CN112509505A - 具有温度传感器的源极驱动器和显示装置 - Google Patents

具有温度传感器的源极驱动器和显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供具有温度传感器的源极驱动器和显示装置。实施例涉及具有校正功能的温度传感器,并且能够通过校准温度和电压之间的相关性来减少温度传感器的测量误差。

Description

具有温度传感器的源极驱动器和显示装置
技术领域
本实施例涉及具有校正功能的温度传感器,并且还涉及包括温度传感器的源极驱动器和显示装置。
背景技术
温度传感器检测环境热,并且广泛用在半导体集成电路中。特别地,温度传感器可以检测显示装置中的热敏组件的温度,并且面板驱动装置可以根据所检测到的温度来适当地控制供给至该组件的电压或电流。
温度传感器可以使用随着热而改变的电特性来检测温度。温度传感器可以输出根据温度而改变的诸如电流等的电特性,并且可以根据这些电特性计算温度。然而,在实际温度和温度传感器所输出的温度之间可能存在差异。
开发了用于校正上述误差的各种技术。为了校正这些误差,可以在模拟阶段校正温度数据,但这存在需要复杂的电路来进行校正的缺点。另外,如果温度传感器通过电压的非线性特性来计算温度,则在所计算出的温度和实际温度之间可能发生差异。
另一方面,温度传感器可能会引入由于数个因素引起的误差。例如,温度传感器的接地电压可能波动,因此通过温度传感器的感测所输出的电压可能不同。可选地,如果显示装置的源极驱动器进行消耗大量电力的操作,则内部温度变得高于其实际温度,并且源极驱动器的内部所安装的温度传感器可以感测到与实际温度不同的温度。
因此,需要开发如下的用于校正温度传感器的技术,其能够解决温度传感器的现有的误差校正的问题,并且考虑到由于功耗而发出的热量。
发明内容
在该背景下,本实施例的一方面是提供一种用于通过校准温度和电压之间的相关性来校正温度传感器的测量误差的技术。本实施例的另一方面是提供一种根据源极驱动器的功耗而不同的温度校正技术。本实施例的另一方面是提供一种用于源极驱动器的技术,该源极驱动器用于使用导热性来测量面板的温度。
为此,本发明的一方面提供一种源极驱动器,包括:校准电路,其被配置为根据取决于所述源极驱动器的功耗的各模式,来不同地获得多个温度数据和与多个温度数据相对应的多个电压数据,并且根据所获得的多个温度数据和所获得的多个电压数据来生成温度和电压之间的函数;以及数据计算电路,其被配置为接收输入电压数据并且将所述输入电压数据应用于所述函数,由此计算与所述输入电压数据相对应的温度数据。
在所述源极驱动器中,所述模式可以包括用于第一功耗的第一模式和用于比所述第一功耗低的第二功耗的第二模式,并且所述源极驱动器还可以包括存储器,所述存储器被配置为存储根据所述第一模式的第一组多个温度数据和第一组多个电压数据、以及根据所述第二模式的第二组多个温度数据和第二组多个电压数据。
在所述源极驱动器中,所述校准电路可以根据所述模式来从所述存储器读出多个温度数据和多个电压数据,并且根据所读取的多个温度数据和所读取的多个电压数据来生成所述函数。
在所述源极驱动器中,所述功耗可以由面板的刷新率即RR确定。
所述源极驱动器还可以包括被配置为存储偏移数据的存储器,并且所述校准电路可以根据通过将所述偏移数据反映到所述多个电压数据所获得的数据来生成所述函数。
在所述源极驱动器中,所述校准电路可以包括多路复用器即MUX,所述多路复用器被配置为选择所述多个电压数据或所述偏移数据。
所述源极驱动器还可以包括温度传感器,所述温度传感器被配置为生成与所述多个电压数据和所述输入电压数据相对应的信号。
本发明的另一方面提供一种显示装置,包括:面板;以及源极驱动器,其耦接至所述面板的一个表面,并且被配置为:从所述面板接收热,获得第一温度数据、与所述第一温度数据相对应的第一电压数据、第二温度数据和与所述第二温度数据相对应的第二电压数据,根据所述第一温度数据、所述第一电压数据、所述第二温度数据和所述第二电压数据来生成温度和电压之间的函数,接收第三电压数据,并且通过将所述第三电压数据应用于所述函数来计算与所述第三电压数据相对应的第三温度数据。
所述显示装置还可以包括散热板,所述散热板位于所述面板和所述源极驱动器之间,以将热从所述面板传递至所述源极驱动器。
在所述显示装置中,所述第三温度数据是所述面板的温度。
本发明的又一方面提供一种源极驱动器,包括:校准电路,其被配置为获得第一温度数据、与所述第一温度数据相对应的第一电压数据、第二温度数据和与所述第二温度数据相对应的第二电压数据,并且根据所述第一温度数据、所述第一电压数据、所述第二温度数据和所述第二电压数据来生成温度和电压之间的函数;以及数据计算电路,其被配置为接收第三电压数据,并且通过将所述第三电压数据应用于所述函数来计算与所述第三电压数据相对应的第三温度数据。
所述源极驱动器还可以包括被配置为存储数据的存储器,并且所述校准电路可以从所述存储器读出所述第一温度数据、所述第一电压数据、所述第二温度数据和所述第二电压数据。
所述的源极驱动器还可以包括温度传感器,所述温度传感器被配置为根据温度来生成与所述第一电压数据至所述第三电压数据相对应的第一模拟信号至第三模拟信号。
所述源极驱动器还可以包括模数转换器,所述模数转换器被配置为将所述第一模拟信号至所述第三模拟信号数字化成所述第一电压数据至所述第三电压数据。
在所述源极驱动器中,所述函数可以是通过组合所述第一温度数据、所述第一电压数据、所述第二温度数据和所述第二电压数据所获得的线性函数。
在所述源极驱动器中,所述校准电路可以通过调整所述函数的斜率和所述函数的偏移来生成所述函数。
如上所述,本发明使得能够减少由于源极驱动器的功耗而引起的温度感测的误差。另外,本发明使得能够减少源极驱动器所测量到的面板的温度的误差。
附图说明
图1示出根据实施例的显示装置的结构;
图2是示出根据实施例的源极驱动器的结构的示例的图;
图3是示出根据实施例的温度传感器的示例的电路图;
图4是示出根据实施例的数据处理电路和校准电路的结构的示例的图;
图5是示出根据实施例的处理数据的处理的图;
图6是示出根据实施例的生成函数的处理的图;
图7是示出根据另一实施例的校准电路中的根据显示模式而不同地选择数据的处理的图;
图8是示出根据另一实施例的校准电路中的根据显示模式来选择偏移反映数据的处理的图;
图9是示出根据另一实施例的显示装置的结构的图;
图10是示出根据另一实施例的源极驱动器和面板之间的耦接的示例的截面图;
图11是示出根据本发明实施例的用于温度的校准的实验结果的第一示例的图;
图12是示出根据本发明实施例的用于温度的校准的实验结果的第二示例的图;
图13是示出根据本发明实施例的用于温度的校准的实验结果的第三示例的图;
图14是示出表示现有的温度感测误差的第一示例的图;以及
图15是示出表示现有的温度感测误差的第二示例的图。
具体实施方式
图1示出根据实施例的显示装置的结构。
参考图1,显示装置100可以包括面板110、源极驱动器120、栅极驱动器130和定时控制器140等。
可以在面板110上配置多个数据线DL、多个栅极线GL和多个感测线SL,并且可以在面板110上配置多个像素P。
栅极驱动器(GDIC)130可以将接通电压或断开电压的扫描信号供给至栅极线GL。在将接通电压的扫描信号供给至像素P时,相应的像素P连接至数据线DL,并且在将断开电压的扫描信号供给至像素P时,相应的像素P从数据线DL断开。
源极驱动器(SDIC)120将数据电压供给至数据线DL。根据扫描信号将供给至数据线DL的数据电压发送至连接至这些数据线DL的像素P。
源极驱动器120感测各像素P中的特性值(例如,电压和电流)。源极驱动器120可以根据扫描信号连接至各像素P,或者可以根据单独的感测信号连接至各像素P。此时,该感测信号可以由栅极驱动器130生成。
定时控制器(T-CON)140可以将各种控制信号供给至栅极驱动器130和源极驱动器120。定时控制器140可以生成用于根据在各帧中实现的定时来发起扫描的栅极控制信号GCS,并且可以将该栅极控制信号GCS发送至栅极驱动器130。另外,定时控制器140可以将如下的图像数据RGB输出至源极驱动器120,该图像数据RGB是为了符合源极驱动器120所使用的数据信号格式而对从外部输入的图像数据进行转换得到的。另外,定时控制器140可以发送用于控制源极驱动器120根据各定时向各像素P供给数据电压的数据控制信号DCS。
定时控制器140可以根据像素P的特性来对图像数据RGB进行补偿,由此发送该图像数据RGB。此时,定时控制器140可以从源极驱动器120接收像素感测数据SENSE_DATA。像素感测数据SENSE_DATA可以包括像素P的特性的测量值。像素感测数据SENSE_DATA可以包括源极驱动器120输出至数据线DL的数据电压的测量值。像素感测数据SENSE_DATA可以包括与面板的温度有关的数据。定时控制器140可以根据温度数据识别面板的温度,并且可以根据面板的温度来控制电源管理IC(PMIC)以将适当的电压供给至面板。
面板110可以是有机发光显示面板。在这种情况下,面板110上所配置的像素P可以包括有机发光二极管(OLED)以及一个或多个晶体管。各像素P中所包括的有机发光二极管(OLED)和晶体管的特性可以根据时间或周围环境而变化,并且源极驱动器120可以感测各像素P中所包括的组件的特性,由此将该特性发送至定时控制器140。
图2是示出根据实施例的源极驱动器的结构的示例的图,并且图3是示出根据实施例的温度传感器的示例的电路图。
参考图2,源极驱动器120可以包括温度传感器121、模数转换器(ADC)122、数据处理电路123、校准电路124、数据计算电路125和数据输出电路126。
温度传感器121可以感测源极驱动器120的温度。温度传感器121可以设置在源极驱动器120的内部,并且可以检测源极驱动器120的温度,由此输出与所检测到的温度相对应的电流或电压。
参考图3,温度传感器121可以包括晶体管,例如包括双极结型晶体管(BJT)的与绝对温度成比例(PTAT)电路。温度传感器121的电路可以包括金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、放大器和电阻器、以及BJT。由于根据温度而变化的BJT端子之间的电压差,因此温度传感器121可以引起IPTAT或VPTAT。也就是说,温度传感器121可以生成与环境温度相对应的IPTAT或VPTAT。IPTAT或VPTAT可以与温度成比例。具体地,温度传感器121可以表现出如以下的等式1所示的温度与IPTAT或VPTAT之间的关系。
[等式1]
Figure BDA0002682188700000071
Figure BDA0002682188700000072
这里,“k”可以表示玻尔兹曼(Boltzmann)常数,“q”可以表示电荷量,“T”可以表示以开氏度为单位的温度,R2和R3可以表示电阻,VBE1可以表示第一BJT Q1的基极和发射极之间的电压,并且VBE2可以表示第二BJT Q2的基极和发射极之间的电压。ln(n)中的“n”是表示基极和发射极之间的接触区域A的规模的系数,并且是常数。因此,根据等式1,由于VPTAT和T能够被表示为线性函数,因此温度传感器121可以输出与T成比例的VPTAT
返回参考图2,温度传感器121可以输出与温度相对应的感测信号S_SENSE。感测信号S_SENSE可以包括电压信号。该电压信号可以与等式1中的VPTAT的值有关。温度传感器121可以将感测信号S_SENSE发送至模数转换器122。
模数转换器122可以对感测信号S_SENSE进行数字转换,由此生成数字感测数据D_SENSE。感测信号S_SENSE可以包括模拟电压值,并且数字感测数据D_SENSE可以包括数字电压值。数字感测数据D_SENSE可以由数据处理电路123进行滤波,然后可用于在校准电路124中生成温度和电压之间的函数。
数据处理电路123可以处理数字感测数据D_SENSE。数据处理电路123可以从数字感测数据D_SENSE去除噪声,并且可以输出处理后的感测数据SENSE_OUT。处理后的感测数据SENSE_OUT可以包括数字化电压数据。数据处理电路123可以将处理后的感测数据SENSE_OUT发送至校准电路124和数据计算电路125。
校准电路124可以产生温度和电压之间的相关性,并且可以校准该相关性。数据计算电路125可以根据校准后的相关性计算新的温度、即校准温度。该相关性可以包括具有温度和电压的变量的函数。
例如,校准电路124可以根据处理后的感测数据SENSE_OUT来生成温度和电压之间的函数。处理后的感测数据SENSE_OUT可以包括电压数据,并且可以以对应于温度数据的方式连同该温度数据一起存储在存储器装置(未示出)中。校准电路124可以根据存储器装置(未示出)中所存储的温度数据和处理后的感测数据SENSE_OUT中所包括的电压数据来产生温度和电压之间的函数,并且可以将该函数发送至数据计算电路125。
数据计算电路125可以根据该函数计算校准温度数据CAL_TEMP_OUT。数据计算电路125可以从校准电路124接收函数数据FUNCTION,并且可以从数据处理电路123接收处理后的感测数据SENSE_OUT。数据计算电路125可以通过将处理后的感测数据SENSE_OUT应用于函数数据FUNCTION中所包括的函数来计算校准温度数据CAL_TEMP_OUT。由于使温度传感器121在被包括在源极驱动器120中的状态下工作,因此校准温度数据CAL_TEMP_OUT可以是源极驱动器120的温度。可选地,如果面板110的热传递至源极驱动器120,则校准温度数据CAL_TEMP_OUT可以是面板110的温度。
数据输出电路126可以输出校准温度数据CAL_TEMP_OUT。在输出该数据之前,数据输出电路126可以调整校准温度数据CAL_TEMP_OUT的位的设置。数据输出电路126可以输出所设置的温度数据。例如,数据输出电路126可以减少校准温度数据CAL_TEMP_OUT的位数。如果校准温度数据CAL_TEMP_OUT包括小数点,则可以删除小数点后面的位。可选地,可针对校准温度数据CAL_TEMP_OUT配置数字签名代码。
图4是示出根据实施例的数据处理电路和校准电路的结构的示例的图,图5是示出根据实施例的处理数据的处理的图,并且图6是示出根据实施例的生成函数的处理的图。
参考图4,数据处理电路123可以包括滤波器411和平均值生成电路412。数据处理电路123可以使用滤波器411和平均值生成电路412来从数字感测数据D_SENSE去除噪声。
参考图5,示出利用滤波器411和平均值生成电路412去除噪声的处理。
首先,滤波器411可以获得温度传感器(图2中的121)所感测到的数据(数字感测数据D_SENSE)的中值。滤波器411可以从模数转换器(图2中的122)接收数字感测数据D_SENSE。滤波器411可以将数字感测数据D_SENSE采样到特定数量,并且可以根据采样后的数据计算中值。
例如,滤波器411可以按304、295、301、298、300、300、…的顺序接收一系列数字感测数据D_SENSE。各数字感测数据D_SENSE可以以9位的二进制数发送。然而,本发明不限于此,并且数字感测数据D_SENSE根据其设计,可以扩展到多于9位,或者可以减少到少于9位。滤波器411可以经由采样窗口510提取多个数字感测数据D_SENSE。采样窗口510还可以根据数字感测数据D_SENSE以9位为单位进行采样,并且可以扩展或减少该单位。采样窗口510可以从一系列数字感测数据D_SENSE中提取用于计算中值的基本数据。在该示例中,采样窗口510可以采样出三个连续的数字感测数据D_SENSE301、298和300。滤波器411可以计算采样后的数字感测数据D_SENSE 301、298和300的中值520。在该示例中,中值可以是300。
滤波器411可以在数字感测数据D_SENSE的任何点发起采样,并且可以从所接收到的数字感测数据D_SENSE的起点或中间点进行采样。例如,滤波器411可以从作为数字感测数据D_SENSE的起点的304发起采样,由此采样出304、295和301,或者可以从作为数字感测数据D_SENSE的中间点的301发起采样,由此采样出301、298和300。
滤波器411可以生成多个中值。为了生成多个中值,滤波器411可以使采样窗口510偏移常数单位,由此进行采样,并且可以继续根据采样出的数字感测数据D_SENSE生成中值。例如,滤波器411可以采样出301、298和300,然后可以使采样窗口510偏移一个单位,由此采样出298、300和300。滤波器411可以根据298、300和300计算中值300。
平均值生成电路412可以根据使用滤波器411从数字感测数据D_SENSE生成的多个中值来计算平均值。平均值生成电路412可以计算多个中值的全部或一部分的平均值。平均值生成电路412可以使用小数点来生成精确的平均值。平均值生成电路412可以生成包括该平均值的处理后的感测数据SENSE_OUT。
例如,平均值生成电路412可以从滤波器411接收中值数据。滤波器411可以使采样窗口510从301、298和300偏移一个单位,由此生成包括300、300、300、300、301、301、298和298的中值数据。平均值生成电路412可以计算出299.750作为300、300、300、300、301、301、298和298的平均值。平均值生成电路412可以生成包括表示小数点之前的“299”的9位和表示小数点之后的“750”的8位的总共17位的处理后的感测数据SENSE_OUT。处理后的感测数据SENSE_OUT中的小数点之后的值不限于8位,并且根据其设计,可以扩展到多于8位或减少到少于8位。
返回参考图4,校准电路124可以包括存储器421和函数生成电路422。可以将处理后的感测数据SENSE_OUT以对应于温度数据的方式连同该温度数据一起存储在存储器421中。函数生成电路422可以根据所存储的处理后的感测数据SENSE_OUT的电压数据和与该电压数据相对应的温度数据来生成温度和电压之间的函数。
校准电路124可以接收包括平均值的处理后的感测数据SENSE_OUT,并将该处理后的感测数据SENSE_OUT存储在存储器421中。具体地,温度传感器121可以感测环境温度,可以根据所感测到的温度输出VPTAT,并且可以基于所输出的VPTAT生成电压数据。可以将包括该电压数据的处理后的感测数据SENSE_OUT在与同该电压数据相对应的温度数据匹配的状态下存储在存储器421中。处理后的感测数据SENSE_OUT与温度数据之间的匹配及其结果可以是预先存储的。
可以经由模数转换器(图2中的122)和数据处理电路123将作为温度传感器(图2中的121)的感测结果的数字感测数据D_SENSE转换成处理后的感测数据SENSE_OUT,并且可以将处理后的感测数据SENSE_OUT在与同该处理后的感测数据SENSE_OUT相对应的温度数据匹配的状态下存储在存储器421中。如果温度传感器(图2中的121)进行连续感测操作,则可以将在每个感测操作中生成的处理后的感测数据SENSE_OUT连同温度数据一起存储在存储器421中。
例如,温度传感器(图2中的121)可以经由温度传感器电路在室温下引起VPTAT,并且可以生成包括表示室温下的VPTAT的电压值的感测信号。模数转换器(图2中的122)可以对感测信号进行数字化,并且数据处理电路123可以处理数字化后的感测信号,由此产生处理后的室温感测数据ROOM_SENSE_OUT。这里,室温可以为约30℃。可以将处理后的室温感测数据ROOM_SENSE_OUT连同30℃(室温)的温度数据一起存储在存储器421中。
可选地,温度传感器(图2中的121)可以经由温度传感器电路在高温下引起VPTAT,并且可以生成包括表示高温下的VPTAT的电压值的感测信号。模数转换器(图2中的122)可以对感测信号进行数字化,并且数据处理电路123可以处理数字化后的感测信号,由此产生处理后的高温感测数据HOT_SENSE_OUT。这里,高温可以为约90℃。可以将处理后的高温感测数据HOT_SENSE_OUT连同90℃的温度数据一起存储在存储器421中。
函数生成电路422可以从存储器421读出多个处理后的感测数据SENSE_OUT和与这些处理后的感测数据SENSE_OUT相对应的多个温度数据,并且可以根据所读出的多个处理后的感测数据SENSE_OUT和多个温度数据来生成函数。
图6示出利用函数生成电路422生成函数的处理。
函数生成电路422可以使用多个处理后的感测数据SENSE_OUT和与这些处理后的感测数据SENSE_OUT相对应的多个温度数据来生成表示温度和电压之间的关系的函数。处理后的感测数据SENSE_OUT可以包括与从温度传感器(图2中的121)输出的VPTAT有关的电压数据。如果存在两个或更多个的温度数据和与这些温度数据相对应的电压数据,则函数生成电路422可以通过在x轴(TEMP)表示温度且y轴(VPTAT)表示电压的坐标平面上连接两个或更多个坐标来产生直线。函数生成电路422可以按x-y平面上的直线生成线性函数,并且该线性函数可以表示温度和电压之间的相关性。如上所述通过两个或更多个电压数据以及两个或更多个温度数据来生成函数,这可被称为“两点校准”。
例如,可以将处理后的室温感测数据ROOM_SENSE_OUT和与其相对应的室温数据存储在存储器421中,并且可以将处理后的高温感测数据HOT_SENSE_OUT和与其相对应的高温数据存储在存储器421中。函数生成电路422可以按如下的直线生成线性函数,该直线连接与室温数据和处理后的室温感测数据ROOM_SENSE_OUT相对应的一个点以及与高温数据和处理后的高温感测数据HOT_SENSE_OUT相对应的相对点。例如,函数生成电路422可以根据30℃、30℃处的VPTAT、90℃和90℃处的VPTAT生成第二校准函数612。第二校准函数612可以匹配(由虚线表示的)理想函数620。这里,(由虚线表示的)理想函数620可以表示校准电路124所生成的函数所需的形式。另外,(由虚线表示的)理想函数620可以表示作为校准电路124的目标的温度和电压之间的相关性。
在校准之前,源极驱动器(图1中的120)可以具有诸如基本函数610等的温度和电压之间的相关性。这里,基本函数610可以是在制造源极驱动器(图1中的120)时最初提供的温度和电压之间的相关性,并且可以是由制造缺陷引起的。校准电路124可以不寻求诸如基本函数610等的相关性。可选地,基本函数610可以表示包括误差的、温度和电压之间的相关性。通过校准电路124对相关性的两点校准,代替诸如基本函数610等的相关性,源极驱动器(图1中的120)可以具有诸如(由虚线表示的)理想函数620等的相关性。在校准电路124进行校准时,可以理解如下对该函数(相关性)进行校准。
例如,校准电路124的函数生成电路422可以校准基本函数610的斜率,以匹配(由虚线表示的)理想函数620的斜率,由此生成第一校准函数611。斜率的校准可以是第一校准601,并且可以通过第一校准601使第一校准函数611的斜率和(由虚线表示的)理想函数620的斜率相同。
接着,校准电路124的函数生成电路422可以对第一校准函数611的y轴截距进行补偿,以匹配(由虚线表示的)理想函数620的y轴截距,由此生成第二校准函数612。对y轴截距的补偿可以是第二校准602,其可被称为“偏移校准”。可以通过第二校准602使第二校准函数612的y轴截距和(由虚线表示的)理想函数620的y轴截距相同。
最后,函数生成电路422可以通过针对基本函数610的斜率和y轴截距的两个校准,来生成与作为温度和电压VPTAT之间的期望相关性的(由虚线表示的)理想函数620匹配的第二校准功能612。
返回参考图4,数据计算电路125可以将新电压数据应用于函数数据FUNCTION,由此基于函数数据FUNCTION生成新温度数据。
数据计算电路125可以从校准电路124接收函数数据FUNCTION。这里,函数数据FUNCTION可以是通过对函数生成电路422根据存储器421中所存储的多个处理后的感测数据SENSE_OUT和温度数据而生成的函数进行校准所获得的结果。例如,函数生成电路422可以根据处理后的室温感测数据ROOM_SENSE_OUT、30℃的室温数据、处理后的高温感测数据HOT_SENSE_OUT和90℃的高温数据来生成第二校准函数612。函数数据FUNCTION可以包括第二校准函数612,并且数据计算电路125可以从函数生成电路422接收第二校准函数612。
数据计算电路125可以通过将处理后的感测数据SENSE_OUT中所包括的新电压数据应用于函数数据FUNCTION来生成新温度数据。数据处理电路123可以将处理后的感测数据SENSE_OUT发送至校准电路124和数据计算电路125这两者。数据计算电路125可以通过将处理后的感测数据SENSE_OUT中所包括的电压数据应用于函数数据FUNCTION,来根据函数数据FUNCTION生成新温度数据。该新温度数据可被称为“校准温度数据CAL_TEMP_OUT”。
这里,包括新电压数据的处理后的感测数据SENSE_OUT可以表示数据计算电路125所接收到的、除存储器421中所存储的在函数的生成中使用的处理后的感测数据SENSE_OUT以外的电压数据。数据计算电路125可以通过将新电压数据应用于预先生成的函数来计算新温度数据。这里,新电压数据可被称为“输入电压数据”,并且新温度数据可被称为“输出温度数据”。
具体地,数据计算电路125可以将处理后的感测数据SENSE_OUT中所包括的电压数据应用于函数数据FUNCTION中所包括的第二校准函数612,由此计算校准温度数据CAL_TEMP_OUT。这里,应用于第二校准函数612的处理后的感测数据SENSE_OUT可以与在第二校准函数612的生成中使用的处理后的感测数据SENSE_OUT相同或不同。也就是说,如果第二校准函数612是根据处理后的室温感测数据ROOM_SENSE_OUT和处理后的高温感测数据HOT_SENSE_OUT生成的,则应用于第二校准函数612的处理后的感测数据SENSE_OUT可以是处理后的室温感测数据ROOM_SENSE_OUT和处理后的高温感测数据HOT_SENSE_OUT其中之一,或者可以是除处理后的室温感测数据ROOM_SENSE_OUT和处理后的高温感测数据HOT_SENSE_OUT以外的、处理后的感测数据SENSE_OUT。
例如,如果数据计算电路125将与30℃的室温相对应的VPTAT应用于第二校准函数612,则可以生成与该室温相对应的校准温度数据CAL_TEMP_OUT。校准温度数据CAL_TEMP_OUT可以表示30℃的温度。可选地,如果数据计算电路125将与90℃的高温相对应的VPTAT应用于第二校准函数612,则可以生成与该高温相对应的校准温度数据CAL_TEMP_OUT。校准温度数据CAL_TEMP_OUT可以表示90℃的温度。
数据计算电路125在校准之前将处理后的感测数据SENSE_OUT应用于基本函数610,并且在校准之后将处理后的感测数据SENSE_OUT应用于第二校准功能612。因此,在校准之前输出的温度数据和校准之后的校准温度数据CAL_TEMP_OUT可以彼此不同。这里,可以理解,在校准之前输出的温度数据包含反映在该温度数据中的误差,但校准之后的校准温度数据CAL_TEMP_OUT没有误差,该误差已从校准温度数据CAL_TEMP_OUT中去除。
根据本发明的源极驱动器120可以求出温度和电压之间的理想线性函数,并且可以使现有相关性(函数)匹配该理想线性函数,由此校正温度值。另外,根据本发明的源极驱动器120可以使用不是满足诸如序列等的特定条件的、而是使数字地表示的温度和电压相关的两个任意点,并且可以将校准所需的数据存储在存储装置中并使用这些数据。因此,本发明可以通过简单方法来提供高准确度的减少误差的效果。
数据输出电路126可以输出校准温度数据CAL_TEMP_OUT和与其相对应的新温度值。在输出该数据之前,数据输出电路126可以处理校准温度数据CAL_TEMP_OUT,然后可以输出该校准温度数据CAL_TEMP_OUT。例如,数据输出电路126可以减少校准温度数据CAL_TEMP_OUT的位数。在处理后的感测数据SENSE_OUT被配置为16位的情况下,数据输出电路126可以在去除小数点之后的数位的情况下将校准温度数据CAL_TEMP_OUT减少到8位,然后可以输出该校准温度数据CAL_TEMP_OUT。
图7是示出根据另一实施例的校准电路中的根据显示模式而不同地选择数据的处理的图。
参考图7,校准电路724可以根据显示模式来选择性地使用所存储的处理后的感测数据SENSE_OUT,由此进行不同的校准处理。
即使源极驱动器(图1中的120)根据温度和电压之间的相关性(例如,函数)输出校准温度数据,该校准温度数据也可能包含由于数个因素引起的误差。例如,温度传感器(图2中的121)的接地电压可能升高,并且如果接地电压升高,则温度传感器(图2中的121)所生成的VPTAT可能变化,并且基于VPTAT所输出的温度数据可能无法适当地反映源极驱动器(图1中的120)的实际温度。源极驱动器(图1中的120)的功耗或由于导线引起的寄生电阻的变化可能引起接地电压的变化。
作为另一示例,如果源极驱动器(图1中的120)消耗大量电力,则源极驱动器(图1中的120)的内部温度可能升高。如果内部温度升高,则温度传感器(图2中的121)所生成的VPTAT可能变化,并且基于VPTAT所输出的温度数据可能无法适当地反映源极驱动器(图1中的120)的实际温度(例如,图1中的源极驱动器120的外部温度)。
如上所述在温度数据中产生误差的源极驱动器(图1中的120)的功耗可以根据功耗的量是大还是小来定义显示模式。显示模式可以包括高功率模式和低功率模式。高功率模式可以表示源极驱动器(图1中的120)在消耗大量电力的状态下工作的情况。低功率模式可以表示源极驱动器(图1中的120)在消耗少量电力的状态下工作的情况。
另一方面,显示模式可以根据源极驱动器(图1中的120)的驱动模式而变化。
例如,如果面板以高刷新率(RR)输出图像,则由于源极驱动器(图1中的120)始终向面板供给恒定的数据电压,因此源极驱动器(图1中的120)所消耗的电力量和与其相对应地发出的热量可能增加,这也可能升高源极驱动器(图1中的120)的温度。包括源极驱动器(图1中的120)的显示装置(图1中的100)处于高功率模式(驱动模式)。此时,可以仅显示装置(图1中的100)内部的源极驱动器(图1中的120)的温度局部地高。
另一方面,如果面板以低刷新率输出图像,则由于源极驱动器(图1中的120)以与高刷新状态相比相对不太连续的方式供给数据电压,因此可以减少源极驱动器(图1中的120)所消耗的电力量和与其相对应地发出的热量,并且也可以降低源极驱动器(图1中的120)的温度。包括源极驱动器(图1中的120)的显示装置(图1中的100)可以处于低功率模式(待机模式)。此时,可以仅显示装置(图1中的100)内部的源极驱动器(图1中的120)的温度局部地低。
源极驱动器(图1中的120)的温度(即,显示模式)可能影响温度传感器(图2中的121)中的误差。因此,温度传感器(图2中的121)中的误差可以根据源极驱动器(图1中的120)的显示模式而变化。例如,温度传感器(图2中的121)可以在高功率模式和低功率模式中感测到与实际温度不同的源极驱动器(图1中的120)的温度。因此,源极驱动器(图1中的120)的校准电路724需要在高功率模式和低功率模式之间不同地进行校准。校准电路724可以根据显示模式选择性地读出各显示模式中的校准所用的数据,由此将该数据用于校准。
对于取决于显示模式的有区别的校准,校准电路724可以根据显示模式从存储器721读出不同的数据,并且可以使用所读取的数据来生成函数。这里,可以将处理后的感测数据SENSE_OUT(电压数据)在与同该处理后的感测数据SENSE_OUT相对应的温度数据匹配的状态下,连同该温度数据一起存储在存储器721中,并且可以从存储器721读出该处理后的感测数据SENSE_OUT。
例如,针对各显示模式,可以将处理后的感测数据SENSE_OUT存储在存储器721中。显示模式可以包括高功率模式和低功率模式。高功率模式可以表示源极驱动器(图1中的120)所消耗的电力量和从其发出的热量大的情况,并且低功率模式可以表示源极驱动器(图1中的120)所消耗的电力量和从其发出的热量小的情况。因此,可以将以下的处理后的感测数据SENSE_OUT存储在存储器721中:诸如在高功率模式中使用的处理后的高功率室温感测数据H_ROOM_SENSE_OUT和处理后的高功率高温感测数据H_HOT_SENSE_OUT等、以及诸如在低功率模式中使用的处理后的低功率室温感测数据L_ROOM_SENSE_OUT和处理后的低功率高温感测数据L_HOT_SENSE_OUT等。
校准电路724可以根据显示模式经由MUX 701和702选择不同的处理后的感测数据SENSE_OUT。
MUX 701和702可以包括:第一MUX 701,用于接收处理后的高功率室温感测数据H_ROOM_SENSE_OUT和处理后的低功率室温感测数据L_ROOM_SENSE_OUT的输入;以及第二MUX702,用于接收处理后的高功率高温感测数据H_HOT_SENSE_OUT和处理后的低功率高温感测数据L_HOT_SENSE_OUT的输入。
MUX 701和702可以接收模式选择信号MODE_SEL。模式选择信号MODE_SEL可以控制MUX 701和702以根据源极驱动器(图1中的120)的显示模式来从存储器721选择不同的处理后的感测数据SENSE_OUT。模式选择器(未示出)或校准电路724中所包括的函数生成电路422可以将模式选择信号MODE_SEL发送至MUX 701和702。
例如,如果MUX 701和702接收到用于选择第一模式的模式选择信号MODE_SEL,则第一MUX 701可以从存储器721读出处理后的高功率室温感测数据H_ROOM_SENSE_OUT,并且第二MUX 702可以从存储器721读出处理后的高功率高温感测数据H_HOT_SENSE_OUT。可选地,如果MUX 701和702接收到用于选择第二模式的模式选择信号MODE_SEL,则第一MUX701可以从存储器721读出处理后的低功率室温感测数据L_ROOM_SENSE_OUT,并且第二MUX 702可以从存储器721读出处理后的低功率高温感测数据L_HOT_SENSE_OUT。
函数生成电路422可以从MUX 701和702接收处理后的感测数据SENSE_OUT,并且可以通过生成函数来输出校准温度数据CAL_TEMP_OUT。
例如,如果MUX 701和702接收到用于选择第一模式的模式选择信号MODE_SEL,则函数生成电路422可以根据处理后的高功率室温感测数据H_ROOM_SENSE_OUT和处理后的高功率高温感测数据H_HOT_SENSE_OUT来生成函数,并且可以对该函数的斜率和y轴截距进行补偿,由此生成补偿函数。数据计算电路125可以通过将处理后的感测数据SENSE_OUT应用于补偿函数来计算校准温度数据CAL_TEMP_OUT。可选地,如果MUX 701和702接收到用于选择第二模式的模式选择信号MODE_SEL,则函数生成电路422可以根据处理后的低功率室温感测数据L_ROOM_SENSE_OUT和处理后的低功率高温感测数据L_HOT_SENSE_OUT来生成函数。该函数可以是通过对函数的斜率和y轴截距进行校准所生成的。数据计算电路125可以通过将处理后的感测数据SENSE_OUT应用于该函数来计算校准温度数据CAL_TEMP_OUT。
尽管在上述实施例中已经说明了第一模式表示高功率模式并且第二模式表示低功率模式,但根据连接方法或模式选择信号MODE_SEL的特性,第一模式可以表示低功率模式,并且第二模式可以表示高功率模式。
如上所述,根据面板的驱动,可以根据源极驱动器(图1中的120)的功耗(或显示模式)来区别地使用数据,从而消除由源极驱动器(图1中的120)的功耗(热量)引起的感测温度与实际温度之间的任何差异。
图8是示出根据另一实施例的校准电路中的根据显示模式来选择偏移反映数据的处理的图。
参考图8,校准电路824可以使用反映校准处理中的偏移的处理后的感测数据SENSE_OUT。偏移的反映可以包括向数据加上特定值或从数据中减去特定值。另外,偏移可以主要反映在处理后的感测数据SENSE_OUT的电压数据中。在下文,可以将处理后的感测数据SENSE_OUT(电压数据)以与相应的温度数据匹配的方式连同该温度数据一起存储在存储器821中,或者可以将处理后的感测数据SENSE_OUT(电压数据)从存储器821读出。
可以针对各显示模式将处理后的感测数据SENSE_OUT存储在存储器821中,并且也可以将偏移数据SENSE_OFFSET存储在存储器821中。
校准电路824可以经由加法器805和806将偏移数据SENSE_OFFSET与存储器821内所存储的处理后的感测数据SENSE_OUT相加。可选地,校准电路824可以经由减法器(未示出)从存储器821内所存储的处理后的感测数据SENSE_OUT中减去偏移数据SENSE_OFFSET。
校准电路824可以将偏移数据SENSE_OFFSET反映到与任一显示模式相对应的处理后的感测数据SENSE_OUT。
例如,加法器805和806可以在低功率模式下仅将偏移数据SENSE_OFFSET反映到处理后的感测数据SENSE_OUT。加法器805和806可以将偏移数据SENSE_OFFSET的偏移值与处理后的低功率室温感测数据L_ROOM_SENSE_OUT相加,并且可以向处理后的低功率高温感测数据L_HOT_SENSE_OUT加上偏移值。可选地,加法器805和806也可以在高功率模式下将偏移数据SENSE_OFFSET反映到处理后的感测数据SENSE_OUT。加法器805和806可以将偏移数据SENSE_OFFSET的偏移值与处理后的高功率室温感测数据H_ROOM_SENSE_OUT相加,并且可以向处理后的高功率高温感测数据H_HOT_SENSE_OUT加上偏移值。
校准电路824可以根据显示模式来经由MUX 803和804选择反映偏移的处理后的感测数据SENSE_OUT。
MUX 803和804可以包括:第三MUX 803,用于接收处理后的高功率室温感测数据H_ROOM_SENSE_OUT和加上了偏移数据SENSE_OFFSET的处理后的低功率室温感测数据L_ROOM_SENSE_OUT的输入;以及第四MUX804,用于接收处理后的高功率高温感测数据H_HOT_SENSE_OUT和加上了偏移数据SENSE_OFFSET的处理后的低功率高温感测数据L_HOT_SENSE_OUT的输入。
MUX 803和804可以接收偏移选择信号OFFSET_SEL。偏移选择信号OFFSET_SEL可以控制MUX 803和804,以根据显示装置(图1中的100)的显示模式来从存储器821选择反映偏移数据SENSE_OFFSET的处理后的感测数据SENSE_OUT。偏移选择器(未示出)或者校准电路824中所包括的函数生成电路422可以将偏移选择信号OFFSET_SEL发送至MUX 803和804。
例如,如果MUX 803和804接收到用于选择偏移反映数据的偏移选择信号OFFSET_SEL,则第三MUX 803可以从存储器821读出加上了偏移数据SENSE_OFFSET的处理后的低功率室温感测数据L_ROOM_SENSE_OUT,并且第四MUX 804可以从存储器821读出加上了偏移数据SENSE_OFFSET的处理后的低功率高温感测数据L_HOT_SENSE_OUT。可选地,如果MUX 803和804接收到用于不选择偏移反映数据的偏移选择信号OFFSET_SEL,则第三MUX 803可以从存储器821读出处理后的高功率室温感测数据H_ROOM_SENSE_OUT,并且第四MUX 804可以从存储器821读出处理后的高功率高温感测数据H_HOT_SENSE_OUT。
MUX 801和802可以进行与图7所示的MUX 701和702相同的功能,但不同之处在于输入端子其中之一连接至MUX 803和804的输出端子。因此,如果MUX 801和802接收到用于选择第一模式的模式选择信号MODE_SEL,则第一MUX 801可以输出从第三MUX 803输出的数据(处理后的高功率室温感测数据H_ROOM_SENSE_OUT或加上了偏移数据SENSE_OFFSET的处理后的低功率室温感测数据L_ROOM_SENSE_OUT),并且第二MUX 802可以输出从第四MUX804输出的数据(处理后的高功率高温感测数据H_HOT_SENSE_OUT或加上了偏移数据SENSE_OFFSET的处理后的低功率高温感测数据L_HOT_SENSE_OUT)。
函数生成电路422可以使用最终从MUX 801和802输出的处理后的感测数据SENSE_OUT来生成函数。
如上所述,校准电路824可以根据面板的驱动根据高功率模式和低功率模式来选择不同的数据,并且可以进一步针对任一模式选择反映偏移数据SENSE_OFFSET的数据,由此生成校准温度数据CAL_TEMP_OUT。尽管图8示出将偏移数据SENSE_OFFSET反映在低功率模式下使用的处理后的低功率室温感测数据L_ROOM_SENSE_OUT和处理后的低功率高温感测数据L_HOT_SENSE_OUT中,但本发明不限于此,并且也可以将偏移数据SENSE_OFFSET反映在高功率模式下使用的处理后的高功率室温感测数据H_ROOM_SENSE_OUT和处理后的高功率高温感测数据H_HOT_SENSE_OUT中。
图9是示出根据另一实施例的显示装置的结构的图。
参考图9,显示装置900可以包括薄膜覆晶(COF)封装910。
薄膜覆晶封装910可以在其上安装有半导体芯片(例如,源极驱动器120)。源极驱动器120可以经由第一线L1从电路板920中所布置的定时控制器140接收图像数据,并且可以经由第二线L2将数据驱动信号输出至面板110。
薄膜覆晶封装910中所包括的源极驱动器120可以经由温度传感器121感测面板110的温度。薄膜覆晶封装910和面板110以彼此邻接的方式耦接的结构可以使得源极驱动器120能够感测面板110的温度。
面板110的温度可以与在校准源极驱动器120的处理中使用的电压数据和温度数据无关。也就是说,面板110的温度可以不是为了生成第二校准函数(图6中的612)而存储在存储器(图4中的421)中的温度数据。源极驱动器120可以经由温度传感器121感测面板110的温度,并且可以经由第二校准函数(图6中的612)输出新温度数据。源极驱动器120可以将所输出的温度数据表示为面板110的温度。
作为参考,上述校准可以在制造或测试源极驱动器120的处理中进行。优选地,该校准可以在源极驱动器120耦接至薄膜覆晶封装910之前进行。
如果薄膜覆晶封装910附接或耦接至面板110的任一表面以与其接触,则面板110的热可被传递到该表面。由于从面板110到薄膜覆晶封装910的热传递,因此薄膜覆晶封装910的温度可以与面板110的温度几乎相同。由于源极驱动器120包括在薄膜覆晶封装910中,因此源极驱动器120的温度也可以与面板110的温度几乎相同。源极驱动器120可以通过上述的校准处理输出校准温度,并且该校准温度可被视为面板110的温度。
薄膜覆晶封装910可以耦接至面板110的一个表面的整个区域。大的耦接区域可以促进从面板110向薄膜覆晶封装910的热传递,使得薄膜覆晶封装910的温度(即,源极驱动器120的温度)可以接近面板110的温度。可选地,如图9所示,如果薄膜覆晶封装910耦接至面板110的一个表面的一部分、使得薄膜覆晶封装910的整个区域与该部分接触,则源极驱动器120的温度可以接近面板110的温度。
图10是示出根据另一实施例的源极驱动器和面板之间的耦接的示例的截面图。
参考图10,薄膜覆晶封装910可以包括源极驱动器120、绝缘层1011、金属线层1012、薄膜层1013、缓冲器(bumper)1014和散热板1015。
绝缘层1011可以位于金属线层1012上,由此提高金属线层1012的绝缘并且保护金属线不受外部影响。绝缘层1011可以包括所谓的表面抗蚀(SR)材料。
金属线层1012可以由要布置在薄膜层1013上的多个金属线形成。金属线层1012可以包括第一线(参见图9中的L1)和第二线(参见图9中的L2)。
金属线层1012可以由诸如铜等的金属材料形成,并且可以经由缓冲器1014电连接至源极驱动器120。
作为柔性膜的薄膜层1013可以是聚酰亚胺基柔性薄膜。
缓冲器1014可以形成在源极驱动器120的下表面上,并且可以耦接至金属线层1012的暴露部分(即,未形成有绝缘层1011的部分),由此电连接源极驱动器120和金属线层1012。
散热板1015可以***在薄膜层1013和面板110之间,并且可以促进源极驱动器120和面板110之间的热传递。由于散热板1015包括由诸如铝等的金属材料制成的散热金属,因此散热板1015可以具有高导热性。面板110的热可以经由散热板1015、薄膜层1013、金属线层1012和缓冲器1014(参见虚线箭头)传递至源极驱动器120。
如果在散热板1015作为薄膜覆晶封装910和面板110之间的边界的情况下、薄膜覆晶封装910附接至面板110或与面板110接触,则面板110的热可以传递到源极驱动器120。源极驱动器120的温度可以与面板110的温度相同,并且根据本发明的实施例,源极驱动器120可以感测该温度,并且可以输出校准温度。***在源极驱动器120和面板110之间的散热板1015可以帮助源极驱动器120准确地识别面板110的温度。
图11是示出根据本发明实施例的用于温度的校准的实验结果的第一示例的图。
图11示出将通过根据本发明实施例的校准处理所输出的校准温度与实际温度进行比较的表。
在将第一样品(样品1)和第二样品(样品2)放置在腔室中并且将腔室的温度顺次设置为-20℃、0℃、10℃、20℃、30℃、40℃、50℃和90℃的情况下,第一样品和第二样品的校准温度与腔室的实际温度几乎相同。第一样品和第二样品可以是用于实现本发明实施例的源极驱动器(图1中的120),或者可以是包括这些源极驱动器的显示装置(图1中的100)。
第一样品在-20℃、0℃、10℃和20℃下表现出相同的值,但在一些区间中存在约为1℃的误差。第二样品在0℃、10℃、20℃和30℃下也表现出相同的值,但在一些区间中存在约为1℃的误差。
图12是示出根据本发明实施例的用于温度的校准的实验结果的第二示例的图。
图12示出将通过根据本发明实施例的校准处理所输出的校准温度与实际温度进行比较的曲线图。
该曲线图是通过以下所获得的:将在连续配置腔室的温度的情况下从放置在腔室中的样品输出了5次(N=5)的校准温度的平均值(表示为“结果”)与腔室的实际温度(表示为“腔室温度”)进行比较。该曲线图示出样品的平均校准温度值与腔室的实际温度值匹配。
图13是示出根据本发明实施例的用于温度的校准的实验结果的第三示例的图。
图13示出表示通过根据本发明实施例的校准处理所输出的校准温度与实际温度之间的差的曲线图。
该曲线图示出:在连续配置腔室的温度的情况下从放置在腔室中的样品输出的校准温度与腔室的实际温度(表示为“腔室温度”)相比在一些区间中存在约0.2℃的差(表示为“结果”),但该差从10℃的温度起减小,并且最终变为与实际温度相同。
图14是示出表示现有温度感测误差的第一示例的图,并且图15是示出表示现有温度感测误差的第二示例的图。
图14和图15示出表示根据从根据现有技术制造的产品组输出的温度(表示为“输出”)而输出实际温度的样品的数量(表示为“样品数量”)的曲线图。
在图14中的实际温度为30℃的环境中,传统产品(源极驱动器或显示装置)可以输出在28℃~32℃的误差范围内的温度。大多数产品输出值29.8℃、30.25℃和30.7℃,这些值与实际温度30℃相差很大。这可以表明现有技术的温度感测功能相对不准确。
在图15的实际温度为90℃的环境中,传统产品(源极驱动器或显示装置)可以输出在86℃~97℃的误差范围内的温度。大多数产品输出值为90.1℃、91.3℃、92.4℃和93.6℃,这些值与实际温度90℃相差很大。这也可以表明现有技术的温度感测功能相对不准确。
相关申请的交叉引用
本申请要求2019年9月16日提交的韩国专利申请10-2019-0113249的优先权,如同在这里全部阐述一样,其通过引用而被包含于此以用于所有目的。

Claims (16)

1.一种源极驱动器,包括:
校准电路,其被配置为根据取决于所述源极驱动器的功耗的各模式,来不同地获得多个温度数据和与多个温度数据相对应的多个电压数据,并且根据所获得的多个温度数据和所获得的多个电压数据来生成温度和电压之间的函数;以及
数据计算电路,其被配置为接收输入电压数据并且将所述输入电压数据应用于所述函数,由此计算与所述输入电压数据相对应的温度数据。
2.根据权利要求1所述的源极驱动器,其中,所述模式包括用于第一功耗的第一模式和用于比所述第一功耗低的第二功耗的第二模式,所述源极驱动器还包括存储器,所述存储器被配置为存储根据所述第一模式的第一组多个温度数据和第一组多个电压数据、以及根据所述第二模式的第二组多个温度数据和第二组多个电压数据。
3.根据权利要求2所述的源极驱动器,其中,所述校准电路被配置为根据所述模式来从所述存储器读出多个温度数据和多个电压数据,并且根据所读取的多个温度数据和所读取的多个电压数据来生成所述函数。
4.根据权利要求1所述的源极驱动器,其中,所述功耗由面板的刷新率即RR确定。
5.根据权利要求1所述的源极驱动器,还包括被配置为存储偏移数据的存储器,其中,所述校准电路被配置为根据通过将所述偏移数据反映到所述多个电压数据所获得的数据来生成所述函数。
6.根据权利要求5所述的源极驱动器,其中,所述校准电路包括多路复用器即MUX,所述多路复用器被配置为选择所述多个电压数据或所述偏移数据。
7.根据权利要求1所述的源极驱动器,还包括温度传感器,所述温度传感器被配置为生成与所述多个电压数据和所述输入电压数据相对应的信号。
8.一种显示装置,包括:
面板;以及
源极驱动器,其耦接至所述面板的一个表面,并且被配置为:从所述面板接收热,获得第一温度数据、与所述第一温度数据相对应的第一电压数据、第二温度数据和与所述第二温度数据相对应的第二电压数据,根据所述第一温度数据、所述第一电压数据、所述第二温度数据和所述第二电压数据来生成温度和电压之间的函数,接收第三电压数据,并且通过将所述第三电压数据应用于所述函数来计算与所述第三电压数据相对应的第三温度数据。
9.根据权利要求8所述的显示装置,还包括散热板,所述散热板位于所述面板和所述源极驱动器之间,以将热从所述面板传递至所述源极驱动器。
10.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述第三温度数据是所述面板的温度。
11.一种源极驱动器,包括:
校准电路,其被配置为获得第一温度数据、与所述第一温度数据相对应的第一电压数据、第二温度数据和与所述第二温度数据相对应的第二电压数据,并且根据所述第一温度数据、所述第一电压数据、所述第二温度数据和所述第二电压数据来生成温度和电压之间的函数;以及
数据计算电路,其被配置为接收第三电压数据,并且通过将所述第三电压数据应用于所述函数来计算与所述第三电压数据相对应的第三温度数据。
12.根据权利要求11所述的源极驱动器,还包括被配置为存储数据的存储器,其中,所述校准电路被配置为从所述存储器读出所述第一温度数据、所述第一电压数据、所述第二温度数据和所述第二电压数据。
13.根据权利要求11所述的源极驱动器,还包括温度传感器,所述温度传感器被配置为根据温度来生成与所述第一电压数据至所述第三电压数据相对应的第一模拟信号至第三模拟信号。
14.根据权利要求13所述的源极驱动器,还包括模数转换器,所述模数转换器被配置为将所述第一模拟信号至所述第三模拟信号数字化成所述第一电压数据至所述第三电压数据。
15.根据权利要求11所述的源极驱动器,其中,所述函数是通过组合所述第一温度数据、所述第一电压数据、所述第二温度数据和所述第二电压数据所获得的线性函数。
16.根据权利要求15所述的源极驱动器,其中,所述校准电路被配置为通过调整所述函数的斜率和所述函数的偏移来生成所述函数。
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