CN112686113B - 一种显示面板 - Google Patents

Abstract

本申请实施例公开了一种显示面板，包括：基板，其一侧表面设有至少一膜层；凹槽，设于所述基板上，且贯穿至少一所述膜层；指纹识别传感器，设于所述凹槽内；以及遮光结构，设于所述膜层内部，且围绕所述凹槽。

Description

一种显示面板

技术领域

本申请涉及LCD显示领域，具体涉及一种显示面板。

背景技术

指纹识别技术已广泛应用于中小尺寸的面板中，其中主要有电容式、超声波式和光学式等几种方式。目前较为成熟的方案为电容式指纹识别，其工作原理是利用硅晶元与导电的皮下电解液形成电场，指纹谷脊之间的高低不同导致二者之间的压差不同，从而实现准确的指纹测定。但是，对于电容式指纹识别，当手指湿的时候，其检测效果会显著变差。超声波指纹识别技术相较电容式指纹识别具有高穿透能力、更稳定和更精确等优点，但是其成本相对较高。光学指纹识别技术利用光的折射和反射原理，当光照射到手指上，被手指反射到感光sensor(传感器)上，由于指纹谷和脊对光的反射不同，sensor所接受到谷和脊的反射光强不同，然后再将光信号转换为电学信号，从而进行指纹识别。光学指纹识别技术稳定性较好，穿透能力强，造价成本相对较低。

在对现有技术的研究和实践过程中，本申请的发明人发现目前搭载光学指纹识别功能的手机或者平板均为自发光的OLED(有机发光半导体)屏幕。对于LCD(Liquid CrystalDisplay)屏幕的手机，由于受到背光，开口率等因素的限制，从而增加了在液晶屏幕内部集成光学指纹识别功能的难度。

发明内容

本申请实施例提供一种显示面板，可以解决现有技术中LCD显示面板内的杂散光造成指纹识别灵敏度降低的技术问题。

本申请实施例提供一种显示面板，包括：基板，其一侧表面设有至少一膜层；凹槽，设于所述基板上，且贯穿至少一所述膜层；指纹识别传感器，设于所述凹槽内；以及遮光结构，设于所述膜层内部，且围绕所述凹槽。

进一步的，所述指纹识别传感器包括电子传输层，设于所述凹槽底部；光感应层，设于所述电子传输层远离所述底部的一侧表面；以及空穴传输层，设于所述光感应层远离所述电子输出层的一侧表面。

进一步的，所述指纹识别传感器为NIP光电传感器。

进一步的，所述膜层包括遮光金属单元，设于所述基板的一侧表面；缓冲层，设于所述基板的一侧表面，且覆盖所述遮光金属单元；有源层，设于所述缓冲层远离所述基板的一侧表面，且对应所述遮光金属单元；第一绝缘层，设于所述缓冲层的一侧表面，且覆盖所述有源层；栅极层，设于所述第一绝缘层上，且对应所述有源层；介电层，设于所述第一绝缘层的一侧表面，接覆盖所述栅极层；源漏电极，设于所述介电层的一侧表面，且贯穿所述介电层和所述第一绝缘层，并连接至所述有源层；以及第二绝缘层，设于所述介电层的一侧表面，且覆盖所述源漏电极。

进一步的，所述凹槽贯穿所述第二绝缘层、所述介电层以及所述第一绝缘层，所述凹槽的底部与所述缓冲层远离所述基板的一侧表面平齐。

进一步的，所述显示面板还包括第一电极，设于所述第二绝缘层上，所述第一电极的第一端贯穿所述第二绝缘层且连接至所述源漏电极，另一端延伸至所述凹槽处，并覆盖所述凹槽的内侧壁以及底部。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一电极为透光电极，所述遮光结构设于所述缓冲层上，且围绕所述凹槽的侧壁。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一电极的材料为遮光材料，覆盖所述凹槽内侧壁以及底部的第一电极为所述遮光结构。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一电极为透光电极，所述遮光结构与所述源漏电极围成一个封闭图形，所述凹槽设于所述封闭图形内。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述显示面板还包括第三绝缘层，设于所述第二绝缘层的一侧表面，且覆盖所述第一电极以及所述指纹识别传感器；以及第二电极，设于所述第三绝缘层上，且对应所述凹槽位置，所述第二电极部分贯穿所述第三绝缘层并连接至所述指纹识别传感器。

本申请实施例采用的显示面板为LCD面板，指纹识别传感器设于彩膜基板或阵列基板内部，为了增加指纹识别传感器的光线透过率，在彩膜基板内或阵列基板内部设置若干凹槽，用以容纳指纹识别传感器，覆盖凹槽内侧壁和底部的第一电极采用不透光金属材料，这样可以有效遮蔽射向凹槽底部和侧壁的杂散光，避免杂散光射向指纹识别传感器，降低光学噪声，提升指纹识别传感器的识别灵敏度，或者在凹槽周围设置一圈遮光结构，遮光结构用以遮挡从凹槽外侧面射向凹槽内部的杂散光，提升指纹识别传感器的识别灵敏度。同时由于凹槽边侧的源漏电极为不透光金属材料，故遮光结构可以与源漏电极部分重叠，即遮光结构可以和源漏电极围成封闭图形，从而遮挡从凹槽外侧面射向凹槽内部的杂散光，提升指纹识别传感器的识别灵敏度。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例一提供的显示面板结构示意图；

图2是本申请实施例一提供的阵列基板结构示意图；

图3是本申请实施例二提供的显示面板结构示意图；

图4是本申请实施例二提供的制备遮光金属层示意图；；

图5是本申请实施例二提供的制备缓冲层示意图；

图6是本申请实施例二提供的制备有源层示意图；

图7是本申请实施例二提供的制备栅极层示意图；

图8是本申请实施例二提供的制备凹槽示意图；

图9是本申请实施例二提供的制备遮光结构示意图；

图10是本申请实施例二提供的制备第一电极示意图；

图11是本申请实施例二提供的制备指纹识别传感器示意图；

图12是本申请实施例二提供的制备第三绝缘层示意图；

图13是本申请实施例二提供的彩膜基板结构示意图；

图14是本申请实施例二提供的遮光结构和凹槽平面图；

图15是本申请另一实施例提供的遮光结构和凹槽平面图；

图16是本申请实施例三提供的制备凹槽示意图；

图17是本申请实施例三提供的彩膜基板结构示意图。

附图标记说明：

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。

本申请实施例提供一种显示面板。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。

实施例一、

如图1和图2所示，本实施例中，本发明的显示面板1包括阵列基板100、彩膜基板200、背光模组300以及指纹识别传感器400。

显示面板1包括一出光侧11，使用者在进行指纹识别时，需要将手指贴近出光侧11，利用光的折射和反射原理，当光照射到手指上，被手指反射到指纹识别传感器400上，由于指纹中的谷和脊对光的反射不同，指纹识别传感器400接受到谷和脊的反射光强不同，通过将光信号转换为电学信号，从而进行指纹识别。

本实施例中，阵列基板100和彩膜基板200相对设置，背光模组300设于所述彩膜基板200远离阵列基板100的一侧。阵列基板100远离彩膜基板200的一侧为出光侧11，指纹识别传感器400设于所述阵列基板100内。

阵列基板100包括基板110,基板110上设有若干指纹驱动单元101，每一指纹驱动单元101对应一指纹识别传感器400。

阵列基板100还包括遮光金属单元120、缓冲层130、有源层140、第一绝缘层150、栅极层160、介电层170、源漏电极180以及第二绝缘层190。

其中，每一遮光金属单元120、有源层140、栅极层160以及源漏电极180形成一指纹驱动单元101，指纹驱动单元101用以驱动所述指纹识别传感器400。

基板110为硬质基板，一般为玻璃基板，起到支撑作用及衬底作用。

遮光金属单元120设于基板110的上表面，遮光金属单元120的材质为遮光材料，所述遮光材料为金属，包括：钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，或者是合金，遮光金属单元120的厚度为500埃米～2000埃米，遮光金属单元120起到遮光作用。

缓冲层130设于遮光金属单元120及基板110的上表面，起到缓冲的作用，缓冲层130的材质为无机材料，所述无机材料包括硅的氧化物或硅的氮化物，或是多层结构，缓冲层130的厚度为1000埃米～5000埃米。

有源层140设于缓冲层130的上表面，有源层140的材质为半导体材料，所述半导体材料包括铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓钛氧化物(IZTO)，铟镓锌钛氧化物(IGZTO)，有源层140的厚度为100埃米～1000埃米。有源层140设于遮光金属单元120的上方，即有源层140与遮光金属单元120相对设置，有源层140给显示面板提供电路支持。

有源层140包括导体化区域和非导体化区域，其中，所述导体化区域围绕所述非导体化区域。

第一绝缘层150设于有源层140的上表面，第一绝缘层150的材质为无机材料，所述无机材料包括硅的氧化物或硅的氮化物或是多层薄膜结构，第一绝缘层150的厚度为1000埃米～3000埃米。第一绝缘层150与有源层140相对设置，第一绝缘层150起到绝缘的作用，防止显示面板1内部的各线路之间短路。

栅极层160设于第一绝缘层150的上表面，栅极层160的材质为金属材料，所述金属材料包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，或者是合金，或者是多层薄膜结构。栅极层160的厚度为2000埃米～8000埃米。且栅极层160对应所述导体化区域。

介电层170设于栅极层160和第一绝缘层150的上表面，介电层170为层间绝缘层，介电层170的材质为为无机材料，所述无机材料包括硅的氧化物或硅的氮化物或是多层薄膜结构，起到绝缘作用，防止电路短路。介电层170的厚度为2000埃米～10000埃米。在有源层140及遮光单元120的上方设有通孔，所述通孔便于源漏电极180与有源层140之间的电性连接。

源漏电极180设于介电层170的上表面，源漏电极180的材质包括金属材料，所述金属材料包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，或者是合金，或者是多层薄膜结构。部分金属材料设于所述通孔内，源漏电极180通过所述通孔电连接至有源层140，形成电路导通。源漏电极180的厚度为2000埃米～8000埃米。

第二绝缘层190设于介电层170和源漏电极180的上表面，第二绝缘层190的材质包括硅的氧化物材料，第二绝缘层190的厚度为1000埃米～5000埃米。第二绝缘层190起到绝缘作用及隔绝外界水氧的作用。

在阵列基板100上设有若干凹槽401，凹槽401设于指纹驱动单元101边侧，每一凹槽401对应一指纹驱动单元101。

具体的，凹槽401贯穿第二绝缘层190、介电层170以及第一绝缘层150，凹槽401的底部与缓冲层120远离基板110的一侧表面平齐。凹槽401的开口所在平面与第二绝缘层190远离介电层170的一侧表面平齐。且凹槽401的所述开口朝向出光侧11。

第一电极191设于第二绝缘层190的上表面，其一端贯穿第二绝缘层190并连接至源漏电极180，另一端延伸至凹槽401开口边缘处，并覆盖凹槽401的内侧壁和底部。

指纹识别传感器400设于凹槽410内部，由于第一电极191覆盖凹槽401的内侧面和底部，故指纹识别传感器400能够与第一电极191电导通。

指纹识别传感器400包括电子传输层410、光感应层420以及空穴传输层430,电子传输层410设于凹槽401的底部，其一侧表面与第一电极191电连接。

光感应层420设于电子传输层410远离第一电极191的一侧表面，空穴传输层430设于光感应层420远离电子传输层410的一侧，当指纹识别传感器400接收到手指反射的光后，将产生光电流，打开该凹槽401对应的指纹驱动单元101，并通过第一电极191对所述光电流进行读取识别，从而完成指纹识别过程。

由于显示面板1为LCD显示面板，包括背光模组300，背光模组300会持续的发光，若背光模组300发出的光线照向指纹识别传感器400，会影响指纹识别传感器400的灵敏度。

由于背光模组300设于彩膜基板200远离阵列基板100的一侧表面，故背光模组300射出的光线会穿过凹槽401的底部照向指纹识别传感器400，为了隔离背光模组300的光线，本实施例中，第一电极191采用遮光金属材料，由于第一电极191完全覆盖凹槽401的内侧壁和底部，故可以完美隔绝背光模组300照向指纹识别传感器400的光线，且第一电极191不会遮挡凹槽401开口处的光线，即第一电极191不会影响手指指纹反射的光线，不会影响指纹识别。

第三绝缘层192设于第二绝缘层190远离介电层170的一侧表面，第三绝缘层192覆盖第一电极192和指纹识别传感器400。

第三绝缘层192对应凹槽401的开口处设有第一通孔193，指纹识别传感器400远离基板110的一侧表面部分裸露于第一通孔193内。

第二电极194设于第三绝缘层192远离第二绝缘层190的一侧表面，且第二电极194对应凹槽401，第二电极194覆盖第一通孔193的内表面，并与连接至指纹识别传感器400。

第二电极194为透明电极，不会影响手指指纹反射的光线，不会影响指纹识别。

本实施例中的显示面板为LCD面板，其阵列基板的一侧为出光侧，指纹识别传感器设于阵列基板内部，为了增加指纹识别传感器的光线透过率，在阵列基板内设置若干凹槽，用以容纳指纹识别传感器，由于出光侧位于凹槽开口处，覆盖凹槽内侧壁和底部的第一电极采用不透光金属材料，这样可以有效遮蔽射向凹槽底部和侧壁的杂散光，避免杂散光射向指纹识别传感器，降低光学噪声，提升指纹识别传感器的识别灵敏度。

实施例二、

如图3和图13所示，本实施例中，本发明的显示面板1a包括阵列基板100a、彩膜基板200a、背光模组300a以及指纹识别传感器400a。

显示面板1a包括一出光侧11a，使用者在进行指纹识别时，需要将手指贴近出光侧11a，利用光的折射和反射原理，当光照射到手指上，被手指反射到指纹识别传感器400a上，由于指纹中的谷和脊对光的反射不同，指纹识别传感器400a接受到谷和脊的反射光强不同，通过将光信号转换为电学信号，从而进行指纹识别。

本实施例中，阵列基板100a和彩膜基板200a相对设置，背光模组300a设于所述阵列基板100a远离彩膜基板200a的一侧，彩膜基板200a远离阵列基板100a的一侧为出光侧11a，指纹识别传感器400a设于所述阵列基板100a内。

具体的，彩膜基板200a包括基板210，基板210上设有若干指纹驱动单元201，每一指纹驱动单元201对应一指纹识别传感器400a。

其中，指纹驱动单元201与实施例一中的阵列基板100上的指纹驱动单元101结构相同，其技术效果也相同。

彩膜基板200a还包括遮光金属单元220、缓冲层230、有源层240、第一绝缘层250、栅极层260、介电层270、源漏电极280以及第二绝缘层290。

在彩膜基板200a上设有若干凹槽401a，凹槽401a设于指纹驱动单元201边侧，每一凹槽401a对应一指纹驱动单元201。

不同点在于，当彩膜基板200a朝上时，凹槽401a的开口是背向出光侧11a的，即彩膜基板200a是被“反扣”在阵列基板100a上。

此时由于凹槽401a的底部是朝向出光侧11a的，故手指指纹反射的光线需要通过凹槽401a的底部射向指纹识别传感器400a。所以本实施例中的第一电极291不能采用遮光材料，需要采用透光材料，又由于缓冲层230、第一绝缘层250、介电层270以及第二绝缘层290为透光材料，为了避免非指纹反射光线从凹槽401a的侧面照向指纹识别传感器400a，从而造成指纹识别传感器400a的灵敏度降低。

如图14和15所示，本实施例中，在凹槽401a的外侧壁周围设置一圈遮光结构500，遮光结构500为封闭图形，所述封闭图形与指纹识别传感器400a的外轮廓相似，即所述封闭图形与凹槽401a的外轮廓相似。

遮光结构500的底端与凹槽401a的底部平齐，遮光结构500的顶端与指纹识别传感器400a的顶端平齐，即遮光结构500的高度大于或等于指纹识别传感器400a的厚度，从而使得遮光结构500能够遮蔽从凹槽401a外侧壁照向指纹识别传感器400a的光线。

为了更好的解释本发明，本实施例还提供了上述彩膜基板的制备方法，具体包括以下步骤：

S1)提供一基板。

S2)如图4所示，在所述基板的一侧表面制备若干遮光金属单元。

S3)如图5所示，在所述基板的一侧表面制备缓冲层，所述缓冲层覆盖所述遮光金属单元。

S4)如图6所示，在缓冲层制备一层单晶硅(a-Si)材料，通过准分子激光退火，将所述单晶硅材料转变为多晶硅(poly-Si)材料，并采用曝光蚀刻方法将所述多晶硅材料图案化形成有源层，每一有源层对应一遮光金属单元。在其他优选实施例中，可以直接在所述缓冲层上制备多晶硅材料或IGZO材料，无需进行激光退火工艺。

S5)对所述有源层进行磷离子掺杂工艺，在所述有源层边缘处形成N+掺杂区。

S6)沉积一层绝缘层材料，形成第一绝缘层，其中，所述第一绝缘层覆盖所述有源层。

S7)如图7所示，在所述第一绝缘层上制备若干栅极层，每一栅极层对应一有源层，利用所述栅极层遮挡，对所述有源层的非被遮挡区域进行N-离子植入。

S8)沉积一层介电层，所述介电层覆盖所述栅极层。

S9)如图8所示，在所述介电层和所述第一绝缘层上刻蚀若干孔，包括用以与有源层连接的第一过孔，用以制备挡墙结构的第二过孔，以及位于挡墙结构之间的凹槽。

S10)如图9所示，在所述介电层上制备源漏电极和挡墙结构，所述源漏电极填充所述第一过孔并连接至所述有源层的N+掺杂区，所述挡墙结构填充所述第二过孔，其中，所述第二过孔为一封闭的图形，故所述挡墙结构也围绕所述凹槽形成一封闭图形。

S11)沉积一层第二绝缘层，第二绝缘层覆盖所述源漏电极和所述挡墙结构，在第二绝缘层对应所述源漏电极和所述凹槽处开孔，使得所述源漏电极和所述凹槽被裸露出来。

S12)如图10所示，在所述第二绝缘层上制备第一电极，所述第一电极的一端连接至所述源漏电极，第一段延伸至所述凹槽边缘处，并覆盖所述凹槽的内侧壁和底部。

S13)如图11所示，在所述凹槽内制备指纹识别传感器，所述指纹识别传感器连接至所述第一电极。

S14)如图12所示，在所述第二绝缘层上制备第三绝缘层，第三绝缘层覆盖所述第一电极，在所述第三绝缘层对应所述凹槽处开设一通孔。

S15)在所述第三绝缘层上制备第二电极，第二电极对应所述凹槽，且连接至所述指纹识别传感器。

本实施例的有益效果在于，本实施例中的显示面板为LCD面板，其彩膜基板的一侧为出光侧，指纹识别传感器设于彩膜基板内部，为了增加指纹识别传感器的光线透过率，在彩膜基板内设置若干凹槽，用以容纳指纹识别传感器，并在凹槽周围设置一圈遮光结构，遮光结构用以遮挡从凹槽外侧面射向凹槽内部的杂散光，提升指纹识别传感器的识别灵敏度。

实施例三、

本实施例中的彩膜基板200b与实施例二中的彩膜基板200a结构大体相似，不同点在于，如图17所示，考虑到源漏电极280本身为遮光金属材料，且凹槽401a设于指纹驱动单元201边侧，即源漏电极280本身可以起到遮蔽一定光线的技术效果，故遮光结构500a可以和凹槽401a边侧的源漏电极280围成一封闭图形，所述封闭图形围绕凹槽401a，从而能够遮蔽凹槽401a外侧壁照向指纹识别传感器400a的光线。

且本实施例中的彩膜基板的制备方法与实施例二的彩膜基板的制备方法大体相似，但本实施例中的步骤S91)和S101)与实施例二中的步骤S9)和S10)不同。

S91)如图16所示，在所述介电层和所述第一绝缘层上刻蚀若干孔，包括用以与有源层连接的第一过孔，用以制备挡墙结构的第二过孔，以及位于挡墙结构之间的凹槽，其中，第二过孔与所述第一过孔部分重叠，第二过孔与所述第一过孔围成一封闭图形。

S101)在所述介电层上制备源漏电极和挡墙结构，所述源漏电极填充所述第一过孔281并连接至所述有源层的N+掺杂区，所述挡墙结构填充所述第二过孔282，挡墙结构与靠近凹槽一侧的源漏电极共同围成一封闭图形，从而节省了挡墙结构的材料，节约了成本。

本实施例中的显示面板由于凹槽边侧的源漏电极为不透光金属材料，故遮光结构可以与源漏电极部分重叠，即遮光结构可以和源漏电极围成封闭图形，从而遮挡从凹槽外侧面射向凹槽内部的杂散光，提升指纹识别传感器的识别灵敏度。

以上对本申请实施例所提供的一种显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (8)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括基板、以及设置于所述基板一侧表面的至少一膜层，所述膜层包括：

遮光金属单元，设于所述基板的一侧表面；

缓冲层，设于所述基板的一侧表面，且覆盖所述遮光金属单元；

有源层，设于所述缓冲层远离所述基板的一侧表面，且对应所述遮光金属单元；

第一绝缘层，设于所述缓冲层的一侧表面，且覆盖所述有源层；

栅极层，设于所述第一绝缘层上，且对应所述有源层；

介电层，设于所述第一绝缘层的一侧表面，且覆盖所述栅极层；

源漏电极，设于所述介电层的一侧表面，且贯穿所述介电层和所述第一绝缘层，并连接至所述有源层；以及

第二绝缘层，设于所述介电层的一侧表面，且覆盖所述源漏电极；

所述显示面板还包括：

凹槽，设于所述基板上，且贯穿至少一所述膜层；

第一电极，设于所述第二绝缘层上，所述第一电极的第一端贯穿所述第二绝缘层且连接至所述源漏电极，另一端延伸至所述凹槽处，并覆盖所述凹槽的内侧壁以及底部；

指纹识别传感器，设于所述凹槽内；以及

遮光结构，设于所述膜层内部，且围绕所述凹槽。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述指纹识别传感器包括电子传输层，设于所述凹槽底部；

光感应层，设于所述电子传输层远离所述底部的一侧表面；以及

空穴传输层，设于所述光感应层远离所述电子传输层的一侧表面。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述指纹识别传感器为NIP光电传感器。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

每一遮光金属单元、有源层、栅极层以及源漏电极形成一指纹驱动单元；

所述凹槽贯穿所述第二绝缘层、所述介电层以及所述第一绝缘层，所述凹槽的底部与所述缓冲层远离所述基板的一侧表面平齐；且每一凹槽设于一指纹驱动单元边侧。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述第一电极为透光电极，所述遮光结构设于所述缓冲层上，且围绕所述凹槽的侧壁。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述第一电极的材料为遮光材料，覆盖所述凹槽内侧壁以及底部的第一电极为所述遮光结构。

7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述第一电极为透光电极，所述遮光结构与所述源漏电极围成一个封闭图形，所述凹槽设于所述封闭图形内。

8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：

第三绝缘层，设于所述第二绝缘层的一侧表面，且覆盖所述第一电极以及所述指纹识别传感器；以及

第二电极，设于所述第三绝缘层上，且对应所述凹槽位置，所述第二电极部分贯穿所述第三绝缘层并连接至所述指纹识别传感器。