CN112635529A - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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CN112635529A CN202011507765.6A CN202011507765A CN112635529A CN 112635529 A CN112635529 A CN 112635529A CN 202011507765 A CN202011507765 A CN 202011507765A CN 112635529 A CN112635529 A CN 112635529A
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曹方义
王宏宇
蔡明瀚
魏现鹤
张先平
梁倩倩
孙大卫
胡小叙
夏曾强
周小康
许瑾
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Beijing Visionox Technology Co Ltd
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Abstract

一种显示面板及其制备方法、显示装置,显示面板包括:底层像素单元,所述底层像素单元包括第一底层子像素和第二底层子像素,在相同发光亮度下,所述第二底层子像素的寿命大于所述第一底层子像素的寿命;量子点像素单元,所述量子点像素单元包括第一量子点子像素和第二量子点子像素,第一量子点子像素位于第一底层子像素的出光方向一侧,第二量子点子像素位于第二底层子像素的出光方向一侧;量子点像素单元发白色光时,量子点像素单元中的第二量子点子像素的发光亮度大于第一量子点子像素的发光亮度。所述显示面板减小了第一底层子像素和第二底层子像素之间的寿命偏差。

Description

显示面板及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)显示器,又称为有机电致发光显示器,是一种新兴的显示器。与现有的液晶显示器相比,其具有自主发光、宽视角、轻、薄、高亮度、低功耗和快响应等一系列的优点,因此,OLED显示器成为国内外非常热门的显示器产品,具有广阔的应用前景。OLED显示器的结构包括:基板;层叠设置在基板上的阳极、有机功能层和阴极;以及封装在基板上的盖板。
量子点(quantum dot,QD)材料具有发光色纯度高、发光波长可调节、材料稳定等优点,在追求高色域色彩显示领域具有显著的优势,学术界使用OLED器件搭配量子点作为光色调节的技术成为当前显示技术的研发热点。
然而,目前激发量子点发光的光源中不同区域之间存在较大的寿命偏差。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于如何改善现有技术中激发量子点发光的光源中不同区域之间较大的寿命偏差问题。
为了解决上述技术问题,本发明提供一种显示面板,包括:底层像素单元,所述底层像素单元包括第一底层子像素和第二底层子像素,在相同发光亮度下,所述第二底层子像素的寿命大于所述第一底层子像素的寿命;量子点像素单元,所述量子点像素单元包括第一量子点子像素和第二量子点子像素,第一量子点子像素位于第一底层子像素的出光方向一侧,第二量子点子像素位于第二底层子像素的出光方向一侧;量子点像素单元发白色光时,量子点像素单元中的第二量子点子像素的发光亮度大于第一量子点子像素的发光亮度。
可选的,所述底层像素单元还包括第三底层子像素,在相同发光亮度下,所述第三底层子像素的寿命大于所述第一底层子像素的寿命且小于或等于所述第二底层子像素的寿命;所述量子点像素单元还包括第三量子点子像素,所述第三量子点子像素位于第三底层子像素的出光方向一侧;量子点像素单元发白色光时,量子点像素单元中的所述第三量子点子像素的发光亮度大于第一量子点子像素的发光亮度且小于第二量子点子像素的发光亮度。
可选的,所述底层像素单元包括OLED发光单元,所述第一底层子像素包括第一发光层,所述第二底层子像素包括第二发光层,所述第三底层子像素包括第三发光层。
可选的,所述第三发光层的厚度和第二发光层的厚度分别大于第一发光层的厚度。
可选的,所述第二发光层的厚度大于第三发光层的厚度。
可选的,所述第二发光层的发光效率和所述第三发光层发光效率分别小于第一发光层的发光效率。
可选的,在相同发光亮度下,第三底层子像素的寿命小于所述第二底层子像素的寿命时,所述第二发光层的发光效率小于所述第三发光层的发光效率,第三底层子像素的寿命等于所述第二底层子像素的寿命时,所述第二发光层的发光效率等于所述第三发光层的发光效率。
可选的,所述第一发光层发射的光的光谱具有第一半峰宽,所述第二发光层发射的光的光谱具有第二半峰宽,所述第三发光层发射的光的光谱具有第三半峰宽;所述第二半峰宽和第三半峰宽分别大于所述第一半峰宽。
可选的,当所述第二发光层的发光效率小于所述第三发光层的发光效率,所述第三半峰宽小于所述第二半峰宽时;当所述第二发光层的发光效率等于所述第三发光层的发光效率时,所述第三半峰宽等于第二半峰宽。
可选的,所述第二发光层包括第二荧光材料,所述第二荧光材料包括三芳胺类及其衍生物、苝类及其衍生物、蒽类及其衍生物、或者烯类及其衍生物。
可选的,所述第三发光层包括第三荧光材料,所述第三荧光材料包括三芳胺类及其衍生物、苝类及其衍生物、蒽类及其衍生物、或者烯类及其衍生物。
可选的,所述三芳胺类及其衍生物包括DSAPh、DPAVBi或BczVBi;
DSAPh的化学式为:
Figure BDA0002845406270000031
DPAVBi的化学式为:
Figure BDA0002845406270000032
BczVBi的化学式为:
Figure BDA0002845406270000033
可选的,所述苝类及其衍生物包括TBP,
TBP的化学式为:
Figure BDA0002845406270000034
可选的,所述蒽类及其衍生物包括AND、TBADN、MADN、DTBADN、TTBADN、α-TMADN、β-TMADN,
AND的化学式为:
Figure BDA0002845406270000041
TBADN的化学式为:
Figure BDA0002845406270000042
MADN的化学式为:
Figure BDA0002845406270000043
DTBADN的化学式为:
Figure BDA0002845406270000044
TTBADN的化学式为:
Figure BDA0002845406270000045
α-TMADN的化学式为:
Figure BDA0002845406270000046
β-TMADN的化学式为:
Figure BDA0002845406270000047
可选的,所述烯类及其衍生物包括DPVBi,
DPVBi的化学式为:
Figure BDA0002845406270000051
可选的,所述第一发光层包括第一荧光材料,第一荧光材料包括硼氮共振材料、或者硼氮杂稠环芳烃及其衍生物。
可选的,所述硼氮共振材料为ν—DABNA;
ν—DABNA的化学式为:
Figure BDA0002845406270000052
可选的,所述硼氮杂稠环芳烃及其衍生物的化学式为
Figure BDA0002845406270000053
其中,X为硫或氧。
可选的,所述第二底层子像素为叠层结构,和/或,所述第三底层子像素为叠层结构;所述第一底层子像素在第一底层子像素的出光方向上具有单层的第一发光层;当所述第二底层子像素为叠层结构时,第二底层子像素在第二底层子像素的出光方向上设置有多层第二发光层;当所述第三底层子像素为叠层结构时,第三底层子像素在第三底层子像素的出光方向上设置有多层第三发光层。
可选的,当所述第二底层子像素和所述第三底层子像素均为叠层结构时,所述第三发光层的层数小于第二发光层的层数。
可选的,所述底层像素单元包括蓝色底层像素单元,所述第一量子点子像素包括蓝光量子点子像素,所述第二量子点子像素包括绿光量子点子像素,所述第三量子点子像素层包括红光量子点子像素。
本发明还提供一种显示面板的制备方法,包括:形成底层像素单元,所述底层像素单元包括第一底层子像素和第二底层子像素,在相同发光亮度下,所述第二底层子像素的寿命大于所述第一底层子像素的寿命;在所述底层像素单元的出光方向的一侧形成量子点像素单元,所述量子点像素单元包括第一量子点子像素和第二量子点子像素,第一量子点子像素位于第一底层子像素的出光方向一侧,第二量子点子像素位于第二底层子像素的出光方向一侧;量子点像素单元发白色光时,量子点像素单元中的第二量子点子像素的发光亮度大于第一量子点子像素的发光亮度。
本发明还提供一种显示装置,其特征在于,包括本发明的显示面板。
本发明技术方案,具有如下优点:
1.本发明技术方案提供的显示面板,量子点像素单元发白色光时,量子点像素单元中的第二量子点子像素的发光亮度大于第一量子点子像素的发光亮度,相应的,当量子点像素单元发白色光时需要第二底层子像素的发光亮度大于第一底层子像素的发光亮度。由于在相同发光亮度下,所述第二底层子像素的寿命大于所述第一底层子像素的寿命,而第二底层子像素的发光亮度的提升会牺牲第二底层子像素的寿命,因此当量子点像素单元发白色光,第二底层子像素的发光亮度大于第一底层子像素的发光亮度时,第二底层子像素的使用损耗和第一底层子像素的使用损耗能趋于一致,所述显示面板减小了第一底层子像素和第二底层子像素之间的寿命偏差。
2.进一步,由于第二发光层和第三发光层的发光效率分别小于第一发光层的发光效率,这样在相同发光亮度下,所述第二底层子像素和第三底层子像素的寿命分别大于所述第一底层子像素的寿命,相应的,当量子点像素单元发白色光,第二底层子像素的发光亮度大于第一底层子像素的发光亮度时,第二底层子像素的使用损耗和第一底层子像素的使用损耗能趋于一致,当量子点像素单元发白色光,第三底层子像素的发光亮度大于第一底层子像素的发光亮度时,第三底层子像素的使用损耗和第一底层子像素的使用损耗能趋于一致,所述显示面板减小了第一底层子像素和第二底层子像素之间的寿命偏差,减小了第一底层子像素和第三底层子像素之间的寿命偏差。
进一步,所述第一发光层发射的光的光谱具有第一半峰宽,所述第二发光层发射的光的光谱具有第二半峰宽,所述第三发光层发射的光的光谱具有第三半峰宽;当第二发光层和第三发光层的发光效率分别小于第一发光层的发光效率时,选择所述第二半峰宽和第三半峰宽分别大于所述第一半峰宽,至这种对应关系下,第二发光层、第三发光层、第一发光层的材料选择范围较大,第二发光层、第三发光层、第一发光层的制备具有较为成熟的工艺线,符合量产的需求。
3.进一步,所述第二底层子像素为叠层结构,和/或,所述第三底层子像素为叠层结构;所述第一底层子像素在第一底层子像素的出光方向上具有单层的第一发光层;当所述第二底层子像素为叠层结构时,第二底层子像素在第二底层子像素的出光方向上设置有多层第二发光层;当所述第三底层子像素为叠层结构时,第三底层子像素在第三底层子像素的出光方向上设置有多层第三发光层。在相同的发光亮度下,第二底层子像素在第二底层子像素的出光方向上设置有多层第二发光层的情况与设置单层第二发光层的情况相比,第二底层子像素中的电流密度随着第二发光层的层数的增加趋于线性降低,即使第二底层子像素上施加的电压适当有所提高,但是第二底层子像素的功耗会降低。相应的,基于类似的理由,当所述第三底层子像素为叠层结构时,第三底层子像素的功耗会降低。
4.本发明技术方案提供的显示装置,包括本发明的显示面板,所述显示装置中,第一底层子像素和第二底层子像素之间的寿命偏差降低。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一实施例中显示面板的结构示意图;
图2为本发明另一实施例中显示面板的制备流程图;
图3为本发明又一实施例中显示面板的结构示意图。
具体实施方式
正如背景技术所述,现有技术中激发量子点发光的光源中不同区域之间具有较大的寿命偏差。
经研究发现,量子点像素单元通常包括红光量子点子像素、绿光量子点子像素和蓝光量子点子像素,激发量子点发光的光源通常采用蓝光光源。器件在使用的过程中,量子点像素单元发白色光时,红光量子点子像素、绿光量子点子像素和蓝光量子点子像素需要发出的光的亮度不一致,尤其是,绿光量子点子像素需要发出的光的亮度与蓝光量子点子像素需要发出的光的亮度之间的差异较大,相应的,量子点像素单元发白色光时,激发不同量子点子像素对应的光源需要发光不同亮度的蓝光,这样对于不同的量子点子像素对应的光源的寿命损耗就不同步,从而导致光源在不同区域产生寿命偏差。
在此基础上,本发明一实施例提供一种显示面板,包括:底层像素单元,所述底层像素单元包括第一底层子像素和第二底层子像素,在相同发光亮度下,所述第二底层子像素的寿命大于所述第一底层子像素的寿命;量子点像素单元,所述量子点像素单元包括第一量子点子像素和第二量子点子像素,第一量子点子像素位于第一底层子像素的出光方向一侧,第二量子点子像素位于第二底层子像素的出光方向一侧;量子点像素单元发白色光时,量子点像素单元中的第二量子点子像素的发光亮度大于第一量子点子像素的发光亮度。
下面结构附图对本发明的实施例进行详细的说明。
本发明一实施例提供一种显示面板,参考图1,包括:
底层像素单元10,所述底层像素单元10包括第一底层子像素A和第二底层子像素B,在相同发光亮度下,所述第二底层子像素B的寿命大于所述第一底层子像素A的寿命;
量子点像素单元120,所述量子点像素单元120包括第一量子点子像素121和第二量子点子像素122,第一量子点子像素121位于第一底层子像素A的出光方向一侧,第二量子点子像素122位于第二底层子像素B的出光方向一侧;
量子点像素单元120发白色光时,量子点像素单元120中的第二量子点子像素层122的发光亮度大于第一量子点子像素层121的发光亮度。
本实施例中,量子点像素单元120发白色光时,量子点像素单元120中的第二量子点子像素122的发光亮度大于第一量子点子像素121的发光亮度,相应的,当量子点像素层120发白色光时需要第二底层子像素B的发光亮度大于第一底层子像素A的发光亮度。由于在相同发光亮度下,所述第二底层子像素B的寿命大于所述第一底层子像素A的寿命,而第二底层子像素B的发光亮度的提升会牺牲第二底层子像素B的寿命,因此当量子点像素单元120发白色光,第二底层子像素B的发光亮度大于第一底层子像素A的发光亮度时,第二底层子像素B的使用损耗和第一底层子像素A的使用损耗能趋于一致,所述显示面板减小了第一底层子像素A和第二底层子像素B之间的寿命偏差。
所述底层像素单元10还包括第三底层子像素C,在相同发光亮度下,所述第三底层子像素C的寿命大于所述第一底层子像素A的寿命且小于或等于所述第二底层子像素B的寿命。
相应的,所述量子点像素单元120还包括第三量子点子像素123,所述第三量子点子像素123位于第三底层子像素C的出光方向一侧;量子点像素单元120发白色光时,量子点像素单元120中的所述第三量子点子像素123的发光亮度大于第一量子点子像素121的发光亮度且小于第二量子点子像素122的发光亮度。
量子点像素单元120发白色光时,量子点像素单元120中的第三量子点子像素123的发光亮度大于第一量子点子像素121的发光亮度,相应的,当量子点像素单元120发白色光时需要第三底层子像素C的发光亮度大于第一底层子像素A的发光亮度。由于在相同发光亮度下,所述第三底层子像素C的寿命大于所述第一底层子像素A的寿命,而第三底层子像素C的发光亮度的提升会牺牲第三底层子像素C的寿命,因此当量子点像素单元120发白色光,第三底层子像素C的发光亮度大于第一底层子像素A的发光亮度时,第三底层子像素C的使用损耗和第一底层子像素A的使用损耗能趋于一致,所述显示面板减小了第一底层子像素A和第二底层子像素B之间的寿命偏差。
本实施例中,在相同发光亮度下,所述第三底层子像素C的寿命大于所述第一底层子像素A的寿命且小于所述第二底层子像素B的寿命。
当量子点像素单元120发白色光时,量子点像素单元120中的第三量子点子像素123的发光亮度小于第二量子点子像素122的发光亮度,相应的,当量子点像素单元120发白色光时需要第三底层子像素C的发光亮度小于第二底层子像素B的发光亮度。由于在相同发光亮度下,所述第二底层子像素B的寿命大于第三底层子像素C的寿命,而第二底层子像素B的发光亮度的提升会牺牲第二底层子像素B的寿命,因此当量子点像素单元120发白色光,第三底层子像素C的发光亮度小于第二底层子像素B的发光亮度时,第三底层子像素C的使用损耗和第二底层子像素B的使用损耗能趋于一致,所述显示面板减小了第三底层子像素C和第二底层子像素B之间的寿命偏差。
在一个实施例中,所述底层像素单元10包括蓝色底层像素单元,第一量子点子像素121包括蓝光量子点子像素层,第二量子点子像素122包括绿光量子点子像素层,第三量子点子像素123包括红光量子点子像素层。
所述底层像素单元10包括OLED发光单元。本实施例中,以所述底层像素单元10为OLED发光单元为示例进行说明。所述第一底层子像素A包括第一发光层131,所述第二底层子像素B包括第二发光层132,所述第三底层子像素C包括第三发光层133。
具体的,所述底层像素单元10包括:基板100;位于基板100一侧的像素限定层110,所述像素限定层110中具有第一子像素开口、第二子像素开口和第三子像素开口;所述第一发光层131位于第一子像素开口中,第二发光层132位于第二子像素开口中,第三发光层133位于第三子像素开口中。所述第一发光层131底部的基板100表面具有第一阳极层,第二发光层132底部的基板100表面具有第二阳极层,第三发光层133底部的基板100表面具有第三阳极层。
需要说明的是,本实施例中,还包括:底层有机功能层161,底层有机功能层161位于第一子像素开口、第二子像素开口和第三子像素开口的内壁以及像素限定层110背向所述基板100的表面,所述底层有机功能层161包括空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中的任一种或者几种;位于底层有机功能层161、第一发光层131、第二发光层132和第三发光层133背向所述基板100一侧表面的顶层有机功能层162,所述顶层有机功能层162包括空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的任一种或者几种;位于所述顶层有机功能层162背向所述基板100的表面的阴极层163;位于所述阴极层163背向所述基板100的一侧的封装薄膜层140,所述封装薄膜层140包括若干平坦化层,所述平坦化层为有机薄膜层和/或无机薄膜层。本实施例中,底层有机功能层是整面设置的,顶层有机功能层是整面设置。
本实施例中,所述基板100为阵列基板,阵列基板包括:衬底基板和位于所述衬底基板上的阵列电路层,第一阳极层、第二阳极层和第三阳极层均与所述阵列电路层电学连接,所述显示面板为AMOLED(Active-matrixorganic lightemitting diode)型显示面板。
在其他实施例中,所述显示面板为PMOLED(Passive-matrix organic lightemitting diode)型显示面板。
在本实施例中,所述量子点像素单元120位于所述封装薄膜层140背向所述基板100的一侧。
在本实施例中,所述第二发光层132的发光效率和所述第三发光层133发光效率分别小于第一发光层131的发光效率。
由于第二发光层132和第三发光层133的发光效率分别小于第一发光层131的发光效率,这样在相同发光亮度下,所述第二底层子像素B和第三底层子像素C的寿命分别大于所述第一底层子像素A的寿命,相应的,当量子点像素单元120发白色光,第二底层子像素B的发光亮度大于第一底层子像素A的发光亮度时,第二底层子像素B的使用损耗和第一底层子像素A的使用损耗能趋于一致,当量子点像素单元120发白色光,第三底层子像素C的发光亮度大于第一底层子像素A的发光亮度时,第三底层子像素C的使用损耗和第一底层子像素A的使用损耗能趋于一致。
进一步的,当在相同发光亮度下第三底层子像素C的寿命小于所述第二底层子像素B的寿命时,所述第二发光层132的发光效率小于所述第三发光层133的发光效率。
在其他实施例中,当在相同发光亮度下第三底层子像素C的寿命等于所述第二底层子像素B的寿命时,所述第二发光层132的发光效率等于所述第三发光层133的发光效率。
在一个实施例中,所述第一发光层131发射的光的光谱具有第一半峰宽,所述第二发光层132发射的光的光谱具有第二半峰宽,所述第三发光层133发射的光的光谱具有第三半峰宽,所述第二半峰宽和第三半峰宽分别大于所述第一半峰宽。
当第二发光层132和第三发光层133的发光效率分别小于第一发光层131的发光效率时,选择所述第二半峰宽和第三半峰宽分别大于所述第一半峰宽,至这种对应关系下,第二发光层132、第三发光层133、第一发光层131的材料选择范围较大,第二发光层132、第三发光层133、第一发光层131的制备具有较为成熟的工艺线,符合量产的需求。
在一个实施例中,所述第二发光层132的发光效率小于所述第三发光层133的发光效率,所述第三半峰宽小于所述第二半峰宽。
在另一个实施例中,当所述第二发光层132的发光效率等于所述第三发光层133的发光效率时,所述第三半峰宽等于第二半峰宽,第二发光层132的材料与第三发光层133的材料可以选择相同的材料。
所述第二发光层132包括第二主体材料和第二荧光材料,所述第二荧光材料包括三芳胺类及其衍生物、苝类及其衍生物、蒽类及其衍生物、或者烯类及其衍生物。
所述第三发光层133包括第三主体材料和第三荧光材料,所述第三荧光材料包括三芳胺类及其衍生物、苝类及其衍生物、蒽类及其衍生物、或者烯类及其衍生物。
所述三芳胺类及其衍生物包括DSAPh、DPAVBi或BczVBi。
DSAPh的化学式为:
Figure BDA0002845406270000121
DPAVBi的化学式为:
Figure BDA0002845406270000122
BczVBi的化学式为:
Figure BDA0002845406270000123
所述苝类及其衍生物包括TBP。TBP的化学式为:
Figure BDA0002845406270000124
所述蒽类及其衍生物包括AND、TBADN、MADN、DTBADN、TTBADN、α-TMADN、β-TMADN。
AND的化学式为:
Figure BDA0002845406270000131
TBADN的化学式为:
Figure BDA0002845406270000132
MADN的化学式为:
Figure BDA0002845406270000133
DTBADN的化学式为:
Figure BDA0002845406270000134
TTBADN的化学式为:
Figure BDA0002845406270000135
α-TMADN的化学式为:
Figure BDA0002845406270000136
β-TMADN的化学式为:
Figure BDA0002845406270000141
所述烯类及其衍生物包括DPVBi。
DPVBi的化学式为:
Figure BDA0002845406270000142
所述第一发光层包括第一主体材料和第一荧光材料,第一荧光材料包括硼氮共振材料、或者硼氮杂稠环芳烃及其衍生物。
所述硼氮共振材料为ν—DABNA。
ν—DABNA的化学式为:
Figure BDA0002845406270000143
所述硼氮杂稠环芳烃及其衍生物的化学式为
Figure BDA0002845406270000144
或者
Figure BDA0002845406270000145
其中,X为硫或氧。
所述第三发光层133的厚度大于第一发光层131的厚度且小于或等于第二发光层132的厚度。这样使得,在相同的发光亮度下,第三底层子像素的寿命大于第一底层子像素的寿命且二者之间的差值进一步增大,第二底层子像素的寿命大于第一底层子像素的寿命且二者之间的差值进一步增。当所述第三发光层133的厚度小于第二发光层132的厚度时,在相同的发光亮度下,第二底层子像素的寿命大于第三底层子像素的寿命且二者之间的差值进一步增大。
在其他实施例中,每层第三发光层的厚度、每层第一发光层的厚度和每层第二发光层的厚度相等。或者,每层第三发光层的厚度、每层第一发光层的厚度和每层第二发光层的厚度选择其他的大小关系。
相应的,本发明另一实施例还提供一种显示面板的制备方法,参考图2,包括:
S01:形成底层像素单元,所述底层像素单元包括第一底层子像素和第二底层子像素,在相同发光亮度下,所述第二底层子像素的寿命大于所述第一底层子像素的寿命;
S02:在所述底层像素单元的出光方向的一侧形成量子点像素单元,所述量子点像素单元包括第一量子点子像素和第二量子点子像素,第一量子点子像素位于第一底层子像素的出光方向一侧,第二量子点子像素位于第二底层子像素的出光方向一侧;量子点像素单元发白色光时,量子点像素单元中的第二量子点子像素的发光亮度大于第一量子点子像素的发光亮度。
所述底层像素单元还包括第三底层子像素,在相同发光亮度下,所述第三底层子像素的寿命大于所述第一底层子像素的寿命且小于或等于所述第二底层子像素的寿命。
所述量子点像素单元还包括第三量子点子像素,所述第三量子点子像素位于第三底层子像素的出光方向一侧;量子点像素单元发白色光时,量子点像素单元中的所述第三量子点子像素的发光亮度大于第一量子点子像素的发光亮度且小于第二量子点子像素的发光亮度。
关于底层像素单元的描述参照前述实施例,不再详述。
关于量子点像素层的描述参照前述实施例,不再详述。
相应的,本发明另一实施例还提供一种显示面板,参考图3,本实施例的显示面板与前一实施例的显示面板的区别在于:底层像素单元10a中第二底层子像素B1为叠层结构,底层像素单元10a中第三底层子像素C1为叠层结构;底层像素单元10a中第一底层子像素A1在第一底层子像素A1的出光方向上具有单层的第一发光层131a。
当所述第二底层子像素B1为叠层结构时,第二底层子像素B1在第二底层子像素B1的出光方向上设置有多层第二发光层132a。
当所述第三底层子像素C1为叠层结构时,第三底层子像素C1在第三底层子像素C1的出光方向上设置有多层第三发光层133a。
当所述第二底层子像素B1和所述第三底层子像素C1均为叠层结构时,所述第三发光层133a的层数小于第二发光层132a的层数。
在其他实施例中,当所述第二底层子像素B1和所述第三底层子像素C1均为叠层结构时,所述第三发光层133a的层数等于第二发光层132a的层数,这时,需要将第二发光层132a的发光效率设置为小于第三发光层133a的发光效率。
在一个实施例中,每层第三发光层的厚度大于第一发光层的厚度且小于或等于每层第二发光层的厚度。在其他实施例中,每层第三发光层的厚度、每层第一发光层的厚度和每层第二发光层的厚度相等。或者,每层第三发光层的厚度、每层第一发光层的厚度和每层第二发光层的厚度选择其他的大小关系。
本实施例中,第一底层子像素A1包括自下至上依次层叠的第一底层有机功能层(未标示)、第一发光层131a和第一顶层有机功能层(未标示)。第一底层有机功能层包括第一空穴注入层、第一空穴传输层和第一电子阻挡层中的任一种或者几种,第一顶层有机功能层包括第一空穴阻挡层、第一电子传输层和第一电子注入层的任一种或者几种。
需要说明的是,当所述第二底层子像素B1为叠层结构时,相邻的第二发光层132a之间具有第二电荷产生层。第二电荷产生层包括第二N型电荷产生层和第二P型电荷产生层。以第二底层子像素B1中的第二发光层的层数为3层为示例,第二底层子像素B1包括自下至上依次层叠的第一层的第二底层有机功能层(未标示)、第一层的第二发光层、第一层的第二顶层有机功能层(未标示)、第一层的第二电荷产生层(未标示)、第二层的第二底层有机功能层(未标示)、第二层的第二发光层、第二层的第二顶层有机功能层(未标示)、第二层的第二电荷产生层(未标示)、第三层的第二底层有机功能层(未标示)、第三层的第二发光层、第三层的第二顶层有机功能层(未标示)。第二底层有机功能层包括第二空穴注入层、第二空穴传输层和第二电子阻挡层中的任一种或者几种,第二顶层有机功能层包括第二空穴阻挡层、第二电子传输层和第二电子注入层的任一种或者几种。
需要说明的是,当所述第三底层子像素C1为叠层结构时,相邻的第三发光层133a之间具有第三电荷产生层。第三电荷产生层包括第三N型电荷产生层和第三P型电荷产生层。以第三底层子像素C1中的第三发光层的层数为2层为示例,第三底层子像素C1包括自下至上依次层叠的第一层的第三底层有机功能层(未标示)、第一层的第三发光层、第一层的第三顶层有机功能层(未标示)、第一层的第三电荷产生层(未标示)、第二层的第三底层有机功能层(未标示)、第二层的第三发光层、第二层的第三顶层有机功能层(未标示)。第三底层有机功能层包括第三空穴注入层、第三空穴传输层和第三电子阻挡层中的任一种或者几种,第三顶层有机功能层包括第三空穴阻挡层、第三电子传输层和第三电子注入层的任一种或者几种。
第一底层有机功能层、第一层的第二底层有机功能层、第一层的第三底层有机功能层共面设置。第一顶层有机功能层、第一层的第二顶层有机功能层、和第一层的第三顶层有机功能层共面设置。第一层的第二电荷产生层和第一层的第三电荷产生层同层设置且连接在一起。第二层的第二底层有机功能层、和第二层的第三底层有机功能层同层设置且连接在一起。第二层的第二顶层有机功能层、和第二层的第三顶层有机功能层同层设置且连接在一起。
在相同的发光亮度下,第二底层子像素在第二底层子像素的出光方向上设置有多层第二发光层的情况与设置单层第二发光层的情况相比,第二底层子像素中的电流密度随着第二发光层的层数的增加趋于线性降低,即使第二底层子像素上施加的电压适当有所提高,但是第二底层子像素的功耗会降低。相应的,基于类似的理由,当所述第三底层子像素为叠层结构时,第三底层子像素的功耗会降低。
本实施例中,底层像素单元10a中的第二底层子像素B1、第三底层子像素C1和第一子像素A1的寿命的描述参照前述实施例的内容,不再详述。
图3中显示面板的制备方法与前一实施例的显示面板的制备方法的区别在于:形成的底层像素单元10a与前一实施例不同,关于具体的底层像素单元10a的参照前述内容,不再详述。关于本实施例中的显示面板的制备方法与前一实施例的显示面板的制备方法相同的内容,不再详述。
需要说明的是,以第二底层子像素B1中的第二发光层的层数为3层为示例、第三底层子像素C1中的第三发光层的层数为2层为示例、第一底层子像素A1中的第一发光层为一层为示例,第一底层有机功能层、第一层的第二底层有机功能层和第一层的第三底层有机功能层在相同的工艺制程中同时形成,第一顶层有机功能层、第一层的第二顶层有机功能层、和第一层的第三顶层有机功能层在相同的工艺制程中同时形成,第一层的第二电荷产生层和第一层的第三电荷产生层在相同的工艺制程中同时形成,第二层的第二底层有机功能层、和第二层的第三底层有机功能层在相同的工艺制程中同时形成,第二层的第二顶层有机功能层、和第二层的第三顶层有机功能层在相同的工艺制程中同时形成。
相应的,本发明又一实施例还提供一种显示面板,本实施例的显示面板与前一实施例的显示面板的区别在于:底层像素单元中第二底层子像素为叠层结构,底层像素单元中第三底层子像素在第三底层子像素的出光方向上具有单层的第三发光层,底层像素单元中第一底层子像素在第一底层子像素的出光方向上具有单层的第一发光层。
在一个实施例中,第二发光层和第一发光层的材料相同。
在另一个实施例中,第二发光层和第一发光层的材料不同,具体的,第二发光层和第一发光层的材料选择参照详述实施例的内容。
本实施例中,第三发光层的发光效率小于第一发光层的发光效率,第三发光层和第一发光层的材料选择参照前述实施例的内容。
本实施例中,底层像素单元中的第二底层子像素、第三底层子像素和第一底层子像素的寿命的描述参照前述实施例的内容,不再详述。
在一个实施例中,每层第三发光层的厚度大于第一发光层的厚度且小于或等于每层第二发光层的厚度。在其他实施例中,每层第三发光层的厚度、每层第一发光层的厚度和每层第二发光层的厚度相等。或者,每层第三发光层的厚度、每层第一发光层的厚度和每层第二发光层的厚度选择其他的大小关系。
本实施例的第一底层子像素和第二底层子像素参照前述实施例的内容。本实施例的第三底层子像素包括自下至上依次层叠的第三底层有机功能层、第三发光层、和第三顶层有机功能层。第一底层有机功能层、第一层的第二底层有机功能层、第三底层有机功能层共面设置。第一顶层有机功能层、第一层的第二顶层有机功能层、和第三顶层有机功能层共面设置。
关于本实施例中与前述实施例相同的部分,不再详述。
相应的,本发明另一实施例还提供一种显示面板的制备方法,本实施例的显示面板的制备方法与前述实施例的显示面板的制备方法的区别在于:形成的底层像素单元不同,底层像素单元中第二底层子像素为叠层结构,底层像素单元中第三底层子像素在第三底层子像素的出光方向上具有单层的第三发光层,底层像素单元中第一底层子像素在第一底层子像素的出光方向上具有单层的第一发光层。关于本实施例中的显示面板的制备方法与前一实施例的显示面板的制备方法相同的内容,不再详述。
需要说明的是,第一底层有机功能层、第一层的第二底层有机功能层和第三底层有机功能层在相同的工艺制程中同时形成,第一顶层有机功能层、第一层的第二顶层有机功能层、和第三顶层有机功能层在相同的工艺制程中同时形成。
相应的,本发明又一实施例还提供一种显示面板,本实施例的显示面板与前一实施例的显示面板的别在于:底层像素单元中第三底层子像素为叠层结构,底层像素单元中第二底层子像素在第二底层子像素的出光方向上具有单层的第二发光层,底层像素单元中第一底层子像素在第一底层子像素的出光方向上具有单层的第一发光层。
在一个实施例中,第三发光层和第一发光层的材料相同。
在另一个实施例中,第三发光层和第一发光层的材料不同,具体的,第三发光层和第一发光层的材料选择参照详述实施例的内容。
本实施例中,第二发光层的发光效率小于第一发光层的发光效率,第二发光层和第一发光层的材料选择参照前述实施例的内容。
本实施例中,底层像素单元中的第二底层子像素、第三底层子像素和第一底层子像素的寿命的描述参照前述实施例的内容,不再详述。
本实施例的第一底层子像素参照前述实施例的内容。本实施例的第二底层子像素包括自下至上依次层叠的第二底层有机功能层、第二发光层、和第二顶层有机功能层。本实施例的第三底层子像素参考第三底层子像素C1的描述。第一底层有机功能层、第二底层有机功能层、第一层的第三底层有机功能层共面设置。第一顶层有机功能层、第二顶层有机功能层、和第一层的第三顶层有机功能层共面设置。
关于本实施例中与前述实施例相同的部分,不再详述。
相应的,本发明另一实施例还提供一种显示面板的制备方法,本实施例的显示面板的制备方法与前述实施例的显示面板的制备方法的区别在于:形成的底层像素单元不同,底层像素单元中第三底层子像素为叠层结构,底层像素单元中第二底层子像素在第二底层子像素的出光方向上具有单层的第二发光层,底层像素单元中第一底层子像素在第一底层子像素的出光方向上具有单层的第一发光层。
需要说明的是,第一底层有机功能层、第二底层有机功能层和第一层的第三底层有机功能层在相同的工艺制程中同时形成,第一顶层有机功能层、第二顶层有机功能层、和第一层的第三顶层有机功能层在相同的工艺制程中同时形成。
关于本实施例中的显示面板的制备方法与前一实施例的显示面板的制备方法相同的内容,不再详述。
相应的,本发明又一实施例还提供一种显示装置,包括上述的显示面板。
显然,上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例,而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (10)

1.一种显示面板,其特征在于,包括:
底层像素单元,所述底层像素单元包括第一底层子像素和第二底层子像素,在相同发光亮度下,所述第二底层子像素的寿命大于所述第一底层子像素的寿命;
量子点像素单元,所述量子点像素单元包括第一量子点子像素和第二量子点子像素,第一量子点子像素位于第一底层子像素的出光方向一侧,第二量子点子像素位于第二底层子像素的出光方向一侧;
量子点像素单元发白色光时,量子点像素单元中的第二量子点子像素的发光亮度大于第一量子点子像素的发光亮度。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述底层像素单元还包括第三底层子像素,在相同发光亮度下,所述第三底层子像素的寿命大于所述第一底层子像素的寿命且小于或等于所述第二底层子像素的寿命;
所述量子点像素单元还包括第三量子点子像素,所述第三量子点子像素位于第三底层子像素的出光方向一侧;
量子点像素单元发白色光时,量子点像素单元中的所述第三量子点子像素的发光亮度大于第一量子点子像素的发光亮度且小于第二量子点子像素的发光亮度。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述底层像素单元包括OLED发光单元,所述第一底层子像素包括第一发光层,所述第二底层子像素包括第二发光层,所述第三底层子像素包括第三发光层;
优选的,所述第三发光层的厚度和第二发光层的厚度分别大于第一发光层的厚度;
优选的,所述第二发光层的厚度大于第三发光层的厚度。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第二发光层的发光效率和所述第三发光层发光效率分别小于第一发光层的发光效率;
优选的,在相同发光亮度下,第三底层子像素的寿命小于所述第二底层子像素的寿命时,所述第二发光层的发光效率小于所述第三发光层的发光效率,第三底层子像素的寿命等于所述第二底层子像素的寿命时,所述第二发光层的发光效率等于所述第三发光层的发光效率;
优选的,所述第一发光层发射的光的光谱具有第一半峰宽,所述第二发光层发射的光的光谱具有第二半峰宽,所述第三发光层发射的光的光谱具有第三半峰宽;所述第二半峰宽和第三半峰宽分别大于所述第一半峰宽;
优选的,当所述第二发光层的发光效率小于所述第三发光层的发光效率时,所述第三半峰宽小于所述第二半峰宽;当所述第二发光层的发光效率等于所述第三发光层的发光效率时,所述第三半峰宽等于第二半峰宽。
5.根据权利要求3或4所述的显示面板,其特征在于,所述第二发光层包括第二荧光材料,所述第二荧光材料包括三芳胺类及其衍生物、苝类及其衍生物、蒽类及其衍生物、或者烯类及其衍生物;
优选的,所述第三发光层包括第三荧光材料,所述第三荧光材料包括三芳胺类及其衍生物、苝类及其衍生物、蒽类及其衍生物、或者烯类及其衍生物;
优选的,所述三芳胺类及其衍生物包括DSAPh、DPAVBi或BczVBi;
优选的,所述苝类及其衍生物包括TBP;
优选的,所述蒽类及其衍生物包括AND、TBADN、MADN、DTBADN、TTBADN、α-TMADN、β-TMADN;
优选的,所述烯类及其衍生物包括DPVBi;
DSAPh的化学式为:
Figure FDA0002845406260000021
DPAVBi的化学式为:
Figure FDA0002845406260000022
BczVBi的化学式为:
Figure FDA0002845406260000031
TBP的化学式为:
Figure FDA0002845406260000032
AND的化学式为:
Figure FDA0002845406260000033
TBADN的化学式为:
Figure FDA0002845406260000034
MADN的化学式为:
Figure FDA0002845406260000035
DTBADN的化学式为:
Figure FDA0002845406260000036
TTBADN的化学式为:
Figure FDA0002845406260000041
α-TMADN的化学式为:
Figure FDA0002845406260000042
β-TMADN的化学式为:
Figure FDA0002845406260000043
DPVBi的化学式为:
Figure FDA0002845406260000044
6.根据权利要求3或4所述的显示面板,其特征在于,所述第一发光层包括第一荧光材料,第一荧光材料包括硼氮共振材料、或者硼氮杂稠环芳烃及其衍生物;
优选的,所述硼氮共振材料为ν—DABNA;
ν—DABNA的化学式为:
Figure FDA0002845406260000045
优选的,所述硼氮杂稠环芳烃及其衍生物的化学式为
Figure FDA0002845406260000051
或者
Figure FDA0002845406260000052
其中,X为硫或氧。
7.根据权利要求3或4所述的显示面板,其特征在于,所述第二底层子像素为叠层结构,和/或,所述第三底层子像素为叠层结构;所述第一底层子像素在第一底层子像素的出光方向上具有单层的第一发光层;
当所述第二底层子像素为叠层结构时,第二底层子像素在第二底层子像素的出光方向上设置有多层第二发光层;
当所述第三底层子像素为叠层结构时,第三底层子像素在第三底层子像素的出光方向上设置有多层第三发光层;
优选的,当所述第二底层子像素和所述第三底层子像素均为叠层结构时,所述第三发光层的层数小于第二发光层的层数。
8.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述底层像素单元包括蓝色底层像素单元,所述第一量子点子像素包括蓝光量子点子像素,所述第二量子点子像素包括绿光量子点子像素,所述第三量子点子像素层包括红光量子点子像素。
9.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
形成底层像素单元,所述底层像素单元包括第一底层子像素和第二底层子像素,在相同发光亮度下,所述第二底层子像素的寿命大于所述第一底层子像素的寿命;
在所述底层像素单元的出光方向的一侧形成量子点像素单元,所述量子点像素单元包括第一量子点子像素和第二量子点子像素,第一量子点子像素位于第一底层子像素的出光方向一侧,第二量子点子像素位于第二底层子像素的出光方向一侧;
量子点像素单元发白色光时,量子点像素单元中的第二量子点子像素的发光亮度大于第一量子点子像素的发光亮度。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1至8任意一项所述的显示面板。
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Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1934909A (zh) * 2004-03-17 2007-03-21 出光兴产株式会社 有机电致发光元件用材料和使用该材料的有机电致发光元件
CN102130146A (zh) * 2009-11-04 2011-07-20 精工爱普生株式会社 有机el装置、有机el装置的制造方法、电子设备
WO2014185032A1 (ja) * 2013-05-17 2014-11-20 パナソニックIpマネジメント株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US20150311261A1 (en) * 2014-04-23 2015-10-29 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
CN106803511A (zh) * 2015-11-25 2017-06-06 上海和辉光电有限公司 Oled显示面板
KR20170112894A (ko) * 2016-04-01 2017-10-12 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN108573998A (zh) * 2018-04-19 2018-09-25 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及制造方法、显示装置
WO2019202313A1 (en) * 2018-04-21 2019-10-24 Savvy Science Limited Pixel arrangement comprising a perovskite light emitting diode
CN211088315U (zh) * 2019-10-16 2020-07-24 昆山国显光电有限公司 一种显示面板和显示装置
CN111799320A (zh) * 2020-09-01 2020-10-20 京东方科技集团股份有限公司 显示面板以及显示装置
CN111916573A (zh) * 2020-08-19 2020-11-10 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种有机电致发光器件及显示装置

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1934909A (zh) * 2004-03-17 2007-03-21 出光兴产株式会社 有机电致发光元件用材料和使用该材料的有机电致发光元件
CN102130146A (zh) * 2009-11-04 2011-07-20 精工爱普生株式会社 有机el装置、有机el装置的制造方法、电子设备
WO2014185032A1 (ja) * 2013-05-17 2014-11-20 パナソニックIpマネジメント株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
CN105165124A (zh) * 2013-05-17 2015-12-16 松下知识产权经营株式会社 有机电致发光元件
US20150311261A1 (en) * 2014-04-23 2015-10-29 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
CN106803511A (zh) * 2015-11-25 2017-06-06 上海和辉光电有限公司 Oled显示面板
KR20170112894A (ko) * 2016-04-01 2017-10-12 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN108573998A (zh) * 2018-04-19 2018-09-25 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及制造方法、显示装置
WO2019202313A1 (en) * 2018-04-21 2019-10-24 Savvy Science Limited Pixel arrangement comprising a perovskite light emitting diode
CN211088315U (zh) * 2019-10-16 2020-07-24 昆山国显光电有限公司 一种显示面板和显示装置
CN111916573A (zh) * 2020-08-19 2020-11-10 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种有机电致发光器件及显示装置
CN111799320A (zh) * 2020-09-01 2020-10-20 京东方科技集团股份有限公司 显示面板以及显示装置

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