CN112687704A - 阵列基板及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种阵列基板及其制备方法，该阵列基板包括：基底层、晶体管绝缘层、电极绝缘层、平坦层和阳极沿垂直于基底层的方向顺序铺设；晶体管绝缘层内嵌设有薄膜晶体管，电极绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层和第二绝缘层沿垂直于基底层的方向铺设，第一绝缘层至少有部分区域为有机材料绝缘层，第一绝缘层内嵌设有金属电极，第二绝缘层为无机材料绝缘层，第二绝缘层内嵌设有第一透明电极；平坦层内嵌设有第二透明电极；阳极分别与第一桥接结构和第二桥接结构电性连接，第一桥接结构和第二桥接结构分别穿过所述第一绝缘层的部分区域和第二绝缘层以与薄膜晶体管电性连接。本发明的阵列基板结构简单，简化了制备工艺。

Description

阵列基板及其制备方法

技术领域

本申请涉及面板技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法。

背景技术

在屏下摄像头显示屏技术中，通常采用将位于摄像头正对屏下摄像头区域的薄膜晶体管缩小聚集的方法，以将屏下摄像头区域与显示区域集合在一起，因此，需增加一层或多层透明电极作为连接薄膜晶体管与发光像素的导线，相应地，需增加一层或多层绝缘层。通常的工艺中均是采用有机材料作为绝缘层，因每层有机材料绝缘层需单独进行黄光工艺以形成接触孔，导致制程工艺较复杂，制造成本较高。

发明内容

本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法，以至少部分地解决现有技术中基板制备工艺复杂、基板结构复杂的技术问题。

第一方面，本发明实施例提供一种阵列基板，包括基底层、晶体管绝缘层、电极绝缘层、平坦层和阳极，所述基底层、所述晶体管绝缘层、所述电极绝缘层、所述平坦层和所述阳极沿垂直于所述基底层的方向顺序铺设；

所述晶体管绝缘层内嵌设有薄膜晶体管；所述电极绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层沿垂直于所述基底层的方向铺设，所述第一绝缘层至少有部分区域为有机材料绝缘层，所述第一绝缘层内嵌设有金属电极，所述第二绝缘层为无机材料绝缘层，所述第二绝缘层内嵌设有第一透明电极；所述平坦层内嵌设有第二透明电极；

所述阳极分别与第一桥接结构和第二桥接结构电性连接，所述第一桥接结构和所述第二桥接结构分别穿过所述第一绝缘层的部分区域和所述第二绝缘层以与所述薄膜晶体管电性连接，所述第一桥接结构包括相互电性连接的所述第一透明电极、所述第二透明电极和所述金属电极，所述第二桥接结构包括相互电性连接的所述第二透明电极和所述金属电极。

进一步地，所述晶体管绝缘层、所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述平坦层沿垂直于所述基底层的方向顺序铺设；

所述第一透明电极与所述第二透明电极电性连接，所述第二透明电极与所述金属电极电性连接，以形成所述第一桥接结构；

所述阳极与所述第一透明电极或所述第二透明电极电性连接，所述金属电极与所述薄膜晶体管电性连接。

进一步地，所述第一绝缘层包括由有机材料形成的第一子绝缘层和由无机材料形成的第二子绝缘层；

所述晶体管绝缘层、所述第一子绝缘层、所述第二子绝缘层和所述第二绝缘层沿垂直于所述基底层的方向顺序铺设；

所述金属电极包括第一金属电极和第二金属电极，所述第一子绝缘层内嵌设有所述第一金属电极，所述第二子绝缘层内嵌设有所述第二金属电极；

所述第二金属电极与所述第二透明电极电性连接，所述第一金属电极与所述薄膜晶体管电性连接。

进一步地，所述第二透明电极包括多个子透明电极区；

所述第一透明电极与所述第二透明电极的其中一个子透明电极区电性连接，所述第二透明电极的所述子透明电极区与所述金属电极电性连接，以形成所述第一桥接结构；

所述阳极与所述第一透明电极电性连接，所述金属电极与所述薄膜晶体管电性连接。

进一步地，所述第二透明电极包括多个子透明电极区；

所述第一透明电极分别与所述第二透明电极的两个子透明电极区电性连接，所述两个子电极区的其中一个子透明电极区与所述金属电极电性连接，以形成所述第一桥接结构；

所述两个子透明电极区中的另一个子透明电极区与所述阳极电性连接，所述金属电极与所述薄膜晶体管电性连接。

进一步地，所述晶体管绝缘层、所述第二绝缘层、所述第一绝缘层和所述平坦层沿垂直于所述基底层的方向顺序铺设；

所述金属电极包括相互电性连接的多个子金属电极区；

所述第一透明电极分别与所述金属电极的两个子金属电极区电性连接，所述两个子金属电极区的其中一个子金属电极区与所述第二透明金属电性连接，以形成所述第一桥接结构；

所述第二透明电极与所述阳极电性连接，所述两个子金属电极区的另一个子金属电极区与所述薄膜晶体管电性连接。

进一步地，形成所述第二绝缘层的材料为SiNx、SiOx、SiOxNy等中的一种或多种。

第二方面，提供一种阵列基板制备方法，包括：

在基底层的一侧形成薄膜晶体管，在所述基底层的同一侧铺设晶体管绝缘层，以使所述薄膜晶体管嵌设于所述晶体管绝缘层内；

在所述晶体管绝缘层的一侧形成金属电极，并使所述金属电极与所述薄膜晶体管电性连接；

在所述晶体管绝缘层的同一侧铺设第一绝缘层，以使所述金属电极嵌设于所述第一绝缘层内；

在所述第一绝缘层的一侧形成第一透明电极，在所述第一绝缘层的同一侧铺设第二绝缘层，以使得所述第一透明电极嵌设于所述第二绝缘层内；其中，所述第二绝缘层为无机材料绝缘层；

在所述第二绝缘层和所述第一绝缘层上形成多个第三接触孔，所述第三接触孔贯穿所述第二绝缘层或贯穿所述第一绝缘层部分区域和所述第二绝缘层；

在所述第二绝缘层的一侧形成第二透明电极，形成所述第二透明电极的材料填充所述第三接触孔，以使所述第二透明电极与所述第一透明电极和所述金属电极中的至少一个电性连接；

在所述第二绝缘层的同一侧铺设平坦层，以使所述第二透明电极嵌设于所述平坦层内；

在所述平坦层上形成多个贯穿所述平坦层的第四接触孔；

在所述平坦层的一侧形成阳极，形成所述阳极的材料填充所述第四接触孔，以使所述阳极与所述第二透明电极电性连接。

进一步地，在所述第二绝缘层的一侧形成第二透明电极，形成所述第二透明电极的材料填充所述第三接触孔，以使所述第二透明电极与所述金属电极电性连接，或分别与所述第一透明电极和所述金属电极电性连接；

在所述第二绝缘层的同一侧铺设平坦层，以使所述第二透明电极嵌设于所述平坦层内；

在所述平坦层和所述第二绝缘层上形成多个贯穿所述平坦层的第四接触孔和至少一个贯穿所述平坦层和所述第二绝缘层的第五接触孔；

在所述平坦层的一侧形成阳极，形成所述阳极的材料填充所述第四接触孔和所述第五接触孔，以使所述阳极与所述第二透明电极或所述第一透明电极电性连接。

第三方面，提供一种阵列基板制备方法，包括：

在基底层的一侧形成薄膜晶体管，在所述基底层的同一侧铺设晶体管绝缘层，以使得所述薄膜晶体管嵌设于所述晶体管绝缘层内；

在所述晶体管绝缘层的一侧形成第一透明电极，在所述晶体管绝缘层的同一侧铺设第二绝缘层，以使得所述第一透明电极嵌设于所述第二绝缘层内；其中，所述第二绝缘层为无机材料绝缘层；

对所述第二绝缘层和所述晶体管绝缘层上形成多个第六接触孔，所述第六接触孔贯穿所述第二绝缘层和所述晶体管绝缘层，或者，贯穿所述第二绝缘层；

在所述第二绝缘层的一侧形成金属电极，形成所述金属电极的材料填充所述第六接触孔，以使所述金属电极与所述第一透明电极和所述薄膜晶体管中的至少一个电性连接；

在所述第二绝缘层的一侧铺设第一绝缘层，以使所述金属电极嵌设于所述第一绝缘层内，在所述第一绝缘层上形成多个贯穿所述第一绝缘层的第七接触孔；

在所述第一绝缘层的一侧形成第二透明电极，由形成所述第二透明电极的材料填充所述第七接触孔，以使所述第二透明电极与所述金属电极电性连接；在所述第一绝缘层的同一侧铺设平坦层，以使所述第二透明电极嵌设于所述平坦层内；

在所述平坦层上形成多个贯穿所述平坦层的第八接触孔；

在所述平坦层的一侧形成阳极，形成所述阳极的材料填充所述第八接触孔，以使所述阳极与所述第二透明电极电性连接。

本发明的阵列基板及其制备方法，由于第二绝缘层为无机材料绝缘层，第一绝缘层部分为有机材料绝缘层，另一部分为有机材料绝缘层或无机材料绝缘层，使得第二绝缘层与第一绝缘层的部分同时进行蚀刻处理或其他方式处理以形成用于第二透明电极和第一透明电极或金属电极电性连接的接触孔，或者，使得第二绝缘层和晶体管绝缘层同时进行蚀刻处理或其他方式处理以形成用于金属电极和薄膜晶体管电性连接的接触孔，能够减少工艺处理步骤，也能够简化第二透明电极的结构。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图；

图2是本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图；

图3是本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图；

图中，1-基底层，101-第一柔性基底层，102-第一隔阻层，103-第二柔性基底层，104-第二隔阻层，105-缓冲层，2-晶体管绝缘层，201-有源层，202-第一栅极绝缘层，203-第二栅极绝缘层，3-电极绝缘层，301-第一绝缘层，302-第一子绝缘层，303-第二子绝缘层，304-第二绝缘层，4-平坦层，501-第一子薄膜晶体管，502-第二子薄膜晶体管，503-第三子薄膜晶体管，61-第一子金属电极区，62-第二子金属电极区，63-第三子金属电极区，64-第四子金属电极区，601-第一金属电极，6011-A子金属电极区，6012-B子金属电极区，6013-C子金属电极区，602-第二金属电极，6021-D子金属电极区，6022-E子金属电极区，6023-F子金属电极区，7-第一透明电极，801-第一子透明电极区，802-第二子透明电极区，803-第三子透明电极区，804-第四子透明电极区，901-第一子阳极区，902-第二子阳极区，903-第三子阳极区，10-像素定义层，11-间隙支撑。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

参见图1-图3所示，本发明实施例提供一种阵列基板，包括基底层1、晶体管绝缘层2、电极绝缘层3、平坦层4和阳极，基底层1、晶体管绝缘层2、电极绝缘层3、平坦层4和阳极沿垂直于基底层1的方向顺序铺设；晶体管绝缘层2内嵌设有薄膜晶体管，平坦层4内嵌设有第二透明电极；电极绝缘层3包括第一绝缘层301和第二绝缘层304，第一绝缘层301和第二绝缘层304沿垂直于基底层1的方向铺设，第一绝缘层301至少有部分区域为有机材料绝缘层，第一绝缘层301内嵌设有金属电极，第二绝缘层304为无机材料绝缘层，第二绝缘层304内嵌设有第一透明电极7；阳极分别与第一桥接结构和第二桥接结构电性连接，第一桥接结构和第二桥接结构分别与薄膜晶体管电性连接，第一桥接结构包括相互电性连接的第一透明电极7、第二透明电极和金属电极，第二桥接结构包括相互电性连接的第二透明电极和金属电极。

该阵列基板包括基底层1、晶体管绝缘层2、电极绝缘层3、平坦层4和阳极。基底层1、晶体管绝缘层2、电极绝缘层3、平坦层4和阳极均为板状结构，互成相互平行的结构。可以理解的是，各层之间并不需要严格的平行，只要能够满足该层设置的目的，满足基板功能即可。阵列基板中的各层状物也并不是严格的板状结构，只要能够满足其设置的功能即可。以下皆以各层状物水平状态设置的结构为例进行说明。

基底层1可采用目前常规的基板，例如可为玻璃基板。参见图1所示，沿竖直向上的方向，晶体管绝缘层2铺设在基底层1上侧，电极绝缘层3铺设在晶体管绝缘层2上侧，平坦层4铺设在电极绝缘层3上侧，阳极形成于平坦层4上侧，各层之间皆紧密接触。

在一种具体的实现方式中，基底层1可包括第一柔性基底层1、第一隔阻层102、第二柔性基底层1、第二隔阻层104和缓冲层105。第一隔阻层102铺设于第一柔性基底层1的上侧，第二柔性基底层1铺设于第一隔阻层102的上侧，第二隔阻层104铺设于第二柔性基底层1的上侧，缓冲层105铺设于第二隔阻层104的上侧。其中，形成柔性基底层1、隔阻层和缓冲层105的材料可以不作具体限定，只要能够满足相应的功能即可，例如，形成柔性基底层1的材料可以是聚酰亚胺类材料，形成隔阻层的材料可以是SiOx，缓冲层105可以是SiNx/SiOx叠层结构。

在晶体管绝缘层2内嵌设有薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)，晶体管绝缘层2对薄膜晶体管起到绝缘、保护的作用。形成晶体管绝缘层2的材料可采用目前面板结构中常用的材料。例如可以是SiNx、SiOx、SiOxNy等中的一种或多种。晶体管绝缘层2可包括有源层201、第一栅极绝缘层202和第二栅极绝缘层203。有源层201内嵌设薄膜晶体管、第一栅极绝缘层202内嵌设有第一栅极，第二栅极绝缘层203内嵌设有第二栅极。有源层201铺设于基底层1的上侧，第一栅极绝缘层202铺设于有源层201上侧，第二栅极绝缘层203铺设于第一栅极绝缘层202上侧。薄膜晶体管可以是由多个子薄膜晶体管构成，例如，以三个子薄膜晶体管为例进行说明，参见图1所示，薄膜晶体管包括第一子薄膜晶体管501、第二子薄膜晶体管502和第三子薄膜晶体管503。相应地，第一栅极和第二栅极也可各自由多个子栅极区构成，按照目前常规的方式设置即可，此处不再赘述。

电极绝缘层3包括第一绝缘层301和第二绝缘层304。第一绝缘层301和第二绝缘层304也沿竖直方向排布。第二绝缘层304为由无机材料形成的无机材料绝缘层；其中，无机材料可以是SiNx、SiOx、SiOxNy等中的一种或多种。第二绝缘层304内嵌设有第一透明电极7，第二绝缘层304对第一透明电极7起到绝缘、保护的目的。

沿竖直方向，第一绝缘层301至少有部分厚度的区域是由有机材料形成的有机材料绝缘层；第一绝缘层301可以是全部由有机材料形成的有机材料绝缘层，也可以是部分是由有机材料形成的有机材料绝缘层，部分是由无机材料形成的无机材料绝缘层。其中，形成有机材料绝缘层的物料可以是聚酰亚胺。

第一绝缘层301内嵌设有金属电极，第一绝缘层301对金属电极起到绝缘、保护的目的；同时，第一绝缘层301内的有机材料绝缘层还起到使嵌设电极的绝缘层状物更平整的作用。金属电极可采用蚀刻处理或其他方式形成图案化或分区的电极，其可包括多个子金属电极区，以下以其中三个子金属电极区为例进行说明。

平坦层4铺设在电极绝缘层3上侧，形成平坦层4的材料可为目前常规的有机材料绝缘层。平坦层4内嵌设有第二透明电极，平坦层4对第二透明电极起到绝缘、保护的作用。第二透明电极可以采用蚀刻处理或其他形式形成图案化电极，其可包括多个子透明电极区。例如，以其中四个子透明电极区为例进行说明，参见图1所示，分别为第一子透明电极区801、第二子透明电极区802、第三子透明电极区803和第四子透明电极区804。

在平坦层4的上侧形成阳极，在阳极的上侧还可形成像素定义层(pixel definelayer，PDL)10，在像素定义层10的上侧还可形成间隙支撑11。可以理解的是，阳极也可根据需要而采用蚀刻处理或其他处理方式而形成图案化或区域化的形式。例如，参见图1所示，阳极可包括第一子阳极区901、第二子阳极区902和第三子阳极区903。

第一透明电极7、第二透明电极和金属电极相互电性连接，以构成第一桥接结构。具体地，第一透明电极7、第二透明电极和金属电极相互电性连接的结构可根据具体的层状结构适应性调整，以简化结构、提高基板可靠性。同样地，第二桥接结构中，第二透明电极与金属电极电性连接具体结构也可根据具体的层状结构适应性调整。

阳极分别通过第一桥接结构和第二桥接结构与薄膜晶体管电性连接。第一桥接结构和第二桥接结构分别穿过第一绝缘层的至少部分区域和第二绝缘层，以实现阳极与薄膜晶体管的电性连接。具体地，第一子阳极区901可通过第一桥接结构与第一子薄膜晶体管501电性连接，第二子阳极区902通过第二桥接结构与第二子薄膜晶体管502电性连接，第三子阳极区903通过另一第二桥接结构与第三子薄膜晶体管503电性连接。在具体的应用过程中，第一桥接结构，或者第一桥接结构和第二桥接结构可应用于摄像头正对的区域，第二桥接结构应用于显示区域正对的区域。

其中，第二绝缘层304采用无机材料绝缘层，便于与第二绝缘层304相邻的绝缘层同时进行蚀刻处理，以制备用于各电极电性连接的接触孔，能够减少蚀刻处理工艺流程，提高基板制备效率，降低成本。并且，第二绝缘层304采用无机材料绝缘层时，第二绝缘层304的厚度可以较薄，还能够减小基板厚度，同时，还可缩短第一透明电极7与其他电极之间电性连接的路线，提高电性连接的可靠性。

在一些实施例中，提供一种阵列基板，晶体管绝缘层2、第一绝缘层301、第二绝缘层304和平坦层4沿垂直于基底层1的方向顺序铺设；第一透明电极7与第二透明电极电性连接，第二透明电极与金属电极电性连接，以形成第一桥接结构；阳极与第一透明电极7或第二透明电极电性连接，金属电极与薄膜晶体管电性连接。

作为其中一种具体的实现方式，沿竖直向上的方向，晶体管绝缘层2铺设于基底层1上侧，第一绝缘层301铺设于晶体管绝缘层2的上侧，第二绝缘层304铺设于第一绝缘层301的上侧，平坦层4铺设于第二绝缘层304的上侧，阳极位于平坦层4上侧。相应地，沿竖直向上的方向，依次排列的是薄膜晶体管、金属电极、第一透明电极7、第二透明电极和阳极。

当第二绝缘层304铺设于第一绝缘层301上侧时，第一绝缘层301可包括第一子绝缘层302和第二子绝缘层303。第一子绝缘层302是由有机材料形成的有机材料绝缘层，第二子绝缘层303是由无机材料形成的无机材料绝缘层，第一子绝缘层302铺设于晶体管绝缘层2的上侧，第二子绝缘层303铺设于第一子绝缘层302的上侧，第二绝缘层304铺设于第二子绝缘层303的上侧。

金属电极可包括第一金属电极和第二金属电极。第一金属电极嵌设于第一子绝缘层302内，第二金属电极嵌设于第二子绝缘层303内。同样地，第一金属电极可包括A子金属电极区6011、B子金属电极区6012和C子金属电极区6013；第二金属电极包括D子金属电极区6021、E子金属电极区6022和F子金属电极区6023。A子金属电极区6011与D子金属电极区6021电性连接，形成第一子金属电极区61，B子金属电极区6012与E子金属电极区6022电性连接，形成第二子金属电极区62，C子金属电极区6013与F子金属电极区6023电性连接，形成第三子金属电极区63。

第一绝缘层301采用上述结构，在制备过程中，便于对第二绝缘层304与第二子绝缘层303同时进行蚀刻处理，形成用于第二透明电极与金属电极电性连接的接触孔，能够减少制备工艺。金属电极采用第一金属电极和第二金属电极层进的结构，使第二透明电极与薄膜晶体管之间的电性连接更稳定可靠。

在薄膜晶体管通过第一桥接结构与阳极电性连接的部分，金属电极与第二透明电极电性连接，第二透明电极与第一透明电极7电性连接。具体地，第一透明电极7的第一端与第二子透明电极区802的一端电性连接，第二子透明电极区802的另一端与D子金属电极区6021的一端电性连接，D子金属电极区6021的另一端与A子金属电极区6011的一端电性连接，以形成第一桥接结构。第一透明电极7的第二端与第一子阳极区901电性连接，A子金属电极区6011的另一端与第一子薄膜晶体管501电性连接，实现阳极与薄膜晶体管的电性连接。

在薄膜晶体管通过第二桥接结构与阳极电性连接的部分，第二透明电极与金属电极电性连接以形成第二桥接结构。具体地，例如，第三子透明电极区803的一端与第二子金属电极区62的一端电性连接，以形成第二桥接结构。第三子透明电极区803的另一端与第二子阳极区902电性连接，第二子金属电极区62的另一端与第二子薄膜晶体管502电性连接，以实现阳极通过第二桥接结构与薄膜晶体管电性连接。

此时，第一绝缘层301的上层可采用由无机材料形成的无机材料绝缘层，该无机材料绝缘层的上侧即是第二绝缘层304，下层可采用由有机材料形成的有机材料绝缘层。则可同时对第二绝缘层304以及第一绝缘层301的上层无机材料绝缘层进行蚀刻处理，以形成用于第二透明电极区与金属电极区电性连接的多个接触孔，能够减少蚀刻处理工序。

并且，由于第二绝缘层304以及第一绝缘层301上层的无机材料绝缘层厚度较薄，第二透明电极区与金属电极区电性连接的通路缩短，还能够增强第二透明电极区和金属电极区电性连接的稳定性。

则在第二绝缘层304上与第一透明电极7对应的位置进行蚀刻处理时，可得到两个接触孔，该两个接触孔用于第一透明电极7与第二透明电极或第一子阳极区901电性连接。在第二绝缘层304上位于第一透明电极7之外的区域形成的接触孔，用于第二透明电极与金属电极电性连接的接触孔。

作为第一透明电极7和阳极电性连接的其中一种具体的实现方式，第一透明电极7分别与第一子透明电极区801和第二子透明电极区802电性连接。第一透明电极7的第二端与第一子透明电极区801电性连接，第一端与第二子透明电极区802的一端电性连接，第二子透明电极区802的另一端与D子金属电极区6021的一端电性连接，D子金属电极区6021的另一端与A子金属电极区6011的一端电性连接，以形成第一桥接结构。第一子透明电极区801还与第一子阳极区901电性连接，A子金属电极区6011的另一端与第一子薄膜晶体管501电性连接，实现阳极与薄膜晶体管的电性连接。

作为第一透明电极7和阳极电性连接的另一种具体的实现方式，第一透明电极7的第一端与第二子透明电极区802的一端电性连接，第二子透明电极区802的另一端与D子金属电极区6021的一端电性连接，D子金属电极区6021的另一端与A子金属电极区6011的一端电性连接，以形成第一桥接结构。第一透明电极7的第二端直接与第一子阳极区901电性连接，A子金属电极区6011的另一端与第一子薄膜晶体管501电性连接，实现阳极与薄膜晶体管的电性连接。

由于第二绝缘层304为无机材料绝缘层，可对平坦层4和第二绝缘层304同时进行蚀刻处理，以形成阳极与第二透明电极之间的接触孔，以及阳极与第一透明电极7之间的接触孔。此时，第二透明电极只需设置第二子透明电极区802、第三子透明电极区803和第四子透明电极区804，而无需设置第一子透明电极区801，简化了第二透明电极的结构。

在一些实施例中，提供一种阵列基板，参见图3所示，晶体管绝缘层2、第二绝缘层304、第一绝缘层301和平坦层4沿垂直于基底层1的方向顺序铺设；金属电极包括相互电性连接的多个子金属电极区；第一透明电极7分别与金属电极的两个子金属电极区电性连接，两个子金属电极区的其中一个子金属电极区与第二透明金属电性连接，以形成第一桥接结构；第二透明电极与阳极电性连接，两个子金属电极区的另一个子金属电极区与薄膜晶体管电性连接。

具体地，晶体管绝缘层2铺设于基底层1上侧，第二绝缘层304铺设于晶体管绝缘层2上侧，第一绝缘层301铺设于第二绝缘层304上侧，平坦层4铺设于第一绝缘层301上侧，阳极形成于平坦层4上侧。相应地，沿竖直向上的方向，薄膜晶体管、第一透明电极7、金属电极、第二透明电极和阳极依次顺序排列。

其中，对晶体管绝缘层2、第二绝缘层304、平坦层4此处不再赘述。此时，第一绝缘层301采用由有机材料形成的有机材料绝缘层。第一绝缘层301内嵌设有一层金属电极。金属电极可采用蚀刻处理或其他方式图案化，其可包括多个子金属电极区，以其中的第一子金属电极区61、第二子金属电极区62、第三子金属电极区63和第四子金属电极区64为例进行说明。

在阳极和薄膜晶体管通过第一桥接结构电性连接的部分，第一子透明电极区801的一端与第四子金属电极区64的一端电性连接，第四子金属电极区64的另一端与第一透明电极7的第二端电性连接，第一透明电极7的第一端与第一子金属电极区61的一端电性连接，以形成第一桥接结构。第一子透明电极区801的另一端直接与第一子阳极区901电性连接，第一子金属电极区61的另一端直接与第一子薄膜晶体管501电性连接，实现阳极与薄膜晶体管的电性连接。

在阳极和薄膜晶体管通过第二桥接结构电性连接的部分，第二子透明电极区802的一端与第二子金属电极区62的一端电性连接，以形成第二桥接结构。第二子透明电极区802的另一端与第二子阳极区902电性连接，第二子金属电极区62的另一端与第二子薄膜晶体管502电性连接，实现阳极与薄膜晶体管的电性连接。

由于第二绝缘层304采用无机材料绝缘层，且第二绝缘层304铺设于晶体管绝缘层2的上侧，则可对第二绝缘层304和晶体管绝缘层2同时进行蚀刻处理，以形成用于金属电极和薄膜晶体管电性连接的接触孔，能够减少一次蚀刻处理工艺，简化处理过程。

本实施例提供一种阵列基板制备方法，该制备方法包括：

S1、在基底层1的一侧形成薄膜晶体管，在基底层1的同一侧铺设晶体管绝缘层2，以使得薄膜晶体管嵌设于晶体管绝缘层2内。可以理解的是，形成晶体管绝缘层和薄膜晶体管，以及第一绝缘层和金属电极的方式，可采用目前常规的方式实现即可。

具体地，参见图1所示，以下仍以各层状物水平设置状态为例进行说明，在基底层1的上侧形成第一薄膜晶体管501、第二薄膜晶体管502、第三薄膜晶体管503等多个薄膜晶体管。然后，在基底层1的上侧铺设有源层201，以使得薄膜晶体管嵌设于有源层201内。

在有源层201的上侧形成第一栅极，在有源层201的上侧铺设第一栅极绝缘层202，以使第一栅极嵌设于第一栅极绝缘层内。同样地，第一栅极也可包括多个子栅极区。

在第一栅极绝缘层202的上侧形成第二栅极，在第一栅极绝缘层202的上侧铺设第二栅极绝缘层203，以使第二栅极嵌设于第二栅极绝缘层203内。同样地，第二栅极可包括多个子栅极区。其中，薄膜晶体管、各栅极(子栅极区)之间的设置和电性连接方式按照目前常规方式设置即可，此处不再赘述。可以理解的是，在基底层1上侧铺设晶体管绝缘层2时，可采用气相沉积或其他方法铺设，其他各层的铺设也可采用气相沉积法等方法铺设，只要能够使得各层之间紧密接触以相对固定即可。

对晶体管绝缘层2进行蚀刻处理或以其他处理方式，形成多个第一接触孔。可以理解的是，本发明中所涉及的接触孔的位置正位于薄膜晶体管以及所需与薄膜晶体管电性连接的电极之间，或位于所需电性连接的两个电极之间，只要能够满足相应的薄膜晶体管与电极，或电极间的连接即可。

S2、在晶体管绝缘层2的一侧形成金属电极，在晶体管绝缘层2的同一侧铺设第一绝缘层301，以使得金属电极嵌设于第一绝缘层301内。

具体地，在晶体管绝缘层2的上侧形成第一金属电极，并对第一金属电极进行蚀刻处理或其他处理方式图案化，形成A子金属电极区6011、B子金属电极区6012、C子金属电极区6013等多个子金属电极区。同时，由形成第一金属电极的材料填充上述第一接触孔，使第一金属电极的各子金属电极区与相应的子薄膜晶体管电性连接。

在晶体管绝缘层2的上侧铺设第一子绝缘层302，以使得第一金属电极嵌设于第一子绝缘层302内。其中，第一子绝缘层302为有机材料形成的有机材料绝缘层。对第一子绝缘层302以蚀刻处理或其他处理方式，形成多个第二接触孔。

在第一子绝缘层302的上侧形成第二金属电极，并对第二金属电极进行蚀刻处理或其他方式处理方式图案化，形成D子金属电极区6021、E子金属电极区6022、F子金属电极区6023等多个子金属电极区。同时，由形成第二金属电极的材料填充上述第二接触孔，使第一金属电极的各子金属电极区与第二金属电极的各子金属电极区对应地电性连接。

在第一子绝缘层302的上侧铺设第二子绝缘层303，以使得第二金属电极嵌设于第二子绝缘层303内。其中，第二子绝缘层303为无机材料形成的无机材料绝缘层。

S3、在第一绝缘层301的一侧形成第一透明电极7，在第一绝缘层301的同一侧铺设第二绝缘层304，以使得第一透明电极7嵌设于第二绝缘层304内；其中，第二绝缘层304为无机材料绝缘层。可以理解的是，沿竖直方向，第一透明电极7与各子薄膜晶体管的位置不在同一竖直方向上。第一透明电极7位于与摄像头正对应的区域内。

S4、在第二绝缘层304和第一绝缘层301上形成多个第三接触孔，第三接触孔贯穿第二绝缘层304或贯穿第一绝缘层301部分区域和第二绝缘层304。

具体地，根据阵列基板位于正对摄像头和显示区位置的不同，第三接触孔的形成也有所不同。在正对摄像头的区域，设置有第一透明电极7。对应第一透明电极7的位置，所形成的第三接触孔只需贯穿第二绝缘层304即可，在该区域可形成两个第三接触孔。在第一透明电极7之外的区域，所形成的第三接触孔贯穿第二绝缘层304和第二子绝缘层303。由于第二绝缘层304和第二子绝缘层303均为无机材料绝缘层，能够同时对第二绝缘层304和第二子绝缘层303进行蚀刻处理，以形成上述第三接触孔，能够减少蚀刻处理工艺步骤。

S5、在第二绝缘层304的一侧形成第二透明电极，形成第二透明电极的材料填充第三接触孔，以使第二透明电极与第一透明电极和金属电极中的至少一个电性连接。

具体地，所形成的第二透明电极可包括第一子透明电极区801、第二子透明电极区802、第三子透明电极区803和第四子透明电极区804等多个子透明电极区。由形成第二透明电极的材料填充上述多个第三接触孔，以使得第一子透明电极区801和第二子透明电极区802分别与第一透明电极7电性连接，第二子透明电极区802还与第一子金属电极区61电性连接，以形成第一桥接结构；另一子透明电极区与另一子金属电极区电性连接，以形成第二桥接结构，例如，第三子透明电极区803与第二子金属电极区62电性连接，形成一第二桥接结构。

S6、在第二绝缘层304的同一侧铺设平坦层4，以使第二透明电极嵌设于平坦层4内；在平坦层4上形成多个贯穿平坦层4的第四接触孔。

具体地，可对平坦层4进行蚀刻处理或其他处理方式，只要能形成多个第四接触孔即可。参见图1所示，作为其中一种具体的制备方法，在形成第二透明电极时，在第一子阳极区901与第一透明电极7之间的区域，设置有第一子透明电极区801，第一子透明电极区801与第一透明电极7的第二端电性连接。在形成阳极后，第一子阳极区901与第一子透明电极区801电性连接。

作为另一种具体的制备方法，参见图2所示，在形成第二透明电极时，在第一子阳极区901与第一透明电极7之间的区域，不设置第二透明电极的子透明电极区，即不设置第一子透明电极区801。在对平坦层4进行蚀刻处理时，对第二绝缘层304位于第一子阳极区901和第一透明电极7之间的区域也同时进行蚀刻处理，形成贯穿平坦层4和第二绝缘层304的第五接触孔。则在形成阳极时，并用形成阳极的材料填充各第五接触孔时，第一子阳极区901与第一透明电极7直接电性连接。采用该方法，不仅能够简化制备的工艺步骤，还能够简化基板结构。

S7、在平坦层4的一侧形成阳极，形成阳极的材料填充第四接触孔，以使阳极与第二透明电极电性连接。

具体地，所形成的阳极可包括第一子阳极区901、第二子阳极区902和第三子阳极区903等多个子阳极区。由所形成阳极的材料填充上述多个第四接触孔，以使各子阳极区与对应的子透明电极区电性连接。例如，第一子阳极区901与第一子透明电极区801电性连接，第二子阳极区902与第三子透明电极区803电性连接等。在阳极的上侧还可形成像素定义层10，在像素定义层10的上侧还可形成间隙支撑11等结构。

本实施例还提供一种制备方法，包括：

SS1、在基底层1的一侧形成薄膜晶体管，在基底层1的同一侧铺设晶体管绝缘层2，以使得薄膜晶体管嵌设于晶体管绝缘层2内。

同样地，以下仍以各层呈水平状态设置为例进行说明。参见图3所示，薄膜晶体管可包括第一子薄膜晶体管501、第二子薄膜晶体管502和第三子薄膜晶体管503等多个子薄膜晶体管。

SS2、在晶体管绝缘层2的一侧形成第一透明电极7，在晶体管绝缘层2的同一侧铺设第二绝缘层304，以使得第一透明电极7嵌设于第二绝缘层304内；其中，第二绝缘层304为无机材料绝缘层。

SS3、在第二绝缘层304和晶体管绝缘层2上形成多个第六接触孔，第六接触孔贯穿第二绝缘层304和晶体管绝缘层2，或者贯穿第二绝缘层304。

可以理解的是，沿竖直方向，第一透明电极7与各子薄膜晶体管的位置不在同一竖直方向上。第一透明电极7位于与摄像头正对应的区域内。由于晶体管绝缘层2和第二绝缘层304均为无机材料绝缘层，因此，可同时对晶体管绝缘层2和第二绝缘层304进行蚀刻处理，所形成的多个第六接触孔中的部分贯穿第二绝缘层304和晶体管绝缘层2，至少有一个第六接触孔仅只贯穿第二绝缘层304。

SS4、在第二绝缘层304的一侧形成金属电极，形成金属电极的材料填充第六接触孔，以使金属电极与第一透明电极7和薄膜晶体管中的至少一个电性连接。

具体地，第一透明电极7的第二端与第一子金属电极区61的一端电性连接，第一透明电极7的第一端与第二子金属电极区62的一端电性连接，第二子金属电极区62的另一端直接与第一子薄膜晶体管501电性连接。其他的子金属电极区与其他相应的字薄膜晶体管电性连接，例如，第二子金属电极区62与第二子薄膜晶体管502电性连接。

SS5、在第二绝缘层304的一侧铺设第一绝缘层301，以使金属电极嵌设于第一绝缘层301内，在第一绝缘层301上形成多个贯穿第一绝缘层301的第七接触孔。其中，第一绝缘层301为有机材料绝缘层，能够起到平整金属电极表面的作用。

SS6、在第一绝缘层301的一侧形成第二透明电极，由形成第二透明电极的材料填充第七接触孔，以使第二透明电极与金属电极电性连接；在第一绝缘层301的同一侧铺设平坦层4，以使第二透明电极嵌设于平坦层4内；

SS7、在平坦层4上形成多个贯穿平坦层4的第八接触孔；在平坦层4的一侧形成阳极，形成阳极的材料填充第八接触孔，在平坦层4的一侧形成阳极，形成阳极的材料填充第八接触孔，以使阳极与第二透明电极电性连接。

采用该制备方法，能够同时对第二绝缘层304与晶体管绝缘层2进行处理，以形成用于金属电极与薄膜晶体管电性连接的接触孔，能够减少处理步骤，且仅只采用一层金属电极即可，能够简化基板结构。

本发明的阵列基板及其制备方法，第二绝缘层采用无机材料绝缘层，第一绝缘层部分为有机材料绝缘层，另一部分为有机材料绝缘层或无机材料绝缘层，使得第二绝缘层与第一绝缘层的部分同时进行蚀刻处理或其他方式处理以形成用于第二透明电极和第一透明电极或金属电极电性连接的接触孔，或者，使得第二绝缘层和晶体管绝缘层同时进行蚀刻处理或其他方式处理以形成用于金属电极和薄膜晶体管电性连接的接触孔，能够减少工艺处理步骤，也能够简化第二透明电极的结构。

具体实施时，以上各个单元或结构可以作为独立的实体来实现，也可以进行任意组合，作为同一或若干个实体来实现，以上各个单元或结构的具体实施可参见前面的方法实施例，在此不再赘述。

以上各个操作的具体实施可参见前面的实施例，在此不再赘述。

本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括基底层、晶体管绝缘层、电极绝缘层、平坦层和阳极，所述基底层、所述晶体管绝缘层、所述电极绝缘层、所述平坦层和所述阳极沿垂直于所述基底层的方向顺序铺设；

所述晶体管绝缘层内嵌设有薄膜晶体管；所述电极绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层沿垂直于所述基底层的方向铺设，所述第一绝缘层至少有部分区域为有机材料绝缘层，所述第一绝缘层内嵌设有金属电极，所述第二绝缘层为无机材料绝缘层，所述第二绝缘层内嵌设有第一透明电极；所述平坦层内嵌设有第二透明电极；

所述阳极分别与第一桥接结构和第二桥接结构电性连接，所述第一桥接结构和所述第二桥接结构分别穿过所述第一绝缘层的部分区域和所述第二绝缘层以与所述薄膜晶体管电性连接，所述第一桥接结构包括相互电性连接的所述第一透明电极、所述第二透明电极和所述金属电极，所述第二桥接结构包括相互电性连接的所述第二透明电极和所述金属电极。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述晶体管绝缘层、所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述平坦层沿垂直于所述基底层的方向顺序铺设；

所述第一透明电极与所述第二透明电极电性连接，所述第二透明电极与所述金属电极电性连接，以形成所述第一桥接结构；

所述阳极与所述第一透明电极或所述第二透明电极电性连接，所述金属电极与所述薄膜晶体管电性连接。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层包括由有机材料形成的第一子绝缘层和由无机材料形成的第二子绝缘层；

所述晶体管绝缘层、所述第一子绝缘层、所述第二子绝缘层和所述第二绝缘层沿垂直于所述基底层的方向顺序铺设；

所述金属电极包括第一金属电极和第二金属电极，所述第一子绝缘层内嵌设有所述第一金属电极，所述第二子绝缘层内嵌设有所述第二金属电极；

所述第二金属电极与所述第二透明电极电性连接，所述第一金属电极与所述薄膜晶体管电性连接。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二透明电极包括多个子透明电极区；

所述第一透明电极与所述第二透明电极的其中一个子透明电极区电性连接，所述第二透明电极的所述子透明电极区与所述金属电极电性连接，以形成所述第一桥接结构；

所述阳极与所述第一透明电极电性连接，所述金属电极与所述薄膜晶体管电性连接。

5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二透明电极包括多个子透明电极区；

所述第一透明电极分别与所述第二透明电极的两个子透明电极区电性连接，所述两个子电极区的其中一个子透明电极区与所述金属电极电性连接，以形成所述第一桥接结构；

所述两个子透明电极区中的另一个子透明电极区与所述阳极电性连接，所述金属电极与所述薄膜晶体管电性连接。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述晶体管绝缘层、所述第二绝缘层、所述第一绝缘层和所述平坦层沿垂直于所述基底层的方向顺序铺设；

所述金属电极包括相互电性连接的多个子金属电极区；

所述第一透明电极分别与所述金属电极的两个子金属电极区电性连接，所述两个子金属电极区的其中一个子金属电极区与所述第二透明金属电性连接，以形成所述第一桥接结构；

所述第二透明电极与所述阳极电性连接，所述两个子金属电极区的另一个子金属电极区与所述薄膜晶体管电性连接。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，形成所述第二绝缘层的材料为SiNx、SiOx、SiOxNy等中的一种或多种。

8.一种阵列基板制备方法，其特征在于，包括：

在基底层的一侧形成薄膜晶体管，在所述基底层的同一侧铺设晶体管绝缘层，以使所述薄膜晶体管嵌设于所述晶体管绝缘层内；

在所述晶体管绝缘层的一侧形成金属电极，并使所述金属电极与所述薄膜晶体管电性连接；

在所述晶体管绝缘层的同一侧铺设第一绝缘层，以使所述金属电极嵌设于所述第一绝缘层内；

在所述第一绝缘层的一侧形成第一透明电极，在所述第一绝缘层的同一侧铺设第二绝缘层，以使得所述第一透明电极嵌设于所述第二绝缘层内；其中，所述第二绝缘层为无机材料绝缘层；

在所述第二绝缘层和所述第一绝缘层上形成多个第三接触孔，所述第三接触孔贯穿所述第二绝缘层或贯穿所述第一绝缘层部分区域和所述第二绝缘层；

在所述第二绝缘层的一侧形成第二透明电极，形成所述第二透明电极的材料填充所述第三接触孔，以使所述第二透明电极与所述第一透明电极和所述金属电极中的至少一个电性连接；

在所述第二绝缘层的同一侧铺设平坦层，以使所述第二透明电极嵌设于所述平坦层内；

在所述平坦层上形成多个贯穿所述平坦层的第四接触孔；

在所述平坦层的一侧形成阳极，形成所述阳极的材料填充所述第四接触孔，以使所述阳极与所述第二透明电极电性连接。

9.根据权利要求8所述的阵列基板制备方法，其特征在于，在所述第二绝缘层的一侧形成第二透明电极，形成所述第二透明电极的材料填充所述第三接触孔，以使所述第二透明电极与所述金属电极电性连接，或分别与所述第一透明电极和所述金属电极电性连接；

在所述第二绝缘层的同一侧铺设平坦层，以使所述第二透明电极嵌设于所述平坦层内；

在所述平坦层和所述第二绝缘层上形成多个贯穿所述平坦层的第四接触孔和至少一个贯穿所述平坦层和所述第二绝缘层的第五接触孔；

在所述平坦层的一侧形成阳极，形成所述阳极的材料填充所述第四接触孔和所述第五接触孔，以使所述阳极与所述第二透明电极或所述第一透明电极电性连接。

10.一种阵列基板制备方法，其特征在于，包括：

在基底层的一侧形成薄膜晶体管，在所述基底层的同一侧铺设晶体管绝缘层，以使得所述薄膜晶体管嵌设于所述晶体管绝缘层内；

在所述晶体管绝缘层的一侧形成第一透明电极，在所述晶体管绝缘层的同一侧铺设第二绝缘层，以使得所述第一透明电极嵌设于所述第二绝缘层内；其中，所述第二绝缘层为无机材料绝缘层；

对所述第二绝缘层和所述晶体管绝缘层上形成多个第六接触孔，所述第六接触孔贯穿所述第二绝缘层和所述晶体管绝缘层，或者，贯穿所述第二绝缘层；

在所述第二绝缘层的一侧形成金属电极，形成所述金属电极的材料填充所述第六接触孔，以使所述金属电极与所述第一透明电极和所述薄膜晶体管中的至少一个电性连接；

在所述第二绝缘层的一侧铺设第一绝缘层，以使所述金属电极嵌设于所述第一绝缘层内，在所述第一绝缘层上形成多个贯穿所述第一绝缘层的第七接触孔；

在所述第一绝缘层的一侧形成第二透明电极，由形成所述第二透明电极的材料填充所述第七接触孔，以使所述第二透明电极与所述金属电极电性连接；在所述第一绝缘层的同一侧铺设平坦层，以使所述第二透明电极嵌设于所述平坦层内；

在所述平坦层上形成多个贯穿所述平坦层的第八接触孔；

在所述平坦层的一侧形成阳极，形成所述阳极的材料填充所述第八接触孔，以使所述阳极与所述第二透明电极电性连接。

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