CN112687720A - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN112687720A
CN112687720A CN202011072922.5A CN202011072922A CN112687720A CN 112687720 A CN112687720 A CN 112687720A CN 202011072922 A CN202011072922 A CN 202011072922A CN 112687720 A CN112687720 A CN 112687720A
Authority
CN
China
Prior art keywords
conductive layer
layer
insulating layer
hole
organic insulating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202011072922.5A
Other languages
English (en)
Inventor
宋姬林
李柔辰
金慧玟
李哲坤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN112687720A publication Critical patent/CN112687720A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133305—Flexible substrates, e.g. plastics, organic film
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133308—Support structures for LCD panels, e.g. frames or bezels
    • G02F1/133331—Cover glasses
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133528—Polarisers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/16—Constructional details or arrangements
    • G06F1/1613—Constructional details or arrangements for portable computers
    • G06F1/1633—Constructional details or arrangements of portable computers not specific to the type of enclosures covered by groups G06F1/1615 - G06F1/1626
    • G06F1/1637—Details related to the display arrangement, including those related to the mounting of the display in the housing
    • G06F1/1652—Details related to the display arrangement, including those related to the mounting of the display in the housing the display being flexible, e.g. mimicking a sheet of paper, or rollable
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/301—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements flexible foldable or roll-able electronic displays, e.g. thin LCD, OLED
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/02—Details of power systems and of start or stop of display operation
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2380/00—Specific applications
    • G09G2380/02—Flexible displays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14678—Contact-type imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/868—Arrangements for polarized light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

提供了显示装置。显示装置包括衬底、第一导电层、第二导电层、平坦化层和显示元件，其中，衬底具有显示区域和位于显示区域外部的***区域，第一导电层在***区域中位于衬底上并且包括第一孔，第二导电层位于第一导电层上并且与第一导电层重叠，第二导电层包括第二孔，平坦化层从显示区域延伸到***区域，并且包括位于第一导电层与第二导电层之间的至少两个有机绝缘层，并且显示元件在显示区域中位于平坦化层上，其中，第二导电层的除第二孔以外的部分中的一部分与第一导电层的除第一孔以外的部分中的一部分接触。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年10月17日提交到韩国知识产权局的第10-2019-0129329号韩国专利申请的优先权及权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用以其整体地并入本文。
技术领域
一个或多个实施方式的各方面涉及显示装置。
背景技术
近来，显示装置的各种用途变得更加多样化。而且，随着显示装置变得越来越薄和轻，显示装置可被更广泛地利用。已进行了研究以提供除了平板显示装置以外的柔性显示装置，诸如可折叠显示装置或可卷曲显示装置。
在本背景技术部分中所公开的上述信息仅用于增强背景的理解，并且因此，在本背景技术部分中讨论的信息并不必须构成现有技术。
发明内容
一个或多个实施方式的各方面涉及一种显示装置，并且例如涉及能够折叠或弯曲的可折叠显示装置。
一个或多个实施方式包括具有能够防止或减少图像的显示品质劣化的结构的显示装置。然而，这些特性仅为实例，并且本公开的范围不限于此。
额外的方面将在以下的详细描述中被部分地阐述，并且部分地将通过本描述而更加显而易见，或者可通过实践本公开呈现的实施方式而习得。
根据一个或多个实施方式，显示装置包括衬底、第一导电层、第二导电层、平坦化层和显示元件，其中，衬底具有显示区域和位于显示区域外部的***区域，第一导电层在***区域中排列在衬底上并且包括第一孔，第二导电层在与第一导电层重叠的同时排列在第一导电层上并且包括第二孔，平坦化层从显示区域延伸到***区域，并且包括排列在第一导电层与第二导电层之间的至少两个有机绝缘层，并且显示元件在显示区域中排列在平坦化层上，其中，第二导电层的除第二孔以外的部分中的一部分与第一导电层的除第一孔以外的部分中的一部分接触。
根据一些实施方式，平坦化层可包括第一有机绝缘层和第二有机绝缘层，其中，第一有机绝缘层包括第三孔，并且第二有机绝缘层排列在第一有机绝缘层上并且包括第四孔，第二导电层的第二孔可与第一导电层的第一孔错开，第一有机绝缘层的第三孔和第二有机绝缘层的第四孔中的每个可与第一导电层的第一孔和第二导电层的第二孔中的每个错开，并且第二导电层可在第一有机绝缘层的第三孔与第二有机绝缘层的第四孔重叠的位置处与第一导电层接触。
根据一些实施方式，第一有机绝缘层的第三孔的尺寸可不同于第二有机绝缘层的第四孔的尺寸。
根据一些实施方式，平坦化层可包括第一有机绝缘层和第二有机绝缘层，其中，第一有机绝缘层包括与第一导电层的第一孔重叠的绝缘图案，并且第二有机绝缘层排列在第一有机绝缘层上，第二有机绝缘层可与第一导电层的第一孔和第二导电层的第二孔中的每个错开并且可包括排列在第一有机绝缘层的绝缘图案周围的第四孔，第二导电层的第二孔可与第一导电层的第一孔错开，并且第二导电层可在第二有机绝缘层的第四孔的位置处与第一导电层接触。
根据一些实施方式，平坦化层可包括第一有机绝缘层和第二有机绝缘层，其中，第一有机绝缘层包括与第一导电层的第一孔重叠的绝缘图案，并且第二有机绝缘层排列在第一有机绝缘层上，第二有机绝缘层可包括与第一导电层的第一孔和第二导电层的第二孔中的每个错开的第四孔，并且第四孔可排列在第一有机绝缘层的绝缘图案周围，第二导电层的第二孔可与第一导电层的第一孔重叠，并且第二导电层可在第二有机绝缘层的第四孔的位置处与第一导电层接触。
根据一些实施方式，显示元件可包括排列在与第二导电层相同的层上的第一电极、面对第一电极的第二电极以及位于第一电极与第二电极之间的发射层，并且第二电极可延伸到***区域。
根据一些实施方式，显示装置还可包括绝缘层，其中，绝缘层在显示区域中覆盖显示元件的第一电极的边缘并且包括在***区域中与第二导电层的第二孔重叠的绝缘图案，其中，显示元件的第二电极可与第二导电层接触。
根据一些实施方式，显示装置还可包括薄膜晶体管和电源线，其中，薄膜晶体管在显示区域中电连接到显示元件的第一电极，并且电源线在***区域中位于显示元件的第二电极的端部与衬底的边缘之间的区域中，其中，第一导电层的端部可与电源线接触，并且第二导电层的端部可与第一导电层的端部接触。
根据一些实施方式，衬底和显示元件上方的窗可为柔性的，以使得显示区域被折叠或弯曲。
根据一些实施方式，平坦化层可包括第一有机绝缘层和第二有机绝缘层，其中，第一有机绝缘层包括第一有机材料，并且第二有机绝缘层包括与第一有机材料不同的第二有机材料。
根据一个或多个实施方式，显示装置包括衬底、第一导电层、第二导电层、第一有机绝缘层、第二有机绝缘层和显示元件，其中，衬底包括显示区域和位于显示区域外部的***区域，第一导电层在***区域中排列在衬底上并且包括第一孔，第二导电层在与第一导电层重叠的同时排列在第一导电层上并且包括第二孔，第一有机绝缘层从显示区域延伸到***区域，并且在***区域中排列在第一导电层与第二导电层之间，第二有机绝缘层排列在第一有机绝缘层上，第二有机绝缘层的排列在***区域中的部分被去除，并且显示元件在显示区域中排列在第二有机绝缘层上，其中，第二导电层的除第二孔以外的部分中的一部分与第一导电层的除第一孔以外的部分中的一部分接触。
根据一些实施方式，第二导电层的第二孔可与第一导电层的第一孔重叠，第一有机绝缘层可包括与第一导电层的第一孔重叠的绝缘图案，并且第二导电层可与第一导电层的未被第一有机绝缘层的绝缘图案覆盖的部分接触。
根据一些实施方式，第二导电层的第二孔可与第一导电层的第一孔错开，第一有机绝缘层可包括与第一导电层的第一孔和第二导电层的第二孔中的每个错开的第三孔，并且第二导电层可在第一有机绝缘层的第三孔的位置处与第一导电层接触。
根据一些实施方式，第二导电层的第二孔可与第一导电层的第一孔重叠，第一有机绝缘层可包括与第一导电层的第一孔和第二导电层的第二孔中的每个错开的第三孔，并且第二导电层可在第一有机绝缘层的第三孔的位置处与第一导电层接触。
根据一些实施方式，显示元件可包括位于第二有机绝缘层上的第一电极以及面对第一电极并且延伸到***区域的第二电极。
根据一些实施方式，显示装置还可包括绝缘层，其中，绝缘层在显示区域中覆盖显示元件的第一电极的边缘并且包括在***区域中与第二导电层的第二孔重叠的绝缘图案，其中，显示元件的第二电极可与第二导电层接触。
根据一些实施方式，显示装置还可包括排列在第二电极的端部与衬底的边缘之间的电源线，其中，第一导电层的端部可与电源线接触，并且第二导电层的端部可与第一导电层的端部接触。
根据一些实施方式，衬底和显示元件上方的窗可为柔性的，以使得显示区域被折叠或弯曲。
根据一些实施方式，第一有机绝缘层可包括第一有机材料，并且第二有机绝缘层可包括与第一有机材料不同的第二有机材料。
根据一个或多个实施方式，显示装置包括衬底、第一有机绝缘层、第一导电层、第二有机绝缘层、第三有机绝缘层、第二导电层和显示元件，其中，衬底包括显示区域和位于显示区域外部的***区域，第一有机绝缘层在显示区域和***区域中排列在衬底上，第一导电层在***区域中排列在第一有机绝缘层上并且包括多个第一孔，第二有机绝缘层覆盖第一导电层并且排列在第一有机绝缘层上，第三有机绝缘层排列在第二有机绝缘层上，第二导电层在***区域中排列在第三有机绝缘层上并且包括多个第二孔，第二导电层的第二孔的中心从第一导电层的第一孔的中心错开，并且显示元件在显示区域中排列在第三有机绝缘层上。
附图说明
通过结合附图的以下描述中，本公开的某些实施方式的上述和其它方面、特征和特性将更加显而易见，在附图中：
图1A和图1B是根据一些实施方式的示意性地示出显示装置在折叠之前的透视图；
图2A和图2B是根据一些实施方式的示意性地示出处于折叠状态的显示装置的剖面视图；
图3A和图3B是根据一些实施方式的显示装置的剖面视图；
图4A和图4B是根据一些实施方式的示意性地示出显示面板的***区域的平面视图；
图5是根据一些实施方式的示意性地示出排列在显示面板中的像素的等效电路图；
图6是图4A的区I的平面视图，并且图7是沿图6的线II-II'截取的剖面视图；
图8A至图8C是示出图6的第一导电层与第二导电层之间的堆叠关系的平面视图；
图9A和图10A分别是沿图8C的线III-III'截取的剖面视图，并且图9B和图10B是分别示出图9A和图10A的第一接触区域的平面视图；
图11是根据一些实施方式的图4A的区I的平面视图，并且图12是沿图11的线IV-IV'截取的剖面视图；
图13A和图13B是示出图11的第一导电层与第二导电层之间的堆叠关系的平面视图，并且图14是沿图13B的线V-V'截取的剖面视图；
图15是根据一些实施方式的沿第二方向截取的图4A的区I的剖面视图；
图16A和图16B是示出图15的第一导电层与第二导电层之间的堆叠关系的平面视图，并且图17是沿图16B的线VI-VI'截取的剖面视图；
图18是根据一些实施方式的沿第二方向截取的图4A的区I的剖面视图；
图19A和图19B是示出图18的第一导电层与第二导电层之间的堆叠关系的平面视图，并且图20是沿图19B的线VII-VII'截取的剖面视图；
图21是根据一些实施方式的沿第二方向截取的图4A的区I的剖面视图；
图22A和图22B是示出图21的第一导电层与第二导电层之间的堆叠关系的平面视图，并且图23是沿图22B的线VIII-VIII'截取的剖面视图；
图24是根据一些实施方式的沿第二方向截取的图4A的区I的剖面视图；
图25A和图25B是示出图24的第一导电层与第二导电层之间的堆叠关系的平面视图，并且图26是沿图25B的线IX-IX'截取的剖面视图；以及
图27是示意性地示出根据一些实施方式的显示装置的剖面视图，图28是示出图27的黑矩阵与发射区域之间的关系的图，并且图29是示出图27的滤色器与发射区域之间的关系的图。
具体实施方式
现在将更加详细地参照附图中所示的一些实施方式的各方面，其中，相似的附图标记始终指示相似的元件。在这方面，本实施方式可具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中所阐述的描述。相应地，下面仅通过参照附图对一些实施方式进行描述以解释本说明书的各方面。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关所列项目中的一个或者多个的任何和所有组合。在整个本公开中，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b这两者、a和c这两者、b和c这两者、a、b和c的全部或其变体。
应理解，虽然术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个区分开。
除非上下文中另有明确指示，否则如本文中所使用的单数形式“一”和“该”也旨在包括复数形式。
将进一步理解，本文中所使用的术语“包括”是指所陈述特征或元件的存在，但不排除一个或多个其它特征或元件的存在或添加。
将理解，当层、区或元件被称为“形成在”另一层、区或元件“上”时，其可直接或间接地形成在另一层、区或元件上。也就是说，例如，可存在中间层、区或元件。
为了解释的便利，附图中的元件的尺寸可被夸大。换言之，由于为了解释的便利而任意地示出了附图中的元件的尺寸和厚度，因此以下的实施方式不限于此。
在本说明书中，表述“A和/或B”指示仅A、仅B或A和B这两者。在整个本公开中，表述“A和B中的至少一个”指示仅A、仅B或A和B这两者。
在以下的实施方式中，如本文中所使用的表述“线在“第一方向”或“第二方向”上延伸”不仅可包括线以线性形状延伸的情况，而且也可包括线沿第一方向或第二方向以锯齿形形状或弯曲形状延伸的情况。
在以下的实施方式中，如本文中所使用的表述“当在平面视图中观察时”可指示从上方观察物体的情况，并且如本文中所使用的表述“当在剖面视图中观察时”可指示从侧面观察通过竖直地切割物体而获得的剖面的情况。在以下的实施方式中，表述“第一元件与第二元件重叠”可意味着第一元件排列在第二元件上方或下方。
图1A和图1B是根据一些实施方式的示意性地示出显示装置在折叠之前的透视图。图2A和图2B是根据一些实施方式的示意性地示出处于折叠状态的显示装置的剖面视图。图3A和图3B是根据一些实施方式的显示装置的剖面视图。
根据一些实施方式的显示装置可为能够折叠或弯曲的显示装置。显示装置可设置成各种形状。例如，显示装置可设置成具有两对彼此平行的边或边缘的矩形板形状。当显示装置被设置为矩形板形状时，两对边之中的一对相对边可设置成长于另一对边。根据一些实施方式，为了描述的便利，显示装置具有包含一对长边和一对短边的矩形形状。在图1A中，例如，长边的延伸方向由第一方向D1指示，短边的延伸方向由第二方向D2指示，并且与长边的延伸方向和短边的延伸方向垂直的方向由第三方向D3指示。
根据一些实施方式的显示装置的形状不限于上述形状，然而，根据一些实施方式的显示装置可具有各种形状。例如，显示装置可设置成各种形状，诸如包括直边的闭合多边形、包括弯曲边的圆形、椭圆或类似形状以及包括直线和弯曲线的半圆形、半椭圆或类似形状。根据一些实施方式，当显示装置具有直边时，每种形状的角中的至少一部分可为弯曲的。例如，当显示装置具有矩形形状时，相邻的直边相交的部分可被具有一定曲率的曲线代替。即，矩形的顶点部可具有弯曲边，而该弯曲边具有与两个相邻的直边连接的两个相邻的端部并且具有一定曲率。曲率可根据位置而被不同地设置。例如，曲率可根据曲线的起始位置、曲线的长度和类似参数来改变。
参照图1A、图1B、图2A和图2B，显示装置可包括显示面板10。显示面板10可具有显示区域DA和位于显示区域DA外部的***区域PA。显示区域DA是排列有多个像素P以显示图像的区域。***区域PA围绕显示区域DA，并且是未排列有像素P的非显示区域。例如，***区域PA可为边框区域。
显示面板10的至少一部分可为柔性的，并且显示面板10可在柔性部分处是可折叠的。即，显示面板10可包括可折叠区域FA和多个非折叠区域NFA1和NFA2，可折叠区域FA例如沿轴线(例如，设定或预定轴线)为柔性的且可折叠的，并且多个非折叠区域NFA1和NFA2设置在可折叠区域FA的至少一边侧上并且是不可折叠的。根据一些实施方式，不可折叠的区域被称为非折叠区域，但这仅是为了描述的便利。表述“非折叠”包括区域不是柔性的并且是如此刚硬的情况、区域是柔性的但是比可折叠区域FA的柔性小的情况以及区域是柔性的但是为不可折叠的情况。显示面板10可构造为在可折叠区域FA和非折叠区域NFA的显示区域DA中显示图像。
在图1A中，为了描述的便利，第一非折叠区域NFA1和第二非折叠区域NFA2被示出为具有相似的面积，并且一个可折叠区域FA被示出为位于第一非折叠区域NFA1与第二非折叠区域NFA2之间，但是实施方式不限于此。例如，根据一些实施方式，第一非折叠区域NFA1和第二非折叠区域NFA2可具有不同的面积。另外，如图1B中所示，可提供多个可折叠区域(例如，多个可折叠区域FA1和FA2)。在这种情况下，多个非折叠区域NFA1、NFA2和NFA3可在多个可折叠区域FA1和FA2中对应的可折叠区域位于其间的情况下定位成彼此分开。多个可折叠区域FA、FA1和FA2可分别基于多个折叠线FL、FL1和FL2折叠，并且多个折叠线FL、FL1和FL2可在各自的可折叠区域FA、FA1和FA2中被提供为多个。多个折叠线FL、FL1和FL2在第二方向D2上分别设置在多个可折叠区域FA、FA1和FA2中，而第二方向D2是多个可折叠区域FA、FA1和FA2的延伸方向。因此，显示面板10可在多个可折叠区域FA、FA1和FA2中折叠。
在图1A和图1B中，多个折叠线FL、FL1和FL2被示出为穿过多个可折叠区域FA、FA1和FA2的中心，并且多个可折叠区域FA、FA1和FA2被示出为相对于多个折叠线FL、FL1和FL2线性地对称，但是实施方式不限于此。即，多个折叠线FL、FL1和FL2可不对称地设置在多个可折叠区域FA、FA1和FA2中。多个可折叠区域FA、FA1和FA2以及多个可折叠区域FA、FA1和FA2的多个折叠线FL、FL1和FL2可与显示面板10的显示图像的区域重叠。当显示面板10被折叠时，显示面板10的显示图像的部分可被折叠。
根据一些实施方式，显示面板10可完全与可折叠区域对应。例如，在显示装置像一卷纸一样可卷曲的情况下，显示面板10可完全与可折叠区域对应。
如图1A和图1B中所示，显示面板10可被展开为整体上是平坦的。根据一些实施方式，如图2A中所示，显示面板10可基于折叠线FL折叠，以使得显示区域DA的不同部分彼此面对。根据一些实施方式，如图2B中所示，显示面板10可沿折叠线FL(或沿可折叠区域FA)折叠，以使得显示区域DA面向外部。术语“折叠”并不意味着该形式是固定的，而是可意味着该形式从原始形式修改为另一种形式。术语“折叠”包括沿一个或多个特定线(即，折叠线FL)弯曲、折叠或像一卷纸一样卷曲的形式。因此，根据一些实施方式，两个非折叠区域NFA1和NFA2的表面被示出为彼此平行地排列并且被折叠成彼此面对，但是实施方式不限于此。两个非折叠区域NFA1和NFA2的表面可在可折叠区域FA位于其间的情况下以一定角度(例如，锐角、直角或钝角)折叠。
参照图3A，显示装置1可包括位于显示面板10上的光学功能层50，并且显示面板10和光学功能层50可被窗60覆盖。窗60可通过诸如光学透明粘合剂(Optical ClearAdhesive，OCA)的粘合层接合到下面的元件，例如，光学功能层50。显示装置1可用于各种电子装置中，诸如移动电话、平板个人电脑(Personal Computer，PC)、笔记本电脑和智能表。如图3B中所示，显示装置1还可包括位于显示面板10与光学功能层50之间的输入感测层40。
输入感测层40根据例如触摸事件(例如，来自用户的身体或手指、指示笔或类似物)的外部输入来获取坐标信息。输入感测层40可包括感测电极(或触摸电极)和与感测电极连接的信号线(或迹线)。根据一些实施方式，输入感测层40可直接排列在显示面板10上。表述“将输入感测层40直接排列在显示面板10上”可指示输入感测层40与显示面板10之间未排列有单独的粘合材料层的状态，并且可意味着输入感测层40的元件直接图案化在显示面板10上。根据一些实施方式，输入感测层40可在与显示面板10分开的工艺中形成，并且然后通过使用透明粘合材料层或类似物来接合到显示面板10。
光学功能层50可包括黑矩阵和滤色器的结构。滤色器可根据从显示面板10的每个像素发射的光的颜色来排列。光学功能层50可用作抗反射层，而抗反射层减小了从外部通过窗60入射到显示面板10的光(外部光)的反射率。
窗60可覆盖并保护光学功能层50、输入感测层40和/或显示面板10。窗60可在没有偏振层的情况下设置在显示面板10上，以减小外部光在显示面板10与窗60之间的反射率。一些实施方式的各方面可包括可折叠显示装置，而该可折叠显示装置可能够通过包括包含滤色器的光学功能层50来替代刚性偏振层(例如，延迟器和偏振器)和/或包括位于显示面板10中的多个有机绝缘层的平坦化层来防止或减少外部光反射。
根据一些实施方式，窗60可形成为大于输入感测层40、光学功能层50和显示面板10，以使得窗60的边侧比输入感测层40、光学功能层50和显示面板10中的每个的边侧突出得更多。窗60可包括透明材料。窗60可为柔性的。例如，窗60可包括聚合物树脂，诸如聚醚砜(Polyethersulfone，PES)、聚丙烯酸酯(Polyacrylate，PAR)、聚醚酰亚胺(Polyetherimide，PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Naphthalate，PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate，PET)、聚苯硫醚(PolyphenyleneSulfide，PPS)、聚酰亚胺(Polyimide，PI)、聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)、三乙酸纤维素(Cellulose Triacetate，TAC)或乙酸丙酸纤维素(Cellulose Acetate Propionate，CAP)。窗60可通过使用透明粘合材料层或类似物来接合在输入感测层40和光学功能层50上。窗60可包括与显示区域DA对应的光透射区域61和与***区域PA对应的阻光区域62。
图4A和图4B是根据一些实施方式的示意性地示出显示面板10的***区域PA的平面视图。
参照图4A，根据一些实施方式的显示面板10包括衬底100，而衬底100具有显示区域DA和位于显示区域DA外部的***区域PA。显示区域DA中可排列有多个像素P和构造为将电信号施加到像素P的信号线。
多个像素P可各自包括显示元件和驱动显示元件的像素电路。例如，显示元件可包括有机发光二极管，并且像素电路可包括多个晶体管和电容器。多个像素P可包括发射第一颜色的光的第一像素、发射第二颜色的光的第二像素和发射第三颜色的光的第三像素。例如，第一像素可为红色像素(R)，第二像素可为绿色像素(G)，并且第三像素可为蓝色像素(B)。
构造为将电信号施加到像素P的信号线可包括多个扫描线SL、多个数据线DL和类似物。多个数据线DL中的每个可在第一方向D1上延伸，并且多个扫描线SL中的每个可在第二方向D2上延伸。例如，多个扫描线SL排列成多个行以将多个扫描信号传输到多个像素P，并且多个数据线DL可排列成多个列以将多个数据信号传输到多个像素P。多个像素P中的每个可连接到多个扫描线SL之中的至少一个对应的扫描线SL和多个数据线DL之中的对应的数据线DL。
***区域PA可围绕显示区域DA。***区域PA是未排列有像素P的区域。各种电子器件、印刷电路板和类似物可电附接到***区域PA，并且***区域PA中可排列有构造为供给用于驱动显示元件的电力的电压线。例如，***区域PA中可排列有将扫描信号提供给每个像素P的扫描驱动器1100、将数据信号提供给每个像素P的数据驱动器1200、构造为将信号供给到扫描驱动器1100和数据驱动器1200的信号供给线(时钟信号线、进位信号线、驱动电压线和类似物)以及构造为提供第一电源电压ELVDD和第二电源电压ELVSS的主电压线。在图4A中，数据驱动器1200被示为直接排列在衬底100上，以便与衬底100的一个边侧相邻。然而，根据一些实施方式，数据驱动器1200可排列在柔性印刷电路板(Flexible PrintedCircuit Board，FPCB)上，而柔性印刷电路板与排列在显示面板10的一侧上的焊盘电连接。在图4A中，扫描驱动器1100排列在左边侧上，但是根据一些实施方式，扫描驱动器1100还可排列在右边侧上。
***区域PA中可排列有第一导电层150和第二导电层160。第一导电层150和第二导电层160可与扫描驱动器1100重叠。
第一导电层150可延伸为沿显示区域DA的边缘部分地围绕显示区域DA。第二导电层160可与第一导电层150重叠并且延伸为沿显示区域DA的边缘部分地围绕显示区域DA。第一导电层150和第二导电层160彼此重叠的区域可包括第一导电层150和第二导电层160彼此电连接的接触区域。如下所述，第一导电层150和第二导电层160可各自包括多个孔。
第一导电层150和第二导电层160可与电源线170重叠。电源线170可具有延伸为部分地围绕显示区域DA并且具有一个开放侧的环路。电源线170可连接到***区域PA的焊盘PAD，并且可构造为从与焊盘PAD电连接的FPCB的电源接收第二电源电压ELVSS。第一导电层150和第二导电层160可电连接到电源线170，并且可构造为通过电源线170接收第二电源电压ELVSS。
***区域PA中的一些绝缘层可包括穿透绝缘层的开口VH。开口VH可围绕显示区域DA。开口VH可形成完全围绕显示区域DA的闭环。根据一些实施方式，开口VH可与扫描驱动器1100重叠。
根据一些实施方式，如图4A中所示，第一导电层150和第二导电层160可沿衬底100的边缘以显示区域DA的与数据驱动器1200相邻的一个边侧被开放的环形形状延伸。例如，第一导电层150和第二导电层160可沿衬底100的四个边侧中的三个边侧延伸，并且不存在于衬底100的四个边侧中的一个边侧中。根据一些实施方式，如图4B中所示，第一导电层150和第二导电层160可沿衬底100的边缘以完全围绕显示区域DA的闭环形状延伸。
在图4A和图4B中，第一导电层150的宽度被示出为小于第二导电层160的宽度，但是实施方式不限于此。根据一些实施方式，第一导电层150的宽度可基本上等于或大于第二导电层160的宽度。
图5是根据一些实施方式的示意性地示出排列在显示面板10中的像素P的等效电路图。
参照图5，为每个像素P提供了多个信号线SL1、SL2、SL3、EL和DL、初始化电压线VIL和电源电压线PL。根据一些实施方式，多个信号线SL1、SL2、SL3、EL和DL中的至少一个、初始化电压线VIL和/或电源电压线PL可被相邻的像素共享。
多个信号线SL1、SL2、SL3、EL和DL包括构造为传输第一扫描信号GW的第一扫描线SL1、构造为传输第二扫描信号GI的第二扫描线SL2、构造为传输第三扫描信号GB的第三扫描线SL3、构造为传输发射控制信号EM的发射控制线EL以及构造为传输数据信号DATA的数据线DL。第三扫描线SL3可为下一行的第二扫描线SL2，并且第三扫描信号GB可为下一行的第二扫描信号GI。
电源电压线PL构造为将第一电源电压ELVDD传输到第一晶体管T1，并且初始化电压线VIL构造为将用于初始化第一晶体管T1和有机发光二极管OLED的初始化电压VINT传输到像素P。
第一扫描线SL1、第二扫描线SL2、第三扫描线SL3、发射控制线EL和初始化电压线VIL可在第二方向D2上延伸并且可在每个行中彼此间隔开。数据线DL和电源电压线PL可在第一方向D1上延伸并且可在每个列中彼此间隔开。
像素P的像素电路PC可包括多个第一晶体管T1至第七晶体管T7和电容器Cst。第一晶体管T1至第七晶体管T7可实现为薄膜晶体管。
第一晶体管T1通过第五晶体管T5电连接到电源电压线PL，并且通过第六晶体管T6电连接到有机发光二极管OLED。第一晶体管T1用作驱动晶体管，并且构造为根据第二晶体管T2的开关操作来接收数据信号DATA，并且将驱动电流Ioled供给到有机发光二极管OLED。
第二晶体管T2连接到第一扫描线SL1和数据线DL，并且根据通过第一扫描线SL1接收到的第一扫描信号GW而被导通，以执行开关操作来将传输到数据线DL的数据信号DATA传输到节点N。
第三晶体管T3通过第六晶体管T6连接到有机发光二极管OLED。第三晶体管T3根据通过第一扫描线SL1接收到的第一扫描信号GW而被导通，以二极管连接第一晶体管T1。
第四晶体管T4根据通过第二扫描线SL2接收到的第二扫描信号GI而被导通，以将来自初始化电压线VIL的初始化电压VINT传输到第一晶体管T1的栅电极，以便初始化第一晶体管T1的栅极电压。
第五晶体管T5和第六晶体管T6根据通过发射控制线EL接收到的发射控制信号EM而被同时导通，以形成电流路径，以使得驱动电流Ioled从电源电压线PL朝向有机发光二极管OLED流动。
第七晶体管T7根据通过第三扫描线SL3接收到的第三扫描信号GB而被导通，以将来自初始化电压线VIL的初始化电压VINT传输到有机发光二极管OLED，以便初始化有机发光二极管OLED。第七晶体管T7可被省略。
图5示出了第四晶体管T4连接到第二扫描线SL2并且第七晶体管T7连接到单独的第三扫描线SL3的情况。根据一些实施方式，第七晶体管T7可与第四晶体管T4一起连接到第二扫描线SL2。
电容器Cst可连接到电源电压线PL和第一晶体管T1的栅电极，以存储并保持与其两端的电压之间的差异对应的电压，以使得施加到第一晶体管T1的栅电极的电压被保持。
有机发光二极管OLED可包括像素电极和相对电极，并且相对电极可构造为接收第二电源电压ELVSS。有机发光二极管OLED构造为从第一晶体管T1接收驱动电流Ioled并且发射光以显示图像。
图6是图4A的区I的平面视图。图7是沿图6的线II-II'取得的剖面视图。图8A至图8C是示出图6的第一导电层150与第二导电层160之间的堆叠关系的平面视图。图9A和图10A分别是沿图8C的线III-III'截取的剖面视图，并且图9B和图10B是分别示出图9A和图10A的第一接触区域CNT1的平面视图。在下文中，将参照图6至图10B提供以下描述。在图6中，为了解释的便利，图4A的电源线170被省略。
参照图7的显示区域DA，衬底100的显示区域DA中可排列有第一薄膜晶体管TFT1、电容器Cst和与第一薄膜晶体管TFT1电连接的有机发光二极管OLED。
衬底100可包括各种材料，诸如金属材料或塑料材料。根据一些实施方式，衬底100可为柔性衬底。衬底100可包括顺序地堆叠的第一基础层、第一阻挡层、第二基础层和第二阻挡层。第一基础层和第二基础层可各自包括聚合物树脂。例如，第一基础层和第二基础层可各自包括聚合物树脂，诸如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)或乙酸丙酸纤维素(CAP)。聚合物树脂可为透明的。第一阻挡层和第二阻挡层为各自构造为防止外部异物渗透的层。第一阻挡层和第二阻挡层可各自为包括诸如非晶硅、氮化硅和/或氧化硅的无机材料的单层或多层。
衬底100上可排列有缓冲层110。缓冲层110可防止异物或湿气穿透衬底100。缓冲层110可包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料，并且可为单层或多层。
第一薄膜晶体管TFT1可为上面参照图5描述的多个晶体管中的一个，例如，用作驱动晶体管的第一晶体管T1。第一薄膜晶体管TFT1可包括半导体层ACT、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。
半导体层ACT可包括非晶硅、多晶硅、氧化物半导体材料或有机半导体材料。半导体层ACT可包括与栅电极GE重叠的沟道区CH以及排列在沟道区CH的两侧上并且包括杂质的源区SE和漏区DE。杂质可包括N型杂质或P型杂质。源区SE和漏区DE可分别是第一薄膜晶体管TFT1的源电极和漏电极。
考虑到对相邻层的粘合力、堆叠层的表面平坦度、可加工性或类似属性，栅电极GE可包括包含铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种的单层或多层。
半导体层ACT与栅电极GE之间的栅极绝缘层111可包括无机绝缘材料，诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽或氧化铪。栅极绝缘层111可为包括上述材料的单层或多层。
电容器Cst包括在第一层间绝缘层112位于其间的情况下彼此重叠的下电极CE1和上电极CE2。电容器Cst可与第一薄膜晶体管TFT1重叠。在图7中，第一薄膜晶体管TFT1的栅电极GE被示出为电容器Cst的下电极CE1。根据一些实施方式，电容器Cst可不与第一薄膜晶体管TFT1重叠。电容器Cst可被第二层间绝缘层113覆盖。
第一层间绝缘层112和第二层间绝缘层113可各自包括无机绝缘材料，诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽或氧化铪。第一层间绝缘层112和第二层间绝缘层113可各自为包括上述材料的单层或多层。
第二层间绝缘层113上可排列有电源电压线PL和第一连接电极CM1。电源电压线PL和第一连接电极CM1可各自为包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一个的单层或多层。根据一些实施方式，电源电压线PL和第一连接电极CM1可各自为Ti/Al/Ti的多层。
电源电压线PL和第一连接电极CM1上可排列有保护层114。保护层114可包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽或氧化铪的无机绝缘材料，并且可为单层或多层。
保护层114上可排列有第一绝缘层115。第一绝缘层115上可排列有数据线DL和第二连接电极CM2。数据线DL和第二连接电极CM2可各自包括与电源电压线PL的材料相同的材料。例如，数据线DL和第二连接电极CM2可各自为包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一个的单层或多层。根据一些实施方式，数据线DL和第二连接电极CM2可各自为Ti/Al/Ti的多层。数据线DL和第二连接电极CM2可被第二绝缘层116和第三绝缘层117覆盖。如图7中所示，数据线DL的至少一部分可与电源电压线PL重叠。根据一些实施方式，数据线DL可不与电源电压线PL重叠。
如图7中所示，根据一些实施方式，数据线DL可排列在电源电压线PL上方，但是根据一些实施方式，数据线DL可排列在第二层间绝缘层113上，或者电源电压线PL可排列在第一绝缘层115上，以使得数据线DL和电源电压线PL可排列在相同层上。根据一些实施方式，电源电压线PL可具有双层结构，而该双层结构包括排列在第二层间绝缘层113上的下部电源电压线，以及排列在第一绝缘层115上并且电连接到下部电源电压线的上部电源电压线。
第一绝缘层115、第二绝缘层116和第三绝缘层117可各自为用作平坦化绝缘层的有机绝缘层。例如，第一绝缘层115、第二绝缘层116和第三绝缘层117可各自包括有机绝缘材料，例如，诸如聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate，PMMA)或聚苯乙烯(Polystyrene，PS)的通用聚合物、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、硅氧烷类聚合物、芳醚聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物以及它们的任何共混物。根据一些实施方式，第一绝缘层115和第三绝缘层117可各自为包括聚酰亚胺的有机绝缘层，并且第二绝缘层116可为包括硅氧烷的有机绝缘层。
当有机发光二极管OLED因排列在有机发光二极管OLED下方的导电层的台阶差而导致具有褶皱时，可识别到因由有机发光二极管OLED发射的光的反射而导致的反射色带。根据一些实施方式，可提供包括位于有机发光二极管OLED与薄膜晶体管之间的至少两个层的多层的有机绝缘层，以便平坦化排列在有机发光二极管OLED下方的层，从而减小上述问题。
因为通过诸如灰化或蚀刻的工艺在***区域PA中去除了有机绝缘层中的一部分，因此可减小有机绝缘层的厚度，并且可减小位于有机绝缘层上的导电层与位于有机绝缘层下方的导电层之间的距离。这可因导电层之间的联接或进程/驱动渐进式灼烧而导致品质劣化。根据一些实施方式的多层的有机绝缘层减少或减轻了因***区域PA中的导电层之间的联接或进程/驱动渐进式灼烧而导致的劣化。
如图3中所示，根据一些实施方式的可折叠显示装置包括薄塑料的窗60，并且不包括位于显示面板10与窗60之间的偏振层。因此，在根据一些实施方式的可折叠显示装置中，由于通过多层的有机绝缘层改善了排列在有机发光二极管OLED下方的层的平坦化，因此可在没有单独的偏振层的情况下最小化外部光反射。
在图7中，两个有机绝缘层(即，第二绝缘层116和第三绝缘层117)排列在第一导电层150与第二导电层160之间，但是根据一些实施方式，三个或更多个有机绝缘层可排列在第一导电层150与第二导电层160之间。
第三绝缘层117上方的显示区域DA中可排列有显示元件(例如，有机发光二极管OLED)。有机发光二极管OLED可包括用作像素电极的第一电极221、中间层222以及用作相对电极的第二电极223。
有机发光二极管OLED的第一电极221可排列在第三绝缘层117上，并且可通过位于第二层间绝缘层113上的第一连接电极CM1和位于第一绝缘层115上的第二连接电极CM2连接到第一薄膜晶体管TFT1。
第一电极221可包括导电氧化物，诸如氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)、氧化铟锌(Indium Zinc Oxide，IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(Indium GalliumOxide，IGO)或氧化铝锌(Aluminum Zinc Oxide，AZO)。根据一些实施方式，第一电极221可包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其任何化合物的反射膜。根据一些实施方式，第一电极221还可包括位于反射膜上方和/或下方的包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的膜。
第三绝缘层117上可排列有第四绝缘层118。第四绝缘层118可包括与显示区域DA中的每个像素P对应的开口，即，暴露第一电极221的一部分的开口OP。第四绝缘层118的开口OP可限定像素P的发射区域EA(见图6)。即，第四绝缘层118可排列成对应于除了发射区域EA以外的其余区域，即，非发射区域NEA。发射区域EA的尺寸可根据从像素P发射的光的颜色而改变。
另外，由于第四绝缘层118增加了第一电极221的边缘与位于第一电极221上方的第二电极223之间的距离，因此第四绝缘层118可防止或减少在第一电极221的边缘处产生电弧或类似物的情况。第四绝缘层118可包括例如有机材料，诸如聚酰亚胺(PI)或六甲基二硅氧烷(Hexamethyldisiloxane，HMDSO)。
中间层222包括发射层。发射层可包括发射某种颜色的光的高分子量或低分子量有机材料。根据一些实施方式，中间层222可包括排列在发射层下方的第一功能层和/或排列在发射层上方的第二功能层。第一功能层和/或第二功能层可包括位于第一电极221上方的一体的层，或者可包括分别与多个第一电极221对应的经图案化的多个层。
第一功能层可为单层或多层。例如，当第一功能层包括高分子量材料时，第一功能层是具有单层结构的空穴传输层(Hole Transport Layer，HTL)，并且可包括聚(3，4)-乙烯-二氧噻吩(Poly-(3,4)-Ethylene-Dihydroxy Thiophene，PEDOT)或聚苯胺(Polyaniline，PANI)。当第一功能层包括低分子量材料时，第一功能层可包括空穴注入层(Hole Injection Layer，HIL)和HTL。
第二功能层可被省略。例如，当第一功能层和发射层各自包括高分子量材料时，可形成第二功能层以便改善有机发光二极管的特性。第二功能层可为单层或多层。第二功能层可包括电子传输层(Electron Transport Layer，ETL)和/或电子注入层(ElectronInjection Layer，EIL)。
第二电极223在中间层222位于其间的情况下排列成面对第一电极221。第二电极223可包括具有相对低的功函数的导电材料。例如，第二电极223可包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其任何合金的(半)透明层。替代性地，第二电极223还可包括位于包括上述材料的(半)透明层上的诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
第二电极223可在显示区域DA中一体地形成在多个有机发光二极管OLED中，以面对多个第一电极221，并且可排列在中间层222和第四绝缘层118上方。
接着，参照图7的***区域PA，衬底100的***区域PA中可排列有扫描驱动器1100。扫描驱动器1100可包括第二薄膜晶体管TFT2，并且可包括与第二薄膜晶体管TFT2连接的布线(未示出)。第二薄膜晶体管TFT2可通过与像素电路PC的第一薄膜晶体管TFT1的工艺相同的工艺来形成。因此，将省略第二薄膜晶体管TFT2的详细描述。虽未示出，但是***区域PA中还可排列有构造为将控制信号施加到包括第二薄膜晶体管TFT2的扫描驱动器1100的控制信号线。控制信号线可包括构造为施加时钟信号、反相时钟信号、进位信号和类似物的信号线。控制信号线可排列在与半导体层ACT、栅电极GE、电容器Cst的上电极CE2或电源电压线PL相同的层上。如图7中所示，扫描驱动器1100可被保护层114覆盖。根据一些实施方式，保护层114可不排列在***区域PA中。
排列在显示区域DA中的缓冲层110、栅极绝缘层111、第一层间绝缘层112和第二层间绝缘层113可延伸到***区域PA。
电源线170可排列在扫描驱动器1100外部的第二层间绝缘层113上。电源线170可为排列在***区域PA中以便将第二电源电压ELVSS提供给每个像素P的线。电源线170可包括与数据线DL和/或电源电压线PL的材料相同的材料，并且可排列在与数据线DL和/或电源电压线PL的层相同的层上。
排列在显示区域DA中的第一绝缘层115、第二绝缘层116和第三绝缘层117可延伸到***区域PA并且在***区域PA中具有开口VH。开口VH可包括第一绝缘层115的开口115VH、第二绝缘层116的开口116VH和第三绝缘层117的开口117VH。多个开口115VH、116VH和117VH可彼此重叠。多个开口115VH、116VH和117VH的内表面可彼此不重合，并且多个开口115VH、116VH和117VH的尺寸可彼此不同。根据一些实施方式，多个开口115VH、116VH和117VH的内表面可彼此重合。
相对于***区域PA中的开口VH，第一绝缘层115、第二绝缘层116和第三绝缘层117可被物理地划分成至少两个部分。因此，可防止，例如，从外部渗透的杂质或污染物、在排列在开口VH外部的第一绝缘层115、第二绝缘层116和第三绝缘层117中生成的气体或湿气以及类似物，通过第一绝缘层115、第二绝缘层116和第三绝缘层117的内部而到达显示区域DA的内部。
第一导电层150和第二导电层160可与扫描驱动器1100重叠。第一导电层150的第一宽度W1和第二导电层160的第二宽度W2中的每个可大于或等于扫描驱动器1100的宽度。在图6和图7中，第二宽度W2被示出为大于第一宽度W1，但是第二宽度W2可小于或等于第一宽度W1。
第一导电层150可排列在第一绝缘层115与第二绝缘层116之间的层上。第一导电层150可排列在与数据线DL和第二连接电极CM2相同的层上。第一导电层150可包括与数据线DL的材料相同的材料，并且可完全覆盖第一绝缘层115的开口115VH。第二导电层160可排列在第三绝缘层117上。第二导电层160可排列在与有机发光二极管OLED的第一电极221的层相同的层上。第二导电层160可包括与第一电极221的材料相同的材料，并且可完全覆盖第二绝缘层116的开口116VH和第三绝缘层117的开口117VH。
第一导电层150和第二导电层160中的至少一个可包括孔。第一导电层150可包括排列在开口VH周围的多个第一孔150H。如图6和图8A中所示，当在平面视图中观察时，多个第一孔150H可彼此分开。第二导电层160可包括排列在开口VH周围的多个第二孔160H。如图6和图8B中所示，当在平面视图中观察时，多个第二孔160H可彼此分开。
第一导电层150的第一孔150H和第二导电层160的第二孔160H可用作构造为将从第一绝缘层115、第二绝缘层116和第三绝缘层117生成的气体排放到外部的排气通道。因此，防止或减少从第一绝缘层115、第二绝缘层116和第三绝缘层117生成的气体渗透到显示区域DA中而使在显示装置上实现的图像品质劣化的问题是可能的。
第一孔150H和第二孔160H可彼此错开。即，第一导电层150的第一孔150H和第二导电层160的第二孔160H在第三方向D3上不彼此重叠，并且可在第一方向D1和第二方向D2上错开，以便交替地排列。如图7和图8C中所示，第一孔150H的中心和第二孔160H的中心可彼此错开而不重合。第一导电层150的第一孔150H与第二导电层160的部分160S重叠，并且第二导电层160的第二孔160H与第一导电层150的部分150S重叠。导电层的部分代表未形成有导电层的孔的区域。因此，第一导电层150的部分150S可为除了第一孔150H以外的第一导电层150的剩余区域，并且第二导电层160的部分160S可为除了第二孔160H以外的第二导电层160的剩余区域。
如图7和图8C中所示，第二导电层160的第二孔160H可被从显示区域DA延伸到***区域PA的第四绝缘层118覆盖。第四绝缘层118可包括与第二导电层160的第二孔160H对应地排列的岛状绝缘图案118a。绝缘图案118a可通过在***区域PA中对第四绝缘层118进行图案化来形成。
在图7和图8C中，第一孔150H和第二孔160H被示出为正方形，但是根据一些实施方式，第一孔150H和第二孔160H可具有各种形状，诸如多边形(诸如矩形或三角形)、圆形或椭圆形。第一孔150H的尺寸可与第二孔160H的尺寸相同或不同。
第一导电层150和第二导电层160可在至少一个第一接触区域CNT1中彼此接触，并且可彼此电连接。第一接触区域CNT1可排列在第一导电层150的第一孔150H与第二导电层160的第二孔160H之间。第一接触区域CNT1可为第一导电层150的部分150S与第二导电层160的部分160S彼此重叠的区域。在第一接触区域CNT1中，第二绝缘层116可包括穿透第二绝缘层116的孔116H，并且第三绝缘层117可包括穿透第三绝缘层117的孔117H。第二绝缘层116的孔116H和第三绝缘层117的孔117H可彼此重叠。根据一些实施方式，如图9A和图9B中所示，第三绝缘层117的孔117H的宽度(尺寸)W4可大于第二绝缘层116的孔116H的宽度W3。根据一些实施方式，如图10A和图10B中所示，第三绝缘层117的孔117H的宽度W4可小于第二绝缘层116的孔116H的宽度W3。在这种情况下，第三绝缘层117可覆盖第二绝缘层116的孔116H的内表面。第二绝缘层116的孔116H和第三绝缘层117的孔117H可不与第一导电层150的第一孔150H和第二导电层160的第二孔160H重叠，并且可为错开的。第二导电层160可通过第二绝缘层116的孔116H和第三绝缘层117的孔117H与第一导电层150接触。
如图6和图7中所示，第一导电层150的端部和第二导电层160的端部可与在衬底100的边缘周围的第二接触区域CNT2中的电源线170重叠，并且与电源线170接触。在第二接触区域CNT2中，电源线170可通过第一绝缘层115的开口115OP暴露，并且第一导电层150可在第一绝缘层115的开口115OP处与电源线170接触。在第二接触区域CNT2中，第一导电层150的端部可与电源线170直接接触，并且第二导电层160的端部可与第一导电层150的端部直接接触。
第二导电层160的暴露部分(即，第二导电层160的未被第四绝缘层118覆盖的部分)可与从显示区域DA延伸到***区域PA的第二电极223直接接触。第二导电层160可在开口VH处与第二电极223直接接触。由于第二导电层160可与第二电极223接触，因此从电源线170供给的第二电源电压ELVSS可供给到第二电极223。因此，可减小第二电源电压ELVSS的下降。图7示出了第二电极223的端部朝向衬底100的外边缘延伸以便覆盖扫描驱动器1100的至少一部分的情况。
封装层300可在第二电极223上排列成保护显示面板10免受异物、湿气或类似物的影响。封装层300可包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。图7示出了封装层300包括第一无机封装层310、第二无机封装层330和位于其间的有机封装层320的情况。根据一些实施方式，有机封装层的数量、无机封装层的数量以及堆叠顺序可被改变。
当必要时，第一无机封装层310与相对电极223之间可排列有包括覆盖层230的多个层。在图7中示出了覆盖层230，但是根据一些实施方式，覆盖层230可被省略。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可各自包括一种或多种无机绝缘材料，诸如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅。有机封装层320可包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸或类似物)或它们的任何组合物。由于第一无机封装层310沿其下层的结构形成，因此第一无机封装层310的上表面可为不平坦的。有机封装层320可覆盖第一无机封装层310并且具有足够的厚度。有机封装层320的上表面可为基本上平坦的。第二无机封装层330可在有机封装层320上向外延伸以与第一无机封装层310接触，以便防止或减少有机封装层320暴露于外部。
与此同时，当形成有机封装层320时，需要进行限制，以使得用于形成有机封装层320的材料位于预设区域内。为此，如图7中所示，***区域PA中可形成有至少一个坝180。坝180可具有多层结构。坝180可包括至少一个层，且当形成第一绝缘层115、第二绝缘层116、第三绝缘层117或第四绝缘层118时该至少一个层同步地形成，并且该至少一个层由与第一绝缘层115、第二绝缘层116、第三绝缘层117或第四绝缘层118的材料相同的材料形成。根据一些实施方式，坝180可包括通过单独的工艺形成的有机层和无机层中的至少一个。
坝180中的至少一部分可排列在电源线170上的第一导电层150的端部上。第一无机封装层310和第二无机封装层330可形成至坝180的外部。有机封装层320的位置可由坝180来限制，从而防止或减少用于形成有机封装层320的材料溢出到坝180外部的情况。
图11是根据一些实施方式的图4A的区I的平面视图。图12是沿图11的线IV-IV'截取的剖面视图。图13A和图13B是示出图11的第一导电层150与第二导电层160之间的堆叠关系的平面视图。图14是沿图13B的线V-V'的剖面视图。在下文中，将参照图11至图14给出以下描述，但是将省略对于与图6至图10B的构造相同的构造的描述。在图11中，为了解释的便利，图4A的电源线170被省略。
排列在显示区域DA中的第一绝缘层115可延伸到***区域PA并且在***区域PA中具有开口115VH。第一绝缘层115上可排列有第一导电层150。第一导电层150可完全覆盖第一绝缘层115的开口115VH。第一导电层150可包括多个第一孔150H。如图11和图13A中所示，当在平面视图中观察时，多个第一孔150H可彼此分开。第一导电层150的第一孔150H可被从显示区域DA延伸到***区域PA的第二绝缘层116覆盖。
第二绝缘层116可从显示区域DA延伸到***区域PA，并且在***区域PA中具有与第一绝缘层115的开口115VH重叠的开口116VH。第二绝缘层116可包括与第一导电层150的第一孔150H对应的岛状绝缘图案116a。绝缘图案116a可通过在***区域PA中对第二绝缘层116进行图案化来形成。第一导电层150的未被绝缘图案116a覆盖的部分150S的一部分可被暴露。
第一导电层150的暴露部分和包括绝缘图案116a的第二绝缘层116上可排列有第二导电层160。第二导电层160可完全覆盖第二绝缘层116的开口116VH。第二导电层160可包括多个第二孔160H。如图11和图13B中所示，当在平面视图中观察时，多个第二孔160H可彼此分开。当在剖面视图和平面视图中观察时，第二孔160H可排列为与第一孔150H重叠。即，第一孔150H的中心和第二孔160H的中心可彼此重合。第二孔160H可排列在绝缘图案116a上方以暴露绝缘图案116a的上表面。在图13B中，第一孔150H的尺寸被示出为大于第二孔160H的尺寸，但这仅为实例。根据一些实施方式，第一孔150H的尺寸可等于或小于第二孔160H的尺寸。
第二导电层160可与第一导电层150的未排列有绝缘图案116a的部分150S的暴露部分直接接触。即，第一导电层150和第二导电层160的第一接触区域CNT1可为第一导电层150的暴露部分与第二导电层160的部分160S重叠的区域。第一导电层150与第二导电层160之间的直接接触可增加第一导电层150和第二导电层160的接触面积，并且进一步减小第二电源电压ELVSS的下降。
第二导电层160的第二孔160H可被从显示区域DA延伸到***区域PA的第四绝缘层118覆盖。第四绝缘层118可包括与第二导电层160的第二孔160H对应的绝缘图案118a。第四绝缘层118可不排列在开口VH中。第四绝缘层118的绝缘图案118a可与第二绝缘层116的绝缘图案116a重叠。
排列在显示区域DA中的第三绝缘层117可不延伸到***区域PA。例如，第三绝缘层117可形成在第二绝缘层116上，但是第三绝缘层117可在***区域PA中被去除。在这种情况下，第三绝缘层117的一部分可保留在***区域PA中以便形成坝180。
因为与显示区域DA相比，***区域PA需要相对低的平坦化水平，因此在***区域PA中省略了第三绝缘层117，并且第二导电层160的第二孔160H和第一导电层150的第一孔150H彼此重叠。减小***区域PA的厚度以减小气体发生层的厚度并且缩短排气通道的路径是可能的。
第二导电层160的暴露部分(即，第二导电层160的未被第四绝缘层118覆盖的部分)可与从显示区域DA延伸到***区域PA的第二电极223直接接触。
图15是根据一些实施方式的沿第二方向D2截取的图4A的区I的剖面视图。图16A和图16B是示出图15的第一导电层150与第二导电层160之间的堆叠关系的平面视图。图17是沿图16B的线VI-VI'截取的剖面视图。图15可为沿图6的线II-II'截取的剖面视图。在下文中，将参照图15至图17给出以下描述，但是将省略对于与图6至图10B的构造相同的构造的描述。
排列在显示区域DA中的第一绝缘层115可延伸到***区域PA并且在***区域PA中具有开口115VH。第一绝缘层115上可排列有第一导电层150。第一导电层150可完全覆盖第一绝缘层115的开口115VH。第一导电层150可包括排列在第一绝缘层115的开口115VH周围的多个第一孔150H。如图16A中所示，当在平面视图中观察时，多个第一孔150H可彼此分开。第一导电层150的第一孔150H可被从显示区域DA延伸到***区域PA的第二绝缘层116覆盖。
第二绝缘层116可从显示区域DA延伸到***区域PA，并且在***区域PA中具有与第一绝缘层115的开口115VH重叠的开口116VH。第二绝缘层116可包括与第一导电层150的第一孔150H对应的绝缘图案116a。第一导电层150的未被绝缘图案116a覆盖的部分150S的一部分可被暴露。
从显示区域DA延伸到***区域PA的第三绝缘层117可排列在第一导电层150的暴露部分和绝缘图案116a上。第三绝缘层117可在***区域PA中覆盖第一导电层150的暴露部分和包括绝缘图案116a的第二绝缘层116，并且可具有与第一绝缘层115的开口115VH和第二绝缘层116的开口116VH重叠的开口117VH。
第二导电层160可排列在第三绝缘层117上。第二导电层160可完全覆盖第二绝缘层116的开口116VH和第三绝缘层117的开口117VH。第二导电层160可包括多个第二孔160H。如图16B中所示，当在平面视图中观察时，多个第二孔160H可彼此分开。第一孔150H和第二孔160H可为错开的。即，第一导电层150的第一孔150H和第二导电层160的第二孔160H在第三方向D3上不彼此重叠，并且可在第一方向D1和第二方向D2上为错开的，以便交替地排列。第一孔150H的中心和第二孔160H的中心可彼此错开而不重合。
第二导电层160可在第一接触区域CNT1中与第一导电层150接触并且电连接到第一导电层150。如图17中所示，第三绝缘层117可包括在第一接触区域CNT1中穿透第三绝缘层117的孔117H。第三绝缘层117的孔117H可为错开的而不与第一导电层150的第一孔150H和第二导电层160的第二孔160H重叠。第二导电层160可在第一接触区域CNT1中通过第三绝缘层117的孔117H与第一导电层150接触。
第二导电层160的第二孔160H可被从显示区域DA延伸到***区域PA的第四绝缘层118覆盖。第四绝缘层118可包括与第二导电层160的第二孔160H对应的绝缘图案118a。第四绝缘层118的绝缘图案118a和第二绝缘层116的绝缘图案116a可彼此错开而不重叠。
第二导电层160的暴露部分(即，第二导电层160的未被第四绝缘层118覆盖的部分)可与从显示区域DA延伸到***区域PA的第二电极223直接接触。
图18是根据一些实施方式的沿第二方向D2截取的图4A的区I的剖面视图。图19A和图19B是示出图18的第一导电层150与第二导电层160之间的堆叠关系的平面视图。图20是沿图19B的线VII-VII'截取的剖面视图。图18可为沿图6的线IV-IV'截取的剖面视图。在下文中，将参照图18至图20给出以下描述，但是将省略对于与图11至图14的构造相同的构造的描述。
排列在显示区域DA中的第一绝缘层115可延伸到***区域PA并且在***区域PA中具有开口115VH。第一绝缘层115上可排列有第一导电层150。第一导电层150可完全覆盖第一绝缘层115的开口115VH。第一导电层150可包括排列在第一绝缘层115的开口115VH周围的多个第一孔150H。如图19A中所示，当在平面视图中观察时，多个第一孔150H可彼此分开。第一导电层150的第一孔150H可被有从显示区域DA延伸到***区域PA的第二绝缘层116覆盖。
第二绝缘层116可从显示区域DA延伸到***区域PA，并且在***区域PA中具有与第一绝缘层115的开口115VH重叠的开口116VH。第二绝缘层116可包括与第一导电层150的第一孔150H对应的绝缘图案116a。第一导电层150的未被绝缘图案116a覆盖的部分150S的一部分可被暴露。
从显示区域DA延伸到***区域PA的第三绝缘层117可排列在包括第一导电层150的暴露部分和绝缘图案116a的第二绝缘层116上。第三绝缘层117可在***区域PA中覆盖第一导电层150的暴露部分和第二绝缘层116，并且可具有与第一绝缘层115的开口115VH和第二绝缘层116的开口116VH重叠的开口117VH。
第二导电层160可排列在第三绝缘层117上。第二导电层160可完全覆盖第二绝缘层116的开口116VH和第三绝缘层117的开口117VH。第二导电层160可包括多个第二孔160H。如图19B中所示，当在平面视图中观察时，多个第二孔160H可彼此分开。当以剖面视图和平面视图看时，第二孔160H可与第一孔150H重叠。即，第一孔150H的中心和第二孔160H的中心可彼此重合。第二孔160H可与绝缘图案116a重叠。
第二导电层160可在第一接触区域CNT1中与第一导电层150接触并且电连接到第一导电层150。如图20中所示，第三绝缘层117可包括穿透第三绝缘层117并且在第一接触区域CNT1中暴露第一导电层150的部分150S的孔117H。第三绝缘层117的孔117H可为错开的而不与第一导电层150的第一孔150H和第二导电层160的第二孔160H重叠。第二导电层160可在第一接触区域CNT1中通过第三绝缘层117的孔117H与第一导电层150接触。
第二导电层160的第二孔160H可被从显示区域DA延伸到***区域PA的第四绝缘层118覆盖。第四绝缘层118可包括与第二导电层160的第二孔160H对应的岛状绝缘图案118a。第四绝缘层118的绝缘图案118a可与第二绝缘层116的绝缘图案116a重叠。
第二导电层160的暴露部分(即，第二导电层160的未被第四绝缘层118覆盖的部分)可与从显示区域DA延伸到***区域PA的第二电极223直接接触。
图21是根据一些实施方式的沿第二方向D2截取的图4A的区I的剖面视图。图22A和图22B是示出图21的第一导电层150与第二导电层160之间的堆叠关系的平面视图。图23是沿图22B的线VIII-VIII'截取的剖面视图。图21可为沿图6的线II-II'截取的剖面视图。在下文中，将参照图21至图23给出以下描述，但是将省略对于与图6至图10B的构造相同的构造的描述。
排列在显示区域DA中的第一绝缘层115可延伸到***区域PA并且在***区域PA中具有开口115VH。第一绝缘层115上可排列有第一导电层150。第一导电层150可包括排列在开口115VH周围的多个第一孔150H。如图22A中所示，当在平面视图中观察时，多个第一孔150H可彼此分开。
第一导电层150上方可排列有覆盖第一导电层150的第一孔150H并且从显示区域DA延伸到***区域PA的第二绝缘层116。第二绝缘层116可包括与第一绝缘层115的开口115VH重叠的开口116VH。
第二导电层160可排列在第二绝缘层116上。第二导电层160可完全覆盖第二绝缘层116的开口116VH。第二导电层160可包括多个第二孔160H。如图22B中所示，当在平面视图中观察时，多个第二孔160H可彼此分开。第一孔150H和第二孔160H可彼此错开。即，第一导电层150的第一孔150H和第二导电层160的第二孔160H在第三方向D3上不彼此重叠，并且可在第一方向D1和第二方向D2上为错开的，以便交替地排列。第一孔150H的中心和第二孔160H的中心可彼此错开而不彼此重合。
第二导电层160可在第一接触区域CNT1中与第一导电层150接触并且电连接到第一导电层150。如图23中所示，第二绝缘层116可包括穿透第二绝缘层116并且在第一接触区域CNT1中暴露第一导电层150的孔116H。第二导电层160可在第一接触区域CNT1中通过第二绝缘层116的孔116H与第一导电层150接触。
第二导电层160的第二孔160H可被从显示区域DA延伸到***区域PA的第四绝缘层118覆盖。第四绝缘层118可包括与第二导电层160的第二孔160H对应的绝缘图案118a。第二导电层160的暴露部分(即，第二导电层160的未被第四绝缘层118覆盖的部分)可与从显示区域DA延伸到***区域PA的第二电极223直接接触。
图24是根据一些实施方式的沿第二方向D2截取的图4A的区I的剖面视图。图25A和图25B是示出图24的第一导电层150与第二导电层160之间的堆叠关系的平面视图。图26是沿图25B的线IX-IX'截取的剖面视图。图24可为沿图11的线IV-IV'截取的剖面视图。在下文中，将参照图24至图26给出以下描述，但是将省略对于与图11至图14的构造相同的构造的描述。
排列在显示区域DA中的第一绝缘层115可延伸到***区域PA并且在***区域PA中具有开口115VH。第一绝缘层115上可排列有第一导电层150。第一导电层150可包括多个第一孔150H。如图25A中所示，当在平面视图中观察时，多个第一孔150H可彼此分开。
第一导电层150上方可排列有覆盖第一导电层150的第一孔150H并且从显示区域DA延伸到***区域PA的第二绝缘层116。第二导电层160可排列在第二绝缘层116上。第二导电层160可包括多个第二孔160H。如图25B中所示，当在平面视图中观察时，多个第二孔160H可彼此分开。当以剖面视图和平面视图看时，第二孔160H可与第一孔150H重叠。即，第一孔150H的中心和第二孔160H的中心可彼此重合。
第二导电层160可在第一接触区域CNT1中与第一导电层150接触并且电连接到第一导电层150。如图26中所示，第二绝缘层116可包括穿透第二绝缘层116并且在第一接触区域CNT1中暴露第一导电层150的孔116H。第二导电层160可在第一接触区域CNT1中通过第二绝缘层116的孔116H与第一导电层150接触。
第二导电层160的第二孔160H可被从显示区域DA延伸到***区域PA的第四绝缘层118覆盖。第四绝缘层118可包括与第二导电层160的第二孔160H对应的绝缘图案118a。第二导电层160的暴露部分(即，第二导电层160的未被第四绝缘层118覆盖的部分)可与从显示区域DA延伸到***区域PA的第二电极223直接接触。
图27是示意性示出根据一些实施方式的显示装置的剖面视图，图28是示出图27的黑矩阵BM与发射区域EA之间的关系的图，并且图29是示出图27的滤色器CF与发射区域EA之间的关系的图。
参照图27，用作光学功能层的黑矩阵BM和滤色器CF可排列在封装层300上。如图28中所示，黑矩阵BM可围绕发射区域EA，并且可排列成与除第四绝缘层118的开口OP以外的区域对应。如图29中所示，滤色器CF可排列成至少与发射区域EA对应。滤色器CF可包括仅选择性地透射第一颜色的光的第一滤色器CF1、仅选择性地透射第二颜色的光的第二滤色器CF2以及仅选择性地透射第三颜色的光的第三滤色器CF3。第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可彼此相邻并且排列成特定图案。黑矩阵BM可排列成对应于第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3的边界。第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可各自与黑矩阵BM部分地重叠。
虽未示出，但是输入感测层还可设置在黑矩阵BM与封装层300之间以及滤色器CF与封装层300之间。
当从外部引入杂质或者包括在显示装置中的有机材料中生成的诸如气体或湿气的杂质渗透到显示装置中时，在制造过程期间或在使用期间图像品质可能劣化。根据一个或多个实施方式，提供能够通过防止或减少所实现的图像的图像品质的劣化来解决或减少包括上述问题的各种问题的显示装置是可能的。
根据一个或多个实施方式，实现能够在制造过程期间或在使用期间防止或减少图像品质的劣化的显示装置是可能的。本公开的范围不受这些效果的限制。
应理解的是，本文中描述的实施方式应仅以描述性方式来考虑，而不是出于限制的目的。每个实施方式内的特征或方面的描述通常应被视为可适用于其它实施方式中的其它相似特征或方面。虽然已参照附图对一个或多个实施方式进行了描述，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不背离如以下权利要求及它们的等同物所限定的范围和精神的情况下，其中可在形式和细节上进行各种改变。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
衬底，所述衬底包括显示区域和位于所述显示区域外部的***区域；
第一导电层，所述第一导电层在所述***区域中位于所述衬底上并且包括第一孔；
第二导电层，所述第二导电层位于所述第一导电层上并且与所述第一导电层重叠，所述第二导电层包括第二孔；
平坦化层，所述平坦化层从所述显示区域延伸到所述***区域，并且包括位于所述第一导电层与所述第二导电层之间的至少两个有机绝缘层；以及
显示元件，所述显示元件在所述显示区域中位于所述平坦化层上，
其中，所述第二导电层的除所述第二孔以外的部分中的一部分与所述第一导电层的除所述第一孔以外的部分中的一部分接触。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述平坦化层包括：
第一有机绝缘层，所述第一有机绝缘层包括第三孔；以及
第二有机绝缘层，所述第二有机绝缘层位于所述第一有机绝缘层上并且包括第四孔；
其中，所述第二导电层的所述第二孔与所述第一导电层的所述第一孔错开，
所述第一有机绝缘层的所述第三孔和所述第二有机绝缘层的所述第四孔中的每个与所述第一导电层的所述第一孔和所述第二导电层的所述第二孔中的每个错开，并且
在所述第一有机绝缘层的所述第三孔与所述第二有机绝缘层的所述第四孔重叠处，所述第二导电层与所述第一导电层接触。
3.如权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一有机绝缘层的所述第三孔的尺寸不同于所述第二有机绝缘层的所述第四孔的尺寸。
4.如权利要求1所述的显示装置，其中，
所述平坦化层包括：
第一有机绝缘层，所述第一有机绝缘层包括与所述第一导电层的所述第一孔重叠的绝缘图案；以及
第二有机绝缘层，所述第二有机绝缘层位于所述第一有机绝缘层上，
所述第二有机绝缘层包括与所述第一导电层的所述第一孔和所述第二导电层的所述第二孔中的每个错开的第四孔，所述第四孔排列在所述第一有机绝缘层的所述绝缘图案周围，
所述第二导电层的所述第二孔与所述第一导电层的所述第一孔错开，并且
所述第二导电层在所述第二有机绝缘层的所述第四孔的位置处与所述第一导电层接触。
5.如权利要求1所述的显示装置，其中，
所述平坦化层包括：
第一有机绝缘层，所述第一有机绝缘层包括与所述第一导电层的所述第一孔重叠的绝缘图案；以及
第二有机绝缘层，所述第二有机绝缘层位于所述第一有机绝缘层上，
所述第二有机绝缘层包括与所述第一导电层的所述第一孔和所述第二导电层的所述第二孔中的每个错开的第四孔，所述第四孔排列在所述第一有机绝缘层的所述绝缘图案周围，
所述第二导电层的所述第二孔与所述第一导电层的所述第一孔重叠，并且
所述第二导电层在所述第二有机绝缘层的所述第四孔处与所述第一导电层接触。
6.如权利要求1所述的显示装置，其中，
所述显示元件包括：
第一电极，所述第一电极位于与所述第二导电层相同的层上；
第二电极，所述第二电极面对所述第一电极；以及
发射层，所述发射层位于所述第一电极与所述第二电极之间，并且
所述第二电极延伸到所述***区域。
7.如权利要求6所述的显示装置，还包括：
绝缘层，所述绝缘层在所述显示区域中覆盖所述显示元件的所述第一电极的边缘，并且包括在所述***区域中与所述第二导电层的所述第二孔重叠的绝缘图案，
其中，所述显示元件的所述第二电极与所述第二导电层接触。
8.如权利要求6所述的显示装置，还包括：
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管在所述显示区域中电连接到所述显示元件的所述第一电极；以及
电源线，所述电源线在所述***区域中位于所述显示元件的所述第二电极的端部与所述衬底的边缘之间的区域中，
其中，所述第一导电层的端部与所述电源线接触，并且所述第二导电层的端部与所述第一导电层的所述端部接触。
9.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述衬底和所述显示元件上方的窗为柔性的，以使得所述显示区域被折叠或弯曲。
10.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述平坦化层包括：
第一有机绝缘层，所述第一有机绝缘层包括第一有机材料；以及
第二有机绝缘层，所述第二有机绝缘层包括与所述第一有机材料不同的第二有机材料。
11.一种显示装置，包括：
衬底，所述衬底包括显示区域和位于所述显示区域外部的***区域；
第一导电层，所述第一导电层在所述***区域中位于所述衬底上并且包括第一孔；
第二导电层，所述第二导电层位于所述第一导电层上并且与所述第一导电层重叠，所述第二导电层包括第二孔；
第一有机绝缘层，所述第一有机绝缘层从所述显示区域延伸到所述***区域，并且在所述***区域中排列在所述第一导电层与所述第二导电层之间；
第二有机绝缘层，所述第二有机绝缘层位于所述第一有机绝缘层上，其中，所述第二有机绝缘层的位于所述***区域中的部分被去除；以及
显示元件，所述显示元件在所述显示区域中位于所述第二有机绝缘层上，
其中，所述第二导电层的除所述第二孔以外的部分中的一部分与所述第一导电层的除所述第一孔以外的部分中的一部分接触。
12.如权利要求11所述的显示装置，其中，所述第二导电层的所述第二孔与所述第一导电层的所述第一孔重叠，
所述第一有机绝缘层包括与所述第一导电层的所述第一孔重叠的绝缘图案，并且
所述第二导电层与所述第一导电层的未被所述第一有机绝缘层的所述绝缘图案覆盖的部分接触。
13.如权利要求11所述的显示装置，其中，所述第二导电层的所述第二孔与所述第一导电层的所述第一孔错开，
所述第一有机绝缘层包括与所述第一导电层的所述第一孔和所述第二导电层的所述第二孔中的每个错开的第三孔，并且
所述第二导电层在所述第一有机绝缘层的所述第三孔的位置处与所述第一导电层接触。
14.如权利要求11所述的显示装置，其中，所述第二导电层的所述第二孔与所述第一导电层的所述第一孔重叠，
所述第一有机绝缘层包括与所述第一导电层的所述第一孔和所述第二导电层的所述第二孔中的每个错开的第三孔，并且
所述第二导电层在所述第一有机绝缘层的所述第三孔的位置处与所述第一导电层接触。
15.如权利要求11所述的显示装置，其中，所述显示元件包括位于所述第二有机绝缘层上的第一电极以及面对所述第一电极并且延伸到所述***区域的第二电极。
16.如权利要求15所述的显示装置，还包括：
绝缘层，所述绝缘层在所述显示区域中覆盖所述显示元件的所述第一电极的边缘，并且包括在所述***区域中与所述第二导电层的所述第二孔重叠的绝缘图案，
其中，所述显示元件的所述第二电极与所述第二导电层接触。
17.如权利要求15所述的显示装置，还包括：
电源线，所述电源线位于所述第二电极的端部与所述衬底的边缘之间，
其中，所述第一导电层的端部与所述电源线接触，并且所述第二导电层的端部与所述第一导电层的所述端部接触。
18.如权利要求11所述的显示装置，其中，所述衬底和所述显示元件上方的窗为柔性的，以使得所述显示区域被折叠或弯曲。
19.如权利要求11所述的显示装置，其中，所述第一有机绝缘层包括第一有机材料，并且
所述第二有机绝缘层包括与所述第一有机材料不同的第二有机材料。
20.一种显示装置，包括：
衬底，所述衬底包括显示区域和位于所述显示区域外部的***区域；
第一有机绝缘层，所述第一有机绝缘层在所述显示区域和所述***区域中位于所述衬底上；
第一导电层，所述第一导电层在所述***区域中位于所述第一有机绝缘层上，并且包括多个第一孔；
第二有机绝缘层，所述第二有机绝缘层覆盖所述第一导电层并且位于所述第一有机绝缘层上；
第三有机绝缘层，所述第三有机绝缘层位于所述第二有机绝缘层上；
第二导电层，所述第二导电层在所述***区域中位于所述第三有机绝缘层上，并且包括多个第二孔，所述第二导电层的所述第二孔的中心与所述第一导电层的所述第一孔的中心错开；以及
显示元件，所述显示元件在所述显示区域中位于所述第三有机绝缘层上。
CN202011072922.5A 2019-10-17 2020-10-09 显示装置 Pending CN112687720A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190129329A KR20210046118A (ko) 2019-10-17 2019-10-17 표시장치
KR10-2019-0129329 2019-10-17

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112687720A true CN112687720A (zh) 2021-04-20

Family

ID=75445470

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011072922.5A Pending CN112687720A (zh) 2019-10-17 2020-10-09 显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (2) US11569477B2 (zh)
KR (1) KR20210046118A (zh)
CN (1) CN112687720A (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4080576A4 (en) * 2019-12-20 2022-12-21 BOE Technology Group Co., Ltd. DISPLAY DEVICE, DISPLAY PANEL AND METHOD OF MAKING THEREOF
WO2022051994A1 (zh) * 2020-09-10 2022-03-17 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
KR20220045602A (ko) * 2020-10-05 2022-04-13 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20220166400A (ko) * 2021-06-09 2022-12-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102043180B1 (ko) 2013-04-25 2019-11-12 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102654924B1 (ko) 2016-06-16 2024-04-05 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20180005097A (ko) 2016-07-04 2018-01-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US10210798B2 (en) 2016-07-04 2019-02-19 Samsung Display Co., Ltd. Display device having protective structure
US10439165B2 (en) 2016-07-29 2019-10-08 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
KR102642368B1 (ko) 2016-07-29 2024-02-28 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102567001B1 (ko) * 2016-11-15 2023-08-11 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102354977B1 (ko) * 2017-07-03 2022-01-25 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102394984B1 (ko) * 2017-09-04 2022-05-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR102387690B1 (ko) 2017-09-05 2022-04-15 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시 장치
KR102360094B1 (ko) * 2017-09-15 2022-02-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102470042B1 (ko) * 2017-11-16 2022-11-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102546170B1 (ko) * 2018-01-19 2023-06-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102552266B1 (ko) * 2018-01-31 2023-07-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102610254B1 (ko) * 2018-05-18 2023-12-07 삼성디스플레이 주식회사 전자 패널 및 이의 제조 방법
KR102662722B1 (ko) * 2018-09-17 2024-05-02 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20200066503A (ko) * 2018-11-30 2020-06-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널

Also Published As

Publication number Publication date
US11569477B2 (en) 2023-01-31
KR20210046118A (ko) 2021-04-28
US20230171990A1 (en) 2023-06-01
US20210119178A1 (en) 2021-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11723230B2 (en) Display panel
EP3660906A1 (en) Display panel including a non-display area within a display area
US11625129B2 (en) Display device having opening and touch sensor
US11943974B2 (en) Display panel
US11956990B2 (en) Display device with metal tip protruding toward groove center
US11569477B2 (en) Display apparatus including multi-layered planarization layer
US20220020957A1 (en) Display panel
US11038003B2 (en) Foldable display apparatus
US11723242B2 (en) Display apparatus having display area configured to allow a signal to pass therethrough
CN112419907A (zh) 显示装置
US11482580B2 (en) Display device having grooves surrounding pixel areas
CN113948002A (zh) 显示装置
EP3696860B1 (en) Display device
US11257893B2 (en) Display panel having opening area and method of manufacturing the same
US11469400B2 (en) Display device and method of manufacturing display device
US20220209179A1 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
EP4203658A1 (en) Display apparatus and method of manufacturing the display apparatus
US20240237429A1 (en) Display panel
US20230114014A1 (en) Display device
US20220181400A1 (en) Display apparatus and electronic apparatus including the same
CN117912364A (zh) 显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination