CN112322278A - 量子点组合物、发光二极管及包括所述发光二极管的显示装置 - Google Patents

量子点组合物、发光二极管及包括所述发光二极管的显示装置 Download PDF

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Abstract

实施方案的量子点组合物包含：量子点；与所述量子点的表面结合的配体；以及具有亲核反应基团的配体清除剂。

Description

量子点组合物、发光二极管及包括所述发光二极管的显示 装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年8月5日提交的第10-2019-0094819号韩国专利申请的优先权和权益，所述专利申请出于所有目的通过援引并入本文，如同在本文中完全阐述一样。
技术领域
本发明的示例性实施方式一般涉及量子点组合物，并且更具体地涉及包括由所述量子点组合物形成的发射层的发光二极管，以及包括所述发光二极管的显示装置。
背景技术
正在开发在诸如电视、便携式电话、平板计算机、导航仪和游戏控制台的多媒体装置中使用的各种类型的显示装置。在此类显示装置中，所谓的自发光显示装置照射包含有机化合物的发光材料。
本背景技术部分中公开的以上信息仅用于对本发明构思的背景的理解，并且因此它可以含有不构成现有技术的信息。
发明内容
申请人认识到量子点作为发光材料在发光二极管中的使用可以改善使用发光二极管的显示装置的颜色再现性、可靠性和寿命。
根据本发明的示例性实施方式的原理制成的组合物以及包含所述组合物的二极管和显示装置提供用于具有改善的发光效率性质的发光二极管的发射层中的量子点组合物，这可以通过使亲水基团附接在改性的量子点的表面上来实现。
本发明构思的其它特征将在以下的描述中阐述，并且在某种程度上从所述描述将是显而易见的，或者可以通过本发明构思的实践而获悉。
本发明构思的实施方案提供量子点组合物，所述量子点组合物包含量子点；与所述量子点的表面结合的配体；以及具有亲核反应基团的配体清除剂。
在实施方案中，所述配体可以包括：与所述量子点的所述表面结合的头部；以及包含具有1个至20个碳原子的烷基基团的尾部。
在实施方案中，所述头部可以包括具有二硫代酸基团或羧酸基团的头部。
在实施方案中，所述配体可以包括HO(O)-C-NH-R、HS(S)-C-NH-R、HO(O)-C-N-R2、HS(S)-C-N-R2、HO(O)-C-O-R、HS(S)-C-O-R、HO(O)-C-[C(O)O-C(O)O]n-H和HS(S)-C-[C(O)O-C(O)O]n-H中的至少一个，其中R是具有1个至20个碳原子的烷基基团，并且n是1至10的整数。
在实施方案中，所述配体清除剂可以包括NH2-Ra、NH-(Ra)2、N-(Ra)3、OH-Ra和O-(Ra)2中的至少一个，其中Ra是具有1个至20个碳原子的烷基基团。
在实施方案中，所述量子点组合物可以进一步包含有机溶剂。
在实施方案中，所述配体清除剂和所述配体可以具有至少约1:1的摩尔比，其中所述配体清除剂的摩尔数可以超过所述配体的摩尔数。
在实施方案中，所述配体清除剂可以被配置成诱导对所述配体的亲核攻击反应。
在实施方案中，所述量子点可以包括包含核和包围所述核的壳的半导体纳米晶体。
在本发明构思的实施方案中，发光二极管包括：第一电极；设置在所述第一电极上的空穴传输区；设置在所述空穴传输区上并且包含具有亲水基团的改性的量子点的发射层；设置在所述发射层上的电子传输区；以及设置在所述电子传输区上的第二电极。
在实施方案中，所述改性的量子点可以包括：包含核和包围所述核的壳的量子点；以及可以与所述量子点的表面结合的所述亲水基团。
在实施方案中，所述亲水基团可以包括巯基基团或羟基基团。
在实施方案中，所述发射层可以由包含量子点、与所述量子点的表面结合的配体以及具有亲核反应基团的配体清除剂的量子点组合物制成，所述配体可以包括HO(O)-C-NH-R、HS(S)-C-NH-R、HO(O)-C-N-R2、HS(S)-C-N-R2、HO(O)-C-O-R、HS(S)-C-O-R、HO(O)-C-[C(O)O-C(O)O]n-H和HS(S)-C-[C(O)O-C(O)O]n-H中的至少一个，其中：R可以是具有1个至20个碳原子的烷基基团，并且n可以是1至10的整数；以及所述配体清除剂可以包括NH2-Ra、NH-(Ra)2、N-(Ra)3、OH-Ra和O-(Ra)2中的至少一个，其中：Ra可以是具有1个至20个碳原子的烷基基团。
在实施方案中，所述发射层可以进一步包含通过使所述配体和所述配体清除剂反应而制成的残余物。
在实施方案中，所述残余物可以包括二胺化合物或二烷氧基化合物。
在本发明构思的实施方案中，显示装置包括多个发光二极管，其中所述发光二极管中的至少一些包括：第一电极；与所述第一电极相对设置的第二电极；以及设置在所述第一电极与所述第二电极之间并且包含具有亲水基团的改性的量子点的发射层。
在实施方案中，所述发光二极管可以包括：第一发光二极管，其包含发射第一颜色光的第一改性的量子点；第二发光二极管，其包含发射具有比所述第一颜色光更长的波长的第二颜色光的第二改性的量子点；以及第三发光二极管，其包含发射具有比所述第一颜色光和所述第二颜色光更长的波长的第三颜色光的第三改性的量子点。
在实施方案中，所述第一改性的量子点至所述第三改性的量子点中的至少一些可以包含：具有核和包围所述核的壳的量子点；以及与所述量子点的表面结合的所述亲水基团。
在实施方案中，所述亲水基团可以是巯基基团或羟基基团。
在实施方案中，所述显示装置进一步包括可以设置在所述发光二极管上的彩色过滤器层，其中所述彩色过滤器层可以包括：透射所述第一颜色光的第一过滤器、透射所述第二颜色光的第二过滤器以及透射所述第三颜色光的第三过滤器。
应理解，前述一般描述和以下详细描述两者是示例性的和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的发明的进一步解释。
附图说明
包括附图以提供对本发明的进一步理解以及将附图并入本说明书中并且构成本说明书的一部分，附图例示了本发明的示例性实施方案，并且与描述一起用于解释本发明构思。
图1是根据本发明原理构造的显示装置的实施方案的透视图。
图2是图1的显示装置的分解透视图。
图3是沿图1的线I-I'截取的显示装置的横截面视图。
图4是根据本发明原理构造的发光二极管的实施方案的横截面视图。
图5是示出图4的发光二极管的一部分的横截面视图。
图6是例示用于制造根据本发明原理的发光二极管的示例性方法的流程图。
图7是示出图6的示例性方法的部分步骤的示意图。
图8是例示根据本发明原理构造的图7的区域AA的量子点组合物的示例性实施方案的示意图。
图9是示出图8的量子点组合物的一部分的示意图。
图10是示出图6的示例性方法的另一部分步骤的示意图。
图11是例示根据本发明原理构造的量子点组合物的实施方案的示意图。
图12是例示图11的量子点组合物中的配体清除剂和配体的反应步骤的示意图。
图13A和图13B分别是例示反应前和反应后对量子点组合物的分析结果的图形描绘。
图14是例示反应前和反应后对量子点组合物的热分析结果的图形描绘。
图15是根据本发明原理构造的显示装置的发光区的实施方案的平面视图。
图16是沿图15的线II-II'截取的根据实施方案的显示装置的横截面视图。
图17是根据本发明原理构造的显示装置的另一个实施方案的横截面视图。
具体实施方式
在以下的描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节以便提供对本发明的各种示例性实施方案或实施方式的透彻理解。如本文使用，“实施方案”和“实施方式”是可互换的词语，其是采用本文公开的发明构思中的一种或多于一种的装置或方法的非限制性实例。然而，明显地，各种示例性实施方案可以在没有这些具体细节的情况下实践，或者可以用一种或多于一种的等同的布置实践。在其它情况中，以框图形式显示公知的结构和装置以便避免不必要地模糊各种示例性实施方案。此外，各种示例性实施方案可以是不同的，但不必是排他的。例如，在不背离本发明构思的情况下，示例性实施方案的具体形状、配置和特性可以在另一个示例性实施方案中使用或实施。
除非另外规定，否则例示的示例性实施方案要被理解为提供其中可以在实践中实施本发明构思的一些方式的不同细节的示例性特征。因此，除非另外规定，否则在不背离本发明构思的情况下，各种实施方案的特征、组件、模块、层、膜、面板、区和/或方面等(在下文单独地或共同地被称为“元件”)可以以其它方式组合、分离、互换和/或重排。
通常提供在附图中的交叉影线和/或阴影的使用，以阐明相邻元件之间的界线。如此，交叉影线或阴影的存在或不存在均不表达或表明对特定材料、材料性质、尺寸、比例、所示元件之间的共性和/或元件的任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或需要，除非指明。此外，在附图中，出于清晰和/或描述目的，可以放大元件的尺寸和相对尺寸。当示例性实施方案可以不同地实施时，可以与描述的顺序不同地进行具体的过程顺序。例如，两个连续描述的过程可以基本上同时进行或以与描述的顺序相反的顺序进行。此外，相同的参考数字表示相同的元件。
当元件或层被称为在另一个元件或层“上”、“连接至”另一个元件或层或者“联接至”另一个元件或层时，其可以直接在另一个元件或层上、直接连接至另一个元件或层或者直接联接至另一个元件或层，或者可以存在介于中间的元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一个元件或层“上”、“直接连接至”另一个元件或层或者“直接联接至”另一个元件或层时，不存在介于中间的元件或层。为此，术语“连接的”可以是指物理连接、电连接和/或流体连接，具有或不具有介于中间的元件。此外，DR1轴、DR2轴和DR3轴不限于直角坐标系的三个轴，例如x轴、y轴和z轴，并且可以以更广泛的意义解释。例如，DR1轴、DR2轴和DR3轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。出于本公开内容的目的，“X、Y和Z中的至少一个(种)”以及“选自由X、Y和Z组成的组中的至少一个(种)”可以解释为仅有X、仅有Y、仅有Z、或者X、Y和Z中的两个或多于两个的任何组合，例如，XYZ、XYY、YZ和ZZ。如本文使用，术语“和/或”包括相关的列出项中的一个或多于一个的任意组合和所有组合。
尽管术语“第一”、“第二”等在本文可以用于描述各种类型的元件，但这些元件不应受到这些术语限制。这些术语用于区分一个元件与另一个元件。因此，在不背离本公开内容的教导的情况下，以下讨论的第一元件可以被称为第二元件。
诸如“之下”、“下方”、“下”、“较低”、“上方”、“上”、“之上”、“较高”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语在本文可以用于描述目的，并且由此，用于描述一个元件与另一个元件的关系，如附图中所例示的。空间相对术语旨在涵盖除了附图中描述的方向以外的在使用、操作和/或制造中的设备的不同方向。例如，如果附图中的设备被翻转，被描述成在其它元件或特征“下方”或“之下”的元件则会被定位在其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”可以涵盖上方和下方的方向两者。此外，可以将设备以其它方式定向(例如，旋转90度或在其它方向上)，并且如此，本文使用的空间相对描述符号被相应地解释。
本文使用的术语出于描述具体实施方案的目的，而不旨在限制。如本文使用，单数形式“一(a)”、“一(an)”和“所述(the)”旨在还包括复数形式，除非上下文另外明确说明。此外，术语“包含(comprises)”、“包含(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”，当用于本说明书中时，指明规定的特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的群组的存在，但不排除一个或多于一个的其它的特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的群组的存在或增添。还注意，如本文使用，术语“基本上”、“约”和其它类似术语用作近似的术语并且不用作程度的术语，并且如此，用于解释本领域普通技术人员会认识到的测量的、计算的和/或提供的值中的固有偏差。
参考截面图示和/或分解图示在本文中描述各种示例性实施方案，所述截面图示和/或分解图示是理想化的示例性实施方案和/或中间结构的示意性图示。如此，要预期由于例如制造技术和/或公差产生的图示的形状的变化。因此，本文公开的示例性实施方案不应必须被解释为限于区的具体例示的形状，而要包括由例如制造产生的形状的偏差。以这种方式，附图中例示的区可以在本质上是示意性的，并且这些区的形状可以不反映装置的区的实际形状，并且如此，不必须旨在限制。
如本文使用，术语“与......结合”可以意指通常通过化学反应，由合并至少两种其它物质形成的第三种物质。作为实例，配体可以通过诸如化学吸附的过程而化学键合至量子点的表面。
除非另外定义，否则本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)均具有如本公开内容所属领域的普通技术人员通常理解的相同含义。术语，例如在常用词典中定义的那些术语，应被解释为具有与其在相关领域的语境中的含义相符的含义，并且不应以理想化的或过于正式的意义解释，除非本文明确如此定义。
图1是根据本发明原理构造的显示装置的实施方案的透视图。图2是图1的显示装置的分解透视图。图3是沿图1的线I-I'截取的显示装置的横截面视图。图4是根据本发明原理构造的发光二极管的实施方案的横截面视图。图5是显示图4的发光二极管的一部分的横截面视图。
在实施方案中，电子装置EA可以是大型电子装置，例如电视、监视器和外部广告板。此外，电子装置EA可以是小型电子装置和中型电子装置，例如个人计算机、笔记本计算机、个人数字终端、汽车导航单元、游戏控制台、便携式电话、平板电脑和照相机。此外，提出这些仅用于例示，并且可以在本发明的实施方案中采用其它电子装置。在此例示的实施方案中，智能电话被示为电子装置EA的实施方案。
电子装置EA可以包括显示装置DD和壳体HAU。显示装置DD可以通过显示表面IS显示图像IM。图1示出显示表面IS通常与由第一方向轴DR1和与第一方向轴DR1相交的第二方向轴DR2限定的表面平行。然而，这是例示，并且在另一个实施方案中，显示装置DD的显示表面IS可以具有大致弯曲的形状。
由第三方向轴DR3指示显示表面IS的法线，即，在显示装置DD的厚度方向中显示图像IM的方向。每一个构件的前表面(或顶表面)和后表面(或底表面)可以由第三方向轴DR3分隔。
第四方向轴DR4(图15)可以是第一方向轴DR1的方向与第二方向轴DR2的方向之间的方向。第四方向轴DR4可以位于大致与由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的表面平行的平面上。由第一方向轴至第四方向轴(DR1、DR2、DR3和DR4)表示的方向具有相对的概念并且可以改变成其它方向。
在电子装置EA中，显示图像IM的显示表面IS可以对应于显示装置DD的前表面，并且可以对应于窗WP的前表面FS。在下文，相同的参考符号将被用于电子装置EA的前表面，以及窗WP的前表面。图像IM可以包括静止图像以及动态图像。电子装置EA可以包括：包括折叠区域和非折叠区域的可折叠显示装置，或者包括至少一个弯曲部的弯曲显示装置。
壳体HAU可以容纳显示装置DD。壳体HAU可以设置成覆盖显示装置DD，以便使显示装置DD的显示表面IS的顶表面被暴露。壳体HAU覆盖显示装置DD的侧表面和底表面并且可以暴露其整个顶表面。然而，实施方案不限于此，并且壳体HAU可以覆盖显示装置DD的顶表面的一部分以及侧表面和底表面。
在实施方案的电子装置EA中，窗WP可以包含光学透明绝缘材料。窗WP可以包括透射区域TA和挡板区域BZA。包括透射区域TA和挡板区域BZA的窗WP的前表面FS对应于电子装置EA的前表面FS。使用者可以看到通过对应于电子装置EA的前表面FS的透射区域TA提供的图像。
在图1和图2中，透射区域TA被显示为其角部大致为圆形的大致方形形状。然而，此形状仅仅是实施方案，并且透射区域TA可以具有各种形状并且不限于此。
透射区域TA可以是光学透明区域。当与透射区域TA相比时，挡板区域BZA可以具有相对较低的透射率。挡板区域BZA可以具有某种颜色。挡板区域BZA与透射区域TA相邻，并且可以围绕透射区域TA。挡板区域BZA可以限定透射区域TA的形状。然而，实施方案不限于此，并且挡板区域BZA可以设置成仅与透射区域TA的一侧相邻，或者可以省略其一部分。
显示装置DD可以设置在窗WP下方。在本公开内容中，术语“下方”可以意指与由显示装置DD提供图像的方向相反的方向。
在实施方案中，显示装置DD可以具有实质上产生图像IM的配置。在显示装置DD中，由此产生的图像IM被显示在显示表面IS上，并且被外部使用者通过透射区域TA看到。显示装置DD包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可以由电信号激活。非显示区域NDA可以被挡板区域BZA覆盖。非显示区域NDA与显示区域DA相邻。非显示区域NDA可以围绕显示区域DA。
显示装置DD可以包括显示面板DP和设置在显示面板DP上的光控制层PP。显示面板DP可以包括显示装置层DP-EL。显示装置层DP-EL包括发光二极管ED。
显示装置DD可以包括多个发光二极管(ED-1、ED-2和ED-3)。光控制层PP可以设置在显示面板DP上，并且控制外部光从显示面板DP的反射光。光控制层PP可以包括例如偏振层或彩色过滤器层。
在实施方案的显示装置DD中，显示面板DP可以是发射型显示面板。例如，显示面板DP可以是包括量子点发光二极管的量子点发射显示面板。然而，实施方案不限于此。
显示面板DP可以包括基体衬底BS、设置在基体衬底BS上的电路层DP-CL以及设置在电路层DP-CL上的显示装置层DP-EL。
基体衬底BS可以是提供其中设置显示装置层DP-EL的基体表面的构件。基体衬底BS可以是玻璃衬底、金属衬底、塑料衬底等。然而，实施方案不限于此，并且基体衬底BS可以是无机层、有机层或复合材料层。基体衬底BS可以是柔性衬底，所述柔性衬底可以是易于弯曲或折叠的。
在实施方案中，电路层DP-CL可以设置在基体衬底BS上，并且电路层DP-CL可以包括多个晶体管。晶体管各自可以包括控制电极、输入电极和输出电极。例如，电路层DP-CL可以包括开关晶体管和用于驱动显示装置层DP-EL的发光二极管ED的驱动晶体管。
图4是显示根据实施方案的发光二极管ED的图，并且参考图4，根据实施方案的发光二极管ED包括第一电极EL1、与第一电极EL1相对的第二电极EL2、以及设置在第一电极EL1与第二电极EL2之间并且包括发射层EL的多个功能层。
多个功能层可以包括设置在第一电极EL1与发射层EL之间的空穴传输区HTR，以及设置在发射层EL与第二电极EL2之间的电子传输区ETR。在实施方案中，可以在第二电极EL2上进一步设置覆盖区。
空穴传输区HTR和电子传输区ETR可以各自包括至少一个子功能层。例如，空穴传输区HTR可以包括空穴注入层HIL和空穴传输层HTL中的至少一个作为子功能层，并且电子传输区ETR可以包括电子注入层EIL和电子传输层ETL中的至少一个作为子功能层。
空穴传输区HTR可以形成为一个功能层，例如，空穴传输区HTR可以仅包括空穴注入层HIL或空穴传输层HTL。此外，电子传输区ETR可以形成为一个功能层，例如，电子传输区ETR可以仅包括电子注入层EIL或电子传输层ETL。实施方案不限于此，但空穴传输区HTR可以进一步包括电子阻挡层等作为子功能层，并且电子传输区ETR可以进一步包括空穴阻挡层作为子功能层。
在根据实施方案的发光二极管ED中，第一电极EL1具有导电性。可以使用金属合金或导电化合物形成第一电极EL1。第一电极EL1可以是阳极。第一电极EL1可以是像素电极。
在根据实施方案的发光二极管ED中，第一电极EL1可以是反射电极。然而，实施方案不限于此。例如，第一电极EL1可以是透射电极或半透反射电极。如果第一电极EL1是半透反射电极或反射电极，第一电极EL1可以包含Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti、其化合物、或其混合物(例如，Ag和Mg的混合物)。或者，第一电极EL1可以具有多层结构，其包括使用以上描述的材料形成的反射层或半透反射层以及使用氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)等形成的透明导电层。例如，第一电极EL1可以是多层金属层，并且可以具有ITO/Ag/ITO金属层的层压结构。
空穴传输区HTR设置在第一电极EL1上。空穴传输区HTR可以包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL等。此外，除了空穴注入层HIL和空穴传输层HTL以外，空穴传输区HTR可以进一步包括空穴缓冲层和电子阻挡层中的至少一个。空穴缓冲层可以根据从发射层EL发射的光的波长补偿光学共振距离并且可以增加光发射效率。可以包含在空穴传输区HTR中的材料可以用作空穴缓冲层中的材料。电子阻挡层是起到阻挡从电子传输区ETR至空穴传输区HTR的电子注入的作用的层。
空穴传输区HTR可以具有使用单一材料形成的单个层、使用多种不同材料形成的单个层、或者包括使用多种不同材料形成的多个层的多层结构。例如，空穴传输区HTR可以具有使用多种不同材料形成的单个层的结构，或者从第一电极EL1层压的空穴注入层HIL/空穴传输层HTL、空穴注入层HIL/空穴传输层HTL/空穴缓冲层、空穴注入层HIL/空穴缓冲层、空穴传输层HTL/空穴缓冲层、空穴缓冲层/空穴传输层HTL、空穴注入层HIL/空穴传输层HTL/电子阻挡层、空穴缓冲层/空穴注入层HIL/空穴传输层HTL等的结构。然而，实施方案不限于此。
可以使用各种方法(例如真空沉积法、旋涂法、流延法、朗缪尔-布洛杰特(Langmuir-Blodgett，LB)法、喷墨印刷法、激光印刷法和激光诱导热成像(LITI)法)形成空穴传输区HTR。
空穴注入层HIL可以包含，例如，酞菁化合物，例如铜酞菁；N,N’-二苯基-N,N’-双-[4-(苯基-间甲苯基-氨基)-苯基]-联苯基-4,4’-二胺(DNTPD)、4,4’,4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、4,4’,4”-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺(TDATA)、4,4’,4”-三{N-(2-萘基)-N-苯基氨基}-三苯胺(2-TNATA)、聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PANI/PSS)、N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基-联苯胺(NPB)、含三苯胺的聚醚酮(TPAPEK)、4-异丙基-4’-甲基二苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸盐和二吡嗪并[2,3-f:2’,3’-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈(HAT-CN)。
空穴传输层HTL可以包含，例如，咔唑衍生物(例如N-苯基咔唑和聚乙烯基咔唑)、基于芴的衍生物、N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1,1’-联苯基]-4,4’-二胺(TPD)、基于三苯胺的衍生物(例如4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA))、N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基-联苯胺(NPB)、4,4’-亚环己基双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)、4,4’-双[N,N’-(3-甲苯基)氨基]-3,3’-二甲基联苯(HMTPD)、1,3-双(N-咔唑基)苯(mCP)等。
电子传输区ETR设置在发射层EL上。在实施方案的发光二极管ED中，发射层EL可以包含改性的量子点MQD。包含在发射层EL中的改性的量子点MQD可以是在其表面处与亲水基团MLG结合的量子点QD。改性的量子点MQD包含官能团，所述官能团是附接在其表面上的亲水基团MLG，并且可以具有改性的表面性质。
形成改性的量子点MQD的量子点QD可以包含核CR和包围核CR的壳SL。亲水基团MLG可以结合在作为量子点QD的表面的壳SL的表面处。
作为亲水基团MLG的官能团可以源于在量子点的表面处结合的配体与量子点组合物中的配体清除剂的反应，以下进一步描述。亲水基团MLG可以源于配体和配体清除剂的亲核攻击反应。例如，亲水基团MLG可以包括巯基基团(*-SH)或羟基基团(*-OH)，并且如本文使用，“*-”意指连接位置。
在实施方案的发光二极管ED中，可以由实施方案的量子点组合物形成发射层EL。实施方案的量子点组合物可以包含量子点、在量子点表面处结合的配体和配体清除剂。
发射层EL可以包含多个改性的量子点MQD。可以层压包含在发射层EL中的改性的量子点MQD以形成层。在图4中，例示出通过布置改性的量子点MQD形成的大约两层，所述改性的量子点MQD形成例如大致圆形的横截面。然而，实施方案不限于此。例如，可以根据发射层EL的厚度、包含在发射层EL中的量子点QD的形状、量子点QD的平均直径等来改变改性的量子点MQD的布置。特别地，在发射层EL中，改性的量子点MQD可以以相邻的关系布置以形成一个层，或者可以布置成形成包括两个层、三个层等的多个层。
发射层EL可以具有例如约5nm至约20nm或约10nm至约20nm的厚度。发射层EL包含由如以上描述的实施方案的量子点组合物形成的改性的量子点MQD。此外，发射层EL可以包含少量的残余物RS，所述残余物RS源自实施方案的量子点组合物的配体和配体清除剂的反应。残余物RS可以是通过量子点组合物的配体和配体清除剂的亲核攻击反应产生的材料。残余物RS可以是二胺化合物或二烷氧基化合物。
在实施方案的发光二极管ED中，包含在发射层EL中的改性的量子点MQD可以是至少一个表面改性的量子点QD。包含在实施方案的发射层EL中的量子点QD可以是半导体纳米晶体，其可以选自II-VI族化合物、I-III-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物及其组合。
II-VI族化合物可以选自由以下组成的组：二元化合物，所述二元化合物选自由CdSe、CdTe、CdS、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS及其混合物组成的组；三元化合物，所述三元化合物选自由CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS及其混合物组成的组；以及四元化合物，所述四元化合物选自由HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe及其混合物组成的组。
I-III-VI族化合物可以选自：三元化合物，所述三元化合物选自由AgInS2、CuInS2、AgGaS2、CuGaS2及其混合物组成的组；或四元化合物，例如AgInGaS2和CuInGaS2。
III-V族化合物可以选自由以下组成的组：二元化合物，所述二元化合物选自由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及其混合物组成的组；三元化合物，所述三元化合物选自由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InAlP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb及其混合物组成的组；以及四元化合物，所述四元化合物选自由GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb及其混合物组成的组。III-V族化合物可以进一步包含II族中的金属。例如，可以选择InZnP等作为III-II-V族化合物。
IV-VI族化合物可以选自由以下组成的组：二元化合物，所述二元化合物选自由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及其混合物组成的组；三元化合物，所述三元化合物选自由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及其混合物组成的组；以及四元化合物，所述四元化合物选自由SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及其混合物组成的组。IV族元素可以选自由Si、Ge及其混合物组成的组。IV族化合物可以是选自由SiC、SiGe及其混合物组成的组中的二元化合物。
在一些实施方案中，二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以均匀的浓度存在于颗粒中，或者可以以部分不同的浓度分布状态存在于同一颗粒中。此外，其中一种量子点包围另一种量子点的核-壳结构可以是可能的。核和壳的界面可以具有浓度梯度，其中存在于壳中的元素的浓度朝向中心减小。
在一些实施方案中，量子点QD可以具有核-壳结构，所述核-壳结构包括包含纳米晶体的核和包围核的壳。具有核-壳结构的量子点QD的壳可以起到用于防止核的化学变形以保持半导体性质的保护层的作用，和/或起到用于赋予量子点QD电泳性质的充电层的作用。壳可以具有单层或多层。核和壳的界面可以具有浓度梯度，其中存在于壳中的元素的浓度朝向中心减小。具有核-壳结构的量子点QD的壳的实例可以包括金属氧化物或非金属氧化物、半导体化合物及其组合。
例如，金属氧化物或非金属氧化物可以包括二元化合物(例如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4和NiO)或三元化合物(例如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4和CoMn2O4)，但实施方案不限于此。
此外，半导体化合物可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb等，但实施方案不限于此。
量子点QD可以具有不大于约45nm、优选不大于约40nm、更优选不大于约30nm的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)。在此范围内，可以改善颜色纯度或颜色再现性。此外，经由此类量子点发射的光在所有方向上发射，并且可以改善光视角性质。
此外，量子点QD的形状可以具有本领域常用的形状，而不受特别限制。更具体地，可以使用一个或多于一个的大致球形、锥形、多臂、立方形纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维、纳米板颗粒等形状。
量子点QD可以根据颗粒尺寸来控制发射光的颜色，并且因此，量子点QD可以具有各种发射颜色，例如蓝色、红色和绿色。随着量子点QD的颗粒尺寸的减小，可以发射短波长区中的光。例如，在具有相同核的量子点QD中，发射绿色光的量子点的颗粒尺寸可以小于发射红色光的量子点的颗粒尺寸。此外，在具有相同核的量子点QD中，发射蓝色光的量子点的颗粒尺寸可以小于发射绿色光的量子点的颗粒尺寸。然而，实施方案不限于此，并且可以根据具有相同核的量子点QD中的壳的形成材料和壳的厚度来控制颗粒尺寸。
在量子点QD具有包括蓝色、红色、绿色等的各种发射颜色的情况下，具有不同发射颜色的量子点QD可以具有彼此不同的核材料。
此外，在实施方案的发光二极管ED中，发射层EL可以包含主体和掺杂剂。在实施方案中，发射层EL可以包含量子点QD作为掺杂剂材料。此外，在实施方案中，发射层EL可以进一步包含主体材料。
在实施方案的发光二极管ED中，发射层EL可以发射荧光。例如，量子点QD可以用作荧光掺杂剂材料。
可以通过使用各种方法(例如真空沉积法、旋涂法、流延法、朗缪尔-布洛杰特(LB)法、喷墨印刷法、激光印刷法和激光诱导热成像(LITI)法)形成发射层EL。例如，可以通过经由喷墨印刷法提供实施方案的量子点组合物来形成发射层EL。
在实施方案的发光二极管ED中，可以在发射层EL上提供电子传输区ETR。电子传输区ETR可以包括空穴阻挡层、电子传输层ETL和电子注入层EIL中的至少一个。然而，实施方案不限于此。
电子传输区ETR可以具有使用单一材料形成的单个层、使用多种不同材料形成的单个层、或者具有使用多种不同材料形成的多个层的多层结构。
例如，电子传输区ETR可以具有单个层(例如电子注入层EIL和电子传输层ETL)的结构，并且可以具有使用电子注入材料和电子传输材料形成的单个层的结构。此外，电子传输区ETR可以具有使用多种不同材料形成的单个层结构，或者从发射层EL层压的电子传输层ETL/电子注入层EIL、或空穴阻挡层/电子传输层ETL/电子注入层EIL的结构，而不受限制。电子传输区ETR的厚度可以是例如约
Figure BDA0002607774920000161
至约
Figure BDA0002607774920000162
可以使用各种方法(例如真空沉积法、旋涂法、流延法、朗缪尔-布洛杰特(LB)法、喷墨印刷法、激光印刷法和激光诱导热成像(LITI)法)形成电子传输区ETR。
如果电子传输区ETR包括电子传输层ETL，电子传输区ETR可以包含基于蒽的化合物。然而，实施方案不限于此，并且电子传输区ETR可以包含，例如，三(8-羟基喹啉根合)铝(Alq3)、1,3,5-三[(3-吡啶基)-苯-3-基]苯、2,4,6-三(3’-(吡啶-3-基)联苯-3-基)-1,3,5-三嗪、2-(4-(N-苯基苯并咪唑-1-基)苯基)-9,10-二萘基蒽、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯(TPBi)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-***(TAZ)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-***(NTAZ)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(tBu-PBD)、双(2-甲基-8-喹啉根合-N1,O8)-(1,1’-联苯-4-根合)铝(BAlq)、双(苯并喹啉-10-根合)铍(Bebq2)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)，或其混合物。电子传输层ETL的厚度可以是约
Figure BDA0002607774920000171
至约
Figure BDA0002607774920000172
并且可以是例如约
Figure BDA0002607774920000173
至约
Figure BDA0002607774920000174
如果电子传输层ETL的厚度满足以上描述的范围，可以获得令人满意的电子传输性质，而没有驱动电压的显著升高。
如果电子传输区ETR包括电子注入层EIL，电子注入层EIL可以包含金属卤化物、镧系金属或金属卤化物和镧系金属的共沉积材料。金属卤化物可以是碱金属卤化物。例如，电子注入层EIL可以包含LiF、喹啉锂(Liq)、Li2O、BaO、NaCl、CsF、Yb、RbCl、RbI、KI、KI:Yb等。然而，实施方案不限于此。可以还使用电子传输材料和绝缘有机金属盐的混合物材料形成电子注入层EIL。例如，有机金属盐可以包括金属乙酸盐、金属苯甲酸盐、金属乙酰乙酸盐、金属乙酰丙酮酸盐或金属硬脂酸盐。电子注入层EIL的厚度可以是约
Figure BDA0002607774920000178
至约
Figure BDA0002607774920000177
例如约
Figure BDA0002607774920000175
至约
Figure BDA0002607774920000176
如果电子注入层EIL的厚度满足以上描述的范围，可以获得令人满意的电子注入性质，而不引起驱动电压的显著升高。
电子传输区ETR可以包括如以上描述的空穴阻挡层。空穴阻挡层可以包含例如2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)和4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)中的至少一种。然而，实施方案不限于此。
在电子传输区ETR上提供第二电极EL2。第二电极EL2可以是公共电极或阴极。第二电极EL2可以是透射电极、半透反射电极或反射电极。如果第二电极EL2是透射电极，可以使用透明金属氧化物如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)等形成第二电极EL2。
如果第二电极EL2是半透反射电极或反射电极，第二电极EL2可以包含Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti、其化合物、或其混合物(例如，Ag和Mg的混合物)。或者，第二电极EL2可以具有多层结构，所述多层结构包括使用以上描述的材料形成的反射层或半透反射层以及使用ITO、IZO、ZnO、ITZO等形成的透明导电层。
第二电极EL2可以与辅助电极连接。如果第二电极EL2与辅助电极连接，可以减小第二电极EL2的电阻。
图6是例示用于制造根据本发明原理的发光二极管的示例性方法的流程图。图7是示出图6的示例性方法的部分步骤的示意图。图8是例示根据本发明原理构造的图7的区域AA的量子点组合物的实施方案的示意图。图9是示出图8的量子点组合物的一部分的示意图。图10是示出图6的示例性方法的另一部分步骤的示意图。图11是例示根据本发明原理构造的量子点组合物的实施方案的示意图。图12是例示图11的量子点组合物中的配体清除剂和配体的反应步骤的示意图。
根据实施方案的用于制造发光二极管的方法可以包括提供初始发射层的步骤(S100)、提供热量以形成发射层的步骤(S200)以及清洁残余物的步骤(S300)。
图7示意性地例示在根据实施方案的用于制造发光二极管的方法中提供初始发射层的步骤(S100)。提供初始发射层的步骤(S100)可以是在空穴传输区HTR上提供量子点组合物QCP的步骤。可以通过喷嘴NZ在像素限定层PDL中提供量子点组合物QCP。空穴传输区HTR提供为与图7中的像素限定层PDL重叠的公共层，但实施方案不限于此。可以在像素限定层PDL中提供空穴传输区HTR。例如，可以使用喷墨印刷法在像素限定层PDL中提供空穴传输区HTR。
图8更详细地例示图7中提供的量子点组合物QCP的一部分(区域“AA”)。图9示意性地例示量子点QD和在量子点QD的表面处结合的配体LD。
实施方案的量子点组合物QCP可以包含量子点QD、在量子点QD的表面处结合的配体LD、和具有亲核反应基团NRG的配体清除剂RM，如图11中描述的。
量子点QD可以包含核CR和包围核CR的壳SL。然而，实施方案不限于此，但量子点QD可以具有单个层结构或多个壳。对于包含在例示的实施方案的量子点组合物QCP中的量子点QD，可以应用对参考图4和图5的例示的实施方案的发光二极管ED中解释的量子点QD的相同解释。
配体LD可以包括在量子点QD的表面处结合的头部HD和与头部HD连接的尾部TL。配体LD可以包括附接至量子点QD的表面的头部HD和暴露于外部的尾部TL。配体LD可以包括缺电子连接物EDS。配体LD的缺电子连接物EDS可以经受配体清除剂RM的亲核攻击，如在下文中解释的。缺电子连接物EDS可以是配体LD的头部HD和尾部TL的连接部。
在实施方案中，配体LD可以是有机配体，所述有机配体是有机材料。在实施方案中，配体LD的尾部TL可以是具有1个至20个碳原子的烷基基团。此外，配体LD的头部HD可以包括二硫代酸基团或羧酸基团。
例如，在实施方案的量子点组合物QCP中，配体LD可以包括HO(O)-C-NH-R、HS(S)-C-NH-R、HO(O)-C-N-R2、HS(S)-C-N-R2、HO(O)-C-O-R、HS(S)-C-O-R、HO(O)-C-[C(O)O-C(O)O]n-H和HS(S)-C-[C(O)O-C(O)O]n-H中的至少一个。在配体LD的以上描述的材料中，R可以是具有1个至20个碳原子的烷基基团并且n可以是1至10的整数。
可以由以下式LD-1至式LD-3中的任一个表示配体LD。在LD-1至LD-3中，X可以是O或S，并且R可以是具有1个至20个碳原子的烷基基团。
Figure BDA0002607774920000191
在实施方案的量子点组合物QCP中，配体清除剂RM可以包括NH2-Ra、NH-(Ra)2、N-(Ra)3、OH-Ra和O-(Ra)2中的至少一个，其中Ra可以是具有1个至20个碳原子的烷基基团。
此外，在配体清除剂RM中，亲核反应基团NRG可以是*-NH2、*-NH、*-N、*-OH或*-O。
实施方案的量子点组合物QCP可以进一步包含有机溶剂SV。例如，有机溶剂SV可以包括己烷、甲苯、三氯甲烷、二甲亚砜或二甲基甲酰胺。然而，实施方案不限于此。
量子点QD可以分散在有机溶剂SV中。配体LD可以在量子点QD的表面SUR处结合，并且为了促进结合，可以增加量子点QD在有机溶剂SV中的分散性。
在实施方案的量子点组合物QCP中，配体LD和配体清除剂RM的摩尔比可以是约1:1或大于1:1。例如，可以以与配体LD相同的摩尔比包含配体清除剂RM，或者可以以比配体LD更大的摩尔比包含配体清除剂RM以便有效地从配体LD中去除尾部TL。
在根据一些实施方案的用于制造发光二极管的方法中，提供初始发射层的步骤(S100)可以是在空穴传输区HTR上提供包含量子点QD、附接在量子点QD的表面SUR上的配体LD和配体清除剂RM的量子点组合物QCP以形成初始发射层P-EL的步骤。
图10是示意性地示出在根据一些实施方案的用于制造发光二极管的方法中提供热量以形成发射层的步骤(S200)的图。在图10中，示出向初始发射层P-EL提供热量的步骤。向初始发射层P-EL提供热量的步骤可以是向初始发射层P-EL提供约50℃或高于50℃的温度的热量以用于烘烤的步骤。烘烤可以是包含在量子点组合物QCP中的有机溶剂SV等的去除。例如，向初始发射层P-EL提供热量的步骤可以是向初始发射层P-EL提供约100℃或高于100℃的温度的热量以去除在初始发射层P-EL中包含的有机溶剂SV并且诱导配体清除剂RM与配体LD之间的亲核攻击反应的步骤。
图11例示在初始发射层P-EL中提供的量子点QD、在量子点的表面SUR处结合的配体LD和配体清除剂RM。在图11中，量子点QD可以包含核CR和壳SL。配体LD可以包括与量子点QD结合的头部HD和暴露于外部的尾部TL。头部HD可以是二硫代酸基团的衍生物，并且尾部TL可以是烷基胺基团。配体清除剂RM可以是包含R的胺化合物，R是具有6个至10个碳原子的烷基基团。
图12例示通过修饰附接至一些实施方案的量子点组合物中的量子点表面的配体来提供改性的量子点的步骤。
图12中显示的<步骤1>至<步骤4>的步骤，尽管不受理论束缚，但表示作为配体清除剂RM的胺化合物与附接至量子点QD的表面SUR的配体LD材料之间的亲核攻击反应的步骤。
在图12中，作为配体清除剂RM的胺化合物
Figure BDA0002607774920000211
与附接至量子点QD的表面SUR的配体LD反应并且与对应于配体LD中的尾部TL的部分结合以形成残余物RS并且与量子点QD的表面SUR分离。在图12中，残余物RS对应于二胺化合物
Figure BDA0002607774920000212
其中配体清除剂RM和残余物中的“R”(如图12中示出)可以是烷基基团。例如，“R”可以是具有1个至20个碳原子的烷基基团。特别地，“R”可以是具有6个至10个碳原子的烷基基团。
通过亲核攻击反应，仅巯基基团(*-SH)保留在量子点QD的表面SUR处。即，仅通过包括配体材料的头部HD的一部分而形成的亲水官能团MLG结合在量子点QD的表面SUR处，并且大部分配体材料与配体清除剂RM结合并且被去除，使得量子点QD可以形成为改性的量子点MQD。将作为有机材料的配体LD的尾部TL从改性的量子点MQD中去除，并且在其中改性的量子点用于发光二极管的一些实施方案中，可以改善由配体诱导的电荷注入的抑制程度。即，包含改性的量子点的发光二极管可以具有改善的电荷转移性质。可以在提供热量以形成发射层的步骤(S200)之后去除由配体LD和配体清除剂RM的反应产生的残余物RS(图5)。即，在提供热量以形成发射层的步骤(S200)之后，可以进行清洁残余物的步骤(S300)。由配体LD和配体清除剂RM的反应产生的残余物RS(图5)可以在清洁步骤中被大部分地去除，但可以部分地保留在发射层EL上(图5)。
图13A和图13B分别是例示反应前和反应后对量子点组合物的分析结果的图形描绘。
图13A示出在提供配体清除剂之前和在进行反应之前对量子点的分析结果。即，图13A示出对其中配体附接至量子点表面上的量子点的IR分析结果。
此外，图13B示出在提供配体清除剂之后和在进行配体和配体清除剂之间的反应之后对改性的量子点的IR分析结果。根据图13B中在约3000cm-1和约1,500cm-1的波数附近的峰(其在图13A中显示)的消失，证实由配体清除剂有效地去除了附接至量子点的表面的配体的尾部。
图14是例示反应前和反应后对量子点组合物的热分析结果的图形描绘。
通过测量使用热重分析(TGA)测量的样本重量的相对变化来获得对量子点组合物的热分析结果。
在图14中，由虚线表示的“反应前”的图对应于对不包括配体清除剂的量子点组合物的热分析结果。即，“反应前”的图对应于对处于配体在表面处的结合状态中的量子点的热分析结果。在图14中，由实线表示的“反应后”的图对应于对处于其中由配体清除剂去除了附接在量子点的表面上的配体的一部分的状态中的改性的量子点的热分析结果。
参考对“反应前”的热分析结果，发现相对重量(％)在约250℃或高于250℃下显著降低。这表明附接在量子点的表面上的配体材料被热分解。即，在“反应前”的量子点组合物中，作为有机材料的配体附接至量子点的表面上，并且此类配体在高温下热分解，并且其重量在约250℃或高于250℃下显著降低。
相比之下，参考对“反应后”的热分析结果，在约300℃或高于300℃的温度下很少显示重量的降低，并且这被认为是已经通过配体清除剂和配体的反应去除了附接在量子点的表面上的大部分配体。
即，在一些实施方案的量子点组合物中，包含配体清除剂，并且可以有效地去除与量子点的表面结合的配体的尾部，并且可以提供改性的量子点。
实施方案的发光二极管包含在进行配体材料与配体清除剂之间的反应之后的改性的量子点，并且可以显示出改善的电荷转移程度的性质。在以下表1中，比较例表示包含其中不提供配体清除剂的量子点组合物的发光二极管，即，在发射层中包含配体附接在其上的量子点的发光二极管，并且实施例表示在发射层中包含改性的量子点的发光二极管，其中由配体清除剂从所述改性的量子点部分地去除了附接在量子点的表面上的配体。
表1
分类 电荷转移程度(cm<sup>2</sup>V<sup>-1</sup>S<sup>-1</sup>)
比较例 1.0×10<sup>-7</sup>
实施例 1.0×10<sup>0</sup>
在比较例中，附接至量子点上的配体的长度对应于约
Figure BDA0002607774920000231
当与比较例的发光二极管的电荷转移程度相比时，实施方案的发光二极管(包含与配体清除剂反应之后的改性的量子点)中的电荷转移程度改善了约107倍或大于107倍。
根据与配体清除剂反应之前的附接至量子点上的配体的长度，发光二极管中的电荷转移程度可以不同，所述发光二极管具有包含量子点的发射层，其中配体附接至所述量子点。例如，随着配体的长度的减小，可以改善发光二极管中的电荷转移程度。
证实了通过在发射层中包含改性的量子点(由配体清除剂从所述改性的量子点有效地去除了在量子点的表面处结合的配体的尾部)，实施方案的发光二极管显示出改善的装置性质。
图15是根据本发明原理构造的显示装置的发光区的实施方案的平面视图。图16是沿图15的线II-II'截取的根据实施方案的显示装置的横截面视图。实施方案的显示装置DD包括多个发光二极管(ED-1、ED-2和ED-3)，并且发光二极管(ED-1、ED-2和ED-3)可以包括包含改性的量子点(MQD1、MQD2和MQD3)的发射层(EL-B、EL-G和EL-R)。
此外，实施方案的显示装置DD可以包括：包括多个发光二极管(ED-1、ED-2和ED-3)的显示面板DP，以及设置在显示面板DP上的光控制层PP。在一些实施方案中，可以从显示装置DD中省略光控制层PP。
显示面板DP包括基体衬底BS、在基体衬底BS上提供的电路层DP-CL、以及显示装置层DP-EL。显示装置层DP-EL可以包括像素限定层PDL、设置在像素限定层PDL中的发光二极管(ED-1、ED-2和ED-3)、以及设置在发光二极管(ED-1、ED-2和ED-3)上的密封层TFE。
参考图15和图16，显示装置DD可以包括非发射区NPXA和发射区PXA-B、发射区PXA-G和发射区PXA-R。发射区PXA-B、发射区PXA-G和发射区PXA-R可以是分别发射由发光二极管ED-1、发光二极管ED-2和发光二极管ED-3产生的光的区。发射区PXA-B、发射区PXA-G和发射区PXA-R可以在平面上彼此隔开。
根据由发光二极管ED-1、发光二极管ED-2和发光二极管ED-3产生的光的颜色，可以将发射区PXA-B、发射区PXA-G和发射区PXA-R分成多个组。在图15和图16中显示的实施方案的显示装置DD中，出于例示，显示了发射蓝色光、绿色光和红色光的三个发射区(PXA-B、PXA-G和PXA-R)。例如，实施方案的显示装置DD可以包括彼此区分开的蓝色发射区PXA-B、绿色发射区PXA-G和红色发射区PXA-R。
多个发光二极管(ED-1、ED-2和ED-3)可以发射不同波长区中的光。例如，在实施方案中，显示装置DD可以包括发射蓝色光的第一发光二极管ED-1、发射绿色光的第二发光二极管ED-2、以及发射红色光的第三发光二极管ED-3。然而，实施方案不限于此，并且第一发光二极管至第三发光二极管(ED-1、ED-2和ED-3)可以发射相同波长区中的光，或者它们中的至少一个可以发射不同波长区中的光。
例如，显示装置DD的蓝色发射区PXA-B、绿色发射区PXA-G和红色发射区PXA-R可以分别对应于第一发光二极管ED-1、第二发光二极管ED-2和第三发光二极管ED-3。
第一发光二极管ED-1的第一发射层EL-B可以包含第一改性的量子点MQD1。第一改性的量子点MQD1可以发射作为第一颜色光的蓝色光。
第二发光二极管ED-2的第二发射层EL-G和第三发光二极管ED-3的第三发射层EL-R可以分别包含第二改性的量子点MQD2和第三改性的量子点MQD3。第二改性的量子点MQD2和第三改性的量子点MQD3可以分别发射作为第二颜色光的绿色光和作为第三颜色光的红色光。
第一改性的量子点至第三改性的量子点(MQD1、MQD2和MQD3)可以各自具有量子点和在量子点的表面处结合的亲水基团。关于第一改性的量子点至第三改性的量子点(MQD1、MQD2和MQD3)，可以应用参考实施方案的发光二极管的对改性的量子点MQD的相同解释。
可以从包含量子点、在量子点的表面处结合的配体和具有亲核反应基团的配体清除剂的量子点组合物得到分别包含第一改性的量子点至第三改性的量子点(MQD1、MQD2和MQD3)的第一发射层至第三发射层(EL-B、EL-G和EL-R)。
此外，第一发射层至第三发射层(EL-B、EL-G和EL-R)中的每一个可以进一步包含源于配体和配体清除剂的反应的残余物。反应残余物可以是二胺化合物或二烷氧基化合物。
在实施方案中，可以使用彼此不同的核材料形成包含在发光二极管(ED-1、ED-2和ED-3)中的第一改性的量子点至第三改性的量子点(MQD1、MQD2和MQD3)。此外，不同地，可以使用相同的核材料形成第一改性的量子点至第三改性的量子点(MQD1、MQD2和MQD3)，或者可以使用相同的核材料形成选自第一改性的量子点至第三改性的量子点(MQD1、MQD2和MQD3)中的两个量子点，并且可以使用不同的核材料形成其余的一个。
在图15和图16中示出的实施方案的显示装置DD中，发射区PXA-B、发射区PXA-G和发射区PXA-R的面积可以彼此不同。在实施方案中，面积可以是由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的平面面积。
根据从发光二极管ED-1、发光二极管ED-2和发光二极管ED-3的发射层EL-B、发射层EL-G和发射层EL-R发射的光的颜色，发射区PXA-B、发射区PXA-G和发射区PXA-R可以具有不同的面积。例如，参考图15和图16，在实施方案的显示装置DD中，对应于发射蓝色光的第一发光二极管ED-1的蓝色发射区PXA-B可以具有最大的面积，并且对应于产生绿色光的第二发光二极管ED-2的绿色发射区PXA-G可以具有最小的面积。然而，实施方案不限于此，并且发射区PXA-B、发射区PXA-G和发射区PXA-R可以发射除了蓝色光、绿色光和红色光以外的光，或者发射区PXA-B、发射区PXA-G和发射区PXA-R可以具有相同的面积。另外，可以提供发射区PXA-B、发射区PXA-G和发射区PXA-R以具有与图15中示出的面积比不同的面积比。
发射区PXA-B、发射区PXA-G和发射区PXA-R中的每一个可以是由像素限定层PDL分隔的区。非发射区NPXA可以是相邻的发射区PXA-B、发射区PXA-G和发射区PXA-R之间的区，并且可以对应于像素限定层PDL。发射区PXA-B、发射区PXA-G和发射区PXA-R中的每一个可以对应于代表性像素。像素限定层PDL可以分隔发光二极管ED-1、发光二极管ED-2和发光二极管ED-3。发光二极管ED-1、发光二极管ED-2和发光二极管ED-3的发射层EL-B、发射层EL-G和发射层EL-R可以设置并且分隔在由像素限定层PDL限定的开口部件OH中。
可以使用聚合物树脂形成像素限定层PDL。例如，可以通过包含基于聚丙烯酸酯的树脂或基于聚酰亚胺的树脂来形成像素限定层PDL。此外，可以通过额外地包含除了聚合物树脂以外的无机材料来形成像素限定层PDL。可以通过包含光吸收材料来形成像素限定层PDL，或者可以通过包含黑色颜料或黑色染料来形成像素限定层PDL。通过包含黑色颜料或黑色染料形成的像素限定层PDL可以提供黑色像素限定层。在形成像素限定层PDL中，炭黑可以用作黑色颜料或黑色染料，但实施方案不限于此。
此外，可以使用无机材料形成像素限定层PDL。例如，可以通过包含硅氮化物(SiNx，0.5＜x＜1.5)、硅氧化物(SiOx，0.5＜x＜2)、硅氮氧化物(SiOxNy，0.1＜x＜2，0.1＜y＜1.5)等来形成像素限定层PDL。像素限定层PDL可以限定发射区PXA-B、发射区PXA-G和发射区PXA-R。通过像素限定层PDL，发射区PXA-B、发射区PXA-G和发射区PXA-R以及非发射区NPXA可以被分隔。
发光二极管ED-1、发光二极管ED-2和发光二极管ED-3可以包括第一电极EL1，空穴传输区HTR，发射层EL-B、发射层EL-G和发射层EL-R(分别地)，电子传输区ETR和第二电极EL2。在包括在实施方案的显示装置DD中的发光二极管ED-1、发光二极管ED-2和发光二极管ED-3中，参考图4和图5的公开内容可以应用于第一电极EL1、空穴传输区HTR、电子传输区ETR和第二电极EL2，但包含在发射层EL-B、发射层EL-G和发射层EL-R中的改性的量子点MQD1、改性的量子点MQD2和改性的量子点MQD3彼此不同。
密封层TFE可以覆盖发光二极管ED-1、发光二极管ED-2和发光二极管ED-3。密封层TFE可以是一个层或多个层的层压层。密封层TFE可以是薄膜密封层。密封层TFE保护发光二极管ED-1、发光二极管ED-2和发光二极管ED-3。密封层TFE可以覆盖设置在开口部件OH中的第二电极EL2的顶表面，并且可以填充开口部件OH。
在图16中，空穴传输区HTR和电子传输区ETR被显示为覆盖像素限定层PDL并且作为公共层提供，但实施方案不限于此。在例示的实施方案中，空穴传输区HTR和电子传输区ETR可以设置在由像素限定层PDL限定的开口部件OH中。
例如，在通过喷墨印刷法提供空穴传输区HTR和电子传输区ETR以及发射层EL-B、发射层EL-G和发射层EL-R的情况下，可以对应于像素限定层PDL中限定的开口部件OH提供空穴传输区HTR，发射层EL-B、发射层EL-G和发射层EL-R，电子传输区ETR。然而，实施方案不限于此，并且如图16中所示，不管提供每一个功能层的方法如何，空穴传输区HTR和电子传输区ETR可以不被图案化，而是覆盖像素限定层PDL，并且可以作为一个公共层提供。
在图16中示出的实施方案的显示装置DD中，第一发光二极管至第三发光二极管(ED-1、ED-2和ED-3)的发射层EL-B、发射层EL-G和发射层EL-R的厚度被显示为相似的，但实施方案不限于此。例如，在实施方案中，第一发光二极管至第三发光二极管(ED-1、ED-2和ED-3)的发射层EL-B、发射层EL-G和发射层EL-R的厚度可以彼此不同。
参考图15，蓝色发射区PXA-B和红色发射区PXA-R可以交替地布置在第一方向轴DR1上以形成第一组PXG1。绿色发射区PXA-G可以布置在第一方向轴DR1上以形成第二组PXG2。
第一组PXG1和第二组PXG2可以隔开地设置在第二方向轴DR2的方向上。第一组PXG1和第二组PXG2中的每一种可以提供为多个。第一组PXG1和第二组PXG2可以沿第二方向轴DR2交替地布置。
一个绿色发射区PXA-G可以与一个蓝色发射区PXA-B或一个红色发射区PXA-R隔开地设置在第四方向轴DR4的方向上。第四方向轴DR4的方向可以是第一方向轴DR1的方向与第二方向轴DR2的方向之间的方向。
图15中示出的发射区PXA-B、发射区PXA-G和发射区PXA-R的布置结构可以被称为波形瓦(pantile)结构。然而，根据本实施方案的显示装置DD中的发射区PXA-B、发射区PXA-G和发射区PXA-R的布置结构不限于图15中示出的布置结构。例如，在实施方案中，发射区PXA-B、发射区PXA-G和发射区PXA-R可以布置成长形(条带)构型，其中蓝色发射区PXA-B、绿色发射区PXA-G和红色发射区PXA-R可以沿第一方向轴DR1轮流地布置。
参考图3和图16，实施方案的显示装置DD进一步包括光控制层PP。光控制层PP可以阻挡从显示面板DP的外部入射至显示面板DP的外部光。光控制层PP可以阻挡一部分外部光。光控制层PP可以实现防反射功能以最小化外部光的反射。
在图16中示出的实施方案中，光控制层PP可以包括彩色过滤器层CFL。即，实施方案的显示装置DD可以进一步包括设置在显示面板DP的发光二极管ED-1、发光二极管ED-2和发光二极管ED-3上的彩色过滤器层CFL。
在实施方案的显示装置DD中，光控制层PP可以包括基体层BL和彩色过滤器层CFL。
基体层BL可以是提供其上设置彩色过滤器层CFL等的基体表面的构件。基体层BL可以是玻璃衬底、金属衬底、塑料衬底等。然而，实施方案不限于此，并且基体层BL可以是无机层、有机层或复合材料层。
彩色过滤器层CFL可以包括光阻挡部件BM和彩色过滤器部件CF。彩色过滤器部件CF可以包括多个过滤器(CF-B、CF-G和CF-R)。即，彩色过滤器层CFL可以包括透射第一颜色光的第一过滤器CF-B、透射第二颜色光的第二过滤器CF-G，以及透射第三颜色光的第三过滤器CF-R。例如，第一过滤器CF-B可以是蓝色过滤器，第二过滤器CF-G可以是绿色过滤器，并且第三过滤器CF-R可以是红色过滤器。
过滤器CF-B、过滤器CF-G和过滤器CF-R各自可以包含聚合物光敏树脂和颜料或染料。第一过滤器CF-B可以包含蓝色颜料或染料，第二过滤器CF-G可以包含绿色颜料或染料，并且第三过滤器CF-R可以包括红色颜料或染料。
尽管实施方能不限于此，但第一过滤器CF-B可以不包含颜料或染料。第一过滤器CF-B可以包含聚合物光敏树脂，但不包含颜料或染料。第一过滤器CF-B可以是透明的。可以使用透明光敏树脂形成第一过滤器CF-B。
光阻挡部件BM可以是黑色基质。可以通过包含有机光阻挡材料或无机光阻挡材料(其包括黑色颜料或黑色染料)来形成光阻挡部件BM。光阻挡部件BM可以防止漏光现象并且在相邻的过滤器CF-B、过滤器CF-G与过滤器CF-R之间划分边界。
彩色过滤器层CFL可以进一步包括缓冲层BFL。例如，缓冲层BFL可以是保护过滤器CF-B、过滤器CF-G和过滤器CF-R的保护层。缓冲层BFL可以是无机层，所述无机层包含硅氮化物、硅氧化物和硅氮氧化物中的至少一种无机材料。缓冲层BFL可以形成为单个层或多个层。
在图16中示出的实施方案中，彩色过滤器层CFL的第一过滤器CF-B被示为与第二过滤器CF-G和第三过滤器CF-R重叠，但实施方案不限于此。例如，第一过滤器至第三过滤器(CF-B、CF-G和CF-R)可以被光阻挡部件BM分隔并且彼此不重叠。在实施方案中，第一过滤器至第三过滤器(CF-B、CF-G和CF-R)可以被设置成分别对应于蓝色发射区PXA-B、绿色发射区PXA-G和红色发射区PXA-R。
与图16中的图不同，实施方案的显示装置DD可以包括偏振层而不是彩色过滤器层CFL作为光控制层PP。偏振层可以阻挡入射至显示面板DP的外部光。偏振层可以部分地阻挡外部光。
此外，偏振层可以减少外部光在显示面板DP处的反射光。例如，在其中来自显示装置DD的外部的入射光入射至显示面板DP并且然后再被反射的情况下，偏振层可以执行反射光的阻挡功能。偏振层可以是具有防反射功能的圆形偏振器或偏振层可以包括来自线性偏振器的λ/4相位延迟器。偏振层可以设置在基体层BL上并且暴露，或者设置在基体层BL下。
经由在发射层中包含通过去除一部分配体而具有改性的官能团的改性的量子点，通过改善被配体抑制的电荷注入性质，实施方案的显示装置可以显示出优异的发光效率。即，实施方案的显示装置包括由包含配体清除剂的量子点组合物形成的发射层，并且发射层包含改性的量子点，其中通过配体清除剂从所述改性的量子点去除了配体的尾部，从而显示出优异的发光效率性质。
图17是根据本发明原理构造的显示装置的另一个实施方案的横截面视图。
在对实施方案的显示装置DD-1解释时，与参考图1至图16的解释重叠的内容将不再解释以避免冗余，并且解释将集中于不同点。
参考图17，实施方案的显示装置DD-1可以包括设置在显示面板DP-1上的颜色转换层CCL。此外，显示装置DD-1可以进一步包括彩色过滤器层CFL。彩色过滤器层CFL可以设置在基体层BL与颜色转换层CCL之间。
显示面板DP-1可以是发射型显示面板。例如，显示面板DP-1可以是有机电致发光显示面板或量子点发射显示面板。
显示面板DP-1可以包括基体衬底BS、在基体衬底BS上提供的电路层DP-CL和显示装置层DP-EL1。
显示装置层DP-EL1包括发光二极管ED-a，并且发光二极管ED-a可以包括相对设置的第一电极EL1和第二电极EL2以及设置在第一电极EL1与第二电极EL2之间的多个层OL。多个层OL可以包括空穴传输区HTR(图4)、发射层EL(图4)和电子传输区ETR(图4)。在发光二极管ED-a上，可以设置密封层TFE。
在发光二极管ED-a中，以上参考图4的相同解释可以应用于第一电极EL1、空穴传输区HTR、电子传输区ETR和第二电极EL2。然而，在包括在实施方案的显示面板DP-1中的发光二极管ED-a中，发射层可以包含作为用于有机电致发光的材料的主体和掺杂剂，或者可以包含参考图1至图16解释的改性的量子点。在实施方案的显示面板DP-1中，发光二极管ED-a可以发射蓝色光。
颜色转换层CCL可以包括彼此隔开地设置的多个阻挡部件BK和设置在阻挡部件BK之间的颜色控制部件CCP-B、颜色控制部件CCP-G和颜色控制部件CCP-R。可以通过包含聚合物树脂和疏水添加剂来形成阻挡部件BK。可以通过包含光吸收材料来形成阻挡部件BK，或者可以通过包含颜料或染料来形成阻挡部件BK。例如，可以通过包含黑色颜料或黑色染料来形成阻挡部件BK，以实现黑色阻挡部件。在形成黑色阻挡部件期间，炭黑等可以用作黑色颜料或黑色染料，但实施方案不限于此。
颜色转换层CCL可以包括用于透射第一颜色光的第一颜色控制部件CCP-B、包含用于将第一颜色光转换成第二颜色光的第二改性的量子点MQD2-a的第二颜色控制部件CCP-G、以及包含用于将第一颜色光转换成第三颜色光的第三改性的量子点MQD3-a的第三颜色控制部件CCP-R。第二颜色光可以是与第一颜色光相比在更长的波长区中的光，并且第三颜色光可以是与第一颜色光和第二颜色光相比在更长的波长区中的光。例如，第一颜色光可以是蓝色光，第二颜色光可以是绿色光，并且第三颜色光可以是红色光。对于包含在颜色控制部件CCP-G和颜色控制部件CCP-R中的改性的量子点MQD2-a和改性的量子点MQD3-a，可以应用对图16中示出的发射层EL-G和发射层EL-R中使用的改性的量子点MQD2和改性的量子点MQD3的相同解释。
第一颜色控制部件CCP-B可以包括分散成分。第一颜色控制部件CCP-B可以不包括改性的量子点，但可以包括分散成分。此外，除了第一颜色控制部件CCP-B之外，第二颜色控制部件CCP-G和第三颜色控制部件CCP-R可以进一步包括除了改性的量子点MQD2和改性的量子点MQD3以外的分散成分。
分散成分可以包括TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2、中空二氧化硅和聚苯乙烯颗粒中的至少一种。分散成分可以包含TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2、中空二氧化硅和聚苯乙烯颗粒中的任一种，或者可以是选自TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2、中空二氧化硅和用聚苯乙烯树脂形成的聚苯乙烯颗粒中的两种或多于两种的材料的混合物。例如，根据实施方案的颜色转换层CCL的颜色控制部件CCP-B、颜色控制部件CCP-G和颜色控制部件CCP-R可以包含TiO2作为分散成分。
颜色转换层CCL可以进一步包括覆盖层CPL。覆盖层CPL可以设置在颜色控制部件CCP-B、颜色控制部件CCP-G和颜色控制部件CCP-R以及阻挡部件BK上。覆盖层CPL可以起到防止水分和/或氧气(在下文中，将称为“水分/氧气”)渗透的作用。覆盖层CPL可以设置在颜色控制部件CCP-B、颜色控制部件CCP-G和颜色控制部件CCP-R上，并且阻挡颜色控制部件CCP-B、颜色控制部件CCP-G和颜色控制部件CCP-R暴露于水分/氧气。覆盖层CPL可以包括至少一个无机层。
显示装置DD-1可以包括设置在颜色转换层CCL上的彩色过滤器层CFL，并且参考图16的相同解释可以应用于彩色过滤器层CFL和基体层BL。
显示装置DD-1可以在颜色转换层CCL中包含改性的量子点MQD2-a和改性的量子点MQD3-a(其中其配体被部分去除的官能团附接在改性的量子点表面上)，并且可以显示出优异的颜色再现性。
此外，在显示装置DD-1中，显示面板DP-1的发光二极管ED-a可以包括发射层，所述发射层包含其配体被部分去除的改性的量子点，并且在一些实施方案中，显示面板DP-1可以显示出优异的发光效率。
根据本发明的原理和实施方案制备的量子点组合物包含与配体结合的量子点和具有亲核反应基团的配体清除剂，并且可以用作用于具有改善的发光效率性质的发射层的材料。一些实施方案的发光二极管和显示装置包含在具有改善的发光效率的发射层中的具有改性的表面性质的改性的量子点材料。
尽管本文已经描述了某些实施方案和实施方式，但其它实施方案和修改将从该描述中显而易见。因此，本发明构思不限于此类实施方案，而是限于所附权利要求以及对本领域普通技术人员会显而易见的各种明显的修改和等同布置的更宽泛的范围。

Claims (20)

1.量子点组合物，包含：
量子点；
与所述量子点的表面结合的配体；以及
具有亲核反应基团的配体清除剂。
2.如权利要求1所述的量子点组合物，其中所述配体包括：
与所述量子点的所述表面结合的头部；以及
包含具有1个至20个碳原子的烷基基团的尾部。
3.如权利要求2所述的量子点组合物，其中所述头部具有二硫代酸基团或羧酸基团。
4.如权利要求1所述的量子点组合物，其中所述配体包括HO(O)-C-NH-R、HS(S)-C-NH-R、HO(O)-C-N-R2、HS(S)-C-N-R2、HO(O)-C-O-R、HS(S)-C-O-R、HO(O)-C-[C(O)O-C(O)O]n-H和HS(S)-C-[C(O)O-C(O)O]n-H中的至少一个，其中R是具有1个至20个碳原子的烷基基团，并且n是1至10的整数。
5.如权利要求1所述的量子点组合物，其中所述配体清除剂包括NH2-Ra、NH-(Ra)2、N-(Ra)3、OH-Ra和O-(Ra)2中的至少一个，其中Ra是具有1个至20个碳原子的烷基基团。
6.如权利要求1所述的量子点组合物，进一步包含有机溶剂。
7.如权利要求1所述的量子点组合物，其中所述配体清除剂和所述配体具有至少1:1的摩尔比，其中所述配体清除剂的摩尔数超过所述配体的摩尔数。
8.如权利要求1所述的量子点组合物，其中所述配体清除剂被配置成诱导对所述配体的亲核攻击反应。
9.如权利要求1所述的量子点组合物，其中所述量子点包括包含核和包围所述核的壳的半导体纳米晶体。
10.发光二极管，包括：
第一电极；
设置在所述第一电极上的空穴传输区；
设置在所述空穴传输区上并且包含具有亲水基团的改性的量子点的发射层；
设置在所述发射层上的电子传输区；以及
设置在所述电子传输区上的第二电极。
11.如权利要求10所述的发光二极管，其中所述改性的量子点包含：
包含核和包围所述核的壳的量子点；以及
与所述量子点的表面结合的所述亲水基团。
12.如权利要求10所述的发光二极管，其中所述亲水基团包括巯基基团或羟基基团。
13.如权利要求10所述的发光二极管，其中
所述发射层由包含量子点、与所述量子点的表面结合的配体，以及具有亲核反应基团的配体清除剂的量子点组合物制成，
所述配体包括HO(O)-C-NH-R、HS(S)-C-NH-R、HO(O)-C-N-R2、HS(S)-C-N-R2、HO(O)-C-O-R、HS(S)-C-O-R、HO(O)-C-[C(O)O-C(O)O]n-H和HS(S)-C-[C(O)O-C(O)O]n-H中的至少一个，其中：R是具有1个至20个碳原子的烷基基团，并且n是1至10的整数；以及
所述配体清除剂包括NH2-Ra、NH-(Ra)2、N-(Ra)3、OH-Ra和O-(Ra)2中的至少一个，其中：Ra是具有1个至20个碳原子的烷基基团。
14.如权利要求13所述的发光二极管，其中所述发射层进一步包含通过使所述配体和所述配体清除剂反应而制成的残余物。
15.如权利要求14所述的发光二极管，其中所述残余物包括二胺化合物或二烷氧基化合物。
16.包括多个发光二极管的显示装置，其中所述发光二极管中的至少一些包括：
第一电极；
与所述第一电极相对设置的第二电极；以及
设置在所述第一电极与所述第二电极之间并且包含具有亲水基团的改性的量子点的发射层。
17.如权利要求16所述的显示装置，其中所述发光二极管包括：
第一发光二极管，其包含发射第一颜色光的第一改性的量子点；
第二发光二极管，其包含发射具有比所述第一颜色光更长的波长的第二颜色光的第二改性的量子点；以及
第三发光二极管，其包含发射具有比所述第一颜色光和所述第二颜色光更长的波长的第三颜色光的第三改性的量子点。
18.如权利要求17所述的显示装置，其中所述第一改性的量子点至所述第三改性的量子点中的至少一些包含：
包含核和包围所述核的壳的量子点；以及
与所述量子点的表面结合的所述亲水基团。
19.如权利要求18所述的显示装置，其中所述亲水基团是巯基基团或羟基基团。
20.如权利要求17所述的显示装置，进一步包括设置在所述发光二极管上的彩色过滤器层，
其中所述彩色过滤器层包括：透射所述第一颜色光的第一过滤器、透射所述第二颜色光的第二过滤器、以及透射所述第三颜色光的第三过滤器。
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