CN112941516A - 一种精控式蚀刻液及其蚀刻方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种精控式蚀刻液及其蚀刻方法,精控式蚀刻液包括过氧化氢稳定剂25~30份,过氧化氢3~4份,三氯化铁0.8~5份,有机酸1~1.3份,蚀刻抑制剂0.2~0.4份,增稠助剂2~5份,螯合剂0.2~0.4份,去离子水72~90份,所述蚀刻抑制剂采用长链形酮基化合物,所述增稠助剂采用乙醇胺氯化物,所述螯合剂采用二齿螯合物,使得整体的精控式蚀刻液获得足够的粘度,蚀刻方式是采用限制精控式蚀刻液运动范围并利用加热鼓风装置保持精控式蚀刻液保持流动性并在精密控制的前提下进行蚀刻作业,本发明的优点在于蚀刻液可以稳定控制行进,实现了提高蚀刻作业控制的精密度的技术效果。
Description
技术领域
本发明涉及蚀刻工艺领域,具体地说,是一种精控式蚀刻液及其蚀刻 方法。
背景技术
随着电子领域的快速发展,PCB也得到越来越广泛地应用,蚀刻是电 路板生产过程中重要的工艺,现有技术中一般采用浓盐酸进行蚀刻,但是 浓盐酸在空气中极易挥发,由于浓盐酸的强挥发性,其挥发出来的氯化氢 气体会和空气中的水蒸气结合,形成盐酸烟雾扩散在空气中,使得生产车 间不仅有较强的刺激性味道,操作员吸入盐酸烟雾会影响身体健康,尾气 直接排放会污染环境,不符合环保、安全要求,如果进行尾气成本处理高。 另外,使用浓盐酸的蚀刻速度慢。因此,如何克服现有的酸性蚀刻液中的 不足,开发设计出一种环保型酸性蚀刻液,改善车间环境,降低环境污染, 控制线路板的蚀刻率成为企业亟待解决的问题。
发明内容
发明目的:本发明目的在于针对现有技术的不足,提供一种精控式蚀 刻液及其蚀刻方法。
技术方案:本发明所述一种精控式蚀刻液,包括以下组分:
过氧化氢稳定剂25~30份,过氧化氢3~4份,三氯化铁0.8~5份,有 机酸1~1.3份,蚀刻抑制剂0.2~0.4份,增稠助剂2~5份,螯合剂0.2~0.4 份,去离子水72~90份;
所述蚀刻抑制剂采用长链形酮基化合物,所述增稠助剂采用乙醇胺氯 化物,所述螯合剂采用二齿螯合物,所述有机酸采用草酸、酒石酸、柠檬 酸、乙酸、乙醇酸、马来酸、琥珀酸、苹果酸、水杨酸、苯甲酸、丁二酸、 乳酸中的至少一种;
所述二齿螯合物采用乙二胺、2,2'-联吡啶、1,10-二氮菲、草酸根中的 至少一种;
所述增稠助剂采用单乙醇胺氯化物或双乙醇胺氯化物中的一种;
整体液相环境调节pH值至3~5。
作为优选的,所述二齿螯合物采用2,2'-联吡啶,所述有机酸采用水杨 酸。
作为优选的,所述二齿螯合物和有机酸均采用草酸。
作为优选的,所述增稠助剂采用双乙醇胺氯化物。
使用这一精控式蚀刻液的蚀刻方法,包括以下步骤:
S1、划定蚀刻图案范围,进行并完成丝网印刷;
S2、沿丝网印刷构建的蚀刻线配置嵌入式限位框;
S3、沿嵌入式限位框注入精控式蚀刻液;
S4、配置加热鼓风装置,沿嵌入式限位框利用空压推动精控式蚀刻液 使之沿嵌入式限位框的沿伸方向稳速流动并完成蚀刻作业。
本发明相比于现有技术具有以下有益效果:蚀刻抑制剂采用长链形酮 基化合物,增稠助剂采用乙醇胺氯化物,螯合剂采用二齿螯合物,使得整 体的精控式蚀刻液获得足够的粘度,蚀刻方式是采用限制精控式蚀刻液运 动范围并利用加热鼓风装置保持精控式蚀刻液保持流动性并在精密控制的 前提下进行蚀刻作业,实现了提高蚀刻作业控制的精密度的技术效果。
具体实施方式
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然, 所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于 本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所 获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横 向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、 “水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“轴向”、“径向”、“周 向”等指示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而 不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构 造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、 “连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可 以是可拆卸连接,也可以是成一体;可以是机械连接,也可以是电连接, 也可以是通讯连接;可以是直接连接,也可以通过中间媒介的间接连接, 可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系,除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语 在本发明中的具体含义。
下面以具体地实施例对本发明的技术方案进行详细说明。下面这几个 具体的实施例可以相互结合,对于相同或相似的概念或过程可能在某些实 施例不再赘述。
实施例1:一种精控式蚀刻液,包括以下组分:
过氧化氢稳定剂25份,过氧化氢3份,三氯化铁0.8份,水杨酸1份, 长链形酮基化合物0.2份,双乙醇胺氯化物2份,2,2'-联吡啶0.2份,去离 子水72份;
使用这一精控式蚀刻液的蚀刻方法,包括以下步骤:
S1、划定蚀刻图案范围,进行并完成丝网印刷;
S2、沿丝网印刷构建的蚀刻线配置嵌入式限位框;
S3、沿嵌入式限位框注入精控式蚀刻液;
S4、配置加热鼓风装置,沿嵌入式限位框利用空压推动精控式蚀刻液 使之沿嵌入式限位框的沿伸方向稳速流动并完成蚀刻作业。
实施例2:一种精控式蚀刻液,包括以下组分:
过氧化氢稳定剂30份,过氧化氢4份,三氯化铁5份,草酸1.7份, 长链形酮基化合物0.2~0.4份,单乙醇胺氯化物2~5份,去离子水72~90份;
使用这一精控式蚀刻液的蚀刻方法,包括以下步骤:
S1、划定蚀刻图案范围,进行并完成丝网印刷;
S2、沿丝网印刷构建的蚀刻线配置嵌入式限位框;
S3、沿嵌入式限位框注入精控式蚀刻液;
S4、配置加热鼓风装置,沿嵌入式限位框利用空压推动精控式蚀刻液 使之沿嵌入式限位框的沿伸方向稳速流动并完成蚀刻作业。
这一整套技术方案体现的技术效果在于蚀刻抑制剂采用长链形酮基化 合物,增稠助剂采用乙醇胺氯化物,螯合剂采用二齿螯合物,使得整体的 精控式蚀刻液获得足够的粘度,蚀刻方式是采用限制精控式蚀刻液运动范 围并利用加热鼓风装置保持精控式蚀刻液保持流动性并在精密控制的前提 下进行蚀刻作业,实现了提高蚀刻作业控制的精密度的技术效果,具有显 著的技术进步。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上” 或“下”可以是第一特征和第二特征直接接触,或第一特征和第二特征通 过中间媒介间接接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和 “上面”可以是第一特征在第二特征正上方或斜上方,或仅仅表示第一特 征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下 面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方,或仅仅表示第一特征水 平高度低于第二特征。在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、 “一些实施例”、“示例”、“具体示例”或“一些示例”等的描述,意 指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发 明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。
而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任意一个或者多 个实施例或示例中以合适的方式结合。此外,在不相互矛盾的情况下,本 领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施 例或示例的特征进行结合和组合。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非 对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的 普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进 行修改,或对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者 替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (5)
1.一种精控式蚀刻液,其特征在于:包括以下组分:
过氧化氢稳定剂25~30份,过氧化氢3~4份,三氯化铁0.8~5份,有机酸1~1.3份,蚀刻抑制剂0.2~0.4份,增稠助剂2~5份,螯合剂0.2~0.4份,去离子水72~90份;
所述蚀刻抑制剂采用长链形酮基化合物,所述增稠助剂采用乙醇胺氯化物,所述螯合剂采用二齿螯合物,所述有机酸采用草酸、酒石酸、柠檬酸、乙酸、乙醇酸、马来酸、琥珀酸、苹果酸、水杨酸、苯甲酸、丁二酸、乳酸中的至少一种;
所述二齿螯合物采用乙二胺、2,2'-联吡啶、1,10-二氮菲、草酸根中的至少一种;
所述增稠助剂采用单乙醇胺氯化物或双乙醇胺氯化物中的一种;
整体液相环境调节pH值至3~5。
2.根据权利要求1所述的一种精控式蚀刻液,其特征在于:所述二齿螯合物采用2,2'-联吡啶,所述有机酸采用水杨酸。
3.根据权利要求1所述的一种精控式蚀刻液,其特征在于:所述二齿螯合物和有机酸均采用草酸。
4.根据权利要求1所述的一种精控式蚀刻液,其特征在于:所述增稠助剂采用双乙醇胺氯化物。
5.使用如权利要求1~5所述的精控式蚀刻液的蚀刻方法,其特征在于:包括以下步骤:
S1、划定蚀刻图案范围,进行并完成丝网印刷;
S2、沿丝网印刷构建的蚀刻线配置嵌入式限位框;
S3、沿嵌入式限位框注入精控式蚀刻液;
S4、配置加热鼓风装置,沿嵌入式限位框利用空压推动精控式蚀刻液使之沿嵌入式限位框的沿伸方向稳速流动并完成蚀刻作业。
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