CN112751155A - 电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种电子设备，包括基板和设于基板上的天线装置，基板包括相邻接的接地区和净空区，天线装置包括设于净空区的第一辐射单元、第二辐射单元、第三辐射单元、第一馈电结构及第二馈电结构；第一辐射单元设有开口和分别位于开口两侧的两个接地端，第一辐射单元和接地区共同形成缝隙天线；第二辐射单元与接地区隔离设置；第一馈电结构和第二馈电结构均位于接地区和净空区的邻接处且接地；第二馈电结构电连接在第三辐射单元和地之间。本发明的天线装置通过第一馈电结构和第二馈电结构对辐射单元进行馈电，获取不同频率下的谐振模式，从而实现双频双天线功能。

Description

电子设备

技术领域

本发明涉及天线技术领域，特别涉及应用在电子设备中的天线。

背景技术

第五代移动通信技术意味着信息将以更快的速度在电子设备(如手机、平板电脑、可穿戴设备)之间传输交换，即电子设备具有更高的通信速率。为了达到更高的信息传输速度，就需要设计出支持多个频段的设备天线，以此来支持MIMO(Multiple-Input Multiple-Output，多输入多输出***)多天线***。

发明内容

本申请提供一种具有天线装置的电子设备。在本申请中，电子设备可以为随身wifi、路由器等终端设备，天线装置实现了双频双天线的功效。

本申请提供的电子设备包括基板和天线装置，电子设备内的馈电网络与天线装置电连接，以实现电子设备在不同频段下正常工作的要求。

一种可能的实施方式中，天线装置设于基板上，所述基板包括相邻接的接地区和净空区，需要说明的是，在基板上的天线装置组件都设置在基板的净空区，因此可以理解为天线装置组件的四周即为基板的接地区。所述天线装置包括设于所述净空区的第一辐射单元、第二辐射单元、第三辐射单元、第一馈电结构及第二馈电结构，需要说明的是，由于基板上净空区与接地区相互邻接，因此设置在净空区的第一辐射单元、第二辐射单元、第三辐射单元、第一馈电结构及第二馈电结构的四周即为接地区，而上述结构中接地的部分即通过净空区四周相邻接的接地区实现接地；所述第一辐射单元设有开口和分别位于所述开口两侧的两个接地端，即第一辐射单元包括两个接地端，其中一个所述接地端位于所述开口的一侧，另一个所述接地端位于所述开口的另一侧，所述两个接地端电连接至所述接地区，以使所述第一辐射单元和所述接地区共同形成缝隙天线，这里缝隙天线的形成可以理解为：设置在净空区的第一辐射单元和与净空区邻接的接地区对净空区进行围设，被围设的净空区形成一个类似开口缝隙的结构，即构成了缝隙天线。实施例中的所述第二辐射单元与所述接地区隔离设置，第二辐射单元也设置在净空区内，其和接地区之间没有直接的电连接或结构性物理连接。

实施例中的所述第一馈电结构和所述第二馈电结构均位于所述接地区和所述净空区的邻接处且接地，所述第一馈电结构以磁耦合的方式激励所述缝隙天线产生第一谐振频率，及激励所述第二辐射单元产生第二谐振频率，磁耦合方式的激励是指第一馈电结构与缝隙天线和第二辐射单元之间没有直接的电连接，而是通过外接电路在第一馈电结构上流通变化的电流，从而产生变化的电磁场，处在该电磁场空间的缝隙天线和第二辐射单元与第一馈电结构发生磁耦合作用而受到激励，出现谐振状态，分别为缝隙天线的基模和第二辐射单元的基模。需要说明的是，缝隙天线和第二辐射单元与第一馈电结构发生磁耦合的频率不同，第一馈电结构与缝隙天线通过磁耦合方式激励出缝隙天线基模的频率为第一谐振频率，第一馈电结构与第二辐射单元通过磁耦合的方式激励出第二辐射单元的基模的频率为第二谐振频率。

实施例中所述第二馈电结构电连接在所述第三辐射单元和地之间，这里的地即为基板上接地区的地板，所述第二馈电结构激励所述第三辐射单元产生第一谐振频率，所述第三辐射单元作为激励源且以电耦合的方式激励所述缝隙天线产生第二谐振频率，需要说明的是，第二馈电结构直接与第三辐射单元进行电连接，在第二馈电结构的作用下，第三辐射单元发生谐振，激励产生第三辐射单元的基模，此时的谐振频率为第一谐振频率，而此时再以第三辐射单元作为激励源，对缝隙天线进行激励，使其出现二次模，即缝隙天线在第三辐射单元的激励下出现缝隙天线的二次模，此时的频率为第二谐振频率。

实施例中的天线装置通过将第一辐射单元、第二辐射单元、第三辐射单元及第一馈电结构、第二馈电结构设置在净空区，以第一辐射单元形成的缝隙天线和第二辐射单元形成第一天线，让第一馈电结构以磁耦合的方式激励缝隙天线的基模(即第一谐振频率)和第二辐射单元的基模(即第二谐振频率)，即第一天线能够工作在第一谐振频率和第二谐振频率，实现了双频；以第一辐射单元形成的缝隙天线和第三辐射单元形成第二天线，第二馈电结构为第三辐射单元直接馈电，激励第三辐射单元的基模(即第一谐振频率)，第三辐射单元作为激励源，激励缝隙天线的二次模(即第二谐振频率)，第二天线能够工作在第一谐振频率和第二谐振频率，亦实现了双频，提供了小型化双频的天线对。

一种可能的实施方式中，在所述第一谐振频率下，所述缝隙天线的谐振模式和所述第三辐射单元的谐振模式极化正交，即在第一谐振频率下，缝隙天线基模的电场为水平极化，第三辐射体单元基模的电场为垂直极化，水平极化和垂直极化的两个谐振模式是相互正交，即缝隙天线的谐振模式和第三辐射单元在第一谐振频率下的谐振模式极化正交，实现同频高隔离效果。在所述第二谐振频率下，所述第二辐射单元的谐振模式和所述缝隙天线的谐振模式极化正交，即在第二谐振频率下，第二辐射单元基模的电场为水平极化，缝隙天线二次模的电场为垂直极化，这两个谐振模式也实现了极化正交，即第二辐射单元的谐振模式和缝隙天线在第二谐振频率下的谐振模式极化正交，达到同频高隔离度的技术效果。

一种可能的实施方式中，所述第一辐射单元包括沿着第一方向延伸的第一主体，所述两个接地端位于所述第一主体的两端，所述开口位于所述第一主体的中间区域，所述第二辐射单元包括沿着所述第一方向延伸的第二主体，所述第三辐射单元包括第三主体和馈电支节，所述第三主体沿着所述第一方向延伸，所述馈电支节连接在所述第三主体和所述接地区之间，且所述馈电支节和所述第三主体之间形成夹角，所述馈电支节与所述接地区的连接处为所述第二馈电结构。实施例中的第一方向为平行于基板平面的方向，第一主体沿着第一方向延伸即可保证第一辐射单元在被第一馈电结构激励时的缝隙天线基模的电场为水平极化，同时，第一主体通过位于其两端的接地端与基板接地区连接。同时在第一主体的中间区域开有一个将其截为两段的开口，此处的中间区域指代一个范围，即靠近第一主体在延伸方向上中点的附近区域。第二主体作为第二辐射单元的主要工作结构，决定了第二辐射单元在激励情况下产生电磁场的强度、方向等等，只有让第二主体的延伸方向也沿着第一方向，即平行于基板板面，才能使其在第一馈电结构的激励时的第二辐射单元基模水平极化，由于第三辐射单元是通过第二馈电结构直接电连接激励，因此第三辐射单元包括与第二馈电结构连接的馈电支节和第三主体。

一种可能的实施方式中，所述缝隙天线呈长条状，所述缝隙天线的长度方向为所述第一方向，所述第一馈电结构设于所述缝隙天线的长度方向上的中间区域，即第一馈电结构位于缝隙天线的中间区域(此中间区域指的就是长度方向上的中间区域)。缝隙天线由净空区的第一辐射单元和与净空区邻接的接地区对净空区进行围设形成，所以缝隙天线的长度方向与围设它的第一辐射单元有关，当缝隙天线的长度方向为所述第一方向，意味着缝隙天线示意第一辐射单元作为长边进行围设，即第一辐射单元即为缝隙天线孔隙的一个长边。将第一馈电结构设于所述缝隙天线的长度方向上的中间区域是因为：当缝隙天线工作在基模时，缝隙天线长度方向上的中间区域为其电流较强点，将第一馈电结构设置在电流较强的点时，有助于缝隙天线的基模被第一馈电结构所激励。

一种可能的实施方式中，在第二方向上，所述第一馈电结构的中心与所述开口的中心正对，所述第二方向垂直于所述第一方向。第二方向是在于基板板面平行且垂直于第一方向的方向，当第一馈电结构的中心和开口中心正对时，此时开口位置在第二方向上所对应的接地区就是缝隙天线长度方向上电流较强的点，将第一馈电结构与开口在第二方向上对齐，有助于缝隙天线被第一馈电结构所激励。

一种可能的实施方式中，所述第一馈电结构包括第一端口、第一调谐件和连接在二者之间的连接线，所述第一端口和所述第一调节件均电连接至所述接地区，所述接地区、所述第一端口、所述连接线及所述第一调谐件共同形成环形回路，所述环形回路能够以磁耦合的方式激励所述缝隙天线和所述第二辐射单元。由接地区、第一端口、连接线及第一调谐件形成的是一个环形回路，该环形回路接通外接电流以后，就会在空间产生变化的电磁场，在该电磁场的作用下，缝隙天线和第二辐射单元被激励，这种激励的方式叫做磁耦合激励。被激励的缝隙天线和第二辐射单元分别产生基模，即为缝隙天线基模和第二辐射单元基模。

一种可能的实施方式中，所述第一端口在所述第一主体上的垂直投影和所述第一调谐件在所述第一主体上的垂直投影对称分布在所述开口的两侧。第一端口和第一调谐件在第一主体上的投影对称分布于开口的两侧，此时在二者之间的连接线的中心就和开口的中心在第二方向线重合，此时经由第一馈电结构形成的电磁场就可以更好地对缝隙天线进行磁耦合，激励其产生缝隙天线基模。

一种可能的实施方式中，所述第一主体呈直线状延伸，和/或，所述第一主体的中心与所述开口的中心重合。当第一主体的中心与开口的中心重合时，开口即位于第一主体的中心位置，这样由第一主体和接地区围设的缝隙天线在第一方向上即被开口平分为两部分，此时缝隙天线被激励时，其形成的缝隙天线基模才会水平极化。

一种可能的实施方式中，所述第一辐射单元还包括第一分支，所述第一分支连接至所述第一主体，所述第一分支的延伸方向与所述第一主体的延伸方向形成夹角，所述第一分支用于调整所述缝隙天线的谐振频率。第一分支的作用在于调整缝隙天线的谐振频率，通过仿真软件进行模拟，设计出合适尺寸的第一分支用于谐振频率的调节。

一种可能的实施方式中，所述第二主***于所述缝隙天线的缝隙内部或者所述缝隙天线的缝隙之外(即不在缝隙内部)。一种实施方式中，所述第二主体和所述第一主体相对设置在所述基板的两侧，即第二主***于第一主体的所占的基板的面积范围内。第二主体的位置可以调整，以调节其谐振频率及极化方向。

一种可能的实施方式中，所述第二主体呈直线状延伸，和/或，所述第二主体的中心与所述开口的中心的连线垂直于所述第一方向。第二主体呈直线状延伸时，让开口与其在第二方向上重合，位于缝隙天线内部或边缘的第二主体结构上电流较强的位置为延伸方向上的中心区域。

一种可能的实施方式中，所述第二辐射单元还包括第二分支，所述第二分支连接至所述第二主体，所述第二分支的延伸方向与所述第二主体的延伸方向形成夹角，所述第二分支用于调节所述第二辐射单元的谐振频率。第二分支的作用在于调整缝隙天线的谐振频率，通过仿真软件进行模拟，设计出合适尺寸的第二分支用于谐振频率的调节。

一种可能的实施方式中，所述缝隙天线呈长条状，所述缝隙天线的长度方向为所述第一方向，所述第二馈电结构设于所述缝隙天线的长度方向上的中间区域，即第二馈电结构位于缝隙天线的中间区域(此中间区域指的是缝隙天线长度方向上的中间区域)。由于缝隙天线的二次模是以第三辐射单元作为激励源，因此给第三辐射单元馈电的第二馈电结构优选的设置在缝隙天线的长度方向上的中间区域，这样才能让第三辐射单元能够更好的激励缝隙天线二次模。这里的中间区域只是一个范围，表示缝隙天线长度方向中点位置的附近区域。

一种可能的实施方式中，所述馈电支节的延伸方向垂直于所述第一方向；和/或，所述馈电支节与所述第三主体的连接处位于所述第三主体的中心。让馈电支节的延伸方向垂直于第一方向，同时让其与第三主体的中心连接，此时第三主体被第二馈电结构进行激励时，得到的第三辐射单元基模的电场即为垂直极化，垂直极化的第三辐射单元基模就可以与水平极化的缝隙天线基模达到正交状态。

一种可能的实施方式中，所述第三辐射单元为设置在所述基板上的立体架构，部分所述馈电支节与所述第三主体共面，部分所述馈电支节与所述基板的表面形成夹角。立体架构属于第三辐射单元的一种实施方式，部分馈电支节与第三主体共面，用于调整第三主体在第二方向上的位置，部分馈电支节与基板的表面形成夹角，则夹角的大小决定了第三主体与基板之间的距离，在馈电支节尺寸一定的情况下，部分馈电支节与基板的夹角越大，则第三主体与基板的距离越大，通过对部分馈电支节的调整，可以改变第三辐射单元与缝隙天线的位置距离，从而改变天线的馈电情况。

一种可能的实施方式中，所述第三辐射单元还包括第三支节，所述第三支节连接在所述第三主体的中心位置和所述基板之间，用于调节所述第三辐射单元的谐振频率。第三辐射单元为立体架构的情况下，第三支节也可以将第三主体支撑在基板的表面，以保证第三辐射单元的结构稳定性，第三支节可以是包括立设在基板的一侧的立体架构，第三支节也可以包括立体结构和印制在基板表面的微带线结构，第三支节的长度变化，用于调节谐振频率。

一种可能的实施方式中，所述第三辐射单元为印制在所述基板上的微带线结构。采用印制的方式形成第三辐射单元，省去了空间结构的架设，加工的工艺流程变少，有助于成本的把控。

一种可能的实施方式中，所述天线装置还包括两个第一寄生支节，所述两个第一寄生支节分布在所述第二馈电结构的两侧，以调节所述第二天线的谐振频率。对称的设置两个第二馈电结构两侧的第一寄生支节是为了有效的调节第二天线的谐振频率，使其在第二馈电结构的激励作用下，产生的第三辐射单元基模和缝隙天线二次模的电场为垂直极化。

一种可能的实施方式中，所述天线装置包括两个第二寄生支节，所述第三主体包括两个末端，所述两个第二寄生支节分别对应设置在所述两个末端位置处。在第三主体的两个末端位置设置两个第二寄生支节是为了利用这两个第二寄生支节对第二天线的谐振频率进行调整，对称分布的意义在于，当第三辐射单元受到第二馈电结构的激励时，产生的第三辐射单元基模和缝隙天线二次模的电场为垂直极化，如果只是在一侧进行第二寄生支节的增加则会导致其电场不能很好的垂直极化，进而无法与缝隙天线的水平极化基模很好的正交，无法很好的实现同频高隔离效果。

一种可能的实施方式中，所述第一寄生支节和/或所述第二寄生支节为印制在所述基板上的微带线结构。采用印制的方式制作第一寄生支节和第二寄生支节，降低了天线装置的尺寸，即在垂直于基板板面的方向上，天线装置的尺寸只和基板的厚度有关，不会受到第一寄生支节和第二寄生的影响，同时都采用印制的方式制作天线的第一寄生支节和第二寄生支节可以将降低加工难度，降低制作成本。

一种可能的实施方式中，所述第一寄生支节和/或所述第二寄生支节为设置在所述基板表面的立体架构。采用立体架构的第一寄生支节和第二寄生支节能够对第二天线进行调频功能，让第三辐射单元在第二馈电结构的激励下产生第三辐射单元的基模，以及在第三辐射单元的激励下产生缝隙天线的二次模。当第三辐射单元为立体架构时，立体架构的第一寄生支节和第二寄生支节才能有更好的调节功能。

一种可能的实施方式中，所述基板包括相对设置的第一板面和第二板面，所述第一馈电结构、所述第一辐射单元和所述第二辐射单元设于所述第一板面，所述第二辐射单元位于所述第一馈电结构和所述第一辐射单元之间，所述第二馈电结构和所述第三辐射单元设于所述第二板面。一方面，位于第一板面的第一辐射单元与接地区围成形成缝隙天线，此时缝隙天线也位于第一板面，这样第一馈电结构就对同位于第一板面的缝隙天线和第二辐射单元进行激励，获得缝隙天线基模和第二辐射单元基模；另一方面，位于第二板面的第三辐射单元受到同位于第二板面的第二馈电结构的激励，获得第三辐射单元基模，位于第一板面的缝隙天线以第三辐射单元为激励源，获得缝隙天线的二次模，这样就实现了天线装置的多频工作。

一种可能的实施方式中，所述基板包括相对设置的第一板面和第二板面，所述第一馈电结构和所述第一辐射单元设于所述第一板面，所述第二辐射单元、所述第三辐射单元和所述第二馈电结构设置在所述第二板面，所述第二辐射单元为印制在所述第二板面的微带线结构，所述第三辐射单元为设置在所述第二板面的立体架构。一方面，位于第一板面的第一辐射单元与接地区围成形成缝隙天线，此时缝隙天线也位于第一板面，这样第一馈电结构就对同位于第一板面的缝隙天线进行激励，获得缝隙天线基模，同时第一馈电结构还对位于第二板面的第二辐射单元进行激励，获得第二辐射单元基模；另一方面，位于第二板面的第三辐射单元受到同位于第二板面的第二馈电结构的激励，获得第三辐射单元基模，位于第一板面的缝隙天线以第三辐射单元为激励源，获得缝隙天线的二次模，这样就实现了天线装置的多频工作。

一种可能的实施方式中，所述基板包括相对设置的第一板面和第二板面，所述第一馈电结构和所述第二辐射单元设于所述第一板面，所述第一辐射单元、所述第三辐射单元和所述第二馈电结构设置在所述第二板面，所述第一辐射单元为印制在所述第二板面的微带线结构，所述第三辐射单元为设置在所述第二板面的立体架构。

一种可能的实施方式中，所述基板包括相对设置的第一板面和第二板面，所述第一辐射单元和所述第二辐射单元设于所述第一板面，所述第一馈电结构、所述第二馈电结构及所述第三辐射单元设置在所述第二板面。一方面，位于第一板面的第一辐射单元与接地区围成形成缝隙天线，此时缝隙天线也位于第一板面，位于第二板面的第一馈电结构就对位于第一板面的缝隙天线和第二辐射单元进行激励，获得缝隙天线基模和第二辐射单元基模；另一方面，位于第二板面的第三辐射单元受到同位于第二板面的第二馈电结构的激励，获得第三辐射单元基模，位于第一板面的缝隙天线以第三辐射单元为激励源，获得缝隙天线的二次模，这样就实现了天线装置的多频工作。

一种可能的实施方式中，所述第一馈电结构、所述第二馈电结构、所述第一辐射单元、所述第二辐射单元及所述第三辐射单元设置在所述基板的同一侧。位于基板一侧的第一辐射单元与接地区围设形成一个缝隙天线，与缝隙天线位于同一侧板面的第一馈电结构对缝隙天线和第二辐射单元进行激励，获得缝隙天线基模和第二辐射单元基模；另一方面，位于同一侧板面的第三辐射单元受到同位于一侧的第二馈电结构的激励，获得第三辐射单元基模，缝隙天线以第三辐射单元为激励源，获得缝隙天线的二次模，这样就实现了天线装置的多频工作。

附图说明

图1是本发明一个实施例中天线装置的应用场景的图；

图2是本发明一个实施例中天线装置的结构示意图；

图3是本发明一个实施例中基板一侧第一天线结构图；

图4是本发明一个实施例中基板另一侧第二天线结构图；

图5是本发明一个实施例中天线装置的仿真S参数图；

图6是本发明一个实施例中两个天线的仿真效率图；

图7是本发明一个实施例中两个天线的方向图；

图8是本发明一个实施例中天线装置的电流分布图；

图9是本发明一种实施例中第三辐射单元的结构图；

图10是本发明一种实施例中寄生支节的结构图；

图11是本发明另一种实施例中寄生支节的结构图；

图12是本发明另一种实施例中寄生支节的结构图；

图13A是本发明一种实施例中改变开口尺寸时第一天线的仿真S参数图；

图13B是本发明一种实施例中改变开口尺寸时第二天线的仿真S参数图；

图14A是本发明一种实施例中改变第二辐射单元尺寸时第一天线的仿真S参数图；

图14B是本发明一种实施例中改变第二辐射单元尺寸时第二天线的仿真S参数图；

图15A是本发明一种实施例中改变第三主体尺寸时第一天线的仿真S参数图；

图15B是本发明一种实施例中改变第三主体尺寸时第二天线的仿真S参数图；

图16A是本发明一种实施例中改变第一寄生支节尺寸时第一天线的仿真S参数图；

图16B是本发明一种实施例中改变第一寄生支节尺寸时第二天线的仿真S参数图；

图17A是本发明一种实施例中改变第二寄生支节尺寸时第一天线的仿真S参数图；

图17B是本发明一种实施例中改变第二寄生支节尺寸时第二天线的仿真S参数图；

图18A是本发明另一种实施例中改变第一寄生支节尺寸时第一天线的仿真S参数图；

图18B是本发明另一种实施例中改变第一寄生支节尺寸时第二天线的仿真S参数图；

图19A是本发明第一种实施例中天线装置第一板面的结构图；

图19B是本发明第一种实施例中天线装置第二板面的结构图；

图20A是本发明第二种实施例中天线装置第一板面的结构图；

图20B是本发明第二种实施例中天线装置第二板面的结构图；

图21A是本发明第三种实施例中天线装置第一板面的结构图；

图21B是本发明第三种实施例中天线装置第二板面的结构图；

图22A是本发明第四种实施例中天线装置第一板面的结构图；

图22B是本发明第四种实施例中天线装置第二板面的结构图；

图23A是本发明一种实施例中第一板面上增设集总单元的结构示意图；

图23B是本发明一种实施例中第二板面上增设集总单元的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合附图，对本申请的具体实施方式进行清楚地描述。

请参阅图1，本申请提供一种电子设备200，电子设备200包括馈电网络150和天线装置100，其中天线装置100包括多个天线，在本实施例中，天线装置100包括第一天线130和第二天线140，第一天线130和第二天线140通过天线装置100的馈电结构与馈电网络150电连接。借由馈电网络150的信号输入，实现馈电结构对第一天线130和第二天线140的激励，获得第一天线130和第二天线140在不同频率下的谐振模式，从而实天线装置100在不同频段下正常工作的要求。

本申请提供的电子设备200可以为随身WIFI或家用路由器等终端设备，天线装置100可以实现双频WIFI功能，例如在WIFI2.4G和WIFI5G频段工作。

一种可能的实施方式中，如图2、图3和图4所示，天线装置100设于基板190上，基板190包括相邻接的接地区110和净空区120，需要说明的是，天线装置100组件设置在基板190的净空区120所在的空间内，可以包括基板190的表层、内层，也可以包括基板190两侧，净空区120所对应的空间范围，因为天线装置100可以为印制在基板上的微带线结构，也可以为架设在基板表面上的空间立体结构。可以理解为天线装置100的四周即为基板190的接地区110。天线装置100包括设于净空区120的第一辐射单元10、第二辐射单元20、第三辐射单元30、第一馈电结构30及第二馈电结构40，需要说明的是，由于基板190上净空区120与接地区110相互邻接，因此设置在净空区120的第一辐射单元10、第二辐射单元20、第三辐射单元30、第一馈电结构30及第二馈电结构40的四周即为接地区110，而上述结构中接地的部分即通过净空区120四周相邻接的接地区110实现接地；第一辐射单元10设有开口12和分别位于开口12两侧的两个接地端14，两个接地端14电连接至接地区110，接地端14与接地区110之间可以直接连接，也可以在接地端14和接地区110之间设置容性元件或感性元件，例如电容电感等。第一辐射单元10和接地区110共同形成缝隙天线，这里缝隙天线130的形成可以理解为：设置在净空区120的第一辐射单元10和与净空区120邻接的接地区110共同围设形成的缝隙，由于第一辐射单元10设开口，缝隙天线130为具有开口的缝隙结构。实施例中的第二辐射单元20与接地区14隔离设置，第二辐射单元20也设置在净空区120内，其和接地区110之间没有直接的电连接或结构性物理连接，第二辐射单元20可以看作为设置在净空区120内的悬浮金属线结构，悬浮金属线可以理解为印制在基板上的微带线，或架构在基板上的立体金属带结构，“悬浮”的意思是指与四周的接地区或其它的辐射单元之间均无连接关系。

实施例中的第一馈电结构40和第二馈电结构50均位于接地区110和净空区120的邻接处且接地，第一馈电结构40以磁耦合的方式激励缝隙天线产生第一谐振频率，及激励第二辐射单元20产生第二谐振频率，磁耦合方式的激励是指第一馈电结构40与缝隙天线和第二辐射单元20之间没有直接的电连接，而是通过外接电路在第一馈电结构40上流通变化的电流，从而产生变化的电磁场，处在该电磁场空间的缝隙天线和第二辐射单元20与第一馈电结构40发生磁耦合作用而受到激励，出现谐振状态，分别为缝隙天线的基模和第二辐射单元20的基模。需要说明的是，缝隙天线和第二辐射单元20与第一馈电结构40发生磁耦合的频率不同，第一馈电结构40与缝隙天线通过磁耦合方式激励出缝隙天线基模的频率为第一谐振频率，第一馈电结构40与第二辐射单元20通过磁耦合的方式激励出第二辐射单元20的基模的频率为第二谐振频率。

实施例中第二馈电结构50电连接在第三辐射单元30和地之间，这里的地即为基板190上接地区110的地板，第二馈电结构50激励第三辐射单元30产生第一谐振频率，第三辐射单元30作为激励源且以电耦合的方式激励缝隙天线产生第二谐振频率，需要说明的是，第二馈电结构50直接与第三辐射单元30进行电连接，在第二馈电结构50的作用下，第三辐射单元30发生谐振，激励产生第三辐射单元30的基模，谐振频率为第一谐振频率。再以第三辐射单元30作为激励源，对缝隙天线进行激励，使其出现二次模，即缝隙天线在第三辐射单元30的激励下出现缝隙天线的二次模，谐振频率为第二谐振频率。

实施例中的天线装置100通过将第一辐射单元10、第二辐射单元20、第三辐射单元30及第一馈电结构40、第二馈电结构50设置在净空区120，以第一辐射单元10形成的缝隙天线和第二辐射单元20形成第一天线130，让第一馈电结构40以磁耦合的方式激励缝隙天线的基模(即第一谐振频率)和第二辐射单元20的基模(即第二谐振频率)，即第一天线130能够工作在第一谐振频率和第二谐振频率，实现了双频；以第一辐射单元10形成的缝隙天线和第三辐射单元30形成第二天线140，第二馈电结构40为第三辐射单元30直接馈电，激励第三辐射单元30的基模(即第一谐振频率)，第三辐射单元30作为激励源，激励缝隙天线的二次模(即第二谐振频率)，第二天线140能够工作在第一谐振频率和第二谐振频率，亦实现了双频，提供了小型化双频的天线对。

如图7和图8所示，其中，Port1表示第一馈电结构的馈电端口，Port2表示第二馈电结构的馈电端口，Slot CM表示缝隙天线基模，Wire DM表示第二辐射单元基模，Wire CM表示第三辐射单元基模，Slot DM表示缝隙天线二次模。图8中的四个电路分布图分别表示为：第一馈电结构的馈电端口馈电，使得缝隙天线的基模覆盖WIFI信号2.4G信号的情况下的电流分布图；第一馈电结构的馈电端口馈电，使得第二辐射单元基模覆盖WIFI信号5G的情况下的电流分布图；第二馈电结构的馈电端口馈电，使得第三辐射单元基模覆盖WIFI信号2.4G信号的情况下的电流分布图；及第二馈电结构的馈电端口馈电，使得缝隙天线二次模覆盖WIFI信号5G的情况下的电流分布图。

如图8所示，图中断点分布代表了第一辐射单元10、第二辐射单元20、第三辐射单元30的电流仿真分布，用虚线圈出的区域是电流较强的区域。缝隙天线在第一馈电结构40的作用下形成电流环，该电流环可以等效为磁流，将第一馈电结构40放置于第一辐射单元10和第二辐射单元20中电流较强的地点(即接地区110上电流较强的区域)，就能够以磁耦合的方式激励起这两个辐射体的基模(即缝隙天线的基模、第二辐射单元20的基模)，由于这两个辐射模式的谐振频率不同，因此出现在两个频段，则由第一辐射单元10形成的缝隙天线和第二辐射单元20形成第一天线130可以实现双频工作。同样，对于由第一辐射单元10形成的缝隙天线和第三辐射单元30形成第二天线140而言，在一个频段下，第三辐射单元30通过第二馈电结构50的直接馈电得到基模，然后以第三辐射单元30作为缝隙天线的激励源，将第三辐射单元30设于缝隙天线二次模的电场较强的地方，从而产生电耦合，使其激励缝隙天线得到第一辐射单元10的二次模，第二天线140亦可以实现双频工作。

由于本实施例中第一天线和第二天线的尺寸都是与缝隙天线基模、第二辐射单元基模、第三辐射单元基模以及缝隙天线的二次模有关，而缝隙天线基模的状态下，缝隙天线长度方向的尺寸(第一方向上延伸的尺寸)为四分之一波长，第二辐射单元及第三辐射单元在第一方向上的尺寸也是对应谐振频率状态下的四分之一波长，第一天线和第二天线在第一方向上延伸的尺寸较其它方向的尺寸要大，通过本申请的设计，可以控制第一天线和第二天线的尺寸，有助于小型化设计。

具体的实施方式中，如图2所示，以WIFI天线为例，基板190的面板呈为矩形，矩形的长度为120mm，矩形宽度为60mm，即基板190的面板尺寸为120mm*60mm，缝隙天线沿第一方向上的尺寸为22mm，缝隙天线在第二方向上的尺寸为5mm，由于第二辐射单元20位于缝隙天线内部，所以第一天线的尺寸即为22mm*5mm。在垂直于基板190面板的方向上，电辐射单元30的尺寸为5mm，因此可以得出由缝隙天线和第二辐射单元20形成的第一天线与由缝隙天线和第三辐射单元30形成第二天线的总尺寸则为22mm*5mm*5mm。本实施例中的缝隙天线通过第一馈电结构40以磁耦合的方式进行馈电，其在2.4GHz时只需四分之一个波长即可产生第一个谐振模式，如果换做普通的直接馈电方式，则需要半个波长才能产生第一个谐振模式，即本申请中缝隙天线沿着第一方向的长度要比普通馈电模式下的长度缩小一半，大大节省了设计空间。

天线的仿真参数结果如图5所示。可以看出，天线带宽可以很好地覆盖WIFI 2.4G及5G频段范围，两个频段内的隔离度均大于15dB。图6是天线装置的仿真效率图，从图中可以看出，在2.4G和5G连个频率点处的数值都大于-3dB，满足天线正常使用的需求。如图7所示，是第一天线和第二天线分别在2.4G和5G频率下的方向图。具体的，Port1作为第一馈电结构的馈电端口，在2.4G和5G两个频率激发出第一天线的缝隙天线基模(Slot CM)和第二辐射单元基模(Wire DM)，其对应的方向性系数值为4.127dBi和4.926dBi；Port2作为第二馈电结构的馈电端口，在2.4G和5G两个频率激发出第二天线的第三辐射单元基模(WireCM)和缝隙天线二次模(Slot DM)，其对应的方向性系数值为4.344dBi和5.999dBi，因此天线装置满足双频天线的工作需求。

一种可能的实施方式中，在第一谐振频率下，缝隙天线的谐振模式和第三辐射单元的谐振模式极化正交，即在第一谐振频率下，缝隙天线基模的电场为水平极化，第三辐射体单元基模的电场为垂直极化，水平极化和垂直极化的两个谐振模式是相互正交，即缝隙天线的谐振模式和第三辐射单元在第一谐振频率下的谐振模式极化正交，实现同频高隔离效果。在第二谐振频率下，第二辐射单元的谐振模式和缝隙天线的谐振模式极化正交，即在第二谐振频率下，第二辐射单元基模的电场为水平极化，缝隙天线二次模的电场为垂直极化，这两个谐振模式也实现了极化正交，即第二辐射单元的谐振模式和缝隙天线在第二谐振频率下的谐振模式极化正交，达到同频高隔离度的技术效果。本实施例中的技术方案通过第一天线和第二天线在不同频段下的谐振模式的极化正交，实现了天线装置100的不同频段下高隔离度的工作效果。

一种可能的实施方式中，如图3和图4所示，第一辐射单元10包括沿着第一方向延伸的第一主体16，两个接地端14位于第一主体16的两端，开口12位于第一主体16的中间区域，第二辐射单元20包括沿着第一方向延伸的第二主体22，第三辐射单元包括第三主体32和馈电支节34，第三主体32沿着第一方向延伸，馈电支节34连接在第三主体32和接地区110之间，且馈电支节34和第三主体32之间形成夹角(夹角可以为90度，即馈电支节34和第三主体32可以垂直)，馈电支节34与接地区110的连接处为第二馈电结构50。一种实施例中，第一方向可以为平行于基板190一个板面的一个边缘的方向，第一主体16沿着第一方向延伸即可保证第一辐射单元10在被第一馈电结构40激励时，缝隙天线基模的电场为水平极化，第一主体16通过位于其两端的接地端14与基板190的接地区110连接。在第一主体16的中间区域开有一个将其截为两段的开口12，此处的中间区域指代一个范围，即靠近第一主体16在延伸方向上中点的附近区域。第二主体22作为第二辐射单元20的主要工作结构，决定了第二辐射单元20在激励情况下产生电磁场的强度、方向等等，将第二主体20的延伸方向设置为沿着第一方向，即平行于第一主体16，可以使其在第一馈电结构40的激励时，第二辐射单20基模水平极化，由于第三辐射单元30是通过第二馈电结构50直接电连接激励，因此第三辐射单元30包括与第二馈电结构50连接的馈电支节34和第三主体32。

具体的，如图3和图4所示，第一主体16、第二主体22以及第三主体32的延伸方向相同，即三者相互平行。第一主体16的延伸方向决定了第一辐射单元10的延伸方向，同时也决定了由第一辐射单元10和接地区110围成的缝隙天线的延伸方向，也决定了缝隙天线基模电场的方向和缝隙天线二次模电场的方向。第二主体22的延伸方向决定了第二辐射单元20的延伸方向，同时也决定了第二辐射单元20基模电场的方向。第三主体32的延伸方向决定了第三辐射单元30的延伸方向，也决定了第三辐射单元30基模电场的方向。为了确保缝隙天线基模与第三辐射单元30基模极化正交，第二辐射单元20基模与缝隙天线二次模极化正交，选择让第一主体16、第二主体22和第三主体32相互平行，这样就可以达到交好的正交效果，从而获得较高的天线隔离度。

一种可能的实施方式中，如图3所示，缝隙天线呈长条状，缝隙天线的长度方向为第一方向，第一馈电结构40设于缝隙天线的长度方向上的中间区域。缝隙天线由净空区120的第一辐射单元10和与净空区120邻接的接地区110对净空区120进行围设形成，所以缝隙天线的长度方向与围设它的第一辐射单元10有关，当缝隙天线的长度方向为第一方向，意味着缝隙天线示意第一辐射单元10作为长边进行围设，即第一辐射单元即为缝隙天线孔隙的一个长边。将第一馈电结构40设于缝隙天线的长度方向上的中间区域是因为：当缝隙天线工作时，缝隙天线长度方向上的中间区域为其电流较强点，将第一馈电结构40设置在电流较强的点时，有助于缝隙天线被第一馈电结构40所激励。

一种可能的实施方式中，如图3所示，在第二方向上，第一馈电结构40的中心与开口12的中心正对，第二方向垂直于第一方向。第二方向是在于基板190板面平行且垂直于第一方向的方向，当第一馈电结构40的中心和开口12中心正对时，此时开口12位置在第二方向上所对应的接地区就是缝隙天线长度方向上电流较强的点，将第一馈电结构40与开口12在第二方向上对齐，有助于缝隙天线被第一馈电结构40所激励。

一种可能的实施方式中，如图3所示，第一馈电结构40包括第一端口41、第一调谐件42和连接在二者之间的连接线43，第一端口41和第一调谐件42均电连接至接地区110，接地区110、第一端口41、连接线42及第一调谐件75共同形成环形回路，环形回路能够以磁耦合的方式激励缝隙天线和第二辐射单元20。由接地区110、第一端口41、连接线43及第一调谐件42形成的是一个环形回路，该环形回路接通外接电流以后，就会在空间产生变化的电磁场，在该电磁场的作用下，缝隙天线和第二辐射单元20被激励，这种激励的方式叫做磁耦合激励。被激励的缝隙天线和第二辐射单元20分别产生基模，即为缝隙天线基模和第二辐射单元20基模。

一种可能的实施方式中，如图3所示，第一端口41在第一主体16上的垂直投影和第一调谐件42在第一主体16上的垂直投影对称分布在开口12的两侧。第一端口41和第一调谐件42在第一主体16的投影对称分布于开口12的两侧，此时在二者之间的连接线的中心就和开口12的中心在第二方向线重合，此时经由连接线43形成的电磁场就可以更好地对缝隙天线进行磁耦合，激励其产生缝隙天线基模。

一种可能的实施方式中，如图3所示，第一主体16呈直线状延伸，和/或，第一主体16的中心与开口12的中心重合。当第一主体16的中心与开口12的中心重合时，开口12即位于第一主体16的中心位置，这样由第一主体16和接地区110围设的缝隙天线在第一方向上即被开口12平分为两部分，此时缝隙天线被激励时，其形成的缝隙天线基模才会水平极化。

一种可能的实施方式中，如图3所示，第一辐射单元10还包括第一分支18，第一分支18连接至第一主体16，第一分支18的延伸方向与第一主体16的延伸方向形成夹角，第一分支18用于调整缝隙天线的谐振频率。如图3所示，第一分支18设置在靠近开口12两侧的位置，这样第一分支18变相起到增加开口12孔深的作用，更有助于对缝隙天线谐振频率的调节。本实施例中的第一分支18用于于调整缝隙天线的谐振频率，通过仿真软件进行模拟，设计出合适尺寸的第一分支18用于谐振频率的调节。

一种可能的实施方式中，如图3所示，第二主体22位于缝隙天线的缝隙内部或者缝隙天线的缝隙边缘。第二主体22位于缝隙天线的缝隙内或者缝隙边缘，是指第二主体22没有与围设缝隙天线的第一主体16及接地区110发生连接，此时的第二主体22可以更好的受第一馈电结构40的激励，得到第二辐射单元20基模。

如图3所示，第二主体22呈直线状延伸，和/或，第二主体22的中心与开口12的中心的连线垂直于第一方向。一种可能的实施方式中，第二主体22呈直线状延伸时，让开口12与其在第二方向上重合，位于缝隙天线内部或边缘的第二主体22结构上电流较强的位置为延伸方向上的中心区域。

一种可能的实施方式中，如图3所示，第二辐射单元20还包括第二分支24，第二分支24连接至第二主体22，第二分支24的延伸方向与第二主体22的延伸方向形成夹角，第二分支24用于调节第二辐射单元20的谐振频率。第二分支24的作用在于调整缝隙天线的谐振频率，通过仿真软件进行模拟，设计出合适尺寸的第二分支24用于谐振频率的调节。

一种可能的实施方式中，如图3和图4所示，缝隙天线呈长条状，缝隙天线的长度方向为第一方向，第二馈电结构50设于缝隙天线的长度方向上的中间区域。需要说明的是，由于第二馈电结构50与缝隙天线可能分布于不同的板面，如果第二馈电结构50在正面，缝隙天线在背面，那么缝隙天线长度方向上的中间区域所在的背面板对应的正面板的区域即为第二馈电结构50的所在位置。不管是哪种情形，缝隙天线的二次模是以第三辐射单元作为激励源，因此给第三辐射单元30的馈电的第二馈电结构50优选的设置在缝隙天线的长度方向上的中间区域，这样才能让第三辐射单元30能够更好的激励缝隙天线二次模。这里的中间区域只是一个范围，表示缝隙天线长度方向中点位置的附近区域。

如图4所示，馈电支节34的延伸方向垂直于第一方向；和/或，馈电支节34与第三主体30的连接处位于第三主体30的中心。一种可能的实施方式中，让馈电支节34的延伸方向垂直于第一方向，同时让其与第三主体32的中心连接，此时第三主体32被第二馈电结构50进行激励时，得到的第三辐射单元30基模的电场即为垂直极化，垂直极化的第三辐射单元30基模就可以与水平极化的缝隙天线基模达到正交状态。

一种可能的实施方式中，如图4所示，第三辐射单元30为设置在基板190上的立体架构，部分馈电支节34与第三主体32共面，部分馈电支节34与基板190的表面形成夹角。立体架构属于第三辐射单元30的一种实施方式，部分馈电支节34与第三主体32共面，用于调整第三主体32在第二方向上的位置，部分馈电支节34与基板的表面形成夹角，则夹角的大小决定了第三主体30与基板190之间的距离，在馈电支节34尺寸一定的情况下，部分馈电支节与基板190的夹角越大，则第三主体32与基板190的距离越大，通过对部分馈电支节的调整，可以改变第三辐射单元30与缝隙天线的位置距离，从而改变天线的馈电情况。

一种可能的实施方式中，如图10所示，第三辐射单元30还包括第三支节36，第三支节36连接在第三主体32的中心位置和基板190之间，用于调节第三辐射单元30的谐振频率。第三辐射单元为立体架构的情况下，第三支节36也可以将第三主体32支撑在基板的表面，以保证第三辐射单元30的结构稳定性，第三支节36可以是包括立设在基板的一侧的立体架构，第三支节36也可以包括立体结构和印制在基板表面的微带线结构，第三支节36的长度变化，用于调节谐振频率。

一种可能的实施方式中，如图9所示，第三辐射单元30为印制在基板190上的微带线结构。采用印制的方式形成第三辐射单元30，省去了空间结构的架设，加工的工艺流程变少，有助于成本的把控。

一种可能的实施方式中，如图10所示，天线装置100还包括两个第一寄生支节38，两个第一寄生支节38分布在第二馈电结构50的两侧，以调节第二天线140的谐振频率。对称的设置第二馈电结构50两侧的第一寄生支节38是为了有效的调节第二天线140的谐振频率，使其在第二馈电结构50的激励作用下，产生的第三辐射单元30基模和缝隙天线二次模的电场为垂直极化。

一种可能的实施方式中，如图11所示，天线装置100包括两个第二寄生支节39，第三主体32包括两个末端，两个第二寄生支节39分别对应设置在两个末端位置处。在第三主体32的两个末端位置设置两个第二寄生支节39是为了利用这两个第二寄生支节39对第二天线140的谐振频率进行调整，对称分布的意义在于，当第二天线140受到第二馈电结构的激励时，产生的第三辐射单元30基模和缝隙天线二次模的电场为垂直极化，如果只是在一侧进行第二寄生支节39的增加则会导致其电场不能很好的垂直极化，进而无法很好的与缝隙天线基模和第二辐射单元20基模的水平极化达到正交，无法很好的实现同频高隔离效果。

一种可能的实施方式中，第一寄生支节38和/或第二寄生支节39为印制在基板190上的微带线结构。具体的如图12所示，采用印制的方式制作第一寄生支节38，降低了天线装置100的尺寸，即在垂直于基板190板面的方向上，天线装置100的尺寸只和基板190的厚度有关，不会受到第一寄生支节38的影响，同时都采用印制的方式制作天线的第一寄生支节38可以将降低加工难度，降低制作成本。

一种可能的实施方式中，如图10和图11所示，第一寄生支节38和/或第二寄生支节39为设置在基板190表面的立体架构。采用立体架构的第一寄生支节38和第二寄生支节39能够对第二天线140进行调频功能，让第三辐射单元30在第二馈电结构50的激励下产生第三辐射单元30的基模，以及在第三辐射单元的激励下产生缝隙天线的二次模。当第三辐射单元30为立体架构时，立体架构的第一寄生支节38和第二寄生支节39才能有更好的调节功能。

需要说明的是，在上述的具体实施例中，可以调整天线装置100各个组件的尺寸，实现对第一天线和第二天线S参数的调整，具体情况如下：

第一种情形是对第一辐射单元上开口的大小进行调整，以实现对第一天线和第二天线S参数的调整。如图13A和图13B所示，曲线1、曲线2和曲线3代表的开口尺寸呈增长趋势。图13A表示在改变开口大小时第一天线S参数变化图，从图中可以看出，当开口变大时，第一天线谐振频率向高频移动，当开口变小时，第一天线谐振频率向低频移动。图13B表示在改变开口大小时第二天线S参数变化图，从图中可以看出，当开口变大时，第二天线谐振频率向高频移动，当开口变小时，第二天线谐振频率向低频移动。

第二种情形是对第二辐射单元沿第一方向的尺寸进行调整，实现对第一天线和第二天线S参数的调整。如图14A和图14B所示，曲线1、曲线2和曲线3代表第二辐射单元的尺寸呈增长趋势。图14A表示在改变第二辐射单元沿第一方向的尺寸时第一天线S参数变化图，从图中可以看出，当第二辐射单元沿第一方向的尺寸变大时，第一天线谐振频率向低频移动，当第二辐射单元沿第一方向的尺寸变小时，第一天线谐振频率向高频移动。图14B表示在改变第二辐射单元沿第一方向的尺寸时第二天线S参数变化图，从图中可以看出第二辐射单元沿第一方向的尺寸变化对第二天线的谐振频率影响不大。

第三种情形是对第三主体的长度进行调整，实现对第一天线和第二天线S参数的调整。如图15A和图15B所示，曲线1、曲线2和曲线3代表第三主体的长度呈增长趋势。图15A表示在改变第三主体的长度时第一天线S参数变化图，从图中可以看出，当第三主体的长度变大时，第一天线谐振频率向低频移动，当第三主体长度变小时第一天线谐振频率向高频移动。同样，图15B表示在改变第三主体的长度时第二天线S参数变化图，从图中可以看出，当第三主体的长度变大时，第二天线谐振频率向低频移动，当第三主体长度变小时第二天线谐振频率向高频移动。

第四种情形是对第一寄生支节进行调整，实现对第一天线和第二天线S参数的调整。如图10所示，此时第一寄生支节38采用立体的架构方式设置在基板190。如图16A和图16B所示，曲线1、曲线2和曲线3代表第一寄生支节长度呈增长趋势。图16A表示在改变第一寄生支节的长度时第一天线S参数变化图，从图中可以看出，当第一寄生支节长度变化时，对第一天线的谐振频率影响不大。图16B表示在改变第一寄生支节长度时第二天线S参数变化图，从图中可以看出，当第一寄生支节长度增加时，第二天线谐振频率向低频移动，当第一寄生支节长度变小时第二天线谐振频率向高频移动。

第五种情形是对第二寄生支节进行调整，实现对第一天线和第二天线S参数的调整。如图17A和图17B所示，曲线1、曲线2和曲线3代表第二寄生支节长度呈增长趋势。图17A表示在改变第二寄生支节的长度时第一天线S参数变化图，从图中可以看出，当第二寄生支节长度变化时，对第一天线的谐振频率影响不大。图17B表示在改变第二寄生支节长度时第二天线S参数变化图，从图中可以看出，当第二寄生支节长度增加时，第二天线谐振频率向低频移动，当第二寄生支节长度变小时第二天线谐振频率向高频移动。

第六种情形是对第一寄生支节进行调整，实现对第一天线和第二天线S参数的调整。如图12所示，此时第一寄生支节38采用印制的方式设计在基板190。如图18A和图18B所示，曲线1、曲线2和曲线3代表第一寄生支节长度呈增长趋势。图18A表示在改变第一寄生支节的长度时第一天线S参数变化图，从图中可以看出，当第一寄生支节长度增大时，第一天线的第二谐振频率向低频移动，当第一寄生支节长度变小时，第一天线的第二谐振频率向高频移动。图18B表示在改变第一寄生支节长度时第二天线S参数变化图，从图中可以看出，当第一寄生支节长度增大时，第二天线的第二谐振频率向低频移动，当第一寄生支节长度变小时，第二天线的第二谐振频率向高频移动。

一种可能的实施方式中，如图19A和图19B所示，基板190包括相对设置的第一板面192和第二板面194，第一馈电结构40、第一辐射单元10和第二辐射单元20设于第一板面192，第二辐射单元20位于第一馈电结构40和第一辐射单元10之间，第二馈电结构50和第三辐射单元30设于第二板面194。一方面，位于第一板面192的第一辐射单元10与接地区110围成形成缝隙天线，此时缝隙天线也位于第一板面192，这样第一馈电结构40就对同位于第一板面192的缝隙天线和第二辐射单元20进行激励，获得缝隙天线基模和第二辐射单元20基模；另一方面，位于第二板面194的第三辐射单元30受到同位于第二板面194的第二馈电结构50的激励，获得第三辐射单元30基模，位于第一板面192的缝隙天线以第三辐射单元30为激励源，获得缝隙天线的二次模，实现双天线双频。

一种可能的实施方式中，如图20A和图20B所示，基板190包括相对设置的第一板面192和第二板面194，第一馈电结构40和第一辐射单元10设于第一板面194，第二辐射单元20、第三辐射单元30和第二馈电结构50设置在第二板面194，第二辐射单元20为印制在第二板面194的微带线结构，第三辐射单元30为设置在第二板面194的立体架构。一方面，位于第一板面192的第一辐射单元10与接地区110围成形成缝隙天线，此时缝隙天线也位于第一板面192，这样第一馈电结构40以磁耦合的方式对缝隙天线进行激励，产生第一谐振频率，即获得缝隙天线的基模。第一馈电结构40以磁耦合的方式对位于第二板面194的第二辐射单元20进行激励，获得第二辐射单元20基模，产生第二谐振频率；另一方面，位于第二板面194的第三辐射单元30受到同位于第二板面194的第二馈电结构50的激励，产生第一谐振频率，即获得第三辐射单元30基模。第三辐射单元30作为激励源，以电耦合的方式激励位于第一板面192的缝隙天线产生第二谐振频率，获得缝隙天线的二次模，实现双天线双频。

一种可能的实施方式中，如图21A和图21B所示，基板190包括相对设置的第一板面192和第二板面194，第一馈电结构40和第二辐射单元20设于第一板面192，第一辐射单元10、第三辐射单元30和第二馈电结构50设置在第二板面194，第一辐射单元10为印制在第二板面194的微带线结构，第三辐射单元30为设置在第二板面194的立体架构。本实施方式中，第一辐射单元10与第二辐射单元20分别设置在基板190的正反两面，第一馈电结构40对第二辐射单元20的激励仍然为磁耦合的馈电方式，同样产生第二谐振频率。第一辐射单元10在第二板面194上，同样与接地区共同形成具有开口的缝隙天线，第一馈电结构40对第一辐射单元10与接地区形成的缝隙天线亦为磁耦合的方式馈电，产生第一谐振频率，即缝隙天线的基模。位于第二板面194的第三辐射单元60受到同位于第二板面194的第二馈电结构50的激励，产生第一谐振频率，获得第三辐射单元30基模，第三辐射单元30作为激励源，以电耦合的方式激励第一辐射单元10与接地区形成的缝隙天线，产生缝隙天线的二次模，即第二谐振频率，实现双天线双频功能。

第一辐射单元10的两个接地端与接地区110电连接，接地区可以为基板上的接地层，例如接地铜箔，第一辐射单元10和接地区的电连接，不限于第一辐射单元10和接地区110位于基板的同一层，例如基板的同一表面(第一板面或第二板面)，例如接地区也可以在基板的中间层。第一辐射单元10和接地区110位于不同层时，可以通过基板190上设置过孔的方式进行电连接。

一种可能的实施方式中，如图22A和图22B所示，基板190包括相对设置的第一板面192和第二板面194，第一辐射单元10和第二辐射单元40设于第一板面192，第一馈电结构40、第二馈电结构50及第三辐射单元30设置在第二板面194。一方面，位于第一板面192的第一辐射单元10与接地区110围成形成缝隙天线，此时缝隙天线也位于第一板面192，位于第二板面194的第一馈电结构40就对位于第一板面192的缝隙天线和第二辐射单元20进行激励，获得缝隙天线基模和第二辐射单元20基模；另一方面，位于第二板面194的第三辐射单元60受到同位于第二板面194的第二馈电结构50的激励，获得第三辐射单元30基模，位于第一板面192的缝隙天线以第三辐射单元30为激励源，获得缝隙天线的二次模，实现双天线双频。

一种可能的实施方式中，第一馈电结构40、第二馈电结构50、第一辐射单元10、第二辐射单元20及第三辐射单元30设置在基板190的同一侧。位于基板190一侧的第一辐射单元10与接地区110围设形成一个缝隙天线，与缝隙天线位于同一侧板面的第一馈电结构40对缝隙天线和第二辐射单元20进行激励，获得缝隙天线基模和第二辐射单元20基模；另一方面，位于同一侧板面的第三辐射单元30受到同位于一侧的第二馈电结构50的激励，获得第三辐射单元30基模，缝隙天线以第三辐射单元30为激励源，获得缝隙天线的二次模，实现双天线双频。

在其他的一些具体实施例中，在天线装置100组件的相应位置上加载电容、电感等集总元件180，具体的如图23A和图23B所示，图中集总元件180的设计可以对第一辐射单元10、第二辐射单元20以及第三辐射单元30的谐振模式进行调整。

需要说明的是，上述实施例中的第一辐射单元、第二辐射单元、第三辐射单元中的第一主体、第二主体、第三主体都是沿着第一方向延伸，这里的第一主体、第二主体以及第三主体可以为为直线形、也可以为曲线形、弧线形、波浪形等带有一个主延伸方向的结构，具体的根据实际情况进行调整。

以上仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (26)

1.一种电子设备，其特征在于，包括基板和天线装置，所述基板包括相邻接的接地区和净空区，所述天线装置包括设于所述净空区的第一辐射单元、第二辐射单元、第三辐射单元、第一馈电结构及第二馈电结构；

所述第一辐射单元设有开口和两个接地端，其中一个所述接地端位于所述开口的一侧，另一个所述接地端位于所述开口的另一侧，所述两个接地端电连接至所述接地区，以使所述第一辐射单元和所述接地区共同形成缝隙天线；

所述第二辐射单元与所述接地区隔离设置；

所述第一馈电结构和所述第二馈电结构均位于所述接地区和所述净空区的邻接处且接地，所述第一馈电结构以磁耦合的方式激励所述缝隙天线产生第一谐振频率，及激励所述第二辐射单元产生第二谐振频率；所述第二馈电结构电连接在所述第三辐射单元和接地区地之间，所述第二馈电结构激励所述第三辐射单元产生第一谐振频率，所述第三辐射单元作为激励源且以电耦合的方式激励所述缝隙天线产生第二谐振频率。

2.如权利要求1所述的电子设备，其特征在于，在所述第一谐振频率下，所述缝隙天线的谐振模式和所述第三辐射单元的谐振模式极化正交，在所述第二谐振频率下，所述第二辐射单元的谐振模式和所述缝隙天线的谐振模式极化正交。

3.如权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述第一辐射单元包括沿着第一方向延伸的第一主体，所述两个接地端位于所述第一主体的两端，所述开口位于所述第一主体的中间区域，所述第二辐射单元包括沿着所述第一方向延伸的第二主体，所述第三辐射单元包括第三主体和馈电支节，所述第三主体沿着所述第一方向延伸，所述馈电支节连接在所述第三主体和所述接地区之间，且所述馈电支节和所述第三主体之间形成夹角，所述馈电支节与所述接地区的连接处为所述第二馈电结构。

4.如权利要求3所述的电子设备，其特征在于，所述缝隙天线呈长条状，所述第一馈电结构设于所述缝隙天线的中间区域。

5.如权利要求4所述的电子设备，其特征在于，在第二方向上，所述第一馈电结构的中心与所述开口的中心正对，所述第二方向垂直于所述第一方向。

6.如权利要求4所述的电子设备，其特征在于，所述第一馈电结构包括第一端口、第一调谐件和连接在二者之间的连接线，所述第一端口和所述第一调节件均电连接至所述接地区，所述接地区、所述第一端口、所述连接线及所述第一调谐件共同形成环形回路，所述环形回路能够以磁耦合的方式激励所述缝隙天线和所述第二辐射单元。

7.如权利要求6所述的电子设备，其特征在于，所述第一端口和所述第一调谐件对称分布在所述第一馈电结构的中心的两侧。

8.如权利要求3所述的电子设备，其特征在于，所述第一主体呈直线状延伸，和/或，所述第一主体的中心与所述开口的中心重合。

9.如权利要求8所述的电子设备，其特征在于，所述第一辐射单元还包括第一分支，所述第一分支连接至所述第一主体，所述第一分支的延伸方向与所述第一主体的延伸方向形成夹角，所述第一分支用于调整所述缝隙天线的谐振频率。

10.如权利要求3所述的电子设备，其特征在于，所述第二主***于所述缝隙天线的缝隙内部，或者，所述第二主体和所述第一主体相对设置在所述基板的两侧。

11.如权利要求10所述的电子设备，其特征在于，所述第二主体呈直线状延伸，和/或，所述第二主体的中心与所述开口的中心的连线垂直于所述第一方向。

12.如权利要求11所述的电子设备，其特征在于，所述第二辐射单元还包括第二分支，所述第二分支连接至所述第二主体，所述第二分支的延伸方向与所述第二主体的延伸方向形成夹角，所述第二分支用于调节所述第二辐射单元的谐振频率。

13.如权利要求3所述的电子设备，其特征在于，所述缝隙天线呈长条状，所述第二馈电结构设于所述缝隙天线的中间区域。

14.如权利要求13所述的电子设备，其特征在于，所述馈电支节垂直于所述第三主体；和/或，所述馈电支节与所述第三主体的连接处位于所述第三主体的中心。

15.如权利要求13所述的电子设备，其特征在于，所述第三辐射单元为设置在所述基板上的立体架构，部分所述馈电支节与所述第三主体共面，部分所述馈电支节与所述基板的表面形成夹角。

16.如权利要求15所述的电子设备，其特征在于，所述第三辐射单元还包括第三支节，所述第三支节连接在所述第三主体的中心位置和所述基板之间。

17.如权利要求13所述的电子设备，其特征在于，所述第三辐射单元为印制在所述基板上的微带线结构。

18.如权利要求13所述的电子设备，其特征在于，所述天线装置还包括两个第一寄生支节，所述两个第一寄生支节分布在所述第二馈电结构的两侧，以调节所述第三辐射单元的谐振频率。

19.如权利要求13所述的电子设备，其特征在于，所述天线装置还包括两个第二寄生支节，所述第三主体包括两个末端，所述两个第二寄生支节分别对应设置在所述两个末端位置处。

20.如权利要求18或19所述的电子设备，其特征在于，所述第一寄生支节和/或所述第二寄生支节为印制在所述基板上的微带线结构。

21.如权利要求18或19所述的电子设备，其特征在于，所述第一寄生支节和/或所述第二寄生支节为设置在所述基板表面的立体架构。

22.如权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述基板包括相对设置的第一板面和第二板面，所述第一馈电结构、所述第一辐射单元和所述第二辐射单元设于所述第一板面，所述第二辐射单元位于所述第一馈电结构和所述第一辐射单元之间，所述第二馈电结构和所述第三辐射单元设于所述第二板面。

23.如权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述基板包括相对设置的第一板面和第二板面，所述第一馈电结构和所述第一辐射单元设于所述第一板面，所述第二辐射单元、所述第三辐射单元和所述第二馈电结构设置在所述第二板面，所述第二辐射单元为印制在所述第二板面的微带线结构，所述第三辐射单元为设置在所述第二板面的立体架构。

24.如权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述基板包括相对设置的第一板面和第二板面，所述第一馈电结构和所述第二辐射单元设于所述第一板面，所述第一辐射单元、所述第三辐射单元和所述第二馈电结构设置在所述第二板面，所述第一辐射单元为印制在所述第二板面的微带线结构，所述第三辐射单元为设置在所述第二板面的立体架构。

25.如权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述基板包括相对设置的第一板面和第二板面，所述第一辐射单元和所述第二辐射单元设于所述第一板面，所述第一馈电结构、所述第二馈电结构及所述第三辐射单元设置在所述第二板面。

26.如权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述第一馈电结构、所述第二馈电结构、所述第一辐射单元、所述第二辐射单元及所述第三辐射单元设置在所述基板的同一侧。

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