CN112777562A - 致动器及包含致动器的芯片 - Google Patents

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Shanghai Mingfu Semiconductor Co.,Ltd.
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Abstract

本公开涉及致动器及包含致动器的芯片。本发明提供一种直线致动器。直线致动器包括：具有一空腔的一基板；形成于该基板上的一第一固定电极结构；一弹性悬挂装置；以及通过该弹性悬挂装置连接到该基板的一可动电极结构，其中：该空腔具有一第一面积；该第一固定电极结构与该可动电极结构的至少其中之一在该基板上具有一第二投影面积；以及该第一面积与该第二投影面积互相重叠。直线致动器可以制造出一种出平面直线运动马达，其具有大运动行程、冲击力强、易于去除残留的制程污染物、机电能量转换效率的提高、以及可动梳状结构的离轴运动解耦合。

Description

致动器及包含致动器的芯片
【相关申请案的交叉引用】
本申请案主张2019年11月7日申请的美国临时专利申请案第62/931,926号的优先权，其整体经由引用被并入本文。
【技术领域】
本发明关于一种直线致动器，特别关于一种微机电***(Microelectromechanical System，MEMS)直线致动器。
【背景技术】
MEMS致动器具有许多优点，例如小尺寸、低成本、精确的运动控制及低功耗，这使MEMS致动器适用于紧密型电子装置或***的应用中。为了提高MEMS致动器的机械能量转换效率，通常会使用非常窄的结构间距。使用非常窄的结构间距会导致制程残留物难以去除。当承载物的重心未对准致动器的重心时，承载物会倾斜。承载物的倾斜引起承载物与致动器之间的接触点处的应力集中的问题，这又将容易引起承载物从致动器脱离。由于来自承载物的作用力方向与梳状结构的预定方向不能很好地对准，这将导致梳状结构倾斜并发生离轴运动。这种离轴运动会降低梳状结构的运动效率，甚至导致移动的梳状结构卡在固定的梳状结构上。
【发明内容】
本发明的单轴线性致动器克服了现有技术中的许多缺点，其可独立地运作或作为组件中的组件运作。
因此，本发明提供一种直线致动器。直线致动器包括：一基板，具有一空腔；一第一固定电极结构，形成于该基板上；以及一可动电极结构，通过一弹性组件连接到该基板，其中：该第一固定电极结构具有一第一多个梳指；以及该可动电极结构具有一第二多个梳指，通过该第一多个梳指与该第二多个梳指，该第一固定电极结构与该可动电极结构形成一电容器，且该第一多个梳指与该第二多个梳指设置在该空腔的上方。
本发明另提出一种致动器。致动器包括：一基板，具有一空腔；一第一固定电极结构，固定在该基板上；一弹性悬挂装置；以及一可动电极结构，通过该弹性悬挂装置连接到该基板，其中：该空腔具有一第一面积；该第一固定电极结构与该可动电极结构的至少其中之一在该基板上具有一第二投影面积；以及该第一面积与该第二投影面积互相重叠。
本发明另提出一种具有致动器的芯片。
【附图说明】
本发明的上述目的及优点在参阅以下详细说明及附随图式之后对那些所属技术领域中具有通常知识者将变得更立即地显而易见。
[图1]为本发明的直线致动器的实施例的俯视示意图。
[图2]为图1的直线致动器中沿A-A’方向的剖面示意图。
[图3(A)]为第一面积与第二投影面积的关系范例。
[图3(B)]为第一面积与第二投影面积的另一关系范例。
[图3(C)]为第二空腔的位置范例。
[图4(A)]为承载物的重心在没有T柱及支点弹簧下对准直线致动器的重心的范例。
[图4(B)]为承载物的重心在没有T柱及支点弹簧下未对准直线致动器的重心的范例。
[图4(C)]为本发明含有T柱及支点弹簧的实施例。
[图5(A)及5(B)]为支点弹簧的另外两个实施例的俯视示意图。
[图6(A)]为排列在致动器晶圆上的芯片的示意图。
[图6(B)]为图6(A)中沿B-B’方向的剖面示意图。
[图6(C)]为覆盖在致动器晶圆上以在切割晶圆时固定可动结构的保护材料的示意图。
【具体实施方式】
以下在实施方式中详细叙述本发明的详细特征以及优点，其内容足以使任何本领域技术人员了解本发明的技术内容并据以实施，且根据本说明书所揭露的内容、申请专利范围及图式，任何本领域技术人员可轻易地理解本发明相关的目的及优点。以下的实施例为进一步详细说明本发明的观点，但非以任何观点限制本发明的范围。
请参阅图1-2，其中图1为本发明的致动器的实施例的俯视示意图，也就是直线致动器10000，且直线致动器10000为一种单轴直线运动致动器。图2为图1的直线致动器中沿A-A’方向的剖面示意图。直线致动器10000包括具有空腔200及电子组件110的基板100。基板100具有前表面120及后表面130，且空腔200通过前表面120及后表面130以z-方向延伸，如图1所示。直线致动器10000还包括形成于基板100上的第一固定电极结构300，使第一固定电极结构300固定在基板100上。直线致动器10000还包括通过弹性组件400连接到该基板100的可动电极结构500，其可以是弹性悬挂装置。第一固定电极结构300与可动电极结构500形成电容器。在图1的实施例中，第一固定电极结构300与可动电极结构500皆是梳子结构。因此，第一固定电极结构300具有第一多个梳指320，且可动电极结构500具有第二多个梳指520。第一多个梳指320及第二多个梳指520中的每个梳指彼此平行。当没有电压施加在第一固定电极结构300与可动电极结构500之间，第一固定电极结构300的第一多个梳指320与可动电极结构500的第二多个梳指520不会交叉。电容器是通过第一多个梳指320与第二多个梳指520而形成。第一多个梳指320与第二多个梳指520设置在空腔200上方，以确保制程时的残留物会通过空腔200而完全移除。因此，空腔200的大小必须够大以完全移除残留物，侧边微大于10微米的方形是够大的。从另一方面来看，如果从空腔200的后表面130向上看并可看到任何梳指，则空腔200够大。在本发明中，空腔200的水平投影面积定义为第一面积210，而第一固定电极结构300与可动电极结构500至少其中之一在基板100上的水平投影面积定义为第二投影面积350。图3A显示第二投影面积350在基板上的范例，其中第二投影面积350是第一固定电极结构300与可动电极结构500的投影面积。第二投影面积可以是只有第一固定电极结构300或可动电极结构500的投影面积。第一面积210与第二投影面积350部分重叠。“部分重叠”指的是第一面积210与第二投影面积350以一定的百分比重叠，可以是第二投影面积350的至少1％，使空腔200有足够的大小以完全移除残留物，如图3B所示，其中第二投影面积350是可动电极结构500的投影面积。在没有空腔200的情况下，第一多个梳指320与第二多个梳指520必须稀疏地排列以移除残留物。但是当第一多个梳指320与第二多个梳指520排列稀疏，机械能量转换效率是低的。换句话说，施加在第一固定电极结构300与可动电极结构500之间的电压必须是高的。因此，空腔200可移除残留的制程污染物，并提高机械能量转换的效率。
设置于基板100上的电子组件110指的是基板100上的所有运动控制电子组件及电路的总称。直线致动器10000还包括由可动电极结构500与第二固定电极结构610在基板100上形成的至少一位置感测电容器600。至少一位置感测电容器600不是设置在基板100的空腔200上方，就是设置在基板100的第二空腔上方。若空腔200也可移除至少一位置感测电容器600的残留的制程污染物，则不需要第二空腔。举例来说，图1所示的实施例中，空腔200是够大来移除两个位置感测电容器600的残留的制程污染物，且没有第二空腔。当需要时，第二空腔会设置在基板100中以特定地移除至少一位置感测电容器600的残留的制程污染物。例如，图3C所示的实施例中，位置感测电容器600的第二固定电极结构610具有水平投影面积650，第二空腔具有水平投影面积260，且位置感测电容器600设置于基板的第二空腔的上方。至少一位置感测电容器600用于侦测可动电极结构500的位移。
图1所示的实施例中，弹性组件400(或弹性悬挂装置)称为主弹簧。主弹簧具有第一端、第一中心点450与一第二端，且第一端与第二端固定在基板100上。第一端与第二端皆通过第一锚801固定在基板100上。可动电极结构500具有与第一中心点450连接的龙骨510。直线致动器10000还包括与第一中心点450连接的支点弹簧700，且T柱1100与支点弹簧700连接。采用T柱1100是为了容易地将所支承的承载物保持在其上。在其他应用中，此单轴直线运动致动器是被设计为翻转90度以驱动乘载物沿出平面方向运动。支点弹簧700的目的是解决当剪切力被施加在支点弹簧700与T柱1100之间的连接点时，承载物从T柱1100上脱离的问题。请见图4A-4C，图4A为承载物5000的重心在没有T柱及支点弹簧下对准直线致动器的重心的范例，相比之下，图4B为承载物5000的重心在没有T柱及支点弹簧下未对准直线致动器的重心的范例。在图4B中，应力会集中在圆圈区，也因此会产生扭力。图4B为本发明含有支点弹簧700及T柱1100的实施例，可避免图4B中引起的问题。支点弹簧700在x方向上具有低刚度，但在y方向及z方向上具有高刚度。也就是说，y方向的刚度ky远大于x方向的刚度kx，即ky>>kx，且z方向的刚度kz亦远大于x方向的刚度kx，即kz>>kx。y方向的高刚度对于避免y方向位移的减小是必要的。所属技术领域人员可以将支点弹簧设计成多种形式以符合需求。图5A及5B显示除了图1或图4C所示的支点弹簧700外，支点弹簧的另外两个实施例的俯视示意图。对于没有支点弹簧700的情况，施加到承载物的外部x方向的力可在承载物与T柱1100之间的连接面产生剪切力及力矩。大的剪切力及/或力矩会造成承载物从T柱1100的表面上脱离。对于有支点弹簧700的情况，施加到承载物的外部x方向的力会导致T柱1100的变形，以减小承载物与T柱1100之间的连接面产生剪切力及力矩。在某些情况下，如果剪切力可以忽略，则可以省略支点弹簧700。
直线致动器10000还包括至少一对限制弹簧900，其中至少一对限制弹簧900中的每一限制弹簧具有第三端及第四端，第三端连接至龙骨510或第二多个梳指520的最外侧梳指，且第四端经由第二锚802固定在基板100上。在图1所示的实施例中，有两对限制弹簧900。通过模拟可以看出，当向T柱1100施加0.05N的y方向的力时，y方向的运动达到500微米，且主弹簧的变形仍未达到断裂强度。换句话说，本发明可用于在出平面方向上提供大于500微米的大运动行程。当y方向与x方向的力皆为0.5N时，限制弹簧900有效的限制可动电极结构500的离轴运动。同时，支点弹簧700可有效的变形以防止承载物从T柱1100的表面上脱离。当承载物的质量为5毫克时，0.5N的力等于1,020g(g表示一个重力)。因此，本发明的直线致动器可以克服冲击的稳定性问题。
直线致动器10000还包括支撑臂1200，第一固定电极结构300从支撑臂1200延伸出，其中支撑臂1200具有第五端及第六端，且第五端及第六端皆经由第三锚803固定在基板100上。
致动器晶圆在此阶段具有带有可动结构的多个芯片。如何保护这些在芯片中的可动结构直到芯片因致动器晶圆被切割而分离是一个非常重要的问题。图6A-6C显示如何在切割晶圆时保护直线致动器10000的可动结构的保护材料的示意图。如图6A所示，在晶圆切割程序前，基板中在T柱1100的位置有第三空腔20500。第三空腔20500会为T柱1100的运动行程而保留。如图6B所示，致动器晶圆20000附着在载体晶圆30000上。如图6C所示，如光阻剂或蜡的保护材料20100会涂覆在致动器晶圆20000上，以在切割晶圆时固定可动结构。在晶圆切割后，载体晶圆30000会从致动器晶圆20000上分离，且会移除保护材料20100以得到芯片，每一个芯片皆包括一个直线致动器10000。晶圆的分离及保护材料20100的移除皆可经由施加化学试剂而轻易实现。
实施例
1.一种直线致动器，包括：一基板，具有一空腔；一第一固定电极结构，形成于该基板上；以及一可动电极结构，通过一弹性组件连接到该基板，其中：该第一固定电极结构具有一第一多个梳指；以及该可动电极结构具有一第二多个梳指，通过该第一多个梳指与该第二多个梳指，该第一固定电极结构与该可动电极结构形成一电容器，且该第一多个梳指与该第二多个梳指设置在该空腔的上方。
2.如实施例1所述的直线致动器，其中该基板具有一电子组件。
3.如实施例1或2所述的直线致动器，其中该基板具有一前表面与一后表面，且该空腔从该前表面延伸到该后表面。
4.如实施例1-3中任一实施例所述的直线致动器，还包括一第二固定电极结构，形成于该基板上，其中至少一位置感测电容器由该可动电极结构与该第二固定电极结构形成，且该至少一位置感测电容器设置在该空腔与该基板的一第二空腔其中之一的上方。
5.如实施例1-4中任一实施例所述的直线致动器，其中该弹性组件是主弹簧。
6.如实施例1-5中任一实施例所述的直线致动器，其中该主弹簧具有一第一端、一第一中心点与一第二端，且该第一端与该第二端固定在该基板上。
7.如实施例1-6中任一实施例所述的直线致动器，其中该可动电极结构具有与该第一中心点连接的一龙骨。
8.如实施例1-7中任一实施例所述的直线致动器，还包括与该第一中心点连接的一支点弹簧。
9.如实施例1-8中任一实施例所述的直线致动器，其中该第一端与该第二端皆由一第一锚固定在该基板上。
10.如实施例1-9中任一实施例所述的直线致动器，还包括至少一对限制弹簧，其中该至少一对限制弹簧中的每一限制弹簧具有一第三端及一第四端，该第三端连接至该龙骨及该第二多个梳指的一最外侧梳指其中之一，且该第四端经由一第二锚固定在该基板上。
11.如实施例1-10中任一实施例所述的直线致动器，还包括一T柱，连接至该支点弹簧。
12.如实施例1-11中任一实施例所述的直线致动器，还包括一支撑臂，连接至该第一固定电极结构，其中该支撑臂具有一第五端及一第六端，且该第五端及该第六端皆经由一第三锚固定在该基板上。
13.一种致动器，包括：一基板，具有一空腔；一第一固定电极结构，固定在该基板上；一弹性悬挂装置；以及一可动电极结构，通过该弹性悬挂装置连接到该基板，其中：该空腔具有一第一面积；该第一固定电极结构与该可动电极结构的至少其中之一在该基板上具有一第二投影面积；以及该第一面积与该第二投影面积互相重叠。
14.如实施例13所述的致动器，其中该第一固定电极结构与该可动电极结构形成一电容器。
15.如实施例13或14所述的致动器，其中该基板具有一电子组件。
16.如实施例13-15中任一实施例所述的致动器，其中该基板具有一前表面与一后表面，且该空腔从该前表面延伸到该后表面。
17.如实施例13-16中任一实施例所述的致动器，还包括一第二固定电极结构，形成于该基板上，其中每一个该至少一位置感测电容器由该可动电极结构与该第二固定电极结构形成于该基板上，且该至少一位置感测电容器设置在该空腔与该基板的一第二空腔其中之一的上方。
18.如实施例13-17中任一实施例所述的致动器，其中该弹性悬挂装置是一主弹簧，该主弹簧具有一第一端、一中心点与一第二端，且该第一端与该第二端固定在该基板上。
19.如实施例13-18中任一实施例所述的致动器，还包括一支撑臂，连接至该第一固定电极结构，其中该支撑臂具有一第五端及一第六端，且该第五端及该第六端经由一锚固定在基板上。
20.一种芯片，包括如实施例1-12任一实施例所述的直线致动器及如实施例13-19任一实施例所述的致动器。
本发明实属难能的创新发明，深具产业价值，援依法提出申请。此外，本发明可以由所属技术领域中具有通常知识者做任何修改，但不脱离如所附申请专利范围所要保护的范围。
【符号说明】
100:基板
110:电子组件
120:前表面
130:后表面
200:空腔
210:第一面积
260:水平投影面积
300:第一固定电极结构
320:第一多个梳指
350:第二投影面积
400:弹性组件
450:第一中心点
500:可动电极结构
510:龙骨
520:第二多个梳指
600:位置感测电容器
610:第二固定电极结构
650:水平投影面积
700:支点弹簧
801:第一锚
802:第二锚
803:第三锚
900:限制弹簧
1100:T柱
1200:支撑臂
5000:承载物
10000:直线致动器
20000:致动器晶圆
20100:保护材料
20500:第三空腔
30000:载体晶圆

Claims (10)

1.一种直线致动器，其特征在于，所述直线致动器包括：
基板，具有空腔；
第一固定电极结构，形成于所述基板上；以及
可动电极结构，通过弹性组件连接到所述基板，其中：
所述第一固定电极结构具有第一多个梳指；以及
所述可动电极结构具有第二多个梳指，通过所述第一多个梳指与所述第二多个梳指，所述第一固定电极结构与所述可动电极结构形成电容器，且所述第一多个梳指与所述第二多个梳指设置在所述空腔的上方。
2.如权利要求1所述的直线致动器，其中所述基板具有电子元件、前表面与后表面，所述空腔从所述前表面延伸到所述后表面，且所述弹性组件是主弹簧。
3.如权利要求1所述的直线致动器，所述直线致动器还包括第二固定电极结构，形成于所述基板上，其中所述可动电极结构与所述第二固定电极结构形成至少一位置感测电容器，且所述至少一位置感测电容器设置在所述空腔与所述基板的第二空腔其中之一的上方。
4.如权利要求2所述的直线致动器，其中所述主弹簧具有第一端、第一中心点与第二端，且所述第一端与所述第二端固定在所述基板上。
5.如权利要求4所述的直线致动器，所述直线致动器还包括与所述第一中心点连接的支点弹簧，以及连接至所述支点弹簧的T柱，其中所述可动电极结构具有与所述第一中心点连接的龙骨，且所述第一端与所述第二端皆由第一锚固定在所述基板上。
6.如权利要求5所述的直线致动器，所述直线致动器还包括至少一对限制弹簧及支撑臂，其中所述至少一对限制弹簧中的每一限制弹簧具有第三端及第四端，所述第三端连接至所述龙骨及所述第二多个梳指的最外侧梳指其中之一，且所述第四端经由第二锚固定在所述基板上，以及所述支撑臂连接至所述第一固定电极结构，所述支撑臂具有第五端及第六端，且所述第五端及所述第六端皆经由第三锚固定在所述基板上。
7.一种致动器，其特征在于，所述致动器包括：
基板，具有空腔；
第一固定电极结构，固定在所述基板上；
弹性悬挂装置；以及
可动电极结构，通过所述弹性悬挂装置连接到所述基板，其中：
所述空腔具有第一面积；
所述第一固定电极结构与所述可动电极结构的至少其中之一在所述基板上具有第二投影面积；以及
所述第一面积与所述第二投影面积互相重叠。
8.如权利要求7所述的致动器，其中所述第一固定电极结构与所述可动电极结构形成电容器，所述基板具有电子元件、前表面与后表面，所述空腔从所述前表面延伸到所述后表面，所述弹性悬挂装置是主弹簧，所述主弹簧具有第一端、中心点与第二端，且所述第一端与所述第二端固定在所述基板上。
9.如权利要求8所述的致动器，所述致动器还包括第二固定电极结构及支撑臂，其中所述第二固定电极结构形成于所述基板上，所述支撑臂固定在所述基板上且连接至所述第一固定电极结构，所述可动电极结构与所述第二固定电极结构于所述基板上形成至少一位置感测电容器，且所述至少一位置感测电容器设置在所述空腔与所述基板的第二空腔其中之一的上方。
10.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括如权利要求1-6中任一权利要求所述的直线致动器或如权利要求7-9中任一权利要求所述的致动器。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11949351B2 (en) * 2020-01-30 2024-04-02 Lumentum Operations Llc Linear comb driver with non-uniform fingers for alignment stability at discrete positions
CN115194194A (zh) * 2022-05-17 2022-10-18 吉林大学 一种双驱式双自由度大行程快刀伺服装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1702489A (zh) * 2004-05-28 2005-11-30 三星电机株式会社 转动型梳状驱动致动器以及使用该致动器的可变光学衰减器
CN101152955A (zh) * 2006-09-27 2008-04-02 富士通株式会社 微结构器件的制造方法及其制造的微结构器件
CN101900877A (zh) * 2009-05-27 2010-12-01 精工爱普生株式会社 光滤波器、光滤波器装置、分析设备以及光滤波器的制造方法
CN104133576A (zh) * 2013-04-30 2014-11-05 乐金显示有限公司 触摸输入***及使用该***的触摸检测方法
CN105045292A (zh) * 2014-05-01 2015-11-11 精工爱普生株式会社 致动器装置、电子设备、以及控制方法
CN105319704A (zh) * 2014-07-07 2016-02-10 佳能株式会社 可变形镜及其制造方法、眼科装置以及自适应光学***
CN107771287A (zh) * 2015-06-26 2018-03-06 株式会社村田制作所 Mems 传感器

Family Cites Families (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5376790A (en) * 1992-03-13 1994-12-27 Park Scientific Instruments Scanning probe microscope
DE19547642A1 (de) * 1994-12-20 1996-06-27 Zexel Corp Beschleunigungssensor und Verfahren zu dessen Herstellung
US5825091A (en) * 1997-03-25 1998-10-20 Motorola, Inc. Sensor assembly mounted to a leadframe with adhesive deposits at separate locations
EP0977349B1 (en) * 1998-07-30 2005-07-06 STMicroelectronics S.r.l. Remote-operated integrated microactuator, in particular for a read/write transducer of hard discs
IL149397A0 (en) * 1999-11-02 2002-11-10 Ebauchesfabrik Eta Ag Time base comprising an integrated micromechanical ring resonator
KR100444212B1 (ko) * 1999-11-15 2004-09-30 (주) 인텔리마이크론즈 미세 구동기 및 그 제조 방법
US6774533B2 (en) * 2000-03-17 2004-08-10 Japan Science And Technology Agency Electrostatic impact driving microactuator
US6747775B2 (en) * 2000-03-20 2004-06-08 Np Photonics, Inc. Detunable Fabry-Perot interferometer and an add/drop multiplexer using the same
US6519075B2 (en) * 2000-11-03 2003-02-11 Agere Systems Inc. Packaged MEMS device and method for making the same
US6543286B2 (en) * 2001-01-26 2003-04-08 Movaz Networks, Inc. High frequency pulse width modulation driver, particularly useful for electrostatically actuated MEMS array
JP2002228903A (ja) * 2001-01-30 2002-08-14 Olympus Optical Co Ltd 光学ユニット
JP4300003B2 (ja) * 2002-08-07 2009-07-22 東京エレクトロン株式会社 載置台の駆動装置及びプローブ方法
KR100940206B1 (ko) * 2003-10-24 2010-02-10 삼성전자주식회사 주파수 변조 가능한 공진형 스캐너
US7295726B1 (en) * 2003-12-02 2007-11-13 Adriatic Research Institute Gimbal-less micro-electro-mechanical-system tip-tilt and tip-tilt-piston actuators and a method for forming the same
US6995895B2 (en) * 2004-02-05 2006-02-07 Lucent Technologies Inc. MEMS actuator for piston and tilt motion
KR20050120411A (ko) * 2004-06-18 2005-12-22 센텔릭 코포레이션 리드프레임으로 제작된 마이크로형 유체 순환유도장치
US20070018065A1 (en) * 2005-07-21 2007-01-25 Rockwell Scientific Licensing, Llc Electrically controlled tiltable microstructures
US7556978B2 (en) * 2006-02-28 2009-07-07 Freescale Semiconductor, Inc. Piezoelectric MEMS switches and methods of making
US7764003B2 (en) * 2006-04-04 2010-07-27 Kolo Technologies, Inc. Signal control in micromachined ultrasonic transducer
US7624638B2 (en) * 2006-11-09 2009-12-01 Mitsubishi Electric Corporation Electrostatic capacitance type acceleration sensor
JP2008256837A (ja) * 2007-04-03 2008-10-23 Yamaichi Electronics Co Ltd ファブリペロー型波長可変フィルタおよびその製造方法
TWI354176B (en) * 2007-10-19 2011-12-11 Lite On Technology Corp Micro-optical image stabilizer
TWI411064B (zh) * 2009-03-16 2013-10-01 Panasonic Corp Microelectromechanical system
DE102009026507A1 (de) * 2009-05-27 2010-12-02 Robert Bosch Gmbh Mikromechanisches Bauteil und Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauteil
TWI388038B (zh) * 2009-07-23 2013-03-01 Ind Tech Res Inst 感測元件結構與製造方法
US8952342B2 (en) * 2009-12-17 2015-02-10 Mapper Lithography Ip B.V. Support and positioning structure, semiconductor equipment system and method for positioning
JP5459090B2 (ja) * 2010-06-14 2014-04-02 株式会社デンソー 自動変速機の制御装置
FR2963192B1 (fr) * 2010-07-22 2013-07-19 Commissariat Energie Atomique Générateur d'impulsions de pression de type mems
JP5842467B2 (ja) * 2010-11-16 2016-01-13 株式会社リコー アクチュエータ装置、このアクチュエータ装置用の保護カバー、このアクチュエータの製造方法、このアクチュエータ装置を用いた光偏向装置、二次元光走査装置及びこれを用いた画像投影装置
DE102010062802A1 (de) * 2010-12-10 2012-06-14 Robert Bosch Gmbh Sensoreinrichtung
JP5834418B2 (ja) * 2011-02-04 2015-12-24 セイコーエプソン株式会社 光フィルター、光フィルターモジュール、分析機器及び光機器
US8519809B1 (en) * 2011-03-07 2013-08-27 Advanced Numicro Systems, Inc. MEMS electrical switch
JP5224617B2 (ja) * 2011-03-30 2013-07-03 富士フイルム株式会社 圧電アクチュエータ、可変容量コンデンサ及び光偏向素子
TWI453371B (zh) * 2011-12-30 2014-09-21 Ind Tech Res Inst 一種具振盪模組的微機電系統裝置
US20140043524A1 (en) * 2012-08-10 2014-02-13 Digitaloptics Corporation Auto-Focus Camera Module with Interior Conductive Trace
WO2015046761A1 (ko) * 2013-09-30 2015-04-02 (주)하이소닉 자동 초점 조절 및 손떨림 보정 기능을 갖는 휴대단말기용 카메라 액추에이터
JP2017513446A (ja) * 2014-04-04 2017-05-25 エムイーエムエス スタート，エルエルシー 光電子デバイスを動作させるアクチュエータ
US9264591B2 (en) * 2014-06-02 2016-02-16 Apple Inc. Comb drive and leaf spring camera actuator
JP2016011932A (ja) * 2014-06-30 2016-01-21 セイコーエプソン株式会社 分光画像撮像装置、分光画像撮像方法
CN105584984B (zh) * 2014-10-20 2018-02-02 立锜科技股份有限公司 微机电装置
KR101733872B1 (ko) * 2015-08-14 2017-05-10 주식회사 스탠딩에그 성능이 개선된 멤스 자이로스코프
JP6583547B2 (ja) * 2015-09-25 2019-10-02 株式会社村田製作所 改良型微小電気機械加速度測定装置
US10516348B2 (en) * 2015-11-05 2019-12-24 Mems Drive Inc. MEMS actuator package architecture
JP2017187603A (ja) * 2016-04-05 2017-10-12 ミツミ電機株式会社 １軸回転アクチュエーター
CN105731355B (zh) * 2016-04-29 2017-05-31 合肥芯福传感器技术有限公司 一体化多功能陶瓷封装管壳
KR102348365B1 (ko) * 2016-05-03 2022-01-10 삼성전자주식회사 카메라 모듈을 포함하는 전자 장치
US10516943B2 (en) * 2016-05-04 2019-12-24 Infineon Technologies Ag Microelectromechanical device, an array of microelectromechanical devices, a method of manufacturing a microelectromechanical device, and a method of operating a microelectromechanical device
IT201600079455A1 (it) * 2016-07-28 2018-01-28 St Microelectronics Srl Procedimento di fabbricazione di un dispositivo a microspecchio di tipo mems e relativo dispositivo
US10266389B2 (en) * 2017-07-31 2019-04-23 Infineon Technologies Dresden Gmbh Forming an offset in an interdigitated capacitor of a microelectromechanical systems (MEMS) device
US11048147B2 (en) * 2018-09-28 2021-06-29 Apple Inc. Camera focus and stabilization system
CN110040683A (zh) * 2019-04-12 2019-07-23 武汉耐普登科技有限公司 五金件、封装结构及其制造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1702489A (zh) * 2004-05-28 2005-11-30 三星电机株式会社 转动型梳状驱动致动器以及使用该致动器的可变光学衰减器
CN101152955A (zh) * 2006-09-27 2008-04-02 富士通株式会社 微结构器件的制造方法及其制造的微结构器件
CN101900877A (zh) * 2009-05-27 2010-12-01 精工爱普生株式会社 光滤波器、光滤波器装置、分析设备以及光滤波器的制造方法
CN104133576A (zh) * 2013-04-30 2014-11-05 乐金显示有限公司 触摸输入***及使用该***的触摸检测方法
CN105045292A (zh) * 2014-05-01 2015-11-11 精工爱普生株式会社 致动器装置、电子设备、以及控制方法
CN105319704A (zh) * 2014-07-07 2016-02-10 佳能株式会社 可变形镜及其制造方法、眼科装置以及自适应光学***
CN107771287A (zh) * 2015-06-26 2018-03-06 株式会社村田制作所 Mems 传感器

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