CN112582333A - 一种重新布线层及其制备方法 - Google Patents
一种重新布线层及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112582333A CN112582333A CN201910924189.6A CN201910924189A CN112582333A CN 112582333 A CN112582333 A CN 112582333A CN 201910924189 A CN201910924189 A CN 201910924189A CN 112582333 A CN112582333 A CN 112582333A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- metal electrode
- polyimide
- substrate
- diffusion barrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 96
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 96
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims abstract description 42
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 38
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 35
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 28
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 10
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 10
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 180
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76819—Smoothing of the dielectric
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
- H01L23/5329—Insulating materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
- H01L21/76871—Layers specifically deposited to enhance or enable the nucleation of further layers, i.e. seed layers
- H01L21/76873—Layers specifically deposited to enhance or enable the nucleation of further layers, i.e. seed layers for electroplating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
- H01L23/53204—Conductive materials
- H01L23/53209—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides
- H01L23/53228—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides the principal metal being copper
- H01L23/53238—Additional layers associated with copper layers, e.g. adhesion, barrier, cladding layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
本发明提供一种重新布线层及其制备方法，所述重新布线层包括：覆盖于衬底上表面的聚酰亚胺层；位于所述聚酰亚胺层表面的图形化的扩散阻挡层和位于所述扩散阻挡层表面的金属种子层；位于所述金属种子层表面的金属电极层；将所述金属电极层电引出的键合线。本发明在重新布线层的制备过程中，增加聚酰亚胺层，使得经过化学机械抛光后的衬底表面更加平整，从而减少金焊盘因衬底粗糙而导致的表面缺陷，提高键合良率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术封装领域，尤其涉及一种重新布线层及其制备方法。
背景技术
晶圆级封装技术将整个晶圆作为封装和测试对象，然后切割成单个成品芯片，该工艺顺序不同于传统的芯片封装。晶圆级填料的模具尺寸比传统填料小约20％。因此，晶圆级封装芯片的体积与裸芯片的尺寸几乎相同，这可以大大减小封装芯片尺寸。
对于多层堆叠的封装结构，涉及到多次塑封和多次重新布线层的制备，于塑封层上再次制备重新布线时，往往晶圆上已形成了较厚的塑封层，而经过化学机械抛光后的塑封层，因表面较为粗糙，会影响在此基础上形成的焊盘的平整性，甚至会造成焊盘表面的缺陷或者是键合失败。
因此，如何提高重新布线层的焊盘表面平整度以及键合良率是本领域技术人员亟需解决的问题。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提出一种重新布线层的制备方法，用于解决现有技术中因衬底不平而导致的金焊盘表面缺陷以及键合失效的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种重新布线层的制备方法，所述方法至少包括以下步骤：
1)提供一衬底；
2)于所述衬底上表面形成聚酰亚胺层；
3)于所述聚酰亚胺层上表面依次形成扩散阻挡层和金属种子层；
4)通过涂胶、曝光、显影工艺，于所述金属种子层上表面形成图形化的光刻胶层；
5)于未被所述光刻胶层覆盖的所述金属种子层的上表面形成金属电极层；
6)去除所述光刻胶层，并去除未被所述金属电极层覆盖的所述金属种子层和所述扩散阻挡层；
7)将键合线与所述金属电极层键合，进行电引出。
可选地，所述步骤2)的具体过程包括：于所述衬底表面均匀涂覆聚酰亚胺胶体，经过烘烤固化后，形成聚酰亚胺层。
可选地，所述金属电极层的制备方法包括电镀法和化学镀法中的任意一种。
可选地，步骤6)中去除未被所述金属电极层覆盖的所述金属种子层和所述扩散阻挡层的方法包括干法刻蚀或湿法刻蚀。
可选地，所述图形化光刻胶层的厚度大于等于所述金属电极层的厚度。
可选地，步骤7)中所述键合方式为超声波键合、热压键合以及热超声波键中的任意一种。
本发明还提供了一种重新布线层，所述重新布线层包括：
覆盖于衬底上表面的聚酰亚胺层；
位于所述聚酰亚胺层表面的图形化的扩散阻挡层和位于所述扩散阻挡层表面的金属种子层；
位于所述金属种子层表面的金属电极层；
将所述金属电极层电引出的键合线。
可选地，所述衬底为经过化学机械抛光后的塑封晶圆。
可选地，所述聚酰亚胺层的厚度为5～10μm。
可选地，所述扩散阻挡层的材料包括Ti、TiN、Ta、TaN、TiW、Cr中的一种或多种，所述金属种子层的材料包括铜，所述金属电极层的材料包括Ni/Au。
如上所述，本发明在重新布线层的制备过程中，增加聚酰亚胺层，使得经过化学机械抛光后的衬底表面更加平整，从而减少金焊盘因衬底粗糙而导致的表面缺陷，提高键合良率。
附图说明
图1显示为本发明重新布线层制备方法的流程图。
图2显示为实施例中衬底的示意图。
图3显示为实施例中于衬底上表面形成聚酰亚胺层的示意图。
图4显示为实施例中于衬底上表面形成扩散阻挡层以及金属种子层的示意图。
图5显示为实施例中于金属种子层上表面形成光刻胶层的示意图。
图6显示为实施例中形成金属电极层的示意图。
图7显示为实施例中去除光刻胶层的示意图。
图8显示为实施例中去除金属种子层和扩散阻挡层的示意图。
图9显示为实施例中键合线键合的示意图。
元件标号说明
10 衬底
11 晶圆
12 塑封层
13 聚酰亚胺层
14 扩散阻挡层
15 金属种子层
16 光刻胶层
17 金属电极层
18 键合线
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1至图9。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，虽图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。
本实施例提供一种重新布线层及其制备方法。
如图9所示，本实施例提供一种重新布线层，重新布线层的结构包括：位于衬底10之上的聚酰亚胺层13，位于聚酰亚胺层13表面的图像化的扩散阻挡层14以及金属种子层15、位于金属种子层15之上的金属电极层17以及将金属电极层17电引出的键合线18。
作为示例，聚酰亚胺层13与扩散阻挡层14之间还包含一硅层(未绘出)。
作为示例，衬底10为经过化学机械抛光后的塑封晶圆，包括晶圆11和塑封层12。
作为示例，聚酰亚胺层18的厚度为5～10μm。
作为示例，扩散阻挡层14的材料包括Ti、TiN、Ta、TaN、TiW、Cr中的一种或多种，金属种子层15的材料包括铜，金属电极层17的材料包括Ni/Au。
本实施例还提供一种重新布线层的制备方法。
请参阅图1，所述重现布线层的制备方法包括如下步骤：
1)提供一衬底；
2)于所述衬底上表面形成聚酰亚胺层；
3)于所述聚酰亚胺层上表面依次形成扩散阻挡层和金属种子层；
4)通过涂胶、曝光、显影工艺，于所述金属种子层上表面形成图形化的光刻胶层；
5)于未被所述光刻胶层覆盖的所述金属种子层的上表面形成金属电极层；
6)去除所述光刻胶层，并去除未被所述金属电极层覆盖的所述金属种子层和所述扩散阻挡层；
7)将键合线与所述金属电极层键合，进行电引出。
下面结合附图进一步详细说明本实施例的技术方案，本实施例是基于多层封装结构的重新布线层的制备方法。
如图2所示，进行步骤1)，本实施例提供的衬底10为已形成塑封层的塑封晶圆，塑封晶圆至少包括晶圆11和位于晶圆11上表面的塑封层12。
在另外的实施例中，衬底10还可以为单一材料的晶圆或复合材料的晶圆或晶圆与粘结层等形成的复合结构。
如图3所示，进行步骤2)，于衬底10上表面形成聚酰亚胺层13。
聚酰亚胺层13的具体制备过程为于衬底上表面均匀涂覆聚酰亚胺胶体，将涂覆后的衬底置于烘烤箱中60℃～80℃温度下软烤60min后，将烘烤箱温度调至100℃～120℃温度下烘烤至胶体成型。聚酰亚胺层13的厚度一般在5-10μm，聚酰亚胺层的粗糙度为1～3μm。
在衬底表面形成聚酰亚胺层的原因在于在塑封晶圆形成的过程中，要经历化学机械抛光处理，而经化学机械抛光后，塑封晶圆的表面粗糙度很大，会影响后续形成的位于塑封晶圆表面的金属电极层的表面平整度，甚至会造成键合于金属电极层的键合失效。在塑封层表面涂覆聚酰亚胺，能够提高塑封层表面的平整度，进而也可以提高金属电极层的平整度及键合良率。而且，聚酰亚胺胶体经过旋涂，由于其本身的流平性，可以得到光滑的表面，明显降低了衬底表面的粗糙度。当然，在其他情况导致的衬底表面不平整时，也可以通过增加聚酰亚胺层以提高平整度。
如图4所示，进行步骤3)，于聚酰亚胺层13表面形成扩散阻挡层14和金属种子层15。
扩散阻挡层14的材料可以为Ti、TiN、Ta、TaN、TiW、Cr中的一种或多种。由于重新布线层中的金属种子层大都是由Cu材料制成，而由于Cu在硅基底或低介电常数介质中具有很高的扩散系数。所以，为了避免Cu的扩散，需要首先在衬底制备一扩散阻挡层以阻止Cu向衬底扩散，以及增加Cu与衬底的粘附力。
在本实施例中，选用Ti作为扩散阻挡层，选用常规的溅射法形成扩散阻挡层13。
形成金属种子层15的原因在于一般采用电镀法制备器件的重新布线层，而电镀形成的关键是通过表面的金属层产生电流使金属沉积，对于大多数衬底来说，一般是由半导体材料或半导体与聚合物的复合材料制成，是不导电的，所以不能进行重新布线层的电镀，因此需要在不导电的衬底表面再形成一层金属层，以作为电镀的金属种子层。
金属种子层15的材料可以为金属铜或铜合金、也可以为铝或铝合金。在本实施例中，选用金属铜作为金属种子层的材料。
扩散阻挡层14和金属种子层15的制备方法可以为溅射法、电化学镀法、物理气相沉积法、化学气相沉积法等物理或化学方法。
如图5所示，进行步骤4)，通过涂胶、曝光、显影，形成图形化的光刻胶层16。
将光刻胶均匀涂布于金属种子层15表面，然后，将覆盖有光刻胶的基板从涂胶机上转移至烘箱中进行涂胶后烘，以蒸发光刻胶中的水分，固定光刻胶。将紫外光透过光罩板上的图形照射到涂有光刻胶的基板表面，受紫外光照射后光刻胶变形，光刻胶被显影液腐蚀，经过清洗后，留下和光罩板上一致或互补的图形，从而形成了图形化的光刻胶层16。
如图6所示，进行步骤5)，于光刻胶层16未覆盖的金属种子层15的上表面形成金属电极层17。
金属电极层17的厚度优选的要小于或等于光刻胶层16的厚度，这样，可以精确控制金属电极层17的线宽。
金属电极层17的材料选用Ni/Au材料。可以采用化学镀法或电镀法形成金属电极层17。在本实施例中，采用电镀法形成金属电极层17。其具体做法为：通过施电的方式，在金属种子层上镀上一层低应力的约3～5μm的镍层，然后再在镍层上镀上一层约0.01～005μm的薄金。在电镀液一定的情况下，通过控制电镀的时间来实现对镀层厚度的控制。
如图7以及图8所示，进行步骤6)，去除图形化光刻胶层16，并去除没有被金属电极层16覆盖的金属种子层15和扩散阻挡层14。
在实际生产中，一般采用高于200℃的工艺温度，在氧、氟混合工艺气体进行灰化处理，以去除光刻胶层。
作为示例，去除金属电极层未覆盖的金属种子层15和扩散阻挡层14的方法包括干法刻蚀或湿法刻蚀。在本实施例中，采用湿法刻蚀工艺去除没有被金属电极层16覆盖的金属种子层15和扩散阻挡层14，湿法刻蚀因刻蚀速率快、成本低而成为常用的刻蚀手段。由于金属种子层和扩散阻挡层所采用的材料不同，即刻蚀比不同，所以需要选用不同的刻蚀溶液。本领域的技术人员可以实际需要根据需要进行。当然，在其他实施例中，也可以采用其他工艺去除金属种子层15和扩散阻挡层14。
如图9所示，将键合线18于金属电极层17键合，进行电引出。
作为示例，键合方式为超声波键合、热压键合以及热超声波键中的任意一种。在本实施例中，选用热压方式进行键合。
经过上述步骤S1～S7,最终完整实现了重新布线层的制备。
在本实施例中，通过于塑封晶圆的表面增设聚酰亚胺层，以提供塑封晶圆的表面平整度，进而可以提高金属电极层的表面平整度，提高键合良率。。
综上所述，本发明的一种重新布线层及其制备方法，所述重新布线层包括覆盖于衬底上表面的聚酰亚胺层；位于所述聚酰亚胺层表面的图形化的扩散阻挡层和位于所述扩散阻挡层表面的金属种子层；位于所述金属种子层表面的金属电极层；将所述金属电极层电引出的键合线。通过于塑封晶圆的表面增设聚酰亚胺层，以提供塑封晶圆的表面平整度，进而可以提高金属电极层的表面平整度，提高键合良率。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (10)
1.一种重新布线层的制备方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：
1)提供一衬底；
2)于所述衬底上表面形成聚酰亚胺层；
3)于所述聚酰亚胺层表面依次形成扩散阻挡层和金属种子层；
4)通过涂胶、曝光、显影工艺，于所述金属种子层表面形成图形化的光刻胶层；
5)于未被所述光刻胶层覆盖的所述金属种子层的表面形成金属电极层；
6)去除所述光刻胶层，并去除未被所述金属电极层覆盖的所述金属种子层和所述扩散阻挡层；
7)将键合线与所述金属电极层键合，进行电引出。
2.根据权利要求1所述的重新布线层的制备方法，其特征在于，所述步骤2)的具体过程包括：于所述衬底上表面均匀涂覆聚酰亚胺胶体，经过烘烤固化后，形成所述聚酰亚胺层。
3.根据权利要求1所述的重新布线层的制备方法，其特征在于，所述金属电极层的制备方法包括电镀法或化学镀法中的任意一种。
4.根据权利要求1所述的重新布线层的制备方法，其特征在于，步骤6)中去除未被所述金属电极层覆盖的所述金属种子层和所述扩散阻挡层的方法包括干法刻蚀或湿法刻蚀。
5.根据权利要求1所述的重新布线层的制备方法，其特征在于，所述图形化光刻胶层的厚度大于等于所述金属电极层的厚度。
6.根据权利要求1所述的重新布线层的制备方法，其特征在于，步骤7)中所述键合方式为超声波键合、热压键合以及热超声波键中的任意一种。
7.一种重新布线层，其特征在于，所述重新布线层包括：
覆盖于衬底上表面的聚酰亚胺层；
位于所述聚酰亚胺层表面的图形化的扩散阻挡层和位于所述扩散阻挡层表面的金属种子层；
位于所述金属种子层表面的金属电极层；
将所述金属电极层电引出的键合线。
8.根据权利要求7所述的重新布线层，其特征在于，所述衬底为经过化学机械抛光后的塑封晶圆。
9.根据权利要求7所述的重新布线层，其特征在于，所述聚酰亚胺层的厚度为5～10μm。
10.根据权利要求7所述的重新布线层，其特征在于，所述扩散阻挡层的材料包括Ti、TiN、Ta、TaN、TiW、Cr中的一种或多种，所述金属种子层的材料包括铜，所述金属电极层的材料包括Ni/Au。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910924189.6A CN112582333A (zh) | 2019-09-27 | 2019-09-27 | 一种重新布线层及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910924189.6A CN112582333A (zh) | 2019-09-27 | 2019-09-27 | 一种重新布线层及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112582333A true CN112582333A (zh) | 2021-03-30 |
Family
ID=75109863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910924189.6A Pending CN112582333A (zh) | 2019-09-27 | 2019-09-27 | 一种重新布线层及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112582333A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114273992A (zh) * | 2022-01-06 | 2022-04-05 | 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所) | 一种图案化金属层表面抛光方法 |
Citations (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1419273A (zh) * | 2001-11-12 | 2003-05-21 | 新光电气工业株式会社 | 其上结合有薄膜电容器的多层布线基板的制造工艺 |
| CN101170151A (zh) * | 2006-10-27 | 2008-04-30 | 江苏稳润光电有限公司 | 倒装键合贴片led封装结构 |
| US20080157395A1 (en) * | 2006-12-28 | 2008-07-03 | Luc Belanger | Interconnections for flip-chip using lead-free solders and having improved reaction barrier layers |
| CN101261975A (zh) * | 2007-03-07 | 2008-09-10 | 恩益禧电子股份有限公司 | 半导体器件 |
| CN101656244A (zh) * | 2009-07-10 | 2010-02-24 | 中国科学院上海微***与信息技术研究所 | 硅基埋置型微波多芯组件的多层互连封装结构及制作方法 |
| JP2011091453A (ja) * | 2004-11-16 | 2011-05-06 | Rohm Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| CN102104033A (zh) * | 2009-12-18 | 2011-06-22 | 中国科学院微电子研究所 | 三维混合信号芯片堆叠封装体及其制备方法 |
| CN102608864A (zh) * | 2012-02-10 | 2012-07-25 | 中国科学院微电子研究所 | 一种制作纳米尺度大高宽比器件的方法 |
| CN102709452A (zh) * | 2012-05-21 | 2012-10-03 | 苏州晶品光电科技有限公司 | 荧光透明陶瓷led封接结构及其封接方法 |
| CN103633076A (zh) * | 2013-11-21 | 2014-03-12 | 三星半导体(中国)研究开发有限公司 | 包封件上芯片型封装件 |
| CN103730442A (zh) * | 2013-12-31 | 2014-04-16 | 天水华天科技股份有限公司 | 带焊球面阵列四边无引脚封装体堆叠封装件及制备方法 |
| CN204216034U (zh) * | 2014-10-16 | 2015-03-18 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 一种虚拟重布线层结构 |
| CN105006437A (zh) * | 2015-07-28 | 2015-10-28 | 江阴长电先进封装有限公司 | 一种高密度凸块结构的制造方法 |
| CN105390429A (zh) * | 2015-11-05 | 2016-03-09 | 南通富士通微电子股份有限公司 | 封装方法 |
| CN105762086A (zh) * | 2014-12-16 | 2016-07-13 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 焊盘结构的制作方法、键合结构的制作方法及键合结构 |
| CN109037046A (zh) * | 2017-06-08 | 2018-12-18 | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 | 金属栅极、半导体器件及其制造方法 |
| CN109148362A (zh) * | 2018-08-28 | 2019-01-04 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 半导体器件及其制作方法 |
| CN210403718U (zh) * | 2019-09-27 | 2020-04-24 | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 | 一种重新布线层 |
-
2019
- 2019-09-27 CN CN201910924189.6A patent/CN112582333A/zh active Pending
Patent Citations (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1419273A (zh) * | 2001-11-12 | 2003-05-21 | 新光电气工业株式会社 | 其上结合有薄膜电容器的多层布线基板的制造工艺 |
| JP2011091453A (ja) * | 2004-11-16 | 2011-05-06 | Rohm Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| CN101170151A (zh) * | 2006-10-27 | 2008-04-30 | 江苏稳润光电有限公司 | 倒装键合贴片led封装结构 |
| US20080157395A1 (en) * | 2006-12-28 | 2008-07-03 | Luc Belanger | Interconnections for flip-chip using lead-free solders and having improved reaction barrier layers |
| CN101261975A (zh) * | 2007-03-07 | 2008-09-10 | 恩益禧电子股份有限公司 | 半导体器件 |
| CN101656244A (zh) * | 2009-07-10 | 2010-02-24 | 中国科学院上海微***与信息技术研究所 | 硅基埋置型微波多芯组件的多层互连封装结构及制作方法 |
| CN102104033A (zh) * | 2009-12-18 | 2011-06-22 | 中国科学院微电子研究所 | 三维混合信号芯片堆叠封装体及其制备方法 |
| CN102608864A (zh) * | 2012-02-10 | 2012-07-25 | 中国科学院微电子研究所 | 一种制作纳米尺度大高宽比器件的方法 |
| CN102709452A (zh) * | 2012-05-21 | 2012-10-03 | 苏州晶品光电科技有限公司 | 荧光透明陶瓷led封接结构及其封接方法 |
| CN103633076A (zh) * | 2013-11-21 | 2014-03-12 | 三星半导体(中国)研究开发有限公司 | 包封件上芯片型封装件 |
| CN103730442A (zh) * | 2013-12-31 | 2014-04-16 | 天水华天科技股份有限公司 | 带焊球面阵列四边无引脚封装体堆叠封装件及制备方法 |
| CN204216034U (zh) * | 2014-10-16 | 2015-03-18 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 一种虚拟重布线层结构 |
| CN105762086A (zh) * | 2014-12-16 | 2016-07-13 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 焊盘结构的制作方法、键合结构的制作方法及键合结构 |
| CN105006437A (zh) * | 2015-07-28 | 2015-10-28 | 江阴长电先进封装有限公司 | 一种高密度凸块结构的制造方法 |
| CN105390429A (zh) * | 2015-11-05 | 2016-03-09 | 南通富士通微电子股份有限公司 | 封装方法 |
| CN109037046A (zh) * | 2017-06-08 | 2018-12-18 | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 | 金属栅极、半导体器件及其制造方法 |
| CN109148362A (zh) * | 2018-08-28 | 2019-01-04 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 半导体器件及其制作方法 |
| CN210403718U (zh) * | 2019-09-27 | 2020-04-24 | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 | 一种重新布线层 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114273992A (zh) * | 2022-01-06 | 2022-04-05 | 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所) | 一种图案化金属层表面抛光方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI402939B (zh) | 包含一矽貫通電極之積體電路結構及形成該積體電路結構之方法 | |
| CN106057760B (zh) | 半导体器件及其形成方法 | |
| CN101699622B (zh) | 半导体器件封装结构及其封装方法 | |
| US11107758B2 (en) | Fan-out package structure and method | |
| CN107481942A (zh) | 具有高低不平的互连件的集成扇出结构 | |
| JP2010192478A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN114937614A (zh) | 布线层结构的制备方法 | |
| JP4106438B2 (ja) | 多層微細配線インターポーザおよびその製造方法 | |
| CN111883433A (zh) | 一种半导体晶片封装及其形成方法 | |
| CN210403718U (zh) | 一种重新布线层 | |
| CN110957284A (zh) | 芯片的三维封装结构及其封装方法 | |
| CN210467823U (zh) | 一种重新布线层 | |
| CN112582333A (zh) | 一种重新布线层及其制备方法 | |
| CN210040131U (zh) | 一种重新布线层 | |
| CN113130414A (zh) | 晶圆级3d封装结构及其制备方法 | |
| CN112259466A (zh) | 一种重新布线层的制备方法 | |
| CN112582334A (zh) | 一种重新布线层及其制备方法 | |
| US11876040B2 (en) | Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices | |
| US11735564B2 (en) | Three-dimensional chip packaging structure and method thereof | |
| CN112259465A (zh) | 一种重新布线层及其制备方法 | |
| CN211088206U (zh) | 重新布线层 | |
| JP2012033624A (ja) | ウエハレベルパッケージ構造およびその製造方法 | |
| CN212209479U (zh) | 重新布线层 | |
| CN111725179B (zh) | 一种晶圆级多层布线结构及其制备方法 | |
| CN112289688B (zh) | 一种重新布线层的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: No.78 Changshan Avenue, Jiangyin City, Wuxi City, Jiangsu Province (place of business: No.9 Dongsheng West Road, Jiangyin City) Applicant after: Shenghejing micro semiconductor (Jiangyin) Co.,Ltd. Address before: No.78 Changshan Avenue, Jiangyin City, Wuxi City, Jiangsu Province Applicant before: SJ Semiconductor (Jiangyin) Corp. |