CN112582484A - 一种太阳能电池及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种太阳能电池及其制作方法，涉及光伏技术领域，可以方便的去除制作钝化接触结构产生的绕镀层。该太阳能的制作方法包括：提供一硅基底，该硅基底具有相对的第一面和第二面；在第二面形成本征半导体层，第一面具有由本征半导体层的材料绕镀成的绕镀层；本征半导体层含有非晶半导体材料；去除绕镀层，对本征半导体层进行掺杂和退火处理，形成多晶掺杂半导体层。本发明提供的太阳能电池及其制作方法用于太阳能电池制造。

Description

一种太阳能电池及其制作方法
技术领域
本发明涉及光伏技术领域，尤其涉及一种太阳能电池及其制作方法。
背景技术
钝化接触太阳能电池主要是在太阳能电池的背面形成隧穿钝化层和掺杂多晶半导体层作为与金属电极的接触结构。
在制作钝化接触太阳能电池的掺杂多晶半导体层时，会在硅基底的另一面形成绕镀层，采用化学刻蚀去除该绕镀层。
发明内容
本发明的目的在于提供一种太阳能电池及其制作方法，以方便的去除制作钝化接触结构产生的绕镀层。
第一方面，本发明提供一种太阳能电池的制作方法。该太阳能的制作方法包括：
提供一硅基底，该硅基底具有相对的第一面和第二面；
在第二面形成本征半导体层，第一面具有由本征半导体层的材料绕镀成的绕镀层；本征半导体层含有非晶半导体材料；
去除绕镀层，对本征半导体层进行掺杂和退火处理，形成多晶掺杂半导体层。
采用上述技术方案时，形成含有非晶半导体材料的本征半导体层之后，先去除绕镀层，再对本征半导体层进行掺杂和退火处理，形成多晶掺杂半导体层。此时，绕镀层是由本征半导体层的材料绕镀而成，绕镀层的材料与本征半导体层的材料相同。在这种情况下，绕镀层的材料含有本征非晶半导体材料。相对于多晶半导体材料，非晶半导体材料未被晶化，其与刻蚀剂反应速率更快。当去除绕镀层时，绕镀层可以较快的与刻蚀剂反应，缩短去除绕镀层的工艺时间，使得绕镀层可以较容易的被去除，从而提高太阳能电池的制作效率。并且，由于绕镀层能够较容易的去除，可以减少规模化生产过程中硅基底的第一面残留的绕镀层，从而可以降低由残留的绕镀层产生的寄生吸收的风险，提高太阳能电池的转换效率。可见，本发明的太阳能的制作方法可以提高制作效率和太阳能电池的转换效率。
此外，与掺杂非晶体材料相比，本征非晶半导体材料在未掺杂状态下，可以避免刻蚀速率过快，从而减少去除绕镀层过程对硅基底的第二面的损伤，较好的保留硅基底的第二面的本征半导体层，进一步提高太阳电池的性能。
在一些可能的实现方式中，上述本征半导体层的形成温度小于或等于700℃。该本征半导体层的形成温度低于非晶半导体材料的晶化温度。此时，可以在形成本征半导体层的过程中，使本征半导体层和绕镀层所含有的材料保持非晶状态，有效避免绕镀层所含有的非晶半导体材料晶化，使得绕镀层容易去除。
在一些可能的实现方式中，形成本征半导体层的工艺为低压化学气相沉积工艺、常压化学气相沉积工艺、增强型等离子体化学气相沉积工艺、热丝化学气相沉积工艺、磁控溅射中的任一种。
在一些可能的实现方式中，上述本征半导体层还含有多晶半导体材料、微晶半导体材料、纳米半导体材料中的一种或多种。
在一些可能的实现方式中，上述本征半导体的材料为硅。硅不仅材料方便获得，成本较低，而且非晶硅相对于多晶硅容易刻蚀。当绕镀层的材料含有非晶硅时，绕镀层容易去除。
在一些可能的实现方式中，上述本征半导体层的厚度为20nm～500nm。
在一些可能的实现方式中，去除绕镀层的工艺为链式单面去膜工艺，去除绕镀层的刻蚀剂为碱性溶液。该链式单面去膜工艺，可以对位于硅基底的第二面的绕镀层进行单面去膜处理，从而在去除绕镀层的同时保留硅基底的第一面的本征半导体层。该碱性溶液可以为KOH、NaOH等碱金属溶液。
在一些可能的实现方式中，在第二面形成本征半导体层后，在去除绕镀层之前，太阳能电池的制作方法还包括：在本征半导体层上形成水膜。该水膜附着在位于硅基底的第二面的本征半导体层上。利用刻蚀剂等去除硅基底的第一面的绕镀层时，水膜可以起到遮挡的作用，保护本征半导体层不与刻蚀剂接触，从而避免本征半导体层被刻蚀剂破坏。
在一些可能的实现方式中，对本征半导体层进行掺杂的方式为热扩散方式、离子注入方式或掺杂源涂布推进方式。这些方式都可以将杂质掺杂到本征半导体层中。并且，这些掺杂的方式均为非原位掺杂，即先形成本征半导体层，后掺杂退火形成掺杂半导体层，相对于原位掺杂，不仅可以提高生产效率，而且可以降低成本。
在一些可能的实现方式中，在第二面形成本征半导体层后，在去除绕镀层之前，太阳能电池的制作方法还包括：在确保本征半导体层含有非晶半导体材料的情况下，在本征半导体层上形成氧化层。在利用刻蚀等去除绕镀层的过程中，氧化层可以起到较好的遮挡作用，保护本征半导体层不与刻蚀剂接触，从而避免本征半导体层被刻蚀剂破坏。
在一些可能的实现方式中，形成氧化层的温度小于或等于700℃。该形成氧化层的温度低于非晶半导体材料的晶化温度。此时，可以在形成氧化层的过程中，使绕镀层所含有的材料保持非晶状态，有效避免绕镀层所含有的非晶半导体材料晶化，使得绕镀层容易去除。
在一些可能的实现方式中，在第二面形成本征半导体层之前，太阳能电池的制作方法还包括：在硅基底的第二面形成隧穿钝化层。
在一些可能的实现方式中，在形成多晶掺杂半导体层后，太阳能电池的制作方法还包括：对硅基底进行边缘隔离。此时，可以将太阳能电池的正极和负极隔离开，实现正极和负极的电绝缘，以降低太阳能电池漏电和短路的风险。
第二方面，本发明提供一种太阳能电池。该太阳能电池采用第一方面或第一方面任一项可能的实现方式所描述的太阳能电池的制作方法制作而成。
第二方面提供的太阳能电池的有益效果，可以参考第一方面或第一方面任一可能的实现方式所描述的太阳能电池的制作方法的有益效果，在此不再赘言。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1为本发明实施例提供的太阳能电池的结构示意图；
图2～图10为本发明实施例提供的太阳能电池的制作方法的各阶段状态示意图。
图1～图10中，10-衬底，101-绒面结构，11-掺杂层，12-氧化层，13-绕镀层，14-第一钝化层，15-第一电极，21-隧穿钝化层，201-本征半导体层，22-多晶掺杂半导体层，23-第二钝化层，24-第二电极。
具体实施方式
为了便于清楚描述本发明实施例的技术方案，在本发明的实施例中，采用了“第一”、“第二”等字样对功能和作用基本相同的相同项或相似项进行区分。本领域技术人员可以理解“第一”、“第二”等字样并不对数量和执行次序进行限定，并且“第一”、“第二”等字样也并不限定一定不同。
需要说明的是，本发明中，“示例性的”或者“例如”等词用于表示作例子、例证或说明。本发明中被描述为“示例性的”或者“例如”的任何实施例或设计方案不应被解释为比其他实施例或设计方案更优选或更具优势。确切而言，使用“示例性的”或者“例如”等词旨在以具体方式呈现相关概念。
本发明中，“至少一个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B的情况，其中A，B可以是单数或者复数。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。“以下至少一项(个)”或其类似表达，是指的这些项中的任意组合，包括单项(个)或复数项(个)的任意组合。例如，a，b或c中的至少一项(个)，可以表示：a，b，c，a和b的结合，a和c的结合，b和c的结合，或a、b和c的结合，其中a，b，c可以是单个，也可以是多个。
本发明实施例提供一种太阳能电池。如图1所示，该太阳能电池包括衬底10、钝化接触结构、第一电极15和第二电极24。衬底10具有相对的第一面和第二面。衬底的第一面形成有pn结，钝化接触结构位于衬底10的第二面。第一电极15位于衬底10的第一面，第二电极24位于衬底10的第二面并与钝化接触结构电接触。应理解，太阳能电池还可以包括其他结构，具体如下描述。
本发明实施例还提供上述太阳能电池的制作方法。如图2～10所示，该太阳能电池的制作方法具体包括如下步骤。
如图2所示，提供一衬底10。该衬底10可以为n型半导体衬底，也可以为p型半导体衬底。衬底10的材料可以为硅。该衬底10具有相对的第一面和第二面。下面以n型硅半导体衬底，且衬底10的第一面为正面描述太阳能电池的制作方法。
如图3所示，对衬底10进行织构化处理。具体的，可以是对衬底10的单面进行织构化处理，也可以是对衬底10的双面进行织构化处理。进行织构化处理后的衬底10的表面的反射率小于12％。
示例性的，织构化处理可以是使用碱溶液进行双面制绒处理。利用具有添加剂的碱溶液处理衬底10，可以在衬底10表面形成金字塔形貌的绒面结构101。该绒面结构101可以起到陷光的作用，减少太阳能电池对太阳光的反射，进而提高太阳能电池性能。当然，在一些太阳能电池的制作方法中，织构化处理工序也可以省略。
如图4所示，对衬底10的第一面进行掺杂处理，形成掺杂层11和氧化层12。
上述掺杂层11可以为n型掺杂，也可以为p型掺杂。相应的，掺杂层11的掺杂源可以为第VA族元素，也可以为第ⅢA族元素。掺杂层11的表面掺杂浓度为1×1017～5×1021cm-3。当掺杂源为硼时，氧化层12的材质为含硼氧化硅(BSG)。当掺杂源为磷时，氧化层12的材质为含磷氧化硅(PSG)。
上述掺杂处理可以采用整面掺杂方式进行掺杂。形成掺杂层11的掺杂处理可以采用热扩散工艺、离子注入工艺、掺杂源涂布推进工艺中任一种。当采用热扩散工艺对衬底10的第一面进行掺杂处理时，杂质源可以为BBr3或BCl3，掺杂处理的设备可以为管式热扩散设备，掺杂处理的加工温度可以为700℃～1100℃。
应理解，在一些太阳能电池中，也可以在掺杂层11上的部分区域进行重掺杂，形成重掺杂层。重掺杂层的掺杂浓度大于上述掺杂层11的掺杂浓度。此时，可以形成选择性发射极结构。
如图5所示，在衬底10的第二面形成隧穿钝化层21。该隧穿钝化层21的材料为介电材料。具体的隧穿钝化层21的材料可以为自氢化非晶硅、氮氧硅、碳化硅、氮化硅、氧化铝、氧化硅中的一种或多种。隧穿钝化层21的厚度可以为0.5nm-5nm。
形成隧穿钝化层21的工艺可以为物理气相沉积工艺，也可以为化学气相沉积工艺。为了简化工艺，可以直接氧化处理硅基底生成氧化硅作为隧穿钝化层21。此时，形成隧穿钝化层21与上述在衬底10的第一面形成掺杂层11可以在同一设备中完成。
此时，所获得的结构可以定义为硅基底。硅基底的第一面、第二面与衬底10的第一面、第二面一一对应。应理解，制作太阳能电池时，可以是以衬底10为工艺起点进行电池制作，也可以是以本发明实施例定义的硅基底为工艺起点进行电池制作。需要说明的是，在形成隧穿钝化层21之前，需要清洗硅基底的第二面上存在的绕镀并部分刻蚀硅基底的第二面，提高硅基底的第二面平整度。
如图6所示，在硅基底的第二面上形成本征半导体层201。此时，硅基底的第一面具有由本征半导体层201的材料绕镀成的绕镀层13。绕镀层13的材料与本征半导体层201的材料相同。本征半导体层201含有非晶半导体材料。该本征半导体层201还可以含有多晶半导体材料、微晶半导体材料、纳米半导体材料中的一种或多种。上述本征半导体层201的材料为硅。硅不仅材料方便获得，成本较低，而且非晶硅相对于多晶硅容易刻蚀。当绕镀层13的材料含有非晶硅时，绕镀层13更容易去除。具体的，本征半导体层201可以包括非晶硅，以及多晶硅、微晶硅、纳米硅中的一种或多种。
上述本征半导体层201的厚度可以为20nm～500nm。例如，本征半导体层201的厚度可以为20nm、80nm、110nm、170nm、200nm、300nm、350nm、400nm、460nm、500nm等。
上述本征半导体层201的形成温度可以小于或等于700℃。例如，本征半导体层201的形成温度可以为700℃、650℃、600℃、550℃、500℃、400℃、300℃等。该本征半导体层201的形成温度低于非晶半导体材料的晶化温度。此时，可以在形成本征半导体层201的过程中，使本征半导体层201和绕镀层13所含有的材料保持非晶状态，有效避免绕镀层13所含有的非晶半导体材料晶化，使得绕镀层13容易去除。
形成本征半导体层201的工艺可以为低压化学气相沉积工艺、常压化学气相沉积工艺、增强型等离子体化学气相沉积工艺、热丝化学气相沉积工艺、磁控溅射中的任一种。
如图7所示，去除绕镀层13。该绕镀层13包括非晶半导体材料。去除绕镀层13的刻蚀剂可以为碱性溶液。该碱性溶液可以为KOH、NaOH等碱金属溶液。去除绕镀层13的工艺可以为链式单面去膜工艺。该链式单面去膜工艺，可以对位于硅基底的第二面的绕镀层13进行单面去膜处理，从而在去除绕镀层13的同时保留硅基底的第一面的本征半导体层201。
上述链式单面去膜工艺可以利用多种设备来实现。例如，链式单面去膜工艺可以利用履带式刻蚀设备，也可以利用滚轮式刻蚀设备。无论是履带式刻蚀设备，还是滚轮式刻蚀设备，都可以使位于硅基底的第一面的绕镀层13与刻蚀设备中的刻蚀剂接触，硅基底的第二面不与刻蚀设备中的刻蚀剂接触，从而实现单面去膜。
示例性的，履带式刻蚀设备包括一个或者多个槽体，每个槽体中容纳有KOH。在利用履带式刻蚀设备去除绕镀层13的过程中，使硅基底的第一面朝向槽体，绕镀层13与槽体中的刻蚀剂的液面相接触。槽体中的刻蚀剂液面的高度与绕镀层13的高度基本相同。绕镀层13保持与刻蚀剂相接触的状态，从槽体中经过，使得绕镀层13被去除，同时第二面的本征半导体层201被保留。
在第二面形成本征半导体层201后，去除绕镀层13之前，还可以在本征半导体层201上形成水膜。具体的，可以在硅基底经过履带式刻蚀设备(滚轮式刻蚀设备)之前，利用水膜装置在硅基底的第二面喷淋水，形成水膜。该水膜附着在位于硅基底的第二面的本征半导体层201上。利用刻蚀剂等去除硅基底的第一面的绕镀层13时，水膜可以起到遮挡的作用，保护本征半导体层201不与刻蚀剂接触，从而避免本征半导体层201被刻蚀剂破坏。
另外，在第二面形成本征半导体层201后，在去除绕镀层13之前，还可以在确保本征半导体层201含有非晶半导体材料的情况下，在本征半导体层201上形成氧化层。在利用刻蚀等去除绕镀层13的过程中，氧化层可以起到较好的遮挡作用，保护本征半导体层201不与刻蚀剂接触，从而避免本征半导体层201被刻蚀剂破坏。在实际应用中，形成氧化层的温度小于或等于700℃。该形成氧化层的温度低于非晶半导体材料的晶化温度。此时，可以在形成氧化层的过程中，使绕镀层13所含有的材料保持非晶状态，有效避免绕镀层13所含有的非晶半导体材料晶化，使得绕镀层13容易去除。
鉴于金属离子对太阳能电池的性能影响较大，去除绕镀层13后，还可以利用含有HCl的溶液对去除绕镀层13的硅基底进行清洗。Cl-离子的络合作用可以极大的降低金属离子含量，从而降低硅基底表面的金属离子残留。
去除绕镀层13后，还可以对硅基底水洗，以清洗残留的刻蚀剂，防止残留液体对后续工艺造成影响。水洗后，还可以对硅基底进行烘干，以防止沾染空气中或者工装夹具的灰尘、杂质。
如图8所示，对本征半导体层201进行掺杂和退火处理，形成多晶掺杂半导体层22。在此过程中，非晶半导体材料在退火处理后，转变为多晶半导体材料。并且，隧穿钝化层21中会形成隧穿针孔，该隧穿针孔有利于隧穿钝化层21在保证钝化效果的同时更好的进行载流子传输。
对本征半导体层201进行掺杂的杂质的导电类型与硅基底的第一面的掺杂层11的导电类型相反。示例性的，掺杂层11为p型掺杂，多晶掺杂半导体层22则为n型掺杂。当掺杂层11掺杂硼时，多晶掺杂半导体层22可以掺杂第VA族元素，例如磷。
对本征半导体层201进行掺杂的方式为热扩散方式、离子注入方式或掺杂源涂布推进方式。这些方式都可以将杂质掺杂到本征半导体层201中。并且，这些掺杂的方式均为非原位掺杂，即先形成本征半导体层201，后掺杂退火形成掺杂半导体层，相对于原位掺杂，不仅可以提高生产效率，而且可以降低成本。为了简化工艺，可以在管式热扩散设备中完成形成掺杂层11、形成隧穿钝化层21以及对本征半导体层201进行掺杂的步骤。
在实际应用中，为了确保非晶半导体材料转变为多晶半导体资料，退火温度可以为700℃-900℃。例如，退火温度可以为700℃、730℃、770℃、800℃、850℃、880℃、900℃等。
综上所述，本发明实施例在形成含有非晶半导体材料的本征半导体层201之后，先去除绕镀层13，再对本征半导体层201进行掺杂和退火处理，形成多晶掺杂半导体层22。此时，绕镀层13是由本征半导体层201的材料绕镀而成，绕镀层13的材料与本征半导体层201的材料相同。在这种情况下，绕镀层13的材料含有本征非晶半导体材料。相对于多晶半导体材料，非晶半导体材料未被晶化，其与刻蚀剂反应速率更快。当去除绕镀层13时，绕镀层13可以较快的与刻蚀剂反应，缩短去除绕镀层13的工艺时间，使得绕镀层13可以较容易的被去除，从而提高太阳能电池的制作效率。并且，由于绕镀层13能够较容易的去除，可以减少规模化生产过程中硅基底的第一面残留的绕镀层13，从而可以降低由残留的绕镀层13产生的寄生吸收的风险，提高太阳能电池的转换效率。可见，本发明实施例的太阳能的制作方法可以提高制作效率和太阳能电池的转换效率。
此外，与掺杂非晶体材料相比，本征非晶半导体材料在未掺杂状态下，可以避免刻蚀速率过快，从而减少去除绕镀层13过程对硅基底的第二面的损伤，较好的保留硅基底的第二面的本征半导体层201，进一步提高太阳电池的性能。
如图9所示，对硅基底的第一面进行钝化处理，形成第一钝化层14；对硅基底的第二面进行钝化处理，形成第二钝化层23。
第一钝化层14的材料可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅、非晶硅中的一种或多种。第二钝化层23的材料可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅、非晶硅中的一种或多种。第一钝化层14和第二钝化层23，两者可以为相同材质，也可以为不同材质。
形成第一钝化层14和第二钝化层23的工艺可以为增强型等离子体化学气相沉积工艺、原子层沉积工艺中的一种。
应理解，在钝化处理前，应当对硅基底第一面和第二面进行清洗处理，以去除第一面的氧化层12并去除制作钝化接触结构过程产生的位于第二面的氧化层。具体的，可以利用含有氢氟酸的链式或槽式设备，对硅基底的第一面和第二面进行清洗。
如图10所示，在硅基底的第一面上形成第一电极15，第一电极15与掺杂层11电接触。在硅基底的第二面上形成第二电极24，第二电极24与多晶掺杂半导体层22电接触。第一电极15和第二电极24的材料均可以包括银、铜、铝、镍、钛、钨、锡中的一种或多种。
在实际应用中，利用金属化工艺形成第一电极15和第二电极24。具体的，金属化工艺可以为PVD工艺、丝网印刷工艺、电镀工艺、无电镀工艺、激光转印工艺、喷涂工艺中的一种或多种。
形成第一电极15和第二电极24时，可以采用多种工艺相结合的工艺。例如，可以使用丝网印刷工艺印刷含银或铜的浆料，然后在500℃～900℃通过烧结工艺或退火工艺完成电极制备。又例如，可以使用PVD工艺制备种子层，图形化种子层，然后再利用电镀方法制备电极，再辅助以退火形成电极。又例如，可以使用无电镀工艺形成种子层，然后利用电镀方法加厚，最后使用退火完成电极制备。
上述太阳能电池的制作方法，还可以包括对硅基底进行边缘隔离。此时，可以将太阳能电池的正极和负极隔离开，实现正极和负极的电绝缘，以降低太阳能电池漏电和短路的风险。
上述边缘隔离的方法可以为干法边缘隔离，也可以为激光边缘隔离。干法边缘隔离可以使用含F或和Cl元素的气体。
在实际应用中，对硅基底进行边缘隔离，可以是在电极制备完成后。此时，操作简单方便。采用干法刻蚀进行边缘隔离时，可以将完成制备的太阳能电池层叠起来，仅对电池的侧边进行干法刻蚀。这种处理方法，不仅可以实现批量化操作，而且不需要清洗等步骤，可提高加工效率。
对硅基底进行边缘隔离，也可以是在形成第一钝化层14和第二钝化层23之前。此时，可以在形成第一钝化层14和第二钝化层23的过程中，对边缘隔离所产生的缺陷区域，进行钝化，从而有效保证太阳能电池效率。
尽管在此结合各实施例对本发明进行了描述，然而，在实施所要求保护的本发明过程中，本领域技术人员通过查看附图、公开内容、以及所附权利要求书，可理解并实现公开实施例的其他变化。在权利要求中，“包括”(comprising)一词不排除其他组成部分或步骤，“一”或“一个”不排除多个的情况。相互不同的从属权利要求中记载了某些措施，但这并不表示这些措施不能组合起来产生良好的效果。
尽管结合具体特征及其实施例对本发明进行了描述，显而易见的，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可对其进行各种修改和组合。相应地，本说明书和附图仅仅是所附权利要求所界定的本发明的示例性说明，且视为已覆盖本发明范围内的任意和所有修改、变化、组合或等同物。显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包括这些改动和变型在内。

Claims (12)

1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：
提供一硅基底，所述硅基底具有相对的第一面和第二面；
在所述第二面形成本征半导体层，所述第一面具有由所述本征半导体层的材料绕镀成的绕镀层；所述本征半导体层含有非晶半导体材料；
去除所述绕镀层，对所述本征半导体层进行掺杂和退火处理，形成多晶掺杂半导体层。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述本征半导体层的形成温度小于或等于700℃。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，形成所述本征半导体层的工艺为低压化学气相沉积工艺、常压化学气相沉积工艺、增强型等离子体化学气相沉积工艺、热丝化学气相沉积工艺、磁控溅射中的任一种。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述本征半导体层还含有多晶半导体材料、微晶半导体材料、纳米半导体材料中的一种或多种；和/或，
所述本征半导体层的材料为硅；和/或，
所述本征半导体层的厚度为20nm～500nm。
5.根据权利要求1～4任一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，去除所述绕镀层的工艺为链式单面去膜工艺，去除所述绕镀层的刻蚀剂为碱性溶液。
6.根据权利要求1～4任一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，在所述第二面形成本征半导体层后，在去除所述绕镀层之前，所述太阳能电池的制作方法还包括：
在所述本征半导体层上形成水膜。
7.根据权利要求1～4任一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，对所述本征半导体层进行掺杂的方式为热扩散方式、离子注入方式或掺杂源涂布推进方式。
8.根据权利要求1～4任一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，在所述第二面形成本征半导体层后，在去除所述绕镀层之前，所述太阳能电池的制作方法还包括：
在确保所述本征半导体层含有非晶半导体材料的情况下，在所述本征半导体层上形成氧化层。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，形成所述氧化层的温度小于或等于700℃。
10.根据权利要求1～4任一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，在所述第二面形成本征半导体层之前，所述太阳能电池的制作方法还包括：
在所述硅基底的第二面形成隧穿钝化层。
11.根据权利要求1～4任一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，在形成多晶掺杂半导体层后，所述太阳能电池的制作方法还包括：对所述硅基底进行边缘隔离。
12.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池采用权利要求1～11任一项所述的太阳能电池的制作方法制作而成。
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