CN112531000A - 一种oled显示面板及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种OLED显示面板及其制造方法,本发明利用牺牲层在像素限定结构中预先占据位置,然后进行去除该牺牲层的结构以得到在像素限定结构中的气隙,该气隙可以防止显示面板在弯曲时有机发光层和阳极层的分层和剥离。
Description
技术领域
本发明涉及发光显示技术领域,具体涉及一种OLED显示面板及其制造方法。
背景技术
对于有机显示面板而言,为了满足不同终端的结构,例如头戴结构、移动电话等,往往需要将显示面板做为柔性的,即具有可弯曲的性能。由于有机发光层由像素限定层限定,即有机发光层紧贴该像素限定层,在弯曲时,在所述像素限定层与有机发光层之间会产生较大的弯曲力,导致分层和有机发光层的玻璃,进一步的,也会影响在有机发光层至少的阳极层的电连接质量。
发明内容
基于解决上述问题,本发明提供了一种OLED显示面板,其包括:
基板;
多个层间绝缘层,设置于所述基板上;
多个TFT元件,设置于所述基板中;
平坦层,设置于所述多个层间绝缘层上;
阴极层,设置于所述平坦层上;
像素限定结构,设置于所述平坦层上,所述像素限定结构中具有多个像素腔,所述多个像素腔露出所述阴极层;
有机发光层,形成于所述多个像素腔内且位于所述阴极层之上;
阳极层,形成于所述多个像素腔内且位于所述有机发光层之上;
其中,所述像素限定结构中具有位于所述多个像素腔之间的气隙。
进一步,所述像素限定结构包括像素限定层、间隔层和所述气隙,所述像素限定层包括远离所述基板的顶面和围绕所述多个像素腔的侧面,所述间隔层介于所述侧面与所述有机发光层和阳极层之间。
进一步,所述气隙介于所述间隔层与所述侧面之间,所述气隙的底部露出所述阴极层。
进一步,所述像素限定结构包括像素限定层和所述气隙,所述像素限定层包括远离所述基板的顶面和围绕所述多个像素腔的侧面。
进一步,所述气隙位于所述像素限定层中,且所述气隙露出所述平坦层。
本发明还提供了一种OLED显示面板的制造方法,其包括:
(1)提供一基板;
(2)在所述基板上形成多个层间绝缘层,所述多个层间绝缘层中包括多个TFT元件;
(3)在所述多个层间绝缘层上形成平坦层;
(4)在所述平坦层上形成阴极层;
(5)在所述平坦层上形成像素限定结构,所述像素限定结构中具有多个像素腔,所述多个像素腔露出所述阴极层;
(6)在所述多个像素腔中的阴极层上依次形成有机发光层和阳极层;
其中,所述像素限定结构中具有位于所述多个像素腔之间的气隙。
进一步,形成所述像素限定结构具体包括:
在所述平坦层上形成像素限定层,所述像素限定层中具有所述多个像素腔,所述像素限定层包括远离所述基板的顶面和围绕所述多个像素腔的侧面;
在所述侧面形成牺牲层;
在所述顶面和所述牺牲层上覆盖间隔层;
在所述多个像素腔中依次形成有机发光层和阳极层,所述有机发光层和阳极层的侧表面接触所述间隔层;
去除所述牺牲层,以在所述间隔层与所述侧面之间形成所述气隙,所述气隙的底部露出所述阴极层。
进一步,形成所述像素限定结构具体包括:
在所述平坦层上形成牺牲层;
在所述牺牲层上覆盖像素限定层,所述像素限定层中具有所述多个像素腔,所述像素限定层包括远离所述基板的顶面和围绕所述多个像素腔的侧面;
去除所述牺牲层,以在所述像素限定层中形成所述气隙,所述气隙的底部露出所述平坦层。
进一步,所述牺牲层为热分解材料,所述像素限定层为氮化硅或氧化硅等无机材料。
进一步,所述牺牲层为光阻剂材料,所述像素限定层为聚合物材料或者氮化硅、氧化硅等材料。
本发明利用牺牲层在像素限定结构中预先占据位置,然后进行去除该牺牲层的结构以得到在像素限定结构中的气隙,该气隙可以防止显示面板在弯曲时有机发光层和阳极层的分层和剥离。
附图说明
图1为第一实施例的显示面板的剖视图;
图2-7为第一实施例的显示面板的制造过程示意图;
图8为第二实施例的显示面板的剖视图;
图9-13为第二实施例的显示面板的制造过程示意图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例的附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
第一实施例
参照图1,本发明的OLED显示面板包括基板10。该基板10可以由具有柔性的任意合适的绝缘材料形成。例如,可以由聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、多芳基化合物(PAR)或玻璃纤维增强塑料(FRP)等聚合物材料形成。
基板10上包括多个层间绝缘层11,例如包括缓冲层、栅极绝缘层、介质层等,在该多个层间绝缘层中具有控制多个像素的多个TFT元件12。在所述多个层间绝缘层11上具有平坦层13,该平坦层13用于得到较平整的上表面,该平坦层13中具有通孔结构电连接至所述多个TFT元件12。
并且,多个像素分别包括与TFT元件12的源极或漏极电连接的阴极层14、在阴极层14上的有机发光层20和在有机发光层20上的阳极层21。阴极层14形成在所述平坦层13上,且通过平坦层13中的通孔电连接至所述多个TFT元件12。
其中,所述阳极层21为透明电极,可以为诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)等的金属氧化物。可选的,所述阴极层14的材质可以是铜(Cu)、银(Ag)、铝(Al)等的金属,也可以为诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)等的金属氧化物,或者还可以为诸如氟化铝/锂(Al/LiF)、铝锂(AlLi)等的合金,本发明对此不作限制。
在所述平坦层13上具有像素限定结构,所述像素限定结构包括像素限定层15、间隔层18和气隙19。所述像素限定层15的截面呈等腰梯形形状,且其具有远离基板10的顶面17和围绕多个像素腔的侧面16。所述气隙19位于所述间隔层18和所述侧面之间,以此使得在弯曲时该气隙可以释放压力,并保证有机发光层20的完整性,该间隔层18可以支撑该有机发光层20和阳极层21。
在本实施例中,像素限定层15应当是合适的材料,其与形成气隙19的牺牲层31(参见图4)的材料相匹配。例如,牺牲层31的材料可以是光阻剂材料,其需要通过刻蚀液蚀刻去除,则相应的,像素限定层15和间隔层18的材质不能被该蚀刻液蚀刻,例如可以是聚合物材料或者氮化硅、氧化硅等材料;牺牲层31的材料可以是热分解材料,该热分解材料是本领域通用的受热分解聚合物材料,在此不再例举,则相应的,像素限定层15和间隔层18的材料的熔点较高,例如可以是氮化硅或氧化硅等无机材料。
从图1中可以看出,气隙19仅形成在像素限定层15的侧面16,而间隔层18则延伸至所述像素限定层15的顶面17。且该间隔层18应当是绝缘材质,其材料可以与像素限定层15的材料相同或不同。
像素限定结构限定出多个像素腔,多个像素形成于该多个像素腔内,具体的,多个像素腔的底部露出所述阴极层14,有机发光层20和阳极层21依次形成在所述多个像素腔内,且所述有机发光层20位于所述阴极层14之上,其具有与所述间隔层18接触的侧面,以此使得该有机发光层20抵靠在所述间隔层18上。而阳极层21覆盖所述有机发光层20,其从有机发光层20的位置延伸至所述像素限定层15的顶面之上,并且,为了保护阳极层,防止显示面板弯曲时的分层问题,该阳极层21的最低位置应当在所述像素限定层15的顶面17,以此使得阳极层21的一部分沿着所述间隔层18爬升。
本实施例设置在像素限定结构中的气隙19,该气隙19由阴极层14、像素限定层15和间隔层18围成,其可以防止显示面板在弯曲时有机发光层20和阳极层21的分层和剥离。
本实施例的显示面板的制造方法也是付出了创造性劳动的,具体可以参见图2-7。
首先,参见图2,提供一基板10,并在所述基板10上形成多个层间绝缘层11,所述多个层间绝缘层11中包括多个TFT元件12。
然后,在所述多个层间绝缘层11上形成平坦层13,并在所述平坦层13上形成阴极层14。
参见图3,在所述平坦层13上形成像素限定层15,所述像素限定层15中具有所述多个像素腔30,所述像素限定层15包括远离所述基板的顶面17和围绕所述多个像素腔30的侧面16。
然后参见图4,在像素限定层15的所述侧面16上形成牺牲层31。其可以通过整面涂覆然后图案化的形式形成。该牺牲层31可以是光阻剂材料或热分解材料。
参见图5,在像素限定层15的所述顶面17和所述牺牲层31上覆盖间隔层18。
参见图6,在所述多个像素腔30中依次形成有机发光层20和阳极层21,所述有机发光层20和阳极层21的侧表面接触所述间隔层18。
参见图7,去除所述牺牲层31,以在所述间隔层18与所述侧面16之间形成所述气隙19,所述气隙19的底部露出所述阴极层14。该去除步骤可以包括两种方式:其一是当牺牲层为光阻剂材料时,需要在间隔层18的上面形成露出牺牲层31的通孔以实现蚀刻液进入蚀刻;其二是当牺牲层31为热分解材料时,需要进行加热将牺牲层31分解去除。
第二实施例
该实施例的具体结构参见图8,其结构基本与第一实施例(参见图1)的结构相同,区别主要在于像素限定结构的不同。
在本实施例中,像素限定结构包括像素限定层40以及在像素限定层40中的气隙41。该气隙41大致形成在相邻像素腔30之间的中心位置,且呈大致的梯形形状。该气隙41可以设计的比第一实施例的口径(截面面积)更大,以此来缓冲弯曲应力。
同样的,有机发光层20位于阴极层14之上,其具有与像素限定层40接触的侧面,以此使得该有机发光层20抵靠在所述像素限定层40上。而阳极层21覆盖所述有机发光层20,其从有机发光层20的位置延伸至所述像素限定层15的顶面之上,并且,为了保护阳极层21,防止显示面板弯曲时的分层问题,该阳极层21的最低位置应当在所述像素限定层40的顶面,以此使得阳极层21的一部分沿着所述像素限定层40爬升。
本实施例的显示面板的制造方法也是付出了创造性劳动的,具体可以参见图9-13。
首先,参见图9,提供一基板10,并在所述基板10上形成多个层间绝缘层11,所述多个层间绝缘层11中包括多个TFT元件12。
然后,在所述多个层间绝缘层11上形成平坦层13,并在所述平坦层13上形成阴极层14。
参见图10,在所述平坦层13上形成牺牲层42,该牺牲层42在俯视观察时应当是网格状的,且截面图为梯形形状。该牺牲层42可以是光阻剂材料或热分解材料。
参见图11,在所述平坦层13上形成像素限定层40,所述像素限定层40中具有所述多个像素腔43,所述像素限定层40覆盖所述牺牲层42。
然后参见图12,去除所述牺牲层42,以在所述像素限定层40形成所述气隙41,所述气隙41的底部露出所述平坦层13。该去除步骤可以包括两种方式:其一是当牺牲层42为光阻剂材料时,需要在像素限定层40的上表面形成露出牺牲层42的通孔以实现蚀刻液进入蚀刻;其二是当牺牲层42为热分解材料时,需要进行加热将牺牲层42分解去除。
参见图13,在所述多个像素腔43中依次形成有机发光层20和阳极层21,所述有机发光层20和阳极层21的侧表面接触所述像素限定层40的侧面。
第二实施例是先形成气隙结构,然后再形成有机发光层20和阳极层21,而第一实施例则刚好相反,这是由于第一实施例的间隔层18需要双侧的依靠,防止其塌陷,而第二实施例不需要考虑此问题。
本发明还提供了一种显示屏,其包括上述的显示面板。
本发明中使用的表述“示例性实施例”、“示例”等不是指同一实施例,而是被提供来着重描述不同的特定特征。然而,上述示例和示例性实施例不排除他们与其他示例的特征相组合来实现。例如,即使在另一示例中未提供特定示例的描述的情况下,除非另有陈述或与其他示例中的描述相反,否则该描述可被理解为与另一示例相关的解释。
本发明中使用的术语仅用于示出示例,而无意限制本发明。除非上下文中另外清楚地指明,否则单数表述包括复数表述。
虽然以上示出并描述了示例实施例,但对本领域技术人员将明显的是,在不脱离由权利要求限定的本发明的范围的情况下,可做出变型和改变。
Claims (10)
1.一种OLED显示面板,其包括:
基板;
多个层间绝缘层,设置于所述基板上;
多个TFT元件,设置于所述基板中;
平坦层,设置于所述多个层间绝缘层上;
阴极层,设置于所述平坦层上;
像素限定结构,设置于所述平坦层上,所述像素限定结构中具有多个像素腔,所述多个像素腔露出所述阴极层;
有机发光层,形成于所述多个像素腔内且位于所述阴极层之上;
阳极层,形成于所述多个像素腔内且位于所述有机发光层之上;
其中,所述像素限定结构中具有位于所述多个像素腔之间的气隙。
2.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述像素限定结构包括像素限定层、间隔层和所述气隙,所述像素限定层包括远离所述基板的顶面和围绕所述多个像素腔的侧面,所述间隔层介于所述侧面与所述有机发光层和阳极层之间。
3.根据权利要求2所述的OLED显示面板,其特征在于,所述气隙介于所述间隔层与所述侧面之间,所述气隙的底部露出所述阴极层。
4.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述像素限定结构包括像素限定层和所述气隙,所述像素限定层包括远离所述基板的顶面和围绕所述多个像素腔的侧面。
5.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述气隙位于所述像素限定层中,且所述气隙露出所述平坦层。
6.一种OLED显示面板的制造方法,其包括:
(1)提供一基板;
(2)在所述基板上形成多个层间绝缘层,所述多个层间绝缘层中包括多个TFT元件;
(3)在所述多个层间绝缘层上形成平坦层;
(4)在所述平坦层上形成阴极层;
(5)在所述平坦层上形成像素限定结构,所述像素限定结构中具有多个像素腔,所述多个像素腔露出所述阴极层;
(6)在所述多个像素腔中的阴极层上依次形成有机发光层和阳极层;
其中,所述像素限定结构中具有位于所述多个像素腔之间的气隙。
7.根据权利要求6所述的OLED显示面板的制造方法,其特征在于,形成所述像素限定结构具体包括:
在所述平坦层上形成像素限定层,所述像素限定层中具有所述多个像素腔,所述像素限定层包括远离所述基板的顶面和围绕所述多个像素腔的侧面;
在所述侧面形成牺牲层;
在所述顶面和所述牺牲层上覆盖间隔层;
在所述多个像素腔中依次形成有机发光层和阳极层,所述有机发光层和阳极层的侧表面接触所述间隔层;
去除所述牺牲层,以在所述间隔层与所述侧面之间形成所述气隙,所述气隙的底部露出所述阴极层。
8.根据权利要求6所述的OLED显示面板的制造方法,其特征在于,形成所述像素限定结构具体包括:
在所述平坦层上形成牺牲层;
在所述牺牲层上覆盖像素限定层,所述像素限定层中具有所述多个像素腔,所述像素限定层包括远离所述基板的顶面和围绕所述多个像素腔的侧面;
去除所述牺牲层,以在所述像素限定层中形成所述气隙,所述气隙的底部露出所述平坦层。
9.根据权利要求7或8所述的OLED显示面板,其特征在于,所述牺牲层为热分解材料,所述像素限定层为氮化硅或氧化硅等无机材料。
10.根据权利要求7或8所述的OLED显示面板,其特征在于,所述牺牲层为光阻剂材料,所述像素限定层为聚合物材料或者氮化硅、氧化硅等材料。
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TA01 | Transfer of patent application right | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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