CN112578598B - 直下式背光装置 - Google Patents

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Abstract

一种直下式背光装置包括印刷电路板、光反射器以及多个次毫米发光二极体晶片。光反射器与多个次毫米发光二极体晶片系设置于印刷电路板上。至少部分相邻的次毫米发光二极体晶片之间设置有光反射器。每个次毫米发光二极体晶片包括非发光层与设置于非发光层上的发光层。每个次毫米发光二极体晶片的发光层的底面高于光反射器的顶面。本发明利用印刷电路板之多个凸块结构来使次毫米发光二极体晶片的高度提升，从而改善光反射器的厚度受到限制的问题。

Description

直下式背光装置
技术领域
本发明是关于一种背光装置，且特别是关于一种直下式背光装置。
背景技术
直下式背光装置直接设置在液晶显示面板的后方，具有窄边框的优势，广泛的应用于大尺寸液晶显示装置，然而，直下式背光装置也会导致液晶显示装置的厚度增加。
次毫米发光二极体(Mini LED)是一种尺寸大约在100微米(micrometer，μm)的小型发光二极体(LED)，将次毫米发光二极体应用到直下式背光装置中，则能够在实现窄边框的同时，也减少液晶显示装置的厚度增加。
一般而言，直下式背光装置为了增加反射光的效能，通常会贴附反射材料(光反射器/光反射片)来提高整体的亮度，并且，就光学特性而言，光反射器的厚度越厚，相对反射率越高。换言之，光反射器的厚度对于直下式背光装置的发光效率有相当重要的影响。
然而，经实验发现，在习知的直下式背光装置中，随着光反射器的厚度超出次毫米发光二极体覆盖越多，整体的发光效率就会越差，从而导致光反射器的厚度受到相当程度的限制。因此，实有必要针对上述问题提出一种解决方案。
发明内容
因此，本发明之一目的就是在提供一种直下式背光装置，其利用印刷电路板之多个凸块结构来使次毫米发光二极体晶片的高度提升，从而可以解决光反射器的厚度受到限制的问题。
根据本发明之上述目的，提出一种直下式背光装置包括印刷电路板、光反射器以及多个次毫米发光二极体晶片。光反射器系设置于印刷电路板上。所述多个次毫米发光二极体晶片系设置于印刷电路板上。至少部分相邻的所述多个次毫米发光二极体晶片之间设置有光反射器。每个次毫米发光二极体晶片包括非发光层与设置于非发光层上的发光层。每个次毫米发光二极体晶片的发光层的底面高于光反射器的顶面。
根据本发明之一些实施例，上述光反射器具有厚度Tr。光反射器的厚度Tr具有一公差Ae。每个次毫米发光二极体晶片的发光层的底面至光反射器的顶面的距离为Hd，其中Hd≧(Tr*Ae)。
根据本发明之一些实施例，上述印刷电路板具有多个凸块结构。所述多个次毫米发光二极体晶片分别设置于所述多个凸块结构上。
根据本发明之一些实施例，上述印刷电路板更具有多个接合垫设置于所述多个凸块结构上。所述多个次毫米发光二极体晶片设置于所述多个接合垫上。
根据本发明之一些实施例，每个凸块结构具有厚度Hb。每个接合垫具有厚度Cu。每个次毫米发光二极体晶片的非发光层具有厚度To，其中Hb＝Tr-Cu-(To-Tr*Ae)。
根据本发明之一些实施例，次毫米发光二极体晶片之其中一者的至少二接触垫设置于次毫米发光二极体晶片之其中该者所对应的凸块结构之其中一者的垂直投影范围内。
根据本发明之一些实施例，上述印刷电路板更具有防焊漆层，共形地形成于印刷电路板的上表面上与每个凸块结构的侧表面上。
根据本发明之一些实施例，上述光反射器设置于防焊漆层上，且防焊漆层部分地包覆光反射器。
根据本发明之一些实施例，每个凸块结构具有厚度Hb。每个接合垫具有厚度Cu。每个次毫米发光二极体晶片的非发光层具有厚度To。防焊漆层具有厚度T，其中Hb＝Tr-Cu-(To-Tr*Ae)+T。
根据本发明之一些实施例，每个接合垫包括金属层与设置于金属层上的表面镀层。
根据本发明之一些实施例，上述印刷电路板包括防焊印刷层、基板层与金属层，基板层设置于防焊印刷层上，金属层设置于基板层上。
根据本发明之一些实施例，每个次毫米发光二极体晶片具有两个接触垫，其中所述两个接触垫一对二地电性连接所述多个接合垫。
根据本发明之一些实施例，每个次毫米发光二极体晶片具有四个接触垫，其中所述四个接触垫一对一地电性连接所述多个接合垫。
根据本发明之一些实施例，上述光反射器的厚度越厚，则直下式背光装置的发光效率越高。
根据本发明之上述目的，另提出一种直下式背光装置包括印刷电路板、光反射器及多个次毫米发光二极体晶片。所述印刷电路板具有多个凸块结构。至少部分相邻的所述多个凸块结构之间设置有光反射器。所述多个次毫米发光二极体晶片分别设置于所述多个凸块结构上。每个次毫米发光二极体晶片包括非发光层与设置于非发光层上的发光层。每个次毫米发光二极体晶片的发光层的底面高于光反射器的顶面。
根据本发明之一些实施例，上述光反射器具有厚度Tr。光反射器的厚度Tr具有一公差Ae。每个次毫米发光二极体晶片的发光层的底面至光反射器的顶面的距离为Hd，其中Hd≧(Tr*Ae)。
根据本发明之一些实施例，上述印刷电路板更具有多个接合垫设置于所述多个凸块结构上。所述多个次毫米发光二极体晶片设置于所述多个接合垫上。
根据本发明之一些实施例，每个凸块结构具有厚度Hb。每个接合垫具有厚度Cu。每个次毫米发光二极体晶片的非发光层具有厚度To，其中Hb＝Tr-Cu-(To-Tr*Ae)。
根据本发明之一些实施例，次毫米发光二极体晶片之其中一者的至少二接触垫设置于次毫米发光二极体晶片之其中该者所对应的凸块结构之其中一者的垂直投影范围内。
根据本发明之一些实施例，上述印刷电路板更具有防焊漆层，共形地形成于印刷电路板的上表面上与每个凸块结构的侧表面上。上述光反射器设置于防焊漆层上，且防焊漆层部分地包覆光反射器。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。
附图说明
从以下结合所附图式所做的详细描述，可对本发明之态样有更佳的了解。需注意的是，根据业界的标准实务，各特征并未依比例绘示。事实上，为了使讨论更为清楚，各特征的尺寸都可任意地增加或减少。
图1系根据本发明的第一实施例之直下式背光装置的俯视图。
图2系根据本发明的第一实施例之沿着图1之线之直下式背光装置的剖视图。
图3系根据本发明的第一实施例之直下式背光装置的印刷电路板的立体示意图。
图4系根据本发明的第一实施例之图2的局部放大图。
图5系根据本发明的第二实施例之直下式背光装置的剖视图。
图6系根据本发明的第二实施例之直下式背光装置的印刷电路板的立体示意图。
图7系根据本发明的第二实施例之图5的局部放大图。
图8系根据本发明的实施例之凸块结构上的接合垫与次毫米发光二极体晶片的接触垫于垂直方向上的相对位置之示意图。
图9系用以说明无法完全导正的问题之示意图。
图10系根据本发明的第三实施例之接合垫的设计改变的示意图。
图11系根据本发明的第四实施例之接合垫与接触垫的设计改变的示意图。
附图标记：
100,200:直下式背光装置 120:印刷电路板
122:凸块结构 124:防焊印刷层
126:基板层 128:金属层
130:光反射器 140:次毫米发光二极体晶片
142:非发光层 144:发光层
146:接触垫 150:接合垫
170:防焊漆层 A-A’:线
Cu,Hb,T,To,Tr:厚度 Hd:距离
P:垂直投影范围
具体实施方式
以下仔细讨论本发明的实施例。然而，可以理解的是，实施例提供许多可应用的概念，其可实施于各式各样的特定内容中。所讨论、揭示之实施例仅供说明，并非用以限定本发明之范围。
另外，本发明所叙述之二元件之间的空间关系不仅适用于图式所绘示之方位，亦适用于图式所未呈现之方位，例如倒置之方位。此外，本发明所称二个部件的「连接」、「电性连接」、或之类用语并非仅限制于此二者为直接的连接或电性连接，亦可视需求而包含间接的连接或电性连接。
图1系根据本发明的第一实施例之直下式背光装置100的俯视图。图2系根据本发明的第一实施例之沿着图1之线A-A’之直下式背光装置100的剖视图。直下式背光装置100包含印刷电路板(Printed Circuit Board，PCB)120、光反射器130与多个次毫米发光二极体晶片140。
在本发明的实施例中，印刷电路板120所使用的材料等级可例如为FR-4板(玻璃布基板，系由玻璃布(Woven glass)与环氧树脂(Epoxy)所做出的复合材料)。在本发明的实施例中，光反射器130的组成材料可例如为二氧化钛(Titanium dioxide，TiO2)。
图3系根据本发明的第一实施例之直下式背光装置100的印刷电路板120的立体示意图。请一并参照图1、图2与图3，印刷电路板120具有多个凸块结构122。光反射器130设置于印刷电路板120上但不设置于印刷电路板120的凸块结构122上。次毫米发光二极体晶片140设置于印刷电路板120上且设置于印刷电路板120的凸块结构122上。至少部分相邻的次毫米发光二极体晶片140之间设置有光反射器130。至少部分相邻的凸块结构122之间设置有光反射器130。具体而言，光反射器130系环绕次毫米发光二极体晶片140。应注意的是，图1、图2与图3所示之次毫米发光二极体晶片140、凸块结构122的数量仅为例示并非用以限定本发明。
每个次毫米发光二极体晶片140包括非发光层142与设置于非发光层142上的发光层144。具体而言，次毫米发光二极体晶片140的非发光层142为次毫米发光二极体晶片140的基板，次毫米发光二极体晶片140的发光层144为次毫米发光二极体晶片140的磊晶层(Epitaxial layer)。
如图2所示，在本发明的实施例中，次毫米发光二极体晶片140的发光层144的底面高于光反射器130的顶面。换言之，对本发明而言，光反射器130的厚度不会超出次毫米发光二极体晶片140的发光层144的覆盖，因此，本发明可解决习知的直下式背光装置所会遭遇之随着光反射器的厚度超出次毫米发光二极体覆盖越多，整体的发光效率就会越差的问题。具体而言，本发明的直下式背光装置系设计印刷电路板的新结构，利用印刷电路板之多个凸块结构来使次毫米发光二极体晶片的高度提升，从而可以解决习知的直下式背光装置之光反射器的厚度受到限制的问题。
应注意的是，在本发明的实施例中，光反射器130的厚度越厚，相对反射率越高，而相对反射率越高则直下式背光装置100的亮度越高且发光效率也越高，因此，对本发明而言，当次毫米发光二极体晶片140的发光层144的底面与光反射器130的顶面相互齐平，将可使得直下式背光装置100的发光效率为最佳。换言之，本发明的较佳实施例为次毫米发光二极体晶片140的发光层144的底面与光反射器130的顶面相互齐平。
图4系根据本发明的第一实施例之图2的局部放大图。光反射器130具有厚度Tr，其中光反射器130的厚度Tr具有公差Ae，在本发明的实施例中，光反射器130的厚度Tr的公差Ae可例如为10％，但本发明不限于此，具体而言，光反射器的厚度的公差将视各供应制造商的制程与管控能力而有所不同。次毫米发光二极体晶片140的发光层144的底面至光反射器130的顶面的距离为Hd。在本发明的实施例中，距离Hd≧(厚度Tr*公差Ae)。
具体而言，由于本发明的设计要求为次毫米发光二极体晶片140的发光层144的底面高于光反射器130的顶面，因此，于理想情况下，本发明的设计要求为距离Hd≧0。然而，于实际工艺制作的过程中，光反射器130的厚度Tr将不可避免的会有制作上的公差，为了能够保证达到本发明的设计要求(即：次毫米发光二极体晶片140的发光层144的底面高于光反射器130的顶面)，因此，于实务上，将本发明的设计要求设定为距离Hd≧(厚度Tr*公差Ae)，并且，本发明的较佳实施例为距离Hd＝厚度Tr*公差Ae。
请回到图2，印刷电路板120更具有多个接合垫(Bonding pads)150设置于印刷电路板120的凸块结构122上，并且，次毫米发光二极体晶片140设置于接合垫150上。在本发明的实施例中，接合垫150包含金属层与设置于金属层上的表面镀层(图未示出)，金属层可例如为铜(Cu)金属层。表面镀层用以避免铜金属层被氧化的保护层。表面镀层可例如为先镀镍(Ni)再镀金(Au)的表面镀层。
请再次参照图4，光反射器130具有厚度Tr，光反射器130的厚度Tr具有公差Ae，次毫米发光二极体晶片140的发光层144的底面至光反射器130的顶面的距离为Hd，凸块结构122具有厚度Hb，接合垫150具有厚度Cu，次毫米发光二极体晶片140的非发光层142具有厚度To。在本发明的实施例中，如图4所示，厚度Hb＝距离Hd+厚度Tr-厚度Cu-厚度To。
如上所述，本发明的设计要求设定为距离Hd≧(厚度Tr*公差Ae)，因此，本发明的设计要求设定为厚度Hb≧(厚度Tr*公差Ae)+厚度Tr-厚度Cu-厚度To，换言之，本发明的设计要求设定为厚度Hb≧厚度Tr-厚度Cu-(厚度To-厚度Tr*公差Ae)。
如上所述，本发明的较佳实施例为距离Hd＝厚度Tr*公差Ae。因此，本发明的较佳实施例为厚度Hb＝(厚度Tr*公差Ae)+厚度Tr-厚度Cu-厚度To，换言之，本发明的较佳实施例为厚度Hb＝厚度Tr-厚度Cu-(厚度To-厚度Tr*公差Ae)。
请回到图2，印刷电路板120包含防焊印刷层124、基板层126与金属层128，基板层126设置于防焊印刷层124上，金属层128设置于基板层126上。在本发明的实施例中，防焊印刷层124的功用为防潮、防焊、绝缘等，防焊印刷层124可为有机可焊性保护层(OrganicSolderability Preservative，OSP)，防焊印刷层124的组成材料可例如为酚醛环氧压克力树脂、酚醛环氧丙烯酸酯树脂。
图5系根据本发明的第二实施例之直下式背光装置200的剖视图。图6系根据本发明的第二实施例之直下式背光装置200的印刷电路板120的立体示意图。直下式背光装置200与直下式背光装置100类似，差别在于，直下式背光装置200更具有防焊漆层170，防焊漆层170共形地形成于印刷电路板120的上表面上与凸块结构122的侧表面上。在本发明的第二实施例中，光反射器130设置于防焊漆层170上，且防焊漆层170部分地包覆光反射器130。在本发明的第二实施例中，防焊漆层170的功用为防潮、防焊、绝缘等，防焊漆层170可为有机可焊性保护层(OSP)，防焊漆层170的组成材料可例如为酚醛环氧压克力树脂、酚醛环氧丙烯酸酯树脂。
图7系根据本发明的第二实施例之图5的局部放大图。光反射器130具有厚度Tr，光反射器130的厚度Tr具有公差Ae，次毫米发光二极体晶片140的发光层144的底面至光反射器130的顶面的距离为Hd，凸块结构122具有厚度Hb，接合垫150具有厚度Cu，防焊漆层170具有厚度T，次毫米发光二极体晶片140的非发光层142具有厚度To。在本发明的第二实施例中，直下式背光装置200包含有防焊漆层170，则如图7所示，厚度Hb＝距离Hd+厚度Tr-厚度Cu-厚度To+厚度T。
如上所述，本发明的设计要求设定为距离Hd≧(厚度Tr*公差Ae)，因此，包含有防焊漆层170的直下式背光装置200的设计要求设定为厚度Hb≧(厚度Tr*公差Ae)+厚度Tr-厚度Cu-厚度To+厚度T，换言之，包含有防焊漆层170的直下式背光装置200的设计要求设定为厚度Hb≧厚度Tr-厚度Cu-(厚度To-厚度Tr*公差Ae)+厚度T。
如上所述，本发明的较佳实施例为距离Hd＝厚度Tr*公差Ae。因此，包含有防焊漆层170的直下式背光装置200的较佳实施例为厚度Hb＝(厚度Tr*公差Ae)+厚度Tr-厚度Cu-厚度To+厚度T，换言之，包含有防焊漆层170的直下式背光装置200的较佳实施例为厚度Hb＝厚度Tr-厚度Cu-(厚度To-厚度Tr*公差Ae)+厚度T。
应注意的是，在本发明的上述实施方式中皆是以次毫米发光二极体晶片来做说明，但实际上本发明不限于此，本发明的直下式背光装置亦可选用发光二极体(LED)晶片或微发光二极体(Micro LED)晶片来做为发光源。
在本发明的实施例中，印刷电路板120实际上是利用例如光罩蚀刻制程从而能够对应地在多个接合垫150的垂直投影区域相应地形成多个凸块结构122，并接着在每个凸块结构122上设置接合垫150。此外，在本发明的其他实施例中，也可在凸块结构122上形成子凸块，并接着在子凸块上设置接合垫150。
在本发明的实施例中，次毫米发光二极体晶片140实际上是透过覆晶封装技术(Flip chip)来与印刷电路板120电性连接，意即，在次毫米发光二极体晶片140的晶粒(Die)之接触垫(Contact pad)上生成锡铅凸块(solder bump)，并将次毫米发光二极体晶片140翻转后经由回焊(reflow)制程将锡铅凸块熔融，待锡铅凸块冷却凝固之后，即可使得次毫米发光二极体晶片140的锡铅凸块与接合垫150电性连接，从而实现次毫米发光二极体晶片140的接触垫与印刷电路板120的接合垫150之电性互连。
图8系根据本发明的实施例之凸块结构122上的接合垫150与次毫米发光二极体晶片140的接触垫146于垂直方向上的相对位置之示意图。一般而言，印刷电路板120的每个凸块结构122上会设置有两个极性相反的接合垫140来分别电性连接每个次毫米发光二极体晶片140的两个接触垫146(正极接触垫与负极接触垫)。此外，本发明也可适用于垂直式LED的次毫米发光二极体晶片，则印刷电路板的每个凸块结构上只会设置一个接合垫。
在本发明的实施例中，为了确保次毫米发光二极体晶片140的正极接触垫与负极接触垫能够较佳地对位至其下方之凸块结构122上的两个极性相反的接合垫，如图8所示，本发明的设计要求设定为次毫米发光二极体晶片140的接触垫146的设置范围需位于凸块结构122之朝向上方的垂直投影范围P内，换言之，次毫米发光二极体晶片140的接触垫146设置于凸块结构122的垂直投影范围P内。
如上所述，本发明是透过覆晶封装技术并经由回焊制程以使得次毫米发光二极体晶片140的接触垫146与印刷电路板120的凸块结构122上的接合垫150电性连接。其中，在回焊的过程中之熔融的锡铅凸块会由于表面张力效应，使得锡铅凸块会自动接合于印刷电路板120上的接合垫150，这种自我对位(self-alignment)能力可以使得因为打件歪斜所造成的错位被改善。换言之，回焊制程可藉由表面张力效应来使得两个对接点(即接触垫与接合垫)在回焊过程中逐渐导正而实现自动对位。
一般而言，每个次毫米发光二极体晶片会有两个接触垫(正极接触垫与负极接触垫)来对应地分别电性连接印刷电路板上的两个接合垫。然而，此种连接方式在打件歪斜的情况下，可能仍会有无法完全导正的问题产生。图9系用以说明上述之无法完全导正的问题之示意图。图9的左上图为次毫米发光二极体晶片140与印刷电路板120的凸块结构122的上视图，可理解的是，在打件歪斜的情况下，次毫米发光二极体晶片140的两个接触垫146与印刷电路板120的凸块结构122上的两个接合垫150之间存在一些错位偏移。
图9的右上图为次毫米发光二极体晶片140与印刷电路板120的凸块结构122的右侧视图，换言之，图9的右上图表示的是图9的左上图在垂直方向之对接点的电性连接示意。其中，图9的右上图的黑色粗线箭头代表的是表面张力的牵引方向。由图9的右上图可知，由于每一组接触垫146与接合垫150之间皆存在有两个方向的表面张力的互相牵引，所以图9的左上图在垂直方向之对接点之电性连接可在回焊过程中逐渐导正而实现自动对位。
图9的左下图为次毫米发光二极体晶片140与印刷电路板120的凸块结构122的前侧视图，换言之，图9的左下图表示的是图9的左上图在水平方向之对接点的电性连接示意。由图9的左下图可知，由于接触垫146与接合垫150之间仅存在单一方向的表面张力的牵引，所以图9的左下图在水平方向之对接点之电性连接已无法在回焊过程中完全导正，如图9的左下图所示，接触垫146相较于接合垫150的左侧间隙小于右侧间隙。
图10系根据本发明的第三实施例之接合垫150的设计改变的示意图。图10系用以增加接触垫146与接合垫150在回焊过程中的自我对位能力，以解决上述之在打件歪斜的情况下无法完全导正的问题。如图10所示，每个次毫米发光二极体晶片140会有两个接触垫146，且次毫米发光二极体晶片146的每个接触垫146会电性连接印刷电路板上的两个接合垫150。换言之，次毫米发光二极体晶片146的每个接触垫146一对二地电性连接两个接合垫150。
图10的左上图为次毫米发光二极体晶片140与印刷电路板120的凸块结构122的上视图，图10的右上图为次毫米发光二极体晶片140与印刷电路板120的凸块结构122的右侧视图，换言之，图10的右上图表示的是图10的左上图在垂直方向之对接点的电性连接示意。由图10的右上图可知，由于每一组接触垫146与接合垫150之间皆存在有两个方向的表面张力的互相牵引，所以图10的左上图在垂直方向之对接点之电性连接可在回焊过程中逐渐导正而实现自动对位。
图10的左下图为次毫米发光二极体晶片140与印刷电路板120的凸块结构122的前侧视图，换言之，图10的左下图表示的是图10的左上图在水平方向之对接点的电性连接示意。由图10的左下图可知，由于接触垫146与其相应的两个接合垫150之每一者之间皆存在有两个方向的表面张力的互相牵引，所以图10的左上图在水平方向之对接点之电性连接亦可在回焊过程中逐渐导正而实现自动对位。
图11系根据本发明的第四实施例之接合垫150与接触垫146的设计改变的示意图。图11系用以增加接触垫146与接合垫150在回焊过程中的自我对位能力，以解决上述之在打件歪斜的情况下无法完全导正的问题。如图11的左上图所示，每个次毫米发光二极体晶片140会有四个接触垫146(两个正极接触垫与两个负极接触垫)。如图11的左下图所示，每个次毫米发光二极体晶片140所对应的印刷电路板120的凸块结构122上会有四个接合垫150。在本发明的其他实施例中，也可在上述之四个接合垫的垂直投影区域相应地形成四个子凸块结构在印刷电路板上。
如图11的右图所示，每个次毫米发光二极体晶片146的四个接触垫146会分别电性连接印刷电路板上的四个接合垫150。换言之，次毫米发光二极体晶片146的接触垫146一对一地电性连接接合垫150。
由于每个接触垫146皆会对应地电性连接一个接合垫150，因此每个接触垫146与其所对应电性连接的一个接合垫150之间皆存在有两个方向的表面张力的互相牵引，所以图11之对接点之电性连接可在回焊过程中逐渐导正而实现自动对位。
综合上述，本发明提出一种直下式背光装置，其设计印刷电路板之新结构，利用印刷电路板之多个凸块结构来使次毫米发光二极体晶片的高度提升，可以解决习知的直下式背光装置之光反射器的厚度受到限制的问题，并有效地提高直下式背光装置的发光效率。
以上概述了数个实施例的特征，因此熟习此技艺者可以更了解本发明的态样。熟习此技艺者应了解到，其可轻易地把本发明当作基础来设计或修改其他的制程与结构，藉此实现和在此所介绍的这些实施例相同的目标及/或达到相同的优点。熟习此技艺者也应可明白，这些等效的建构并未脱离本发明的精神与范围，并且他们可以在不脱离本发明精神与范围的前提下做各种的改变、替换与变动。

Claims (13)

1.一种直下式背光装置，其特征在于，包括：
印刷电路板；
光反射器，设置于所述印刷电路板上；及
复数个次毫米发光二极体晶片，设置于所述印刷电路板上；
其中，至少部分相邻的所述次毫米发光二极体晶片之间设置有所述光反射器；
其中，每一所述次毫米发光二极体晶片包括非发光层与设置于所述非发光层上的发光层；
其中，每一所述次毫米发光二极体晶片的所述发光层的底面高于所述光反射器的顶面；所述光反射器具有厚度Tr，其中所述光反射器的所述厚度Tr具有公差Ae，其中每一所述次毫米发光二极体晶片的所述发光层的所述底面至所述光反射器的所述顶面的距离为Hd，其中Hd≧(Tr*Ae)；
其中，所述印刷电路板具有复数个凸块结构，其中所述次毫米发光二极体晶片分别设置于所述凸块结构上；所述印刷电路板更具有复数个接合垫设置于所述凸块结构上，其中所述次毫米发光二极体晶片设置于所述接合垫上；其中每一所述凸块结构具有厚度Hb，其中每一所述接合垫具有厚度Cu，其中每一所述次毫米发光二极体晶片的所述非发光层具有厚度To，其中Hb＝Tr-Cu-(To-Tr*Ae)；其中每一所述凸块结构具有厚度Hb，其中每一所述接合垫具有厚度Cu，其中每一所述次毫米发光二极体晶片的所述非发光层具有厚度To，其中Hb＝Tr-Cu-(To-Tr*Ae)。
2.如权利要求1所述之直下式背光装置，其特征在于，其中所述次毫米发光二极体晶片之其中一者的至少二个接触垫设置于所述次毫米发光二极体晶片之其中该者所对应的所述凸块结构之其中一者的垂直投影范围内。
3.如权利要求1所述之直下式背光装置，其特征在于，其中所述印刷电路板更具有防焊漆层，共形地形成于所述印刷电路板的上表面上与每一所述凸块结构的侧表面上。
4.如权利要求3所述之直下式背光装置，其特征在于，其中所述光反射器设置于所述防焊漆层上，且所述防焊漆层部分地包覆所述光反射器。
5.如权利要求3所述之直下式背光装置，其特征在于，其中每一所述凸块结构具有厚度Hb，其中每一所述接合垫具有厚度Cu，其中每一所述次毫米发光二极体晶片的所述非发光层具有厚度To，其中所述防焊漆层具有厚度T，其中Hb＝Tr-Cu-(To-Tr*Ae)+T。
6.如权利要求1所述之直下式背光装置，其特征在于，其中每一所述接合垫包括金属层与设置于所述金属层上的表面镀层。
7.如权利要求1所述之直下式背光装置，其特征在于，其中所述印刷电路板包括：
防焊印刷层；
基板层，设置于所述防焊印刷层上；及
金属层，设置于所述基板层上。
8.如权利要求1所述之直下式背光装置，其特征在于，其中每一所述次毫米发光二极体晶片具有两个接触垫，其中所述接触垫一对二地电性连接所述接合垫。
9.如权利要求1所述之直下式背光装置，其特征在于，其中每一所述次毫米发光二极体晶片具有四个接触垫，其中所述接触垫一对一地电性连接所述接合垫。
10.如权利要求1所述之直下式背光装置，其特征在于，其中所述光反射器的厚度越厚，则所述直下式背光装置的发光效率越高。
11.一种直下式背光装置，其特征在于，包括：
印刷电路板，具有复数个凸块结构；
光反射器，其中至少部分相邻的所述凸块结构之间设置有所述光反射器；及
复数个次毫米发光二极体晶片，分别设置于所述凸块结构上；
其中，每一所述次毫米发光二极体晶片包括一非发光层与设置于所述非发光层上的一发光层；
其中，每一所述次毫米发光二极体晶片的所述发光层的一底面高于所述光反射器的一顶面；所述光反射器具有一厚度Tr，其中所述光反射器的所述厚度Tr具有公差Ae，其中每一所述次毫米发光二极体晶片的所述发光层的所述底面至所述光反射器的所述顶面的距离为Hd，其中Hd≧(Tr*Ae)；
其中所述印刷电路板更具有复数个接合垫设置于所述凸块结构上，其中所述次毫米发光二极体晶片设置于所述接合垫上；其中每一所述凸块结构具有一厚度Hb，其中每一所述接合垫具有厚度Cu，其中每一所述次毫米发光二极体晶片的所述非发光层具有厚度To，其中Hb＝Tr-Cu-(To-Tr*Ae)。
12.如权利要求11所述之直下式背光装置，其特征在于，其中所述次毫米发光二极体晶片之其中一者的至少二个接触垫设置于所述次毫米发光二极体晶片之其中该者所对应的所述凸块结构之其中一者的垂直投影范围内。
13.如权利要求11所述之直下式背光装置，其特征在于，所述印刷电路板更具有防焊漆层，共形地形成于所述印刷电路板的上表面上与每一所述凸块结构的侧表面上，其中所述光反射器设置于所述防焊漆层上，且所述防焊漆层部分地包覆所述光反射器。
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