CN112397997B - 一种半导体激光器及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种半导体激光器及其制作方法,在增加了半导体激光器所包括的量子阱数量的同时,设置第i量子阱层中InGaAs阱层的In组分大于第i+1量子阱层中InGaAs阱层的In组分,由于InGaAs阱层的折射率随着In组分的升高而增加,进而能够对半导体激光器的光场限制,使得半导体激光器的发光点位置偏向衬底侧,有效降低半导体激光器的发散角。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件技术领域,更为具体地说,涉及一种半导体激光器及其制作方法。
背景技术
近年来,半导体激光器以其转换效率高、体积小、重量轻、寿命长、可靠性高、可直接调制、易于与其它半导体器件集成等特点,在军事、工业加工、精密测量、激光医疗、光通信、光存储以及激光打印等领域获得了广泛而深远的应用。而大功率半导体激光器由于其输出功率高的特点,在金属切割、激光熔覆、深熔焊等工业领域以及航空航天、国防军事应用等领域迅速发展。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种半导体激光器及其制作方法,在增加了半导体激光器所包括的量子阱数量的同时,能够对半导体激光器的光场限制,使得半导体激光器的发光点位置偏向衬底侧,有效降低半导体激光器的发散角。
为实现上述目的,本发明提供的技术方案如下:
一种半导体激光器,包括:
在第一方向上依次叠加设置的衬底、N型DBR反射镜层、发光外延结构、氧化层及P型DBR反射镜层,所述发光外延结构包括在所述第一方向上依次设置的第一量子阱层至第N量子阱层,所述第一量子阱层至第N量子阱层中任意一量子阱层包括InGaAs阱层;
其中,第i量子阱层中InGaAs阱层的In组分大于第i+1量子阱层中InGaAs阱层的In组分,N为大于或等于2的整数,i为大于或等于1且小于N的整数。
可选的,N为3,其中,所述发光外延结构包括在所述第一方向上依次设置的第一波导层、第一量子阱层、第二波导层、第一P型层、第一N型层、N型波导层、第二量子阱层、AlGaAs层、第二P型层、第二N型层、第三量子阱层和P型波导层。
可选的,所述第一量子阱包括GaAs垒层,所述第二量子阱层包括AlGaAs垒层,所述第三量子阱层包括InAlGaAs垒层。
可选的,所述AlGaAs垒层的Al组分大于0.05且小于0.25。
可选的,所述第一波导层为第一AlGaAs波导层,所述第一AlGaAs波导层的Al组分大于0.2且小于0.6;
所述第二波导层为第二AlGaAs波导层,所述第二AlGaAs波导层的Al组分大于0.1且小于0.6;
所述第一P型层为第一P型AlGaAs层,所述第一P型AlGaAs层的Al组分大于0.1且小于0.6,所述第一P型AlGaAs层的掺杂源为Mg或C,所述第一P型AlGaAs层的掺杂浓度为5E19-2E20,包括端点值,且所述第一P型AlGaAs层的V/III比值为10-500,包括端点值;
所述第一N型层为第一N型AlGaAs层,所述第一N型AlGaAs层的Al组分大于0且小于0.6,所述第一N型AlGaAs层的掺杂源为Si或Te,所述第一N型AlGaAs层的掺杂浓度为1E18-5E19,包括端点值,且所述第一N型AlGaAs层的V/III比值为10-500,包括端点值;
所述N型波导层为N型AlGaAs波导层,所述N型AlGaAs波导层的Al组分大于0.2且小于0.6;
所述AlGaAs层的Al组分大于0.05且小于0.25;
所述第二P型层为第二P型AlGaAs层,所述第二P型AlGaAs层的Al组分大于0.05且小于0.25,所述第二P型AlGaAs层的掺杂源为Mg或C,所述第二P型AlGaAs层的掺杂浓度为5E19-2E20,包括端点值,且所述第二P型AlGaAs层的V/III比值为10-500,包括端点值;
所述第二N型层为第二N型AlGaAs层,所述第二N型AlGaAs层的Al组分大于0.05且小于0.25,所述第二N型AlGaAs层的掺杂源为Si或Te,所述第二N型AlGaAs层的掺杂浓度为1E18-5E19,包括端点值,且所述第二N型AlGaAs层的V/III比值为10-500,包括端点值;
所述P型波导层为P型AlGaAs波导层,所述P型AlGaAs波导层的Al组分大于0.2且小于0.6。
可选的,所述半导体激光器还包括位于所述衬底与所述N型DBR反射镜层之间的缓冲层。
可选的,所述缓冲层为GaAs缓冲层。
可选的,所述半导体激光器还包括位于所述P型DBR反射镜层背离所述衬底一侧的P型AlGaAs层。
可选的,所述半导体激光器还包括位于所述P型AlGaAs层背离所述衬底一侧的P型GaAs层。
相应的,本发明还提供了一种半导体激光器的制作方法,包括:
提供衬底;
在所述衬底上形成在第一方向上依次叠加设置的N型DBR反射镜层、发光外延结构、氧化层及P型DBR反射镜层,所述发光外延结构包括在所述第一方向上依次设置的第一量子阱层至第N量子阱层,所述第一量子阱层至第N量子阱层中任意一量子阱层包括InGaAs阱层;其中,第i量子阱层中InGaAs阱层的In组分大于第i+1量子阱层中InGaAs阱层的In组分,N为大于或等于2的整数,i为大于或等于1且小于N的整数。
相较于现有技术,本发明提供的技术方案至少具有以下优点:
本发明提供了一种半导体激光器及其制作方法,包括:在第一方向上依次叠加设置的衬底、N型DBR反射镜层、发光外延结构、氧化层及P型DBR反射镜层,所述发光外延结构包括在所述第一方向上依次设置的第一量子阱层至第N量子阱层,所述第一量子阱层至第N量子阱层中任意一量子阱层包括InGaAs阱层;其中,第i量子阱层中InGaAs阱层的In组分大于第i+1量子阱层中InGaAs阱层的In组分,N为大于或等于2的整数,i为大于或等于1且小于N的整数。
由上述内容可知,本发明提供的技术方案,在增加了半导体激光器所包括的量子阱数量的同时,设置第i量子阱层中InGaAs阱层的In组分大于第i+1量子阱层中InGaAs阱层的In组分,由于InGaAs阱层的折射率随着In组分的升高而增加,进而能够对半导体激光器的光场限制,使得半导体激光器的发光点位置偏向衬底侧,有效降低半导体激光器的发散角。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种半导体激光器的结构示意图;
图2为本发明实施例提供的另一种半导体激光器的结构示意图;
图3为本发明实施例提供的又一种半导体激光器的结构示意图;
图4为本发明实施例提供的又一种半导体激光器的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
正如背景技术所述,近年来,半导体激光器以其转换效率高、体积小、重量轻、寿命长、可靠性高、可直接调制、易于与其它半导体器件集成等特点,在军事、工业加工、精密测量、激光医疗、光通信、光存储以及激光打印等领域获得了广泛而深远的应用。而大功率半导体激光器由于其输出功率高的特点,在金属切割、激光熔覆、深熔焊等工业领域以及航空航天、国防军事应用等领域迅速发展。
基于此,本发明实施例提供了一种半导体激光器及其制作方法,在增加了半导体激光器所包括的量子阱数量的同时,能够对半导体激光器的光场限制,使得半导体激光器的发光点位置偏向衬底侧,有效降低半导体激光器的发散角。
为实现上述目的,本发明实施例提供的技术方案如下,具体结合图1至图4对本发明实施例提供的技术方案进行详细的描述。
参考图1所示,为本发明实施例提供的一种半导体激光器的结构示意图,其中,半导体激光器包括:
在第一方向上依次叠加设置的衬底100、N型DBR反射镜层200、发光外延结构300、氧化层400及P型DBR反射镜层500,所述发光外延结构300包括在所述第一方向上依次设置的第一量子阱层至第N量子阱层,所述第一量子阱层至第N量子阱层中任意一量子阱层包括InGaAs阱层。
其中,第i量子阱层中InGaAs阱层的In组分大于第i+1量子阱层中InGaAs阱层的In组分,N为大于或等于2的整数,i为大于或等于1且小于N的整数。
由上述内容可知,本发明实施例提供的技术方案,在增加了半导体激光器所包括的量子阱数量的同时,设置第i量子阱层中InGaAs阱层的In组分大于第i+1量子阱层中InGaAs阱层的In组分,由于InGaAs阱层的折射率随着In组分的升高而增加,进而能够对半导体激光器的光场限制,使得半导体激光器的发光点位置偏向衬底侧,有效降低半导体激光器的发散角。
在本发明一实施例中,本发明所提供的半导体激光器可以包括三层量子阱层,如图2所示,为本发明实施例提供的另一种半导体激光器的结构示意图,其中本发明实施例提供的N为3,其中,所述发光外延结构300包括在所述第一方向上依次设置的第一波导层301、第一量子阱层302、第二波导层303、第一P型层304、第一N型层305、N型波导层306、第二量子阱层307、AlGaAs层308、第二P型层309、第二N型层310、第三量子阱层311和P型波导层312。
本发明实施例提供的第一量子阱层至第N量子阱层中任意一量子阱层包括InGaAs阱层,及本发明实施例提供的所述第一量子阱包括GaAs垒层,所述第二量子阱层包括AlGaAs垒层,所述第三量子阱层包括InAlGaAs垒层。本发明实施例提供的量子阱层对于阱层和垒层周期重复数量不做具体限制,对此需要根据实际应用进行具体设计。
本发明实施例提供的第一量子阱层的InGaAs阱层中In的组分大于0.1且小于0.3,第一量子阱层的阱层厚度可以为5-10nm,包括端点值,第一量子阱层的垒层厚度可以为5-15nm,包括端点值;以及,本发明实施例提供的第一量子阱层的阱层生长温度可以为550-700℃,包括端点值,及生长压力可以为50-500mbar,包括端点值;及第一量子阱层的垒层生长温度可以为550-700℃,包括端点值,及生长压力可以为50-500mbar,包括端点值。
第二量子阱层的InGaAs阱层中In的组分大于0.09且小于0.25,第二量子阱层的阱层厚度可以为5-10nm,包括端点值,第二量子阱层的垒层厚度可以为5-15nm,包括端点值;以及,本发明实施例提供的第二量子阱层的阱层生长温度可以为550-700℃,包括端点值,及生长压力可以为50-500mbar,包括端点值;及第二量子阱层的垒层生长温度可以为550-700℃,包括端点值,及生长压力可以为50-500mbar,包括端点值。
第三量子阱层的InGaAs阱层中In的组分大于0.05且小于0.15,第三量子阱层的阱层厚度可以为5-10nm,包括端点值,第三量子阱层的垒层厚度可以为5-15nm,包括端点值。以及本发明实施例提供的所述AlGaAs垒层的Al组分大于0.05且小于0.25,InAlGaAs垒层的In组分大于0.05且小于0.25;以及,本发明实施例提供的第三量子阱层的阱层生长温度可以为550-700℃,包括端点值,及生长压力可以为50-500mbar,包括端点值;及第三量子阱层的垒层生长温度可以为550-700℃,包括端点值,及生长压力可以为50-500mbar,包括端点值。
可以理解的,本发明实施例提供的第一量子阱层可以提供一深阱浅垒的有源区,其能够更好的限制电子,有利于空穴的注入;同时深阱浅垒的第一量子阱层具有较高的In组分,有效折射率较高。第二量子阱层能够更好的电子注入及空穴的注入,同时相对第一量子阱层而言,第二量子阱层较低的In组分使得其有效折射率低于第一量子阱层。以及,第三量子阱层同样能够实现更好的电子注入及空穴的注入,同时能够通过降低In组分进一步降低其有效折射率,进而本发明通过设置第i量子阱层中InGaAs阱层的In组分大于第i+1量子阱层中InGaAs阱层的In组分,由于InGaAs阱层的折射率随着In组分的升高而增加,进而能够对半导体激光器的光场限制,使得半导体激光器的发光点位置偏向衬底侧,有效降低半导体激光器的发散角。
在本发明一实施例中,本发明提供的所述第一波导层为第一AlGaAs波导层,所述第一AlGaAs波导层的Al组分大于0.2且小于0.6,第一AlGaAs波导层的厚度可以为50nm;以及第一AlGaAs波导层的生长温度可以为650-800℃,包括端点值,及生长压力可以为50mbar。
所述第二波导层为第二AlGaAs波导层,所述第二AlGaAs波导层的Al组分大于0.1且小于0.6;及第二AlGaAs波导层的生长温度可以为600-800℃,包括端点值,及生长压力可以为50-500mbar,包括端点值。
所述第一P型层为第一P型AlGaAs层,所述第一P型AlGaAs层的Al组分大于0.1且小于0.6,所述第一P型AlGaAs层的掺杂源为Mg或C,所述第一P型AlGaAs层的掺杂浓度为5E19-2E20,包括端点值,且所述第一P型AlGaAs层的V/III比值为10-500,包括端点值;及第一P型AlGaAs层的生长温度可以为600-800℃,包括端点值,及生长压力可以为50-500mbar,包括端点值。
所述第一N型层为第一N型AlGaAs层,所述第一N型AlGaAs层的Al组分大于0且小于0.6,所述第一N型AlGaAs层的掺杂源为Si或Te,所述第一N型AlGaAs层的掺杂浓度为1E18-5E19,包括端点值,且所述第一N型AlGaAs层的V/III比值为10-500,包括端点值;及第一N型AlGaAs层的生长温度可以为600-800℃,包括端点值,及生长压力可以为50-500mbar,包括端点值。
所述N型波导层为N型AlGaAs波导层,所述N型AlGaAs波导层的Al组分大于0.2且小于0.6,N型AlGaAs波导层的厚度可以为50-200nm,包括端点值;及N型AlGaAs波导层的生长温度可以为600-800℃,包括端点值,及生长压力可以为50-500mbar,包括端点值。
所述AlGaAs层的Al组分大于0.05且小于0.25,所述AlGaAs层的厚度可以为50-200nm,包括端点值;及AlGaAs层的生长温度可以为600-800℃,包括端点值,及生长压力可以为50-500mbar,包括端点值。
所述第二P型层为第二P型AlGaAs层,所述第二P型AlGaAs层的Al组分大于0.05且小于0.25,所述第二P型AlGaAs层的掺杂源为Mg或C,所述第二P型AlGaAs层的掺杂浓度为5E19-2E20,包括端点值,且所述第二P型AlGaAs层的V/III比值为10-500,包括端点值;及第二P型AlGaAs层的生长温度可以为600-800℃,包括端点值,及生长压力可以为50-500mbar,包括端点值。
所述第二N型层为第二N型AlGaAs层,所述第二N型AlGaAs层的Al组分大于0.05且小于0.25,所述第二N型AlGaAs层的掺杂源为Si或Te,所述第二N型AlGaAs层的掺杂浓度为1E18-5E19,包括端点值,且所述第二N型AlGaAs层的V/III比值为10-500,包括端点值;及第二N型AlGaAs层的生长温度可以为600-800℃,包括端点值,及生长压力可以为50-500mbar,包括端点值。
所述P型波导层为P型AlGaAs波导层,所述P型AlGaAs波导层的Al组分大于0.2且小于0.6,所述P型AlGaAs波导层的厚度可以为50-200nm,包括端点值;及P型AlGaAs波导层的生长温度可以为600-800℃,包括端点值,及生长压力可以为50-500mbar,包括端点值。
以及,本发明实施例提供的衬底可以为GaAs衬底;N型DBR反射镜层的厚度可以为4μm,且N型DBR反射镜层的生长温度可以为650-800℃,包括端点值,及生长压力可以为50mbar。所述氧化层的厚度可以为100nm,且氧化层的生长温度可以为650-800℃,包括端点值,及生长压力可以为50mbar。P型DBR反射镜层的厚度可以为3μm,且P型DBR反射镜层的生长温度可以为650-800℃,包括端点值,及生长压力可以为50mbar,对此本发明实施例不做具体限制。
如图3所示,为本发明实施例提供的又一种半导体激光器的结构示意图,其中为了提高半导体激光器的性能,本发明实施例提供的所述半导体激光器还包括位于所述衬底100与所述N型DBR反射镜层200之间的缓冲层600。可选的,本发明实施例提供的所述缓冲层为GaAs缓冲层,缓冲层的厚度可以为10-25nm,包括端点值;及GaAs缓冲层的生长温度可以为600-700℃,包括端点值,及生长压力可以为50mbar。
及如图4所示,本发明实施例提供的所述半导体激光器还包括位于所述P型DBR反射镜层500背离所述衬底100一侧的P型AlGaAs层700,P型AlGaAs层的厚度可以为大于0且不大于100nm,P型AlGaAs层的Al组分大于0且小于0.5,Ga组分大于0.5且小于1;及P型AlGaAs层的生长温度可以为600-800℃,包括端点值,及生长压力可以为50mbar。进一步的,本发明实施例提供的所述半导体激光器还包括位于所述P型AlGaAs层700背离所述衬底100一侧的P型GaAs层800,P型GaAs层的厚度可以为大于0且不大于50nm,及P型GaAs层的生长温度可以为600-800℃,包括端点值,及生长压力可以为50mbar,进而通过P型AlGaAs层和P型GaAs层的设置进一步提高半导体激光器的性能。
相应的,本发明实施例还提供了一种半导体激光器的制作方法,包括:
提供衬底。
在所述衬底上形成在第一方向上依次叠加设置的N型DBR反射镜层、发光外延结构、氧化层及P型DBR反射镜层,所述发光外延结构包括在所述第一方向上依次设置的第一量子阱层至第N量子阱层,所述第一量子阱层至第N量子阱层中任意一量子阱层包括InGaAs阱层;其中,第i量子阱层中InGaAs阱层的In组分大于第i+1量子阱层中InGaAs阱层的In组分,N为大于或等于2的整数,i为大于或等于1且小于N的整数。
本发明实施例提供的N为3,其中,所述发光外延结构包括在所述第一方向上依次设置的第一波导层、第一量子阱层、第二波导层、第一P型层、第一N型层、N型波导层、第二量子阱层、AlGaAs层、第二P型层、第二N型层、第三量子阱层和P型波导层。及本发明实施例提供的第一量子阱层至第N量子阱层中任意一量子阱层包括InGaAs阱层,及本发明实施例提供的所述第一量子阱包括GaAs垒层,所述第二量子阱层包括AlGaAs垒层,所述第三量子阱层包括InAlGaAs垒层。
为了提高半导体激光器的性能,本发明实施例提供的所述半导体激光器还包括位于所述衬底与所述N型DBR反射镜层之间的缓冲层;及还包括位于所述P型DBR反射镜层背离所述衬底一侧的P型AlGaAs层,和位于所述P型AlGaAs层背离所述衬底一侧的P型GaAs层。
本发明实施例提供了一种半导体激光器及其制作方法,包括:在第一方向上依次叠加设置的衬底、N型DBR反射镜层、发光外延结构、氧化层及P型DBR反射镜层,所述发光外延结构包括在所述第一方向上依次设置的第一量子阱层至第N量子阱层,所述第一量子阱层至第N量子阱层中任意一量子阱层包括InGaAs阱层;其中,第i量子阱层中InGaAs阱层的In组分大于第i+1量子阱层中InGaAs阱层的In组分,N为大于或等于2的整数,i为大于或等于1且小于N的整数。
由上述内容可知,本发明实施例提供的技术方案,在增加了半导体激光器所包括的量子阱数量的同时,设置第i量子阱层中InGaAs阱层的In组分大于第i+1量子阱层中InGaAs阱层的In组分,由于InGaAs阱层的折射率随着In组分的升高而增加,进而能够对半导体激光器的光场限制,使得半导体激光器的发光点位置偏向衬底侧,有效降低半导体激光器的发散角。
对所公开的实施例的上述说明,使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。因此,本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (8)
1.一种半导体激光器,其特征在于,包括:
在第一方向上依次叠加设置的衬底、N型DBR反射镜层、发光外延结构、氧化层及P型DBR反射镜层,所述发光外延结构包括在所述第一方向上依次设置的第一量子阱层至第N量子阱层,所述第一量子阱层至第N量子阱层中任意一量子阱层包括InGaAs阱层;
其中,第i量子阱层中InGaAs阱层的In组分大于第i+1量子阱层中InGaAs阱层的In组分,N为大于或等于2的整数,i为大于或等于1且小于N的整数;
N为3,其中,所述发光外延结构包括在所述第一方向上依次设置的第一波导层、第一量子阱层、第二波导层、第一P型层、第一N型层、N型波导层、第二量子阱层、AlGaAs层、第二P型层、第二N型层、第三量子阱层和P型波导层;
所述第一波导层为第一AlGaAs波导层,所述第一AlGaAs波导层的Al组分大于0.2且小于0.6;
所述第二波导层为第二AlGaAs波导层,所述第二AlGaAs波导层的Al组分大于0.1且小于0.6;
所述第一P型层为第一P型AlGaAs层,所述第一P型AlGaAs层的Al组分大于0.1且小于0.6,所述第一P型AlGaAs层的掺杂源为Mg或C,所述第一P型AlGaAs层的掺杂浓度为5E19-2E20,包括端点值,且所述第一P型AlGaAs层的V/III比值为10-500,包括端点值;
所述第一N型层为第一N型AlGaAs层,所述第一N型AlGaAs层的Al组分大于0且小于0.6,所述第一N型AlGaAs层的掺杂源为Si或Te,所述第一N型AlGaAs层的掺杂浓度为1E18-5E19,包括端点值,且所述第一N型AlGaAs层的V/III比值为10-500,包括端点值;
所述N型波导层为N型AlGaAs波导层,所述N型AlGaAs波导层的Al组分大于0.2且小于0.6;
所述AlGaAs层的Al组分大于0.05且小于0.25;
所述第二P型层为第二P型AlGaAs层,所述第二P型AlGaAs层的Al组分大于0.05且小于0.25,所述第二P型AlGaAs层的掺杂源为Mg或C,所述第二P型AlGaAs层的掺杂浓度为5E19-2E20,包括端点值,且所述第二P型AlGaAs层的V/III比值为10-500,包括端点值;
所述第二N型层为第二N型AlGaAs层,所述第二N型AlGaAs层的Al组分大于0.05且小于0.25,所述第二N型AlGaAs层的掺杂源为Si或Te,所述第二N型AlGaAs层的掺杂浓度为1E18-5E19,包括端点值,且所述第二N型AlGaAs层的V/III比值为10-500,包括端点值;
所述P型波导层为P型AlGaAs波导层,所述P型AlGaAs波导层的Al组分大于0.2且小于0.6。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器,其特征在于,所述第一量子阱包括GaAs垒层,所述第二量子阱层包括AlGaAs垒层,所述第三量子阱层包括InAlGaAs垒层。
3.根据权利要求2所述的半导体激光器,其特征在于,所述AlGaAs垒层的Al组分大于0.05且小于0.25。
4.根据权利要求1所述的半导体激光器,其特征在于,所述半导体激光器还包括位于所述衬底与所述N型DBR反射镜层之间的缓冲层。
5.根据权利要求4所述的半导体激光器,其特征在于,所述缓冲层为GaAs缓冲层。
6.根据权利要求1所述的半导体激光器,其特征在于,所述半导体激光器还包括位于所述P型DBR反射镜层背离所述衬底一侧的P型AlGaAs层。
7.根据权利要求6所述的半导体激光器,其特征在于,所述半导体激光器还包括位于所述P型AlGaAs层背离所述衬底一侧的P型GaAs层。
8.一种半导体激光器的制作方法,其特征在于,用于制备权利要求1-7任意一项所述的半导体激光器,包括:
提供衬底;
在所述衬底上形成在第一方向上依次叠加设置的N型DBR反射镜层、发光外延结构、氧化层及P型DBR反射镜层,所述发光外延结构包括在所述第一方向上依次设置的第一量子阱层至第N量子阱层,所述第一量子阱层至第N量子阱层中任意一量子阱层包括InGaAs阱层;其中,第i量子阱层中InGaAs阱层的In组分大于第i+1量子阱层中InGaAs阱层的In组分,N为大于或等于2的整数,i为大于或等于1且小于N的整数。
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