CN112967975A - 一种巨量转移装置和巨量转移方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种巨量转移装置和巨量转移方法,该装置包括:激光器,用于发出激光光束;第一透镜,用于将激光光束经第一透镜整形成圆环光斑;第二透镜,用于将圆环光斑导射于载有待转移微型发光二极管芯片的第一基板上;第二透镜上固定有传动组件,传动组件用于移动第二透镜以调节第一透镜与第二透镜之间的间距,以调节圆环光斑直径的大小。本发明中的激光扫描方式为以圆环为单元进行扫描并通过改变圆环的直径大小达到改变扫描位置的方式,使得激光能更加均匀,仅仅需要控制第一透镜与第二透镜之间的间距便可以控制圆环与圆环之间的重叠区,以达到精确地控制光斑的轨迹,使重叠区上的激光扫描能量均匀。

Description

一种巨量转移装置和巨量转移方法
技术领域
本发明涉及微型发光二极管技术领域,尤其涉及一种巨量转移装置和巨量转移方法。
背景技术
微型发光二极管(Micro Light-Emitting Diode,Micro-LED)具有比一般发光二极管更理想的光电效率、亮度和对比度以及更低功耗。多个微型发光二极管装载入发光背板上,形成微型发光二极管阵列。在生长基板上形成微型发光二极管后,一般需要先将转移至暂存基板上,需要将微型发光二极管装入发光背板时,再将微型发光二极管从暂存基板转移至发光背板。微型发光二极管通过粘合层固定于暂存基板上,而将微型发光二极管与暂存基板二者分离的过程,业界称之为剥离。一般地,剥离阶段所采用的关键设备为激光剥离装置。
目前微型发光二极管的激光剥离一般通过振镜扫描技术来实现。其中,振镜扫描的方式需要通过控制X轴和Y轴两轴的反射镜来控制激光光束光斑的位置(通过与X轴对应的振镜以及与所述Y轴对应的振镜来分别调节两反射镜的反射角度,从而控制入射光束到场景的角度,以达到达标件上聚焦点的位置),而光斑必须有重叠区,而重叠区的大小是有要求的,为符合重叠区大小的要求,那么光斑本身的大小一般需要控制在100微米以内,然而通过控制X轴和Y轴两轴的反射镜来控制激光光束光斑的位置对外界环境的振动、应力以及马达的精度特别敏感,因此,精确地控制光斑的轨迹难度较大,使得光斑与光斑的边缘区重叠的激光能量偏差较大,导致部分重叠激光能量过大烧坏剥离对象、部分地方重叠激光能量偏小甚至没有重叠使激光能量偏小无法剥离对象。
因此,如何精确地控制光斑的轨迹使重叠区上的激光扫描能量均匀是亟需解决的问题。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足,本申请的目的在于提供一种巨量转移装置和巨量转移方法,旨在解决光斑与光斑的边缘区重叠的激光能量偏差较大导致部分重叠激光能量过大烧坏剥离对象以及部分地方重叠激光能量偏小甚至没有重叠导致激光能量偏小无法剥离对象的问题。
一种巨量转移装置,该装置包括:激光器、第一透镜、第二透镜和传动组件;
所述激光器,用于发出激光光束;
在所述激光器的出射光路上依次设置有所述第一透镜、所述第二透镜;
所述第一透镜,用于将所述激光光束整形成圆环光斑;
所述第二透镜,用于将所述圆环光斑导射于载有待转移微型发光二极管芯片的第一基板上;
所述第二透镜上固定有传动组件,所述传动组件用于移动所述第二透镜以调节所述第一透镜与所述第二透镜之间的间距,以调节所述圆环光斑直径的大小。
上述巨量转移装置,通过在所述待转移微型发光二极管芯片的位置形成圆环光斑,并通过所述传动组件调节所述第一透镜和所述第二透镜之间的间距,从而能够调节所述环形光斑直径的大小。因而本发明中的激光扫描方式为以圆环为单元进行扫描并通过改变圆环的直径大小达到改变扫描位置的方式,其中,本发明采用的扫描方式的重叠方式为圆环与圆环之间的重叠,且同一圆环上没有重叠区,使得激光能更加均匀,仅仅需要控制所述第一透镜与所述第二透镜之间的间距便可以控制圆环与圆环之间的重叠区,以达到精确地控制光斑的轨迹,使重叠区上的激光扫描能量均匀。因此,本发明可以实现整个晶圆上的接收的激光扫描能均匀,避免了光斑与光斑的边缘区重叠的激光能量偏差较大导致部分重叠激光能量过大烧坏剥离对象以及部分地方重叠激光能量偏小甚至没有重叠导致激光能量偏小无法剥离对象的问题。
可选地,所述圆环光斑为圆圈状,所述圆环光斑的直径随着所述第一透镜和所述第二透镜之间间距的改变呈线性的增大或减小。当所述传动组件驱动所述第二透镜朝向远离所述第一透镜的方向移动时,所述第一透镜和所述第二透镜之间的间距增大,使得所述激光器经所述第一透镜与所述第二透镜透射之后在所述第一基板上形成的圆环光斑的直径越大,同样的,若所述传动组件驱动所述第二透镜朝向靠近所述第一透镜的方向移动时,所述第一透镜与所述第二透镜之间的间距减小,那么所述激光器经所述第一透镜与所述第二透镜透射之后在所述第一基板上形成的圆环光斑的直径则越小。
可选地,所述第一透镜和所述第二透镜之间的间距小于等于所述第一透镜的焦距。
可选地,所述激光器、所述第一透镜以及所述第二透镜同轴设置。
可选地,所述第一透镜为环形聚焦透镜,所述环形聚焦透镜包括聚焦透镜和第一圆锥透镜,所述第一圆锥透镜具有第一锥角,所述激光光束经所述聚焦透镜及所述第一圆锥透镜射后到达所述第二透镜。
可选地,所述第二透镜为第二圆锥透镜,所述第二圆锥透镜具有第二锥角,所述激光光束经所述第二圆锥透镜透射后在所述待转移微型发光二极管芯片的位置形成圆环光斑。
可选地,所述第一锥角和所述第二锥角的大小相等。
可选地,所述第一锥角和所述第二锥角的大小均在45-90°。
可选地,还包括准直透镜,所述准直透镜设置在所述激光器的激光光路上,用于将所述激光器发出的发散光束形成准直光束并透射至所述第一透镜。以使所述激光器发出的发散光束形成准直光束并透射至所述第一透镜。
可选地,所述传动组件包括驱动电机、设置在所述驱动电机上的螺杆以及设置所述螺杆上的夹持件;所述夹持件与所述第二透镜连接,当所述驱动电机工作时,所述第二透镜通过所述夹持件沿所述螺杆的平行方向前后运动。当所述驱动电机工作时,所述驱动电机带动所述螺杆转动,使得所述螺杆带动所述夹持在所述在所述螺杆上前后运动,进而带动所述第二透镜随着所述夹持件沿所述螺杆的平行方向前后运动,以达到调节所述第二透镜和所述第一透镜之间的间距的目的,从而实现了通过控制第一透镜和第二透镜之间的间距来改变所述环形光斑的直径大小的目的。
可选地,还包括控制器,所述控制器分别与所述激光器和所述驱动电机电连接。在所述待转移微型发光二极管芯片转移的过程中,所述控制器发出扫描信号,所述驱动电机接收所述扫描信号,并驱动所述第二透镜沿所述螺杆的平行方向前后运动,以调节所述环形光斑直径的大小。同时,控制器在产生扫描信号的同时产生激光脉冲信号给到所述激光器,当激光轨迹(环形光斑的运动轨迹)运动到待转移微型发光二极管芯片的位置时,触发激光器点亮使得环形光斑对应的待转移微型发光二极管芯片脱离第一基板。
基于同样的发明构思,本申请还提供一种巨量转移方法,包括步骤:
所述传动组件接收扫描信号后,根据所述扫描信号调节所述驱动电机转动以控制所述第二透镜运动,以调节所述第一透镜与所述第二透镜之间的间距,以调节所述圆环光斑直径的大小;
所述激光器接收激光脉冲信号后,根据所述激光脉冲信号调节激光通断;
所述激光脉冲信号与所述扫描信号相对应,当所述激光光束轨迹运动至待转移微型发光二极管芯片的位置时,所述激光器点亮以使所述待转移微型发光二极管芯片脱离第一基板;当所述激光光束轨迹运动至所述待转移微型发光二极管芯片以外的位置时,所述激光器关闭。
上述巨量转移方法,当所述传动组件接收扫描信号时,通过控制所述第一透镜和所述第二透镜之间的间距,以调节搜需要的所述环形光斑直径的大小,当所述激光光束轨迹运动至待转移微型发光二极管芯片的位置时,所述激光器点亮以使所述待转移微型发光二极管芯片脱离第一基板。
附图说明
图1为本发明中一种巨量转移装置的结构示意图。
图2为待转移微型发光二极管芯片转移过程的示意图。
图3为激光光束聚焦为一个点时光斑与光斑之间重叠的示意图。
图4为激光光束聚焦为一个圆环时光斑与光斑之间重叠的示意图。
图5为第一透镜的结构示意图。
图6为本发明中一种巨量转移方法的流程示意图。
附图标记说明:
1、激光器;2、准直透镜;3、第一透镜;4、第二透镜;5、传动组件;51、驱动电机;52、螺杆;53、夹持件;6、第一基板;61、释放层;7、第二基板;71、粘合层;8、待转移微型发光二极管芯片;9、圆环光斑;10、重叠区。
具体实施方式
为了便于理解本申请,下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是,本申请可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施方式。相反地,提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的,不是旨在于限制本申请。
目前激光加工基本都是将激光光束聚焦为一个点,以点为单位扫描,通过改变聚焦点的位置达到扫描的目的,具体为通过振镜X和振镜Y来分别控制X扫描镜和Y扫描镜的反射角度,从而达到控制入射激光光束到场镜的角度。本发明改变传统思维,以圆环为单位,通过改变圆环的大小,以达到扫描的目的。例如,目标扫描件可以是2寸、8寸等尺寸的圆形晶圆,因激光剥离设备在剥离时要求整个晶圆必须被扫描且扫描时每处扫描的激光能量相同,且由于激光呈高斯分布,故传统以点为单位的扫描方式在点与点之间必须有固定大小的重叠区(Over·Lap),这样的话会增大扫描难度,而以圆环为单位进行扫描时,则只需要控制圆环与圆环之间的重叠区,相对于控制点与点之间的重叠区更加容易,因而使得激光能量扫描更加均匀。
基于此,本申请希望提供一种能够解决上述技术问题的方案,其详细内容将在后续实施例中得以阐述。
如图1至图5所示,本发明提供了一种巨量转移装置的实施例。
请参阅图1与图2,本发明所提供的一种巨量转移装置,用于将待转移微型发光二极管芯片8从第一基板6上脱离,该装置包括激光器1、第一透镜3、第二透镜4以及传动组件5。具体地,所述激光器1能够发出激光光束,所述第一透镜3、所述第二透镜4依次设置在所述激光器1的出射光路上,其中,所述第一透镜3设置在所述激光器1一侧,所述激光光束经所述第一透镜3透射后整形成圆环光斑9,该圆环光斑9能够将所述待转移微型发光二极管芯片8从所述第一基板6上脱离,所述第二透镜4与所述第一透镜3间隔设置,并位于待转移微型发光二极管芯片8的相对侧,能够将所述圆环光斑导射于载有待转移微型发光二极管芯片8的第一基板6上,所述传动组件5与所述第二透镜4连接,当所述传动组件5工作时,能够移动所述第二透镜4,因而能够调节所述第一透镜3与所述第二透镜4之间的间距,从而能够调节所述圆环光斑9直径的大小。
上述巨量转移装置,通过在所述待转移微型发光二极管芯片8的位置形成圆环光斑9,以完成所述待转移微型发光二极管芯片8从第一基板6上剥离,并通过所述传动组件5调节所述第一透镜3和所述第二透镜4之间的间距,从而能够调节所述环形光斑直径的大小,因而本发明中的激光扫描方式为以圆环为单元进行扫描并通过改变圆环的直径大小达到改变扫描位置的方式,其中,本发明采用的扫描方式的重叠方式为圆环与圆环之间的重叠,且同一圆环上没有重叠区10,使得激光能更加均匀,仅仅需要控制所述第一透镜3与所述第二透镜4之间的间距便可以控制圆环与圆环之间的重叠区10,以达到精确地控制光斑的轨迹,使重叠区10上的激光扫描能量均匀。因此,本发明可以实现整个晶圆上的接收的激光扫描能均匀,避免了光斑与光斑的边缘区重叠的激光能量偏差较大导致部分重叠激光能量过大烧坏剥离对象以及部分地方重叠激光能量偏小甚至没有重叠导致激光能量偏小无法剥离对象的问题。
为进一步理解本发明所带来的技术效果,请参阅图3与图4,图3为激光光束聚焦为一个点时光斑与光斑之间重叠的示意图,图4为激光光束聚焦为一个圆环时光斑与光斑之间重叠的示意图,由图3可知,激光光束聚焦为一个点的扫描方式不仅需要环与环之间有固定大小的重叠区10,而且在同一环上点与点之间也需要有重叠区10,且点与点之间的重叠区10大小需要一致,若不一致,则会导致其中一个点的控制偏差较大,因此而引起的蝴蝶效应将使得一部分重叠区10激光能量过大而烧坏剥离对象,相应地一部分地方的重叠区10激光能量偏小甚至没有重叠激光能量则使得激光能量偏小而无法剥离对象。由图4可知,激光光束采用圆环与圆环之间的重叠方式,需要重叠的区域明显少于点与点之间的重叠方式,圆环与圆环之间的重叠方式在左右方向上没有重叠区,即同一圆环上没有重叠区,使得激光能量均匀,仅仅需要控制所述第二透镜4在Z轴上的位置(第二透镜4与第一透镜3之间的间距),便能轻易地控制圆环与圆环之间的重叠区10,所以更容易实现整个晶圆上的接收的激光扫描能量均匀。
请参阅图1,在一个实施例地进一步地实施方式中,所述巨量转移装置还包括准直透镜2,所述准直透镜2设置在所述激光器1的激光光路上,以使所述激光器1发出的发散光束形成准直光束并透射至所述第一透镜3。
请参阅图2,在一个实施例地进一步地实施方式中,所述第一基板6上设置有释放层61,所述待转移微型发光二极管芯片8阵列设置在所述释放层61上。更进一步地,对应所述第一基板6的位置还设置有第二基板7,具体地,所述第二基板7覆盖在所述待转移微型发光二极管芯片8上,所述第二基板7相对所述释放层61的一面设置有粘合层71,当所述激光光束照射至所述待转移微型发光二极管芯片8的位置时,所述待转移微型发光二极管芯片8从所述释放层61上脱离,并黏附与所述粘合层71上。更具体地,所述第一基板6和所述第二基板7均为透明的基板,以使得所述激光光束能够穿过所述第一基板6。
在一些实施方式中,所述释放层61可以通过使用例如氟涂层、硅树脂、水溶性粘合剂(例如聚乙烯醇)、聚酰亚胺等来形成。激光光束可以选择性地照射到待转移微型发光二极管芯片8位置的释放层61上,从而可以使所述释放层61失去粘性或者直接气化,进而使得所述待转移微型发光二极管芯片8从所述第一基板6剥离出来,并黏附在所述第二基板7的所述粘合层71上,以达到完成所述待转移微型发光二极管芯片8转移的目的。
请参阅图1与图4,在一个实施例地进一步地实施方式中,所述圆环光斑9为圆圈状,所述圆环光斑9的直径随着所述第一透镜3和所述第二透镜4之间间距的改变呈线性的增大或减小。具体地,当所述传动组件5驱动所述第二透镜4朝向远离所述第一透镜3的方向移动时,所述第一透镜3和所述第二透镜4之间的间距增大,使得所述激光器1经所述第一透镜3与所述第二透镜4透射之后在所述第一基板6上形成的圆环光斑9的直径越大,同样的,若所述传动组件5驱动所述第二透镜4朝向靠近所述第一透镜3的方向移动时,所述第一透镜3与所述第二透镜4之间的间距减小,那么所述激光器1经所述第一透镜3与所述第二透镜4透射之后在所述第一基板6上形成的圆环光斑9的直径则越小。
更进一步地,请参阅图5,所述第一透镜3和所述第二透镜4之间的间距小于等于所述第一透镜3的焦距L,也就是说,所述第一透镜3和所述第二透镜4之间的最大间距为所述第一透镜3的焦距L,因所述环形光斑是通过所述第一透镜3而形成的,所以所述环形光斑的直径大小受所述第一透镜3的焦距的限制,当所述第一透镜3与所述第二透镜4之间的间距达到所述第一透镜3的焦距时,所述圆环光斑9的的直径也达到最大值。
请继续参阅图1,在一个实施例地进一步地实施方式中,所述激光器1、所述第一透镜3以及所述第二透镜4同轴设置。更进一步地,所述第一透镜3为环形聚焦透镜,所述环形聚焦透镜包括聚焦透镜和第一圆锥透镜,所述第一圆锥透镜具有第一锥角α,所述激光光束经所述聚焦透镜透及所述第一圆锥透镜射后到达所述第二透镜4,具体地,所述聚焦透镜由一片或多片球面镜组成,在所述聚焦透镜和所述第一圆锥透镜的配合下,所述激光光束经所述第一透镜3后能够形成环形光斑,可以理解的是,所述聚焦透镜还可以由一片或多片非球面透镜组成,只要在所述聚焦透镜和所述第一圆锥透镜的配合下,所述激光光束经所述第一透镜3后能够形成环形光斑即可。所述第二透镜4为第二圆锥透镜,所述第二圆锥透镜具有第二锥角β,且所述第二圆锥透镜与所述第一圆锥透镜平行设置,即所述第一透镜3与所述第二透镜4同轴设置,当所述激光光束经由所述聚焦透镜和所述第一圆锥透镜组成的第一透镜3透射,再经所述第二圆锥透镜透射后在所述待转移微型发光二极管芯片8的位置形成圆环光斑9,其中,通过调节所述第二圆锥透镜和所述第一圆锥透镜之间的间距能够调节所述圆环光斑9直径的大小。
更具体地,所述第一锥角α和所述第二锥角β的大小相等,且所述第一锥角α和所述第二锥角β的大小均在45-90°,在一些实施方式中,所述第一锥角α和所述第二锥角β的大小可以设置为60°。
请继续参阅图1,在一个实施例地进一步地实施方式中,所述传动组件5包括驱动电机51、螺杆52以及夹持件53。具体地,所述驱动电机51架设在所述第一透镜3一侧,所述螺杆52设置在所述驱动电机51上,所述夹持件53设置在所述螺杆52上,所述夹持件53与所述第二透镜4连接,其中,所述第二透镜4沿垂直于所述螺杆52的方向与所述夹持件53连接在一起。当所述驱动电机51工作时,所述驱动电机51带动所述螺杆52转动,使得所述螺杆52带动所述夹持在所述在所述螺杆52上前后运动,进而带动所述第二透镜4随着所述夹持件53沿所述螺杆52的平行方向前后运动,以达到调节所述第二透镜4和所述第一透镜3之间的间距的目的,从而实现了通过控制第一透镜3和第二透镜4之间的间距来改变所述环形光斑的直径大小的目的。
在一个实施例地进一步地实施方式中,所述巨量转移装置还包括控制器,所述控制器分别与所述激光器1和所述驱动电机51电连接。在所述待转移微型发光二极管芯片8转移的过程中,所述控制器发出扫描信号,所述驱动电机51接收所述扫描信号,并驱动所述第二透镜4沿所述螺杆52的平行方向前后运动,以调节所述环形光斑直径的大小。同时,控制器在产生扫描信号的同时产生激光脉冲信号给到所述激光器1,当激光轨迹(环形光斑的运动轨迹)运动到待转移微型发光二极管芯片8的位置时,触发激光器1点亮使得环形光斑对应的待转移微型发光二极管芯片8脱离第一基板6。
请参阅图6,基于同样的发明构思,本申请还提供一种巨量转移方法,该方法应用于所述的巨量转移装置中,该方法包括步骤:
S100、所述传动组件接收扫描信号后,根据所述扫描信号调节所述驱动电机转动以控制所述第二透镜运动,以调节所述第一透镜与所述第二透镜之间的间距,以调节所述圆环光斑直径的大小;
具体地,所述传动组件和所述激光器均与所述控制器电连接,所述控制器产生扫描信号给所述传动组件,所述传动组件控制所述第二透镜移动,以控制所述第一透镜和所述第二透镜之间的间距,进而控制所述环形光斑的直径大小。
S200、所述激光器接收激光脉冲信号后,根据所述激光脉冲信号调节激光通断;
S300、所述激光脉冲信号与所述扫描信号相对应,当所述激光光束轨迹运动至待转移微型发光二极管芯片的位置时,所述激光器点亮以使所述待转移微型发光二极管芯片脱离第一基板;当所述激光光束轨迹运动至所述待转移微型发光二极管芯片以外的位置时,所述激光器关闭。
具体地,控制器在产生扫描信号的同时产生激光脉冲信号给到所述激光器,当激光轨迹(环形光斑的运动轨迹)运动到待转移微型发光二极管芯片的位置时,触发激光器点亮使得环形光斑对应的待转移微型发光二极管芯片脱离第一基板。当激光轨迹运动到其他不需要转移的微型发光二极管芯片的位置时,所述激光器关闭,使得不需要转移的微型发光二极管芯片继续留在所述第一基板上,因而本发明可以选择性地对第一基板上的微型发光二极管芯片进行转移。
上述巨量转移方法,当所述传动组件接收扫描信号时,通过控制所述第一透镜和所述第二透镜之间的间距,以调节所需要的所述环形光斑直径的大小,当所述激光光束轨迹运动至待转移微型发光二极管芯片的位置时,所述激光器点亮以使所述待转移微型发光二极管芯片脱离第一基板,进而完成所述待转移微型发光二极管芯片从第一基板转移至第二基板上的目的。
综上所述,本发明所提供的一种巨量转移装置和巨量转移方法,该装置包括:激光器、第一透镜、第二透镜和传动组件;所述激光器,用于发出激光光束;在所述激光器的出射光路上依次设置有所述第一透镜、所述第二透镜;所述第一透镜,用于将所述激光光束整形成圆环光斑;所述第二透镜,用于将所述圆环光斑导射于载有待转移微型发光二极管芯片的第一基板上;所述第二透镜上固定有传动组件,所述传动组件用于移动所述第二透镜以调节所述第一透镜与所述第二透镜之间的间距,以调节所述圆环光斑直径的大小。本发明通过在所述待转移微型发光二极管芯片的位置形成圆环光斑,并通过所述传动组件调节所述第一透镜和所述第二透镜之间的间距,从而能够调节所述环形光斑直径的大小。因而本发明中的激光扫描方式为以圆环为单元进行扫描并通过改变圆环的直径大小达到改变扫描位置的方式,其中,本发明采用的扫描方式的重叠方式为圆环与圆环之间的重叠,且同一圆环上没有重叠区,使得激光能更加均匀,仅仅需要控制所述第一透镜与所述第二透镜之间的间距便可以控制圆环与圆环之间的重叠区,以达到精确地控制光斑的轨迹,使重叠区上的激光扫描能量均匀。因此,本发明可以实现整个晶圆上的接收的激光扫描能均匀,避免了光斑与光斑的边缘区重叠的激光能量偏差较大导致部分重叠激光能量过大烧坏剥离对象以及部分地方重叠激光能量偏小甚至没有重叠导致激光能量偏小无法剥离对象的问题。
应当理解的是,本发明的应用不限于上述的举例,对本领域普通技术人员来说,可以根据上述说明加以改进或变换,所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (12)

1.一种巨量转移装置,其特征在于,包括:激光器、第一透镜、第二透镜和传动组件;
所述激光器,用于发出激光光束;
在所述激光器的出射光路上依次设置有所述第一透镜、所述第二透镜;
所述第一透镜,用于将所述激光光束整形成圆环光斑;
所述第二透镜,用于将所述圆环光斑导射于载有待转移微型发光二极管芯片的第一基板上;
所述第二透镜上固定有传动组件,所述传动组件用于移动所述第二透镜以调节所述第一透镜与所述第二透镜之间的间距,以调节所述圆环光斑直径的大小。
2.如权利要求1所述的巨量转移装置,其特征在于,所述圆环光斑为圆圈状,所述圆环光斑的直径随着所述第一透镜和所述第二透镜之间间距的改变呈线性的增大或减小。
3.如权利要求2所述的巨量转移装置,其特征在于,所述第一透镜和所述第二透镜之间的间距小于等于所述第一透镜的焦距。
4.如权利要求2所述的巨量转移装置,其特征在于,所述激光器、所述第一透镜以及所述第二透镜同轴设置。
5.如权利要求4所述的巨量转移装置,其特征在于,所述第一透镜为环形聚焦透镜,所述环形聚焦透镜包括聚焦透镜和第一圆锥透镜,所述第一圆锥透镜具有第一锥角,所述激光光束经所述聚焦透镜及所述第一圆锥透镜射后到达所述第二透镜。
6.如权利要求5所述的巨量转移装置,其特征在于,所述第二透镜为第二圆锥透镜,所述第二圆锥透镜具有第二锥角,所述激光光束经所述第二圆锥透镜透射后在所述待转移微型发光二极管芯片的位置形成圆环光斑。
7.如权利要求6所述的巨量转移装置,其特征在于,所述第一锥角和所述第二锥角的大小相等。
8.如权利要求7所述的巨量转移装置,其特征在于,所述第一锥角和所述第二锥角的大小均在45-90°。
9.如权利要求1所述的巨量转移装置,其特征在于,还包括准直透镜,所述准直透镜设置在所述激光器的激光光路上,用于将所述激光器发出的发散光束形成准直光束并透射至所述第一透镜。
10.如权利要求1所述的巨量转移装置,其特征在于,所述传动组件包括驱动电机、设置在所述驱动电机上的螺杆以及设置所述螺杆上的夹持件;所述夹持件与所述第二透镜连接,当所述驱动电机工作时,所述第二透镜通过所述夹持件沿所述螺杆的平行方向前后运动。
11.如权利要求10所述的巨量转移装置,其特征在于,还包括控制器,所述控制器分别与所述激光器和所述驱动电机电连接。
12.一种巨量转移方法,应用于权利要求1-11任一项所述的巨量转移装置中,其特征在于,包括步骤:
所述传动组件接收扫描信号后,根据所述扫描信号调节所述驱动电机转动以控制所述第二透镜运动,以调节所述第一透镜与所述第二透镜之间的间距,以调节所述圆环光斑直径的大小;
所述激光器接收激光脉冲信号后,根据所述激光脉冲信号调节激光通断;
所述激光脉冲信号与所述扫描信号相对应,当所述激光光束轨迹运动至待转移微型发光二极管芯片的位置时,所述激光器点亮以使所述待转移微型发光二极管芯片脱离第一基板;当所述激光光束轨迹运动至所述待转移微型发光二极管芯片以外的位置时,所述激光器关闭。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114406478A (zh) * 2022-01-17 2022-04-29 苏州迈为科技股份有限公司 一种显示面板的加工装置、方法、显示面板和控制器
WO2023159590A1 (zh) * 2022-02-28 2023-08-31 京东方科技集团股份有限公司 光路结构、光路***及转移方法

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103597589A (zh) * 2011-04-11 2014-02-19 北达科他州立大学研究基金会 分立元件的选择性激光辅助的转移
CN103862168A (zh) * 2014-03-24 2014-06-18 北京工业大学 飞秒激光三维微加工的紧聚焦光斑能量优化方法及装置
CN104148802A (zh) * 2014-08-04 2014-11-19 北京万恒镭特机电设备有限公司 光束形成装置及其形成方法
CN104795511A (zh) * 2014-01-20 2015-07-22 上海微电子装备有限公司 一种激光封装设备及其封装方法
CN105750728A (zh) * 2016-04-20 2016-07-13 华南理工大学 一种激光选区零件加工过程变光斑光学扫描方法及装置
CN208297848U (zh) * 2018-06-25 2018-12-28 李雅瑄 一种环状聚焦光束***
CN109417065A (zh) * 2017-06-12 2019-03-01 尤尼卡尔塔股份有限公司 分立组件向基板上的并行组装
US20190115242A1 (en) * 2017-10-18 2019-04-18 Au Optronics Corporation Micro pick up array and manufacturing method thereof
US20190393066A1 (en) * 2018-06-25 2019-12-26 Kaistar Lighting (Xiamen) Co., Ltd. Micro device transferring method and micro device transferring apparatus
WO2019246366A1 (en) * 2018-06-22 2019-12-26 Veeco Instruments Inc. Micro-led transfer methods using light-based debonding
US20200161159A1 (en) * 2018-11-16 2020-05-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Led transfer device comprising mask and micro led transferring method using the same
US20200168498A1 (en) * 2017-06-12 2020-05-28 Uniqarta, Inc. Parallel assembly of discrete components onto a substrate

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103597589A (zh) * 2011-04-11 2014-02-19 北达科他州立大学研究基金会 分立元件的选择性激光辅助的转移
CN104795511A (zh) * 2014-01-20 2015-07-22 上海微电子装备有限公司 一种激光封装设备及其封装方法
CN103862168A (zh) * 2014-03-24 2014-06-18 北京工业大学 飞秒激光三维微加工的紧聚焦光斑能量优化方法及装置
CN104148802A (zh) * 2014-08-04 2014-11-19 北京万恒镭特机电设备有限公司 光束形成装置及其形成方法
CN105750728A (zh) * 2016-04-20 2016-07-13 华南理工大学 一种激光选区零件加工过程变光斑光学扫描方法及装置
CN109417065A (zh) * 2017-06-12 2019-03-01 尤尼卡尔塔股份有限公司 分立组件向基板上的并行组装
US20200168498A1 (en) * 2017-06-12 2020-05-28 Uniqarta, Inc. Parallel assembly of discrete components onto a substrate
US20190115242A1 (en) * 2017-10-18 2019-04-18 Au Optronics Corporation Micro pick up array and manufacturing method thereof
WO2019246366A1 (en) * 2018-06-22 2019-12-26 Veeco Instruments Inc. Micro-led transfer methods using light-based debonding
CN208297848U (zh) * 2018-06-25 2018-12-28 李雅瑄 一种环状聚焦光束***
US20190393066A1 (en) * 2018-06-25 2019-12-26 Kaistar Lighting (Xiamen) Co., Ltd. Micro device transferring method and micro device transferring apparatus
US20200161159A1 (en) * 2018-11-16 2020-05-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Led transfer device comprising mask and micro led transferring method using the same

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114406478A (zh) * 2022-01-17 2022-04-29 苏州迈为科技股份有限公司 一种显示面板的加工装置、方法、显示面板和控制器
CN114406478B (zh) * 2022-01-17 2024-05-03 迈为技术(珠海)有限公司 一种显示面板的加工装置、方法、显示面板和控制器
WO2023159590A1 (zh) * 2022-02-28 2023-08-31 京东方科技集团股份有限公司 光路结构、光路***及转移方法

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