CN112602149B - 电光装置和电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的是防止由于线宽的变化而引起的电容的变化以及均匀性的劣化。提供一种电光装置，包括：扫描线(12)；信号线(14)；供应给低电位的馈线(16)；像素电路(110)，其对应于信号线和扫描线设置；驱动电路，其驱动像素电路；电平移位块(47)，其连接至信号线；第一电容(44)，其设置在电平移位块上；以及第二电容(50)，其由信号线与馈线之间的寄生电容形成，其中，通过第一电容与第二电容之间的电容耦合将视频信号电压写入像素电路，信号线由第一金属层形成，馈线由宽度与第一金属层的宽度大致相等的第二金属层形成，并且第一电容和第二电容由第一金属层和第二金属层形成。

Description

电光装置和电子设备
技术领域
本公开设计及电光装置和电子设备。
背景技术
已知的电光装置包括有机发光二极管(OLED)元件等作为发光元件。在电光装置中，包括发光元件、晶体管等的像素电路对应于扫描线和信号线的交叉处的像素设置。在像素电路中，如果将具有根据像素的灰度级的电位的数据信号施加至晶体管的栅极，则晶体管将根据栅极-源极电压的电流馈送至发光元件，使得发光元件根据灰度级的亮度发光。
例如，专利文献1公开了用于包括五个晶体管和一个电容器的有机EL的像素电路。根据该像素电路，在一个水平周期期间，在驱动晶体管阈值校正周期和写入视频信号时，除了将阈值电压和视频信号写入像素中的电容之外，还写入信号线的寄生电容中，从而执行操作。
引用列表
专利文献
专利文献1：日本专利申请公开第2014-186125号。
发明内容
本发明要解决的问题
在专利文献1中，由两个电容来指定要写入信号线的视频信号电压。如果两个电容的值改变，则视频信号电压也改变，这可能导致损害均匀性的一致性的问题。
本技术的目的是提供一种电光装置和电子设备，该电光装置和电子设备能够减小用于指定视频信号电压的值的电容的变化，从而防止损害均匀性的一致性。
问题的解决方案
本技术提供一种电光装置，包括：
扫描线；
信号线；
馈线，低电位供应给该馈线；
像素电路，对应于信号线和扫描线设置；
驱动电路，被配置为驱动像素电路；
电平移位块，连接至信号线；
第一电容，设置在电平移位块上；以及
第二电容，由信号线与馈线之间的寄生电容形成，
其中，
通过第一电容与第二电容之间的电容耦合将视频信号电压写入像素电路，
信号线由第一金属层形成，
馈线由宽度与第一金属层的宽度大致相等的第二金属层形成，并且
第一金属层和第二金属层形成第一电容和第二电容。
此外，本技术提供了一种包括上述电光装置的电子设备。
根据至少一个实施方式，可以减小用于指定视频信号电压的值的电容的变化，从而防止损害均匀性的一致性。注意，本文描述的效果不必是限制性的，并且可以实现本技术中描述的任何一种效果或不同于该效果的效果。此外，本技术的内容不受以下描述中的示例性效果的限制。
附图说明
[图1]图1是常规的像素电路的示例的连接图。
[图2]图2是常规的像素电路和常规的电平移位电路的连接图。
[图3]图3是示出常规的像素电路和电平移位电路的布局的示例的平面图。
[图4]图4是示出常规的像素电路和电平移位电路的布局的另一示例的平面图。
[图5]图5是示出本技术的第一实施方式的布局的平面图。
[图6]图6是本技术的第一实施方式的截面图。
[图7]图7是示出本技术的第二实施方式的布局的平面图。
[图8]图8是本技术的第二实施方式的截面图。
[图9]图9是本技术的第二实施方式的截面图。
[图10]图10是示出本技术的第三实施方式的布局的平面图。
[图11]图11是本技术的第三实施方式的截面图。
[图12]图12是示出本技术的第四实施方式的布局的平面图。
[图13]图13是本技术的第四实施方式的截面图。
[图14]图14是示出本技术的第五实施方式的布局的平面图。
[图15]图15是本技术的第五实施方式的截面图。
[图16]图16是本技术的第五实施方式的截面图。
具体实施方式
下面将描述的实施方式是本技术的适当的具体示例，技术上优选的各种限制被添加至这些示例。然而，除非在以下描述中提及具体地限制本技术，否则本技术的范围不限于这些实施方式。
注意，将按照以下顺序给出本技术的描述。
<1.常规配置>
<2.本技术的第一实施方式>
<3.本技术的第二施方式>
<4.本技术的第三实施方式>
<5.本技术的第四实施方式>
<6.本技术的第五实施方式>
<7.修改示例>
<8.应用示例>
<1.常规配置>
在描述本技术的实施方式之前，将给出专利文献1中公开的常规配置的描述。尽管未在附图中示出，但是电光装置包括显示面板和被配置为控制显示面板的操作的控制电路。显示面板包括多个像素电路和被配置为驱动像素电路的驱动电路。显示面板的多个像素电路和驱动电路形成在硅衬底上，并且作为发光元件的示例的OLED用作像素电路。
将数字图像数据与同步信号同步地供应给控制电路。图像数据是用例如8位指定要在显示面板上显示的图像的像素的灰度级的数据。此外，同步信号是包括垂直同步信号、水平同步信号和点时钟信号的信号。控制电路基于同步信号生成各种控制信号，并且将控制信号供应给显示面板。此外，控制电路包括电压生成电路。电压生成电路将各种电位供应给显示面板。此外，控制电路基于图像数据生成模拟图像信号。
显示面板包括显示单元和被配置为驱动显示单元的驱动电路。在显示单元中，多个扫描线布置在行方向(水平方向)上，并且多个信号线布置在列方向(垂直方向)Y上。连接至多个扫描线中的每个扫描线和多个信号线中的每个信号线的多个像素电路110以矩阵形式布置。
沿着一个扫描线连续设置的三个像素电路110分别对应于R(红色)像素、G(绿色)像素和蓝色(B)像素，并且这三个像素表示彩色图像的一个点。
参考图1，将给出像素电路110的示例的描述。像素电路110连接至扫描线12和信号线14。第i行上的像素电路110包括P型晶体管121至125、OLED 130和保持电容132。将扫描信号Gwr(i)和控制信号Gel(i)、Gcmp(i)和Gorst(i)供应给像素电路110。
驱动晶体管(第一晶体管)121的源极连接至馈线116，并且漏极经由第四晶体管124连接至OLED 130以控制流过OLED 130的电流。被配置为写入信号线电位(灰度电位)的第二晶体管122的栅极连接至扫描线12，并且漏极和源极中的一个连接至信号线14，而另一个连接至第一晶体管121的栅极。
保持电容132连接在第一晶体管121的栅极线与馈线116之间，并且保持第一晶体管121的源极-栅极电压。将电源的高电位Vel馈送至馈线116。OLED 130的阴极用作公共电极，并且设置在电源的低电位Vct。
第三晶体管123的栅极被输入控制信号Gcmp(i)，并且根据控制信号Gcmp(i)在第一晶体管121的栅极与漏极之间形成短路以补偿第一晶体管121的阈值的变化。
用于OLED 130的发光控制晶体管124的栅极被输入控制信号Gel(i)，并且在第一晶体管121的漏极与OLED 130的阳极之间的连接与断开之间切换。复位晶体管(第五晶体管)125的栅极被输入控制信号Gorst(i)，并且根据控制信号Gorst(i)将作为馈线16处的电位的复位电位Vorst供应给OLED 130的阳极。复位电位Vorst与公共电位Vct之间的差被设置为小于OLED 130的发光阈值。即，复位电位Vorst是低电位。
扫描线驱动电路将扫描信号Gwr(i)供应给第i行上的扫描线12。如图2所示，保持电容50由在列方向Y上延伸的信号线14与馈线16之间的寄生电容形成。电平移位电路40根据经由信号线驱动电路和解多路复用器供应的数据信号(灰度级)，通过使用例如保持电容50以及电平移位电路40中的第一保持电容44和第二保持电容41(电容Crf2)的电容耦合，将从DA转换器接收的灰度电压移位为用于驱动晶体管121的栅极电压，以将栅极电压供应给信号线14。第一保持电容44和第二保持电容41是第一电容。保持电容50是第二电容。
将给出电容耦合的描述。图2示出了对应于电平移位电路40中的一个像素的电平移位块47。关于电平移位块47，仅示出一条信号线14。第一保持电容44连接至信号线14中的某个中点。设置初始化开关45以设置用于第一保持电容44的一端的初始电位Vini。初始化开关45的栅极被提供控制信号/Gini。初始化开关43的栅极被提供控制信号Gref，该初始化开关43被配置为设置用于第一保持电容44的另一端的电位Vref。
此外，设置第二保持电容41和传输门42。由于设置了第二保持电容41和传输门42，因此在写入周期(传输门42的关断周期，包括初始化周期和校正周期)之前将灰度电压供应给第二保持电容41，从而第二保持电容41可以保持灰度电压。在后续的写入周期中，第一保持电容44的电极处的电位可以变为第二保持电容41的电极处的电位，使得传输门42导通。
在初始化周期(晶体管122和123两者都关断期间)中，第一保持电容44的两端的电位分别设置为电位Vini和Vref。此时，晶体管124关断，并且晶体管125导通。在初始化周期之后的校正周期(晶体管122和123两者都导通期间)中，晶体管123导通。因此，晶体管121被二极管连接，使得像素电路110中的保持电容132保持晶体管121的阈值电压Vth。
在校正周期之后的写入周期(晶体管122导通期间)中，晶体管123关断，解多路复用器的传输门34导通，并且初始化开关43关断。因此，固定在初始化周期和校正周期中的第一保持电容44的另一端的节点从电位Vref变为灰度级。
在前述电路配置中，在一个水平周期期间，在第一晶体管(驱动晶体管)121的阈值校正周期以及写入视频信号时，除了将阈值电压和视频信号写入保持电容132(电容Cs)之外，还写入信号线14的保持电容50(电容Cdt)中，从而执行操作。
要输入到信号线14的视频信号电压Vsig通过使用设置在像素区域外部的电平移位块47的保持电容44(电容Crf1)、信号线14的保持电容50(电容Cdt)、保持电容132(电容Cs)以及从电平移位块47输入的输入电压Vdata由以下公式表示。
Vsig＝Vdata×(Cdt+Cs)/(Crf1+Cdt+Cs)
这里，从Cdt>>Cs获得以下公式(1)。
Vsig＝Vdata×Cdt/(Crf1+Cdt)…(1)
图3示意性地示出了对应于前述常规电路配置的布局。与图1和图2所示的元件相对应的元件用相同的参考标记表示。如图3所示，形成第一金属层(称为1MT)、第二金属层(称为2MT)、绝缘层(称为ISO)和多晶硅(称为poly)的图案。1MT的材料(铝、铜等)与2MT相同，并且厚度与2MT相等。此外，首先形成1MT，并且然后形成2MT。
电平移位块47的保持电容44(电容Crf1)以在金属层之间***绝缘层的配置的金属-绝缘体-金属(MIM)(称为层间电容)形成。另一方面，保持电容50(电容Cdt)由相同层上的信号线14与供应给低电位的馈线16之间的寄生电容形成。
要写入信号线14的视频信号电压Vsig由公式(1)表示。因此，当1MT或2MT上的线宽在面板平面内变化时，保持电容50(电容Cdt)变化。与此相反，由层间电容形成的保持电容44(电容Crf1)不依赖于线宽的变化。即，如果在公式(1)中存在线宽变化，则电容Crf1的波动随着电容Cdt的变化而变小。因此，Vsig的值相对于屏幕内相同的输入电压Vdata而变化，从而损害均匀性的一致性。
图4示出了常规布局的另一示例。在该布局中，馈线16由1MT形成，具有相同宽度的2MT(信号线14)堆叠在馈线16上，并且保持电容50(电容Cdt)形成为层间电容。根据该配置，线宽的变化对保持电容44和保持电容50两者施加类似的影响。
然而，保持电容44在垂直方向(Y方向)上的尺寸与保持电容50大不相同，并且因此由于线宽的变化而引起的电容值的变化率与保持电容50不同。因此，同样在图4所示的布局中，线宽的变化引起由公式(1)表示的视频信号电压Vsig的值的变化，从而损害均匀性的一致性。
<2.本技术的第一实施方式>
参考图5，将给出本技术的第一实施方式的描述。像素电路110具有与图1所示的电路配置类似的电路配置。电平移位电路40(电平移位块47)具有与图2所示的电路配置类似的电路配置。根据本技术，设计一种布局以防止由于视频信号电压Vsig的值相对于相同输入电压Vdata的变化而损害均匀性的一致性。
图5示出了本技术的第一实施方式中的布局。图6是沿着图5中的线A-A’截取的截面图。平行于Y方向设置两条信号线14，即第一信号线(第一金属层)14A和第二信号线14B(第一金属层)。第一信号线14A、第二信号线14B和馈线16由相同层的金属(例如，1MT(第一金属层))形成。注意，第一信号线14A、第二信号线14B和馈线16可以形成为在宽度和厚度上彼此相等。此外，诸如铝和铜的电极材料中的一种用作金属材料。在使用铜的情况下，可以通过镶嵌工艺形成布线。镶嵌工艺减少层之间的厚度变化，并且因此有利于实现本技术的目的。
第二信号线14B与馈线16之间的寄生电容形成保持电容(第二电容)50(Cdt)。第二晶体管122的漏极和源极中的一个连接至第二信号线14B。此外，电平移位块47的传输门42的输出侧连接至第一信号线14A。在第一信号线14A与第二信号线14B之间形成的寄生电容形成保持电容(第一电容)44(Crf1)。通过设置第一信号线14A与第二信号线14B之间的间隔等形成期望的保持电容44。注意，图6中的浅沟槽隔离(STI)对应于绝缘体嵌入形成在元件之间用于电隔离的沟槽中的部分。
在本技术的前述第一实施方式中，电容Crf1和电容Cdt两者使用相同层上的金属形成为寄生电容。因此，在形成信号线14A和14B以及馈线16的金属的线宽变化的情况下，这些电容Crf1和Cdt以相同的比率以相同的趋势(增大或减小)变化。因此，可以使由公式(1)表示的视频信号电压Vsig的值由于线宽的变化而变化的程度最小化。因此，可以防止损害均匀性的一致性。
<3.本技术的第二实施方式>
参考图7、图8(沿图7中的线A-A’截取的截面图)和图9(沿图7中的线B-B’截取的截面图)，将给出本技术的第二实施方式的描述。像素电路110具有与图1所示的电路配置类似的电路配置。电平移位电路40(电平移位块47)具有与图2所示的电路配置类似的电路配置。
第一信号线14-1(第一金属层)连接至传输门42的输出侧。第一信号线14-1形成为第一金属层(1MT)。形成为第二金属层(2MT)的第二信号线14-2(第二金属层)以绝缘层***在第二信号线14-2与第一信号线14-1之间的方式堆叠在第一信号线14-1上。第二晶体管122的漏极和源极中的一个连接至第二信号线14-2。第二信号线14-2的宽度小于第一信号线14-1的宽度。由第一信号线14-1和第二信号线14-2形成的层间电容是第一电容44(Crf1)。
形成为第三金属层(3MT)的馈线16(第三金属层)以绝缘层***在馈线16与第二信号线14-2之间的方式堆叠在第二信号线14-2上。第二信号线14-2的宽度小于馈线16的宽度。第五晶体管125的漏极和源极中的一个连接至馈线16。由第二信号线14-2与馈线16形成的层间电容是第二电容50(Cdt)。此外，形成第四金属层(4MT)的电极。
在第二实施方式中，三个金属层形成两个层间电容(电容44和电容50)。在跨晶体管122的A-A’截面中，如图8所示，第二信号线14-2比第一信号线14-1和馈线16厚。然而，在除A-A’截面之外的主要部分中，如图9的B-B’截面所示，第二信号线14-2比第一信号线14-1和馈线16薄。因此，在馈线16和第二信号线14-2的线宽变化的情况下，电容44(Crf1)和电容50(Cdt)都不变化，除非这些线宽变得比第一信号线14-1的线宽窄。另一方面，在信号线14-2的线宽变化的情况下，电容44(Crf1)和电容50(Cdt)以大致相同的比率变化。因此，可以保持均匀性的一致性。
<4.本技术的第三实施方式>
参考图10和图11(沿图10中的线A-A’截取的截面图)，将给出本技术的第三实施方式的描述。在第三实施方式中，第一信号线14A与第二信号线14B之间的寄生电容形成保持电容(第二电容)50(Cdt)，并且第二信号线14B与馈线116之间的寄生电容形成保持电容(第一电容)44(Crf1)。将电源的高电位Vel馈送至馈线116。第一信号线14A、第二信号线14B、馈线16和馈线116由相同层的金属(例如，1MT(第一金属层))形成。注意，第一信号线14A、第二信号线14B、馈线16和馈线116可以形成为在宽度和厚度上彼此相等。此外，诸如铝和铜的电极材料中的一种用作金属材料。
在本技术的前述第三实施方式中，电容Crf1和电容Cdt两者使用相同层上的金属形成为寄生电容。因此，在形成信号线14A和14B以及馈线116的金属的线宽变化的情况下，这些电容Crf1和Cdt以相同的比率以相同的趋势(增大或减小)变化。因此，可以使由公式(1)表示的视频信号电压Vsig的值由于线宽的变化而变化的程度最小化。因此，可以防止损害均匀性的一致性。
<5.本技术的第四实施方式>
参考图12和图13(沿图12中的线A-A’截取的截面图)，将给出本技术的第四实施方式的描述。在前述第一实施方式(参见图5和图6)中，用于形成第一电容44(Crf1)和第二电容50(Cdt)的第一信号线14A、第二信号线14B和馈线16是第一金属层(1MT)。与此相反，在第四实施方式中，第一信号线14A、第二信号线14B和馈线16形成为第四金属层(4MT)。第四实施方式也可以与第一实施方式同样地保持均匀性的一致性。
<6.本技术的第五实施方式>
参考图14、图15(沿图14中的线A-A’截取的截面图)和图16(沿图14中的线B-B’截取的截面图)，将给出本技术的第五实施方式的描述。在第五实施方式中，在玻璃衬底上方形成晶体管(TFT)。前述第二实施方式(参见图7、图8和图9)描述了第一信号线14-1(第一金属层)、第二信号线14-2(第二金属层)和馈线16(第三金属层)之间的垂直关系。与此相反，根据第五实施方式，在形成栅极的绝缘层下方的绝缘层上，第一信号线14-1形成为0MT，第二信号线14-2形成为第一金属层(1MT)，并且馈线16形成为第二金属层(2MT)。第五实施方式也可以与第二实施方式和第四实施方式同样地保持均匀性的一致性。
<7.修改示例>
以上已经具体描述了本技术的实施方式。然而，本技术不限于每个前述实施方式，并且可以基于本技术的技术构思进行各种修改。例如，可以进行以下各种修改。此外，可以适当地组合任意选择的以下修改的一个或多个方面。此外，在不脱离本技术的范围的情况下，前述实施方式中的配置、方法、处理、形状、材料、数值等可以彼此组合。
在前述实施方式中，晶体管统一为P沟道型，但是也可以统一为N沟道型。此外，可以适当地组合P沟道型晶体管和N沟道型晶体管。
在前述实施方式中，作为发光元件的OLED被例示为电光元件。可选地，电光元件可以例如是无机发光二极管、发光二极管(LED)等，只要其发射具有根据电流的亮度的光即可。
<8.应用示例>
接下来，将给出应用了根据实施方式等和应用示例的电光装置的电子设备的描述。电光装置旨在用于具有小像素的高清晰度显示。因此，电子设备可应用于显示设备，诸如头戴式显示器、智能眼镜、智能电话以及用于数码相机的电子取景器。
注意，本技术可以采取以下配置。
(1)
一种电光装置，包括：
扫描线；
信号线；
馈线，低电位供应给该馈线；
像素电路，对应于信号线和扫描线设置；
驱动电路，被配置为驱动像素电路；
电平移位块，连接至信号线；
第一电容，设置在电平移位块上；以及
第二电容，由信号线与馈线之间的寄生电容形成，
其中，
通过第一电容与第二电容之间的电容耦合将视频信号电压写入像素电路，
信号线由第一金属层形成，
馈线由宽度与第一金属层的宽度大致相等的第二金属层形成，并且
第一金属层和第二金属层形成第一电容和第二电容。
(2)
根据(1)所述的电光装置，其中，
宽度与第一金属层的宽度大致相等的第三金属层设置在与第一金属层和第二金属层相同的层上并且与第一金属层和第二金属层平行，
第一电容由第一金属层与第三金属层之间的寄生电容形成，并且
第二电容由第二金属层与第三金属层之间的寄生电容形成。
(3)
根据(1)或(2)所述的电光装置，其中，
宽度与第一金属层的宽度大致相等的第三金属层设置在第一金属层上方，
第二金属层设置在第三金属层上方，
第一电容由第一金属层与第三金属层之间的层间电容形成，并且
第二电容由第三金属层与第二金属层之间的层间电容形成。
(4)
根据(1)至(3)中任一项所述的电光装置，其中，
像素电路包括：
第一晶体管，包括栅电极、第一电流端和第二电流端；
发光元件，被配置为以根据通过第一晶体管供应的电流量的亮度发光；
第二晶体管，连接在信号线与第一晶体管的栅电极之间；
第三晶体管，被配置为使第一晶体管的第一电流端与第一晶体管的栅电极导通；
第四晶体管，***在第一电流端与发光元件的端子中的一个端子之间；以及
第五晶体管，***在馈线与发光元件的端子中的一个端子之间。
(5)
一种电子设备，包括：
根据(1)所述的电光装置。
(6)
根据(5)所述的电子设备，其中，
在电光装置中，
宽度与第一金属层的宽度大致相等的第三金属层设置在与第一金属层和第二金属层相同的层上并且与第一金属层和第二金属层平行，
第一电容由第一金属层与第三金属层之间的寄生电容形成，并且
第二电容由第二金属层与第三金属层之间的寄生电容形成。
(7)
根据(5)或(6)所述的电子设备，其中，
在电光装置中，
宽度与第一金属层的宽度大致相等的第三金属层设置在第一金属层上方，
第二金属层设置在第三金属层上方，
第一电容由第一金属层与第三金属层之间的层间电容形成，并且
第二电容由第三金属层与第二金属层之间的层间电容形成。
(8)
根据(5)至(7)中任一项所述的电子设备，其中，
在电光装置中，
像素电路包括：
第一晶体管，包括栅电极、第一电流端和第二电流端；
发光元件，被配置为以根据通过第一晶体管供应的电流量的亮度发光；
第二晶体管，连接在信号线与第一晶体管的栅电极之间；
第三晶体管，被配置为使第一晶体管的第一电流端与第一晶体管的栅电极导通；
第四晶体管，***在第一电流端与发光元件的端子中的一个端子之间；以及
第五晶体管，***在馈线与发光元件的端子中的一个端子之间。
参考标记列表
12 扫描线
14、14-1、14-2、14A、14B 信号线
16 馈线
42 传输门
44 第一电容
50 第二电容
110 像素电路
116 馈线
121 第一晶体管
122 第二晶体管
123 第三晶体管
124 第四晶体管
125 第五晶体管
130 OLED
1MT 第一金属层
2MT 第二金属层
3MT 第三金属层
4MT 第四金属层
5MT 第五金属层。

Claims (6)

1.一种电光装置，包括：
扫描线；
信号线；
馈线，低电位供应给所述馈线；
像素电路，对应于所述信号线和所述扫描线设置；
驱动电路，被配置为驱动所述像素电路；
电平移位块，连接至所述信号线；
第一电容，设置在所述电平移位块上；以及
第二电容，由所述信号线与所述馈线之间的寄生电容形成，
其中，
通过所述第一电容与所述第二电容之间的电容耦合将视频信号电压写入所述像素电路，
所述信号线由第一金属层形成，
所述馈线由宽度与所述第一金属层的宽度相等的第二金属层形成，并且
宽度与所述第一金属层的宽度相等的第三金属层设置在与所述第一金属层和所述第二金属层相同的层上并且与所述第一金属层和所述第二金属层平行，
所述第一电容由所述第一金属层与所述第三金属层之间的寄生电容形成，并且
所述第二电容由所述第二金属层与所述第三金属层之间的寄生电容形成。
2.一种电光装置，包括：
扫描线；
信号线；
馈线，低电位供应给所述馈线；
像素电路，对应于所述信号线和所述扫描线设置；
驱动电路，被配置为驱动所述像素电路；
电平移位块，连接至所述信号线；
第一电容，设置在所述电平移位块上；以及
第二电容，由所述信号线与所述馈线之间的寄生电容形成，
其中，
通过所述第一电容与所述第二电容之间的电容耦合将视频信号电压写入所述像素电路，
所述信号线由第一金属层形成，
所述馈线由宽度与所述第一金属层的宽度相等的第二金属层形成，并且
宽度与所述第一金属层的宽度相等的第三金属层设置在所述第一金属层上方，
所述第二金属层设置在所述第三金属层上方，
所述第一电容由所述第一金属层与所述第三金属层之间的层间电容形成，并且
所述第二电容由所述第三金属层与所述第二金属层之间的层间电容形成。
3.根据权利要求1或2所述的电光装置，其中，
所述像素电路包括：
第一晶体管，包括栅电极、第一电流端和第二电流端；
发光元件，被配置为以根据通过所述第一晶体管供应的电流量的亮度发光；
第二晶体管，连接在所述信号线与所述第一晶体管的所述栅电极之间；
第三晶体管，被配置为使所述第一晶体管的所述第一电流端与所述第一晶体管的所述栅电极导通；
第四晶体管，***在所述第一电流端与所述发光元件的端子中的一个端子之间；以及
第五晶体管，***在所述馈线与所述发光元件的所述端子中的一个端子之间。
4.一种电子设备，包括：
根据权利要求1所述的电光装置。
5.一种电子设备，包括：
根据权利要求2所述的电光装置。
6.根据权利要求4或5所述的电子设备，其中，
在所述电光装置中，
所述像素电路包括：
第一晶体管，包括栅电极、第一电流端和第二电流端；
发光元件，被配置为以根据通过所述第一晶体管供应的电流量的亮度发光；
第二晶体管，连接在所述信号线与所述第一晶体管的所述栅电极之间；
第三晶体管，被配置为使所述第一晶体管的所述第一电流端与所述第一晶体管的所述栅电极导通；
第四晶体管，***在所述第一电流端与所述发光元件的端子中的一个端子之间；以及
第五晶体管，***在所述馈线与所述发光元件的所述端子中的一个端子之间。
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