CN112352201A - 用于控制制造设备和相关联设备的方法 - Google Patents

用于控制制造设备和相关联设备的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112352201A
CN112352201A CN201980041201.7A CN201980041201A CN112352201A CN 112352201 A CN112352201 A CN 112352201A CN 201980041201 A CN201980041201 A CN 201980041201A CN 112352201 A CN112352201 A CN 112352201A
Authority
CN
China
Prior art keywords
correction
region
sub
boundary
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201980041201.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112352201B (zh
Inventor
W·西蒙斯
D·M·斯劳特布姆
E·德柯尔特
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from EP18178397.8A external-priority patent/EP3584637A1/en
Application filed by ASML Netherlands BV filed Critical ASML Netherlands BV
Publication of CN112352201A publication Critical patent/CN112352201A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112352201B publication Critical patent/CN112352201B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70681—Metrology strategies
    • G03F7/706831—Recipe selection or optimisation, e.g. select or optimise recipe parameters such as wavelength, polarisation or illumination modes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70475—Stitching, i.e. connecting image fields to produce a device field, the field occupied by a device such as a memory chip, processor chip, CCD, flat panel display
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G03F7/70725—Stages control

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

披露了一种用于确定对制造过程中所使用的至少一个制造设备的控制的校正的方法，所述至少一个制造设备用于提供结构至衬底上的区，所述区包括多个子区。所述方法包括：获得与所述区的所述制造过程的过程参数相关的测量数据；和基于所述测量数据来确定对所述制造设备的校正。所述校正被配置成维持所述过程参数处于跨越两个所述子区之间的边界的指定范围内，和/或与所述区的剩余部分相比对跨越两个所述子区之间的边界的过程参数来较好地进行校正。

Description

用于控制制造设备和相关联设备的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2018年6月19日递交的欧洲申请18178397.8和2018年10月1日递交的欧洲申请18197882.6的优先权，这些欧洲申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
本发明涉及用于在光刻过程中将图案施加至衬底的方法和设备。
背景技术
光刻设备是将期望的图案施加至衬底上(通常施加至衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。在该情况下，图案形成装置(其被替代地称作掩模或掩模版)可以用于产生待形成在IC的单个层上的电路图案。可以将这种图案转印至衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的一部分、一个管芯或若干管芯)上。通常经由成像至设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括：所谓的步进器，其中通过一次性将整个图案曝光至目标部分上来照射每个目标部分；和所谓的扫描仪，其中通过在给定方向(“扫描”方向)上通过辐射束来扫描图案的同时平行或反向平行于这种方向来同步地扫描衬底，从而照射每个目标部分。也可以通过将图案压印至衬底上来将图案从图案形成装置转印至衬底。
为了监控光刻过程，测量了经图案化衬底的参数。例如，参数可以包括形成在经图案化衬底中或经图案化衬底上的连续层之间的重叠误差，和显影后的光敏抗蚀剂的临界线宽(CD)。可以对产品衬底和/或对专用量测目标执行这种测量。存在用于对光刻过程中所形成的显微结构进行测量的各种技术，包括使用扫描电子显微镜和各种专用工具。专用检查工具的快速且非侵入性形式为散射仪，其中辐射束被引导至衬底的表面上的目标上，并且测量被散射的或被反射的束的属性。两种主要类型的散射仪是已知的。光谱散射仪将宽带辐射束引导至衬底上并且测量散射至特定窄角范围中的辐射的光谱(作为波长的函数的强度)。角分辨散射仪使用单色辐射束且测量作为角度的函数的散射辐射的强度。
已知的散射仪的示例包括US2006033921A1和US2010201963A1中所描述类型的角分辨散射仪。由这样的散射仪使用的目标是相对较大的光栅，例如，40μm乘40μm，并且测量束产生小于光栅的斑(即，光栅被欠填充)。除了通过重构进行对于特征形状的测量以外，也可以使用这样的设备来测量基于衍射的重叠，如在已公开的专利申请US2006066855A1中所描述的。使用对于衍射阶的暗场成像的基于衍射的重叠量测能够实现对较小目标的重叠量测。可以在国际专利申请WO 2009/078708和WO 2009/106279中找到暗场成像测量的示例，所述国际专利申请文件由此通过引用其全部内容而被并入。已公开的专利公开出版物US20110027704A、US20110043791A、US2011102753A1、US20120044470A、US20120123581A、US20130258310A、US20130271740A和WO2013178422A1中已描述所述技术的进一步开发。这些目标可以小于照射斑且可以由晶片上的产品结构环绕。可以使用复合光栅目标而在一个图像中测量多个光栅。所有这些申请的内容也通过引用而合并入本文中。
在执行诸如将图案施加在衬底上或测量这种图案的光刻过程时，使用过程控制方法来监控和控制所述过程。通常执行这样的过程控制技术以获得对所述光刻过程的控制的校正。将会期望改善这样的过程控制方法。
发明内容
在本发明的第一方面中，提供一种用于确定对制造过程中所使用的至少一个制造设备的控制的校正的方法，所述至少一个制造设备用于提供结构至衬底上的区，所述区包括多个子区；所述方法包括：获得与所述区的所述制造过程的过程参数相关的测量数据；和基于所述测量数据来确定对所述制造设备的校正，其中所述校正被配置成与所述区的剩余部分相比对跨越两个所述子区之间的边界的过程参数来较好地进行校正。
在本发明的第二方面中，提供一种用于确定对制造过程中的至少一个制造设备的控制的校正的处理装置，所述制造设备被配置成向衬底提供产品结构，所述处理装置被配置成执行所述第一方面的方法。
在本发明的第三方面中，提供一种包括程序指令的计算机程序，所述程序指令能够操作以当在合适的设备上运行时执行第一方面的方法。
在本发明的第四方面中，提供一种被配置成在制造过程中将产品结构提供至衬底的制造设备，所述制造设备包括第二方面的处理装置。
下文参考随附附图来详细地描述本发明的另外的方面、特征和优点，以及本发明的各种实施例的结构和操作。应注意，本发明不限于本发明中描述的具体实施例。本发明中仅出于说明性目的而呈现这样的实施例。基于本发明中包含的教导，本领域技术人员将明白额外的实施例。
附图说明
现在将参考随附附图借助于示例来描述本发明的实施例，在随附附图中：
图1描绘形成用于半导体器件的生产设施的光刻设备以及其它设备；
图2包括用于对根据本发明的实施例的目标进行测量的散射仪的示意图；
图3包括以下示意图：(a)图示了具有所测量的重叠向量的衬底上的区；(b)如由现有技术策略所确定的图示了具有校正向量的后续层的相对应的子区；以及(c)如由根据本发明的实施例的方法所确定的图示了具有校正向量的后续层的相对应的子区；
图4包括以下示意图：(a)具有由现有技术策略所确定的校正的表示的衬底上的子区；和(b)具有由根据本发明的实施例的方法所确定的校正的表示的衬底上的子区；以及
图5是根据本发明的实施例的确定针对在衬底上的相邻子区的校正、以及在单独的曝光中对衬底上的相邻子区进行曝光的方法的流程图。
具体实施方式
在详细地描述本发明的实施例之前，呈现可供实施本发明的实施例的示例环境是有指导性的。
图1以200示出光刻设备LA，将所述光刻设备LA示出为实施大容量光刻制造过程的工业生产设施的部分。在本示例中，制造过程被调适以用于在衬底(诸如，半导体晶片)上的半导体产品(集成电路)的制造。本领域技术人员应理解，可以通过在这种过程的变型中处理不同类型的衬底从而制造各种各样的产品。半导体产品的生产仅用作现今具有巨大商业意义的示例。
在光刻设备(或简称为“光刻工具”200)内，以202示出测量站MEA且以204示出曝光站EXP。以206示出控制单元LACU。在这个示例中，每个衬底访问测量站和曝光站以被施加图案。例如，在光学光刻设备中，投影***用于使用调节后的辐射和投影***来将产品图案从图案形成装置MA转印至衬底上。这种转印是通过在辐射敏感抗蚀剂材料层中形成图案的图像来完成的。
本文中所使用的术语“投影***”应被广义地解释为涵盖适于所使用的曝光辐射或适于诸如浸没液体的使用或真空的使用之类的其它因素的任何类型的投影***，包括折射式、反射式、反射折射式、磁性式、电磁式和静电式光学***，或其任何组合。图案形成装置MA可以是掩模或掩模版，其将图案赋予至由图案形成装置透射或反射的辐射束。众所周知的操作模式包括步进模式和扫描模式。众所周知，投影***可以以多种方式与用于衬底和图案形成装置的支撑件和定位***协同工作以将期望的图案施加至跨越整个衬底的许多目标部分。可以使用可编程图案形成装置来代替具有固定图案的掩模版。例如，辐射可以包括在深紫外线(DUV)或极紫外线(EUV)波段中的电磁辐射。本公开也适用于例如利用电子束的其它类型的光刻过程，例如，压印光刻和直写光刻。
光刻设备控制单元LACU控制各种致动器和传感器的所有移动和测量以接纳衬底W和掩模版MA并且实施图案化操作。LACU也包括用于实施与设备的操作相关的期望的计算的信号处理和数据处理能力。实际上，控制单元LACU将被实现为具有许多子单元的***，每个子单元处理所述设备内的子***或部件的实时数据获取、处理和控制。
在曝光站EXP处将图案施加至衬底之前，在测量站MEA处对衬底进行处理，使得可以执行各种预备步骤。所述预备步骤可以包括使用水平传感器来映射衬底的表面高度，并且使用对准传感器来测量衬底上的对准标记的位置。对准标记被名义上布置成规则栅格图案。然而，由于产生标记的不准确度并且也由于衬底的遍及其整个处理过程而发生的变形，标记偏离理想栅格。因此，在如果设备将要以非常高的准确度在正确部位处印制产品特征的情况下，除了测量衬底的位置和取向以外，对准传感器实际上也必须详细地测量跨越所述衬底区域的许多标记的位置。所述设备可以属于具有两个衬底台的所谓的双平台类型，每个衬底台具有由控制单元LACU控制的定位***。当在曝光站EXP处曝光一个衬底台上的一个衬底时，可以在测量站MEA处将另一衬底装载至另一衬底台上，使得可以执行各个预备步骤。因此，对准标记的测量非常耗时，并且提供两个衬底台会使设备的吞吐量能够相当大的增加。如果位置传感器IF在衬底台处于测量站以及处于曝光站时不能测量衬底台的位置，则可以设置第二位置传感器以使得能够在两个站处追踪衬底台的位置。光刻设备LA可以例如属于所谓的双平台类型，其具有两个衬底台和两个站(曝光站和测量站)，可以在所述两个站之间交换所述衬底台。
在生产设施内，设备200形成“光刻单元”或“光刻簇”的部分，所述“光刻单元”或“光刻簇”也包含涂覆设备208，涂覆设备208用于将光敏抗蚀剂和其它涂层涂覆至衬底W以由设备200图案化。在设备200的输出侧处，设置了焙烤设备210和显影设备212用于将曝光后的图案显影成实体抗蚀剂图案。在所有这些设备之间，衬底处理***负责支撑所述衬底且将衬底从一件设备转移至下一件设备。常常统称为涂覆显影***或轨道(track)的这些设备处于涂覆显影***控制单元或轨道控制单元的控制下，所述涂覆显影***控制单元或轨道控制单元自身受管理控制***SCS控制，所述管理控制***SCS也经由光刻设备控制单元LACU来控制所述光刻设备。因而，不同设备可以***作以最大化吞吐量和处理效率。管理控制***SCS接收配置方案信息R，配置方案信息R非常详细地提供待执行以产生每个图案化衬底的步骤的定义。
一旦已在光刻单元中施加并显影了图案，则将经图案化的衬底220转移至诸如在222、224、226处图示的的其它处理设备。广泛范围的处理步骤通过典型的制造设施中的各种设备来实施。出于示例起见，在这种实施例中，设备222是蚀刻站，并且设备224执行蚀刻后退火步骤。将另外的物理和/或化学处理步骤应用在另外的设备226等等中。可能需要许多类型的操作以制作真实器件，诸如，材料的沉积、表面材料特性的改性(氧化、掺杂、离子植入等等)、化学机械抛光(CMP)等等。实际上，设备226可以表示在一个或更多个设备中执行的一系列不同的处理步骤。作为另一示例，可以提供用于实施自对准的多重图案化的设备和处理步骤，以基于由光刻设备放置的前体图案而产生多个较小特征。
众所周知，半导体器件的制造涉及这种处理的多次重复，以在衬底上逐层地累积具有适当材料和图案的器件结构。因此，到达光刻簇的衬底230可以是新近制备的衬底，或其可以是先前已在这个簇中或完全地在另一设备中被处理的衬底。类似地，取决于所需处理，离开设备226的衬底232可以被返回用于同一光刻簇中的后续图案化操作，所述衬底232可以被指定用于不同簇中的图案化操作，或可以是待发送用于切块和封装的成品。
产品结构的每个层需要过程步骤的不同集合，并且用于每个层处的设备226可以在类型方面完全不同。此外，即使在待由设备226应用的处理步骤名义上相同的情况下，在大型设施中也可以存在并行地工作以对不同衬底执行步骤226的若干假设相同的机器。这些机器之间的小的设置差异或瑕疵可能意味着所述小的设置差异或瑕疵以不同方式影响不同衬底。甚至对于每个层而言相对共同的步骤(诸如蚀刻(设备222))可以由名义上相同但并行地工作以最大化吞吐量的若干蚀刻设备来实施。此外，实际上，不同层根据待蚀刻的材料的细节而需要不同蚀刻过程(例如化学蚀刻、等离子体蚀刻)和特殊要求(诸如各向异性蚀刻)。
可以在其它光刻设备中执行先前和/或后续过程(如刚才提及的)，并且甚至可能在不同类型的光刻设备中执行先前和/或后续过程。例如，器件制造过程中的在诸如分辨率和重叠之类的参数方面要求非常高的一些层与要求较不高的其它层相比可以在更先进的光刻工具中执行。因此，一些层可以被曝光于浸没式光刻工具中，而其它层曝光在“干式”工具中。一些层可以曝光在处于DUV波长的情况下工作的工具中，而其它层使用EUV波长辐射来曝光。
为了正确且一致地曝光由光刻设备曝光的衬底，期望检查曝光后的衬底以测量诸如后续层之间的重叠误差、线厚度、临界尺寸(CD)等等的属性。因此，其中定位有光刻单元LC的制造设施也包括接纳已在光刻单元中被处理的衬底W中的一些或全部衬底的量测***。将量测结果直接地或间接地提供至管理控制***SCS。如果检测到误差，则可以对后续衬底的曝光进行调整，尤其是在如果可以足够迅速地且快速地完成量测以使得同一批次的其它衬底仍待曝光的情况下。此外，已曝光的衬底可以被剥离和返工以改善良率，或被舍弃，由此避免对已知有缺陷的衬底执行进一步处理。在衬底的仅一些目标部分有缺陷的情况下，可以仅对良好的那些目标部分执行另外的曝光。
图1也示出量测设备240，所述量测设备240被提供用于在制造过程中对在期望的平台处的产品进行参数测量。现代光刻生产设施中的量测站的常见示例为散射仪，例如，暗场散射仪、角分辨散射仪或光谱散射仪，并且所述散射仪可以被应用以在设备222中的蚀刻之前测量在220处的显影后的衬底的属性。在使用量测设备240的情况下，可以确定例如诸如重叠或临界尺寸(CD)之类的重要性能参数不满足显影后的抗蚀剂中的指定的准确度要求。在蚀刻步骤之前，存在通过光刻簇来剥离经显影后的抗蚀剂且重新处理衬底220的机会。由管理控制***SCS和/或控制单元LACU 206随着时间推移进行小调整，可以使用来自设备240的量测结果242在光刻簇中维持图案化操作的准确性能，由此使制造出不合规格产品且需要返工的风险最小化。
另外，量测设备240和/或其它量测设备(未示出)可以被应用以测量处理后的衬底232、234和进入的衬底230的属性。可以在处理后的衬底上使用量测设备来确定诸如重叠或CD之类的重要参数。
图2(a)中示出适合用于本发明的实施例中的量测设备。这仅是示例量测设备，并且可以使用用于测量诸如衬底上的重叠之类的过程参数的任何合适的量测设备。图2(b)中更详细地图示目标T和用以照射所述目标的测量辐射的衍射射线。所图示的量测设备属于被称为暗场量测设备的类型。所述量测设备可以是单独的装置，或被并入(例如)测量站处的所述光刻设备LA中，或被并入所述光刻单元LC中。在整个所述设备中具有若干分支的光轴由虚线O表示。在这个设备中，由源11(例如，氙气灯)发射的光由包括透镜12、14和物镜16的光学***经由分束器15而引导至衬底W上。这些透镜被布置呈4F布置的双重序列。可以使用不同的透镜布置，只要所述透镜布置仍将衬底图像提供至检测器上，并且同时地允许访问即通往中间光瞳平面以用于空间-频率滤光。因此，可以通过在呈现衬底平面的空间光谱的平面(这里被称作(共轭)光瞳平面)中限定空间强度分布来选择所述辐射入射到所述衬底上的角度范围。特别地，可以通过在作为物镜光瞳平面的背向投影式图像的平面中在透镜12与14之间***合适形式的孔板13来进行这种选择。在所图示示例中，孔板13具有不同的形式(被标注为13N和13S)，从而允许选择不同的照射模式。本示例中的照射***形成离轴照射模式。在第一照射模式中，孔板13N提供来自仅出于描述起见而被指定为“北”的方向的离轴。在第二照射模式中，孔板13S用于提供类似的照射，但类似的照射来自被标注为“南”的相反的方向。通过使用不同孔，其它照射模式是可能的。光瞳平面的其余部分理想地暗，这是因为期望的照射模式外部的任何不必要的光将会干涉期望的测量信号。
如图2(b)中示出，目标T被放置为使得衬底W垂直于物镜16的光轴O。所述衬底W可以由支撑件(图中未示出)支撑。与轴线O成角度而照射于目标T上的测量辐射的射线I引起一个零阶射线(实线0)和两个一阶射线(点划道+1和双点划道-1)。应记住，在过填充的小目标的情况下，这些射线是覆盖包括量测目标T和其它特征的衬底区域的许多平行射线中的仅一条射线。由于板13中的孔具有有限的宽度(即，该有限的宽度是用以准许有用量的光进入所必需的)，则入射射线I将实际上将占据一定角度范围，并且衍射射线0和+1/-1将稍微散开。根据小目标的点扩散函数，每个阶+1和-1将在一定角度范围上进一步展开，而不是如所示出的单条理想射线。应注意，目标的光栅间距和照射角度可以被设计或被调整成使得进入所述物镜的一阶射线与中心光轴紧密地对准。图2(a)和图2(b)中所图示的射线被示出为稍微离轴，仅能够使它们在图中被更容易地区分。
由衬底W上的目标T所衍射的至少0阶和+1阶由物镜16收集，并且被往回引导通过分束器15。返回至图2(a)，通过指定被标注为北(N)和南(S)的完全相反的孔来图示第一照射模式和第二照射模式两者。当测量辐射的入射射线I来自所述光轴的北侧时，即，当使用孔板13N来应用所述第一照射模式时，被标注为+1(N)的+1衍射射线进入所述物镜16。与此对比，当使用孔板13S来应用所述第二照射模式时，-1衍射射线(被标注为-1(S))是进入所述透镜16的衍射射线。
第二分束器17将衍射束划分成两个测量分支。在第一测量分支中，光学***18使用零阶衍射束和一阶衍射束来在第一传感器19(例如，CCD或CMOS传感器)上形成所述目标的衍射光谱(光瞳平面图像)。每个衍射阶射中传感器上的不同点，使得图像处理可以比较和对比多个阶。由传感器19捕获的所述光瞳平面图像可以用于许多测量目的，诸如在本文中所描述的方法中使用的重构。所述光瞳平面图像也可以用于聚焦所述量测设备和/或对一阶束的强度测量结果进行归一化。
在第二测量分支中，光学***20、22在传感器23(例如，CCD或CMOS传感器)上形成所述目标T的图像。在第二测量分支中，将孔径光阑21设置于与所述光瞳平面共轭的平面中。孔径光阑21用于阻挡零阶衍射束，使得形成在传感器23上的所述目标的所述图像仅由-1或+1阶束形成。由传感器19和23所捕获的图像被输出至处理器和控制器PU，处理器和控制器PU的功能将取决于正被执行的测量的特定类型。应注意，这里在广义上使用术语“图像”。只要存在-1阶和+1阶中的一个阶，则将不形成如此的光栅线的图像。
图3中所示出的孔板13和场光阑21的特定形式仅是示例。在本发明的另一实施例中，使用所述目标的同轴照射，并且使用具有离轴孔的孔径光阑以将大体上仅一个一阶衍射光传递至所述传感器。在又一其它实施例中，代替一阶束或除了一阶束以外，二阶束、三阶束和更高阶束(图2中未图示)也可以用于测量中。
目标T可以包括一定数目的光栅，所述光栅可以具有以不同方式偏置的重叠偏移，以便促成对于供形成复合光栅的不同部分的多个层之间的重叠的测量。光栅也可以在它们的定向方面不同，以便在X方向和Y方向上对入射辐射进行衍射。在一个示例中，目标可以包括具有经偏置的重叠偏移+d和-d的两个X方向光栅，以及具有经偏置的重叠偏移+d和-d的Y方向光栅。可以在由传感器23所捕获的图像中识别这些光栅的单独的图像。一旦已识别所述光栅的单独的图像，则可以例如通过对所识别的区域内的选定像素强度值进行平均化或求和来测量那些单独的图像的强度。可以将所述图像的强度和/或其它性质彼此进行比较。可以组合这些结果以测量所述光刻过程的不同参数。
可以在光刻设备的单次曝光中曝光的最大区域由其最大扫描场面积所限定。此最大区域由第一方向(常常指定为x方向)上的曝光狭缝的宽度和同一(衬底)平面的正交方向(常常指示为y方向)上的最大扫描长度来限定。在一些情况下，管芯面积(正在被制造的器件的衬底面积，在本文中被称作衬底场面积或衬底区面积)大于最大扫描场面积。在这样的情形下，器件的一些或所有层需要在多次(例如，两次)单独的相邻曝光中在衬底区(或衬底场)上曝光。例如，可以在以下两次曝光中对面积为最大扫描场面积两倍大的衬底区进行曝光：使用包括第一图案的第一掩模版来进行的第一曝光被用以印制所述层的第一衬底子区(例如，所述衬底上的区域的第一半部)，并且包括第二图案的第二掩模版被用以印制所述衬底上的所述层的第二子区(例如，第二半部)，与第一半部相邻，因此形成完整的层。所述两个半部可以被称作已“拼接”在一起，所述过程有时被称作管芯内拼接。
如已经论述的，使用量测装置来测量经处理衬底的一个或更多个性能参数，诸如重叠，并且确定旨在最小化后续衬底和/或同一衬底的后续层的重叠误差的过程校正。通常在反馈回路中由所述光刻设备来实施所述过程校正。
对于所拼接的管芯，可以通过测量前述(基础的或下面的)层(或来自前一衬底)上的重叠、并且在相对应的子区(例如，两个半部)之间拆分这些校正，来确定针对包括待拼接的两个(或更多个)图像的层的重叠校正，使得分别根据对前一层中的相对应的子区的测量结果来确定对全场或完整场的每个子区的校正。
可以将重叠校正确定为最佳拟合方法中的多项式的系数(有时被称作k参数)，使得当应用基于多项式的校正时这种校正将所测量的重叠(例如，整个拟合区域上的平均值)最小化。所确定的k参数可以呈由k参数表征的子选配方案的形式而反馈至所述光刻设备。因为单独地计算了针对所述衬底场的每个子区的校正，则在子区(即，拼接)的交界或接口处的重叠校正在默认情况下不匹配。这意味着当将两个子区拼接在一起时可能引入重叠或匹配误差。
拼接处的重叠也受到使用有限数目的可用的测量点(目标)的影响。这通常导致所述重叠校正仅针对所测量的点来优化，常常以未测量部位(例如，包括拼接区)处的重叠为代价。可能提供用于直接测量在所述拼接区处的重叠的“拼接目标”。这可以包括在第一子区上提供重叠目标的第一半部(例如，从第一掩模版来图案化)，和在第二子区上提供重叠目标的第二(互补的)半部(例如，从第二掩模版来图案化)。当然，这仅在掩模版/管芯上有足够空间的情况下才是可能的。对所述目标的一个半部相对于另一个半部的位置的测量提供了相对定位指标的指示，在本文中被称作“拼接重叠”(不是真实重叠，因为其涉及在单个层内的相对定位)。当计算重叠校正时，需要知道哪些标记是常规重叠目标以及哪些标记是拼接目标，因为当计算重叠校正时，需要区别地/不同地处理这种两种目标类型。根据可选的实施例，在本文中设想了拼接和常规目标类型的混合。另外，所述构思可以被组合成拼接重叠目标，所述拼接重叠目标在第一层中具有与两个拼接目标半部叠置的光栅或类似结构。除了“拼接重叠”以外，这也允许测量在拼接区内的常规重叠。
图3(a)是对完整衬底场(衬底区)300所测量的重叠的示意性示例(如由向量305a至305f所表示)。在两次曝光中，在场300上方曝光后续层，每次曝光均限定子区(子场或半场)。这可能是因为所述光刻设备的最大扫描场面积可能小于针对特定管芯所需的衬底场(所需的管芯大小)。图3(b)示出后续的两个拼接子区310a、310b。向量315a至315f表示根据已知方法针对所测量的重叠305a至305f的相对应校正(如已启动的)。在这样的已知方法中，仅使用与全场或完整场300的相对应子区相关的测量(即，分别为向量305a至305c和305d至305f)来确定针对顶部子区310a和底部子区310b的重叠校正。在这样的简化示例中，针对每个子区的校正仅由三个向量表示(实际上将会存在更多测量，例如，如由重叠目标的数目定义)。针对重叠的校正通常根据场而被确定；并且可以基于跨越整个所述场的平均或最大重叠误差的最小化。而且，一旦确定了校正，则所述校正可以被启动的程度就在量值和频率方面受到限制，因为所述光刻设备的掩模版和晶片平台仅具有有限的自由度；校正只能使用流体运动来施加，因为平台无法突然改变速度或方向。因此，不能理想地确定或启动所述重叠校正，且因此在所述区上将始终存在重叠残差。在这个示例中，最接近于在底部子区310b中的拼接边界的校正向量315d无法完全抵消其相对应的重叠向量305d。结果是在拼接边界区域320处的重叠残差。然而，拼接边界区域可以这样的衬底场区域：对于所述衬底场区域来说，重叠是最关键的。
为了解决这种问题，建议当确定校正时(例如，当生成子选配方案校正参数时)施加额外的边界条件。所述边界条件增加了在拼接边界区域内的边界任一侧的重叠校正之间的匹配程度，和/或确保了在这种边界区域内较优品质的重叠校正(即，朝向较小或零重叠残差的偏置)。
在实施例中，所述边界条件可以是严格的；即，施加仅允许极小的重叠误差(例如，通过此边界区内施加零或非常低的误差阈值)。这种方法确保了两个子区的最佳匹配，但在所述区中的其它地方存在较大重叠误差的风险。因此，应根据每个案例基础来评估这种方法是否合理。替代地或组合地，所述边界条件可以包括施加的加权或权重因子，加权有利于校正，所述校正使所述边界拼接区域内的重叠相对于每个子区的剩余区域最小化。这种加权可以包括例如当拟合校正多项式时的约束，所述校正多项式有利于使拼接边界区域内的重叠相对于所述场的其余部分最小化。这种方法(或具有较低严格阈值的阈值方法)可能允许在确定校正时具有较大灵活性，这可能有益于所述区的其余部分中的重叠。在实施例中，所述边界条件可以是能够设置于加权方法或边界区域阈值方法(或其组合)之间和/或能够使得加权/阈值发生改变。
图3(c)示出了严格边界条件的结果，严格边界条件强制在所述拼接边界区域320内无残差(即，所述重叠向量305c和305d由相应的校正向量325c和325d完全抵消)。权衡是这样的：与校正向量315a、315b、315e、315f相比较，校正向量325a、325b、325e、325f在校正所述重叠向量305a、305b、305e、305f时可能不太有效。具体地，可以看出，所述校正向量325f可见地明显比相对应的校正向量315f更差。
图4图示了本文中所描述的方法的类似的示例。图4(a)示出示例性的当前校正策略，其中针对顶部子区400(a)而确定的校正包括x方向上的放大率大于1，并且针对底部子区400(b)而确定的校正包括x方向上的放大率小于1。结果是在所述拼接边界区域410内的重叠不连续性。图4(b)示出施加如所描述的边界条件的结果。所确定的校正选配方案将倾向于避免在所述拼接边界区域410内具有较大重叠误差的选配方案，由此减轻在所述拼接边界区域410内的不连续性。例如，这样的校正可以包括在两个子场400(a)’、400(b)'上方的梯形(x方向)放大率校正，如所图示。权衡可以是跨越单个场、远离所述拼接边界区域410的增加的重叠残差。
图5是描述根据实施例的方法的流程图。在步骤500处，在衬底上进行重叠测量，所述测量包括与所述衬底上的区(在两次(或多于两次)单独的相邻曝光中，管芯将曝光于所述区上)相关的那些测量。例如，所需的管芯面积可以大于所述光刻设备的最大扫描场面积。在可选的步骤510处，可以选择边界条件策略。所述边界条件可以基于(例如)基于阈值的策略(在所述边界区域内设定最大残差值)、零残差策略(在所述边界误差内不允许残差)和/或基于加权的策略(施加约束有助于实现在所述边界区域内倾向于最小残差的结果)。这种步骤也可以包括设定加权程度和/或任何阈值(视情况而定)。在替代实施例中，可以预先确定和/或解决策略，并且不执行此步骤。在步骤520处，考虑所施加的边界条件，确定针对对于每个子区的曝光的单独校正。可选的步骤530可以对在步骤520处所确定的校正的结果进行建模和评估。在实施例中，这种步骤可以确定所述管芯是否正在屈服。如果在这个步骤处确定所述管芯可能是非屈服的；即，根据在所述拼接边界区域内的(较严格的)规范或管芯上其它地方的规范，重叠超出规范，则所述方法可以返回至步骤510并且可以选择替代的边界条件策略。最后，在步骤540处，基于它们的相应校正，在单独曝光中曝光两个相邻子区。
上文所描述的控制例行程序是根据当两个或多个子区(每个子区需要单独曝光)被拼接在一起以覆盖衬底上的层中的较大曝光场区域(或全场区域、最大扫描场区域)的情况下优化重叠校正来描述的。现在将描述基本概念的扩展。这包括适用于在前一层中的拼接曝光(例如，包括第一子区和第二子区)上或期间对后续层(例如，覆盖完整曝光场区域)进行曝光的优化例行程序。例如，当使用不同的设备(每个设备具有不同的最大扫描场区域)来曝光所述两个层时，这可能会发生。
如此，本文中披露了一种用于确定对制造过程的控制的校正的方法，所述制造过程用于向区(由最大扫描场区域所限定)提供结构，所述区包括多个子区；所述方法包括获得与针对所述区的所述制造过程的过程参数相关的测量数据；和基于对所述多个子区中的每个子区的单独考虑来确定对制造设备将结构提供至所述衬底上的所述区的校正。所述校正可以包括对用于在所述区上的第二层中形成第二层结构的所述制造过程的控制的第二层校正，其中所述子区中的每个子区对应于第一层中的单独地曝光的子区。
在这种实施例中，后续层中的单次曝光场区域(例如，所需的管芯大小)可以等于前一层中的(例如，拼接)子区的组合场区域。在这样的情况下，可以确定重叠校正，所述重叠校正考虑将全场区域划分为前一层中的多个子区。
将会显而易见的是，拼接管芯的子区可能不会彼此相对和/或相对于其它层完美地定位和/或定向。例如，一个或两个子区相对于期望的方向或放大率可能具有倾斜误差或放大误差；对于两个子区，这种倾斜或放大可能是相同的或不同的。因此，提出了校正能力，所述校正能力被配置成较好地将全场曝光层与部分场曝光层匹配。这种方法可以包括获得描述与第一层相关的子场的相对定位和定向的量测数据(例如，对准数据、重叠数据)。所述量测数据可以包括经由关于基础层的经典量测来确定子场的相对定向和放大，或直接地经由拼接方法(例如，拼接目标的测量)来确定子场的相对定向和放大。
应限定或设置光刻设备接口，所述光刻设备接口允许将第二(后续)层中的衬底栅格定义成与子场水平处的前一层匹配。接着，算法可以针对所述第二层生成全场控制选配方案(基于量测数据)，使得所实施的全场控制与第一层的衬底子栅格(针对每个子场的栅格)最佳地匹配。例如，可以基于子场控制分布的直接优化来确定所述校正，例如，跨越所述全扫描场的每个子区上的平均或最大(例如，重叠)误差/残差的单独最小化。
作为直接优化的替代方案，针对第二层的校正方法可以基于边界区域的定义。所述边界区域可以与在前一(拼接)层中所限定的边界区域重合或不重合。在一个实施例中，所述边界区域可以限定评估区域(或子场、子区)，如前所述，评估区域可以在前一层中的两个子区之间的界面周围和/或居中。这种方法可以包括明确地优化在所述拼接边界区域内的校正。如此，可以根据三个区域(所述两个子区和所述边界区域)来确定第二层中的重叠校正。正如先前实施例的情况，当确定针对第二层的校正时，可以施加边界条件(例如，阈值条件和/或加权)。在另一个实施例中，可以提出当确定针对第二层的校正时不考虑所述边界区域，使得跨越所述两个子场上存在较流畅的控制；所述边界区域可能受到相应子场曝光所产生的不同定向和/或放大的影响。这基本上类似于先前的示例，但对所述边界区域赋予零加权边界条件。
虽然以上描述是根据在较早的层中测量重叠来描述的，用于确定针对同一衬底上的后续层的校正，但所述构思同样适用于测量先前衬底上的重叠并且使用这些测量的结果来确定对于(相同批次或后续批次的)后续衬底的校正(针对相同层或其它层)。也可以基于来自相同衬底的先前层的测量结果与来自先前衬底的测量结果的组合来确定校正。更通常地，除了重叠以外，本文中所描述的构思也可以用于测量和监控其它相关的处理参数，诸如边缘放置误差。可以测量和监控的另一过程参数是“拼接重叠”。这不是常规意义上的重叠，因为其涉及单个层内的匹配。相反，这种拼接重叠是描述两个子区相对于彼此的相对定位的相对定位指标。可以提供和测量上述“拼接目标”和/或“拼接重叠目标”以执行这种操作。也可以了解，两个子区可以在拼接边界区域中叠置(至少部分地)以形成完整“拼接目标”和/或“拼接重叠目标”。例如，盒中盒式布置可以包括第一子区中的盒的第一图像，所述第一图像形成在第二子区中的盒的第二图像内，所述两个子区在形成所述拼接目标的边界区域中叠置。替代地，两个图像可以各自包括光栅结构，所述光栅结构被设计成在边界区域处成像时交错。这种交错目标的未对准将会表现为不对称性，然后可以与重叠目标类似地测量。这种拼接目标可以被形成在另一层中的另一光栅(或在其上所形成的另一光栅)上方，以提供拼接重叠目标。
下文的编号后的实施例的清单中公开本发明的另外的实施例：
1.一种用于确定对制造过程中所使用的至少一个制造设备的控制的校正的方法，所述至少一个制造设备用于提供结构至衬底上的区，所述区包括多个子区；所述方法包括：
获得与所述区的所述制造过程的过程参数相关的测量数据；和
基于所述测量数据来确定对所述制造设备的校正，其中所述校正被配置成维持所述过程参数处于跨越两个所述子区之间的边界的指定范围内，和/或与所述区的剩余部分相比对跨越两个所述子区之间的边界的过程参数来较好地进行校正。
2.根据实施例1所述的方法，其中所述确定包括施加施加边界条件，所述边界条件有利于与所述子区内的过程参数误差相比较好地最小化跨越所述边界的过程参数误差的校正。
3.根据实施例2所述的方法，其中施加边界条件的所述步骤包括：针对跨越所述边界的所述过程参数施加误差阈值，使得所确定的校正确保跨越所述边界的过程参数误差不会超过所述误差阈值。
4.根据实施例3所述的方法，其中所述误差阈值为零，使得所述确定的校正确保跨越所述边界的所述过程参数误差具有最小的可实现值。
5.根据实施例4所述的方法，其中所述方法包括：在确定校正的步骤之前限定所述误差阈值的值。
6.根据实施例2至5中任一项所述的方法，其中施加边界条件的所述步骤包括：施加加权约束，所述加权约束施加加权，所述加权有利于与相对于所述区的剩余部分相比最小化跨越两个子区之间的边界的过程参数误差的校正。
7.根据实施例6所述的方法，其中所述方法包括：在确定校正的所述步骤之前限定所述加权约束。
8.根据实施例2至7中任一项所述的方法，其中所述方法包括：评估所述制造过程是否将会屈服，和
如果将所述制造过程被评估为非屈服的，则修正所述边界条件。
9.根据实施例2至8中任一项所述的方法，其中所述确定校正包括：确定多项式的系数，所述多项式在遵守所述边界条件的同时最小化整个所述区上的误差。
10.根据前述实施例中任一项所述的方法，其中所述制造过程在多次曝光中将所述产品结构设置在所述衬底上，每次曝光限定所述子区中的相应一个子区，所述子区被邻近地曝光以限定所述区。
11.根据实施例10所述的方法，其中所述区具有比所述制造设备的最大扫描场面积更大的面积。
12.根据实施例11所述的方法，其中每个子区具有由所述制造设备的所述最大扫描场面积所限定的面积。
13.根据前述实施例中任一项所述的方法，其中所述过程参数包括重叠或边缘放置误差。
14.根据前述实施例中任一项所述的方法，其中所述测量数据涉及同一衬底的先前施加的层。
15.根据前述实施例中任一项所述的方法，其中所述测量数据涉及较早地处理的衬底的相对应层。
16.根据前述实施例中任一项所述的方法，其中所述多个子区包括具有相等面积的两个子区。
17.根据前述实施例中任一项所述的方法，所述方法包括使用所述校正来控制所述制造过程，其中当将一层产品结构施加至所述衬底的所述区上时，由所述制造设备来应用所述校正。
18.根据实施例17所述的方法，其中在多次曝光中将所述一层产品结构施加于所述衬底上，每次曝光限定所述子区中的相应一个子区。
19.根据前述实施例中任一项所述的方法，其中跨越所述两个子区之间的所述边界被限定为在边界区域内，所述边界区域包括所述两个子区内的区域并且延伸至所述边界的任一侧。
20.根据前述实施例中任一项所述的方法，其中所述测量数据涉及所述区或相对应区内的多个目标的测量；所述多个目标包括重叠目标以及在所述边界附近的至少一个拼接目标，其中所述拼接目标包括在所述两个子区中的每个子区中的互补图案，能够根据所述互补图案来测量所述两个子区的相对定位指标。
21.根据实施例20所述的方法，其中所述拼接目标形成为具有在所述拼接目标下方的或叠置于所述拼接目标上方的层中的另外的图案，以使得除了所述相对定位指标以外，也能够确定重叠。
22.根据前述实施例中任一项所述的方法，其中所述结构被形成在第一层中，并且所述方法还包括：
基于对所述多个子区中的每个子区的单独考虑来确定对所述制造过程的控制的第二层校正，所述第二层校正用于在第二层中提供第二层结构至所述衬底上的所述区。
23.根据实施例22所述的方法，所述方法还包括：
在单次曝光中使用所述第二层校正来形成所述第二层结构。
24.根据实施例22或23所述的方法，其中针对所述多个子区中的每个子区限定单独的控制栅格，单独地针对所述单独的控制栅格限定所述第二层校正。
25.根据实施例22、23或24所述的方法，所述方法包括限定第二层边界区域；和
施加用于与所述第二层边界区域相对应的校正的边界条件。
26.根据实施例25所述的方法，其中所述边界条件优先于所述边界区域外的第二层校正来优化所述边界区域内的所述第二层校正。
27.根据实施例25所述的方法，其中所述边界条件包括当确定所述第二层校正时不考虑所述边界区域。
28.一种用于确定对制造过程中所使用的至少一个制造设备的控制的校正的方法，所述至少一个制造设备用于提供结构至衬底上的区，所述区由所述制造设备的最大扫描场面积限定，所述区包括多个子区；所述方法包括：
获得与所述区的所述制造过程的过程参数相关的测量数据；和
基于对所述多个子区中的每个子区的单独考虑来确定对所述制造设备的校正，以用于所述将结构提供至所述衬底上的所述区。
29.根据实施例28所述的方法，其中所述校正包括对所述制造过程的控制的第二层校正，并且所述结构包括形成在第二层中的所述区上的第二层结构。
30.根据实施例29所述的方法，其中所述子区中的每个子区对应于第一层中的单独地曝光的子区。
31.根据实施例29或30所述的方法，所述方法还包括：
在单次曝光中使用所述校正来形成所述结构。
32.根据实施例28至31中任一项所述的方法，其中针对所述多个子区中的每个子区限定单独的控制栅格，单独地针对所述单独的控制栅格限定所述校正。
33.根据实施例28至32中任一项所述的方法，所述方法包括限定在所述多个子区的两个相邻子区的边界周围的边界区域；和
施加边界条件，用于与所述边界区域相对应的校正。
34.根据实施例33所述的方法，其中所述边界条件优先于所述边界区域外的校正来优化所述边界区域内的校正。
35.根据实施例33所述的方法，其中所述边界条件包括在确定所述校正时不考虑所述边界区域。
36.根据实施例28至35中任一项所述的方法，其中所述多个子区数目是两个。
37.一种控制选配方案，所述控制选配方案包括如由如任一前述实施例的方法所确定的校正。
38.一种用于制造设备的控制器，所述控制器被配置成接纳根据实施例37所述的控制选配方案。
39.一种用于确定对制造过程中的至少一个制造设备的控制的校正的处理装置，所述制造设备被配置成向衬底提供产品结构，所述处理装置被配置成执行根据实施例1至36中任一项所述的方法。
40.一种制造设备，所述制造设备被配置成在制造过程中将产品结构提供至衬底，所述制造设备包括根据实施例39所述的处理装置。
41.根据实施例40所述的制造设备，其中所述制造设备包括光刻设备，所述刻设备具有：
衬底平台，所述衬底平台用于保持衬底；
掩模版平台，所述掩模版平台用于保持图案形成装置；
处理器，所述处理器能够操作以使用所述校正来控制制造过程。
42.一种包括程序指令的计算机程序，所述程序指令能够操作以当在合适的设备上运行时执行根据实施例1至36中任一项所述的方法。
43.一种非暂时性计算机程序载体，包括根据实施例42所述的计算机程序。
虽然以上描述描述了针对光刻设备/扫描器的校正，但所确定的校正也可以用于任何过程且由IC制造过程中的任何集成电路(IC)制造设备(例如，蚀刻设备，所述蚀刻设备对形成在层内的结构的位置和/或尺寸具有影响)所使用。
与光刻设备相关使用的术语“辐射”和“束”涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外线(UV)辐射(例如，波长是或约365nm、355nm、248nm、193nm、157nm或126nm)和极紫外线(EUV)辐射(例如，波长在5nm-20nm的范围内)，以及诸如离子束或电子束之类的粒子束。
术语“透镜”在情境允许时可以指各种类型的光学部件中的任一个或其组合，包括折射式、反射式、磁性式、电磁式和静电式光学部件。
具体实施例的前述描述将充分地揭露本发明的一般性质，使得在不背离本发明的一般概念的情况下，其它人可以通过应用本领域的技术范围内的知识针对各种应用而容易地修改和/或调适这些具体实施例，而无需进行过度的实验。因此，基于本发明中呈现的教导和引导，这些调适和修改旨在属于本公开的实施例的等效物的涵义和范围内。应理解，本发明中的措辞或术语是出于例如描述而非限制的目的，以使得本说明书的术语或措辞将要由本领域技术人员按照所述教导和所述指导进行解释。
因此，本发明的广度和范围不应受上述示例性实施例中的任一个限制，而应仅根据随附的权利要求及其等效物来限定。

Claims (15)

1.一种用于确定对制造过程中所使用的至少一个制造设备的控制的校正的方法，所述至少一个制造设备用于提供结构至衬底上的区，所述区包括多个子区；所述方法包括：
获得与所述区的所述制造过程的过程参数相关的测量数据；和
基于所述测量数据来确定对所述制造设备的校正，其中所述校正被配置成与所述区的剩余部分相比对跨越两个所述子区之间的边界的过程参数来较好地进行校正。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述确定包括施加边界条件，所述边界条件有利于与所述子区内的过程参数误差相比较好地最小化跨越所述边界的过程参数误差的校正。
3.根据权利要求2所述的方法，其中施加边界条件的所述步骤包括：针对跨越所述边界的所述过程参数施加误差阈值，使得所确定的校正确保跨越所述边界的过程参数误差不会超过所述误差阈值。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述结构被形成在第一层中，并且所述方法还包括：
基于对所述多个子区中的每个子区的单独考虑来确定对所述制造过程的控制的第二层校正，所述第二层校正用于在第二层中提供第二层结构至所述衬底上的所述区。
5.根据权利要求4所述的方法，还包括在单次曝光中使用所述第二层校正来形成所述第二层结构。
6.根据权利要求4所述的方法，其中针对所述多个子区中的每个子区限定单独的控制栅格，单独地针对所述单独的控制栅格限定所述第二层校正。
7.根据权利要求4所述的方法，还包括限定第二层边界区域；和
施加用于与所述第二层边界区域相对应的校正的边界条件。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述边界条件优先于所述边界区域外的第二层校正来优化所述边界区域内的所述第二层校正。
9.根据权利要求2所述的方法，其中施加边界条件的所述步骤包括：施加加权约束，所述加权约束施加加权，所述加权有利于与相对于所述区的剩余部分相比最小化跨越两个子区之间的边界的过程参数误差的校正。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述方法包括：在确定校正的步骤之前限定所述加权约束。
11.根据权利要求2所述的方法，其中所述确定校正包括：确定多项式的系数，所述多项式在遵守所述边界条件的同时最小化整个所述区上的误差。
12.根据权利要求1所述的方法，其中所述制造过程在多次曝光中将所述产品结构设置在所述衬底上，每次曝光限定所述子区中的相应一个子区，所述子区被邻近地曝光以限定所述区。
13.根据权利要求2所述的方法，其中所述过程参数包括重叠或边缘放置误差。
14.一种包括程序指令的计算机程序，所述程序指令能够操作以当在合适的设备上运行时执行根据权利要求1所述的方法。
15.一种非暂时性计算机程序载体，包括根据权利要求14所述的计算机程序。
CN201980041201.7A 2018-06-19 2019-05-01 用于控制制造设备和相关联设备的方法 Active CN112352201B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP18178397.8 2018-06-19
EP18178397.8A EP3584637A1 (en) 2018-06-19 2018-06-19 Method for controlling a manufacturing apparatus and associated apparatuses
EP18197882 2018-10-01
EP18197882.6 2018-10-01
PCT/EP2019/061136 WO2019242922A1 (en) 2018-06-19 2019-05-01 Method for controlling a manufacturing apparatus and associated apparatuses

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112352201A true CN112352201A (zh) 2021-02-09
CN112352201B CN112352201B (zh) 2024-06-28

Family

ID=66429361

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201980041201.7A Active CN112352201B (zh) 2018-06-19 2019-05-01 用于控制制造设备和相关联设备的方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11860549B2 (zh)
KR (2) KR20230137490A (zh)
CN (1) CN112352201B (zh)
TW (1) TWI722433B (zh)
WO (1) WO2019242922A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3495889A1 (en) * 2017-12-07 2019-06-12 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing apparatus and associated apparatuses
KR102278112B1 (ko) 2020-07-10 2021-07-15 (주)하임바이오텍 특정 인공 뉴클레오타이드 서열을 이용한 위양성 판단용 조성물 및 이를 이용한 위양성 판단 방법
CN114690593B (zh) * 2020-12-30 2024-06-11 科磊股份有限公司 一种制造集成电路的方法和***
CN114695087B (zh) * 2020-12-30 2024-05-24 科磊股份有限公司 一种制造集成电路的方法和***

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5973766A (en) * 1996-05-16 1999-10-26 Nikon Corporation Exposure method and exposure device
US20090262319A1 (en) * 2008-03-10 2009-10-22 Hiroyasu Matsuura Maskless exposure method
US20110096309A1 (en) * 2009-10-28 2011-04-28 Imec Method and System for Wafer Inspection
US20180024444A1 (en) * 2016-07-19 2018-01-25 Applied Materials, Inc. Piecewise alignment modeling method

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6362491B1 (en) * 1999-10-01 2002-03-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method of overlay measurement in both X and Y directions for photo stitch process
US6309944B1 (en) * 2000-05-26 2001-10-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Overlay matching method which eliminates alignment induced errors and optimizes lens matching
US7791727B2 (en) 2004-08-16 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization
NL1036245A1 (nl) 2007-12-17 2009-06-18 Asml Netherlands Bv Diffraction based overlay metrology tool and method of diffraction based overlay metrology.
NL1036597A1 (nl) 2008-02-29 2009-09-01 Asml Netherlands Bv Metrology method and apparatus, lithographic apparatus, and device manufacturing method.
NL1036857A1 (nl) 2008-04-21 2009-10-22 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method.
NL2004094A (en) 2009-02-11 2010-08-12 Asml Netherlands Bv Inspection apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and inspection method.
CN102498441B (zh) 2009-07-31 2015-09-16 Asml荷兰有限公司 量测方法和设备、光刻***以及光刻处理单元
SG178368A1 (en) 2009-08-24 2012-04-27 Asml Netherlands Bv Metrology method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and substrate comprising metrology targets
WO2012022584A1 (en) 2010-08-18 2012-02-23 Asml Netherlands B.V. Substrate for use in metrology, metrology method and device manufacturing method
US8728713B2 (en) * 2010-09-30 2014-05-20 Truesense Imaging, Inc. Stitching methods using multiple microlithographic expose tools
CN103201682B (zh) 2010-11-12 2015-06-17 Asml荷兰有限公司 量测方法和设备、光刻***和器件制造方法
KR101315072B1 (ko) 2011-09-22 2013-10-08 동림지앤텍(주) 리프팅 마그네트 제어장치용 정전 및 결상 검출회로
WO2013143814A1 (en) 2012-03-27 2013-10-03 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus, lithographic system and device manufacturing method
NL2010458A (en) 2012-04-16 2013-10-17 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, substrate and device manufacturing method background.
KR101759608B1 (ko) 2012-05-29 2017-07-20 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 메트롤로지 방법 및 장치, 기판, 리소그래피 시스템 및 디바이스 제조 방법
KR101585671B1 (ko) 2014-05-12 2016-01-14 주식회사 포디존 볼 스크류 승강 방식의 6 링크 전동 구동 모션 시뮬레이터
CN106463434B (zh) 2014-06-10 2020-12-22 Asml荷兰有限公司 计算晶片检验
US9846934B2 (en) 2015-04-13 2017-12-19 Anchor Semiconductor Inc. Pattern weakness and strength detection and tracking during a semiconductor device fabrication process
US20180314149A1 (en) 2015-10-19 2018-11-01 Aslm Netherlands B.V. Method and apparatus to correct for patterning process error
KR102188711B1 (ko) 2016-02-26 2020-12-09 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 구조체를 측정하는 방법, 검사 장치, 리소그래피 시스템 및 디바이스 제조 방법
US10546790B2 (en) 2016-03-01 2020-01-28 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus to determine a patterning process parameter

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5973766A (en) * 1996-05-16 1999-10-26 Nikon Corporation Exposure method and exposure device
US20090262319A1 (en) * 2008-03-10 2009-10-22 Hiroyasu Matsuura Maskless exposure method
US20110096309A1 (en) * 2009-10-28 2011-04-28 Imec Method and System for Wafer Inspection
US20180024444A1 (en) * 2016-07-19 2018-01-25 Applied Materials, Inc. Piecewise alignment modeling method

Also Published As

Publication number Publication date
TW202001410A (zh) 2020-01-01
US11860549B2 (en) 2024-01-02
US20210247700A1 (en) 2021-08-12
WO2019242922A1 (en) 2019-12-26
TWI722433B (zh) 2021-03-21
KR20230137490A (ko) 2023-10-04
CN112352201B (zh) 2024-06-28
KR20210013605A (ko) 2021-02-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11487209B2 (en) Method for controlling a lithographic apparatus and associated apparatuses
US11599027B2 (en) Lithographic process and apparatus and inspection process and apparatus
CN112352201B (zh) 用于控制制造设备和相关联设备的方法
WO2018086795A1 (en) Method for determining an optimized set of measurement locations for measurement of a parameter of a lithographic process, metrology system and computer program products for implementing such methods
US11669017B2 (en) Method for controlling a manufacturing apparatus and associated apparatuses
CN113168112A (zh) 测量与使用光刻过程形成的结构有关的聚焦参数的方法
TWI825415B (zh) 用於最佳化取樣方案之方法及相關聯裝置
US11796920B2 (en) Method for controlling a manufacturing process and associated apparatuses
EP3869271A1 (en) Method for controlling a manufacturing process and associated apparatuses
EP3584637A1 (en) Method for controlling a manufacturing apparatus and associated apparatuses
NL2023354B1 (en) Method for performing a manufacturing process and associated apparatuses
US12050406B2 (en) Method for controlling a lithographic apparatus and associated apparatuses
CN113632009B (zh) 控制光刻装置的方法和相关装置
NL2024950A (en) Method for controlling a manufacturing process and associated apparatuses
WO2023186440A1 (en) Method for determining a spatial distribution of a parameter of interest over at least one substrate or portion thereof

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant