CN112499636A - 半导体废弃封装材的二氧化硅再生方法 - Google Patents

半导体废弃封装材的二氧化硅再生方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112499636A
CN112499636A CN202011254808.4A CN202011254808A CN112499636A CN 112499636 A CN112499636 A CN 112499636A CN 202011254808 A CN202011254808 A CN 202011254808A CN 112499636 A CN112499636 A CN 112499636A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon dioxide
packaging material
filter cake
decomposition
waste
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202011254808.4A
Other languages
English (en)
Inventor
谢雅敏
周信辉
谢兴文
张沛翎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chengxin Industrial Co ltd
Original Assignee
Chengxin Industrial Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chengxin Industrial Co ltd filed Critical Chengxin Industrial Co ltd
Priority to CN202011254808.4A priority Critical patent/CN112499636A/zh
Publication of CN112499636A publication Critical patent/CN112499636A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
    • C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
    • C01B33/18—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/80—Compositional purity

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

本发明公开了一种半导体废弃封装材的二氧化硅再生方法，其方法如下：将废弃封装材进行破碎；将所得的封装材碎片置于承载盘，置入一烘箱进行裂化处理，使热固性树脂产生缺陷或裂隙，或使热固性树脂与二氧化硅粉体的接口产生裂隙或分离；将裂化处理所得的封装材碎片，置入加热分解槽，再加入分解液进行分解；将已分解完成的封装材及分解液，以第一压滤机过滤，得到二氧化硅滤饼，将此滤饼置入清洗槽以纯水进行搅拌清洗；将清洗完成的二氧化硅以第二压滤机过滤，得到白色的二氧化硅滤饼；将所得的二氧化硅滤饼进行烘干；将所得的块状二氧化硅进行破碎及分级，如此，可得到纯度大于99％的高纯度二氧化硅粉体。

Description

半导体废弃封装材的二氧化硅再生方法
技术领域
本发明涉及一种半导体废弃封装材的二氧化硅再生方法。
背景技术
半导体的废弃封装材一般称为废压模胶，为芯片封装制程的下脚料，为制程的废弃物，其成分为含有二氧化硅70％～90％的热固性树脂，一般处理该半导体废弃封装材的方式是委由清除处理机构采掩埋或焚化处理；近年来已有业者将废压模胶作为水泥替代原料或纤维强化塑料(FRP)补强材，压模胶主要成分为二氧化硅可替代部分水泥原物料，压模胶另一成分为热固性树脂具有高热值可部分替代燃料，利用压模胶这二项成分特性，可用于水泥厂进行水泥原物料替代的资源化作用，该废弃封装材另一可作为FRP补强材，将不能用的热固性树脂材料按各种比率与纯树脂相拌合，使其得以作为FRP补强材再利用，然，现有对废弃封装材再利用的用途，均为使用单一性，无法将废弃封装材中的二氧化硅提纯，以供不同用途使用。
发明内容
本发明的主要目的，在于提供一种半导体废弃封装材的二氧化硅再生方法，可有效解决半导体废弃封装材的处理问题。
本发明半导体废弃封装材的二氧化硅再生方法，其包括以下步骤：
(1)将废弃封装材进行破碎，破碎后的尺寸为1.0mm～5.0mm；
(2)将步骤(1)所得的封装材碎片置于承载盘，置入一烘箱进行裂化处理，使热固性树脂产生缺陷或裂隙，或使热固性树脂与二氧化硅粉体的接口产生裂隙或分离，处理温度为250～350℃，处理时间为10～60分钟；
(3)将步骤(2)裂化处理所得的封装材碎片，置入加热分解槽，再加入分解液进行分解，封装材碎片与分解液的重量比例为1：1～1：2，加热温度为40℃～80℃，搅拌时间为1～3小时；
(4)将步骤(3)已分解完成的封装材及分解液，以第一压滤机过滤，得到二氧化硅滤饼，将该滤饼置入清洗槽以纯水进行搅拌清洗，清洗时间为15～30分钟；
(5)将步骤(4)清洗完成的二氧化硅以第二压滤机过滤，得到白色的二氧化硅滤饼；
(6)将步骤(5)所得的二氧化硅滤饼以100℃～150℃烘干60～200分钟，得到块状二氧化硅；
(7)将步骤(6)所得的块状二氧化硅进行破碎及分级，得到大于99％高纯度二氧化硅粉体。
本发明半导体废弃封装材的二氧化硅再生方法，其中，该分解液由无机酸以及去离子水组成，该无机酸为盐酸、硝酸、硫酸或磷酸，浓度为10％～35％v/v。
本发明半导体废弃封装材的二氧化硅再生方法，其优点在于：可将半导体的废弃封装材再生为高纯度的二氧化硅粉体，经过粒度分级后可作为耐火材料、工业用填充材或陶瓷材料等的原料，具有更广泛的用途，可使废弃封装材达到最佳的资源化再利用。
附图说明
图1所示为废弃封装材的构造示意图；
图2所示为本发明实施例二氧化硅再生方法的流程图；
图3所示为本发明实施例未处理前的原样外观图；
图4所示为本发明实施例分解中的外观图；
图5所示为本发明实施例所分离出的二氧化硅粉体外观图；
图6所示为本发明实施例二氧化硅成分含量与搅拌时间及温度的关系图。
符号说明：
1废弃封装材
10热固性树脂
11二氧化硅粉体
具体实施方式
有关本发明为达上述的使用目的与功效，所采用的技术手段，兹举出较佳可行的实施例，并配合图式所示，详述如下：
本发明的实施例，本发明是以湿式处理法对半导体废弃封装材进行二氧化硅再生处理，使用自行调配的分解液，将半导体废弃封装材1的热固性树脂10进行分解或溶解，可分离出二氧化硅粉体11的技术，请参阅图1～5所示，其步骤如下：
(1)将废弃封装材进行破碎，破碎的后尺寸为1.0mm～5.0mm；
(2)将步骤(1)所得的封装材碎片置于承载盘，置入一烘箱进行裂化处理，目的在使热固性树脂产生缺陷或裂隙，或使热固性树脂与二氧化硅粉体的接口产生裂隙或分离，其处理温度为250～350℃，处理时间为10～60分钟；
(3)将步骤(2)裂化处理所得的封装材碎片，置入加热分解槽，再加入分解液进行分解，该分解液由无机酸以及去离子水组成，该无机酸为盐酸、硝酸、硫酸或磷酸，浓度为10％～35％v/v，该封装材碎片与分解液的重量比例为1：1～1：2，其加热温度为40℃～80℃，搅拌时间为1～3小时；
(4)将步骤(3)已分解完成的封装材及分解液，以第一压滤机进行过滤，得到二氧化硅滤饼，将该滤饼置入清洗槽以纯水进行搅拌清洗，清洗时间为15～30分钟；
(5)将步骤(4)清洗完成的二氧化硅以第二压滤机进行过滤，得到白色的二氧化硅滤饼；
(6)将步骤(5)所得的二氧化硅滤饼以100℃～150℃烘干60～200分钟；
(7)将步骤(6)所得的块状二氧化硅进行破碎及分级，得到纯度大于99％的高纯度二氧化硅粉体。
以本发明废弃封装材的二氧化硅再生方法进行实际处理，其范例如下：
废弃封装材在经300℃裂化处理60分钟后，以封装材与分解液重量比例为1：2条件下于搅拌槽内分别以40℃、60℃、80℃加热搅拌处理，搅拌时间1～3小时，分解后的材料经过滤、清洗、烘干后，再量测其残留的二氧化硅含量，二氧化硅成分含量与搅拌时间及搅拌温度的关系如图6所示。
上述实施例仅是针对本发明的较佳实施例进行具体说明而已，该实施例并非用以限定本发明的申请专利范围，举凡其它未脱离本发明所揭示的技术手段下所完成的均等变化与修饰，均应包含于本发明所涵盖的申请专利范围中。

Claims (2)

1.一种半导体废弃封装材的二氧化硅再生方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将废弃封装材进行破碎，破碎后的尺寸为1.0mm～5.0mm；
(2)将步骤(1)所得的封装材碎片置于承载盘，置入一烘箱进行裂化处理，使热固性树脂产生缺陷或裂隙，或使热固性树脂与二氧化硅粉体的接口产生裂隙或分离，处理温度为250～350℃，处理时间为10～60分钟；
(3)将步骤(2)裂化处理所得的封装材碎片，置入加热分解槽，再加入分解液进行分解，封装材碎片与分解液的重量比例为1：1～1：2，加热温度为40℃～80℃，搅拌时间为1～3小时；
(4)将步骤(3)已分解完成的封装材及分解液，以第一压滤机过滤，得到二氧化硅滤饼，将该滤饼置入清洗槽以纯水进行搅拌清洗，清洗时间为15～30分钟；
(5)将步骤(4)清洗完成的二氧化硅以第二压滤机过滤，得到白色的二氧化硅滤饼；
(6)将步骤(5)所得的二氧化硅滤饼以100℃～150℃烘干60～200分钟，得到块状二氧化硅；
(7)将步骤(6)所得的块状二氧化硅进行破碎及分级，得到纯度大于99％的高纯度二氧化硅粉体。
2.如权利要求1所述的半导体废弃封装材的二氧化硅再生方法，其特征在于，该分解液由无机酸以及去离子水组成，该无机酸为盐酸、硝酸、硫酸或磷酸，浓度为10％～35％v/v。
CN202011254808.4A 2020-11-11 2020-11-11 半导体废弃封装材的二氧化硅再生方法 Pending CN112499636A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011254808.4A CN112499636A (zh) 2020-11-11 2020-11-11 半导体废弃封装材的二氧化硅再生方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011254808.4A CN112499636A (zh) 2020-11-11 2020-11-11 半导体废弃封装材的二氧化硅再生方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112499636A true CN112499636A (zh) 2021-03-16

Family

ID=74956135

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011254808.4A Pending CN112499636A (zh) 2020-11-11 2020-11-11 半导体废弃封装材的二氧化硅再生方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112499636A (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1126984A (zh) * 1994-04-11 1996-07-17 宇部日东化成株式会社 交联树脂包覆二氧化硅微粒及其制造方法
CN1483754A (zh) * 2003-07-30 2004-03-24 哈尔滨工业大学 一种热固性环氧复合材料的化学回收方法
JP2013126925A (ja) * 2011-12-16 2013-06-27 Jgc Catalysts & Chemicals Ltd シリカ粒子、その製造方法および半導体実装用ペースト
CN107364870A (zh) * 2017-08-30 2017-11-21 宁晋松宫电子材料有限公司 一种半熔底部籽晶的高效除杂破碎工艺
CN110127708A (zh) * 2019-05-01 2019-08-16 黄冈师范学院 一种SiO2纯度≥99.99%高纯石英砂的提纯方法
CN110203934A (zh) * 2018-07-16 2019-09-06 成亚资源科技股份有限公司 废弃封装材的二氧化硅再生方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1126984A (zh) * 1994-04-11 1996-07-17 宇部日东化成株式会社 交联树脂包覆二氧化硅微粒及其制造方法
CN1483754A (zh) * 2003-07-30 2004-03-24 哈尔滨工业大学 一种热固性环氧复合材料的化学回收方法
JP2013126925A (ja) * 2011-12-16 2013-06-27 Jgc Catalysts & Chemicals Ltd シリカ粒子、その製造方法および半導体実装用ペースト
CN107364870A (zh) * 2017-08-30 2017-11-21 宁晋松宫电子材料有限公司 一种半熔底部籽晶的高效除杂破碎工艺
CN110203934A (zh) * 2018-07-16 2019-09-06 成亚资源科技股份有限公司 废弃封装材的二氧化硅再生方法
CN110127708A (zh) * 2019-05-01 2019-08-16 黄冈师范学院 一种SiO2纯度≥99.99%高纯石英砂的提纯方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
郑翠红;孙颜刚;杨文雁;朱伟长;闫勇;: "石英砂提纯方法研究" *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101051207B1 (ko) 희토류 금속 산화물을 기반으로 하는 ｌｃｄ 및 ｐｄｐ 유리패널용 재생 무기 연마재 및 이를 제조하기 위한 무기 연마재 폐슬러지 재생 방법
CN102041128A (zh) 一种煤的化学脱灰方法
CN101033066A (zh) 碳化硅微粉回收的方法
CN104017366A (zh) 硅橡胶裂解回收再生工艺
EP3500379A1 (en) Processes for recovering sand and active clay from foundry waste
CN1084223A (zh) 提高钛铁物料品位的方法
CN112499636A (zh) 半导体废弃封装材的二氧化硅再生方法
CN110203934A (zh) 废弃封装材的二氧化硅再生方法
CN214022570U (zh) 半导体废弃封装材的二氧化硅再生设备
CN106241794B (zh) 一种从蓝宝石研磨废料浆中回收金刚石的方法及产品
CN107902659A (zh) 一种从蓝宝石研磨废料中回收提纯碳化硼的方法
TWI735357B (zh) 半導體廢棄封裝材之二氧化矽再生方法
CN1962437A (zh) 去除硅砂表面薄膜铁的草酸浸出法
JP6431979B2 (ja) ブリケットの製造方法及びこれを用いて製造されたブリケット
CN101811699A (zh) 一种回收碳化硅微粉的方法
KR101188313B1 (ko) 태양전지용 웨이퍼 제조시 발생되는 폐슬러지 재생방법 및 재생시스템
TWM570199U (zh) Waste ceria recycling equipment
CN105197959B (zh) 从化学浮选法处理低品铝土矿工艺中回收氟资源的方法
TWI667084B (zh) Waste copper dioxide regeneration method for waste packaging materials
CN107986284A (zh) 一种从蓝宝石研磨废料中回收利用碳化硼的方法
CN108296267A (zh) 工业化处理烧结赤泥的方法
TWM605911U (zh) 半導體廢棄封裝材之二氧化矽再生設備
CN208413866U (zh) 废弃封装材的二氧化硅再生设备
CN111662484A (zh) 一种将铸造粉尘加工改性为天然橡胶补强剂的方法
TWI667083B (zh) Waste copper dioxide regeneration method for waste packaging materials

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination