CN112658489B - 清除极片活性物质的方法 - Google Patents

Abstract

本发明提出一种清除极片活性物质的方法，通过至少两次激光对极片在预清除区域的活性物质层作薄至预定厚度形成预留层，能有效减小光压，减小集流体损伤，提升清除精度和形成预留层的精度。再通过物理清除法清除预留层以露出极片在预清除区域的集流体，进一步减小集流体损伤，提高了产品良率。

Description

清除极片活性物质的方法

技术领域

本发明涉及电池领域，具体涉及一种清除极片活性物质的方法。

背景技术

在制备锂离子电池时，其制造工艺一般流程为：活性物质、粘结剂和导电剂等混合制备成活性物质浆料，然后将该浆料涂敷在铜材质或铝材质的集流体上，涂敷在集流体两面的活性物质浆料干燥之后，通过辊压压实活性物质层。极耳作为电芯的正负极引出件，需要和集流体接触，因此需要在极片上连接极耳的位置将活性物质层去除形成凹槽，然后将集流体露出来，便于极耳的设置以及和集流体接触。该凹槽用于容纳极耳，极耳是从电芯中将正负极引出来的金属导电体，对于焊接极耳来说，用于容纳极耳的凹槽是必不可少的。

目前，开设凹槽的方法主要包括发泡胶清除和激光清除。

发泡胶清除的方案为：在集流体涂覆活性物质之前，在极片预焊接极耳的位置设置发泡胶，然后通过在集流体及发泡胶上涂覆活性物质，通过将发泡胶及其上的活性物质去除，则在预焊接极耳的位置处形成凹槽。然而该方法需要用到发泡胶，发泡胶作为耗材，成本较高；另外，采用发泡胶形成的凹槽的公差也比较大。

激光清除的方案为：集流体涂覆活性物质形成极片后，通过激光照射在极片预焊接极耳的位置，去除该位置的活性物质形成凹槽。然而该激光清除活性物质的同时难免对集流体造成损伤，使得集流体氧化变脆。

发明内容

本发明旨在解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出一种减小集流体受到损伤的清除极片活性物质的方法。

本发明提出一种清除极片活性物质的方法，包括：

通过至少两次激光对极片在预清除区域的活性物质层作薄至预定厚度形成预留层；

通过物理清除法清除所述预留层以露出所述极片在所述预清除区域的集流体。

在一实施例中，所述通过至少两次激光对极片在预清除区域的活性物质层作薄至预定厚度形成预留层包括：

在每次激光对所述极片在所述预清除区域的所述活性物质层作薄前，获取所述活性物质层的剩余厚度 ；

根据所述剩余厚度和所述预定厚度及预定规则确定清除厚度，所述预定规则为：若T2＞2.5*T1，则T3≤T2-2*T1；若2*T1≤T2≤2.5*T1，则T3=T2-T1；其中，T1为所述预定厚度，T2为所述剩余厚度，T3为清除厚度；

根据所述清除厚度清除活性物质。

在一实施例中，所述根据所述剩余厚度和所述预定厚度及预定规则确定清除厚度包括：

所述清除厚度与所述活性物质层的剩余厚度正相关。

在一实施例中，所述根据所述清除厚度清除活性物质之后，还包括：

对所述预清除区域除尘。

在一实施例中，所述对所述极片除尘包括：

通过吸除法或者吹除法对所述预清除区域除尘。

在一实施例中，所述获取所述活性物质层的剩余厚度和预定厚度包括：

根据所述极片在所述预清除区域的灰度值估算所述极片在所述预清除区域的所述活性物质层的剩余厚度。

在一实施例中，所述预定厚度为15μm-25μm。

在一实施例中，所述通过物理清除法清除所述预留层以露出所述极片在所述预清除区域的集流体包括：

所述物理清除法为刷除法。

在一实施例中，所述通过物理清除法清除所述预留层以露出所述极片在所述预清除区域的集流体之后，还包括：

通过粘除法对所述集流体进行除尘。

在一实施例中，所述极片为正极片。

综上所述，本发明提供一种清除极片活性物质的方法，通过至少两次激光对极片在预清除区域的活性物质层作薄至预定厚度形成预留层，能有效减小光压，减小集流体损伤，提升清除精度和形成预留层的精度。再通过物理清除法清除预留层以露出极片在预清除区域的集流体，进一步减小集流体损伤，提高了产品良率。

附图说明

本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为本发明的清除极片活性物质的方法在一种实施方式的流程图；

图2为图1的实施方式中，第一次激光照射前的极片示意图；

图3为图1的实施方式中，第一次激光照射后的极片示意图；

图4为图1的实施方式中，第二次激光照射后的极片示意图；

图5为图1的实施方式中，通过物理清除法清除预留层后的极片示意图。

附图标记：

T1-预定厚度；

T2-预清除区域的活性物质层的剩余厚度、T21预清除区域的活性物质层的总厚度、T22-前一次激光清除后的预清除区域的活性物质层的厚度；

T3-清除厚度、T31-第一次激光的清除厚度、T32-第二次激光的清除厚度；

10-极片、11-预清除区域的活性物质层、13-集流体、15-预留层。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在详细描述实施例之前，应当理解的是，本发明不限于本申请中下文或附图中所描述的详细结构或元件排布。本发明可为其他方式实现的实施例。并且，应当理解，本文所使用的措辞及术语仅仅用作描述用途，不应作限定性解释。本文所使用的“包括”、“包含”、“具有”等类似措辞意为包含其后所列出之事项、其等同物及其它附加事项。特别是，当描述“一个某元件”时，本发明并不限定该元件的数量为一个，也可以包括多个。

在本发明中，通过至少两次激光对极片在预清除区域的活性物质层作薄至预定厚度形成预留层。

预清除区域根据需求选定，例如需要焊接极耳的区域。通过激光对极片在预清除区域的活性物质层作减薄处理，即通过激光照射预清除区域的活性物质层，活性物质颗粒受到激光能量激发产生膨胀，随着活性物质颗粒吸收的激光能量越多，活性物质激烈膨胀而克服粘附力，脱离活性物质层，甚至汽化、烧蚀，从而减小预清除区域活性物质层的厚度。具体地，越靠近外层的活性物质颗粒吸收的激光能量越多，激光能量越大，将激发越深处活性物质颗粒产生松动，甚至脱离活性物质层。

预定厚度为根据活性物质特性设置的，例如，正极活性物质为钴酸锂，钴酸锂为球形颗粒，钴酸锂的粒径为5μm-12μm，优选地，预定厚度为15μm-25μm，钴酸锂颗粒之间存在缝隙，预定厚度设置为15μm-25μm，可使得预留层存在至少两层钴酸锂层，远离集流体的钴酸锂层可大量覆盖靠近集流体的钴酸锂层中的缝隙，有效防止激光通过该缝隙照射集流体而造成集流体损伤，且易于清除。应当理解的是，预定厚度为15μm-25μm仅为本发明的一种实施方式，在其他实施方式中，可根据活性物质的特性进行调整，只要能通过预留层防止激光照射集流体造成集流体损伤即可，本发明对预定厚度的设置不作限定。

相较于仅通过一次激光将活性物质层作薄到预留层，本发明通过至少两次激光照射逐步清除活性物质，直至剩下的活性物质形成预定厚度的预留层。其一，能够减小激光的激光能量，减小光压，减小靠近集流体的活性物质颗粒对集流体产生压痕造成集流体损伤，亦防止靠近集流体的活性物质颗粒嵌入集流体而导致难以清除。其二，由于激光能量较小，即使少量激光透过活性物质颗粒之间的缝隙照射到集流体，亦不会造成严重损伤。其三，有效提升活性物质的清除精度和形成预留层的精度。

在一实施例中，在每次激光对极片在预清除区域的活性物质层作薄前，获得活性物质层的剩余厚度。剩余厚度为变值，剩余厚度为该次激光照射时活性物质层的厚度，即第一次激光照射时，剩余厚度为活性物质层的总厚度，其他次的激光照射时，剩余厚度为前一次激光清除后的活性物质层的厚度。

在本实施例中，在每次激光对极片在预清除区域的活性物质层作薄前，获取活性物质层的剩余厚度，根据活性物质层的剩余厚度、预定厚度及预定规则确定该次激光照射所需清除活性物质层的清除厚度，由清除厚度确定该次激光的激光能量，以该次激光照射活性物质层所清除的活性物质使活性物质层的厚度减少清除厚度的量。

具体地，预定规则为：若T2＞2.5*T1，则T3≤T2-2*T1；若2*T1≤T2≤2.5*T1，则T3=T2-T1；其中，T1为所述预定厚度，T2为所述剩余厚度，T3为清除厚度。

经过至少两次激光对活性物质层作薄后即形成预留层，若最后一次激光的激光能量过大，将破坏预留层，对集流体造成损伤。若最后一次激光的激光能量过小，无法使得预留层松动，难以通过物理清除法清除预留层。为了使得形成的预留层松动且其中的活性物质颗粒尚不会脱离极片，应限制最后一次激光使活性物质层减少的清除厚度为预定厚度的1至1.5倍，即若2*T1≤T2≤2.5*T1，则T3=T2-T1，T1≤T3≤1.5T1。对最后一次激光的激光能量进行限定，提升形成预留层的精度，而预留层中的活性物质颗粒不会脱离极片，并使得预留层松动，易于清除且有效保护集流体。

通过实时获取活性物质层的剩余厚度，若该次激光对极片在预清除区域的活性物质层作薄时，活性物质层的剩余厚度大于2.5倍的预定厚度，则控制该次激光的清除厚度，使该次激光作薄后的剩余厚度大于2倍的预定厚度，即若T2＞2.5*T1，则T3≤T2-2*T1。在本领域中，极片的活性物质层的总厚度一般都大于2.5倍的预定厚度（15μm至25μm），若活性物质层的剩余厚度小于2.5倍的预定厚度，即T2≤2.5*T1，根据之前激光作薄的清除厚度的限定（即若T2＞2.5*T1，则T3≤T2-2*T1），可保证活性物质层的剩余厚度大于或等于2倍的预定厚度，由此保证最后一次激光使活性物质层减少的清除厚度为预定厚度的1至1.5倍（即若2*T1≤T2≤2.5*T1，则T3=T2-T1，T1≤T3≤1.5T1），提升形成预留层的精度，并使得预留层松动，而预留层中的活性物质颗粒不会脱离，易于清除且有效保护集流体。

可仅通过一次激光对活性物质层作薄至剩余厚度在2至2.5倍的预定厚度之间，即若T2＞2.5*T1，则2*T1≤T3≤T2-2*T1,仅需两次激光即可实现将预清除区域的活性物质层作薄至预定厚度，在保证预留层不受破坏的基础上，尽可能多地清除活性物质，提升清除活性物质层的效率。应当理解的是，若T2＞2.5*T1，则2*T1≤T3≤T2-2*T1，这仅作为本发明的一种实施方式，若活性物质层的总厚度过大，仅通过一次激光对活性物质层作薄至剩余厚度在2至2.5倍的预定厚度之间，该次激光的激光能量过大，将产生较大的光压，进而使得集流体产生压痕，且部分靠近集流体的活性物质颗粒嵌入集流体内，导致预留层难以清除，在其他实施例中，采用至少两次的激光对极片在预清除区域的活性物质层作薄至剩余厚度在2至2.5倍的预定厚度之间，减小单次激光的激光能量，进而减小光压，减小集流体所受损伤，使得预留层更容易清除。本发明采用几次的激光对极片在预清除区域的活性物质层作薄至剩余厚度在2至2.5倍的预定厚度之间不作限定，只要通过至少两次激光对极片在预清除区域的活性物质层作薄至预定厚度形成预留层即可。

在本实施例中，根据极片在预清除区域的灰度值估算极片在预清除区域的活性物质层的剩余厚度。集流体为具有反光特性的金属（一般为铜或铝），在光源强度固定的前提下，极片的灰度值可反映活性物质层的厚度。例如，离线测试活性物质层的不同厚度与其对应的灰度值，并建立活性物质层的厚度与灰度的对应关系，在应用中采用灰度检测CCD采集活性物质层的当前灰度值，再根据离线获得的厚度与灰度的对应关系获得活性物质层的剩余厚度。应当理解的是，这仅作为本发明的一种实施方式，在其他实施例中，也可以通过其他方式获得活性物质层的剩余厚度，例如直接测量活性物质层的剩余厚度，本发明对确定活性物质层的剩余厚度的方式不作限定。

在本实施例中，清除厚度与活性物质层的剩余厚度呈正相关，即活性物质层的剩余厚度越大，该次激光设定的激光能量越大，随着逐次激光清除活性物质，活性物质层的剩余厚度越小，则所采用激光的激光能量越小。根据活性物质层的剩余厚度逐次减小而降低激光能量，可有效避免集流体损伤，有效保证形成预定厚度的预留层。

在本实施例中，在每次激光照射活性物质层进行活性物质清除后，活性物质由于汽化、烧蚀、膨胀脱离形成粉尘（飞尘或者浮尘），为了防止对极片的影响，优选地，在激光清除活性物质后，对预清除区域除尘，以保证下次激光清洗时不受粉尘的影响，进一步保证极片在预清除区域的活性物质清除效果。

进一步地，通过吸除法或者吹除法中的任一种方法对活性物质层进行除尘。吸除法和吹除法为通过空气流动带走空气中的飞尘或者落在极片上的浮尘，吸除法和吹除法均不会接触极片造成损伤，且能有效的除尘。应当理解的是，通过吸除法或者吹除法对活性物质层进行除尘均为本发明的一种实施方式，在其他实施例中，亦可通过其他除尘方式进行除尘，例如粘除法，本发明对此不作限定，只要能有效对活性物质层进行除尘即可。

优选地，上述极片为正极片。正极片的集流体通常为铝箔，活性物质材料为球形颗粒，例如钴酸锂；而负极片的集流体通常为铜箔，活性物质材料为片状结构，例如石墨。铝箔相较于铜箔熔点更低，铝箔容易被激光损伤，且正极活性物质颗粒之间难免存在缝隙，通过至少两次激光作薄，可减小单次激光的激光能量，精确控制预留层厚度，再结合物理清除法清除预留层，有效减少铝箔所受损伤，防止集流体大面积氧化变脆。而负极片的铜箔对激光具有更好的耐受性，且片状结构的石墨能有效阻挡激光对负极片的直接照射，为提高生产效率，无需结合物理清除法，可直接通过激光对负极片进行负极活性物质清除。应当理解的是，极片为正极片仅作为本发明的一种实施方式，负极片采用本发明的方法依然能够进一步避免集流体所受损伤，保证清洗后集流体的质量，本发明对此不作限定。

在本发明中，通过至少两次激光对极片在预清除区域的活性物质层作薄至预定厚度T1形成预留层后，通过物理清除法清除预留层以露出极片在预清除区域的集流体。

可通过例如刷除、刮除、擦除、粘除等物理清除法清除预留层露出集流体。相较于采用激光清除预留层，通过物理清除法清除预留层不会损伤集流体，且由于活性物质层受到激光能量激发而产生膨胀，预留层产生松动，通过物理清除法可轻松清除预留层。优选地，通过刷除法清除预留层露出集流体，毛刷较软，对集流体的伤害更小，清除更彻底，残留物少。

作为本发明的进一步改进，在通过物理清除法清除活性物质层以露出预清除区域的集流体之后，通过吸除法、吹除法或者粘除法中的任一种方法对极片进行除尘，吸除法和吹除法为通过空气流动带走空气中的飞尘或者落在极片上的浮尘，吸除法和吹除法均不会接触极片造成损伤，且能有效的除尘。而对于预清除区域，优选采用粘除法，采用粘除法能更彻底地清除集流体上的残留物，若预清除区域用于后续焊接极耳，可提升焊接质量。

综上，本申请采用至少两次激光作薄和物理清除法相结合的方式，一方面可以快速清除预清除区域的活性物质层，另一方面又可以避免伤害集流体。提升了加工精度，加快了生产节拍，提高了产品良率。

结合图1至图5，对本发明的清除极片活性物质的方法的一种实施方式进行说明，具体步骤如下。

S101：根据需求，在极片10上选定预清除区域，设定预定厚度T1。

在本实施例中，预定厚度T1为15μm-25μm，限定预留层15的预定厚度T1在15μm-25μm之间，能有效防止激光照射集流体13而造成集流体13损伤，且预留层15易于清除。

S102：测量极片10在预清除区域的活性物质层11的剩余厚度T2。

在本实施例中，根据极片10在预清除区域的灰度值估算极片10在预清除区域的活性物质层11的剩余厚度T2，此时，活性物质层11未受任何一次激光照射，故剩余厚度T2即为活性物质层11的总厚度T21。集流体13为具有反光特性的金属（一般为铜或铝），极片10的灰度值随着活性物质层11的厚度的变化而变化，可通过极片10的灰度值反映活性物质层11的厚度。例如，离线测试活性物质层的不同厚度与其对应的灰度值，并建立活性物质层的厚度与灰度值的对应关系，在应用中采用灰度检测CCD采集活性物质层11的灰度值，再根据离线获得的厚度与灰度值的对应关系获得活性物质层11的总厚度T21。应当理解的是，这仅作为本发明的一种实施方式，在其他实施例中，也可以通过其他方式获得活性物质层11的厚度信息，例如直接测量活性物质层11的厚度，本发明对确定活性物质层11的总厚度T21的方式不作限定。

S103：根据极片10在预清除区域的活性物质层11的剩余厚度T2（总厚度T21）和预定厚度T1及预定规则确定第一次激光的清除厚度T31，根据第一次激光的清除厚度T31设定第一次激光的激光能量。

第一次激光的清除厚度T31可以尽可能的大，但是应保障预留层15的质量，有效地保护集流体13。在本实施例中，活性物质层的总厚度T21大于2.5倍的预定厚度T1，通过两次激光对极片10在预清除区域的活性物质层11作薄至预定厚度T1形成预留层15，应使第一次激光清除后的活性物质层厚度T22为预定厚度T1的2倍至2.5倍，则T31≥T21-2.5*T1,且T31≤T21-2*T1。应当理解的是，为了提升清除极片活性物质的效率，仅采用两次激光对活性物质层11作薄至预定厚度T1，使得T31≥T21-2.5*T1,且T31≤T21-2*T1，但是这仅作为本发明的一种实施方式，较大的激光能量会存在较大的光压且控制精度差，在其他实施例中，可采用两次以上的激光对极片在预清除区域的活性物质层进行清除，第一次激光的清除厚度T31＜T21-2.5T1亦可，本发明对此不作限定。

S104：通过第一次激光照射极片10在预清除区域的活性物质层11对其进行作薄处理。

根据预使得极片10在预清除区域的活性物质层11在第一次激光照射中减少的清除厚度T31设定第一次激光，使得第一次激光输出的激光能量在一定时间内去除极片10在预清除区域的活性物质层11中清除厚度T31的活性物质。

S105：测量极片10在预清除区域的活性物质层11的剩余厚度T2。

该步骤中，剩余厚度T2为第一次激光清除后的活性物质层厚度T22=T21-T31。优选地，在第一次激光清除活性物质后，对极片10除尘，既可防止粉尘对极片质量造成影响，亦可提升对剩余厚度T2的测量精度。

S106：根据极片10在预清除区域的活性物质层11的剩余厚度T2（第一次激光清除后的活性物质层厚度T22）和预定厚度T1确定第二次激光的清除厚度T32，根据第二次激光的清除厚度T32设定第二次激光的激光能量。

在本实施例中，最后一次激光使活性物质层11减少的清除厚度为预定厚度T1的1至1.5倍，可提升形成预留层15的精度，并使得预留层15松动，而预留层15中的活性物质颗粒不会脱离，易于清除且有效保护集流体13。由于T22-T1≤1.5*T1，且T22-T1≥T1，通过第二次激光即可将活性物质层11作薄至预定厚度T1形成预留层15，则第二次激光为最后一次激光，第二次激光的清除厚度T32为预定厚度T1的1至1.5倍。

S107：通过第二次激光照射极片10在预清除区域的活性物质层11对其进行作薄至预定厚度T1形成预留层15。

相似地，根据第二次激光的清除厚度T32设定第二次激光。

S108：通过刷除法清除预留层15以露出集流体13。

在本实施例中，采用毛刷将预留层15刷除，相较于直接采用激光清除预留层15，通过毛刷清除预留层15不会损伤集流体13，且由于预留层15的活性物质受到激光能量激发而产生膨胀，预留层15产生松动，通过毛刷可轻松清除预留层15，清除更彻底，残留物少。再通过粘除法能更彻底地清除集流体13上的残留物，可提升后续极耳焊接的质量。

综上所述，本发明提供一种清除极片活性物质的方法，通过至少两次激光对极片在预清除区域的活性物质层作薄至预定厚度形成预留层，能有效减小光压，减小集流体损伤，提升清除精度和形成预留层的精度。再通过物理清除法清除预留层以露出极片在预清除区域的集流体，进一步减小集流体损伤，提高了产品良率。

本文所描述的概念在不偏离其精神和特性的情况下可以实施成其它形式。所公开的具体实施例应被视为例示性而不是限制性。因此，本发明的范围是由所附的权利要求，而不是根据之前的这些描述进行确定。在权利要求的字面意义及等同范围内的任何改变都应属于这些权利要求的范围。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、 “示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (8)

1.一种清除极片活性物质的方法，其特征在于，包括：

通过至少两次激光对极片在预清除区域的活性物质层作薄至预定厚度形成预留层；

通过物理清除法清除所述预留层以露出所述极片在所述预清除区域的集流体；

其中所述通过至少两次激光对极片在预清除区域的活性物质层作薄至预定厚度形成预留层包括：

在每次激光对所述极片在所述预清除区域的所述活性物质层作薄前，获取所述活性物质层的剩余厚度；

根据所述剩余厚度和所述预定厚度及预定规则确定清除厚度；

根据所述清除厚度清除活性物质；

且所述预定规则为：若T2＞2.5*T1，则T3≤T2-2*T1；若2*T1≤T2≤2.5*T1，则T3＝T2-T1，使得最后一次激光使所述活性物质层减少的所述清除厚度为所述预定厚度的1至1.5倍,其中，T1为所述预定厚度，T2为所述剩余厚度，T3为所述清除厚度；

所述预定厚度为15μm-25μm。

2.如权利要求1所述的清除极片活性物质的方法，其特征在于，所述根据所述剩余厚度和所述预定厚度及预定规则确定清除厚度包括：

所述清除厚度与所述活性物质层的剩余厚度正相关。

3.如权利要求1所述的清除极片活性物质的方法，其特征在于，所述根据所述清除厚度清除活性物质之后，还包括：

对所述预清除区域除尘。

4.如权利要求3所述的清除极片活性物质的方法，其特征在于，所述对所述极片除尘包括：

通过吸除法或者吹除法对所述预清除区域除尘。

5.如权利要求1所述的清除极片活性物质的方法，其特征在于，所述获取所述活性物质层的剩余厚度和预定厚度包括：

根据所述极片在所述预清除区域的灰度值估算所述极片在所述预清除区域的所述活性物质层的剩余厚度。

6.如权利要求1所述的清除极片活性物质的方法，其特征在于，所述通过物理清除法清除所述预留层以露出所述极片在所述预清除区域的集流体包括：

所述物理清除法为刷除法。

7.如权利要求1所述的清除极片活性物质的方法，其特征在于，所述通过物理清除法清除所述预留层以露出所述极片在所述预清除区域的集流体之后，还包括：

通过粘除法对所述集流体进行除尘。

8.如权利要求1-7中任一项所述的清除极片活性物质的方法，其特征在于，所述极片为正极片。

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