独在对应的蓝光LED芯片上制作用于进行发光转换的薄膜方式，工艺流程较为繁琐，效率低，导致显示面板的制作成本高。
因此，如何实现简化显示面板的制作流程，提升制作效率并降低成本，是亟需解决的问题。
发明内容
鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种芯片转移组件及其制作方法、芯片转移方法，旨在解决相关技术中，显示面板的制作流程繁琐，制作效率低，成本高的问题。
一种芯片转移组件，包括：
转移基板；
在所述转移基板上形成的多孔胶层，所述多孔胶层内分布有第一孔隙；
在所述多孔胶层上形成的胶体凸起，所述胶体凸起具有透光性，且所述胶体凸起内分布有第二孔隙，所述第二孔隙的尺寸与发光转换颗粒的尺寸相匹配，并小于所述第一孔隙的尺寸；
所述第二孔隙用于在发光二极管芯片转移过程中容纳发光转换颗粒，所述胶体凸起用于在发光二极管芯片转移过程中，与待转移的发光二极管芯片的出光面贴合后，所述胶体凸起在受热后降温的作用下完成对所述发光二极管芯片的吸附；以及用于在吸附的所述发光二极管芯片转移至芯片焊接区后，在加热完成所述发光二极管芯片的焊接过程中，与所述多孔胶层之间的接触面在热效应作用下形成分离面，以便于与所述多孔胶层分离并保留在所述发光二极管芯片的出光面上。
利用上述芯片转移组件将LED芯片转移至显示背板上的芯片焊接区时，对于需要进行发光转换的待转移LED芯片，可直接通过转移凸起的第二孔隙容纳有发光转换颗粒，并在通过转移凸起将LED芯片转移至芯片焊接区完成焊接后，具有发光转换颗粒的转移凸起与转移基板上的多孔胶层分离，保留在LED芯片的出光面上，形成发光转换层，也即实现了在将LED芯片转移至芯片焊接区的过程中，同时完成芯片的转移和发光转换层的制作，从而不再需要在将LED芯片转移至显示背板的修片焊接区之后再单独制备发光转换层，既能简化显示面板的制作工艺，提升制作效率，同时降低制作成本。
基于同样的发明构思，本申请还提供一种芯片转移组件的制作方法，其特征在于，包括：
提供转移基板；
在所述转移基板上形成多孔胶层，所述多孔胶层内分布有第一孔隙；
在所述多孔胶层上形成胶体凸起，所述胶体凸起具有透光性，且所述胶体凸起内分布有第二孔隙，所述第二孔隙的尺寸与发光转换颗粒的尺寸相匹配，并小于所述第一孔隙的尺寸。
上述芯片转移组件的制作方法制作过程简单、方便，且制作效率高，成本低。
基于同样的发明构思，本申请还提供一种芯片转移方法，包括：
将如上所述的芯片转移组件的胶体凸起浸润发光转换颗粒，使得所述发光转换颗粒进入所述第二孔隙；
将所述胶体凸起与待转移的发光二极管芯片的出光面贴合，并对胶体凸起加热到第一预设温度后降温，使得所述胶体凸起完成对所述发光二极管芯片的吸附，完成对所述发光二极管芯片的拾取；
将所述胶体凸起拾取的所述发光二极管芯片转移至预设有焊料的芯片焊接区，通过加热到第二预设温度使得所述焊料熔化实现所述发光二极管芯片的焊接，在此过程中，所述胶体凸起与所述多孔胶层之间的接触面在热效应作用下形成分离面，以便于所述胶体凸起与所述多孔胶层分离并保留在所述发光二极管芯片的出光面上。
上述芯片转移方法中，在将LED芯片转移至芯片焊接区的过程中，同时完成芯片的转移和发光转换层的制作，从而不再需要在将LED芯片转移至显示背板的修片焊接区之后再单独制备发光转换层，既能简化显示面板的制作工艺，提升制作效率，同时降低制作成本。
基于同样的发明构思，本申请还提供一种显示面板，包括显示背板和多颗LED芯，所述显示背板上设置有多个芯片焊接区，所述多颗LED芯片通过如上所述的芯片转移方法，分别转移至所述芯片焊接区完成键合。
上述显示面板，由于采用了更为简化、高效的LED芯片转移和光转换膜的制备方式，使得显示面板的制作也更为便捷、高效，从而在一定程度上缩短了显示面板的制度周期，降低了显示面板的制作成本。
附图说明
图1为本发明实施例提供的芯片转移组件结构示意图一；
图2-1为图1中的芯片转移组件浸润发光转换颗粒示意图；
图2-2为图1中的芯片转移组件浸润发光转换颗粒后的示意图；
图3为本发明实施例提供的芯片转移组件结构示意图二；
图4为图3中的芯片转移组件浸润发光转换颗粒后的示意图；
图5为本发明另一可选实施例提供的芯片转移组件制作流程示意图；
图6-1为本发明另一可选实施例提供的形成多孔胶层流程示意图；
图6-2为本发明另一可选实施例得到的形成多孔胶层示意图；
图7-1为本发明另一可选实施例提供的形成胶体凸起流程示意图；
图7-2为本发明另一可选实施例得到的临时转移基板上的胶体凸起示意图；
图7-3为本发明另一可选实施例得到的临时转移基板上的胶体凸起与多孔胶层贴合示意图；
图7-4为本发明另一可选实施例得到的临时转移基板上与胶体凸起分离示意图；
图8为本发明另一可选实施例提供的多孔胶层和胶体凸起剖面示意图；
图9为本发明又一可选实施例提供的芯片转移方法流程示意图；
图10-1为本发明又一可选实施例提供的生长基板上的LED芯片示意图；
图10-2为图10-1中的生长基板上的LED芯片的俯视图；
图10-3为图10-1中的生长基板上的LED芯片与临时转移基板上的粘附层贴合示意图；
图10-4为本发明又一可选实施例提供的LED芯片转移至临时转移基板上的示意图；
图10-5为图10-4中LED芯片转移至临时转移基板上后的俯视图；
图11为本发明又一可选实施例提供的芯片转移过程示意图一；
图12为本发明又一可选实施例提供的芯片转移过程示意图二；
附图标记说明：
1-转移基板，2-多孔胶层，21-第一孔隙，3-胶体凸起，31-第二孔隙，32-胶体凸起与发光二极管芯片之间的接触面，33-胶体凸起与多孔胶层之间的接触面，4-发光转换颗粒，5-临时转移基板，6-临时基板，7-LED芯片，8-显示背板，9-焊料，10-衬底，101-临时基板覆盖区域，11-粘附层。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。
现有技术中，在制作显示面板时，先将蓝光LED芯片转移至显示背板上后，再单独在对应的蓝光LED芯片上制作用于进行发光转换的薄膜，工艺流程较为繁琐，效率低，导致显示面板的制作成本高。。
基于此，本申请希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。
本实施例所示例的芯片转移组件包括：转移基板，在转移基板上形成的多孔胶层，该多孔胶层内分布有第一孔隙；以及包括在多孔胶层上形成的胶体凸起，该胶体凸起具有透光性，且该胶体凸起内分布有第二孔隙，该第二孔隙的尺寸与发光转换颗粒的尺寸相匹配，以用于容纳发光转换颗粒，并使得发光转换颗粒保留在该第二孔隙中。其中第二孔隙的尺寸小于多孔胶层中第一孔隙的尺寸。
利用本实施例示例的芯片转移组件进行芯片转移时，对于待转移的LED芯片为需要进行发光转换处理的芯片时，可以先在胶体凸起的第二孔隙中设置发光转换颗粒，然后将胶体凸起与待转移的LED芯片的出光面贴合，其中胶体凸起在受热后降温的作用下完成对LED芯片的吸附，从而将待转移的LED芯片通过吸附拾取出来转移至对应的转移至芯片焊接区，然后可通过但不限于加热完成LED芯片的焊接，在此过程中，胶体凸起与多孔胶层之间的接触面在热效应作用下形成分离面，从而便于后续胶体凸起与多孔胶层分离并保留在LED芯片的出光面上，同时由于该胶体凸起的第二孔隙中分布有发光转换颗粒，从而使得该胶体凸起形成为设置于LED芯片出光面上的发光转换层(也可称之为发光转换膜)。也即实施例中的芯片转移组件起在LED芯片的转移过程中可作为转移头，在LED芯片转移至芯片焊接区完成焊接后，胶体凸起与多孔胶层分离保留在LED芯片的出光面上，作为LED芯片的发光转换层。也即实现了在将LED芯片转移至芯片焊接区的过程中，同时完成芯片的转移和发光转换层的制作，从而不再需要在将LED芯片转移至显示背板的修片焊接区之后再单独制备发光转换层，既能简化显示面板的制作工艺，提升制作效率，同时降低制作成本。
应当理解的是，对于待转移的LED芯片为不需要进行发光转换处理的LED芯片，则可不在胶体凸起的第二孔隙中设置发光转换颗粒，直接将对应的胶体凸起与待转移的LED芯片的出光面贴合，通过上述类似的转移过程将LED芯片转移至芯片焊接区完成焊接。当然，也应当理解的是，对于不需要进行发光转换处理的LED芯片也可采用其他各种LED芯片转移方式，在此不再赘述。
应当理解的是，本实施例中的LED芯片可以为普通尺寸的LED芯片，也可为微型LED芯片，其中为微型LED芯片时，可以包括但不限于micro-LED芯片、mini-LED芯片中的至少一种，例如一种示例中，微型LED芯片可以为micro-LED芯片；在又一种示例中，微型LED芯片可以为mini-LED芯片。
应当理解的是，本实施例中的LED芯片可以包括但不限于倒装LED芯片、正装LED芯片中的至少一种，例如一种示例中，LED芯片可以为倒装LED芯片；在又一中示例中，LED芯片可以为正装LED芯片。
在本实施例的一种示例中，LED芯片可包括但不限于外延层和电极，本实施例不限定LED芯片的外延层的具体结构，在一种示例中，LED芯片的外延层可以包括N型半导体、P型半导体以及位于N型半导体和P型半导体之间的有源层，该有源层可以包括量子阱层，还可以包括其他结构。在另一些示例中，可选地，外延层还可包括反射层、钝化层中的至少一种。本实施例中电极的材质和形状也不做限定，例如一种示例中，电极的材质可包括但不限于Cr，Ni，Al，Ti，Au，Pt，W，Pb，Rh，Sn，Cu，Ag中的至少一种。
应当理解的是，本实施例中多孔胶层内分布的第一孔隙具体分布个数(也即多孔胶层的孔隙率(及孔隙占用的体积与多孔胶层的总体积的比例))可以根据具体应用场景灵活设定，例如可以该孔隙率可以设置为但不25％、30％、40％等。第一孔隙的尺寸也可根据具体应用需求灵活设置。例如一些应用示例中，第一孔隙的尺寸可以设置为但不限于50纳米至1000纳米，在具体应用时，该第一孔隙的尺寸可以根据需求设置为50纳米、100纳米、200纳米、300纳米、500纳米、600纳米、750纳米、800纳米，900纳米、1000纳米。另外，应当理解的是，多孔胶层中分布的若干第一孔隙的尺寸可以相同，也可不同。
同样，应当理解的是，本实施例中胶体凸起内分布的第二孔隙具体分布个数(也即胶体凸起的孔隙率)可以根据具体应用场景灵活设定，例如胶体凸起的孔隙率可以设置为但不25％、35％、40％等，其与多孔胶层的孔隙率可以相同，也可不同。第二孔隙的尺寸也可根据具体应用需求灵活设置，例如可根据具体采用的发光转换颗粒的尺寸灵活设置，该发光转换颗粒可以为量子点颗粒或荧光粉颗粒或其他能起到发光转换作用的颗粒。例如一些应用示例中，第二孔隙的尺寸可以设置为但不限于6纳米至30纳米，在具体应用时，该第一孔隙的尺寸可以根据需求设置为6纳米、8纳米、10纳米、11纳米、15纳米、18纳米、20纳米、25纳米，28纳米、30纳米。另外，应当理解的是，胶体凸起中分布的若干第二孔隙的尺寸可以相同，也可不同。
可以理解的是，本实施例中对于转移基板的材质和形状不做限制，例如转移基板可以为但不限于玻璃、蓝宝石、石英和硅中的任意一种。本实施例中对于多孔胶层的材质也可灵活选定，例如一种应用场景中，该多孔胶层可为但不限于聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane，PDMS)体系胶层。同样，本实施例中对于胶体凸起的材质也可灵活选定，例如一些应用场景中，该胶体凸起的材质可以为但不限于有机硅体系胶体或丙烯酸树脂。
可以理解的是，本实施例中在多孔胶层上形成的胶体凸起个数可以根据具体应用场景灵活设定。例如对于单次单颗LED芯片转移的应用场景，可以在多孔胶层上形成的单个胶体凸起，也可形成多个胶体凸起但在转移过程中逐个使用。对于单次多颗LED芯片转移的应用场景，则可在多孔胶层上形成有多个胶体凸起，且多个胶体凸起在多层胶层上的位置分布，与多个待转移的LED芯片的位置分布相对应，也即根据待转移的多颗LED芯片图形化形成多个胶体凸起。
应当理解的是，本实施例中胶体凸起的形状可以灵活设置，例如可以设置为规则形状(如圆柱形、长方体形等)，也可设置为非规则形状。在本实施例的另一些应用示例中，为了更便于胶体凸起与多孔胶层之间分离，可以设置胶体凸起与多孔胶层之间的接触面的面积，小于胶体凸起与LED芯片之间的接触面的面积。在本应用示例中，胶体凸起高度方向的截面形状可为但不限于梯形，也可为满足上述条件的其他任意形状。
为了便于理解，本实施例下面结合附图，对本实施例所提供的芯片转移组件进行示例说明。
请参见图1所示的示例，该示例中的芯片转移组件包括转移基板1，设置在转移基板1上的多孔胶层2，多孔胶层2中分布有第一孔隙21；该芯片转移组件还包括在多孔胶层2上设置的多个(也可根据需求设置为单个)胶体凸起3，胶体凸起3中分布有第二孔隙31，第二孔隙31的尺寸小于第一孔隙21。且胶体凸起3具有透光性。图1所示的胶体凸起3高度方向的界面形状为矩形，当然也可根据需求设置为其他形状，在此不再赘述。
在一些应用场景中，需要对待转移的LED芯片进行发光转换处理时，例如对于蓝光LED芯片，需要将其转换为红光或绿光等应用场景时，在利用图1所示的芯片转移组件对该蓝光LED芯片进行转移之前，可在对应的胶体凸起3的第二孔隙31内设置对应的发光转换颗粒(例如将蓝光转换为红光的发光转换颗粒，或将蓝光转换为绿光的发光转换颗粒)。一种设置示例请参见图2-1所示，可将芯片转移组件的胶体凸起3浸入发光转换颗粒4中，以供发光转换颗粒4进入到第二孔隙31中，最终得到图2-2所示的芯片转移组件；然后即可利用图2-2所示的芯片转移组件按照上述示例的方式完成对应蓝光LED芯片的转移，且内部分布有发光转换颗粒的胶体凸起3最终保留在蓝光LED芯片的出光面上，作为该蓝光LED芯片的发光转换层，将其发出的蓝光转换为所需的红光或绿光或其他颜色的光。
请参见图3所示的示例，该示例中的芯片转移组件也包括转移基板1，设置在转移基板1上的多孔胶层2，多孔胶层2中分布有第一孔隙21；该芯片转移组件也包括在多孔胶层2上设置的多个(也可根据需求设置为单个)胶体凸起3，胶体凸起3中分布有第二孔隙31，第二孔隙31的尺寸小于第一孔隙21。且胶体凸起3具有透光性。图2所示的胶体凸起3高度方向的界面形状为梯形，胶体凸起3与多孔胶层2之间的接触面33的面积，小于胶体凸起3与LED芯片之间的接触面32的面积，这样更便于后续胶体凸起3从多孔胶层2脱离并保留在LED芯片的出光面上作为发光转换层。根据需求在多孔胶层2中设置了发光转换颗粒的形态请参见图4所示。
应当理解的是，本实施例中上述示例的多孔胶层、胶体凸起的形成工艺可以灵活选用，本实施例对其不做限制。
本发明另一可选实施例：
为了便于理解，本实施例提供一种示例的芯片转移组件的制作方法，请参见图5所示，其包括但不限于：
S501：提供转移基板。本实施例中对于转移基板的材质和形状不做限制，例如转移基板可以为但不限于玻璃、蓝宝石、石英和硅中的任意一种。
S502：在转移基板上形成多孔胶层，多孔胶层内分布有第一孔隙；多孔胶层的材质以及形成工艺可以灵活选用。例如，一种示例中，多孔胶层为聚二甲基硅氧烷体系胶层，其一种示例的形成过程请参见图6-1所示，包括但不限于：
S601：对聚二甲基硅氧烷体系胶体进行稀释。例如可以采用但不限于二甲苯对聚二甲基硅氧烷体系胶体进行稀释，稀释后方便第一可溶性颗粒分散，尽可能避免出现团聚的情况。
S602：在稀释后的聚二甲基硅氧烷体系胶体中加入第一可溶性颗粒并搅拌均匀。
其中选用的第一可溶性颗粒具有在一定温度下能溶解的特性，例如可以包括但不限于糖类颗粒(例如葡萄糖颗粒或蔗糖颗粒、)或者盐类颗粒(例如氯化钠颗粒)等中的至少一种，且选用的第一可溶性颗粒的尺寸可根据待形成的第一孔隙的需求灵活选择，例如可相应的选择尺寸为50纳米至1000纳米的第一可溶性颗粒。
S603：将混合有第一可溶性颗粒的聚二甲基硅氧烷体系胶体设置于转移基板上固化后，形成聚二甲基硅氧烷体系胶层。
在一些示例中，可以通过但不限于涂布的方式(例如spincoating旋涂方式)将混合有第一可溶性颗粒的聚二甲基硅氧烷体系胶体涂布于转移基板上，涂布的厚度可以根据需求灵活设定。涂布后可以采用但不限于热固化(例如置于80℃的环境下30分钟)。
S604：通过水浴(water bath)将固化后的聚二甲基硅氧烷体系胶层中的第一可溶性颗粒去除，第一可溶性颗粒所占用的空间构成第一孔隙。
本示例中的水浴是化学实验室中以水作为传热介质的一种加热方法。将被加热物质的器皿放入水中，水的沸点为100℃，该法适于100℃以下的加热温度，可以使得在一定温度下，溶解掉混合的第一可溶性颗粒(例如糖类颗粒或者盐类等)，第一可溶性颗粒原先占据的空间就会空出形成第一孔隙。得到的多孔胶层参见图6-2所示，在转移基板1上形成的多孔胶层2内分布有第一孔隙，且本示例得到的多孔胶层2中第一孔隙的孔隙率为30％左右。
S503：在多孔胶层上形成胶体凸起，胶体凸起具有透光性，且胶体凸起内分布有第二孔隙，第二孔隙的尺寸与发光转换颗粒的尺寸相匹配，并小于第一孔隙的尺寸。
其中，胶体凸起的材质以及形成工艺也可以灵活选用，其一种示例的形成过程请参见图7所示，包括但不限于：
S701：对目标胶体进行稀释。
其中该目标胶体可为有机硅体系胶体或丙烯酸树脂，例如可以采用但不限于二甲苯对目标胶体进行稀释，稀释后方便第二可溶性颗粒分散，尽可能避免出现团聚的情况。
S702：在稀释后的目标胶体中加入第二可溶性颗粒并搅拌均匀。
其中选用的第二可溶性颗粒也具有在一定温度下能溶解的特性，例如可以包括但不限于糖类颗粒(例如葡萄糖颗粒或蔗糖颗粒、)或者盐类颗粒(例如氯化钠颗粒)等中的至少一种，且选用的第二可溶性颗粒的尺寸可根据待形成的第二孔隙的需求灵活选择，例如可相应的选择尺寸为6纳米至30纳米的第二可溶性颗粒，第二可溶性颗粒的尺寸小于第一可溶性颗粒。
S703：将混合有第二可溶性颗粒的目标胶体设置临时转移基板上固化后，形成胶体凸起。
在一些示例中，可以通过但不限于涂布的方式(例如spincoating旋涂方式)将混合有第二可溶性颗粒的目标胶体涂布于临时转移基板上，涂布的厚度可以根据需求灵活设定；涂布后可以采用但不限于热固化(例如置于80℃的环境下30分钟)或紫外光固化的的方式将其固化，然后通过切割、或时刻等方式形成相应的胶体凸起。
S704：通过水浴将固化后的胶体凸起中的第二可溶性颗粒去除，第二可溶性颗粒原来占用的空间构成第二孔隙。一种示例结构请参见图7-2所示，在临时转移基板5上形成有胶体凸起3，胶体凸起3内分布有第二孔隙31。
S704：将临时转移基板上的胶体凸起与转移基板上的多孔胶层贴合，并将临时转移基板与胶体凸起分离，从而在多孔胶层上形成胶体凸起。
一种示例过程请参见图7-3和图7-4所示，将临时转移基板5上形成有胶体凸起3与转移基板1上的多孔胶层2贴合，然后将临时转移基板5与胶体凸起3分离，胶体凸起3保留在多孔胶层2上。
在本示例中，得到的多孔胶层和胶体凸起实物产品的剖视放大图参见图8所示，其内部分布有孔隙，形态呈类似海绵状。
应当理解的，上述芯片转移组件的制作方法仅仅是一种制得本实施例中的芯片转移组件的示例方法，本实施例中的芯片转移组件的制作并不限于上述示例方法。但从上述示例方法可知，本实施例中的芯片转移组件制作过程简单、方便，且制作效率高，成本低。
本发明又一可选实施例：
为了便于理解，本实施例下面以利用上述芯片转移组件进行芯片转移的方法进行示例说明。请参见图9所示，包括：
S901：将芯片转移组件的胶体凸起浸润发光转换颗粒，使得发光转换颗粒进入第二孔隙。
应当理解的是，当待转移的LED芯片为不需要进行发光转换处理的芯片时，可直接进入下一步；当然也可采用其他芯片转移方式对其进行转移，在此不再赘述。
S902：将胶体凸起与待转移的LED芯片的出光面贴合，并对胶体凸起加热到第一预设温度后降温，使得胶体凸起完成对LED芯片的吸附，完成对LED芯片的拾取。
在本实施例中，可以在将胶体凸起与待转移的LED芯片的出光面贴合之前(当然也可在贴合后)，对芯片转移组件(此时其作为转移头)加热至第一预设温度，使得多孔胶层和胶体凸起的多孔材料处于气体密度较低，体积较大的状态。然后将胶体凸起与待转移的LED芯片的出光面贴合，在热条件下，胶体凸起与LED芯片接触，接触后开始降温，使多孔胶层和胶体凸起的多孔材料中的孔隙的气体降温，气体体积收缩，使得一方面是胶体凸起的胶体自身通过氢键或者范德华力对LED芯片的粘结，另一方面通过前后体积收缩后的气体产生气压的变化，来增加胶体凸起对LED芯片的粘着力；然后将LED芯片与其所在的临时基板或生长衬底剥离，完成LED芯片的拾取。本实施例中的第一预设温度可为但不限于60℃至80℃，例如可以设置为60℃、65℃，75℃、80℃等。
S903：将胶体凸起拾取的LED芯片转移至预设有焊料的芯片焊接区，通过加热到第二预设温度使得焊料熔化实现LED芯片的焊接，同时胶体凸起与多孔胶层之间的接触面在热效应作用下形成分离面，以便于后续胶体凸起与多孔胶层分离并保留在LED芯片的出光面上。
在本实施例中，将胶体凸起拾取的LED芯片转移至预设有焊料的芯片焊接区后，再次加温，使整体温度上升，以便焊料融化实现LED芯片与背板电路pad的焊接，但同时在此过程中，温度升高，由于多孔胶层的第一孔隙比胶体凸起的第二孔隙大，同时多孔胶层和胶体凸起的多孔材料处于气体密度较低体积较大的状态，二者之间体积增大会产生一个相互排斥的力，在热效应分离时，分离面在多孔胶层与胶体凸起的接触面部分形成，可以使得多孔胶层与胶体凸起之间的结合力小于胶体凸起与LED芯片之间的结合力，从而可将胶体凸起顺利的与多孔胶层分离，这样浸有发光转换颗粒的胶体凸起会依靠范德华力留在LED芯片上，作为LED芯片的发光转换层，用于实现色转换。
在本实施例中，考虑到发光转换颗粒(例如量子点材料)的耐温性，本焊接时可采用但不限于含铋组分比较高的焊料，对应的第二预设温度可设置为但不限于90℃至100℃。例如可以设置为90℃、92℃，95℃、100℃等。
为了便于理解，本实施例下面结合附图，以一种应用示例对倒装LED芯片的转移过程进行示例说明。
在本示例中，参见图10-1至图10-2所示，在生长基板10上生长有LED芯片7。图10-2中黑线框101所示的区域为临时基板覆盖(也即选中)的区域。请参见图10-3至图10-5所示，本实施例中，临时基板6上设置有粘附层11，其中粘附层11的设置形态可以灵活设定，只要其能满足在于生长基板生长有多颗微型LED芯片的一面贴合时，能可靠的将对应的LED芯片粘附住即可。参见图10-3所示，将临时基板6上的粘附层11与待转移的LED芯片7贴合实现LED芯片的粘接，将LED芯片7从生长基板10剥离转移至临时基板11上，参见图10-4和图10-5所示，其中图10-5为临时基板11的俯视图。在此过程中，还可采用但不限于LLO(Laser LiftOff，激光剥离)以保证LED芯片顺利的从生长基板剥离。
应当理解的是，本实施例中的生长基板的材质为可在生长基板上生长微型LED芯片外延层的半导体材料，例如，该生长基板的材质可以为但不限于蓝宝石、碳化硅、硅、砷化镓，也可以为其他半导体材料，在此不做限制。
本实施例中对于临时基板的材质也不做限制，例如一种示例中，该临时基板的材质可以采用但不限于玻璃、蓝宝石、石英和硅中的任意一种。
在本应用示例中，以LED芯片为蓝光LED芯片，发光转换颗粒为红色量子点颗粒或绿色量子点颗粒为例进行说明。例如，假设对于一部分蓝光LED芯片需要将其在显示背板上转换为红光，其转移过程可参见图11所示，包括：
S1101：将芯片转移组件的胶体凸起3进行红色量子点颗粒浸润，得到在第二孔隙3内分布有红色量子点颗的胶体凸起3。
S1102：将芯片转移组件的胶体凸起3加热到第一预设温度后，将其与临时基板6上对应的LED芯片(本示例中为蓝光LED芯片)7贴合。
S1103：然后对胶体凸起3降温，使得胶体凸起3完成对LED芯片7的吸附，完成对LED芯片7的拾取。
S1104：将胶体凸起3拾取的LED芯片7转移至显示背板8上对应的芯片焊接区，该芯片焊接区的pad上设置有焊料9。
S1105：通过加热到第二预设温度使得焊料9熔化实现LED芯片的焊接，同时胶体凸起与多孔胶层之间的接触面在热效应作用下形成分离面，便于胶体凸起与多孔胶层分离并保留在LED芯片的出光面上。一种示例中，可以待冷却后，由于LED芯片已经被焊接在焊接区的pad上，可通过向上提拉转移基板，由于胶体凸起与多孔胶层之间已形成分离面，胶体凸起与多孔胶层之间的粘合力小于LED芯片和胶体凸起的粘合力，使得胶体凸起与多孔胶层之间分离并保留在LED芯片的出光面上。
S1106：最终得到的显示背板上的发出红光的LED。
在一些应用示例中，当蓝光LED芯片不需要进行出光转换处理时，一种示例的转移过程请参见图12所示，包括：
S1201：直接将芯片转移组件的胶体凸起3(其内部的第二孔隙中没有发光转换颗粒)加热到第一预设温度后，将其与临时基板6上对应的LED芯片(本示例中为蓝光LED芯片)7贴合。
S1202：然后对胶体凸起3降温，使得胶体凸起3完成对LED芯片7的吸附，完成对LED芯片7的拾取。
S1203：将胶体凸起3拾取的LED芯片7转移至显示背板8上对应的芯片焊接区，该芯片焊接区的pad上设置有焊料9。
S1204：通过加热到第二预设温度使得焊料9熔化实现LED芯片的焊接，同时胶体凸起与多孔胶层之间的接触面在热效应作用下形成分离面，以便于胶体凸起与多孔胶层分离并保留在LED芯片的出光面上。
S1205：最终得到的显示背板上的发出蓝光的LED。
当然，对于蓝光LED芯片不需要进行出光转换处理时，蓝光LED芯片的转移方式也可采用现有各种转移方式，并不限于图12所示的转移方式。
通过上述转移方式进行LED芯片三次转移蓝光芯片后，即可显示不同的颜色，避免了后期单独制备QD膜繁琐制程，简化了制备彩色显示面板的流程。
本实施例还提供了一种显示面板，特征在于，包括显示背板和多颗LED芯，显示背板上设置有多个芯片焊接区，多颗LED芯片通过如上所示的芯片转移方法，分别转移至芯片焊接区完成键合。由于避免了后期单独制备发光转换层繁琐制程，简化了制备显示面板的流程，因此可提升显示面板的制备效率并降低其成本。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种芯片转移组件，其特征在于，包括：
转移基板；
在所述转移基板上形成的多孔胶层，所述多孔胶层内分布有第一孔隙；
在所述多孔胶层上形成的胶体凸起，所述胶体凸起具有透光性，且所述胶体凸起内分布有第二孔隙，所述第二孔隙的尺寸与发光转换颗粒的尺寸相匹配，并小于所述第一孔隙的尺寸；
所述第二孔隙用于在发光二极管芯片转移过程中容纳发光转换颗粒，所述胶体凸起用于在发光二极管芯片转移过程中，与待转移的发光二极管芯片的出光面贴合后，在受热后降温的作用下完成对所述发光二极管芯片的吸附；以及用于在吸附的所述发光二极管芯片转移至芯片焊接区后，在加热完成所述发光二极管芯片的焊接过程中，与所述多孔胶层之间的接触面在热效应作用下形成分离面，以便于与所述多孔胶层分离并保留在所述发光二极管芯片的出光面上。
2.如权利要求1所述的芯片转移组件，其特征在于，所述第一孔隙的尺寸为50纳米至1000纳米，所述第二孔隙的尺寸为6纳米至30纳米。
3.如权利要求1所述的芯片转移组件，其特征在于，所述胶体凸起与所述多孔胶层之间的接触面的面积，小于所述胶体凸起与所述发光二极管芯片之间的接触面的面积。
4.如权利要求1-3任一项所述的芯片转移组件，其特征在于，所述多孔胶层为聚二甲基硅氧烷体系胶层，所述胶体凸起为有机硅体系胶体或丙烯酸树脂。
5.一种如权利要求1-4任一项所述的芯片转移组件的制作方法，其特征在于，包括：
提供转移基板；
在所述转移基板上形成多孔胶层，所述多孔胶层内分布有第一孔隙；
在所述多孔胶层上形成胶体凸起，所述胶体凸起具有透光性，且所述胶体凸起内分布有第二孔隙，所述第二孔隙的尺寸与发光转换颗粒的尺寸相匹配，并小于所述第一孔隙的尺寸。
6.如权利要求5所述的芯片转移组件的制作方法，其特征在于，所述多孔胶层为聚二甲基硅氧烷体系胶层；
所述在转移基板上形成多孔胶层包括：
对聚二甲基硅氧烷体系胶体进行稀释；
在稀释后的所述聚二甲基硅氧烷体系胶体中加入第一可溶性颗粒并搅拌均匀；
将混合有所述第一可溶性颗粒的聚二甲基硅氧烷体系胶体设置于所述转移基板上固化后，形成聚二甲基硅氧烷体系胶层；
通过水浴将固化后的所述聚二甲基硅氧烷体系胶层中的第一可溶性颗粒去除，所述第一可溶性颗粒所占用的空间构成所述第一孔隙。
7.如权利要求6所述的芯片转移组件的制作方法，其特征在于，所述在所述多孔胶层上形成胶体凸起包括：
对目标胶体进行稀释，所述目标胶体为有机硅体系胶体或丙烯酸树脂；
在稀释后的所述目标胶体中加入第二可溶性颗粒并搅拌均匀；
将混合有所述第二可溶性颗粒的目标胶体设置临时转移基板上固化后，形成胶体凸起；
通过水浴将固化后的所述胶体凸起中的第二可溶性颗粒去除，所述第二可溶性颗粒所占用的空间构成所述第二孔隙；
将所述临时转移基板上的胶体凸起与所述转移基板上的多孔胶层贴合，并将所述临时转移基板与所述胶体凸起分离。
8.如权利要求7所述的芯片转移组件的制作方法，其特征在于，所述第一可溶性颗粒的直径大于所述第二可溶性颗粒的直径；
所述第一可溶性颗粒和第二可溶性颗粒包括：糖类颗粒和盐类颗粒中的至少一种。
9.一种芯片转移方法，其特征在于，包括：
将如权利要求1-4任一项所述的芯片转移组件的胶体凸起浸润发光转换颗粒，使得所述发光转换颗粒进入所述第二孔隙；
将所述胶体凸起与待转移的发光二极管芯片的出光面贴合，并对胶体凸起加热到第一预设温度后降温，使得所述胶体凸起完成对所述发光二极管芯片的吸附，完成对所述发光二极管芯片的拾取；
将所述胶体凸起拾取的所述发光二极管芯片转移至预设有焊料的芯片焊接区，通过加热到第二预设温度使得所述焊料熔化实现所述发光二极管芯片的焊接，在此过程中，所述胶体凸起与所述多孔胶层之间的接触面在热效应作用下形成分离面，以便于所述胶体凸起与所述多孔胶层分离并保留在所述发光二极管芯片的出光面上。
10.如权利要求9所述的芯片转移方法，其特征在于，所述第一预设温度为60℃至80℃，所述第二预设温度为90℃至100℃。
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