CN112531126B - 发光装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种发光装置，包括基板以及第一子像素。第一子像素具有第一透明区以及第一非透明区，且包括开关元件、介电层、有机发光二极管以及封装层。开关元件位于基板上，且位于第一非透明区中。介电层位于开关元件上。有机发光二极管位于介电层上，且电性连接至开关元件。封装层包括依序堆叠的第一绝缘层、第二绝缘层以及第三绝缘层。第一绝缘层相较于第三绝缘层更靠近有机发光二极管。第三绝缘层的折射率小于第二绝缘层的折射率。第二绝缘层的折射率小于第一绝缘层的折射率。
Description
技术领域
本发明是有关于一种发光装置，且特别是有关于一种包括发光二极管的发光装置。
背景技术
有机发光显示装置具有自发光、广视角、省电、程序简易、低成本、操作温度广泛、高应答速度以及全彩化等等的优点，使其具有极大的潜力，因此可望成为下一代平面显示装置的主流。
随着科技的进展，许多厂商致力于发展透明的有机发光显示装置的相关技术。利用像素中的穿透区与发光区的组合，使透明的有机发光显示装置看起来是透明的，因此，使用者能够通过有机发光显示装置而看到显示装置后方的背景。以手机为例，全屏屏幕是目前发展的趋势，然而，在附加有前置镜头的手机中，相机镜头必须埋藏于屏幕下方，此时镜头上方的显示装置需要是透明的。
发明内容
本发明提供一种发光装置，能增加子像素的发光效率。
本发明的一种发光装置，包括基板以及第一子像素。第一子像素具有第一透明区以及第一非透明区，且包括开关元件、介电层、有机发光二极管以及封装层。开关元件位于基板上，且位于第一非透明区中。介电层位于开关元件上。有机发光二极管位于介电层上，且电性连接至开关元件。封装层位于有机发光二极管上，且位于第一透明区中以及第一非透明区中。封装层包括依序堆叠的第一绝缘层、第二绝缘层以及第三绝缘层。第一绝缘层相较于第三绝缘层更靠近有机发光二极管。第三绝缘层的折射率小于第二绝缘层的折射率。第二绝缘层的折射率小于第一绝缘层的折射率。
附图说明
图1A是依照本发明的一实施例的一种第一子像素的剖面示意图。
图1B是图1A的第一子像素的上视示意图。
图2是依照本发明的一实施例的一种发光装置的上视示意图。
图3是依照本发明的一实施例的一种第一子像素的剖面示意图。
图4是依照本发明的一实施例的一种第一子像素的剖面示意图。
图5是依照本发明的一实施例的一种第一子像素的剖面示意图。
图6是依照本发明的一实施例的一种第一子像素的剖面示意图。
图7是依照本发明的一实施例的一种第一子像素的剖面示意图。
图8是依照本发明的一实施例的一种第一子像素的剖面示意图。
图9是依照本发明的一实施例的一种第一子像素的剖面示意图。
图10是依照本发明的一实施例的一种第一子像素的剖面示意图。
图11是依照本发明的一实施例的一种第一子像素的剖面示意图。
图12是依照本发明的一实施例的一种第一子像素的剖面示意图。
图13A是依照本发明的一实施例的一种第一子像素的剖面示意图。
图13B是图13A的第一子像素的上视示意图。
图14是依照本发明的一实施例的一种第一子像素的剖面示意图。
图15依照本发明的一实施例的一种像素的上视示意图。
其中，附图标记：
1:发光装置
10:第一子像素
20:第二子像素
30:第三子像素
100:开关元件
110:介电层
112:钝化层
114:层间介电层
120:有机发光二极管
122:第一电极
124:有机发光层
126:第二电极
130:封装层
131:第一绝缘层
132:第二绝缘层
133:第三绝缘层
134:第四绝缘层
135:第五绝缘层
136:第六绝缘层
140:像素定义层
150:间隔件
C:凹槽
CL:覆盖层
DH:导流孔
H1:高度
L:光线
M:微结构
NTA1:第一非透明区
NTA2:第二非透明区
NTA3:第三非透明区
O1、O2、OP、TO:开口
PL:平坦层
SB:基板
TA1:第一透明区
TA2:第二透明区
TA3:第三透明区
TH：通孔
具体实施方式
以下将以图式揭露本发明的多个实施方式，为明确说明，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解的是，这些实务上的细节不应用被以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些现有的结构与元件在图式中将省略或以简单示意的方式为之。
在整个说明书中，相同的附图标记表示相同或类似的元件。在附图中，为了清楚起见，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为“在另一元件上”或“连接另一元件”时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者所述元件与所述另一元件中间可以也存在其他元件。相反，当元件被称为“直接在另一元件上”或“直接连接另一元件”时，所述元件与所述另一元件中间不存在其他元件。如本文所使用的，“连接”可以指物理及/或电性连接。再者，二元件互相“电性连接”或“耦合”可为二元件间存在其它元件。
应当理解，尽管术语“第一”与“第二”等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层及/或部分，但是这些元件、部件、区域、及/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。
图1A是依照本发明的一实施例的一种第一子像素的剖面示意图。图1B是图1A的第一子像素的上视示意图。
请参考图1A与图1B，第一子像素10具有第一透明区TA1以及第一非透明区NTA1。在一些实施例中，第一透明区TA1中未设置金属导线等不透光的元件，且金属导线等不透光的元件设置于第一非透明区NTA1。
第一子像素10包括开关元件100、介电层110、有机发光二极管120以及封装层130。在本实施例中，第一子像素10还包括像素定义层140以及间隙物(Spacer)150。
开关元件100位于基板SB上，且位于第一非透明区NTA1中。在一些实施例中，开关元件100为薄膜晶体管，且包括栅极、源极、漏极以及半导体通道层。栅极电性连接至扫描线，且源极电性连接至数据线。在一些实施例中，基板SB可以是硬质基板。基板SB例如是但不限于玻璃基板或蓝宝石基板或其它合适的基板材料(例如：石英、不透光/反射材料(例如：导电材料、金属、晶圆、陶瓷或其它可适用的材料)、上述至少二种的组合或是其它可适用的材料)。在一些实施例中，基板SB可以是可挠性基板，举例而言，基板SB的材料包括聚酰胺(Polyamide，PA)聚亚酰胺(Polyimide，PI)、聚甲基丙烯酸甲酯(Poly(methylmethacrylate)，PMMA)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate，PEN)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、玻璃纤维强化塑胶(fiber reinforcedplastics，FRP)、聚醚醚酮(polyetheretherketone，PEEK)、环氧树脂或其它合适的材料或前述至少二种的组合，但不限于此。
介电层110位于开关元件100上。介电层110为单层或多层结构。在本实施例中，介电层110包括钝化层112以及层间介电层114，其中层间介电层114位于钝化层112与基板SB之间。在一些实施例中，钝化层112与层间介电层114的材料包括无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合适的材料、或上述至少二种材料的堆叠层)、有机材料(例如：聚酯类、聚烯类、聚丙酰类、聚碳酸酯类、聚环氧烷类、聚苯烯类、聚醚类、聚酮类、聚醇类、聚醛类或其它合适的材料或上述的组合)或其它合适的材料或上述的组合。
有机发光二极管120位于介电层110上，且电性连接至开关元件100。有机发光二极管120包括第一电极122、有机发光层124以及第二电极126。第一电极122位于介电层110上，且电性连接至开关元件100。在本实施例中，第一电极122通过通孔TH而电性连接至开关元件100的漏极。通孔TH例如贯穿钝化层112以及层间介电层114。在本实施例中，第一电极122以及通孔TH位于第一非透明区NTA1中。
有机发光层124位于第一电极122上。在本实施例中，像素定义层140位于介电层110上，并暴露出第一电极122。有机发光层124设置于像素定义层140的开口O1中，并与第一电极122接触。在本实施例中，有机发光层124自第一非透明区NTA1延伸至第一透明区TA1，但本发明不以此为限。
在一些实施例中，形成有机发光层124的方法包括喷墨打印制程(Ink-jetprinting，IJP)、蒸镀或其他合适的方法。在本实施例中，有机发光层124同时设置于第一非透明区NTA1以及第一透明区TA1，相较于仅将有机发光层124设置于第一非透明区NTA1能有更高的制程裕度。
第二电极126位于有机发光层124上。在本实施例中，第二电极126设置于像素定义层140的开口O1中，并与有机发光层124接触。在本实施例中，第二电极126的材料包括透明导电材料。在本实施例中，第二电极126自第一非透明区NTA1延伸至第一透明区TA1，但本发明不以此为限。
在一些实施例中，间隔件150设置于像素定义层140上，且第二电极126以及有机发光层124设置于间隔件150的开口OP中。间隔件150的开口OP重叠于像素定义层140的开口O1。在一些实施例中，间隔件150可以为黑色矩阵(Black matrix)。
平坦层PL覆盖有机发光二极管120，且设置于像素定义层140的开口O1中以及间隔件150的开口OP中。
封装层130位于有机发光二极管120上。在本实施例中，封装层130位于平坦层PL上，且封装层130位于间隔件150的开口OP中。封装层130位于第一透明区TA1中以及第一非透明区NTA1中。封装层130的折射率随着远离有机发光二极管120而减小。在本实施例中，封装层130为多层结构，且包括依序堆叠的第一绝缘层131、第二绝缘层132以及第三绝缘层133。第一绝缘层131相较于第三绝缘层133更靠近有机发光二极管120。第三绝缘层133的折射率N3小于第二绝缘层132的折射率N2。第二绝缘层132的折射率N2小于第一绝缘层131的折射率N1。在一些实施例中，平坦层PL的折射率小于第一绝缘层131的折射率N1。
在本实施例中，封装层130包括三层，但本发明不以此为限。封装层130的层数可以依照实际需求而进行调整，藉由调整封装层130的层数可以改变子像素的穿透率。在一些实施例中，封装层130可以为三层以上的结构。
有机发光二极管120在第一电极122、有机发光层124以及第二电极126重叠的部分会发出光线L，由于封装层130的折射率随着远离有机发光二极管120而减小，有机发光二极管120所发出的光线L可以从第一非透明区NTA1折射至第一透明区TA1。因此，可以增加第一子像素10的发光效率。
覆盖层CL位于封装层130上，且覆盖层CL位于第一透明区TA1中以及第一非透明区NTA1中。在一些实施例中，封装层130的折射率小于覆盖层CL的折射率N1。覆盖层CL的表面设置有多个微结构M。微结构M位于第一透明区TA1以及第一非透明区NTA1中的至少一者中。在本实施例中，第一透明区TA1以及第一非透明区NTA1中皆设置有微结构M，但本发明不以此为限。在其他实施例中，微结构M仅位于第一透明区TA1以及第一非透明区NTA1中的其中一者中。
在一些实施例中，有机发光二极管120所发出的光线L会从覆盖层CL具有微结构M的位置离开覆盖层CL。在一些实施例中，光线L较难从覆盖层CL未设置微结构M的位置离开覆盖层CL。举例来说，在未设置覆盖层CL未设置微结构M的位置，光线L于覆盖层CL的表面全反射。藉由调整微结构M的密度(数量/单位面积)，可以控制穿透覆盖层CL的光线L的多寡。
在本实施例中，微结构M约为半径100nm至400nm的弧形结构，且微结构M的高度H1约为90nm至270nm。
在本实施例中，第一透明区TA1中的微结构M的密度(数量/单位面积)约等于位于第一非透明区NTA1中的微结构M的密度，但本发明不以此为限。在其他实施例中，第一透明区TA1中的微结构M的密度(数量/单位面积)小于位于第一非透明区NTA1中的微结构M的密度，使第一透明区TA1具有较佳的穿透效果。在其他实施例中，第一透明区TA1中的微结构M的密度(数量/单位面积)大于位于第一非透明区NTA1中的微结构M的密度，使子像素10具有较佳的显示效果。在一些实施例中，可以依照第一子像素10在发光装置中的位置而调整微结构M的密度。
在一些实施例中，平坦层PL、第二绝缘层132以及覆盖层CL的材料包括无机材料，且形成平坦层PL、第二绝缘层132以及覆盖层CL的方法例如为化学气相沉积(Chemicalvapor deposition，CVD)。在一些实施例中，第一绝缘层131以及第三绝缘层133的材料包括有机材料，且形成第一绝缘层131以及第三绝缘层133的方法例如为涂布、涂布、喷墨印刷或其他合适的制程。
图2是依照本发明的一实施例的一种发光装置的上视示意图。在此必须说明的是，图2的实施例沿用图1A和图1B的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
请参考图2，在本实施例中，发光装置1包括基板SB、第一子像素10、第二子像素20以及第三子像素30。在本实施例中，发光装置1的显示区包括第一区A1、第二区A2以及第三区A3。第一子像素10、第二子像素20以及第三子像素30分别位于第一区A1、第二区A2以及第三区A3中。
第一子像素10、第二子像素20以及第三子像素30具有类似的结构，差异仅在于透明区与非透明区的大小。第一子像素10的第一透明区TA1的面积大于第二子像素20的第二透明区TA2的面积，第二子像素20的第二透明区TA2的面积大于第三子像素30的第三透明区TA3的面积。第一子像素10的非第一透明区NTA1的面积小于第二子像素20的第二非透明区NTA2的面积，第二子像素20的第二非透明区NTA2的面积小于第三子像素30的第三非透明区NTA3的面积。
基于上述，发光装置1的第一区A1、第二区A2以及第三区A3可以分别有不同的穿透率。在本实施例中，第一区A1的穿透率大于第二区A2的穿透率，且第二区A2的穿透率大于第三区A3的穿透率。
图3是依照本发明的一实施例的一种第一子像素的剖面示意图。在此必须说明的是，图3的实施例沿用图1A和图1B的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
请参考图3，像素定义层140包括开口O1以及开口O2。开口O1重叠于第一非透明区NTA1，且开口O2重叠于第一透明区。间隔件150的开口OP重叠于开口O1以及开口O2。
有机发光二极管120的第一电极122以及有机发光层124位于开口O1中。有机发光二极管120的第二电极126从开口O1延伸至开口O2。
图4是依照本发明的一实施例的一种第一子像素的剖面示意图。在此必须说明的是，图4的实施例沿用图3的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
请参考图4，封装层130包括依序堆叠的第一绝缘层131、第二绝缘层132、第三绝缘层133、第四绝缘层134、第五绝缘层135以及第六绝缘层156。在本实施例中，平坦层PL的顶面并非平整表面(例如为向下凹陷的表面)，依序共形地形成第一绝缘层131、第二绝缘层132、第三绝缘层133、第四绝缘层134、第五绝缘层135以及第六绝缘层156可以减轻结构顶面的凹陷程度，藉此使覆盖层CL能够形成于相对平整的表面上。
图5是依照本发明的一实施例的一种第一子像素的剖面示意图。在此必须说明的是，图5的实施例沿用图4的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
请参考图5，介电层110包括钝化层112以及层间介电层114，且钝化层112以及层间介电层114具有位于第一透明区TA1中的开口TO。在本实施例中，开口TO贯穿钝化层112以及层间介电层114。介电层110的开口TO重叠于像素定义层140的开口O2。
在本实施例中，有机发光二极管120的第二电极126以及有机发光层124位设置于开口O1中，但本发明不以此为限。在其他实施例中，第二电极126以及有机发光层124从开口O1延伸至开口O2以及开口TO中。
基于上述，藉由开口TO的设置，可以提升第一透明区TA1的穿透率。
图6是依照本发明的一实施例的一种第一子像素的剖面示意图。在此必须说明的是，图6的实施例沿用图1A与图1B的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
请参考图6，封装层130包括依序堆叠的第一绝缘层131、第二绝缘层132、第三绝缘层133、第四绝缘层134、第五绝缘层135以及第六绝缘层156。在本实施例中，平坦层PL的顶面并非平整表面(例如为向下凹陷的表面)，依序共形地形成第一绝缘层131、第二绝缘层132、第三绝缘层133、第四绝缘层134、第五绝缘层135以及第六绝缘层156可以减轻结构顶面的凹陷程度，藉此使覆盖层CL能够形成于相对平整的表面上。
介电层110包括钝化层112以及层间介电层114，且钝化层112以及层间介电层114具有位于第一透明区TA1中的开口TO。在本实施例中，开口TO贯穿钝化层112以及层间介电层114。介电层110的开口TO重叠于像素定义层140的开口O1。
在本实施例中，有机发光二极管120的有机发光层124从开口O1延伸至开口TO中。
图7是依照本发明的一实施例的一种第一子像素的剖面示意图。在此必须说明的是，图7的实施例沿用图1A与图1B的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
请参考图7，覆盖层CL的微结构M包括多边形。举例来说，微结构M包括矩形。藉由调整微结构M的密度(数量/单位面积)，可以控制穿透覆盖层CL的光线L的多寡。
图8是依照本发明的一实施例的一种第一子像素的剖面示意图。在此必须说明的是，图8的实施例沿用图1A与图1B的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
请参考图8，覆盖层CL的微结构M包括多边形。举例来说，微结构M包括三角形。藉由调整微结构M的密度(数量/单位面积)，可以控制穿透覆盖层CL的光线L的多寡。
图9是依照本发明的一实施例的一种第一子像素的剖面示意图。在此必须说明的是，图9的实施例沿用图6的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
请参考图9，在本实施例中，形成有机发光层124的方法包括喷墨打印制程。举例来说，先于像素定义层140的开口O1中以及介电层110的开口TO中形成墨滴，接着再干燥墨滴以形成有机发光层124。在一些实施例中，重复数次滴入墨滴以及干燥墨滴的步骤，藉此增加有机发光层124的厚度。举例来说，滴入墨滴后干燥墨滴以形成第一层干膜，接着于第一层干膜上滴入墨滴后干燥墨滴以形成第二层干膜，以类似的方法形成多层干膜以构成具有预定厚度的有机发光层124。
在本实施例中，像素定义层140的开口O1重叠于第一透明区TA1以及第一非透明区NTA1。第一透明区TA1以及第一非透明区NTA1之间未设置像素定义层140。基于上述，可以增加开口O1的容纳空间，藉此能增加墨滴的喷涂滴数，使有机发光层124的制程裕度得以提升。此外，由于墨滴的量增加，可以降低干燥制程导致Mura的机率。
在本实施例中，墨滴除了会形成于开口O1中以外，还会形成于开口TO中。介电层110的开口TO可以进一步增加墨滴的喷涂滴数。在本实施例中，开口TO的底部的宽度小于开口TO的顶部的宽度。钝化层112中的开口TO的宽度随着越靠近基板SB而减少，且层间介电层114中的开口TO的宽度随着越靠近基板SB而减少。
在本实施例中，有机发光层124会堆积于开口TO的角落，因此，在开口TO的底面上，有机发光层124的厚度随着越靠近开口TO的侧壁而增加。
在本实施例中，有机发光二极管120的第二电极126从第一非透明区NTA1延伸至第一透明区TA1，并填入开口TO，但本发明不以此为限。在其他实施例中，第二电极126不填入开口TO。
图10是依照本发明的一实施例的一种第一子像素的剖面示意图。在此必须说明的是，图10的实施例沿用图9的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
请参考图10，在本实施例中，介电层110的开口TO的底部的侧壁具有凹槽C，且有机发光层124填入凹槽C中。在本实施例中，凹槽C位于层间介电层114中。在一些实施例中，开口TO以及凹槽C是藉由过蚀刻或多次蚀刻所形成。凹槽C可以用于容纳墨滴，藉此能增加墨滴的喷涂滴数，使有机发光层124的制程裕度得以提升。在一些实施例中，凹槽C环绕开口TO的底部。
图11是依照本发明的一实施例的一种第一子像素的剖面示意图。在此必须说明的是，图11的实施例沿用图9的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
请参考图11，在本实施例中，开口TO的底部的宽度大于开口TO的顶部的宽度。钝化层112中的开口TO的宽度随着越靠近基板SB而增加，且层间介电层114中的开口TO的宽度随着越靠近基板SB而增加。相较于图9的实施例，本实施例的有机发光层124比较不容易堆积于开口TO的角落，藉此能改善堆积的有机发光层124对穿透率造成的负面影响。
在本实施例中，在形成有机发光二极管120的第二电极126时，会同时于开口TO中沉积导电材料126a。由于开口TO的底部的宽度大于开口TO的顶部的宽度，前述制程中所形成的导电材料126a不容易沉积于开口TO的侧壁上，使开口TO中的导电材料126a与第二电极126彼此分离。在其他实施例中，形成第二电极126时不会于开口TO中沉积导电材料126a。
图12是依照本发明的一实施例的一种第一子像素的剖面示意图。在此必须说明的是，图12的实施例沿用图11的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
请参考图12，在本实施例中，介电层110的开口TO的底部的侧壁具有凹槽C，且有机发光层124填入凹槽C中。在本实施例中，凹槽C位于层间介电层114中。在一些实施例中，开口TO以及凹槽C是藉由过蚀刻或多次蚀刻所形成。凹槽C可以用于容纳墨滴，藉此能增加墨滴的喷涂滴数，使有机发光层124的制程裕度得以提升。在一些实施例中，凹槽C环绕开口TO的底部。
图13A是依照本发明的一实施例的一种第一子像素的剖面示意图。图13B是图13A的第一子像素的上视示意图。在此必须说明的是，图13A的实施例沿用图10的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
请参考图13A与图13B，介电层110包括钝化层112以及层间介电层114。钝化层112以及层间介电层114具有位于第一透明区TA1中的开口TO。钝化层112的侧壁上具有相连于开口TO的导流孔DH。在本实施例中，导流孔DH从第一透明区TA1延伸至第一非透明区NTA1，并重叠于第一非透明区NTA1。导流孔DH例如设置于钝化层112中。
在本实施例中，至少部分有机发光层124位于开口TO以及导流孔DH中。导流孔DH可以用于容纳墨滴，藉此能增加墨滴的喷涂滴数，使有机发光层124的制程裕度得以提升。
在一些实施例中，每个子像素的导流孔DH不会与相邻的其他子像素的导流孔DH相连。
多个支撑结构ST设置于导流孔DH中，且有机发光二极管120的第一电极122通过贯穿支撑结构ST的通孔TH而电性连接至开关元件T。
在本实施例中，钝化层112中的开口TO的宽度随着越靠近基板SB而减少，但本发明不以此为限。在其他实施例中，钝化层112中的开口TO的宽度随着越靠近基板SB而增加。
图14是依照本发明的一实施例的一种第一子像素的剖面示意图。在此必须说明的是，图14的实施例沿用图13A的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
请参考图14，钝化层112中的开口TO的宽度随着越靠近基板SB而增加。导流孔DH例如设置于钝化层112中。导流孔DH在靠近开口TO的部分具有斜率。举例来说，导流孔DH在靠近开口TO的部分的底面具有倾角θ，倾角θ约为5度～60度。在一些实施例中，倾角θ对应的斜率可被定义为第一非透明区NTA1的长度除上导流孔DH最深处与导流孔DH最浅处之间的差值。
藉由倾角θ的设置，在形成有机发光层124时，墨滴可以更容易的流入导流孔DH中。
在本实施例中，钝化层112中的开口TO的宽度随着越靠近基板SB而增加，但本发明不以此为限。在其他实施例中，钝化层112中的开口TO的宽度随着越靠近基板SB而减少。
图15是依照本发明的一实施例的一种像素的上视示意图。
请参考图15，在本实施例中，像素PX中可以包括透明区大小不同的第一子像素10、第二子像素20以及第三子像素30。举例来说，第一子像素10、第二子像素20以及第三子像素30分别为红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素，其中红色子像素的第一透明区TA1的面积大于绿色子像素的第二透明区TA2的面积，且绿色子像素的第二透明区TA2的面积大于蓝色子像素的第三透明区TA3的面积，其中红色子像素的第一非透明区NTA1的面积小于绿色子像素的第二非透明区NTA2的面积，且绿色子像素的第二非透明区NTA2的面积小于蓝色子像素的第三非透明区NTA3的面积。
在本实施例中，第一子像素10、第二子像素20以及第三子像素30具有类似的结构，差异仅在于透明区与非透明区的大小。第一子像素10、第二子像素20以及第三子像素30的结构可以类似于前述任一实施例中的子像素的结构。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明做出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (9)
1. 一种发光装置，其特征在于，包括：
一基板；以及
一第一子像素，该第一子像素具有一第一透明区以及一第一非透明区，且包括：
一开关元件，位于该基板上，且位于该第一非透明区中；
一介电层，位于该开关元件上；
一有机发光二极管，位于该介电层上，且电性连接至该开关元件；以及
一封装层，位于该有机发光二极管上，且位于该第一透明区中以及该第一非透明区中，其中该封装层包括依序堆叠的一第一绝缘层、一第二绝缘层以及一第三绝缘层，其中该第一绝缘层相较于该第三绝缘层更靠近该有机发光二极管，且该第三绝缘层的折射率小于该第二绝缘层的折射率，且该第二绝缘层的折射率小于该第一绝缘层的折射率；
其中，该介电层包括一钝化层以及一层间介电层，且该钝化层以及该层间介电层具有位于该第一透明区中的一开口，其中该钝化层的侧壁上具有相连于该开口的一导流孔，该导流孔重叠于该第一非透明区；其中，该有机发光二极管包括：
一第一电极，电性连接至该开关元件；
一有机发光层，位于该第一电极上，且至少部分该有机发光层位于该开口以及该导流孔中；以及
一第二电极，位于该有机发光层上。
2.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，更包括：
一覆盖层，位于该封装层上，且位于该第一透明区中以及该第一非透明区中，其中该覆盖层的表面设置有多个微结构，该些微结构位于该第一透明区以及该第一非透明区中的至少一者中。
3.如权利要求2所述的发光装置，其特征在于，该位于该第一透明区中的该些微结构的密度小于位于该第一非透明区中的该些微结构的密度。
4.如权利要求2所述的发光装置，其特征在于，该位于该第一透明区中的该些微结构的密度大于位于该第一非透明区中的该些微结构的密度。
5.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，更包括：
多个支撑结构，设置于该导流孔中，且该第一电极通过贯穿该支撑结构的通孔而电性连接至该开关元件。
6.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该开口的底部的宽度大于该开口的顶部的宽度。
7.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该开口的底部的宽度小于该开口的顶部的宽度。
8.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该开口的底部的侧壁具有凹槽。
9.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，更包括一第二子像素，该第二子像素具有一第二透明区以及一第二非透明区，其中该第一透明区的面积大于该第二透明区的面积。
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| CN109285866A (zh) * | 2018-09-21 | 2019-01-29 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板、显示面板的制造方法和显示装置 |
| CN109585663A (zh) * | 2017-09-29 | 2019-04-05 | 上海和辉光电有限公司 | 一种制备oled器件的方法和oled器件 |
| CN110323353A (zh) * | 2019-04-24 | 2019-10-11 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | Oled显示面板及显示装置 |
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| KR20160053001A (ko) * | 2014-10-30 | 2016-05-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 투명 표시 기판, 투명 표시 장치 및 투명 표시 장치의 제조 방법 |
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101630710A (zh) * | 2008-07-18 | 2010-01-20 | 富准精密工业(深圳)有限公司 | 发光二极管 |
| CN109585663A (zh) * | 2017-09-29 | 2019-04-05 | 上海和辉光电有限公司 | 一种制备oled器件的方法和oled器件 |
| CN109285866A (zh) * | 2018-09-21 | 2019-01-29 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板、显示面板的制造方法和显示装置 |
| CN110323353A (zh) * | 2019-04-24 | 2019-10-11 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | Oled显示面板及显示装置 |
| CN110459692A (zh) * | 2019-07-19 | 2019-11-15 | 合肥京东方车载显示技术有限公司 | 一种显示面板、显示面板的制作方法及显示装置 |
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