CN112379843B - Eeprom数据处理方法、***、存储介质及终端 - Google Patents

Eeprom数据处理方法、***、存储介质及终端 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种EEPROM数据处理方法、***、存储介质及终端；所述方法包括以下步骤：读取EEPROM数据，获取读取正确的EEPROM数据；根据读取正确的EEPROM数据，获取目标EEPROM参数；根据目标EEPROM参数和读取正确的EEPROM数据，判断是否需要向EEPROM芯片中重新写入新的EEPROM数据，并在判断结果为是时，向EEPROM芯片中重新写入新的EEPROM数据；本发明通过冗余保存EEPROM数据，使得即使EEPROM数据在保存时，受到读写干扰，导致EEPROM数据出现异常，也能通过异常处理实现恢复正常数据，提高了EEPROM数据的可靠性。

Description

EEPROM数据处理方法、***、存储介质及终端
技术领域
本发明属于数据处理技术领域，特别是涉及一种EEPROM数据处理方法、***、存储介质及终端。
背景技术
EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，电可擦可编程只读存储器——一种掉电后数据不丢失的存储芯片，EEPROM可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程，一般用在即插即用。
在空调变频压缩机运行中，高频PFC、高频逆变调制等功率器件的开关都会产生干扰源，可能影响EEPROM数据的读写；在EEPROM数据的读写过程中，如果遭遇突然的断电，也会影响EEPROM数据的保存，而控制板的运行控制，需要读取EEPROM数据，根据保存的用户设置、控制参数及状态运行，所以，对EEPROM数据的可靠性有较高的要求。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种EEPROM数据处理方法、***、存储介质及终端，用于解决现有技术中，由于EEPROM数据读写过程受影响，导致EEPROM数据可靠性低的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种EEPROM数据处理方法，包括以下步骤：读取EEPROM数据，获取读取正确的EEPROM数据；根据所述读取正确的EEPROM数据，获取目标EEPROM参数；根据所述目标EEPROM参数和所述读取正确的EEPROM数据，判断是否需要向EEPROM芯片中重新写入新的EEPROM数据，并在判断结果为是时，向所述EEPROM芯片中重新写入所述新的EEPROM数据。
于本发明的一实施例中，读取EEPROM数据，获取读取正确的EEPROM数据包括以下步骤：判断连续两次读取的所述EEPROM数据是否完全一致；在连续两次读取的所述EEPROM数据之间存在至少一不同时，继续读取所述EEPROM数据，直至连续两处读取的所述EEPROM数据完全一致；在连续两次读取的所述EEPROM数据完全一致时，以连续两次读取的结果作为所述读取正确的EEPROM数据。
于本发明的一实施例中，根据所述读取正确的EEPROM数据，获取目标EEPROM参数包括以下步骤：从所述读取正确的EEPROM数据中选取多个对应一当前所述EEPROM参数的多个读入异或冗余值；对多个所述读入异或冗余值分别进行异或处理，获取多个冗余值；对多个所述读入异或冗余值进行异或处理的异或值各不相同；对多个所述冗余值进行比较，以根据比较结果获取对应所述EEPROM参数的参数值；重复执行上述步骤，获取所有的EEPROM参数对应的参数值，并将所有的EEPROM参数对应的参数值作为所述目标EEPROM参数。
于本发明的一实施例中，根据比较结果获取对应所述EEPROM参数的参数值包括以下情况：在多个所述冗余值中存在至少两个相同的冗余值，且至少两个相同的所述冗余值符合预设参数上下限时，将至少两个相同的所述冗余值作为所述参数值；在多个所述冗余值中存在至少两个冗余值相同，但所述至少两个冗余值不符合所述预设参数上下限时，将预设参数初始值作为所述参数值；在多个所述冗余值各不相同时，将所述预设参数初始值作为所述参数值。
于本发明的一实施例中，根据所述目标EEPROM参数和所述读取正确的EEPROM数据，判断是否需要向EEPROM芯片中重新写入新的EEPROM数据，并在判断结果为是时，向所述EEPROM芯片中重新写入所述新的EEPROM数据包括以下步骤：对所述目标EEPROM参数中的每一所述参数值分别进行多次异或处理，获取对应每一所述参数值的多个异或冗余值；对所述参数值进行多次异或处理的多个异或值各不相同，且与对所述多个所述读入异或冗余值进行异或处理的异或值对应相同；分别将对应每一所述参数值的多个所述异或冗余值与对应的多个所述读入异或冗余值进行比较，以根据比较结果判断是否需要向所述EEPROM芯片中重新写入所述新的EEPROM数据；当存在所述异或冗余值与其对应的所述读入异或冗余值不同时，则所述判断结果为是，并在所述判断结果为是时，将不同处对应的所述异或冗余值作为所述新的EEPROM数据，重新写入所述EEPROM芯片上，不同处对应的所述读入异或冗余值所对应的存储地址内。
于本发明的一实施例中，在向所述EEPROM芯片中重新写入所述新的EEPROM数据后，还包括以下步骤：读取新EEPROM数据，直至连续两次读取的所述新EEPROM数据完全一致，获取读取正确的新EEPROM数据；将所述读取正确的新EEPROM数据与所有所述参数值的异或冗余值进行对应比较，若所述读取正确的新EEPROM数据与所有所述参数值的异或冗余值对应均相同，则写入正确；若存在不同，则需要将不同处对应的所述异或冗余值重新写入所述EEPROM芯片上，对应不同处的存储地址内。
于本发明的一实施例中，还包括：在写入所述新的EEPROM数据时，将所述EEPROM芯片的写保护引脚置于低电平；在非写入时，所述写保护引脚均置于高电平，以实现在非写入时，禁止写入。
本发明提供一种EEPROM数据处理***，包括：读取模块、获取模块及判断模块；所述读取模块用于读取EEPROM数据，获取读取正确的EEPROM数据；所述获取模块用于根据所述读取正确的EEPROM数据，获取目标EEPROM参数；所述判断模块用于根据所述目标EEPROM参数和所述读取正确的EEPROM数据，判断是否需要向EEPROM芯片中重新写入新的EEPROM数据，并在判断结果为是时，向所述EEPROM芯片中重新写入所述新的EEPROM数据。
本发明提供一种存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述的EEPROM数据处理方法。
本发明提供一种终端，包括：处理器及存储器；所述存储器用于存储计算机程序；所述处理器用于执行所述存储器存储的计算机程序，以使所述终端执行上述的EEPROM数据处理方法。
如上所述，本发明所述的EEPROM数据处理方法、***、存储介质及终端，具有以下有益效果：
与现有技术相比，本发明通过冗余保存EEPROM数据，使得即使EEPROM数据在保存时，受到读写干扰，导致EEPROM数据出现异常，也能通过异常处理实现恢复正常数据，提高了EEPROM数据的可靠性。
附图说明
图1显示为本发明的EEPROM数据处理方法于一实施例中的流程图。
图2显示为本发明的获取读取正确的EEPROM数据于一实施例中的流程图。
图3显示为本发明的获取目标EEPROM参数于一实施例中的流程图。
图4显示为本发明的判断是否需要向EEPROM芯片中重新写入新的EEPROM数据，并在判断结果为是时，向EEPROM芯片中重新写入新的EEPROM数据于一实施例中的流程图。
图5显示为本发明的在向EEPROM芯片中重新写入新的EEPROM数据后，判断写入是否正确于一实施例中的流程图。
图6显示为本发明的EEPROM数据处理***于一实施例中的结构示意图。
图7显示为本发明的终端于一实施例中的结构示意图。
标号说明
61 读取模块
62 获取模块
63 判断模块
71 处理器
72 存储器
S1～S3 步骤
S11～S12 步骤
S21～S24 步骤
S31～S33 步骤
S4～S5 步骤
具体实施方式
以下通过特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。
需要说明的是，以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
本发明的EEPROM数据处理方法、***、存储介质及终端，与现有技术相比，本发明通过冗余保存EEPROM数据，使得即使EEPROM数据在保存时，受到读写干扰，导致EEPROM数据出现异常，也能通过异常处理实现恢复正常数据，提高了EEPROM数据的可靠性。
如图1所示，于一实施例中，本发明的EEPROM数据处理方法包括以下步骤：
步骤S1、读取EEPROM数据，获取读取正确的EEPROM数据。
需要说明的是，在实际应用中，如果一上电就开始读取EEPROM数据，EEPROM芯片数据有时会出错；所以，通常在控制器上电后，延时100ms等到EEPROM上电稳定后，才开始EEPROM数据的读取。
需要说明的是，该100ms只是一经验值，不作为限制本发明的条件。
如图2所示，于一实施例中，读取EEPROM数据，获取读取正确的EEPROM数据包括以下步骤：
步骤S11、判断连续两次读取的所述EEPROM数据是否完全一致。
步骤S12、在连续两次读取的所述EEPROM数据之间存在至少一不同时，继续读取所述EEPROM数据，直至连续两处读取的所述EEPROM数据完全一致；在连续两次读取的所述EEPROM数据完全一致时，以连续两次读取的结果作为所述读取正确的EEPROM数据。
步骤S2、根据所述读取正确的EEPROM数据，获取目标EEPROM参数。
如图3所示，于一实施例中，根据所述读取正确的EEPROM数据，获取目标EEPROM参数包括以下步骤：
步骤S21、从所述读取正确的EEPROM数据中选取对应一所述EEPROM参数的多个读入异或冗余值。
需要说明的是，多个读入异或冗余值与EEPROM芯片上存储的对应该EEPROM参数的多个异或冗余值一一对应(此时的EEPROM芯片不是空芯片；若EEPROM芯片为空芯片，则读取的EEPROM数据均为FFH)；其中，该多个异或冗余值是对该EEPROM参数进行多次异或处理后获得的，该多个异或冗余值分别对应存储在所述EEPROM芯片上的多个不同存储地址内，所述存储地址与预设存储地址相同；读入异或冗余值是经对EEPROM芯片上的存储的异或冗余值进行读取操作之后获得的，两者可能相同，也可能不同；具体地，在经步骤S1获取读取正确的EEPROM数据后，根据该预设存储地址，从该读取正确的EEPROM数据中选取与该预设存储地址相同的存储地址内的读入异或冗余值。
需要说明的是，对一EEPROM参数进行多次异或处理的多个异或值各不相同；对其它EEPROM参数进行多次异或处理的异或值，可能与对该EEPROM参数进行多次异或处理的多个异或值对应相同，也可能存在不同，只要保证针对一EEPROM参数，对其进行多次异或处理的多个异或值各不相同即可。
需要说明的是，该多个异或值均是预先设定好的，具体为何值不作为限制本发明的条件，可视实际应用场景来定；具体地，通过这多个异或值分别与该EEPROM参数进行异或，得到对应的多个异或冗余值。
需要说明的是，该预设存储地址是预先定义好的，指定了EEPROM芯片上用来存储每一EEPROM参数的异或冗余值的地址。
需要说明的是，对应每一EEPROM参数的异或冗余值至少为三个，则对应用来存储每一EEPROM参数的异或冗余值的地址也至少为三个。
进一步地，对于一EEPROM参数，其在EEPROM芯片上存储的时候，相邻两个所述存储地址之间保持预设地址间隔；具体地，多处存储地址不连续，相邻之间有较大的地址间隔(预设地址间隔)，从而使获取的EEPROM数据在保存时，如果受到了读写干扰，只会影响其中一处的数据(因为EEPROM数据连续写入时，写入数据的地址是连续递增的，即使写入错误，影响的也是连续的一小块区域)。
步骤S22、对多个所述读入异或冗余值分别进行异或处理，获取多个冗余值。
需要说明的是，对多个所述读入异或冗余值进行异或处理的异或值各不相同。
具体地，每一个读入异或冗余值，对应一个异或值，多个当前EEPROM参数对应多个异或值，且这多个异或值各不相同，通过将一读入异或冗余值和与之对应的异或值进行异或处理，即可获取相应的冗余值。
需要说明的是，这里对读入异或冗余值进行异或处理的异或值与前述对EEPROM参数进行异或处理的异或值对应相同；具体地，在对应的时候，是根据存储地址来对应的。
下面通过具体实施例来进一步解释说明该步骤S22的工作原理。
假设在下面实施例中，对应一EEPROM参数的预设存储地址分别为2、102、202；对应三处地址预设的异或值分别为56H、93H、EBH。
实施例一
假设EEPROM芯片为空芯片(EEPROM芯片所有地址内存储的数据均为FFH)，则经步骤S21选取的与预设存储地址2、102、202相同的三个存储地址内的读入异或冗余值均为FFH，将存储地址2内的FFH与异或值56H进行异或处理，获取冗余值A9H；将存储地址102内的FFH与异或值93H进行异或处理，获取冗余值6CH；将存储地址202内的FFH与异或值EBH进行异或处理，获取冗余值14H。
实施例二
假设经步骤S21选取了与预设存储地址2、102、202相同的三个存储地址内的读入异或冗余值，分别为41H、84H、FCH，将41H与异或值56H进行异或处理，获取冗余值17H；将84H与异或值93H进行异或处理，获取冗余值17H；将FCH与异或值EBH进行异或处理，获取冗余值17H。
实施例三
假设经步骤S21选取了与预设存储地址2、102、202相同的三个存储地址内的读入异或冗余值，分别为42H、84H、FCH，将42H与异或值56H进行异或处理，获取冗余值14H；将84H与异或值93H进行异或处理，获取冗余值17H；将FCH与异或值EBH进行异或处理，获取冗余值17H。
实施例四
假设经步骤S21选取了与预设存储地址2、102、202相同的三个存储地址内的读入异或冗余值，分别为71H、A4H、FCH，将71H与异或值56H进行异或处理，获取冗余值27H；将A4H与异或值93H进行异或处理，获取冗余值27H；将FCH与异或值EBH进行异或处理，获取冗余值17H。
步骤S23、对多个所述冗余值进行比较，以根据比较结果获取对应所述EEPROM参数的参数值。
于一实施例中，根据比较结果获取对应所述EEPROM参数的参数值包括以下情况：
(1)在多个所述冗余值中存在至少两个相同的冗余值，且至少两个相同的所述冗余值符合预设参数上下限时，将至少两个相同的所述冗余值作为所述参数值。
需要说明的是，该预设参数上下限是预先设置好的，其具体数值不作为限制本发明的条件。
(2)在多个所述冗余值中存在至少两个冗余值相同，但所述至少两个冗余值不符合所述预设参数上下限时，将预设参数初始值作为所述参数值。
需要说明的是，该预设参数初始值是预先设置好的，其具体数值不作为限制本发明的条件。
(3)在多个所述冗余值各不相同时，将所述预设参数初始值作为所述参数值。
下面通过结合上述实施例来进一步解释说明该步骤S23的工作原理。
假设在上述实施例一至四中对应的预设参数初始值为23，16进制为17H；预设参数下限为16；预设参数上限为30。
参考实施例一
在实施例一中，获取的三个冗余值分别为A9H、6CH、14H，三个冗余值各不相同，无法获取参数值，则将预设参数初始值23作为该参数值，对应上述情况(3)。
参考实施例二
在实施例二中，获取的三个冗余值均为17H，且均符合预设参数上下限，则将这三个相同的冗余值17H(23)作为该参数值，对应上述情况(1)。
参考实施例三
在实施例三中，获取的三个冗余值分别为14H、17H、17H，且均符合预设参数上下限，则将后面这两个相同的冗余值17H(23)作为该参数值，对应上述情况(1)。
参考实施例四
在实施例四中，获取的三个冗余值分别为27H、27H、17H，前两个冗余值相同，但不符合预设参数上下限，则将预设参数初始值23作为该参数值，对应上述情况(2)。
步骤S24、重复执行上述步骤S21至步骤S23，获取所有的EEPROM参数对应的参数值，并将所有的EEPROM参数对应的参数值作为所述目标EEPROM参数。
需要说明的是，经上述步骤S21至步骤S23，最终获取了对应一EEPROM参数的参数值；要想获取所有的EEPROM参数对应的参数值，需重复执行步骤S21至步骤S23；具体地，经重复执行步骤S21至步骤S23后，获取所有EEPROM参数对应的参数值，将所有EEPROM参数对应的参数值作为该目标EEPROM参数。
步骤S3、根据所述目标EEPROM参数和所述读取正确的EEPROM数据，判断是否需要向EEPROM芯片中重新写入新的EEPROM数据，并在判断结果为是时，向所述EEPROM芯片中重新写入所述新的EEPROM数据。
如图4所示，于一实施例中，根据所述目标EEPROM参数和所述读取正确的EEPROM数据，判断是否需要向EEPROM芯片中重新写入新的EEPROM数据，并在判断结果为是时，向所述EEPROM芯片中重新写入所述新的EEPROM数据包括以下步骤：
步骤S31、对所述目标EEPROM参数中的每一所述参数值分别进行多次异或处理，获取对应每一所述参数值的多个异或冗余值。
需要说明的是，针对一参数值(该参数值对应一EEPROM参数)，对该参数值进行多次异或处理的多个异或值各不相同，且与前述对该EEPROM参数对应的多个所述读入异或冗余值进行异或处理的异或值对应相同。
对应上述实施例一至四，此时与该参数值进行异或处理的异或值应分别为：56H、93H、EBH；具体地，将该参数值分别与56H、93H、EBH进行异或处理，获取三个异或冗余值。
步骤S32、分别将对应每一所述参数值的多个所述异或冗余值与对应的多个所述读入异或冗余值进行比较，以根据比较结果判断是否需要向所述EEPROM芯片中重新写入所述新的EEPROM数据。
下面通过结合上述实施例一至实施例四来进一步解释说明该步骤S32的工作原理。
参考实施例一
在实施例一中，经步骤S23获取的参数值为预设参数初始值23，16进制为17H，将该参数值分别与56H、93H、EBH进行异或处理，获取的三个异或冗余值分别为41H、84H、FCH，将其分别与实施例一中选取的三个读入异或冗余值FFH、FFH、FFH进行对应比较(41H与FFH比较；84H与FFH比较；FCH与FFH比较)，经比较发现比较结果为三处的读入异或冗余值和与之对应的异或冗余值都不同，则需要向EEPROM芯片中重新写入新的EEPROM数据，即步骤S32中的判断结果为是。
需要说明的是，在实施例一中，需要向EEPROM芯片上的地址2、102、202内都重新写入新的EEPROM数据。
参考实施例二
在实施例二中，经步骤S23获取的参数值为三个相同的冗余值17H，将该参数值分别与56H、93H、EBH进行异或处理，获取的三个异或冗余值分别为41H、84H、FCH，将其分别与实施例二中选取的三个读入异或冗余值41H、84H、FCH进行对应比较(41H与41H比较；84H与84H比较；FCH与FCH比较)，经比较发现比较结果为三处的读入异或冗余值和与之对应的异或冗余值都相同，则不需要向EEPROM芯片中重新写入新的EEPROM数据，即步骤S32中的判断结果为否。
参考实施例三
在实施例三中，经步骤S23获取的参数值为后面两个相同的冗余值17H，将该参数值分别与56H、93H、EBH进行异或处理，获取的三个异或冗余值分别为41H、84H、FCH，将其分别与实施例三中选取的三个读入异或冗余值42H、84H、FCH进行对应比较(41H与42H比较；84H与84H比较；FCH与FCH比较)，经比较发现比较结果为后两处的读入异或冗余值和与之对应的异或冗余值都相同，但第一处的读入异或冗余值和与之对应的异或冗余值不同，则需要向EEPROM芯片中重新写入新的EEPROM数据，即步骤S32中的判断结果为是。
需要说明的是，在实施例三中，只需要向EEPROM芯片上的地址2内重新写入新的EEPROM数据。
参考实施例四
在实施例四中，经步骤S23获取的参数值为预设参数初始值23，16进制为17H，将该参数值分别与56H、93H、EBH进行异或处理，获取的三个异或冗余值分别为41H、84H、FCH，将其分别与实施例四中选取的三个读入异或冗余值71H、A4H、FCH进行对应比较(41H与71H比较；84H与A4H比较；FCH与FCH比较)，经比较发现比较结果为前两处的读入异或冗余值和与之对应的异或冗余值都不同，后一处的读入异或冗余值和与之对应的异或冗余值相同，则需要向EEPROM芯片中重新写入新的EEPROM数据，即步骤S32中的判断结果为是。
需要说明的是，在实施例四中，需要向EEPROM芯片上的地址2和地址102内重新写入新的EEPROM数据。
进一步地，结合上述实施例二，在实施例二中，三处的读入异或冗余值和与之对应的异或冗余值都相同，但后续如果用户修改了实施例二中的对应该EEPROM参数的参数值，将其由17H(23)修改为18H(24)，则将该参数值分别与56H、93H、EBH进行异或处理，获取的三个异或冗余值分别为4EH、8BH、F3H，此时，再将该三个异或冗余值分别与实施例二中选取的三个读入异或冗余值41H、84H、FCH进行对应比较(4EH与41H比较；8BH与84H比较；F3H与FCH比较)，经比较发现比较结果为三处的读入异或冗余值和与之对应的异或冗余值都不同，则需要向EEPROM芯片中重新写入新的EEPROM数据，即对应步骤S32中的判断结果为是。
需要说明的是，参考实施例一，需要向EEPROM芯片上的地址2、102、202内都重新写入新的EEPROM数据。
步骤S33、当存在所述异或冗余值与其对应的所述读入异或冗余值不同时，则所述判断结果为是，并在所述判断结果为是时，将不同处对应的所述异或冗余值作为所述新的EEPROM数据，重新写入所述EEPROM芯片上，不同处对应的所述读入异或冗余值所对应的存储地址内。
需要说明的是，在向EEPROM芯片上重新写入新的EEPROM数据时，是按照EEPROM参数一个一个来写的，即针对一EEPROM参数，当经步骤S33，发现经步骤S31获取的对应该EEPROM参数的异或冗余值与经步骤S21获取的对应该EEPROM参数的读入异或冗余值存在不同时，对不同处对应的存储地址执行重新写入操作，操作完成后，即完成了对该EEPROM参数的写入，在该EEPROM参数完成写入后，经过预设时间间隔后，可对下一个EEPROM参数执行写入操作。
优选地，每对应一个EEPROM参数写入新的EEPROM数据后，都需要10ms以上的间隔，一方面是EEPROM芯片写入有时间要求；另一方面在遭遇强干扰时，EEPROM写入受干扰也只损坏一处数据，便于后续读取EEPROM数据时，可以根据其余处数据恢复EEPROM数据。
进一步地，按前述步骤将新的EEPROM数据逐个(按照一个一个EEPROM参数的顺序)写入完成后，再次读取检查全部的EEPROM数据。
参考上述实施例一至实施例四，其中，实施例一、实施例三和实施例四对应的判断结果均为是，所以，均需要向EEPROM芯片中重新写入新的EEPROM数据，只是写入芯片中的地址有所区别。
具体地，在需要向EEPROM芯片中重新写入新的EEPROM数据时，先确定需要向EEPROM芯片上的哪些地址内重新写入新的EEPROM数据(实施例一中的地址2、102、202；实施例三中的地址2；实施例四中的地址2和102)，然后再确定经步骤S31，对应这些地址获取的异或冗余值(实施例一中对应地址2获取的异或冗余值为41H，对应地址102获取的异或冗余值为84H，对应地址202获取的异或冗余值为FCH；实施例三中对应地址2获取的异或冗余值为41H；实施例四中对应地址2和102获取的异或冗余值分别为41H、84H)，最后再将这些异或冗余值作为新的EEPROM数据重新写入对应的存储地址内(在实施例一中，将41H写入地址2内，将84H写入地址102内，将FCH写入地址202内；在实施例三中，将41H写入地址2内；在实施例四中，将41H写入地址2内，将84H写入地址102内)。
需要说明的是，对于实施例一中的空EEPROM芯片，可以自动识别，并将对预设参数初始值进行多个不同异或值的异或处理后，产生的多个异或冗余值写入对应的存储地址内。
进一步地，在向EEPROM芯片中重新写入了新的EEPROM数据后，还需要判断写入是否正确。
如图5所示，于一实施例中，在向所述EEPROM芯片中重新写入所述新的EEPROM数据后，还包括以下步骤(具体为在向EEPROM芯片中重新写入新的EEPROM数据后，判断写入是否正确包括以下步骤)：
步骤S4、读取新EEPROM数据，直至连续两次读取的所述新EEPROM数据完全一致，获取读取正确的新EEPROM数据。
需要说明的是，该步骤S4的目的是为了在向EEPROM芯片中写入了新的EEPROM数据后，从该EEPROM芯片上再次读取到正确的新EEPROM数据；具体地，原理参考上述步骤S11和步骤S12。
需要说明的是，此步骤S4中的新EEPROM数据是相对步骤S1中的EEPROM数据来说的，经步骤S3中的步骤S33向EEPROM芯片中重新写入了新的EEPROM数据后，EEPROM芯片中的数据随之发生相应改变，此时，再读取的EEPROM数据相对重新写入之前的读取到的EEPROM数据，即为新EEPROM数据(考虑的是全部的EEPROM数据，可能在执行重新写入操作时，只是对EEPROM芯片上的某一或某几个存储地址执行了相应的重新写入操作，对其它存储地址并未执行重新写入操作，也即全部的EEPROM数据中只有对应某一或某几个存储地址内的数据相对重新写入操作之前发生了变化，其它地址内存储的数据均未改变，但整体上来看，还是认为重新写入之后的EEPROM数据相对重新写入之前的EEPROM数据为新EEPROM数据)。
进一步地，虽然在上述步骤S33中执行重新写入操作时，可能只是需要对确定的某一或某几个存储地址执行重新写入操作，但是，在实际执行重新写入操作时，可能发生地址写入错误(诸如，需要对地址2写数据42H，但是向地址6中写了数据42H)，或者是数据写入错误(诸如，需要对地址2写数据42H，但是向地址2中写了数据43H)等问题，所以，为保证每次写入后的准确可靠性，还是需要读取EEPROM芯片的全部EEPROM数据(即新EEPROM数据)进行复查。
步骤S5、将所述读取正确的新EEPROM数据与所有所述参数值的异或冗余值进行对应比较，若所述读取正确的新EEPROM数据与所有所述参数值的异或冗余值对应均相同，则写入正确；若存在不同，则需要将不同处对应的所述异或冗余值重新写入所述EEPROM芯片上，对应不同处的存储地址内。
具体地，将经步骤S4获取的读取正确的新EEPROM数据与经步骤S31获取的对应所有参数值的异或冗余值进行一一比较(按照存储地址进行对应比较)，或者是在用户修改了参数值后，将经步骤S4获取的读取正确的新EEPROM数据与对用户修改后的参数值进行异或处理获取的异或冗余值进行一一比较；若经比较发现，读取正确的新EEPROM数据与所有的异或冗余值对应均相同，则说明写入正确；反之，如果存在不同，则将不同处对应的异或冗余值作为新的EEPROM数据，重新写入EEPROM芯片上，对应不同处的存储地址内。
于一实施例中，还包括在写入所述新的EEPROM数据时，将所述EEPROM芯片的写保护引脚置于低电平；在非写入时，所述写保护引脚均置于高电平，以实现在非写入时，禁止写入。
具体地，在写入时，通过将EEPROM芯片的写保护引脚WP置于低电平，而在非写入时，即写入完成即置高电平，其它时刻也都保持高电平，禁止EEPROM数据的写入，从而可确保EEPROM数据不受干扰影响，对EEPROM芯片起到了写保护的作用，提高了数据可靠性。
需要说明的是，控制器的CPU包括ROM、RAM两部分内存；其中ROM部分可通过烧写程序将程序固化到ROM中，后续除非重新烧写新程序，否则ROM中内容保持不变，不管上电断电都保持不变；RAM部分，上电时会全清零，可以在RAM中定义变量，上电运行后，可对这些变量赋值修改。
具体地，上述的预设参数初始值、预设参数上下限、预设存储地址及预设的异或值都是固定的，将其存储在ROM中；而运行参数会根据用户设置、运行情况变化，只能存储在RAM中，而RAM上电时会全清零，如果其中一些参数需要断电后记忆保存，就需要保存在外部存储器EEPROM芯片中；EEPROM数据断电后能够保存。
需要说明的是，CPU芯片和EEPROM之间有特定的通讯协议，CPU芯片会发一串高低电平的通讯数据给EEPROM，其中，包括读指令和读地址，或者写指令、写地址和写数据，EEPROM会识别这些指令，如果是读指令，则EEPROM反馈该地址的EEPROM数据；如果是写指令，则在WP设置低允许时，将写数据写入该地址中；如果受到严重干扰，读写的这一串通讯信号可能受到干扰，影响了其中的一位，可能是数据位，也可能是地址位。
需要说明的是，本发明所述的EEPROM数据处理方法的保护范围不限于本实施例列举的步骤执行顺序，凡是根据本发明的原理所做的现有技术的步骤增减、步骤替换所实现的方案都包括在本发明的保护范围内。
如图6所示，本发明的EEPROM数据处理***包括读取模块61、获取模块62及判断模块63。
所述读取模块61用于读取EEPROM数据，获取读取正确的EEPROM数据。
所述获取模块62用于根据所述读取正确的EEPROM数据，获取目标EEPROM参数。
所述判断模块63用于根据所述目标EEPROM参数和所述读取正确的EEPROM数据，判断是否需要向EEPROM芯片中重新写入新的EEPROM数据，并在判断结果为是时，向所述EEPROM芯片中重新写入所述新的EEPROM数据。
需要说明的是，所述读取模块61、所述获取模块62及所述判断模块63的结构及原理与上述EEPROM数据处理方法中的步骤(步骤S1～步骤S3)一一对应，故在此不再赘述。
需要说明的是，应理解以上***的各个模块的划分仅仅是一种逻辑功能的划分，实际实现时可以全部或部分集成到一个物理实体上，也可以物理上分开。且这些模块可以全部以软件通过处理元件调用的形式实现；也可以全部以硬件的形式实现；还可以部分模块通过处理元件调用软件的形式实现，部分模块通过硬件的形式实现。例如，x模块可以为单独设立的处理元件，也可以集成在上述***的某一个芯片中实现，此外，也可以以程序代码的形式存储于上述***的存储器中，由上述***的某一个处理元件调用并执行以上x模块的功能。其它模块的实现与之类似。此外这些模块全部或部分可以集成在一起，也可以独立实现。这里所述的处理元件可以是一种集成电路，具有信号的处理能力。在实现过程中，上述方法的各步骤或以上各个模块可以通过处理器元件中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成。
例如，以上这些模块可以是被配置成实施以上方法的一个或多个集成电路，例如：一个或多个特定集成电路(Application Specific Integrated Circuit，简称ASIC)，或，一个或多个数字信号处理器(Digital Singnal Processor，简称DSP)，或，一个或者多个现场可编程门阵列(Field Programmable Gate Array，简称FPGA)等。再如，当以上某个模块通过处理元件调度程序代码的形式实现时，该处理元件可以是通用处理器，例如中央处理器(Central Processing Unit，简称CPU)或其它可以调用程序代码的处理器。再如，这些模块可以集成在一起，以片上***(system-on-a-chip，简称SOC)的形式实现。
本发明的存储介质上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述的EEPROM数据处理方法。所述存储介质包括：ROM、RAM、磁碟、U盘、存储卡或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
如图7所示，本发明的终端包括处理器71及存储器72。
所述存储器72用于存储计算机程序；优选地，所述存储器72包括：ROM、RAM、磁碟、U盘、存储卡或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
所述处理器71与所述存储器72相连，用于执行所述存储器72存储的计算机程序，以使所述终端执行上述的EEPROM数据处理方法。
优选地，所述处理器71可以是通用处理器，包括中央处理器(Central ProcessingUnit，简称CPU)、网络处理器(Network Processor，简称NP)等；还可以是数字信号处理器(Digital Signal Processor，简称DSP)、专用集成电路(Application SpecificIntegrated Circuit，简称ASIC)、现场可编程门阵列(Field Programmable Gate Array，简称FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。
需要说明的是，本发明的EEPROM数据处理***可以实现本发明的EEPROM数据处理方法，但本发明的EEPROM数据处理方法的实现装置包括但不限于本实施例列举的EEPROM数据处理***的结构，凡是根据本发明的原理所做的现有技术的结构变形和替换，都包括在本发明的保护范围内。
综上所述，本发明的EEPROM数据处理方法、***、存储介质及终端，与现有技术相比，本发明通过冗余保存EEPROM数据，使得即使EEPROM数据在保存时，受到读写干扰，导致EEPROM数据出现异常，也能通过异常处理实现恢复正常数据，提高了EEPROM数据的可靠性；所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (9)

1.一种EEPROM数据处理方法，其特征在于，预先定义好EEPROM芯片上用来存储每一EEPROM参数的异或冗余值的多个预设存储地址，并预先定义好多个预设存储地址中每一地址对应的异或值，对一EEPROM参数进行多次异或处理的多个异或值各不相同，对每一EEPROM参数按照所述预设存储地址对应的异或值对所述EEPROM参数进行异或处理后存储到对应的预设存储地址，包括以下步骤：
读取EEPROM数据，获取读取正确的EEPROM数据；
根据所述读取正确的EEPROM数据，获取目标EEPROM参数；根据所述读取正确的EEPROM数据，获取目标EEPROM参数包括以下步骤：
从所述读取正确的EEPROM数据中选取对应一所述EEPROM参数的多个读入异或冗余值；
对多个所述读入异或冗余值分别进行异或处理，获取多个冗余值；对多个所述读入异或冗余值进行异或处理的异或值各不相同；
对多个所述冗余值进行比较，以根据比较结果获取对应所述EEPROM参数的参数值；
重复执行上述步骤，获取所有的EEPROM参数对应的参数值，并将所有的EEPROM参数对应的参数值作为所述目标EEPROM参数；
根据所述目标EEPROM参数和所述读取正确的EEPROM数据，判断是否需要向EEPROM芯片中重新写入新的EEPROM数据，并在判断结果为是时，向所述EEPROM芯片中重新写入所述新的EEPROM数据。
2.根据权利要求1所述的EEPROM数据处理方法，其特征在于，读取EEPROM数据，获取读取正确的EEPROM数据包括以下步骤：
判断连续两次读取的所述EEPROM数据是否完全一致；
在连续两次读取的所述EEPROM数据之间存在至少一不同时，继续读取所述EEPROM数据，直至连续两处读取的所述EEPROM数据完全一致；在连续两次读取的所述EEPROM数据完全一致时，以连续两次读取的结果作为所述读取正确的EEPROM数据。
3.根据权利要求1所述的EEPROM数据处理方法，其特征在于，根据比较结果获取对应所述EEPROM参数的参数值包括以下情况：
在多个所述冗余值中存在至少两个相同的冗余值，且至少两个相同的所述冗余值符合预设参数上下限时，将至少两个相同的所述冗余值作为所述参数值；
在多个所述冗余值中存在至少两个冗余值相同，但所述至少两个冗余值不符合所述预设参数上下限时，将预设参数初始值作为所述参数值；
在多个所述冗余值各不相同时，将所述预设参数初始值作为所述参数值。
4.根据权利要求1所述的EEPROM数据处理方法，其特征在于，根据所述目标EEPROM参数和所述读取正确的EEPROM数据，判断是否需要向EEPROM芯片中重新写入新的EEPROM数据，并在判断结果为是时，向所述EEPROM芯片中重新写入所述新的EEPROM数据包括以下步骤：
对所述目标EEPROM参数中的每一所述参数值分别进行多次异或处理，获取对应每一所述参数值的多个异或冗余值；对所述参数值进行多次异或处理的多个异或值各不相同，且与对所述多个所述读入异或冗余值进行异或处理的异或值对应相同；
分别将对应每一所述参数值的多个所述异或冗余值与对应的多个所述读入异或冗余值进行比较，以根据比较结果判断是否需要向所述EEPROM芯片中重新写入所述新的EEPROM数据；
当存在所述异或冗余值与其对应的所述读入异或冗余值不同时，则所述判断结果为是，并在所述判断结果为是时，将不同处对应的所述异或冗余值作为所述新的EEPROM数据，重新写入所述EEPROM芯片上，不同处对应的所述读入异或冗余值所对应的存储地址内。
5.根据权利要求4所述的EEPROM数据处理方法，其特征在于，在向所述EEPROM芯片中重新写入所述新的EEPROM数据后，还包括以下步骤：
读取新EEPROM数据，直至连续两次读取的所述新EEPROM数据完全一致，获取读取正确的新EEPROM数据；
将所述读取正确的新EEPROM数据与所述目标EEPROM参数中的所有参数值的异或冗余值进行对应比较，若所述读取正确的新EEPROM数据与所有所述参数值的异或冗余值对应均相同，则写入正确；若存在不同，则需要将不同处对应的所述异或冗余值重新写入所述EEPROM芯片上，对应不同处的存储地址内。
6.根据权利要求1所述的EEPROM数据处理方法，其特征在于，还包括：在写入所述新的EEPROM数据时，将所述EEPROM芯片的写保护引脚置于低电平；在非写入时，所述写保护引脚均置于高电平，以实现在非写入时，禁止写入。
7.一种EEPROM数据处理***，其特征在于，预先定义好EEPROM芯片上用来存储每一EEPROM参数的异或冗余值的多个预设存储地址，并预先定义好多个预设存储地址中每一地址对应的异或值，对一EEPROM参数进行多次异或处理的多个异或值各不相同，对每一EEPROM参数按照所述预设存储地址对应的异或值对所述EEPROM参数进行异或处理后存储到对应的预设存储地址，包括：读取模块、获取模块及判断模块；
所述读取模块用于读取EEPROM数据，获取读取正确的EEPROM数据；
所述获取模块用于根据所述读取正确的EEPROM数据，获取目标EEPROM参数；根据所述读取正确的EEPROM数据，获取目标EEPROM参数包括以下步骤：
从所述读取正确的EEPROM数据中选取对应一所述EEPROM参数的多个读入异或冗余值；
对多个所述读入异或冗余值分别进行异或处理，获取多个冗余值；对多个所述读入异或冗余值进行异或处理的异或值各不相同；
对多个所述冗余值进行比较，以根据比较结果获取对应所述EEPROM参数的参数值；
重复执行上述步骤，获取所有的EEPROM参数对应的参数值，并将所有的EEPROM参数对应的参数值作为所述目标EEPROM参数；
所述判断模块用于根据所述目标EEPROM参数和所述读取正确的EEPROM数据，判断是否需要向EEPROM芯片中重新写入新的EEPROM数据，并在判断结果为是时，向所述EEPROM芯片中重新写入所述新的EEPROM数据。
8.一种存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至6中任一项所述的EEPROM数据处理方法。
9.一种终端，其特征在于，包括：处理器及存储器；
所述存储器用于存储计算机程序；
所述处理器用于执行所述存储器存储的计算机程序，以使所述终端执行权利要求1至6中任一项所述的EEPROM数据处理方法。
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