CN112445087A - 基片处理装置、基片处理方法和存储介质 - Google Patents

基片处理装置、基片处理方法和存储介质 Download PDF

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Abstract

本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质。基片处理装置(1)包括：在处理容器内保持基片的保持部，其中上述基片在表面形成有由EUV光刻用抗蚀剂材料构成的图案；使上述保持部旋转的旋转驱动部；和具有多个光源的光源部，其对由上述保持部保持的上述基片的表面照射包含真空紫外光的光，其中上述保持部通过上述旋转驱动部以0.5rpm～3rpm的转速旋转。本发明能够在使用了适合于EUV光刻的抗蚀剂材料的基片中改善表面的粗糙度。

Description

基片处理装置、基片处理方法和存储介质
技术领域
本发明涉及基片处理装置、基片处理方法和存储介质。
背景技术
专利文献1记载了一种技术，在半导体器件的制造工艺中，依次进行：对形成于基片的表面的、曝光后进行了图案化的抗蚀剂的前表面照射波长200nm以下的光的步骤；和进行抗蚀剂膜的下层膜的蚀刻的步骤。照射波长200nm以下的光的步骤(以下，简称为照射光的步骤。)，目的在于例如改善抗蚀剂膜的粗糙度(凸凹)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特许第3342856号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供一种能够在使用了适合于EUV光刻的抗蚀剂材料的基片上改善表面的粗糙度的技术。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方式的基片处理装置包括：在处理容器内保持基片的保持部，其中上述基片在表面形成有由EUV光刻用抗蚀剂材料构成的图案；使上述保持部旋转的旋转驱动部；和具有多个光源的光源部，其对由上述保持部保持的上述基片的表面照射包含真空紫外光的光，其中上述保持部通过上述旋转驱动部以0.5rpm～3rpm的转速旋转。
发明效果
依照本发明，提供一种能够在使用了适合于EUV光刻的抗蚀剂材料的基片上改善表面的粗糙度的技术。
附图说明
图1是表示一个例示的实施方式的基片处理装置的图。
图2是例示由基片处理装置对基片进行的处理的示意图。
图3是例示基片处理装置中的光源的配置的示意图。
图4是例示控制器的功能性的构成的框图。
图5是例示控制器的硬件构成的框图。
图6是例示基片处理装置中的基片处理时的压力变化的图。
图7是例示评价试验1的结果的图。
图8是例示旋转的基片接收的光的强度变化的图。
图9是例示基片中的照度分布的图。
图10是例示评价试验2的结果的图。
图11是例示评价试验3的结果的图。
图12是例示评价试验4的结果的图。
附图标记说明
1……基片处理装置；13……抗蚀剂图案；20……处理室；21……壳体；22……输送口；23……闸阀；25……旋转支承部；26……保持部；27……旋转驱动部；30……气体供给部；35……气体排出部；40……光照射机构；41……壳体；42……光源；44……点光源；100……控制器。
具体实施方式
以下，对各种例示的实施方式进行说明。
在一个例示的实施方式中，基片处理装置包括：在处理容器内保持基片的保持部，其中上述基片在表面形成有由EUV光刻用抗蚀剂材料构成的图案；使上述保持部旋转的旋转驱动部；和具有多个光源的光源部，其对通过上述旋转驱动部进行旋转上述保持部所保持的上述基片的表面照射包含真空紫外光的光，用上述光源部照射光时的上述基片的转速为0.5rpm～3rpm。
在表面形成有由EUV光刻用抗蚀剂材料构成的图案的基片中，在对图案照射真空紫外光的情况下，尤其低波长侧的光的侵入变得不充分。与此相对，依照上述的基片处理装置，通过使转速处于上述的范围，低波长侧的光也变得容易侵入图案，因此能够提高表面的粗糙度的改善效果。
此处，可以为如下方式：在用上述光源部照射光的期间使上述基片的转速变化。
通过照射光时的基片的转速，能够使侵入图案的光的成分变化。因此，通过采用一边使转速变化一边照射光的构成，能够使适合于改善表面的粗糙度的光的成分侵入图案，能够进一步提高表面的粗糙度的改善效果。
也可以为如下方式：在用上述光源部照射光的期间使上述基片暂时停止旋转。
如上所述，通过采用使旋转暂时停止的构成，能够调整对图案照射的光的量等。因此，能够使适合于改善表面的粗糙度的光的成分侵入图案，能够进一步提高表面的粗糙度的改善效果。
可以为如下方式：包括对上述处理容器内供给非活性气体的气体供给部和从上述处理容器内排出气体的气体排出部，上述气体供给部和上述气体排出部在用上述光源部照射光的期间，一边使上述处理容器内的压力变化一边进行上述气体的供给和排出。
如上所述，在用光源部照射光的期间，一边使处理容器内的压力变化一边进行气体的供给和排出，由此能够一边使处理容器内的压力成为与基片的表面状况相应的状态，一边对图案照射真空紫外光。
在一个例示的实施方式中，基片处理方法中，一边在处理容器内使基片以0.5rpm～3rpm的转速旋转，一边从具有多个光源的光源部对上述基片的表面照射包含真空紫外光的光，其中上述基片在表面形成有由EUV光刻用抗蚀剂材料构成的图案。
依照上述的基片处理方法，通过使转速处于上述的范围，而低波长侧的光变得容易侵入图案，因此能够提高表面的粗糙度的改善效果。
在另一例示的实施方式中，存储介质是计算机可读存储介质，其中存储有用于使装置执行上述的基片处理方法的程序。
以下，参照附图，详细说明各种例示的实施方式。此外，在各附图中对相同或相应的部分标注相同的附图标记。
[基片处理装置的结构]
图1是表示本实施方式的基片处理装置的示意图(纵截侧视图)。图1所示基片处理装置1对晶片W(基片)照射处理用的光。例如，基片处理装置1构成为对形成于晶片W表面的抗蚀剂膜或者抗蚀剂图案照射真空紫外光(VUV光：Vacuum Ultra Violet Light)，来改善上述的抗蚀剂材料的表面的粗糙度。
晶片W呈圆板状，不过也可以使用呈圆形的一部分欠缺或者多边形等圆形以外的形状的晶片。晶片W例如可以为半导体基片、玻璃基片、掩模基片、FPD(Flat PanelDisplay：平板显示器)基片这样的其他各种基片。
图2表示由基片处理装置1对晶片W进行处理的例子。如图2的(a)所示，在晶片W中，在作为下层膜的SOC膜11(Silicon-on-Carbon)和SOC膜11上的SOG膜12(Silicon-on-Glass)上有形成抗蚀剂图案13。在基片处理装置1中，通过对这样的晶片W的表面照射处理用的光L1，以如图2的(b)所示改善抗蚀剂图案13的表面的粗糙度。此外，抗蚀剂图案13是用于对作为下层膜的SOC膜11和SOG膜12进行蚀刻以在上述的下层膜形成图案的掩模图案。
返回图1，对基片处理装置1的各部进行说明。基片处理装置1如图1所示包括处理室20、光照射机构40(光源部)和控制器100(控制部)。此外，在图1中，仅示出光照射机构40所包含的结构的一部分。
处理室20包括壳体(处理容器)21、输送口22、旋转支承部25、气体供给部30和气体排出部35。壳体21例如是设置于大气气氛中的真空容器的一部分，构成为能够收纳由输送机构(未图示)输送的晶片W。即，壳体21作为在内部进行晶片W的处理的处理容器发挥作用。在基片处理装置1中，在壳体21内收纳有晶片W的状态下对晶片W进行处理。在壳体21的侧壁形成有输送口22。输送口22是用于对壳体21送入送出晶片W的开口。输送口22由闸阀23开闭。
旋转支承部25具有在壳体21内基于控制器100的指示一边使晶片W旋转一边保持晶片W的功能。旋转支承部25例如具有保持部26和旋转驱动部27。保持部26以使形成有抗蚀剂图案13的表面朝上的方式支承水平配置的晶片W的中央部分，通过例如真空吸附等保持该晶片W。旋转驱动部27具有使保持有晶片W的保持部26与该晶片W一起绕铅垂的轴线A1旋转的功能。旋转驱动部27例如是以电动马达为动力源的旋转致动器。
气体供给部30构成为经由形成于壳体21的贯通孔21a对壳体21内供给非活性气体(例如，氩气、氮气等)。气体供给部30具有气体源30a、阀30b和配管30c。气体源30a贮存非活性气体，作为非活性气体的供给源发挥作用。阀30b基于来自控制器100的动作信号进行动作，将配管30c开放和封闭。配管30c从上游侧起依次连接气体源30a、阀30b和贯通孔21a。
气体排出部35经由形成于壳体21的贯通孔21b排出来自壳体21的气体。气体排出部35具有真空泵35a和配管35c。真空泵35a从壳体21内排出气体。配管35c连接贯通孔21b和真空泵35a。
光照射机构40包括壳体41、光源42和开关43。壳体41设置于壳体21的上部。光源42在壳体41内收纳有多个。图3是表示光源42的配置的一例的平面图。光源42在俯视观察时沿以作为保持部26的旋转轴的轴线A1为中心的2个同心圆配置。具体而言，沿内侧的圆在周向上隔开间隔地配置有4个光源42，沿外侧的圆在周向上隔开间隔地配置有8个光源42。此外，用如上述那样配置的光源42，对由保持部26保持的晶片W的表面整体照射光。此外，开关43切换光源42的点亮的开启和关闭。开关43的动作由控制器100控制。此外，光源42的配置例是仅一例，可以适当改变。
光源42例如照射115nm～400nm的波长的光，即具有115nm～400nm的连续光谱的光。具有该范围的连续光谱的光也可以包含波长为10nm～200nm的光(即，VUV光)，并且包含波长比VUV光长的近紫外光(近紫外线)。能够使来自光源42的光包含波长160nm以下的区域的光。光源42例如是氘灯，构成为能够照射波长为200nm以下的VUV光。连续光谱的峰值的波长例如可以为160nm以下，也可以为150nm以上。
从光源42照射的光的光谱的波段比较宽，因此，晶片W上的抗蚀剂图案13接收各种波长的光的能量。其结果，在抗蚀剂图案13的表面发生各种反应。具体而言，通过将构成抗蚀剂图案13的分子中的各个位置处的化学键切断，而生成各种化合物，因此能够消除在光照射前存在于抗蚀剂膜中的分子所具有的取向性。其结果，抗蚀剂图案13中的表面自由能降低，内部应力降低。即，通过使用光源42作为光源，而抗蚀剂图案13的表面的流动性容易变高，作为其结果，能够提高该表面的粗糙度的改善效果。
另外，在抗蚀剂图案13中，在照射来自光源42的光(尤其是VUV光)的期间和照射后也发生交联反应。由于在抗蚀剂图案13中同时发生交联反应，因此抗蚀剂图案13的表面固化，其结果为蚀刻耐受性变高。所以，在将该抗蚀剂图案13作为掩模进行下层膜的蚀刻时，能够改善下层膜中的图案表面的粗糙度(roughness)。
从光源42照射的光之中波长比160nm短的光的成分对改善上述抗蚀剂图案13和下层膜中的图案表面的粗糙度(roughness)有很大帮助。例如确认了：在仅将波长比160nm长的光照射到抗蚀剂图案的情况下，不能充分进行表面的粗糙度(roughness)的改善，而仅进行化学键的切断。但是，仅照射波长比160nm短的光，也不能充分进行表面的粗糙度的改善。因此，如氘灯那样的具有包含波长比160nm长的光和波长比160nm短的光这两者的连续光谱的光，对于改善表面的粗糙度是重要的。
另外，关于照射到抗蚀剂图案13的来自光源42的光，波长越大，在其强度越大的情况下越能够到达该抗蚀剂图案13的深层。但是，从光源42照射的光的光谱的峰值的波长，如上所述包含于VUV光的波段(10nm～200nm)，因此，从光源42照射的光中，具有比较大的波长的光的强度较小。所以，从光源42照射的光到达抗蚀剂膜的深层的部分较少，能够抑制在该抗蚀剂膜的深层切断上述的分子的键。即，通过使用光源42，能够在抗蚀剂图案13中将因光照射而发生反应的区域限定在表面。
对于VUV光区域的光而言，根据波长的不同而VUV光区域的光在抗蚀剂图案中的到达深度发生变化这一情况是相同的。即，如上所述，与光强度变得最大的波长150nm～160nm附近的光相比，波长长的成分能够到达抗蚀剂图案13的深层(例如，150nm以上)。另一方面，波长比150nm小的成分仅到达抗蚀剂图案13的表面附近(例如，50nm以下)。此外，波长比150nm小的成分在VUV光之中与峰值的波段相比强度小。即，对表面的粗糙度(roughness)的改善有帮助的、波长比160nm短的光的成分仅到达抗蚀剂图案13的表面附近(不到达深层)，在表面附近促进了因交联反应导致的抗蚀剂图案13的表面的固化。如上所述，波长比160nm短的光的成分对于促进抗蚀剂图案13的表面附近的交联反应是重要的。如上所述，波长比160nm短的光的对抗蚀剂图案13的影响较大，能够促进抗蚀剂图案13所包含的成分的侧链等的解离、内部应力的降低和交联反应。另一方面，在改善抗蚀剂图案13整体的膜质时，还需要波长比160nm长的光，因此，通过以适当的平衡照射上述光，能够实现膜质的改善。
光源42生成与高斯分布的光相比强度分布平坦的平顶(top hat)型的光。此外，即使是平顶型的光，强度分布也并非完全形成为平坦的。即，照射从光源42内的点光源44(参照图1)出射的具有照射范围的光，具体而言，向晶片W照射具有以点光源44为顶点的圆锥状的光路的真空紫外光。如上所述，从光源42照射的光在照射面中照射范围为圆形。此外，在图3中，用虚线表示从各光源42输出的光在晶片W表面的大致传播范围。
VUV光在存在氧的气氛中与该氧发生反应，因此抗蚀剂图案13的粗糙度的改善效果会降低。所以，如后文所述，为了在处理晶片W时除去壳体21内的氧，在壳体21内形成真空气氛。在此，如上述那样，通过光照射将键切断而生成的分子量较小的分子，容易作为气体被释放到该真空气氛中，而如上所述在抗蚀剂膜的深层不容易发生这样的键的切断，因此能够抑制气体从该深层释放。所以，对于该抗蚀剂图案13，能够抑制发生高度的变化或宽度的变化等外形的变化。
返回图1，基片处理装置1的控制器100控制旋转支承部25、气体供给部30、气体排出部35、光照射机构40。如图4所例示的那样，控制器100中，作为功能上的构成(以下，称为“功能模块”。)，具有照射控制部111、气体供给控制部112、排气控制部113和出入控制部114。上述的功能模块不过是为了方便而将控制器100的功能划分为多个模块，并不意味着构成控制器100的硬件必须分为这样的模块。
照射控制部111控制光照射机构40以在所希望的时刻照射VUV光。例如照射控制部111控制光照射机构40以在照射的时刻之前将所有光源42点亮。此外，照射控制部111控制光照射机构40以在照射的时刻结束后将所有光源42熄灭。
气体供给控制部112控制阀30b以从贯通孔21a对壳体21内供给非活性气体。排气控制部113控制真空泵35a以通过贯通孔21b将壳体21内的气体排出到外部。
出入控制部115控制闸阀23以使得伴随对壳体21内输入晶片W的动作和从壳体21内送出晶片W的动作对输送口22进行开闭，并控制旋转支承部25以切换由保持部26进行的晶片W的保持和释放。
控制器100由一个或者多个控制用计算机构成。例如控制器100具有图5所示的电路120。电路120具有一个或多个处理器121、内存122、存储器123和输入输出端口124。存储器123例如具有硬盘等计算机可读取的存储介质。存储介质存储有用于使基片处理装置1实施后述的基片处理步骤的程序。存储介质可以为非易失性的半导体内存、磁盘和光盘等的可取出的介质。内存122临时存储从存储器123的存储介质加载的程序和处理器121的运算结果。处理器121与内存122协作地执行上述程序，构成上述的各功能模块。输入输出端口124按照来自处理器121的指令，在控制器100控制的各部之间进行电信号的输入输出。
此外，控制器100的硬件构成并不一定限于由程序构成各功能模块。例如控制器100的各功能模块也可以由专用的逻辑电路或将其集成而得的ASIC(ApplicationSpecific Integrated Circuit：专用集成电路)构成。
[基片处理方法]
下面，参照图1和图6，对基片处理装置1的动作(基片处理方法)进行说明。图6是表示壳体21内的压力随时间的变化的概要的图表。图7的图表的横轴表示处理中的经过时间，纵轴表示作为处理容器的壳体21内的压力(单位：Pa)并示意性地大致表示为对数轴。首先，在气体供给部30和气体排出部35的动作停止的状态下，由输送机构将晶片W送入壳体21内。在旋转支承部25的保持部26载置晶片W时，闸阀23关闭，使壳体21内成为气密的。此时，壳体21内例如成为标准气压的大气气氛(图7的时刻t0)。然后，通过气体排出部35的动作，使壳体21内的压力降低。
进行减压，当壳体21内的压力成为1Pa时(时刻t1)，将该时刻的状态维持规定时间。在暂时地维持了1Pa的减压状态后(时刻t2)，将气体供给部30的阀30b打开对壳体21内供给Ar气体。由此，在壳体21内形成Ar气体气氛，并且该壳体21内的压力上升。此外，减压速度和升压速度能够通过气体供给部30和气体排出部35的动作控制。另外，减压速度和升压速度可以是一定的，也可以在中途改变。
由于Ar气体而例如壳体21内的压力达到10000Pa时，在维持着壳体21内的压力的状态下，从光源42对晶片W照射包含VUV光的光(时刻t3)。当从光源42照射规定的时间例如30秒的光后，停止该光照射(时刻t4)。之后，停止气体供给部30和气体排出部35的动作，在壳体21内的压力恢复到大气气氛后，将晶片W从壳体21内送出。通过以上方式，由基片处理装置1进行的晶片W处理结束。
如上所述，在基片处理装置1中，从光源42对晶片W照射光时，也进行由气体供给部30供给气体的动作和由气体排出部35排出气体的动作。因此，可以说，在维持着壳体21内的压力的状态下，发生Ar气体的更换。
此外，从光源42照射光的期间(时刻t3～时刻t4之间)，壳体21内的压力可以是一定的，也可以是逐渐变化的。在图6所示的例子中，从光源42照射光期间，为了抑制来自晶片W表面的释放气体(out gas)，使壳体21内的压力为10000Pa。然而，在从光源42照射光的期间，释放气体的发生量逐渐变少。在该情况下，也可以进行使壳体21内的压力逐渐减小地变化的控制。通过采用这样的构成，能够在更接近真空的状态下对晶片W照射光。
[关于将EUV曝光用抗蚀剂材料作为对象的基片处理]
此处，在本实施方式的基片处理装置1中，用于抗蚀剂图案13的抗蚀剂材料是适合于使用将EUV激光作为曝光光源的EUV光刻的材料，关于该情况，有以下发现。即，发现通过在规定条件下照射包含上述VUV光的光，能够改善抗蚀剂图案13的表面的粗糙度，对于将该抗蚀剂图案13作为掩模进行了蚀刻而得的图案，也能够改善表面的粗糙度。此外，EUV激光(Extreme Ultraviolet：极紫外光)是波长为13.5nm的激光。在以下的实施方式中，说明抗蚀剂材料能够用于EUV光刻的材料的情况下表面的粗糙度的改善。
在EUV光刻中，要求高清晰度化、表面的粗糙度的降低和高灵敏度化。为了满足这样的要求，EUV光刻用的抗蚀剂材料能够满足。此外，在以下的实施方式中，对使用通常的EUV光刻用抗蚀剂材料的情况进行说明。此外，抗蚀剂材料中也可以包含酸生成剂等添加剂、溶剂、分解物等。
如上所述，通过在基片处理装置1中照射包含VUV光的光，在晶片W中，构成抗蚀剂图案13的分子中的各个位置处的化学键被切断，由此生成各种化合物。此时，由于在各个位置发生化学键的切断，因此抗蚀剂图案13的表面的粗糙度变轻。此外，通过在照射包含VUV光的光的期间和照射后发生的交联反应，抗蚀剂图案13的表面固化，其结果为蚀刻耐受性变高。即，通过照射VUV光，能够适当地进行抗蚀剂图案13中的化学键的切断和交联反应。而且，通过该化学键的切断和交联反应，能够改善将抗蚀剂图案13和抗蚀剂图案13作为掩模进行了蚀刻的下层膜的表面的粗糙度(roughness)。
但是，在抗蚀剂图案13中的化学键的切断和交联反应的任一者不充分或者过度的情况下，上述的表面的粗糙度(roughness)的改善效果变低。换言之，通过适当调整在基片处理装置1中照射包含VUV光的光的照射水平，能够提高表面的粗糙度的改善效果。关于这一点，下面对验证的结果进行说明。尤其是，EUV光刻用的抗蚀剂中使用的树脂材料对包含VUV光的来自光源42的光的响应性较低，因此用各种添加剂来控制其特性。因此，根据抗蚀剂材料所包含的添加剂对于来自光源42的光等如何反应，而表面的粗糙度的改善效果发生变化。对于这一点进行说明。
作为改变在基片处理装置1中对抗蚀剂图案13照射VUV光的情况的照射条件的要素，能够例举出“辐照量(累计照射量)”“照射时的Ar流量”“照射时的晶片的转速”“光源的电流补偿值(偏置)”。其中，“辐照量”对应于从光源42对抗蚀剂图案13出射的光(VUV光)的能量总量。此外，“照射时的Ar流量”和“光源的电流补偿值”与从光源42出射的光的透射性相关。即，影响VUV光在抗蚀剂图案13中能够到达何种程度。此外，“晶片的转速”影响从光源42出射的VUV光对于抗蚀剂图案13能够使其发生何种程度的改性效果。以下，说明改变上述要素所涉及的条件而进行评价的结果。
(Ar流量和灯补偿值)
在基片处理装置1中照射来自光源42的光以进行抗蚀剂图案13的改性的情况下，Ar流量和灯补偿值均是与从光源42出射的光的透射性相关的值。例如，Ar流量是在照射光的期间一边将壳体21内维持为规定的压力一边对壳体21内供给的Ar的流量。所以，当Ar的流量增大时，从壳体21向外部排出的气体排出量也增大，因此也能够促进在壳体21内产生的杂质(升华物等)向外部的排出。相反，当Ar的流量减少时，在壳体21内产生的杂质容易滞留在壳体21内。因此，从光源42出射的光的一部分被杂质等吸收或者扩散。其结果，存在对晶片W照射的光的光谱相对于来自光源42的光发生变化的可能性。如上所述，Ar流量是可能对从光源42出射的光的透射性和波长特性造成影响的要素。
另外，灯补偿值是与从光源42出射的光的强度相关的值，当增大补偿值时，来自光源42的光的强度变大，到达抗蚀剂图案13的光量变大。如上所述，在增大了Ar流量的情况和增大了灯补偿值的情况的任一情况下，到达抗蚀剂图案13的光的量都变大。因此，与减小了Ar流量的情况和减小了灯补偿值的情况相比，能够推进抗蚀剂图案13中的反应。
采用EUV光刻用抗蚀剂材料的情况，详情在后文说明，但是与用于其他用途的抗蚀剂材料相比，难以吸收包含VUV光的从光源42照射的光，对来自光源42的光的响应性较低。因此，充分照射来自光源42的光这一操作对抗蚀剂图案13的改性是有效的。所以，与对用于其他用途的抗蚀剂材料进行改性的情况相比，提高Ar流量以提高光的透射性，并且增大灯补偿值以增大光量，由此能够更适当地进行抗蚀剂图案13的改性。
(关于表面的粗糙度的改善)
(评价试验1)
作为评价试验1，对于将晶片的转速按3种条件变化的情况和将从光源42照射光时的灯的电流补偿值按2种条件变化的情况下，评价了LWR(line width roughness：线宽粗糙度)的变化。LWR是图案的粗糙度的指标，值越小表示图案表面的粗糙度越小。评价的对象是抗蚀剂图案13和将抗蚀剂图案13作为掩模进行了下层膜的蚀刻时下层膜中的图案。
作为评价对象，准备了在SOC膜11和SOG膜12上形成有抗蚀剂图案13的晶片W。并且，使晶片W的图案尺寸为20nm。抗蚀剂图案13由作为树脂材料的PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯树脂)和PHS构成，为了改善粗糙度等，使用除了PAG、淬灭剂(quencher)以外，还能够使用将光分解型的淬灭剂作为添加剂添加在其中的抗蚀剂材料。
在基片处理装置1的壳体21内，收纳在其表面形成有抗蚀剂图案13的晶片W，将壳体21内减压。在壳体21内达到设定压力后用光源42照射光。一连串操作与上述的基片处理方法相同。使照射量以50mj/cm2、75mj/cm2这2级变化。另外，关于用光源42照射光时的晶片的转速，使照射规定量的光的期间的晶片的旋转圈数以1圈、3圈、5圈这3级变化。而且，使光源42中的灯的补偿值(电流补偿值)以2.5和3.5这2级变化。在使上述的设定值变化的条件下，对抗蚀剂图案13(ADI)和将抗蚀剂图案13作为掩模进行了下层膜的蚀刻时下层膜中的图案(AEI)，分别测量了LWR。此外，使利用光源42照射光时的Ar流量为20mL。
在图7中，示出了LWR的测量结果。在图7中，将不进行使用基片处理装置1从光源42照射光(VUV光)这一操作时的测量结果，作为参照值(Ref)表示。此外，示出了在灯补偿值为2.5的情况下，辐照量为50mj/cm2且旋转圈数为1时、辐照量为75mj/cm2且旋转圈数为1、3、5时的测量结果。此外，示出了在灯补偿值为3.5的情况下，辐照量为50mj/cm2且旋转圈数为1时以及辐照量为75mj/cm2且旋转圈数为1时的测量结果。
如图7所示，确认了：在辐照量为50mj/cm2和辐照量为75mj/cm2的任一情况下，与抗蚀剂图案13(ADI)的LWR相比，下层膜图案(AEI)的LWR都变低了。此外，在灯补偿值为2.5且旋转圈数为1的情况下，与辐照量为50mj/cm2的情况相比，在辐照量为75mj/cm2的情况下下层膜图案(AEI)的LWR变低了。根据上述情况，能够推测出：在辐照量为75mj/cm2的情况下，抗蚀剂图案13的蚀刻耐受性更为提高，更加改善了下层膜图案(AEI)中的表面的粗糙度(roughness)。
另外，在辐照量为50mj/cm2的情况下，在灯补偿值为2.5和灯补偿值为3.5这两种情况之间下层膜图案(AEI)的LWR的测量结果发生变化，在灯补偿值为3.5的情况下LWR变小。与此相对，在辐照量为75mj/cm2的情况下，在灯补偿值为2.5和灯补偿值为3.5这两种情况之间下层膜图案(AEI)的LWR的测量结果几乎不变化。此外，在灯补偿值为3.5的情况下，在辐照量为50mj/cm2和辐照量为75mj/cm2这两种情况之间LWR的测量结果几乎没有差。根据上述情况，能够推测出：在辐照量为50mj/cm2且灯补偿值为2.5的情况下，由包含VUV光的来自光源42的光引起的化学键的切断和交联反应没有充分进行，LWR的改善不充分(有进一步改善的余地)。另一方面，推测出：在辐照量为50mj/cm2且灯补偿值为3.5的情况下和辐照量为75mj/cm2的情况下，在一定程度上充分地进行了由包含VUV光的来自光源42的光引起的化学键的切断和交联反应。
(关于转速带来的影响)
接着，在灯补偿值为2.5且辐照量为75mj/cm2的条件下，比较将旋转圈数改变为1、3、5的情况下的3个结果，此时抗蚀剂图案13(ADI)的LWR在3个结果中大致相同。与此相对，确认了：下层膜图案(AEI)的LWR在转速小的情况下进一步被改善(LWR变小)。其结果，在将相同辐照量的光(VUV光)照射到抗蚀剂图案13的情况下，根据转速的不同而向抗蚀剂图案13内部侵入的倾向发生变化。此外，对于本实施方式中说明的抗蚀剂图案13，通过减小转速，能够提高LWR的改善效果。参照图8，对这一点进行说明。
图8是说明根据晶片W旋转时的晶片W上的特定位置与光源42的相对位置的变化而该位置接收的光的强度的变化的图。图8的(a)是表示来自光源42的光的照射范围的图。图8的(a)所示的照射位置C0是与光源42内的点光源44对应的(正下方)位置，来自光源42的光的强度最大。另一方面，光的强度随着从与点光源44对应的照射位置C0离开而变小，在端部的照射位置C1光的强度最小。如上所述，根据晶片W上的特定位置与光源42的位置关系，该位置的光量发生较大变化。因此，尝试在基片处理装置1中，通过使晶片W旋转以使在晶片W表面的各位置接收的光量在一定程度上均匀。
在图8的(b)中，用箭头R1示意性地表示在使晶片W旋转的情况下晶片W相对于光源42的特定的一个点(此处称为特定点)的移动。在图8的(b)中，示出了4个光源42配置在与照射位置C0对应的位置的状态。通过使晶片W旋转，使晶片W上的特定点沿箭头R1旋转。此时，晶片W通过2个照射位置C0并且通过4个照射位置C1。如上所述，照射位置C0是来自光源42的光的强度最大的位置，而照射位置C1是来自光源42的光的强度最小的位置。即，在晶片W上的特定点沿箭头R1发生了移动(旋转)的情况下，特定点接收的光的强度与通过照射位置C0和照射位置C1这两个位置的动作相应地发生变化。图8的(c)和图8的(d)是示意性地表示沿箭头R1移动的晶片W上的特定点接收的光的强度的变化的图。图8的(d)所示的例子，与图8的(c)相比增大了转速。在增大了转速的情况下，特定点的移动路径(相当于箭头R1)也不发生变化，因此特定点通过照射位置C0、C1这两个位置。但是，在转速大的情况下，特定点接收的光的强度变化的速度也变大。
在光的强度较大的状态(例如，图8中的照射位置C0等)下，来自光源42的光之中、VUV光中强度较大的波段的光和强度较小的波段的光任一者都变得容易侵入抗蚀剂图案13。另一方面，在光的强度较小的状态(例如，图8中的照射位置C1等)下，来自光源42的光之中、VUV光中强度较大的波段的光侵入抗蚀剂图案13，但是强度较小的波段的光难以侵入抗蚀剂图案13。即，在光的强度较小的状态下，关于与VUV光的连续光谱对应的各波长成分的光之中、尤其强度较小的波段的光，不能照射对于促进抗蚀剂图案13中的改性充足的光量。
另外，在本实施方式中使用的适合于EUV光刻的抗蚀剂材料与用于其他用途的抗蚀剂材料相比，难以吸收包含VUV光的从光源42照射的光，对来自光源42的光的响应性较低。因此，当提高转速时，即使在光的强度较大的状态下，VUV光中强度较小的波段的光难以侵入到抗蚀剂图案13内。因此，在与如图7所示转速较大的情况相比减小了转速的情形下，能够提高光对抗蚀剂图案13的侵入率，能够促进在抗蚀剂图案13中进行化学键的切断和交联反应。该化学键的切断和交联反应有助于提高蚀刻耐受性。在图7所示的结果中，确认了：关于抗蚀剂图案13(ADI)，LWR大致为相同程度，而关于下层膜图案(AEI)，转速较小的情况与转速较大的情况相比LWR变小，改善了表面的粗糙度(roughness)。即，抗蚀剂图案13的蚀刻耐受性的提高效果根据转速的不同而不同，结果是作为掩模使用后的下层膜图案(AEI)的LWR发生了改变。这样一来，在对EUV光刻用抗蚀剂材料的抗蚀剂图案13照射包含VUV光的来自光源42的光的情况下，持续照射光的时间是重要的。即，与考虑光照射的面内均匀性而增大转速的情况相比，优选使光的强度较大的状态(例如，通过C0的时间)持续并较长地确保该状态，以使得在各位置出光充分侵入抗蚀剂图案13。通过实现如上所述的状态，能够提高改善下层膜图案表面的粗糙度(roughness)的效果。
此外，作为具体的转速，例如能够例举出在将75mj/cm2的辐照量的光照射到晶片W期间使晶片W旋转1圈～4圈程度。该值相当于，例如在使来自光源42的照度为0.8mW/cm2的情况下，一次处理必要的所需时间为93.75秒，因此，使保持部26的旋转速度为0.5rpm～3rpm程度。
另外，晶片W的转速在进行从光源42照射光的期间也可以不为一定的。如上所述，当转速变大时，VUV光中强度较大的波段的光变得容易侵入抗蚀剂图案13。因此，通过一边使转速变化一边将来自光源42的光照射晶片W，也能够调整来自光源42的光的照射以使得特定波段的光变得容易更多地侵入晶片W。
(关于由光源位置导致的照度分布)
此外，如晶片W那样使圆形的基片以某一角速度旋转的情况下，在晶片W的内侧(中央附近)和外侧(端部附近)，相对于光源42的移动速度不同，并且与光源42的位置关系有很大不同。具体而言，当从旋转中心起的距离变大时，实质的移动速度变大，因此，晶片W的内侧相对于光源42的移动速度变小，外侧相对于光源42的移动速度变大。另外，在晶片W的内侧和外侧，在晶片W旋转一圈的期间通过的照射区域有很大不同。例如，在光源42被配置成图3那样的情况下，在晶片W的内侧，在晶片W旋转一圈的期间通过内侧的4个光源42的照射区域。另一方面，在晶片W的外侧，在晶片W旋转一圈的期间通过外侧的8个光源42的照射区域。因此，越靠近晶片W的外侧越通过更多的光源42的照射区域，通过光的强度较大的区域的次数变多。这样一来，即使晶片W以某一定的速度旋转，基于晶片W的位置(尤其是，从旋转中心起的距离)，而晶片W的表面的抗蚀剂图案13接收的光(尤其是，照射的光的强度变化的速度)也不同。因此，作为结果，基于晶片W的表面的位置而抗蚀剂图案13的表面的粗糙度的改善程度不同。另外，在图3所示的配置的情况下，在晶片W的外侧，反复通过光源42的光的强度较大的区域，通过光的强度小的区域中的一者的时间段变短。因此，晶片W较强地受到通过光源42的光的强度较大的区域的时间段的影响，所以能够促进抗蚀剂图案13中的由光导致的改性。
在图9中，示出了在一边使晶片W旋转一边从多个光源42照射了光的情况，在晶片W的各位置接收的光的照度分布(光的照射量的分布)的一例。此处，光源42的配置为如图3所示在内外配置有多个光源42的情况。在图9所示的例中，确认了：在晶片W的外侧与内侧产生了晶片W表面接收的光的照度的偏差。具体而言，在晶片W的外侧的区域W1，接收的光的照度为中等程度，与此相对，在晶片W的内侧的区域W2，接收的光的照度变低(区域W2为Min.侧的颜色)。此外，在中央附近，在区域W1和区域W2之间也存在根据从中心起的距离的不同而照度发生变化的区域。作为这样的光的照度的偏差产生的原因，如上所述能够例举出晶片W相对于光源42的移动速度因晶片W的位置而不同的原因。此外，以何种方式通过各光源42的照射区域中强度较强的区域(例如，图8中的照射位置C0等)和强度较弱的区域(例如，图8中的照射位置C1等)，基于晶片W的各位置而不同，这也是原因。这样的照度分布的偏差也影响抗蚀剂图案13和下层膜图案表面的粗糙度(roughness)的改善效果的偏差。
在晶片W的表面的各位置产生(尤其在径向上)照度分布的偏差的情况下，作为改善该情况的方法，考虑改变从多个光源42对晶片W照射的光的强度。
基于晶片W的位置(尤其在内侧和外侧)而使从光源42对晶片W照射的光的强度不同的具体方法，并没有特别限定。例如，考虑改变光源42的配置、光源42的数量、从各光源42输出的光的强度等。例如，通过使图3所示的12个光源42中内侧的4个光源的电流补偿值为3.5，使外侧的8个光源的电流补偿值为2.5，能够使从内侧的光源42输出的光的强度比来自外侧的光源的光的强度大。此外，不通过改变电流补偿值等，而通过改变光源的配置等，也能够减少如图9所示的照度分布的偏差。如上所述，从光源42输出的光，在照射区域内在中央附近(C0)和端部附近(C1)，其强度有较大不同。此外，在中央附近(C0)和端部附近(C1)，通过该区域时抗蚀剂图案13中光到达深层的程度、基于接收到的光的抗蚀剂图案13的改性程度有较大不同。并且，对于相邻的光源42，通过以照射区域的端部附近重叠的方式将它们靠近地配置，能够增大通过重叠区域时晶片W接收的光的量。因此，通过调整重叠区域的大小等，也能够调整抗蚀剂图案13接收的光的量。如上所述，尤其是通过改变与光源42相关的各种构成，能够实现基于晶片W的位置(尤其在内侧和外侧)而使从光源42对晶片W照射的光的强度不同的构成。
此外，晶片W的“内侧”和“外侧”表示相对的位置关系。因此，内侧与外侧的边界在何处并没有特别限定。基于光源42的数量及其配置，能够改变沿晶片W的径向的照度分布的偏差产生的部位。但是，由于一边使晶片W旋转一边从光源42照射光，因此在内侧晶片W的移动速度变小而在外侧晶片W的移动速度变大。所以，更倾向于晶片W的内侧与晶片W的外侧相比，难以接收对于抗蚀剂图案13的改性(化学键的切断和交联反应)充足的光。考虑这一点，采用使从光源42对晶片W照射的光的强度在晶片W的内侧和外侧不同的构成即可。
(关于EUV光刻用抗蚀剂材料中的添加剂的影响)
在上述的评价试验1中，抗蚀剂图案13作为树脂材料选择PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯树脂)，并且使用作为添加剂添加有光分解型淬灭剂的抗蚀剂材料。但是，在EUV光刻中，添加剂的添加量也对抗蚀剂的光学特性有较大影响，因此有时添加剂的添加量变化。于是，关于通过使添加剂的添加量变化而使抗蚀剂图案13的光学特性变化(尤其是，照射包含VUV光的来自光源42的光的情况下的变化)，给出研究的结果。在以下的评价试验中，使用与上述的评价试验1中采用的抗蚀剂材料相同的树脂材料，选择相同种类的光分解型淬灭剂作为添加剂。
(评价试验2和结果)
使用与评价试验1中采用的抗蚀剂材料相同的树脂材料，准备了3种将相同种类的光分解型淬灭剂作为添加剂添加在其中的抗蚀剂材料。其中，添加剂的添加量在3种抗蚀剂材料中不同。此处，将3种抗蚀剂材料称为抗蚀剂A、抗蚀剂B、抗蚀剂C。
3种抗蚀剂材料之中，抗蚀剂A与评价试验1中使用的抗蚀剂材料相同。此外，抗蚀剂B、C与抗蚀剂A相比增加了光分解型淬灭剂的添加量(每单位重量的抗蚀剂材料的添加量)。此外，光分解型淬灭剂的添加量具有A<B<C的关系。
将上述的3种抗蚀剂材料的抗蚀剂图案13分别形成在SOC膜11和SOG膜12上，准备了3种试验用晶片。此外，各抗蚀剂材料的图案尺寸各不相同，抗蚀剂A为20nm，抗蚀剂B为19nm，抗蚀剂C为22nm。已知一般而言越是图案尺寸大的抗蚀剂材料，与表面的粗糙度(roughness)相关的LWR越变小。
在基片处理装置1中，对各试验用晶片照射从光源42照射了规定辐照量的光后，测量了LWR。该结果在图10表示。图10的横轴是从光源42出射的光(包含VUV光)的辐照量。辐照量0mj/cm2是指没有对抗蚀剂图案13从光源42照射光。
如图10所示，确认了：与是否从光源42照射光无关，LWR按照抗蚀剂A、B、C的顺序变小。此外，对于抗蚀剂A，在将来自光源42的光的辐照量增加至100mj/cm2程度的情况下，LWR大致变得最小，而对于抗蚀剂B和抗蚀剂C，在来自光源42的光的辐照量为50～75mj/cm2程度的情况下LWR大致变得最小。如上所述，确认了：即使在添加了相同种类的添加剂的情况下，根据其添加量的不同而抗蚀剂相对于包含VUV光的来自光源42的光的特性也发生变化。
(评价试验3和结果)
对于抗蚀剂A和抗蚀剂B，准备将之分别在SOC膜11和SOG膜12上平坦地涂敷成膜状的2种试验用晶片，测量了抗蚀剂膜厚。之后，在基片处理装置1中，对各试验用晶片从光源42照射了规定辐照量的光后测量抗蚀剂膜厚，测量了由光的照射导致的抗蚀剂膜厚的变化。而且，对照射光后的抗蚀剂在规定条件下进行蚀刻，测量了由蚀刻导致的膜厚的变化量。另一方面，作为比较对象，准备与上述同样的试验用晶片，不用光源42进行光并在相同条件下进行了蚀刻，该情况下测量了由蚀刻导致的膜厚的变化量。
根据上述的测量结果可知，根据是否从光源42照射光，在相同条件下进行了蚀刻时的蚀刻深度不同，因此，能够评价通过从光源42照射光而蚀刻耐受性向上提高何种程度。此外，基于从光源42照射光而导致的抗蚀剂材料的改性(化学键的切断和交联反应)，抗蚀剂膜厚发生变化(膜厚变小)。图11表示基于该变化量，对通过从光源42照射光而蚀刻耐受性如何发生了变化进行评价的结果。图11的横轴是从光源42出射的光(包含VUV光)的辐照量。此外，纵轴表示蚀刻耐受性的改善程度。此外，由于确认到由是否照射光引起的抗蚀剂材料的表层的变化，因此缩短蚀刻时间，例如使之为5s以下并进行了评价。
如图11所示，确认了：抗蚀剂A随着来自光源42的光的照射量(辐照量)从100mj/cm2增加至200mj/cm2以上，蚀刻耐受性的改善逐渐推进。另一方面，确认了：抗蚀剂B在来自光源42的光的辐照量较少的情况下(100mj/cm2)蚀刻耐受性的改善推进到一定程度，并且即使辐照量增加也几乎不发生变化。如上所述，抗蚀剂B与抗蚀剂A相比，光分解型淬灭剂的添加量较多，因此如图11所示，蚀刻耐受性的改善情况发生了变化。如上所述，关于EUV光刻用抗蚀剂材料，根据添加剂的种类或者添加量的不同，而照射了包含VUV光的光时抗蚀剂图案中的特性的变化程度或者其倾向可能发生变化。
(关于由添加剂的添加量导致的表面的粗糙度的改善倾向的不同)
(评价试验4)
作为评价试验4，对于抗蚀剂C，与抗蚀剂A同样，对改变了与光的照射相关的各条件时的表面的粗糙度(roughness)的改善。图12是表示评价试验4的结果的图。
具体而言，对于将晶片的转速按2种条件变化的情况和将从光源42照射光时的灯的电流补偿值按2种条件变化的情况，对LWR(line width roughness：线宽粗糙度)的变化进行了评价。评价的对象是抗蚀剂图案13和将抗蚀剂图案13作为掩模进行了下层膜的蚀刻时下层膜中的图案。所使用的晶片W的构成与图7中说明的抗蚀剂A的情况相同。此外，所使用的抗蚀剂材料是抗蚀剂C，与抗蚀剂A相比，光分解型淬灭剂的添加量较多。
在基片处理装置1的壳体21内，收纳在其表面形成有抗蚀剂图案13的晶片W，将壳体21内减压。在壳体21内达到设定压力后，用光源42照射光。一连串操作与上述的基片处理方法相同。使照射量以50mj/cm2、75mj/cm2这2级变化。此外，关于用光源42照射光时的晶片的转速，使照射规定量的光的期间的晶片的旋转圈数以1圈、3圈这2级变化。而且，使光源42中的灯的补偿值(电流补偿值)以2.5和3.5这2级变化。在使上述的设定值变化了的条件下，对抗蚀剂图案13(ADI)和将抗蚀剂图案13作为掩模进行了下层膜的蚀刻时下层膜中的图案(AEI)，分别测量了LWR。此外，使利用光源42照射光时的Ar流量为20mL。
在图12中，示出了LWR的测量结果。另外，在图12中，将没有使用基片处理装置1从光源42照射光(VUV光)时的测量结果，作为参照值(Ref)表示。此外，示出了在灯补偿值为2.5的情况下，辐照量为50mj/cm2且旋转圈数为1、3时以及辐照量为75mj/cm2且旋转圈数为1、3时的测量结果。此外，示出了在灯补偿值为3.5的情况下，辐照量为75mj/cm2且旋转圈数为1时的测量结果。
在图12所示的结果中，确认了：在辐照量为50mj/cm2和辐照量为75mj/cm2的任一情况下，与抗蚀剂图案13(ADI)的LWR相比，下层膜图案(AEI)的LWR都变低了。此外，在灯补偿值为2.5和灯补偿值为3.5这两种情况下，LWR大致为相同的值。根据上述情况，能够推测出：在任一条件下，抗蚀剂图案13中的蚀刻耐受性都提高了，改善了下层膜图案(AEI)中的表面的粗糙度(roughness)。根据图11所示的结果，能够推测出当光分解型淬灭剂的添加量增加时，抗蚀剂材料对于来自光源42的光的响应性提高，而图12所示的结果与基于该图11的结果的推测一致。
另外，确认了：在灯补偿值为2.5且辐照量为50mj/cm2的条件下，比较将旋转圈数改变为1、3时的2个结果，抗蚀剂图案13(ADI)的LWR在2个结果中大致相同。另一方面，确认了：下层膜图案(AEI)的LWR在旋转圈数为1的情况下稍微变小。该倾向与评价试验1(抗蚀剂A)的情况相同。如上所述，根据添加剂的添加量的不同而抗蚀剂材料的特性可能发生变化。但是，在评价试验4的结果中，在抗蚀剂A和抗蚀剂C中表现出相同的倾向，因此能够推测出当采用一般的EUV光刻用抗蚀剂材料时，也表现出相同的倾向。即，通过添加添加剂而能够表现出抗蚀剂材料的表面的粗糙度改善的倾向，这是公知的，不过在照射VUV光的情况下，能够与照射量无关地进一步提高该改善效果。
[作用]
如以上所说明的那样，在上述的基片处理装置1和基片处理方法中，使对基片从光源42照射光时的基片的转速为0.5rpm～3rpm。通过采用这样的构成，真空紫外光中、尤其是低波长侧的光变得容易侵入图案，因此，能够提高表面的粗糙度的改善效果。如上所述，由EUV光刻用抗蚀剂材料形成的图案对光的响应性较低，因此要求以间隔一定时间的方式照射真空紫外光。与此相对，通过采用上述的构成，尤其是光强度低的低波长侧的光也变得容易侵入图案，能够提高表面的粗糙度的改善效果。
另外，能够采用在从光源42照射光的期间使基片的转速变化的方式。基于照射光时的基片的转速，能够使侵入图案的光的成分变化。因此，通过采用一边使转速变化一边照射光的构成，能够使适合于改善表面的粗糙度的光的成分侵入图案，能够进一步提高表面的粗糙度的改善效果。此外，也可以在从光源42照射光的期间进一步使基片的转速变化而成为停止状态，即成为使基片的旋转暂时停止的状态。即使为这样的构成，也能够使侵入图案的光的成分变化，因此能够进一步提高表面的粗糙度的改善效果。对于暂时停止时的时间等，能够能够根据图案等进行适当调整。
另外，包括对处理容器内供给非活性气体的气体供给部30和从处理容器内排出气体的气体排出部35。此时，能够使气体供给部30和气体排出部35成为如下状态：在用光源部照射光的期间，一边使处理容器内的压力变化一边进行气体的供给和排出。通过采用这样的构成，能够一边使处理容器内的压力成为与基片的表面状况相应的状态，一边对图案照射真空紫外光。
以上，对各种例示的实施方式进行了说明，不过并不限定于上述例示的实施方式，也可以进行各种各样的省略、置换和改变。此外，能够将不同的实施方式中的要素组合而形成其他实施方式。
例如，能够适当改变基片处理装置1中的光源42的配置和数量等。此外，也可以追加用于控制从光源42出射的光的来路的部件等。此外，能够适当改变基片处理装置1内的各部分的配置和构成。此外，在上述实施方式中说明的压力的控制等仅是一例，可以改变为在从光源42照射光之前的阶段也进行壳体21内的压力的控制。
依照以上的说明，本发明的各种实施方式以说明为目的在说明书中进行了说明，应当理解在不脱离本发明的范围和主旨的情况下能够进行各种改变。因此，本说明书公开的各种实施方式并不非限定性的，真正范围和主旨由所附的权利要求的范围给出。

Claims (6)

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
在处理容器内保持基片的保持部，其中所述基片在表面形成有由EUV光刻用抗蚀剂材料构成的图案；
使所述保持部旋转的旋转驱动部；和
具有多个光源的光源部，其对由所述保持部保持的所述基片的表面照射包含真空紫外光的光，其中所述保持部通过所述旋转驱动部以0.5rpm～3rpm的转速旋转。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
在用所述光源部照射光的期间使所述基片的转速变化。
3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
在用所述光源部照射光的期间使所述基片暂时停止旋转。
4.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
包括对所述处理容器内供给非活性气体的气体供给部和从所述处理容器内排出气体的气体排出部，
所述气体供给部和所述气体排出部在用所述光源部照射光的期间，一边使所述处理容器内的压力变化一边进行所述气体的供给和排出。
5.一种基片处理方法，其特征在于：
一边在处理容器内使基片以0.5rpm～3rpm的转速旋转，一边从具有多个光源的光源部对所述基片的表面照射包含真空紫外光的光，其中所述基片在表面形成有由EUV光刻用抗蚀剂材料构成的图案。
6.一种计算机可读存储介质，其特征在于：
存储有用于使装置执行权利要求5所述的基片处理方法的程序。
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