CN111883562A

CN111883562A - 显示装置

Info

Publication number: CN111883562A
Application number: CN202010355005.1A
Authority: CN
Inventors: 朴埈亨; 洪钟昊; 朱惠珍
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2019-05-03
Filing date: 2020-04-29
Publication date: 2020-11-03
Also published as: KR20200128309A; US11950444B2; US20200350513A1

Abstract

提供了一种显示装置。所述显示装置包括：第一岛，包括设置在基底上的第一显示元件；第二岛，包括设置在基底上的第二显示元件，并且与第一岛间隔开；多个连接部分，将第一岛连接到第二岛；贯通部分，形成在多个连接部分之间，并且穿透基底；以及封装层，密封第一岛和第二岛，并且包括第一无机封装层和第二无机封装层。第一岛的封装层还包括有机封装层，而第二岛的封装层不包括有机封装层。

Description

显示装置

本申请要求于2019年5月3日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0052382号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。

技术领域

一个或更多个实施例涉及一种显示装置及其制造方法。

背景技术

随着可视化地显示电信号信息的显示装置领域已经发展，已经引入了具有诸如纤薄、轻重量和低耗电量的出色的特性的各种平板显示装置。近来，已经研究和开发了可以改变成各种形式的可折叠的或可卷曲的柔性显示装置以及可拉伸的显示装置。

发明内容

纤薄且柔性的显示装置包括薄膜型封装层，以防止外部湿气或氧的渗透。

当包括堆叠在一起的至少一个有机层和至少一个无机层的薄膜封装层形成在整个显示装置上时，显示装置的可拉伸性可能会降低。仅包括无机层的薄膜封装层具有改善的可拉伸性，但是减少了对包含在显示装置中的灰尘物质的覆盖，并且在封装层的边缘中可能会形成间隙。渗透到在边缘中形成的间隙中的氧和湿气可能会促进显示装置的劣化。

一个或更多个实施例包括一种显示装置及其制造方法，该显示装置包括既可拉伸又是刚性的薄膜封装层。

附加方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过实践所提出的实施例来获知。

根据一个或更多个实施例，一种显示装置包括：第一岛，包括设置在基底上的第一显示元件；第二岛，包括设置在基底上的第二显示元件，其中，第二岛与第一岛间隔开；多个连接部分，将第一岛连接到第二岛；贯通部分，形成在多个连接部分之间，并且穿透基底；以及封装层，密封第一岛和第二岛，其中，封装层包括第一无机封装层和第二无机封装层。第一岛的封装层还包括有机封装层，而第二岛的封装层不包括有机封装层。

有机封装层可以覆盖包括在第一显示元件中的灰尘物质。

第一无机封装层和第二无机封装层还可以设置在多个连接部分上。

第一无机封装层和第二无机封装层可以覆盖贯通部分的侧面。

显示装置还可以包括：布线，设置在多个连接部分中，并且将电信号传输到第一岛和第二岛；以及台阶差补偿层，设置在连接部分的基底和布线之间，其中，台阶差补偿层包括有机材料。

第一岛中的第一无机封装层和第二无机封装层可以在有机封装层的边缘以外彼此接触。

有机封装层可以设置在第一无机封装层和第二无机封装层之间。

第一显示元件和第二显示元件中的每个可以包括像素电极、中间层和对电极，并且像素电极可以位于平坦化层的顶表面上，并且像素限定层可以设置为覆盖像素电极的边缘。

第一无机封装层可以覆盖包含在对电极上的灰尘物质。

显示装置还可以包括：薄膜晶体管，设置在基底和平坦化层之间；下平坦化层，设置在薄膜晶体管与平坦化层之间；以及连接金属，设置在下平坦化层上。

显示装置还可以包括坝部分，所述坝部分设置在第一岛的第一无机封装层上，并且可以围绕有机封装层。

根据一个或更多个实施例，一种制造显示装置的方法包括以下步骤：形成多个岛，其中，多个岛包括设置在基底上且彼此分开的显示元件；用包括第一无机封装层和第二无机封装层的封装层密封多个岛中的每个；检测包含在第一岛中的灰尘物质并在形成第一无机封装层之前或形成第一无机封装层之后记录关于灰尘物质的坐标信息；以及使用已记录的关于灰尘物质的坐标信息在第一岛上形成覆盖灰尘物质的有机封装层。

第一无机封装层和第二无机封装层可以包括无机绝缘层。

可以使用化学气相沉积(CVD)来形成第一无机封装层和第二无机封装层。

可以使用喷墨印刷或三维(3D)印刷来形成有机封装层。

在其中未检测到灰尘物质的岛上不形成有机封装层。

可以使用多个连接部分来将多个岛连接。所述方法还可以包括在多个连接部分之间形成穿透基底的贯通部分。

根据一个或更多个实施例，一种显示装置包括：多个岛，彼此间隔开，其中，每个岛包括设置在基底上的显示元件；多个连接部分，将多个岛互相连接；贯通部分，形成在多个连接部分之间并穿透基底；以及封装层，覆盖多个岛，其中，封装层包括第一无机封装层和第二无机封装层。封装层在包含灰尘物质的岛上包括有机封装层。

有机封装层可以在包含灰尘物质的岛上设置在第一无机封装层和第二无机封装层之间，并且位于包含灰尘物质的岛中的第一无机封装层和第二无机封装层可以在有机封装层的边缘以外彼此接触。

显示装置还可以包括坝部分，所述坝部分设置在包含灰尘物质的岛的第一无机封装层上，并且围绕有机封装层。

通过用于实施本公开的具体实施方式、权利要求和附图，除了上面的描述之外的其他方面、特征和优点将是明显的。

附图说明

图1是根据实施例的显示装置的区域A的放大的平面图。

图2示出了伸展显示装置的基底的一部分之前和伸展显示装置的基底的一部分之后的形状。

图3是图1的第一单元部分的平面图。

图4A是沿图3的线I-I'截取的剖视图。

图4B是沿图3的线I-I'截取的另一剖视图。

图5是沿图3的线II-II'截取的剖视图。

图6是第一单元部分的另一示例的剖视图。

图7是第二单元部分的一部分的剖视图。

图8示意性地示出了根据实施例的制造工艺。

图9示意性地示出了根据另一实施例的制造工艺。

图10是示出了第一单元部分的另一实施例的剖视图。

图11是示出了第一单元部分的另一实施例的剖视图。

图12是示出了根据另一实施例的显示装置的一部分的剖视图。

具体实施方式

现在将详细地参照实施例，实施例的示例在附图中示出，其中同样的附图标记可以始终表示同样的元件。在这方面，本实施例可以具有不同的形式，并且不应当被解释为限于在此阐述的描述。

将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件“上”时，它可以直接或间接地形成在所述另一层、区域或组件上。

为了解释的方便，可以夸大附图中的元件的尺寸。

将理解的是，当层、区域或组件被称为“连接到”另一层、区域或组件时，它可以直接地或间接地连接到所述另一层、区域或组件。

在下文中，将参照附图更具体地描述本公开的实施例。在参照附图的描述中，同样的附图标记可以用于相同的或对应的元件，并且可以省略其冗余的描述。

图1是根据实施例的显示装置的区域A的放大的平面图，并且图2示出了伸展显示装置的基底的一部分之前和伸展显示装置的基底的一部分之后的形状。

参照图1，根据实施例的显示装置10包括其中形成有单元显示部分200的多个岛101以及将多个岛101彼此连接的多个连接部分102。穿透基底100的多个贯通部分V形成在多个连接部分102之间。

根据实施例，基底100包括各种材料。具体地，基底100可以包括玻璃、金属或有机材料。在可选的实施例中，基底100包括柔性材料。例如，基底100包括柔性的、可弯曲的、可折叠的或可卷曲的材料。适合于形成基底100的柔性材料可以是超薄玻璃、金属和塑料中的一种。当基底100包括塑料时，基底100包括聚酰亚胺(PI)。在另一示例中，基底100包括不同类型的塑料。

根据实施例，多个岛101彼此间隔开预定的距离。例如，多个岛101在第一方向X上和与第一方向X交叉的第二方向Y上重复地布置，因此，可以形成平面的格子图案。在示例中，第一方向X与第二方向Y彼此垂直。在另一示例中，第一方向X与第二方向Y形成钝角或锐角。

根据实施例，多个单元显示部分200分别布置在多个岛101内。多个单元显示部分200包括发射可见光的至少一个显示元件。

根据实施例，多个连接部分102将多个岛101彼此连接。例如，如图1中所示，四个连接部分102连接到多个岛101中的每个。连接到一个岛101的四个连接部分102沿不同的方向延伸，从而连接到相邻的岛101。

根据实施例，多个岛101的至少一部分和多个连接部分102的至少一部分包括相同的材料。例如，基底100的形成多个岛101的部分和基底100的形成多个连接部分102的部分包括相同的材料。另外，多个岛101和多个连接部分102一体地形成。

根据实施例，贯通部分V穿透基底100。贯通部分V在多个岛101之间提供了分隔空间，减轻了基底100的重量，并且提高了基底100的柔性。另外，当基底100弯曲或卷曲时贯通部分V改变了形状，因此可以减小基底100的变形期间的应力，并且可以防止基底100的异常变形，这改善了基底100的耐久性。因此，当使用显示装置10时，用户便利性被改善，并且显示装置10可以容易地结合到可穿戴装置中。

根据实施例，通过使用诸如蚀刻的方法去除基底100的一个区域来形成贯通部分V。在另一示例中，当制造基底100时设置贯通部分V。在基底100中形成贯通部分V的工艺的示例不同，并且其制造方法不限于此。为了方便，显示装置10的一部分可以被分成四个单元部分，诸如图1中所示的第一单元部分至第四单元部分U1、U2、U3和U4。

根据实施例，第一单元部分至第四单元部分U1、U2、U3和U4在第一方向X上和第二方向Y上重复地布置。第一单元部分至第四单元部分U1、U2、U3、U4中的每个包括岛101和连接部分102。

根据实施例，连接四个相邻的单元部分(即，第一单元部分至第四单元部件U1、U2、U3和U4)的连接部分102形成围绕贯通部分V的闭合曲线CL。

根据实施例，贯通部分V是通过去除基底100的一个区域而形成的区域，贯通部分V提高了基底100的柔性并减小了当基底100变形时的应力。连接部分102的宽度比岛101的宽度小。

根据实施例，两个相邻的单元部分彼此对称。例如，第一单元部分U1相对于平行于第一方向X的对称轴与第二单元部分U2对称，并且还相对于平行于第二方向Y的对称轴与第四单元部分U4对称。

根据实施例，连接部分102延伸的方向与岛101的连接到该连接部分102的侧面之间的角度θ为锐角。两个相邻岛101的连接到一个连接部分102的侧面和该一个连接部分102的延伸方向形成锐角。因此，岛101可以被密集地布置，连接部分102的长度可以被最小化，并且贯通部分V的面积可以被最大化。另外，如图2中所示，基底100是可拉伸的。

图2示出了显示装置10的基底100的一部分在第一方向X上和第二方向Y上伸展之前和伸展之后的形状。

参照图2，根据实施例，当外力被施加到基底100时，岛101的连接到一个连接部分102的侧面与连接部分102之间的所有角度增大(θ<θ')。因此，贯通部分V的面积增加。因此，岛101之间的距离增加，使得基底100在第一方向X上和第二方向Y上伸展，因此基底100的二维形状或三维形状改变。

根据实施例，连接部分102的宽度比岛101的宽度小。因此，当外力被施加到基底100时，由角度增加引起的形状变化主要发生在连接部分102中，并且即使当基底100伸展时，岛101的形状也不改变。因此，即使当基底100伸展时，岛101中的单元显示部分200也被稳定地保持。因此，显示装置10可以容易地结合到柔性显示装置(诸如可弯曲的显示装置、柔性的显示装置或可拉伸的显示装置)中。

根据实施例，当基底100伸展时，拉伸应力集中在连接部分102的连接部上。因此，连接部分102的连接部包括弯曲表面，以防止连接部分102由于集中在其上的拉伸应力而被撕裂。

图3是图1的第一单元部分U1的平面图，图4A是沿图3的线I-I'截取的第一单元部分U1的剖视图，图4B是沿图3的线I-I'截取的另一第一单元部分U1的剖视图，并且图5是沿图3的线II-II'截取的剖视图。在图3至图5中，第一单元部分U1和发射蓝光的蓝色子像素被用作包含灰尘物质的单元部分和包含灰尘物质的子像素的示例，然而实施例不限于此。单元部分U1至U4中的任意一个以及任意颜色的子像素可以是包含灰尘物质的单元部分或包含灰尘物质的子像素。

参照图3至图5，根据实施例，岛101和连接部分102位于第一单元部分U1中。

根据实施例，密封单元显示部分200的封装层300位于岛101上。连接部分102包括一对第一连接部分102a和一对第二连接部分102b，一对第一连接部分102a位于岛101的相对侧处并沿平行于第一方向X的方向从斜对的对角延伸，一对第二连接部分102b位于岛101的相对侧处并沿平行于第二方向Y的方向从斜对的对角延伸。

根据实施例，单元显示部分200中的每个包括至少一个显示元件。在示例中，该至少一个显示元件是发射红光、蓝光、绿光或白光的至少一个有机发光器件OLED。有机发光器件OLED电连接到薄膜晶体管(TFT)。在当前实施例中，有机发光器件OLED将被描述为显示元件。然而，实施例不限于此。包括在单元显示部分200中的每个中的显示元件可以是各种类型的显示元件中的一种，诸如无机电致发光(EL)器件、量子点发光器件或液晶器件。

在实施例中，单元显示部分200中的每个包括多个子像素。例如，如图3中所示，一个单元显示部分200包括发射红光的子像素R、发射绿光的子像素G和发射蓝光的子像素B。然而，实施例不限于此。单元显示部分200中的每个可以包括多于三个子像素或少于三个子像素。另外，单元显示部分200中的每个可以包括发射一种光的至少一个子像素。

另外，根据实施例，根据包括在有机发光层中的材料的效率，可以以诸如RGB结构、Pentile结构或蜂窝结构的各种布置在单元显示部分200内布置有机发光器件OLED。

参照图4A，根据实施例的显示装置10包括基底100、均包括平坦化层209的多个单元显示部分200以及密封单元显示部分200中的每个的封装层300。单元显示部分200设置在岛101的基底100上，布线W设置在一对第二连接部分102b的基底100上。尽管在图4A中示出了第二连接部分102b，但是第一连接部分102a的结构与第二连接部分102b的结构基本相似。

首先，根据实施例，将描述设置在岛101中的单元显示部分200和密封单元显示部分200的封装层300。

根据实施例，缓冲层201形成在岛101的基底100上，以防止杂质渗透到薄膜晶体管(TFT)的半导体层Act中。缓冲层201包括诸如氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料，并且可以具有包括上述无机绝缘材料的单层或多层结构。

根据实施例，像素电路位于缓冲层201上。像素电路包括至少一个TFT和至少一个存储电容器Cst。

根据实施例，TFT包括半导体层Act、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。在当前实施例中，示出了其中栅电极GE在半导体层Act上方并且在栅电极GE和半导体层Act之间具有栅极绝缘层203的顶栅型TFT。然而，根据另一实施例，TFT是底栅型TFT。

根据实施例，半导体层Act包括多晶硅。可选地，在其他实施例中，半导体层Act包括非晶硅、氧化物半导体或有机半导体。

根据实施例，栅电极GE包括低电阻率金属。另外，栅电极GE包括导电材料，该导电材料包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)中的一种，并且可以具有包括上述材料的多层或单层结构。

根据实施例，位于半导体层Act和栅电极GE之间的栅极绝缘层203包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽或氧化铪的无机绝缘材料。栅极绝缘层203可以具有包括上述材料的单层或多层结构。

根据实施例，源电极SE和漏电极DE包括具有良好导电性的材料。源电极SE和漏电极DE包括诸如Mo、Al、Cu或Ti的导电材料，并且可以具有包括上述材料的多层或单层结构。在实施例中，源电极SE和漏电极DE具有Ti/Al/Ti多层结构。

根据实施例，存储电容器Cst包括彼此叠置的下电极CE1和上电极CE2，并且在下电极CE1和上电极CE2之间具有第一层间绝缘层205。存储电容器Cst与TFT叠置。在这方面，在图4A中，TFT的栅电极GE是存储电容器Cst的下电极CE1。在另一实施例中，存储电容器Cst不与TFT叠置。存储电容器Cst被第二层间绝缘层207覆盖。

根据实施例，第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽或氧化铪的无机绝缘材料。第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207可以具有包括上述材料的单层或多层结构。

根据实施例，包括TFT和存储电容器Cst的像素电路被平坦化层209覆盖。

根据实施例，平坦化层209去除了由TFT引起的台阶差，并且平坦化层209的顶表面被平坦化，从而可以防止由于在底层中的不平坦而在有机发光器件OLED中发生缺陷。

根据实施例，平坦化层209包括诸如通用聚合物(诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或其共混物的有机绝缘材料。在实施例中，平坦化层209包括聚酰亚胺。

在另一实施例中，平坦化层209包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽或氧化铪的无机绝缘材料。

在另一实施例中，平坦化层209具有其中有机绝缘层和无机绝缘层彼此堆叠的结构。图4B是沿图3的线I-I'截取的第一单元部分U1的另一示例的剖视图。参照图4B，平坦化层209包括有机平坦化层209a和位于有机平坦化层209a上的无机平坦化层209b。

根据实施例，执行掩模工艺和显影工艺以形成平坦化层209，从而在施用液化的有机材料以覆盖TFT之后，形成暴露TFT的漏电极DE的通孔VH。以这种方式，通过固化液化的有机材料来形成平坦化层209。因此，平坦化层209的顶表面是基本平坦的。

根据实施例，像素电极221形成在平坦化层209的平坦表面上。像素电极221包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)，氧化铟(In₂O₃)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)的导电材料。在另一实施例中，像素电极221包括金属层，该金属层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)和其复合物中的一种。在另一实施例中，像素电极221还包括位于上述金属层上或下的包括ITO、IZO、氧化锌和氧化铟中的一种的层。

根据实施例，像素限定层211形成在像素电极221和平坦化层209的平坦表面上。像素限定层211包括暴露像素电极221的顶表面的开口并覆盖像素电极221的边缘。因此，像素限定层211限定像素的发射区域。

根据实施例，像素限定层211包括有机绝缘材料。可选地，在其他实施例中，像素限定层211包括诸如氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiON)或氧化硅(SiO_x)的无机绝缘材料。可选地，在又一些实施例中，像素限定层211包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。

根据实施例，有机发光器件OLED包括中间层222，该中间层222包括小分子量材料或聚合物材料。当中间层222包括小分子量材料时，中间层222具有其中空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)彼此堆叠为单一或复合结构的结构。中间层222包括诸如酞菁铜(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基联苯胺(NPB)或三(8-羟基喹啉)铝(Alq₃)的各种有机材料中的至少一种。这些层通过诸如气相沉积的方法形成。

根据实施例，当中间层222包括聚合物材料时，中间层222具有包括HTL和EML的结构。在这种情况下，HTL包括聚乙撑二氧噻吩(PEDOT)，并且EML包括聚苯撑乙烯撑(PPV)类聚合物材料和聚芴类聚合物材料。中间层222通过丝网印刷、喷墨印刷或激光诱导热成像(LITI)形成。

当然，实施例不限于此，并且在其他实施例中，中间层222具有其他结构。中间层222可以包括在多个像素电极221之上一体地彼此连接的层，或者对应于多个像素电极221中的每个的图案化层。

根据实施例，有机发光器件OLED包括对电极223，该对电极223包括具有小的逸出功的导电材料。例如，对电极223包括金属层，该金属层包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca和其合金中的一种。可选地，在其他实施例中，对电极223还包括诸如ITO、IZO、ZnO或In₂O₃的层，该层形成在包括上述材料的金属层上。对电极223也形成在单元显示部分200和作为非显示区域的第二连接部分102b两者上。

根据实施例，中间层222和对电极223通过热沉积形成。对电极223形成在基底100的整个表面上，因此可以沉积到贯通部分V的侧面上。

根据实施例，保护对电极223的覆盖层进一步位于对电极223上。覆盖层包括LiF、无机材料和有机材料中的一种。

根据实施例，密封单元显示部分200的封装层300形成在对电极223上。封装层300阻挡外部的氧和湿气，并且可以具有单层或多层结构。在当前实施例中，封装层300包括至少两个无机封装层(诸如第一无机封装层310和第二无机封装层330)和有机封装层320。有机封装层320不形成在整个显示装置10上，而仅形成在其中定位有灰尘物质DM的局部区域中。

根据实施例，第一无机封装层310和第二无机封装层330包括诸如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的一种或更多种无机绝缘材料，并且通过化学气相沉积(CVD)形成。

根据实施例，有机封装层320包括PMMA、聚碳酸酯(PC)、PS、丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺、聚乙烯、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯和六甲基二硅氧烷(HMDSO)中的一种。

在下文中，将描述位于第二连接部分102b中的台阶差补偿层202和位于台阶差补偿层202上的结构。注意的是，虽然图4A和图4B中示出了第二连接部分102b，但是第一连接部分102a的结构与第二连接部分102b的结构基本相似。

根据实施例，台阶差补偿层202设置在第二连接部分102b的基底100上。第二连接部分102b的宽度比岛101的宽度小。因此，第二连接部分102b对于当使显示装置10的形状变形时出现的应力较不牢固。因此，缓冲层201、栅极绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207中的一个或更多个不形成在第二连接部分102b的基底100上。这使由于连接部分的变形引起的无机层的缺陷(裂纹)的发生最小化。

在本实施例中，通过诸如蚀刻的工艺来去除作为形成在岛101的基底100上的无机层的缓冲层201、栅极绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207，替代地，沉积包括有机材料的台阶差补偿层202。

根据实施例，将电压或信号传输到单元显示部分200的布线W位于台阶差补偿层202上，并且当布线W连接到岛101时，台阶差补偿层202通过防止高度差来吸收可能施加到布线W的应力。

根据实施例，台阶差补偿层202包括诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、HMDSO或酚醛树脂的至少一种有机绝缘材料。台阶差补偿层202可以具有包括这些有机绝缘材料的单层或多层结构。

根据实施例，位于台阶差补偿层202上的布线W包括与用于形成位于岛101中的TFT的源电极SE或漏电极DE的材料相同的材料。可选地，在其他实施例中，布线W包括与用于形成TFT的栅电极GE的材料相同的材料。布线W包括将电压或信号传输到像素电路的布线。

根据实施例，布线W被平坦化层209覆盖。在实施例中，第二连接部分102b的平坦化层209包括与用于形成岛101的平坦化层209的材料相同的材料。

根据实施例，对电极223、第一无机封装层310和第二无机封装层330堆叠在平坦化层209上。因为对电极223、第一无机封装层310和第二无机封装层330在形成贯通部分V之后使用开口掩模形成，所以对电极223、第一无机封装层310和第二无机封装层330覆盖贯通部分V的侧面。

在本实施例中，封装层300的有机封装层320不形成在整个显示装置10上，而是形成在包含灰尘物质DM的局部区域上。

例如，根据实施例，如图5中所示，第一无机封装层310和第二无机封装层330形成为覆盖整个单元显示部分200。然而，有机封装层320集中在单元显示部分200的子像素B的其中存在灰尘物质DM并且发射蓝光的区域中。根据实施例，有机封装层320不形成在除了其中存在灰尘物质DM的子像素区域之外的子像素区域中。然而，实施例不限于此。

在另一实施例中，如图6中所示，有机封装层320形成在整个单元显示部分200上。

参照图6，根据实施例，灰尘物质DM仅存在于发射蓝光的子像素B中。然而，有机封装层320不集中在发射蓝光且其中存在灰尘物质DM的子像素B中，而是以基本相同的厚度形成在发射红光的子像素R上和发射绿光的子像素G上。在这种情况下，第一无机封装层310和第二无机封装层330也形成在红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B中的所有子像素上。

另外，根据实施例，即使当有机封装层320由于灰尘物质DM的存在而形成在第一单元部分U1的所有岛101上时(如图6中所示)，有机封装层320也不形成在不包含灰尘物质DM的第二单元部分至第四单元部分U2、U3和U4的岛101上。

图7是其中不存在灰尘物质DM的第二单元部分U2的一部分的剖视图。在图7中，封装层300仅包括第一无机封装层310和第二无机封装层330，而没有设置有机封装层320。

参照图5和图7或参照图6和图7，根据实施例，包括第一无机封装层310和第二无机封装层330但不包括有机封装层320的封装层300形成在其中不存在灰尘物质DM的第二单元部分U2的岛101上。然而，形成在其中存在灰尘物质DM的第一单元部分U1的岛101上的封装层300包括有机封装层320，有机封装层320集中在其中存在灰尘物质DM的局部区域中(诸如子像素B的区域)，或者包括有机封装层320的封装层300形成在整个第一单元部分U1中。

根据实施例，当有机封装层320形成在所有岛101上时，有机封装层320印刷在岛101中的每个上，而在当前实施例中，有机封装层320仅形成在第一单元部分U1的岛101上或在第一单元部分U1的所需区域中，使得相比于在所有岛101上形成有机封装层320的工艺，工艺时间可以减少。

根据实施例，当仅第一无机封装层310和第二无机封装层330形成在其中存在灰尘物质DM的区域中时，第一无机封装层310和第二无机封装层330不牢固地覆盖灰尘物质DM，使得间隙可能会在灰尘物质DM的边缘处形成，氧和湿气可能会渗透过这些间隙。然而，在当前实施例中，有机封装层320覆盖其中存在灰尘物质DM的区域，从而可以防止氧和湿气的渗透。

在当前实施例中，有机封装层320位于岛101上，而不位于连接部分102上。因此，第一无机封装层310和第二无机封装层330在有机封装层320的外部(有机封装层320的边缘以外)处彼此接触，使得每个单元显示部分200被单独封装。

根据实施例，通过使用CVD在基底100的整个表面上形成第一无机封装层310和第二无机封装层330。因此，第一无机封装层310和第二无机封装层330覆盖贯通部分V的侧面。

根据实施例，通过使用喷墨印刷或三维(3D)印刷与单元显示部分200对应地施用预定量的液化的有机材料然后通过固化该液化的有机材料来形成有机封装层320。

图8和图9示意性地示出了检测灰尘物质DM和形成封装层300的工艺。

参照图8，根据实施例，将包括中间层222和对电极223的显示装置从第一转移室CHT1经由转移室CH1转移到第二转移室CHT2以形成第一无机封装层310。

根据实施例，然后将第二转移室CHT2中的显示装置输送到第一室CH2，从而可以形成第一无机封装层310。通过使用CVD来形成第一无机封装层310。

根据实施例，在形成第一无机封装层310之后，将显示装置转移到检查室CH3。检查室CH3使用自动光学检查(AOI)来检查显示装置以检测灰尘物质DM，以记录关于包含灰尘物质DM的像素的坐标信息。

根据实施例，在检测到灰尘物质DM之后，将显示装置输送到第二室CH6，并且在第二室CH6中形成有机封装层320。通过使用由检查室CH3获得的灰尘物质DM的坐标信息，通过使用喷墨印刷或3D印刷来与包含灰尘物质DM的区域对应地施用有机封装层320，然后对其进行固化。

根据实施例，在形成有机封装层320之后，将显示装置输送到第三室CH5，并且通过第三室CH5形成第二无机封装层330。通过使用CVD来形成第二无机封装层330。

根据实施例，在形成第二无机封装层330之后，将显示装置经由转移室CH4转移到在其中执行后续工艺的第三转移室CHT3。

例如，后续工艺包含将位于基底100的下部上的玻璃基体基底从基底100分离。

参照图9，根据实施例，当将图9与图8比较时，检查灰尘物质DM与形成第一无机封装层310的顺序被改变了。

根据实施例，首先将转移到第二转移室CHT2的显示装置转移到检查室CH3，检查室CH3使用AOI检测灰尘物质DM并记录关于包含灰尘物质DM的像素的坐标信息。即，在形成第一无机封装层310之前检测灰尘物质DM。

根据实施例，在执行检查工艺之后，将显示装置输送到第一室CH2以形成第一无机封装层310，并且在形成第一无机封装层310之后，将显示装置输送到第二室CH6，并且使用喷墨印刷或3D印刷与包含灰尘物质DM的区域对应地施用有机封装层320，然后对其进行固化。

根据实施例，在形成第二无机封装层330之后，将显示装置经由转移室CH4转移到第三转移室CHT3，从而可以执行后续工艺。

如上所述，根据实施例，在形成有机封装层320之前，检查显示装置以检测灰尘物质DM，并且如果检测到灰尘物质DM，则使用灰尘物质DM的坐标信息来仅在包含灰尘物质DM的单元显示部分200中形成有机封装层320，使得工艺时间可以减少。另外，覆盖有机封装层320以阻挡杂质的渗透并改善封装层300的可靠性。

另外，根据实施例，在图8中，在形成第一无机封装层310之后执行一次检查工艺，而在图9中，在形成第一无机封装层310之前执行一次检查工艺。然而，实施例不限于此。在其他实施例中，执行两次检查工艺，即，在形成第一无机封装层310之前和形成第一无机封装层310之后执行两次检查工艺。

图10是第一单元部分U1的另一实施例的剖视图，其示出了灰尘物质DM存在于对电极223与第一无机封装层310之间的情况。如图8中所示，在形成第一无机封装层310之后获得关于灰尘物质DM的坐标信息。然而，如图9中所示，可以在形成第一无机封装层310之前从检查工艺中获得灰尘物质DM的坐标信息。在第一无机封装层310形成在对电极223上之前，检查显示装置以检测灰尘物质DM，并且记录关于包含灰尘物质DM的像素的坐标信息。然后，形成第一无机封装层310，然后，在包含灰尘物质DM的区域中形成有机封装层320。位于对电极223和第一无机封装层310之间的灰尘物质DM被有机封装层320覆盖，以防止当仅第一无机封装层310和第二无机封装层330覆盖灰尘物质DM时发生裂纹。

图11是示出了第一单元部分U1的另一实施例的剖视图。

参照图11，根据实施例，当将图11与图5的实施例比较时，除了形成在整个单元显示部分200上的有机封装层320之外，还在单元显示部分200的边缘处形成坝部分400。

根据实施例，如图11中所示，灰尘物质DM存在于发射蓝光的子像素B中。然而，有机封装层320形成在红色子像素R、绿色子像素G和包含灰尘物质DM的蓝色子像素B中的所有子像素中。在这种情况下，第一无机封装层和第二无机封装层330形成在红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B中的所有子像素中。

在本实施例中，坝部分400形成在第一无机封装层310的上部分上。

根据实施例，通过使用金属图案掩模沉积材料来形成中间层222和对电极223。当在沉积中间层222和对电极223的工艺中在像素限定层211上形成坝部分400时，坝部分400会物理接触金属图案掩模。

根据实施例，当坝部分400由有机材料形成时，坝部分400的表面由于与金属图案掩模接触而变得粗糙。因此，降低了坝部分400相对于第一无机封装层310的表面覆盖率，使得杂质可能会渗透到坝部分400的表面中。另一方面，当坝部分400由无机材料形成时，坝部分400可能会被金属图案掩模损坏。

然而，在本实施例中，因为坝部分400形成在使用金属图案掩模形成第一无机封装层310的工艺完成之后，所以上述情况不会发生。

图12是示出了根据另一实施例的显示装置的剖视图。图12的剖面对应于图3的线I-I'。在图12中，与在图3和图4A中的附图标记重复的附图标记表示同样的元件。因此，将省略其冗余描述。

参照图12，根据实施例的显示装置包括具有形成在基底100上的单元显示部分200的岛101以及第二连接部分102b。穿透基底100的贯通部分V形成在岛101与第二连接部分102b之间。

根据实施例，单元显示部分200中的每个包括平坦化层209。诸如有机发光器件OLED的显示元件位于平坦化层209上。平坦化层209向其中设置有机发光器件OLED的区域提供平坦的顶表面。

在本实施例中，无机钝化层PVX和下平坦化层208中的至少一者另外设置在TFT和平坦化层209之间。另外，台阶差补偿层202设置在基底100的诸如岛101的基底100的端部的部分上。台阶差补偿层202覆盖单元显示部分200的缓冲层201的侧面、栅极绝缘层203的侧面、第一层间绝缘层205的侧面和第二层间绝缘层207的侧面。

根据实施例，无机钝化层PVX可以是氮化硅(SiN_x)或氧化硅(SiO_x)的单层或多层结构。无机钝化层PVX覆盖并保护TFT的布线的一部分和源电极SE。在形成源电极SE的工艺中一起形成的布线在基底100的区域的一部分中被暴露。布线的暴露部分可能会被用于图案化像素电极221的蚀刻剂损坏。然而，在本实施例中，无机钝化层PVX覆盖布线的至少一部分，使得布线在像素电极221的图案化工艺中不被损坏。

根据实施例，下平坦化层208位于无机钝化层PVX和平坦化层209之间。下平坦化层208包括诸如通用聚合物(诸如PMMA或PS)、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或其共混物的有机绝缘材料。

根据实施例，将像素电极221连接到TFT的连接金属CM形成在下平坦化层208上并通过接触孔与TFT接触。另外，布线与连接金属CM位于同一层上。

根据实施例，连接金属CM包括诸如Mo、Al、Cu或Ti的导电材料，并且可以具有包括上述材料的多层或单层结构。以这种方式，当形成下平坦化层208时，布线可以位于下平坦化层208的顶表面上，从而可以改善单元显示部分200的集成度。

根据实施例，台阶差补偿层202形成在连接部分102的基底100上。虽然图示出了第二连接部分102b，但是第一连接部分102a具有基本相似的结构。台阶差补偿层202包括诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、HMDSO或酚醛树脂的有机绝缘材料。台阶差补偿层202可以具有包括上述有机绝缘材料的单层或多层结构。

根据实施例，通过去除位于基底100上的缓冲层201、栅极绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207来形成台阶差补偿层202。在去除上述层的工艺中，去除了岛101中的缓冲层201、栅极绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207的一部分，并且台阶差补偿层202填充在去除了前述的层的部分中。之后，形成平坦化层209和像素限定层211，并且形成贯通部分V。因此，台阶差补偿层202的一部分可以位于岛101的基底100上。

根据实施例，无机钝化层PVX不形成在第二连接部分102b中。即，台阶差补偿层202、下平坦化层208和平坦化层209形成在第二连接部分102b中。第一连接部分102a具有类似的结构。

根据实施例，附加布线W'形成在下平坦化层208和平坦化层209之间。附加布线W'由与形成在岛101中的连接金属CM的材料相同的材料形成。

根据本实施例，有机封装层320可选地集中在区域的其中检测到灰尘物质DM的部分中，使得与在所有单元部分上形成有机封装层320相比，工艺时间可以减少，并且包含灰尘物质DM的区域被有机封装层320覆盖以防止氧和湿气的渗透。

根据实施例，有机封装层可选地集中在其中检测到灰尘物质的区域中，使得形成封装层的工艺时间可以减少。此外，灰尘物质被有机封装层覆盖，以防止当灰尘物质被无机封装层覆盖时出现裂纹。因此，在具有变形的形状的显示装置中，可以形成可靠的封装层。当然，本公开的实施例的范围不受这些效果的限制。

应理解的是，这里描述的示例性实施例应仅以描述性的意义来考虑，而不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。虽然已经参照图描述了一个或更多个示例性实施例，但是本领域的普通技术人员将理解的是，在不脱离权利要求限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims

1.一种显示装置，所述显示装置包括：

第一岛，包括设置在基底上的第一显示元件；

第二岛，包括设置在所述基底上的第二显示元件，其中，所述第二岛与所述第一岛间隔开；

多个连接部分，将所述第一岛连接到所述第二岛；

贯通部分，形成在所述多个连接部分之间，并且穿透所述基底；以及

封装层，密封所述第一岛和所述第二岛，其中，所述封装层包括第一无机封装层和第二无机封装层，

其中，所述第一岛的所述封装层还包括有机封装层，而所述第二岛的所述封装层不包括有机封装层。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述有机封装层覆盖包含在所述第一岛中的灰尘物质。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述第一无机封装层和所述第二无机封装层还设置在所述多个连接部分上。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述第一无机封装层和所述第二无机封装层覆盖所述贯通部分的侧面。

5.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：

布线，设置在所述多个连接部分中，并且将电信号传输到所述第一岛和所述第二岛；以及

台阶差补偿层，设置在所述多个连接部分的基底和所述布线之间，其中，所述台阶差补偿层包括有机材料。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述第一岛中的所述第一无机封装层和所述第二无机封装层在所述有机封装层的边缘以外彼此接触。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述有机封装层设置在所述第一无机封装层和所述第二无机封装层之间。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述第一显示元件和所述第二显示元件中的每个包括像素电极、中间层和对电极，并且

所述像素电极位于平坦化层的顶表面上，并且

像素限定层位于所述平坦化层上，并且覆盖所述像素电极的边缘。

9.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：

薄膜晶体管，设置在所述基底与平坦化层之间；

下平坦化层，设置在所述薄膜晶体管与所述平坦化层之间；以及

连接金属，设置在所述下平坦化层上。

10.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：

坝部分，设置在所述第一岛的所述第一无机封装层上，并且围绕所述有机封装层。