CN112635693A - 一种阵列基板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例公开了一种阵列基板及其制备方法，阵列基板包括衬底基板；若干薄膜晶体管单元，间隔设于所述衬底基板的一侧表面；若干发光单元，每一发光单元对应并连接至一薄膜晶体管单元；若干辅助电极，设于两个所述发光单元之间；阴极，设于所述发光单元远离所述薄膜晶体管单元的一侧表面，且连接所述辅助电极。本申请实施例的有益效果在于，纵横交错的辅助电极能够传输阵列基板边缘处输入的电信号，阴极通过分散在辅助电极各区域的通孔连接，使得各区域的阴极连接的电信号相同或趋于一致，有效降低电阻压降，阴极通过辅助电极传输电信号，所以阴极的厚度可以进一步减薄，从而提升了阵列基板的出光效果。

Description

一种阵列基板及其制备方法
技术领域
本申请涉及OLED领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法。
背景技术
随着OLED技术的发展，器件开发的路线逐渐趋于明朗，有机发光二极管显示面板包括阵列分布的薄膜晶体管和发光单元。发光单元两侧设有阳极层和因基层，所述阳极层包括多个阳极，所述阳极与所述薄膜晶体管的漏极一一对应连接。阴极设于发光单元远离薄膜晶体管的一侧表面，在对现有技术的研究和实践过程中，本申请的发明人发现，为保证出光强度，阴极厚度需要控制在几十纳米范围内，这会导致单位面积的阴极电极较高，由于阴极是通过面板四周给电，从而导致面板四周和中心流过器件电流不一致，面板电阻压降(IR-Drop)严重，特别在大尺寸中更是没法避免，从而降低显示面板的画面质量。
发明内容
本申请实施例提供了一种阵列基板及其制备方法，可以解决现有技术中，采用阴极直接接通电源，从而使得显示面板四周和中心的电流不一致，导致显示面板压降严重的技术问题。
本申请实施例提供了一种阵列基板，包括：衬底基板；若干薄膜晶体管单元，间隔设于所述衬底基板的一侧表面；若干发光单元，每一发光单元对应并连接至一薄膜晶体管单元；若干辅助电极，设于两个所述发光单元之间；阴极，设于所述发光单元远离所述薄膜晶体管单元的一侧表面，且连接所述辅助电极。
可选的，在本申请的一些实施例中，阵列基板还包括阳极，所述阳极连接至对应的薄膜晶体管单元，所述发光单元设于所述阳极上。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述辅助电极与所述阳极同层设置，且与所述阳极绝缘。
可选的，在本申请的一些实施例中，阵列基板还包括像素定义层，覆盖所述阳极和所述辅助电极，其中，所述像素定义层对应所述阳极设有第一通孔，所述第一通孔用以容纳所述发光单元；所述像素定义层对应所述辅助电极设有第二通孔，所述第二通孔用以给所述阴极提供通道。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述辅助电极纵横交错分布，包括若干交叉重叠区，第二通孔对应所述交叉重叠区。
可选的，在本申请的一些实施例中，阵列基板还包括绝缘层，设于所述薄膜晶体管单元与所述发光单元之间，所述发光单元贯穿所述绝缘层并连接至所述薄膜晶体管单元。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述辅助电极的一端或两端连接至一覆晶薄膜。
相应的，本申请实施例还提供所述阵列基板的制备方法，包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上制备若干薄膜晶体管单元；在所述薄膜晶体管单元上制备若干发光单元，每一发光单元对应并连接至一薄膜晶体管单元；在所述薄膜晶体管单元上制备若干辅助电极，每一辅助电极设于相邻两个发光单元之间；在所述发光单元远离所述薄膜晶体管单元的一侧表面制备阴极，所述阴极连接至所述发光单元和所述辅助电极。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述制备方法具体包括：在衬底基板上制备若干薄膜晶体管单元；在所述薄膜晶体管单元上制备绝缘层；在所述绝缘层上制备阳极和辅助电极，所述阳极和所述辅助电极间隔设置；在所述绝缘层上制备像素定义层，所述像素定义层覆盖所述阳极和所述辅助电极；在所述像素定义层上刻蚀若干第一通孔和若干第二通孔，其中，所述第一通孔对应所述阳极，所述第二通孔对应所述辅助电极；在所述第一通孔内制备发光单元，所述发光单元连接至所述阳极；在所述像素定义层远离所述绝缘层的一侧表面制备阴极，所述阴极覆盖所述第一通孔的内侧壁并连接至所述发光单元，所述阴极覆盖所述第二通孔内侧壁并连接至所述辅助电极。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述辅助电极和所述阳极采用同一光罩同时形成。
本申请实施例中的阵列基板及其制备方法中，纵横交错的辅助电极能够传输阵列基板边缘处输入的电信号，阴极通过分散在辅助电极各区域的通孔连接，使得各区域的阴极连接的电信号相同或趋于一致，有效降低电阻压降，同时由于阴极通过辅助电极传输电信号，故阴极本身的电阻对其传输的电流影响不大，所以阴极的厚度可以进一步减薄，从而提升了阵列基板的出光效果，同时阴极和辅助电极采用同一光罩同时制备成型，简化了制备流程，节约了制备成本。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的阵列基板结构示意图；
图2是本申请实施例提供的像素定义层凹槽结构示意图；
图3是相关技术中的阴极电路示意图；
图4是本申请实施例提供的辅助电极电路示意图；
图5是本申请实施例提供的绝缘层结构示意图；
图6是本申请实施例提供的导电材料结构示意图；
图7是本申请实施例提供的辅助电极和阳极结构示意图；
图8是本申请实施例提供的像素定义层结构示意图；
图9是本申请实施例提供的发光单元结构示意图。
附图标记说明：
衬底基板100； 薄膜晶体管单元200；
绝缘层300； 阳极400；
辅助电极500、500a； 像素定义层600；
发光单元700； 阴极800、800a；
细长条状电极501； 重叠区502；
第一通孔601； 第二通孔602。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法。以下进行详细说明。
实施例
如图1所示，本实施例中，本发明的阵列基板包括衬底基板100、薄膜晶体管单元200、绝缘层300、阳极400、辅助电极500、像素定义层600、发光单元700以及阴极800。
衬底基板100为硬质基板，一般为玻璃基板，起到支撑作用及衬底作用。
薄膜晶体管单元200设于所述衬底基板100的一侧表面，薄膜晶体管单元200(Thin-film transistor，TFT)是场效应晶体管的种类之一，薄膜晶体管单元200起到单个开关的作用，可以主动驱动每个发光单元400，从而精准控制单颗发光单元200的明暗开合。
绝缘层300设于薄膜晶体管单元200远离衬底基板100的一侧，相邻薄膜晶体管单元200之间以及薄膜晶体管单元200中各部件之间也设有绝缘层，用以防止薄膜晶体管单元200内部或相邻薄膜晶体管单元200发生短路现象。
阳极400设于所述绝缘层300远离薄膜晶体管单元200的一侧，其中，每一阳极400对应一薄膜晶体管单元200，且每一阳极400部分贯穿绝缘层300并连接至对应的薄膜晶体管单元200。
辅助电极500设于绝缘层300远离薄膜晶体管单元200的一侧，具体的，辅助电极500为若干细长条状电极501，每一细长条状电极501两端延伸至绝缘层300的边缘处，且每一细长条状电极501的其中一端或两端连接至一COF(覆晶薄膜)上，COF为辅助电极500提供电信号。细长条状电极501纵横交错设于绝缘层300上，呈现网状结构，细长条状电极501将绝缘层300的一侧表面划分为若干区域，阳极400设于所述区域内，且阳极400与辅助电极500间隔且绝缘设置。
像素定义层600设于绝缘层300远离薄膜晶体管单元200的一侧，且覆盖辅助电极500和阳极400，像素定义层600填充辅助电极500和阳极400之间的间隙，从而起到使辅助电极500和阳极400相互绝缘的作用，在像素定义层600远离绝缘层300的一侧设有若干第一通孔601和若干第二通孔602。像素定义层600的材质包括黑色光阻。
第一通孔601对应阳极400设置，第一通孔601容易容纳发光单元700，并限制发光单元700的位置，使得发光单元700能够在第一通孔601连接至阳极400，由于发光单元700需要两端施加电压才能发光，故本实施例中，第一通孔601的横向截面面积小于阳极400的面积，即阳极400的边缘处被覆盖在像素定义层600下，从而确保设于第一通孔601内的发光单元700能够完全发光，提升阵列基板1的发光率。
发光单元700为OLED器件层，当发光单元700的两侧被施加电压后，发光单元700就能够发光，发光单元700的发光颜色取决于OLED器件层的材料，在本实施例中，发光单元700的颜色包括红色、蓝色和绿色这三原色，通过三原色的排列组合，能够实现显示面板的彩色显示。
如图2和图4所示，第二通孔602对应辅助电极500，第二通孔602使得部分的辅助电极500被裸露出来，从而便于后续辅助电极500和阴极800的连接。由于第二通孔602是为了给阴极800提供通道，便于辅助电极500给阴极800供电，故本实施例中，第二通孔602对应细长条状电极501交叉的重叠区502，从而使得每一第二通孔602对应至少两条细长条状电极501，从而提升辅助电极500的供电能力。
阴极800设于像素定义层600远离绝缘层300的一侧表面，本实施例中，阴极800整面设于像素定义层600的表面，由于第一通孔601和第二通孔602为下沉通孔，故阴极800能够通过第一通孔601连接至发光单元700，阴极800能够通过第二通孔602连接至辅助电极500，具体的，阴极800覆盖第二通孔602的内侧壁并覆盖辅助电极500的上表面，由于辅助电极500的两端连接COF，故辅助电极500可以传输电信号，所述电信号通过第二通孔602传输至阴极800上，阴极800又覆盖第一通孔601的内侧壁并覆盖发光单元700的上表面，故所述电信号能够传输至发光单元700。这样发光单元700的一侧表面通过阳极400连接至薄膜晶体管单元200，另一侧表面通过阴极800连接至COF，从而实现发光单元700两侧的电场施加。
由于阴极800设于发光单元700的出光侧一侧，故阴极800的透光率会影响到整个显示面板的发光效果，为了保证显示面板的出光强度，现有技术中的阴极厚度一般仅几十纳米，导致单位面积的阴极阻值极大，如图3所示，现有技术中的阴极800a是通过面板四周给电，面板四周和中心流过器件电流不一致，导致显示面板的电阻压降严重。
本实施例中，由于阴极800是通过辅助电极500传输电流的，故辅助电极500本身电阻对电流量的影响较大，为了减少电阻，可以增大辅助电极500的横截面，由于辅助电极500设于发光单元周围，故增大辅助电极500的横截面积不会影响显示面板的发光效果，而阴极800可以变得更薄，因为阴极800的阻值对传输的电流影响可以忽略不计，从而可以进一步增强显示面板的出光强度。
为了更好的解释本发明，本实施例还提供了上述阵列基板的制备方法，具体包括以下步骤：
S1)提供一衬底基板，所述衬底基板为硬质基板，一般为玻璃基板，起到支撑作用及衬底作用。
S2)在所述衬底基板上制备若干薄膜晶体管单元，相邻薄膜晶体管单元之间以及薄膜晶体管单元中各部件之间通过绝缘材料绝缘，防止薄膜晶体管单元内部或相邻薄膜晶体管单元发生短路现象。
S3)如图5所示，在所述薄膜晶体管单元上制备绝缘层，在绝缘层对应薄膜晶体管单元处开设通孔。
S4)如图6和图7所示，在所述绝缘层上制备导电材料，导电材料填充所述通孔连接至对应的薄膜晶体管单元，刻蚀所述导电材料，形成阳极和辅助电极，其中阳极和辅助电极间隔设置，且阳极填充所述通孔连接至对应的薄膜晶体管单元，所述辅助电极和所述阳极采用同一光罩同时形成，从而减少了一道光罩工艺，简化的制备步骤，节约了制备成本。
S5)在所述绝缘层上制备像素定义层，所述像素定义层覆盖所述阳极和所述辅助电极，所述像素定义层填充阳极和辅助电极之间的间隙，从而确保阳极和辅助电极相互绝缘。
S6)如图8所示，在所述像素定义层上刻蚀若干第一通孔和若干第二通孔，其中，所述第一通孔对应所述阳极，所述第二通孔对应所述辅助电极。
S7)如图9所示，在所述第一通孔内制备发光单元，所述发光单元连接至所述阳极。
S8)在所述像素定义层远离所述绝缘层的一侧表面制备阴极，所述阴极覆盖所述第一通孔的内侧壁并连接至所述发光单元，所述阴极覆盖所述第二通孔内侧壁并连接至所述辅助电极。
本实施例的有益效果在于，本实施例中的阵列基板及其制备方法中，纵横交错的辅助电极能够传输阵列基板边缘处输入的电信号，阴极通过分散在辅助电极各区域的通孔连接，使得各区域的阴极连接的电信号相同或趋于一致，有效降低电阻压降(IR drop)，同时由于阴极通过辅助电极传输电信号，故阴极本身的电阻对其传输的电流影响不大，所以阴极的厚度可以进一步减薄，从而提升了阵列基板的出光效果。
以上对本申请实施例所提供的一种阵列基板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底基板；
若干薄膜晶体管单元，间隔设于所述衬底基板的一侧表面；
若干发光单元，每一发光单元对应并连接至一薄膜晶体管单元；
若干辅助电极，设于两个所述发光单元之间；以及
阴极，设于所述发光单元远离所述薄膜晶体管单元的一侧表面，且连接所述辅助电极。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括阳极，所述阳极连接至对应的薄膜晶体管单元，所述发光单元设于所述阳极上。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，
所述辅助电极与所述阳极同层设置，且与所述阳极绝缘。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括
像素定义层，设于所述阳极和所述辅助电极上，其中，
所述像素定义层对应所述阳极设有第一通孔，所述第一通孔用以容纳所述发光单元；
所述像素定义层对应所述辅助电极设有第二通孔，所述第二通孔用以给所述阴极提供通道。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述辅助电极纵横交错分布，包括若干交叉重叠区，第二通孔对应所述交叉重叠区。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括
绝缘层，设于所述薄膜晶体管单元与所述发光单元之间，所述发光单元贯穿所述绝缘层并连接至所述薄膜晶体管单元。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述辅助电极的一端或两端连接至一覆晶薄膜。
8.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上制备若干薄膜晶体管单元；
在所述薄膜晶体管单元上制备若干发光单元，每一发光单元对应并连接至一薄膜晶体管单元；
在所述薄膜晶体管单元上制备若干辅助电极，每一辅助电极设于两个发光单元之间；
在所述发光单元远离所述薄膜晶体管单元的一侧表面制备阴极，所述阴极连接至所述发光单元和所述辅助电极。
9.根据权利要求8所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法具体包括：
在衬底基板上制备若干薄膜晶体管单元；
在所述薄膜晶体管单元上制备绝缘层；
在所述绝缘层上制备阳极和辅助电极，所述阳极和所述辅助电极间隔设置；
在所述绝缘层上制备像素定义层，所述像素定义层覆盖所述阳极和所述辅助电极；
在所述像素定义层上刻蚀若干第一通孔和若干第二通孔，其中，所述第一通孔对应所述阳极，所述第二通孔对应所述辅助电极；
在所述第一通孔内制备发光单元，所述发光单元连接至所述阳极；
在所述像素定义层远离所述绝缘层的一侧表面制备阴极，所述阴极覆盖所述第一通孔的内侧壁并连接至所述发光单元，所述阴极覆盖所述第二通孔内侧壁并连接至所述辅助电极。
10.根据权利要求8所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，
所述辅助电极和所述阳极采用同一光罩同时形成。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113471384A (zh) * 2021-06-29 2021-10-01 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
CN113921585A (zh) * 2021-12-14 2022-01-11 惠科股份有限公司 显示面板及其制备方法
WO2022262367A1 (zh) * 2021-06-18 2022-12-22 合肥维信诺科技有限公司 显示面板及其制作方法
CN117560960A (zh) * 2023-10-31 2024-02-13 惠科股份有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100047457A (ko) * 2008-10-29 2010-05-10 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시 장치
CN106953026A (zh) * 2017-03-21 2017-07-14 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
CN108470749A (zh) * 2018-03-07 2018-08-31 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制造方法
CN208596710U (zh) * 2018-08-13 2019-03-12 深圳市柔宇科技有限公司 显示面板及显示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100047457A (ko) * 2008-10-29 2010-05-10 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시 장치
CN106953026A (zh) * 2017-03-21 2017-07-14 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
CN108470749A (zh) * 2018-03-07 2018-08-31 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制造方法
CN208596710U (zh) * 2018-08-13 2019-03-12 深圳市柔宇科技有限公司 显示面板及显示装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022262367A1 (zh) * 2021-06-18 2022-12-22 合肥维信诺科技有限公司 显示面板及其制作方法
CN113471384A (zh) * 2021-06-29 2021-10-01 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
CN113921585A (zh) * 2021-12-14 2022-01-11 惠科股份有限公司 显示面板及其制备方法
CN117560960A (zh) * 2023-10-31 2024-02-13 惠科股份有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置

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