CN112532053B - 射频供电调整方法、装置、设备及存储介质 - Google Patents

射频供电调整方法、装置、设备及存储介质 Download PDF

Info

Publication number
CN112532053B
CN112532053B CN202011074821.1A CN202011074821A CN112532053B CN 112532053 B CN112532053 B CN 112532053B CN 202011074821 A CN202011074821 A CN 202011074821A CN 112532053 B CN112532053 B CN 112532053B
Authority
CN
China
Prior art keywords
radio frequency
power supply
frequency power
interference
parameter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202011074821.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112532053A (zh
Inventor
沈少武
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ZTE Corp
Original Assignee
ZTE Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ZTE Corp filed Critical ZTE Corp
Priority to CN202011074821.1A priority Critical patent/CN112532053B/zh
Publication of CN112532053A publication Critical patent/CN112532053A/zh
Priority to US18/246,426 priority patent/US20230361806A1/en
Priority to EP21876901.6A priority patent/EP4228137A4/en
Priority to AU2021356425A priority patent/AU2021356425A1/en
Priority to PCT/CN2021/110922 priority patent/WO2022073379A1/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112532053B publication Critical patent/CN112532053B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00Details of apparatus for conversion
    • H02M1/44Circuits or arrangements for compensating for electromagnetic interference in converters or inverters
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/10Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M3/145Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/155Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H02M3/156Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators
    • H02M3/158Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators including plural semiconductor devices as final control devices for a single load
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/10Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M3/145Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/155Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H02M3/156Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02Transmitters
    • H04B1/04Circuits
    • H04B1/0475Circuits with means for limiting noise, interference or distortion
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40Circuits
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B15/00Suppression or limitation of noise or interference
    • H04B15/02Reducing interference from electric apparatus by means located at or near the interfering apparatus
    • H04B15/04Reducing interference from electric apparatus by means located at or near the interfering apparatus the interference being caused by substantially sinusoidal oscillations, e.g. in a receiver or in a tape-recorder
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04WWIRELESS COMMUNICATION NETWORKS
    • H04W52/00Power management, e.g. TPC [Transmission Power Control], power saving or power classes
    • H04W52/04TPC
    • H04W52/18TPC being performed according to specific parameters
    • H04W52/24TPC being performed according to specific parameters using SIR [Signal to Interference Ratio] or other wireless path parameters
    • H04W52/243TPC being performed according to specific parameters using SIR [Signal to Interference Ratio] or other wireless path parameters taking into account interferences
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00Details of apparatus for conversion
    • H02M1/0067Converter structures employing plural converter units, other than for parallel operation of the units on a single load
    • H02M1/008Plural converter units for generating at two or more independent and non-parallel outputs, e.g. systems with plural point of load switching regulators
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02Transmitters
    • H04B1/04Circuits
    • H04B2001/0408Circuits with power amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B2215/00Reducing interference at the transmission system level
    • H04B2215/061Reduction of burst noise, e.g. in TDMA systems
    • H04B2215/063Reduction of burst noise, e.g. in TDMA systems by smoothing the transmission power envelope

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Transmitters (AREA)
  • Mobile Radio Communication Systems (AREA)
  • Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
  • Compounds Of Unknown Constitution (AREA)
  • Electrically Operated Instructional Devices (AREA)

Abstract

本申请实施例提供了射频供电调整方法、装置、设备及存储介质。其中,射频供电调整方法包括:获取射频干扰信息;根据所述射频干扰信息,确定所述射频干扰信息与射频供电状态的相关信息;根据所述相关信息,调整所述射频供电状态。本申请实施例通过射频供电方式的设计,可以让射频供电状态根据场景需求进行自适应地切换,从而实现能够灵活调整射频电源供电状态,进而有效提高射频通信设备的抗干扰能力。

Description

射频供电调整方法、装置、设备及存储介质
技术领域
本发明涉及射频通信技术,尤其涉及一种射频供电调整方法、装置、设备及存储介质
背景技术
随着射频通信技术的发展,如从2G、3G、4G到5G,频率越来越高,功率也越来越大,峰均也越来越高,对PA(Power Amplifier,功率放大器)的线性度、功耗要求也越来越高。既需要保证大功率,提高发射调制性能,又需要降低电流功耗,降低发热,减少电源干扰,给射频通信设备的PA电源设计带来了极大的挑战。
相关技术中,射频通信设备的PA电源设计一般采用固定的电源射频供电模式,无法灵活调整切换,抗干扰能力低。
发明内容
本申请实施例提供了射频供电调整方法、装置、设备及存储介质,能够灵活调整射频电源供电状态,从而有效提高射频通信设备的抗干扰能力。
第一方面,本申请实施例提供射频供电调整方法,包括:
获取射频干扰信息;
根据所述射频干扰信息,确定所述射频干扰信息与射频供电状态的相关信息;
根据所述相关信息,调整所述射频供电状态。
第二方面,本申请实施例提供射频供电调整装置,包括:
获取模块,用于获取射频干扰信息;
相关信息确定模块,用于根据所述射频干扰信息,确定所述射频干扰信息与射频供电状态的相关信息;
供电状态调整模块,用于根据所述相关信息,调整所述射频供电状态。
第三方面,本申请实施例提供一种电子设备,包括:存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,所述处理器执行所述程序时实现:
如第一方面所述的射频供电调整方法。
第四方面,本申请实施例提供一种计算机可读存储介质,存储有计算机可执行指令,所述计算机可执行指令用于:
执行第一方面所述的射频供电调整方法。
本申请实施例包括:获取射频干扰信息;根据所述射频干扰信息,确定所述射频干扰信息与射频供电状态的相关信息;根据所述相关信息,调整所述射频供电状态。本申请实施例通过射频供电方式的设计,可以让射频供电状态根据场景需求进行自适应地切换,从而实现能够灵活调整射频电源供电状态,进而有效提高射频通信设备的抗干扰能力。
本申请的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本申请而了解。本申请的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
图1是本申请一种实施例射频供电调整方法的流程示意图;
图2是本申请另一种实施例射频供电调整方法的流程示意图;
图3是本申请一种实施例射频供电调整方法中射频通信设备的结构示意图;
图4是本申请另一种实施例射频供电调整方法的流程示意图;
图5是本申请另一种实施例射频供电调整方法的流程示意图;
图6是本申请另一种实施例射频供电调整方法的流程示意图;
图7是本申请另一种实施例射频供电调整方法的流程示意图;
图8是本申请一种实施例射频供电调整装置中的部分结构示意图;
图9是本申请另一种实施例射频供电调整装置中的部分结构示意图。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本申请进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请,并不用于限定本申请。不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
需要说明的是,虽然在装置示意图中进行了功能模块划分,在流程图中示出了逻辑顺序,但是在某些情况下,可以以不同于装置中的模块划分,或流程图中的顺序执行所示出或描述的步骤。说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。
随着射频通信技术的发展,如从2G、3G、4G到5G,频率越来越高,功率也越来越大,峰均也越来越高,对PA(Power Amplifier,功率放大器)的线性度、功耗要求也越来越高。既需要保证大功率,提高发射调制性能,又需要降低电流功耗,降低发热,减少电源干扰,给射频通信设备的PA电源设计带来了极大的挑战。
在一些示例场景中,智能终端为了省电,提高续航时间,在功率增大时同时获得更好的PA性能,会引入多种PA供电技术,如Bypass(直通供电模式)、APT(Average PowerTracking,平均功率跟踪)、EPT(增强型功率跟踪)和ET(Envelope Tracking,包络跟踪)等。
其中,APT指的是平均功率跟踪模式,EPT指的是enhanced APT技术,即增强型功率跟踪,和ET一样PA工作在压缩模式,只是不去tracking包络。ET模式,与平均功率跟踪技术相比,包络跟踪(ET)技术更像是按需定制,让射频功率放大器的供电电压随输入信号的包络变化。包络跟踪可改善射频功率放大器的能效,追踪所需功率,有别于目前的固定功率***,包络跟踪技术被越来越广泛地运用于优化射频功率放大器的功率附加效率(PAE)。特别的,由于5G NR(New Radio,新空口)频率高,损耗大,锋均比(PAR)高,包络跟踪(ET)可以提供一个可能的解决方案,帮助应对上述移动射频前端设计问题。包络跟踪可以根据功率放大器输入信号的“包络”动态调整直流电源电压,并仅在必要时提供元件需要的高电压,从而改进功率放大器的电池消耗和散热。
相关技术中,射频通信设备的PA电源设计一般采用固定的电源射频供电模式,无法灵活调整切换,抗干扰能力低。例如,在相关的PA供电电路中,供电模式的使用是在设计之初已经固定,或只受功率的影响,如功率在15DB以下是采用APT模式,功率在15DB-19DB范围内是采用EPT模式,19DB以上采用ET模式。这种设计一旦受到电源干扰,或电源引起的其他射频指标的恶化,供电模式不可切换。同时,某些带宽下的供电模式也相对固定,无法进行自适应调整。
基于此,本申请实施例提供了射频供电调整方法、装置、设备及存储介质,能够灵活调整射频电源供电状态,从而有效提高射频通信设备的抗干扰能力。
需要说明的是,以下多个实施例中,射频通信设备可以是终端、网络设备等。终端可以为移动终端设备,也可以为非移动终端设备。移动终端设备可以为手机、平板电脑、笔记本电脑、掌上电脑、车载终端设备、可穿戴设备、超级移动个人计算机、上网本、个人数字助理、CPE、UFI(无线热点设备)等;非移动终端设备可以为个人计算机、电视机、柜员机或者自助机等。网络设备可以是用于与终端设备进行通信的设备,网络设备可以包括基站、直放站或者其它具有类似功能的网络侧设备。射频通信设备可以是具有单个射频模块的电子设备,也可以是具有多组射频模块的电子设备。多组射频模块可以是以下的一种或多种:5G射频模块、4G射频模块、3G射频模块、2G射频模块、Wi-Fi射频模块和GPS射频模块等。本发明实施方案不作具体限定。下列仅以射频通信设备是手机为例,对本申请实施例做详细描述。
第一方面,参照图1,本申请实施例提供一种射频供电调整方法,包括:
步骤S1100,获取射频干扰信息;
步骤S1200,根据射频干扰信息,确定射频干扰信息与射频供电状态的相关信息;
步骤S1300,根据相关信息,调整射频供电状态。
在一些实施例中,步骤S1100中的射频干扰信息为可以用来反应和描述射频设备所接收的信号频率或非常接近此频率处产生的干扰情况的信息。例如,射频干扰信息可反应射频设备所接收的信号是否存在干扰,是何种干扰(如4G LTE的B3频段和5G NR的N78频段干扰、4G LTE的B41频段和5G NR的N41频段的干扰、WIFI和5G NR的N79频段的干扰、MMW和GPS的干扰),干扰的程度(如严重、一般、轻微)等的参数信息。
在一些实施例中,参照图2,步骤S1100包括以下子步骤:
步骤S1110,获取无线性能参数;
步骤S1120,将无线性能参数与预设无线性能参数进行比较;
步骤S1130,根据比较结果确定存在射频干扰,并生成射频干扰信息。
在一些实施例中,步骤S1110中的无线性能参数可以是反映无线网络性能的参数。例如,对于2G、3G、4G或5G等移动通信网络的射频设备(如手机),无线性能参数可以包括以下的一种或多种:RSRP(Reference Signal Receiving Power,参考信号接收功率)值、RSSI(Received Signal Strength Indication,接收的信号强度指示)值、SNR(Signal NoiseRatio,信噪比)值、CQI(Channel Quality Indication,信道质量指示)值、上下行误码率、MCS(Modulation and Coding Scheme,调制与编码策略)调制方式、阶数(Rank数据流数)、EVM(Error Vector Magnitude,误差向量幅度)、ACLR(Adjacent Channel Leakage Ratio,相邻频道泄漏比)和灵敏度等参数。
在一些实施例中,可以利用手机的干扰自扫描模块获取无线性能参数。干扰自扫描模块可以用于信道干扰和非信道干扰的扫描,还可以用于不同射频供电状态下的信道干扰扫描。
干扰自扫描模块与手机内置的天线单元和射频收发机相连,用于射频信号的自发自收干扰探测,即射频各路径干扰测试单元的信号的自发自收处理。例如,对于同时具有4GLTE射频模块和5G NR射频模块的手机,可以基于手机自发自收的ENDC(E-UTRA-NR DualConnectivity,4G-5G双连接)谐波检测算法,检测某两个频段在共存状态下的RSRP值和SNR值的变化,和预设无线性能参数进行比较,从而判断出是否是ENDC干扰。自发自收谐波和互调干扰算法可以不借助于第三方的仪表,通过射频芯片在4G LTE对应频段、频点或信道、带宽和其他无线设置参数(如RB(Resource Block,资源块)数、时隙数、调制方式、多流秩数等),输入一定的信号电平或发射功率,如-85DB和23DB最大功率发射;然后再通过射频芯片在5G NR对应频段、频点或信道、带宽和其他无线配置信息(如RB(Resource Block,资源块)数、时隙数、调制方式、多流秩数等),输入一定的信号电平或发射功率,如-85DB。同时,设置4G LTE为发送干扰路径,NR为接收干扰路径,利用接收扫描终端收到的NR信号电平,如-87DB,和预设无线性能参数(如参考RSRP值为-85DB)进行比较,则表明当前有2DB的谐波干扰;同时,如果5G NR是信号发射端(发送干扰路径),4G LTE是接收信号端(受干扰路径),接收扫描终端收到的4G LTE信号电平,如-90DB,和预设无线性能参数(如参考RSRP值为-85DB)进行比较,则表明当前有5DB的互调干扰。
在一些实施例中,干扰自扫描模块,还用于对终端EVM和ACLR指标的自发自测,通过内置于终端的射频测试程序,控制终端进行调制和解调测试,将测试的EVM、ACLR或灵敏度等值进行不需要仪表的自发自收采集,其采集值用于射频供电干扰的判断及反馈。
在一些实施例中,射频供电状态包括射频供电模式和/或射频供电参数。射频供电模式包括Bypass模式、APT模式、EPT模式或ET模式等。射频供电参数包括以下的一种或多种:供电电压(射频供电电压)、RGI(Radio frequency Gain Index,射频增益参数)值、ICQ(静态工作点电流)、RGI范围、压缩点、Vmin(最小电压)值和Vmax(最大电压)值等等。电源并发干扰抑制共存参数包括以下的一种或多种:共存功率控制参数、共存带宽限制参数、共存电源供电模式匹配参数、共存电源参数匹配参数、共存PA工作模式参数和共存隔离度提升参数等等。
在一些实施例中,射频供电调整方法应用于具有多组射频模块的电子设备(射频通信设备),多组射频模块包括以下的一种或多种:5G射频模块、4G射频模块、3G射频模块、2G射频模块、Wi-Fi射频模块和GPS射频模块等等。
在一些实施例中,射频通信设备可以有多组射频模块,每组射频模块对应有射频芯片和PA芯片。例如,对于5G终端,可能包含了5G射频模块(一组或多组)、4G射频模块、3G射频模块、2G射频模块;多组5G射频模块对应有多组NR射频芯片及PA芯片,4G射频模块、3G射频模块、2G射频模块对应有2/3/4G射频芯片及PA芯片,多组射频模块的供电是相对独立的,即需要多组供电电源及DC-DC电源转化电路。在5G NR终端中,NR频段(如N77、N78、N79或N41)会有两路TX发射电路,而每路发射电路需要独立的功放,即对应两组5G射频模块。以N41频段为例,有TX1和TX2两路上行发射,在UL-MIMO(上行链路多输入多输出)模式下,两路TX1和TX2需要同时工作,即TX1和TX2对应的PA芯片PA1和PA2也是同时工作的,则此时PA1和PA2对应的两路供电电源DC-DC1和DC-DC2也是同时工作的,两路DC-DC主要负责两个PA芯片的电源供电和供电电压的控制和转换。又例如,参照图3,5G终端100可能包含了5G射频模块110、4G射频模块120,5G射频模块110对应有依次连接的天线、NR射频芯片、PA芯片、和DC-DC电路,4G射频模块120对应有依次连接的天线、LTE射频芯片、PA芯片、和DC-DC电路。两路射频模块需要同时工作时,PA芯片PA1和PA2也是同时工作的,则此时PA1和PA2对应的两路供电电源DC-DC1和DC-DC2也是同时工作的,两路DC-DC主要负责两个PA芯片的电源供电和供电电压的控制和转换。
在一些实施例中,多组射频模块包括至少两组射频模块;射频供电状态包括电源并发干扰抑制共存参数;
参照图4,步骤S1100,获取射频干扰信息,包括:
S1140,获取无线性能参数;
S1150,将无线性能参数与预设无线性能参数进行比较;
S1160,根据比较结果确定存在射频干扰;
S1170,根据射频干扰,检测并判断射频干扰是否为电源并发干扰,并生成射频干扰信息。
在一些实施例中,在多组射频模块并发工作过程中,多路路供电电源DC-DC并行工作,会存在并发干扰问题。例如,在5G NR终端中,在多组NR射频模块并发发射时,容易产生并发干扰问题,进而影响到合路的TX的无线性能参数,如ACLR、EVM等指标的恶化,带来大的上行误码,进而影响到用户的实际的上行吞吐性能。为了解决这个并发下的干扰问题,本申请实施例引入并发干扰抑制机制,该机制的工作流程是:通过执行步骤S1140、S1150和S1160检测并确认到射频通信设备工作状态异常,存在射频干扰,如吞吐率低、误码率大时,通过执行步骤S1170判断终端当时是否处于并发状态,是多个NR射频模块之间(如N41的TX1和TX2、N77、N78、N79)的并发状态,还是NR射频模块和其他制式(LTE/WCDMA/CDMA/GSM)的射频模块之间的并发状态,判断是哪几个电源供电DC-DC电路在工作,进而检测并判断射频干扰是否为电源并发干扰。例如,可通过并发模式控制程序,切换终端进入间歇性瞬时TXonly模式,即只打开某一组射频模块(打开对应的PA芯片及供电芯片)工作,进而判断是哪一组射频模块起干扰主要因素,生成射频干扰信息。再通过电源相关系数计算模块执行步骤S1200,识别当前干扰和哪些射频供电模式(ET/EPT/APT/BYPASS等)或射频供电参数(Vmax值,Vmin值,压缩点,ICQ等)相关;同时,还可判断当前射频干扰和并发功率大小(如-30DB到28DB之间),工作带宽(如20M/40M/60M/80M/100M),及PA工作模式等相关性,确定射频干扰信息与射频供电状态的相关信息。在一些实施例中,相关信息为表征射频供电状态和射频干扰信息关联度的参数,用于表征射频供电状态对射频干扰信息的影响。相关信息可以是开关量,用于表征射频供电状态是否对射频干扰信息造成影响(射频干扰是否由射频供电状态引起);相关信息也可以是程度量,如相关系数,用于量化表征射频供电状态和射频干扰信息的相关程度,即表征射频供电状态对射频干扰信息造成影响的关联程度。
在一些实施例中,参照图3,射频通信设备100至少包括5G射频模块110、4G射频模块120;
在一些实施例中,步骤S1100,获取射频干扰信息,还包括以下子步骤:
步骤S1180,根据比较结果确定存在ENDC干扰,并生成射频干扰信息。
在一些实施例中,可以利用ENDC干扰检测单元确定是否存在ENDC干扰,并生成射频干扰信息。例如,ENDC干扰检测单元可以和干扰自扫描模块相连,用于获取终端当前的ENDC干扰情况。当射频通信设备工作于ENDC双连接状态时,检测单元首先检测是否存在干扰、存在干扰的制式及频段组合情况。例如,通过检测确定是4G LTE的B3频段和5G NR的N78频段干扰,还是4G LTE的B41频段和5G NR的N41频段的干扰,是WIFI和5G NR的N79频段的干扰,还是MMW和GPS的干扰等等。4G LTE和5G NR的ENDC干扰检测可通过上述射频信号的自发自收干扰探测方式检测确定,其他干扰的制式及频段组合情况也可采用类似的方式检测确定,再次不再赘述。射频通信设备在利用干扰自扫描模块检测到性能恶化(可通过将检测到无线性能参数与预设无线性能参数进行比较得知)时,随机会激活ENDC干扰检测单元,检测当前射频通信设备状态是否存在干扰,存在干扰的基本无线配置信息(如RB数、时隙数、调制方式、多流秩数等),并根据无线性能参数与预设无线性能参数进行比较结果判断是否存在ENDC干扰。如果无线性能参数存在明显降低、恶化或低于其他射频通信设备的水平,则说明存在ENDC干扰,则生成存在ENDC干扰对应的射频干扰信息。需要说明的是,ENDC干扰仅是示例性说明,除了在NSA(non-stand alone,非独立组网)模式下可能存在射频供电干扰,在SA(stand alone,独立组网)模式下,也会可能存在同样的干扰情况。
在一些实施例中,相关信息包括相关系数。
参照图5,步骤S1200,根据射频干扰信息,确定射频干扰信息与射频供电状态的相关信息,包括以下子步骤:
步骤S1210,根据射频干扰信息,测试在不同射频供电状态下无线性能参数的变化情况;
步骤S1220,根据变化情况确定射频干扰信息与射频供电状态的相关系数。
在一些实施例中,可以利用电源相关系数计算模块,用于计算射频干扰信息与射频供电状态的相关系数,同时用于判断射频干扰是否由PA供电电源引起,是否需要启动电源抗干扰控制程序控制射频供电状态。
在一些实施例中,当接收到射频干扰信息并确定射频通信设备当前存在干扰时,电源相关系数计算模块采集不同射频供电模式和射频供电参数下的干扰自扫描模块的测试得到的无线性能参数,并判断当前干扰是否和电源有关。例如,当前默认的射频供电模式和射频供电参数下,射频通信设备采集的上下行吞吐、SNR和RSRP等无线性能参数,和参数存储模块中存储的default值(预设无线性能参数)相比,如有异常或超出一定的阈值,则表明当前终端工作模式存在干扰,如果不同供电模式和供电参数下,上述无线性能参数有明显变化,则表明存在相关性,我们将其相关的大小记为相关系数,存储到参数存储器中。在一些实施例中,射频干扰信息与射频供电状态的相关性越大,对应的相关系数越大。相关性和对应相关系数的关系可以根据实际需要设置。举例说明,射频供电状态有A、B、C和D四种状态参数(状态参数对应特定的射频供电模式,也可以对应特定的射频供电参数),如果无线性能参数存在明显降低、恶化或低于其他射频通信设备的水平,则确定射频通信设备当前存在干扰并生成射频干扰信息。可通过分别调整状态参数A、B、C和D,同时监控无线性能参数的变化,找到敏感参数。如调整A参数对无线性能参数的变化影响较大,例如相关系数为1,则说明A参数为敏感参数;如调整B参数对无线性能参数的变化影响较大,例如相关系数为0.8,则说明B参数为敏感参数;如调整C参数对无线性能参数的变化影响较大,例如相关系数为0.5,则说明C参数为敏感程度为A的一半;如调整D参数对无线性能参数的变化影响较大,例如相关系数为0.1,则说明D参数为非敏感参数。可以设置一个需要调整的状态参数对应的相关系数阈值,如0.6,则如果相关系数大于等于0.6,如状态参数A和参数B,则需要调整状态参数A和B,以调整射频供电状态,减少射频干扰。
在一些实施例中,可以将射频供电状态的不同状态参数(射频供电模式和/或射频供电参数和/或电源并发干扰抑制共存参数)映射为不同的校准参数,则不同的射频供电状态对应映射为不同的校准参数集(或校准参数表)。可以利用参数存储模块存储校准参数。例如,可将不同的射频供电状态对应的不同的校准参数,生成不同的校准NV(Nonvolatile)参数值,并把终端的NVNV参数值存成相应的*.qcn文件,存储在参数存储模块中,以供查找或调用。
在一些实施例中,参照图6,步骤S1300,根据相关信息,调整射频供电状态,包括以下子步骤:
步骤S1311,根据相关信息,调整调用校准参数集中的校准参数,以调整射频供电状态;校准参数集由不同的射频供电状态经过校准映射生成;
步骤S1312,实时监控无线性能参数;
步骤S1313,选择无线性能参数达到预设条件时对应的校准参数,以调整射频供电状态。
在一些实施例中,步骤S1311中,当发生射频干扰时,可通过相关信息确定射频干扰确定该干扰是否与射频供电状态相关,如是,则通过调整校准参数集中的各个校准参数,以调整射频供电状态,可保证在不重启射频通信设备的前提下,也可以进行射频供电状态切换,且射频供电状态切换实时生效。再通过执行步骤S1312,经过闭环检测机制,对无线性能参数进行实时监控;再执行步骤S1313,直到选择一种最优的射频供电状态配置,进行无干扰或低干扰通讯。
在一些实施例中,步骤S1311中,当发生射频干扰时,可通过相关信息确定射频干扰确定该干扰是否与射频供电状态相关,如是,则通过轮换调用各个校准参数集中的校准参数,以调整射频供电状态,再通过执行步骤S1312,经过闭环检测机制,对无线性能参数进行实时监控;再执行步骤S1313,直到选择一种最优的射频供电状态对应的校准参数集,进行无干扰或低干扰通讯。
在一些实施例中,步骤S1300,根据相关信息,调整射频供电状态,包括子步骤:
S1321,根据相关信息和预设的关系映射表,调用校准参数集,以调整射频供电状态;校准参数集由不同的射频供电状态经过校准映射生成,关系映射表包含相关信息和校准参数集的对应关系。
在一些实施例中,相关信息包括相关系数,可预存好相关系数和校准参数集的对应关系,即不同的相关系数对应不同的校准参数集,作为预设的关系映射表。当发生射频干扰时,可通过相关信息确定射频干扰确定该干扰是否与射频供电状态相关,并确定相应的相关系数,通过查询预设的关系映射表,即查询相关系数和校准参数集的对应关系,可根据相关系数直接调用对应的校准参数集,进行无干扰或低干扰通讯。
在一些实施例中,参照图7,步骤S1300,根据相关信息,调整射频供电状态,包括:
S1331,利用逻辑门电路获取相关信息和无线性能参数;
S1332,逻辑门电路根据相关信息和无线性能参数,控制单刀多掷开关依次切换射频供电模式,以调整射频供电模式;
S1333,在各个射频供电模式下依次调用校准参数集,以调整射频供电参数。
在一些实施例中,射频供电状态包括射频供电模式,可利用射频供电模式切换模块调节射频供电模式。当检测到有电源干扰存在时,控制***检测当前射频通信设备工作的功率范围,并查看当前的PA的射频供电状态,判断当前的PA所处的增益等级。控制***根据当前的增益等级,判定当前的射频供电模式是Bypass、APT、EPT、ET还是其他供电模式。通过执行步骤S1331、S1332和S1333,利用逻辑门电路获取相关信息,根据相关信息,如果当前的干扰由射频供电模式干扰引起,则启动供电模式切换模块,改变当前的射频供电模式,通过该供电模式切换模块,控制射频通信设备PA的供电可进行硬件和软件切换。硬件切换方式可通过逻辑门电路控制单刀多掷开关实现射频供电模式的切换。例如,参照图8,可通过逻辑门电路控制单刀四掷开关SP4T实现射频供电模式的切换,即实现PA供电电源的Bypass、APT、EPT和ET四种模式的切换。再通过执行步骤S1331、S1332和S1333,实时获取和监控无线性能参数,根据无线性能参数的变化,控制单刀多掷开关切换,实现多种模式可以自适应实时切换。例如,可设计逻辑门电路的输入使能为射频通信设备射频自测程序的相关信息项pass或fail项,如pass为0,fail为1,即根据相关信息使能逻辑门电路。无线干扰测试程序测试到的无线性能参数项如BLER,SNR等,将BLER和SNR和阈值进行比较判断,如BLER<5%为0,BLER>5%为1,当逻辑门某个输入为1时,即表示有干扰,则控制单刀四掷开关进行射频供电模式的扫描切换,可以依次调用各个射频供电模式对应的校准参数,直到射频指标和无线网络性能满足要求。
在一些实施例中,参照图8,射频通信设备至少包括5G射频模块、4G射频模块,5G射频模块、4G射频模块的供电是相对独立的,即需要两组供电电源DC-DC(DC-DC1和DC-DC2),可通过逻辑门电路控制两组单刀四掷开关SP4T给PA芯片(PA1和PA2)供电,实现射频供电模式的切换,即实现PA供电电源的Bypass、APT、EPT和ET四种模式的切换。
相对于射频供电模式固定或只受功率的影响(如功率在15DB以下采用APT模式,15-19DB采用EPT,19-max power采用ET模式)的方式,本申请实施例提供的射频供电模式切换更灵活和准确。一旦受到电源干扰,或电源引起的其他无线性能参数的恶化,供电模式可灵活切换,从而优化无线通信性能。
在一些实施例中,射频供电状态包括射频供电参数,可利用射频供电参数可调模块调节射频供电参数。射频供电参数包括以下的一种或多种:供电电压、RGI值、ICQ、RGI范围、压缩点、Vmin值和Vmax值等。在一些实施例中,如果射频供电模式是APT模式,射频供电参数为峰值电压、实时电压、RGI值和ICQ值;如果射频供电模式是EPT或ET模式,射频供电参数为供电电压、RGI值、ICQ、RGI范围、压缩点、Vmin值和Vmax值。在一实施例中,可将不同的射频供电参数校准对应(映射)不同的校准参数,生成不同的NV参数值,存储在参数存储模块中。校准参数还和无线配置参数,如带宽、RB数目、NR波形、MCS调制方式等映射,进行不同无线配置参数的供电映射。
在一些实施例中,可通过相关信息确定射频干扰确定该干扰是否与射频供电状态相关,如是,则通过调整校准参数集中的各个校准参数,以调整射频供电状态,可保证在不重启射频通信设备的前提下,也可以进行射频供电状态切换,且射频供电状态切换实时生效。再经过闭环检测机制,对无线性能参数进行实时监控;直到选择一种最优的射频供电状态配置,进行无干扰或低干扰通讯。
在一些实施例中,在一些实施例中,射频供电状态包括电源并发干扰抑制共存参数,可利用电源并发干扰抑制模块调节电源并发干扰抑制共存参数。电源并发干扰抑制共存参数包括以下的一种或多种:共存功率控制参数、共存带宽限制参数、共存电源供电模式匹配参数、共存电源参数匹配参数、共存PA工作模式参数和共存隔离度提升参数等。
在一些实施例中,电源并发干扰抑制模块通过分别控制两个或多个电源转换芯片的电源并发干扰抑制共存参数,进入不同的射频供电状态,并调用不同的电源校准参数,使得射频供电状态和当前带宽、功率、无线性能指标、吞吐率需求匹配。其中,共存功率控制参数用于限定并发模式(多射频模块并发模式)下各射频模块的发射功率大小(如-30DB到28DB之间的任意功率值);共存带宽限制参数用于限定并发模式下的各射频模块传输带宽大小(如20M、40M、60M、80M、100M);共存电源供电模式匹配参数用于限定并发模式下的各射频模块的射频供电模式(如ET、EPT、APT、BYPASS);共存电源参数匹配参数用于限定并发模式下的各射频模块的射频供电参数(如Vmax值、Vmin值、压缩点、ICQ),共存PA工作模式参数用于限定并发模式下的各射频模块的PA工作模式(如PA增益等级、切合点等),共存隔离度提升参数用于限定并发模式下的各射频模块之间的隔离度。需要说明的是,上述参数可以包括多个子集参数,通过上述参数及参数子集参数的调整和调用,抑制并发模式下的干扰,直到用户的吞吐性能等无线性能参数提升至符合阈值目标。
下面仅以共存隔离度提升参数和共存带宽限制参数为例,说明电源并发干扰抑制共存参数的调整方式。
首先,以共存隔离度提升参数为例,当检测到当前的上行吞吐下降是由于并发模式状态引起,再通过电源相关系数计算模块执行步骤S1200判断两个电源供电都有影响,而这种影响和两个电源的隔离度相关,即可判断当前的性能恶化是隔离度系数引起。此时,即可调整共存隔离度提升参数,以增加两个射频模块的供电电源DC-DC或多个射频模块的供电电源DC-DC之间的隔离度。导致电源隔离度的因素,和供电电源DC-DC之间的布局、供电电流的大小、接地性能、电源滤波性能都有强的相关性。此时,通过两个供电电源DC-DC上的隔离度调整电路,如调整电源芯片周边的接地环境、调整电源滤波电容大小、调整BUCK电路(降压式变换电路)电感的大小、调整APT或ET模式下的负载电容大小,进行多位一体的共存隔离度优化调整,直到隔离度性能满足当前的电源共存要求。
再以共存带宽限制参数为例,如发现当前无线性能参数的下降(如上行吞吐率下降、误码率增大),是由于两个5G NR射频模块TX1和TX2并发引入的,而两个5G NR射频模块TX1和TX2都处于100M带宽下,通过电通过电源相关系数计算模块执行步骤S1200计算,如果NR TX2处于60M带宽时,两个5G NR射频模块发射TX1和TX2并发下的EVM指标有明显提升,对应的吞吐率也上升明显。此时,通过调整共存带宽限制参数,分别限定两个5G NR射频模块的工作带宽,并调整对应带宽下的射频供电参数,使得射频供电参数和当前带宽匹配,直到共存带宽限定参数的配置满足当前的电源共存要求。
在一些实施例中,也可以根据预设的射频模块优先级调整电源并发干扰抑制共存参数。例如,在5G优先模式下,可调整电源并发干扰抑制共存参数,优先5G NR射频模块工作。
本申请实施例通过射频供电方式的设计,可以让射频供电状态根据场景需求进行自适应地切换,从而实现能够灵活调整射频电源供电状态,进而有效提高射频通信设备的抗干扰能力,提升射频通信设备的通信性能。
第二方面,12、射频供电调整装置,包括:
获取模块,用于获取射频干扰信息;
相关信息确定模块,用于根据射频干扰信息,确定射频干扰信息与射频供电状态的相关信息;
供电状态调整模块,用于根据相关信息,调整射频供电状态。
在一些实施例中,射频供电调整装置中,获取模块、相关信息确定模块和供电状态调整模块依次连接。
参照图9,在一些实施例中,获取模块包括干扰自扫描模块,干扰自扫描模块可以用于信道干扰和非信道干扰的扫描,还可以用于不同射频供电状态下的信道干扰扫描。
干扰自扫描模块与手机内置的天线单元和射频收发机相连,用于射频信号的自发自收干扰探测,即射频各路径干扰测试单元的信号的自发自收处理。例如,对于同时具有4GLTE射频模块和5G NR射频模块的手机,可以基于手机自发自收的ENDC(E-UTRA-NR DualConnectivity,4G-5G双连接)谐波检测算法,检测某两个频段在共存状态下的RSRP值和SNR值的变化,和预设无线性能参数进行比较,从而判断出是否是ENDC干扰。自发自收谐波和互调干扰算法可以不借助于第三方的仪表,通过射频芯片在4G LTE对应频段、频点或信道、带宽和其他无线设置参数(如RB(Resource Block,资源块)数、时隙数、调制方式、多流秩数等),输入一定的信号电平或发射功率,如-85DB和23DB最大功率发射;然后再通过射频芯片在5G NR对应频段、频点或信道、带宽和其他无线配置信息(如RB(Resource Block,资源块)数、时隙数、调制方式、多流秩数等),输入一定的信号电平或发射功率,如-85DB。同时,设置4G LTE为发送干扰路径,NR为接收干扰路径,利用接收扫描终端收到的NR信号电平,如-87DB,和预设无线性能参数(如参考RSRP值为-85DB)进行比较,则表明当前有2DB的谐波干扰;同时,如果5G NR是信号发射端(发送干扰路径),4G LTE是接收信号端(受干扰路径),接收扫描终端收到的4G LTE信号电平,如-90DB,和预设无线性能参数(如参考RSRP值为-85DB)进行比较,则表明当前有5DB的互调干扰。
在一些实施例中,干扰自扫描模块,还用于对终端EVM和ACLR指标的自发自测,通过内置于终端的射频测试程序,控制终端进行调制和解调测试,将测试的EVM、ACLR或灵敏度等值进行不需要仪表的自发自收采集,其采集值用于射频供电干扰的判断及反馈。
在另一些实施例中,获取模块还包括ENDC干扰检测单元。可以利用ENDC干扰检测单元确定是否存在ENDC干扰,并生成射频干扰信息。例如,ENDC干扰检测单元可以和干扰自扫描模块相连,用于获取终端当前的ENDC干扰情况。当射频通信设备工作于ENDC双连接状态时,检测单元首先检测是否存在干扰、存在干扰的制式及频段组合情况。例如,通过检测确定是4G LTE的B3频段和5G NR的N78频段干扰,还是4G LTE的B41频段和5G NR的N41频段的干扰,是WIFI和5G NR的N79频段的干扰,还是MMW和GPS的干扰等等。4G LTE和5G NR的ENDC干扰检测可通过上述射频信号的自发自收干扰探测方式检测确定,其他干扰的制式及频段组合情况也可采用类似的方式检测确定,再次不再赘述。射频通信设备在利用干扰自扫描模块检测到性能恶化(可通过将检测到无线性能参数与预设无线性能参数进行比较得知)时,随机会激活ENDC干扰检测单元,检测当前射频通信设备状态是否存在干扰,存在干扰的基本无线配置信息(如RB数、时隙数、调制方式、多流秩数等),并根据无线性能参数与预设无线性能参数进行比较结果判断是否存在ENDC干扰。如果无线性能参数存在明显降低、恶化或低于其他射频通信设备的水平,则说明存在ENDC干扰,则生成存在ENDC干扰对应的射频干扰信息。需要说明的是,ENDC干扰仅是示例性说明,除了在NSA(non-stand alone,非独立组网)模式下可能存在射频供电干扰,在SA(stand alone,独立组网)模式下,也会可能存在同样的干扰情况。
在一些实施例中,相关信息确定模块包括电源相关系数计算模块,可以利用电源相关系数计算模块,用于计算射频干扰信息与射频供电状态的相关系数,同时用于判断射频干扰是否由PA供电电源引起,是否需要启动电源抗干扰控制程序控制射频供电状态。
在一些实施例中,当接收到射频干扰信息并确定射频通信设备当前存在干扰时,电源相关系数计算模块采集不同射频供电模式和射频供电参数下的干扰自扫描模块的测试得到的无线性能参数,并判断当前干扰是否和电源有关。例如,当前默认的射频供电模式和射频供电参数下,射频通信设备采集的上下行吞吐、SNR和RSRP等无线性能参数,和参数存储模块中存储的default值(预设无线性能参数)相比,如有异常或超出一定的阈值,则表明当前终端工作模式存在干扰,如果不同供电模式和供电参数下,上述无线性能参数有明显变化,则表明存在相关性,我们将其相关的大小记为相关系数,存储到参数存储器中。在一些实施例中,射频干扰信息与射频供电状态的相关性越大,对应的相关系数越大。相关性和对应相关系数的关系可以根据实际需要设置。举例说明,射频供电状态有A、B、C和D四种状态参数(状态参数对应特定的射频供电模式,也可以对应特定的射频供电参数),如果无线性能参数存在明显降低、恶化或低于其他射频通信设备的水平,则确定射频通信设备当前存在干扰并生成射频干扰信息。可通过分别调整状态参数A、B、C和D,同时监控无线性能参数的变化,找到敏感参数。如调整A参数对无线性能参数的变化影响较大,例如相关系数为1,则说明A参数为敏感参数;如调整B参数对无线性能参数的变化影响较大,例如相关系数为0.8,则说明B参数为敏感参数;如调整C参数对无线性能参数的变化影响较大,例如相关系数为0.5,则说明C参数为敏感程度为A的一半;如调整D参数对无线性能参数的变化影响较大,例如相关系数为0.1,则说明D参数为非敏感参数。可以设置一个需要调整的状态参数对应的相关系数阈值,如0.6,则如果相关系数大于等于0.6,如状态参数A和参数B,则需要调整状态参数A和B,以调整射频供电状态,减少射频干扰。
在一些实施例中,射频供电调整装置还包括参数存储模块,参数存储模块分别与电源相关系数计算模块和自适应抗干扰控制模块连接,用于存储无线性能参数、射频供电参数、校验参数等的存储。这些参数值还能根据当前的网络环境和ENDC组合,根据测试到新的ENDC配置和数据,作为新参数模型建立和存储起来,以供后续查找参考和调用。
在一些实施例中,供电状态调整模块包括自适应抗干扰控制模块。自适应抗干扰控制模块电源相关系数计算模块相连,用于接收来自电源相关系数计算模块的相关系数并输出控制信号自适应调整控制射频供电状态。自适应抗干扰控制模块可以包括干扰比较功能,先采集和对比当前的无线性能参数。例如,采集无ENDC干扰的信号强度,如分别采集单4G LTE射频模块或单5G NR射频模块下的信号强度作为参考值,再采集并发模式ENDC下的信号强度值,将两者做比较,如果并发模式ENDC下的信号强度变差,则会根据当前的无线业务自适应推送一种最佳的调整方式,输出控制信号自适应调整控制射频供电状态。如果当前调节后信号强度已经是最佳,则不会提示调节或反馈。同样,如果检测到当前的数据传输吞吐量异常,也会和无线信号参考值(预设无线性能参数)相比较,如果低于参考值,则可以对比判断出当前的无线性能有降低,输出控制信号自适应调整控制射频供电状态。对于蜂窝射频模块、WI-FI射频模块或GPS射频模块,在通话业务中,如果检测发现有明显的卡顿上报,也可以对比判断出当前ENDC下的无线性能参数是否下降,以对射频供电状态进行自适应调整。通过***内置算法,对比分析射频供电模式切换及供电参数改变前后的吞吐率改变及其他信号质量参数改变和电源***的相关性,调整到信号质量较高、吞吐率更大、速率更稳定的射频供电状态配置上去。
在一些实施例中,供电状态调整模块还包括射频供电模式切换模块、射频供电参数可调模块和电源并发干扰抑制模块。射频供电模式切换模块、射频供电参数可调模块和电源并发干扰抑制模块均与自适应抗干扰控制模块连接。
在一些实施例中,可利用射频供电模式切换模块调节射频供电模式。射频供电模式切换模块与自适应抗干扰控制模块连接,用于根据自适应抗干扰控制模块的控制信号调节射频供电模式。
在一些实施例中,供电状态调整模块包括:
逻辑门电路,用于获取相关信息和无线性能参数,并根据相关信息和无线性能参数输出控制信号;
单刀多掷开关,与逻辑门电路连接,用于根据控制信号,切换射频供电模式;
参数调整模块,用于在各个射频供电模式下依次调用校准参数集,以调整射频供电参数。
在一些实施例中,当检测到有电源干扰存在时,控制***检测当前射频通信设备工作的功率范围,并查看当前的PA的射频供电状态,判断当前的PA所处的增益等级。控制***根据当前的增益等级,判定当前的射频供电模式是bypass、APT、EPT、ET还是其他供电模式。通过执行如上述步骤S1331、S1332和S1333的方法,利用逻辑门电路获取相关信息,根据相关信息,如果当前的干扰由射频供电模式干扰引起,则启动供电模式切换模块,改变当前的射频供电模式,通过该供电模式切换模块,控制射频通信设备PA的供电可进行硬件和软件切换。硬件切换方式可通过逻辑门电路控制单刀多掷开关实现射频供电模式的切换。例如,参照图8,可通过逻辑门电路控制单刀四掷开关SP4T实现射频供电模式的切换,即实现PA供电电源的Bypass、APT、EPT和ET四种模式的切换。再通过执行步骤S1331、S1332和S1333,实时获取和监控无线性能参数,根据无线性能参数的变化,控制单刀多掷开关切换,实现多种模式可以自适应实时切换。例如,可设计逻辑门电路的输入使能为射频通信设备射频自测程序的相关信息项pass或fail项,如pass为0,fail为1,即根据相关信息使能逻辑门电路。无线干扰测试程序测试到的无线性能参数项如BLER,SNR等,将BLER和SNR和阈值进行比较判断,如BLER<5%为0,BLER>5%为1,当逻辑门某个输入为1时,即表示有干扰,则控制单刀四掷开关进行射频供电模式的扫描切换,可以依次调用各个射频供电模式对应的校准参数,直到射频指标和无线网络性能满足要求。
在一些实施例中,参照图8,射频通信设备至少包括5G射频模块、4G射频模块,5G射频模块、4G射频模块的供电是相对独立的,即需要两组供电电源DC-DC(DC-DC1和DC-DC2),可通过逻辑门电路控制两组单刀四掷开关SP4T给PA芯片(PA1和PA2)供电,实现射频供电模式的切换,即实现PA供电电源的Bypass、APT、EPT和ET四种模式的切换。
相对于射频供电模式固定或只受功率的影响(如功率在15DB以下采用APT模式,15-19DB采用EPT,19-max power采用ET模式)的方式,本申请实施例提供的射频供电模式切换更灵活和准确。一旦受到电源干扰,或电源引起的其他无线性能参数的恶化,供电模式可灵活切换,从而优化无线通信性能。
在一些实施例中,可利用射频供电参数可调模块调节射频供电参数。射频供电参数可调模块与自适应抗干扰控制模块连接,用于根据自适应抗干扰控制模块的控制信号调节射频供电参数。射频供电参数包括以下的一种或多种:供电电压、RGI值、ICQ、RGI范围、压缩点、Vmin值和Vmax值等。在一些实施例中,如果射频供电模式是APT模式,射频供电参数为峰值电压、实时电压、RGI值和ICQ值;如果射频供电模式是EPT或ET模式,射频供电参数为供电电压、RGI值、ICQ、RGI范围、压缩点、Vmin值和Vmax值。在一实施例中,可将不同的射频供电参数校准对应(映射)不同的校准参数,生成不同的NV参数值,存储在参数存储模块中。校准参数还和无线配置参数,如带宽、RB数目、NR波形、MCS调制方式等映射,进行不同无线配置参数的供电映射。
在一些实施例中,可通过相关信息确定射频干扰确定该干扰是否与射频供电状态相关,如是,则通过调整校准参数集中的各个校准参数,以调整射频供电状态,可保证在不重启射频通信设备的前提下,也可以进行射频供电状态切换,且射频供电状态切换实时生效。再经过闭环检测机制,对无线性能参数进行实时监控;直到选择一种最优的射频供电状态配置,进行无干扰或低干扰通讯。
在一些实施例中,可利用电源并发干扰抑制模块调节电源并发干扰抑制共存参数。电源并发干扰抑制模块与自适应抗干扰控制模块连接,用于根据自适应抗干扰控制模块的控制信号调节电源并发干扰抑制共存参数。电源并发干扰抑制共存参数包括以下的一种或多种:共存功率控制参数、共存带宽限制参数、共存电源供电模式匹配参数、共存电源参数匹配参数、共存PA工作模式参数和共存隔离度提升参数等。
在一些实施例中,电源并发干扰抑制模块通过分别控制两个或多个电源转换芯片的电源并发干扰抑制共存参数,进入不同的射频供电状态,并调用不同的电源校准参数,使得射频供电状态和当前带宽、功率、无线性能指标、吞吐率需求匹配。其中,共存功率控制参数用于限定并发模式(多射频模块并发模式)下各射频模块的发射功率大小(如-30DB到28DB之间的任意功率值);共存带宽限制参数用于限定并发模式下的各射频模块传输带宽大小(如20M、40M、60M、80M、100M);共存电源供电模式匹配参数用于限定并发模式下的各射频模块的射频供电模式(如ET、EPT、APT、BYPASS);共存电源参数匹配参数用于限定并发模式下的各射频模块的射频供电参数(如Vmax值、Vmin值、压缩点、ICQ),共存PA工作模式参数用于限定并发模式下的各射频模块的PA工作模式(如PA增益等级、切合点等),共存隔离度提升参数用于限定并发模式下的各射频模块之间的隔离度。需要说明的是,上述参数可以包括多个子集参数,通过上述参数及参数子集参数的调整和调用,抑制并发模式下的干扰,直到用户的吞吐性能等无线性能参数提升至符合阈值目标。
下面仅以共存隔离度提升参数和共存带宽限制参数为例,说明电源并发干扰抑制共存参数的调整方式。
首先,以共存隔离度提升参数为例,当检测到当前的上行吞吐下降是由于并发模式状态引起,再通过电源相关系数计算模块执行步骤S1200判断两个电源供电都有影响,而这种影响和两个电源的隔离度相关,即可判断当前的性能恶化是隔离度系数引起。此时,即可调整共存隔离度提升参数,以增加两个射频模块的供电电源DC-DC或多个射频模块的供电电源DC-DC之间的隔离度。导致电源隔离度的因素,和供电电源DC-DC之间的布局、供电电流的大小、接地性能、电源滤波性能都有强的相关性。此时,通过两个供电电源DC-DC上的隔离度调整电路,如调整电源芯片周边的接地环境、调整电源滤波电容大小、调整BUCK电路(降压式变换电路)电感的大小、调整APT或ET模式下的负载电容大小,进行多位一体的共存隔离度优化调整,直到隔离度性能满足当前的电源共存要求。
再以共存带宽限制参数为例,如发现当前无线性能参数的下降(如上行吞吐率下降、误码率增大),是由于两个5G NR射频模块TX1和TX2并发引入的,而两个5G NR射频模块TX1和TX2都处于100M带宽下,通过电通过电源相关系数计算模块执行步骤S1200计算,如果NR TX2处于60M带宽时,两个5G NR射频模块发射TX1和TX2并发下的EVM指标有明显提升,对应的吞吐率也上升明显。此时,通过调整共存带宽限制参数,分别限定两个5G NR射频模块的工作带宽,并调整对应带宽下的射频供电参数,使得射频供电参数和当前带宽匹配,直到共存带宽限定参数的配置满足当前的电源共存要求。
本申请实施例通过射频供电方式的设计,可以让射频供电状态根据场景需求进行自适应地切换,从而实现能够灵活调整射频电源供电状态,进而有效提高射频通信设备的抗干扰能力,提升射频通信设备的通信性能。
第三方面,本申请实施例提供了一种电子设备,包括:存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,处理器执行程序时实现:
如第一方面任一实施例的射频供电调整方法。
在一些实施例中,电子设备可以是终端、网络设备等。终端可以为移动终端设备,也可以为非移动终端设备。移动终端设备可以为手机、平板电脑、笔记本电脑、掌上电脑、车载终端设备、可穿戴设备、超级移动个人计算机、上网本、个人数字助理、CPE、UFI(无线热点设备)等;非移动终端设备可以为个人计算机、电视机、柜员机或者自助机等。网络设备可以是用于与终端设备进行通信的设备,网络设备可以包括基站、直放站或者其它具有类似功能的网络侧设备。
第四方面,本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质,存储有计算机可执行指令,计算机可执行指令用于:
执行第一方面任一实施例的射频供电调整方法。
以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,其中作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。
本领域普通技术人员可以理解,上文中所公开方法中的全部或某些步骤、***可以被实施为软件、固件、硬件及其适当的组合。某些物理组件或所有物理组件可以被实施为由处理器,如中央处理器、数字信号处理器或微处理器执行的软件,或者被实施为硬件,或者被实施为集成电路,如专用集成电路。这样的软件可以分布在计算机可读介质上,计算机可读介质可以包括计算机存储介质(或非暂时性介质)和通信介质(或暂时性介质)。如本领域普通技术人员公知的,术语计算机存储介质包括在用于存储信息(诸如计算机可读指令、数据结构、程序模块或其他数据)的任何方法或技术中实施的易失性和非易失性、可移除和不可移除介质。计算机存储介质包括但不限于RAM、ROM、EEPROM、闪存或其他存储器技术、CD-ROM、数字多功能盘(DVD)或其他光盘存储、磁盒、磁带、磁盘存储或其他磁存储装置、或者可以用于存储期望的信息并且可以被计算机访问的任何其他的介质。此外,本领域普通技术人员公知的是,通信介质通常包含计算机可读指令、数据结构、程序模块或者诸如载波或其他传输机制之类的调制数据信号中的其他数据,并且可包括任何信息递送介质。
以上是对本申请的较佳实施进行了具体说明,但本申请并不局限于上述实施方式,熟悉本领域的技术人员在不违背本申请精神的前提下还可作出种种的等同变形或替换,这些等同的变形或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。

Claims (15)

1.射频供电调整方法,包括:
获取射频干扰信息;
根据所述射频干扰信息,确定所述射频干扰信息与射频供电状态的相关信息;
根据所述相关信息,调整所述射频供电状态。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述射频供电状态包括射频供电模式和/或射频供电参数和/或电源并发干扰抑制共存参数。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,
所述射频供电模式包括Bypass模式、APT模式、EPT模式或ET模式;
所述射频供电参数包括以下的一种或多种:供电电压、RGI值、ICQ、RGI范围、压缩点、Vmin值和Vmax值;
所述电源并发干扰抑制共存参数包括以下的一种或多种:共存功率控制参数、共存带宽限制参数、共存电源供电模式匹配参数、共存电源参数匹配参数、共存PA工作模式参数和共存隔离度提升参数。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述获取射频干扰信息,包括:
获取无线性能参数;
将所述无线性能参数与预设无线性能参数进行比较;
根据比较结果确定存在射频干扰,并生成所述射频干扰信息。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述无线性能参数包括以下的一种或多种:
RSRP值、RSSI值、SNR值、CQI值、上下行误码率、MCS调制方式、阶数、EVM、ACLR和灵敏度。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述相关信息包括相关系数;
所述根据所述射频干扰信息,确定所述射频干扰信息与射频供电状态的相关信息,包括:
根据所述射频干扰信息,测试在不同射频供电状态下无线性能参数的变化情况;
根据所述变化情况确定射频干扰信息与射频供电状态的相关系数。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述相关信息,调整所述射频供电状态,包括:
根据所述相关信息,调整调用校准参数集中的校准参数,以调整所述射频供电状态;所述校准参数集由不同的射频供电状态经过校准映射生成;
实时监控无线性能参数;
选择无线性能参数达到预设条件时对应的校准参数,以调整所述射频供电状态。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述相关信息,调整所述射频供电状态,包括:
根据所述相关信息和预设的关系映射表,调用校准参数集,以调整所述射频供电状态;所述校准参数集由不同的射频供电状态经过校准映射生成,所述关系映射表包含所述相关信息和校准参数集的对应关系。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述相关信息,调整所述射频供电状态,包括:
利用逻辑门电路获取所述相关信息和无线性能参数;
利用逻辑门电路根据所述相关信息和无线性能参数,控制单刀多掷开关依次切换射频供电模式,以调整射频供电模式;
在各个射频供电模式下依次调用校准参数集,以调整射频供电参数。
10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法应用于具有多组射频模块的电子设备,多组所述射频模块包括以下的一种或多种:5G射频模块、4G射频模块、3G射频模块、2G射频模块、Wi-Fi射频模块和GPS射频模块。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,多组所述射频模块包括至少两组射频模块;所述射频供电状态包括电源并发干扰抑制共存参数;
所述获取射频干扰信息,包括,
获取无线性能参数;
将所述无线性能参数与预设无线性能参数进行比较;
根据比较结果确定存在射频干扰;
根据所述射频干扰,检测并判断所述射频干扰是否为电源并发干扰,并生成所述射频干扰信息;
对应的,所述根据所述相关信息,调整所述射频供电状态,包括,
根据所述相关信息,分别控制至少两组射频模块两个或多个电源转换芯片的电源并发干扰抑制共存参数。
12.射频供电调整装置,包括:
获取模块,用于获取射频干扰信息;
相关信息确定模块,用于根据所述射频干扰信息,确定所述射频干扰信息与射频供电状态的相关信息;
供电状态调整模块,用于根据所述相关信息,调整所述射频供电状态。
13.根据权利要求12所述的装置,其特征在于,所述供电状态调整模块包括:
逻辑门电路,用于获取所述相关信息和无线性能参数,并根据所述相关信息和无线性能参数输出控制信号;
单刀多掷开关,与所述逻辑门电路连接,用于根据所述控制信号,切换射频供电模式;
参数调整模块,用于在各个射频供电模式下依次调用校准参数集,以调整射频供电参数。
14.一种电子设备,包括:存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,所述处理器执行所述程序时实现:
如权利要求1至10中任一项所述的射频供电调整方法。
15.一种计算机可读存储介质,存储有计算机可执行指令,所述计算机可执行指令用于:
执行权利要求1至10中任一项所述的射频供电调整方法。
CN202011074821.1A 2020-10-09 2020-10-09 射频供电调整方法、装置、设备及存储介质 Active CN112532053B (zh)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011074821.1A CN112532053B (zh) 2020-10-09 2020-10-09 射频供电调整方法、装置、设备及存储介质
US18/246,426 US20230361806A1 (en) 2020-10-09 2021-08-05 Radio frequency power supply adjustment method, apparatus and device, and storage medium
EP21876901.6A EP4228137A4 (en) 2020-10-09 2021-08-05 METHOD, DEVICE AND DEVICE FOR ADJUSTING A RADIO FREQUENCY POWER SUPPLY AND STORAGE MEDIUM
AU2021356425A AU2021356425A1 (en) 2020-10-09 2021-08-05 Radio frequency power supply adjustment method, apparatus and device, and storage medium
PCT/CN2021/110922 WO2022073379A1 (zh) 2020-10-09 2021-08-05 射频供电调整方法、装置、设备及存储介质

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011074821.1A CN112532053B (zh) 2020-10-09 2020-10-09 射频供电调整方法、装置、设备及存储介质

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112532053A CN112532053A (zh) 2021-03-19
CN112532053B true CN112532053B (zh) 2022-03-29

Family

ID=74978904

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011074821.1A Active CN112532053B (zh) 2020-10-09 2020-10-09 射频供电调整方法、装置、设备及存储介质

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20230361806A1 (zh)
EP (1) EP4228137A4 (zh)
CN (1) CN112532053B (zh)
AU (1) AU2021356425A1 (zh)
WO (1) WO2022073379A1 (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112532053B (zh) * 2020-10-09 2022-03-29 中兴通讯股份有限公司 射频供电调整方法、装置、设备及存储介质
CN113572487B (zh) * 2021-07-23 2022-08-19 闻泰通讯股份有限公司 射频信号杂波抑制方法、基站和终端
CN113489508B (zh) * 2021-07-30 2022-11-29 维沃移动通信有限公司 供电控制方法、供电控制装置、电子设备和可读存储介质
CN115913797A (zh) * 2021-08-26 2023-04-04 华为技术有限公司 网络设备及供电关系确定方法
WO2023090689A1 (ko) * 2021-11-16 2023-05-25 삼성전자주식회사 Rf 신호 증폭을 위한 전력 공급 제어 방법 및 이를 수행하는 통신 장치
CN115001414B (zh) * 2022-05-09 2024-06-14 西安北方华创微电子装备有限公司 一种射频电源
CN115065377B (zh) * 2022-07-27 2022-11-25 南京从景生物技术有限公司 一种两组便携同频或异频控制的射频电路
CN115001622B (zh) * 2022-08-03 2022-10-21 南京尤尼泰信息科技有限公司 一种射频隔离***和隔离方法
CN118283627A (zh) * 2022-12-30 2024-07-02 中兴通讯股份有限公司 终端网络抗互扰调节方法、终端、计算机可读介质

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107147450A (zh) * 2017-05-23 2017-09-08 广东欧珀移动通信有限公司 射频干扰处理方法、装置、存储介质及终端
CN107277912A (zh) * 2017-05-31 2017-10-20 广东欧珀移动通信有限公司 一种射频干扰处理方法、装置、存储介质和终端
CN108541060A (zh) * 2018-04-11 2018-09-14 Oppo广东移动通信有限公司 射频功率放大器供电方法、装置、终端及存储介质
CN108901031A (zh) * 2018-06-12 2018-11-27 Oppo广东移动通信有限公司 射频参数调整方法、装置、移动终端以及存储介质
CN211352201U (zh) * 2020-03-10 2020-08-25 中国人民解放军32181部队 一种指控装备通信抗干扰性能测试仪

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7539466B2 (en) * 2004-12-14 2009-05-26 Motorola, Inc. Amplifier with varying supply voltage and input attenuation based upon supply voltage
CN201733279U (zh) * 2010-04-30 2011-02-02 华为终端有限公司 射频功率放大器的供电设备和通信设备
CN107070486B (zh) * 2017-05-27 2019-08-30 青岛海信移动通信技术股份有限公司 一种调整射频功率放大器的供电电压的方法及射频电路
CN108063646A (zh) * 2017-12-15 2018-05-22 广东欧珀移动通信有限公司 电子设备的抗干扰方法及相关产品
CN108649907A (zh) * 2018-05-15 2018-10-12 Oppo广东移动通信有限公司 射频功率放大器供电控制方法、装置、终端设备和介质
CN108650035B (zh) * 2018-05-15 2021-08-20 Oppo广东移动通信有限公司 电子设备校准方法、装置、电子设备和存储介质
CN108683413B (zh) * 2018-05-15 2020-03-27 Oppo广东移动通信有限公司 射频功率放大器供电控制方法、装置、终端设备和介质
CN109510634A (zh) * 2019-01-25 2019-03-22 北京唯得科技有限公司 射频功率放大器动态功率调整装置以及动态功率调整方法
CN110430001B (zh) * 2019-08-30 2021-04-13 联想(北京)有限公司 一种载波优化方法及***
CN112532053B (zh) * 2020-10-09 2022-03-29 中兴通讯股份有限公司 射频供电调整方法、装置、设备及存储介质

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107147450A (zh) * 2017-05-23 2017-09-08 广东欧珀移动通信有限公司 射频干扰处理方法、装置、存储介质及终端
CN107277912A (zh) * 2017-05-31 2017-10-20 广东欧珀移动通信有限公司 一种射频干扰处理方法、装置、存储介质和终端
CN108541060A (zh) * 2018-04-11 2018-09-14 Oppo广东移动通信有限公司 射频功率放大器供电方法、装置、终端及存储介质
CN108901031A (zh) * 2018-06-12 2018-11-27 Oppo广东移动通信有限公司 射频参数调整方法、装置、移动终端以及存储介质
CN211352201U (zh) * 2020-03-10 2020-08-25 中国人民解放军32181部队 一种指控装备通信抗干扰性能测试仪

Also Published As

Publication number Publication date
US20230361806A1 (en) 2023-11-09
CN112532053A (zh) 2021-03-19
EP4228137A1 (en) 2023-08-16
AU2021356425A1 (en) 2023-06-15
EP4228137A9 (en) 2023-10-11
EP4228137A4 (en) 2024-04-03
WO2022073379A1 (zh) 2022-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112532053B (zh) 射频供电调整方法、装置、设备及存储介质
US11133902B2 (en) Scheduling data transmissions between a mobile terminal and a base station in a wireless communications network using component carriers
US10091724B2 (en) Information transmission method and device
US6546252B1 (en) System and method for estimating interfrequency measurements used for radio network function
KR101502293B1 (ko) 무선 통신 시스템에서 불연속 송신 (dtx) 을 적응적으로 인에이블시키기 위한 장치 및 방법
US20100308909A1 (en) Pa gain state switching based on waveform linearity
CN104601253A (zh) 处理谐波干扰的方法和基站
EP2765715A1 (en) Method and device for improving communication rate
EP2466966B1 (en) Bandwidth configuration for UMTS900 and GSM900
US20150173082A1 (en) Predictive Control for Radio Frequency Coexistence Management in Multi-SIM-Multi-Active (MSMA) Devices
CN113612495B (zh) 功率放大器的供电方法、装置、介质及通信***
KR20200066327A (ko) 간섭 처리 방법, 단말 기기, 네트워크 기기 및 컴퓨터 저장 매체
CN116032761A (zh) 业务切片的调整方法、电子设备和存储介质
CN112737628A (zh) 射频电路和电子设备
WO2022143528A1 (zh) 用于dss的抗干扰方法、装置、电子设备及存储介质
CN112752313A (zh) 频段切换控制方法、基站和可读存储介质
WO2021136428A1 (zh) 降低杂散干扰方法、通讯设备和可读存储介质
CN114374968A (zh) 终端能力上报方法、装置及设备
CN100385807C (zh) 具有逆向输出功率设定功能的移动通信终端
US20240236875A9 (en) Method for adjusting time-averaged parameters of transmitting power of radio module and associated radio module
EP2277273B1 (en) Automatic optimization of rf receiver interference performance
CN117939609A (zh) 无线电模块的发射功率的时均参数的调整方法和相关的无线电模块
CN117545021A (zh) 上行发送方法、装置、电子设备和可读存储介质

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant