CN112670301A - 显示面板及其制作方法 - Google Patents

Abstract

一种显示面板及其制作方法，所述显示面板包括：沿第一方向依次层叠设置的衬底基板、遮光层、缓冲层、有源层、第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、第三绝缘层、第二金属层以及钝化层；所述缓冲层与所述第一绝缘层内均含有氧化硅材料；所述第二绝缘层采用氮氧化硅材料，所述第三绝缘层采用氧化硅材料；有益效果为：所述第一绝缘层中含有未键接氧(NBO，non bonding Oxide)为器件中不稳定的部分，会与空穴、电子结合，进而影响所述显示面板内薄膜晶体管器件的性能，而所述第二绝缘层中的氢H与未键接氧NBO结合后，使得所述显示面板内所述薄膜晶体管的性能更稳定。

Description

显示面板及其制作方法

技术领域

本申请涉及显示领域，特别是涉及一种显示面板及其制作方法。

背景技术

目前，顶栅型(top-gate)的薄膜晶体管(TFT)中，层间绝缘层(ILD层)多为氧化硅材质，当栅极绝缘层(GI层)或栅极绝缘层/有源层的界面存在NBO时，层间绝缘层无法起到减少NBO键的功能，不能改善薄膜晶体管的稳定性。

本次发明针对这一问题进行改善：层间绝缘层先沉积一层SiON，再沉积SiOx。因SiON中的H可与NBO键结，减少GI层和GI/有源层界面的缺陷，有效改善TFT的稳定性。

因此，现有的显示面板技术中，还存在着顶栅型的薄膜晶体管中，层间绝缘层采用氧化硅材质，当栅极绝缘层或是栅极绝缘层/有源层的界面存在NBO时，层间绝缘层无法起到减少NBO键的功能，造成薄膜晶体管的特性不稳定的问题，急需改进。

发明内容

本申请涉及一种显示面板及其制作方法，用于解决现有技术中存在着顶栅型的薄膜晶体管中，层间绝缘层采用氧化硅材质，当栅极绝缘层或是栅极绝缘层/有源层的界面存在NBO时，层间绝缘层无法起到减少NBO键的功能，造成薄膜晶体管的特性不稳定的问题。

为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：

本申请提供的一种显示面板所述显示面板包括：沿第一方向依次层叠设置的衬底基板、遮光层、缓冲层、有源层、第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、第三绝缘层、第二金属层以及钝化层；

所述缓冲层与所述第一绝缘层内均含有氧化硅材料；

所述第二绝缘层采用氮氧化硅材料，所述第三绝缘层采用氧化硅材料。

根据本申请提供的一种实施例，所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层沿所述第一方向的长度具有一定的预设长度。

根据本申请提供的一种实施例，所述第一绝缘层沿所述第一方向的预设长度范围为：800-3000A；所述第二绝缘层沿所述第一方向的预设长度范围为：100-3000A；所述第三绝缘层沿所述第一方向的预设长度范围为：500-5000A。

根据本申请提供的一种实施例，所述缓冲层的组成成分为一层氧化硅或是一层氮化硅与一层氧化硅的组合，所述缓冲层沿所述第一方向的长度L2具有一定的预设长度。

根据本申请提供的一种实施例，所述缓冲层沿所述第一方向的预设长度范围为：1000-5000A。

根据本申请提供的一种实施例，所述有源层的组成成分为铟镓锌氧化物IGZO、氧化铟锡锌ITZO、铟锌锡氧化物IZTO、铟镓锌钛氧化物IGZTO中的一种或是多种的组合，所述有源层沿所述第一方向的长度L3具有一定的预设长度。

根据本申请提供的一种实施例，所述有源层沿所述第一方向的预设长度范围为：50-1000A。

根据本申请提供的一种实施例，所述第一绝缘层与所述第一金属层沿第二方向的长度均小于所述有源层沿所述第二方向的长度。

根据本申请提供的一种实施例，所述第一金属层与所述第二金属层沿所述第一方向的长度均具有一定的预设长度，所述第一金属层与所述第二金属层沿所述第一方向的预设长度范围均为：1000-10000A。

本申请还提供一种显示面板的制作方法，该方法的步骤如下：

S10，提供衬底基板；

S20，在所述衬底基板一侧沉积遮光层，使得所述遮光层沿第一方向的预设长度范围为：500-2000A；

S30，在所述遮光层背离所述衬底基板一侧沉积缓冲层，使得所述缓冲层沿所述第一方向的预设长度范围为：1000-5000A；

S40，在所述缓冲层背离所述衬底基板的一侧沉积有源层，使得所述有源层沿所述第一方向的预设长度范围为：50-1000A；

S50，在所述有源层背离所述衬底基板一侧沉积第一绝缘层，使得所述第一绝缘层沿所述第一方向的预设长度范围为：800-3000A；

S60，在所述第一绝缘层背离所述衬底基板一侧沉积第一金属层，使得所述第一金属层沿所述第一方向的预设长度范围为：1000-10000A；

S70，对所述第一金属层进行湿法刻蚀，再利用所述第一金属层的自对准，蚀刻出所述第一绝缘层；

S80，采用等离子气体对所述有源层背离所述衬底基板一侧，未被所述第一绝缘层覆盖的位置进行氧化处理，形成N+导体区域，用于与所述第二金属层之间通过过孔电性连接；

S90，在所述第一金属层背离所述衬底基板一侧依次沉积第二绝缘层、第三绝缘层，使得所述第二绝缘层沿所述第一方向的预设长度范围为：100-3000A，所述第三绝缘层沿所述第一方向的预设长度范围为：500-5000A，并在所述第三绝缘层背离所述衬底基板一侧分别刻蚀出连接所述有源层与所述遮光层的过孔；

S100，在所述第三绝缘层背离所述衬底基板一侧沉积第二金属层，使得所述第二金属层沿所述第一方向的预设长度范围为：1000-10000A；

S110，最后再在所述第二金属层背离所述衬底基板一侧沉积钝化层，使得所述钝化层沿所述第一方向的预设厚度范围为：1000-50000A。

与现有技术相比，本申请提供的一种显示面板及其制作方法的有益效果为：

本申请提供的显示面板，所述显示面板包括：沿第一方向依次层叠设置的衬底基板、遮光层、缓冲层、有源层、第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、第三绝缘层、第二金属层以及钝化层；所述缓冲层与所述第一绝缘层内均含有氧化硅材料；所述第二绝缘层采用氮氧化硅材料，所述第三绝缘层采用氧化硅材料；所述第一绝缘层中含有未键接氧(NBO，non bonding Oxide)为器件中不稳定的部分，会与空穴、电子结合，进而影响所述显示面板内薄膜晶体管器件的性能，而所述第二绝缘层中的氢H与未键接氧NBO结合后，使得所述显示面板内所述薄膜晶体管的性能更稳定。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图。

图2为本申请实施例提供的显示面板制作方法的流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

本申请提供一种显示面板及其制作方法，具体参阅图1-图2。

目前，顶栅型(top-gate)的薄膜晶体管(TFT)中，层间绝缘层(ILD层)多为氧化硅材质，当栅极绝缘层(GI层)或栅极绝缘层/有源层的界面存在NBO时，层间绝缘层无法起到减少NBO键的功能，不能改善薄膜晶体管的稳定性。本次发明针对这一问题进行改善：层间绝缘层先沉积一层SiON，再沉积SiOx。因SiON中的H可与NBO键结，减少GI层和GI/有源层界面的缺陷，有效改善TFT的稳定性。因此，本申请提供一种显示面板及其制作方法用以解决上述问题。

参阅图1，本申请提供的一种显示面板的结构示意图。所述显示面板包括：沿第一方向(即竖直方向Y)依次层叠设置的衬底基板11、遮光层121、缓冲层12、有源层131、第一绝缘层132、第一金属层133、第二绝缘层13、第三绝缘层14、第二金属层15以及钝化层16；所述缓冲层12与所述第一绝缘层132内均含有氧化硅材料；所述第二绝缘层13采用氮氧化硅材料，所述第三绝缘层14采用氧化硅材料。

在本申请的一种实施例中，所述第一绝缘层132、所述第二绝缘层13和所述第三绝缘层14沿所述第一方向Y的长度具有一定的预设长度，进一步地，所述第一绝缘层132沿所述第一方向Y的预设长度范围为：800-3000A；所述第二绝缘层13沿所述第一方向Y的预设长度范围为：100-3000A；所述第三绝缘层14沿所述第一方向Y的预设长度范围为：500-5000A。

在本申请的一种实施例中，所述遮光层121的组成成分为：钼Mo，铝Al，铜Cu，钛Ti中任意一种或是多种组合的一层膜，或是双层膜，且所述缓冲层12沿所述第一方向Y的长度L1具有一定的预设长度。进一步地，所述遮光层121沿所述第一方向Y的预设长度范围为：500-2000A。

在本申请的一种实施例中，所述缓冲层12的组成成分为一层氧化硅或是一层氮化硅与一层氧化硅的组合，所述缓冲层12沿所述第一方向Y的长度L2具有一定的预设长度。进一步地，所述缓冲层12沿所述第一方向Y的预设长度范围为：1000-5000A。

在本申请的一种实施例中，所述有源层131的组成成分为铟镓锌氧化物IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide，铟镓锌氧化物)、氧化铟锡锌ITZO、铟锌锡氧化物IZTO、铟镓锌钛氧化物IGZTO(Indium Gallium Zinc Ti Oxide，铟镓锌钛氧化物)中的一种或是多种的组合，所述有源层131沿所述第一方向Y的长度L3具有一定的预设长度。进一步地，所述有源层131沿所述第一方向Y的预设长度范围为：50-1000A。

在本申请的一种实施例中，所述第一绝缘层132与所述第一金属层133沿第二方向X的长度均小于所述有源层131沿所述第二方向X的长度，所述第一方向Y垂直于所述第一方向X。

在本申请的一种实施例中，所述第一金属层133与所述第二金属层15的组成成分为钼Mo，铝Al，铜Cu，钛Ti中任意一种或是多种组合的一层膜，或是由多层钼Mo/铝Al/钼Mo、钼Mo/铜Cu、钛Ti/铜Cu的组合，且所述第一金属层133与所述第二金属层15沿所述第一方向Y的长度L4、L5均具有一定的预设长度。

在本申请的一种实施例中，所述第一金属层133与所述第二金属层15沿所述第一方向Y的预设长度范围均为：1000-10000A。

在本申请的一种实施例中，所述钝化层16采用氧化硅材料，所述钝化层16沿所述第一方向Y的长度L6具有一定的预设长度。进一步地，所述钝化层16沿所述第一方向Y的预设长度范围为：1000-5000A。

参阅图2，本申请还提供一种显示面板的制作方法，该方法的步骤如下：

S10，提供衬底基板11；

S20，在所述衬底基板11一侧沉积遮光层121，使得所述遮光层121沿第一方向Y的预设长度范围为：500-2000A；

S30，在所述遮光层121背离所述衬底基板11一侧沉积缓冲层12，使得所述缓冲层12沿所述第一方向Y的预设长度范围为：1000-5000A；

S40，在所述缓冲层12背离所述衬底基板11的一侧沉积有源层，使得所述有源层131沿所述第一方向Y的预设长度范围为：50-1000A；

S50，在所述有源层131背离所述衬底基板11一侧沉积第一绝缘层132，使得所述第一绝缘层132沿所述第一方向Y的预设长度范围为：800-3000A；

S60，在所述第一绝缘层132背离所述衬底基板11一侧沉积第一金属层133，使得所述第一金属层133沿所述第一方向Y的预设长度范围为：1000-10000A；

S70，对所述第一金属层133进行湿法刻蚀，再利用所述第一金属层133的自对准，蚀刻出所述第一绝缘层132；

S80，采用等离子气体对所述有源层131背离所述衬底基板11一侧，未被所述第一绝缘层132覆盖的位置进行氧化处理，形成N+导体区域，用于与所述第二金属层15之间通过过孔151、152电性连接；

S90，在所述第一金属层133背离所述衬底基板11一侧依次沉积第二绝缘层13、第三绝缘层14，使得所述第二绝缘层13沿所述第一方向Y的预设长度范围为：100-3000A，所述第三绝缘层14沿所述第一方向Y的预设长度范围为：500-5000A，并在所述第三绝缘层14背离所述衬底基板11一侧分别刻蚀出连接所述有源层131与所述遮光层121的过孔；

S100，在所述第三绝缘层14背离所述衬底基板11一侧沉积第二金属层15，使得所述第二金属层15沿所述第一方向Y的预设长度范围为：1000-10000A；

S110，最后再在所述第二金属层15背离所述衬底基板11一侧沉积钝化层16，使得所述钝化层16沿所述第一方向Y的预设厚度范围为：1000-50000A。

因此，本申请提供的一种显示面板及其制作方法的有益效果为：本申请提供的显示面板，所述显示面板包括：沿第一方向Y依次层叠设置的衬底基板11、遮光层121、缓冲层12、有源层131、第一绝缘层132、第一金属层133、第二绝缘层13、第三绝缘层14、第二金属层15以及钝化层16；所述缓冲层12与所述第一绝缘层132内均含有氧化硅材料；所述第二绝缘层13采用氮氧化硅材料，所述第三绝缘层14采用氧化硅材料；所述第一绝缘层132中含有未键接氧(NBO，non bonding Oxide)为器件中不稳定的部分，会与空穴、电子结合，进而影响所述显示面板内薄膜晶体管器件的性能，而所述第二绝缘层13中的氢H与未键接氧NBO结合后，使得所述显示面板内所述薄膜晶体管的性能更稳定。

以上对本申请实施例所提供的一显示面板及其制作方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：沿第一方向依次层叠设置的衬底基板、遮光层、缓冲层、有源层、第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、第三绝缘层、第二金属层以及钝化层；

所述缓冲层与所述第一绝缘层内均含有氧化硅材料；

所述第二绝缘层采用氮氧化硅材料，所述第三绝缘层采用氧化硅材料。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层沿所述第一方向的长度具有一定的预设长度。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一绝缘层沿所述第一方向的预设长度范围为：800-3000A；所述第二绝缘层沿所述第一方向的预设长度范围为：100-3000A；所述第三绝缘层沿所述第一方向的预设长度范围为：500-5000A。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述缓冲层的组成成分为一层氧化硅或是一层氮化硅与一层氧化硅的组合，所述缓冲层沿所述第一方向的长度L2具有一定的预设长度。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述缓冲层沿所述第一方向的预设长度范围为：1000-5000A。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述有源层的组成成分为铟镓锌氧化物IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide；铟镓锌氧化物)、氧化铟锡锌ITZO、铟锌锡氧化物IZTO、铟镓锌钛氧化物IGZTO(Indium Gallium Zinc Ti Oxide；铟镓锌钛氧化物)中的一种或是多种的组合，所述有源层沿所述第一方向的长度L3具有一定的预设长度。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述有源层沿所述第一方向的预设长度范围为：50-1000A。

8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一绝缘层与所述第一金属层沿第二方向的长度均小于所述有源层沿所述第二方向的长度。

9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属层与所述第二金属层沿所述第一方向的长度均具有一定的预设长度，所述第一金属层与所述第二金属层沿所述第一方向的预设长度范围均为：1000-10000A。

10.一种显示面板的制作方法，其特征在于，该方法的步骤如下：

S10，提供衬底基板；

S20，在所述衬底基板一侧沉积遮光层，使得所述遮光层沿第一方向的预设长度范围为：500-2000A；

S30，在所述遮光层背离所述衬底基板一侧沉积缓冲层，使得所述缓冲层沿所述第一方向的预设长度范围为：1000-5000A；

S40，在所述缓冲层背离所述衬底基板的一侧沉积有源层，使得所述有源层沿所述第一方向的预设长度范围为：50-1000A；

S50，在所述有源层背离所述衬底基板一侧沉积第一绝缘层，使得所述第一绝缘层沿所述第一方向的预设长度范围为：800-3000A；

S60，在所述第一绝缘层背离所述衬底基板一侧沉积第一金属层，使得所述第一金属层沿所述第一方向的预设长度范围为：1000-10000A；

S70，对所述第一金属层进行湿法刻蚀，再利用所述第一金属层的自对准，蚀刻出所述第一绝缘层；

S80，采用等离子气体对所述有源层背离所述衬底基板一侧，未被所述第一绝缘层覆盖的位置进行氧化处理，形成N+导体区域，用于与所述第二金属层之间通过过孔电性连接；

S90，在所述第一金属层背离所述衬底基板一侧依次沉积第二绝缘层、第三绝缘层，使得所述第二绝缘层沿所述第一方向的预设长度范围为：100-3000A，所述第三绝缘层沿所述第一方向的预设长度范围为：500-5000A，并在所述第三绝缘层背离所述衬底基板一侧分别刻蚀出连接所述有源层与所述遮光层的过孔；

S100，在所述第三绝缘层背离所述衬底基板一侧沉积第二金属层，使得所述第二金属层沿所述第一方向的预设长度范围为：1000-10000A；

S110，最后再在所述第二金属层背离所述衬底基板一侧沉积钝化层，使得所述钝化层沿所述第一方向的预设厚度范围为：1000-50000A。

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