CN112309948A - 一种芯片转移装置及芯片转移方法 - Google Patents
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Abstract
本公开实施例是关于一种芯片转移装置及芯片转移方法。该芯片转移装置包括第一滚轮和第二滚轮，其中，第一滚轮表面包括规则排列的多个第一磁性吸附区，以将LED阵列基板上的多个LED芯片分别吸附至对应的第一磁性吸附区；第二滚轮与第一滚轮间隔预设距离并相对转动，第二滚轮表面包括规则排列的多个第二磁性吸附区，以将吸附于多个第一磁性吸附区的LED芯片分别吸附至对应的第二磁性吸附区；第二滚轮还用于与驱动电路基板相对运动，以将其吸附的多个LED芯片分别转移至驱动电路基板上的对应位置处。本公开实施例，一方面，可以提高LED芯片的转移效率；另一方面，滚轮可以重复利用，有利于降低LED芯片的转移成本。
Description
技术领域
本公开实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种芯片转移装置及芯片转移方法。
背景技术
Micro-LED(微型发光二极管)的显示原理是将传统的LED结构设计进行微缩化、阵列化、薄膜化，然后通过巨量转移技术将大量(通常为几万至几十万)Micro-LED晶粒批量转移到电路板上，利用物理沉积制造保护层来完成封装，最终完成结构简单的Micro-LED显示。但如何将成千上万颗乃至更多的Micro-LED晶粒转移至电路基板上，仍是Micro-LED难以解决的核心技术之一。
目前现有的Micro-LED批量转移技术包括范德华力、相变化、静电吸附、激光烧灼和薄膜转移等方法，但都存在着多次转移良率低，对位不准确或需要特定中间层或剥离层等缺点。
因此，有必要改善上述相关技术方案中存在的一个或者多个问题。
需要注意的是，本部分旨在为权利要求书中陈述的本公开的实施方式提供背景或上下文。此处的描述不因为包括在本部分中就承认是现有技术。
发明内容
本公开实施例的目的在于提供一种芯片转移装置及芯片转移方法，进而至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的一个或者多个问题。
根据本公开实施例的第一方面，提供一种芯片转移装置，包括：
第一滚轮，表面包括规则排列的多个第一磁性吸附区，以将LED阵列基板上的多个LED芯片分别吸附至对应的所述第一磁性吸附区；
第二滚轮，与所述第一滚轮间隔预设距离并相对转动，所述第二滚轮表面包括规则排列的多个第二磁性吸附区，以将吸附于所述多个第一磁性吸附区的LED芯片分别吸附至对应的所述第二磁性吸附区；
所述第二滚轮，还用于与驱动电路基板相对运动，以将其吸附的多个LED芯片分别转移至所述驱动电路基板上的对应位置处。
在一个实施例中，所述第二磁性吸附区的磁力大于所述第一磁性吸附区的磁力。
在一个实施例中，所述多个第一磁性吸附区和第二磁性吸附区设置有磁体。
在一个实施例中，所述磁体是永磁体或电磁体。
在一个实施例中，所述第二滚轮表面包括规则排列的多个凹槽，所述多个第二磁性吸附区分别位于对应的所述多个凹槽的底部。
在一个实施例中，所述LED芯片的相对的第一表面和第二表面均包括磁性吸附部；
所述第一滚轮，用以通过所述第一表面的磁性吸附部将所述多个LED芯片分别吸附至对应的所述第一磁性吸附区；
所述第二滚轮，用以通过所述第二表面的磁性吸附部将所述多个LED芯片分别吸附至对应的所述第二磁性吸附区。
在一个实施例中，所述驱动电路基板上表面包括多个间隔分布的电极，所述电极包括磁性吸附部，以将所述第二滚轮吸附的多个所述LED芯片吸附转移至所述驱动电路基板。
在一个实施例中，所述预设距离与所述LED芯片的厚度匹配。
在一个实施例中，所述芯片转移装置还包括驱动部，与所述第一滚轮和第二滚轮分别连接，用以驱动所述第一滚轮和第二滚轮转动。
根据本公开实施例的第二方面，提供一种芯片转移方法，采用上述实施例所述芯片转移装置，该方法包括：
提供一LED阵列基板；
驱动所述第一滚轮与所述LED阵列基板相对运动，以将所述LED阵列基板上的多个LED芯片分别吸附至对应的所述第一磁性吸附区；
驱动所述第二滚轮与所述第一滚轮相对转动，以将吸附于所述多个第一磁性吸附区的LED芯片分别吸附至对应的所述第二磁性吸附区；
驱动所述第二滚轮与驱动电路基板相对运动，以将其吸附的多个LED芯片转移至驱动电路基板上的对应位置处。
本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：
本公开的实施例中，通过上述芯片转移装置及芯片转移方法，采用双滚轮装置实现LED芯片的巨量转移，一方面，有利于提高LED芯片的转移效率；另一方面，滚轮可以重复利用，有利于降低LED芯片的转移成本。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出本公开示例性实施例中一个芯片转移装置的结构示意图；
图2示出本公开示例性实施例中一个LED芯片的结构示意图；
图3示出本公开示例性实施例中一个LED阵列基板的结构示意图；
图4示出本公开示例性实施例中一个芯片转移装置的结构示意图；
图5示出本公开示例性实施例中一个芯片转移装置的结构示意图；
图6示出本公开示例性实施例中一个芯片转移方法的流程图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。
此外，附图仅为本公开实施例的示意性图解，并非一定是按比例绘制。图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。附图中所示的一些方框图是功能实体，不一定必须与物理或逻辑上独立的实体相对应。
本示例实施方式中首先提供了一种芯片转移装置。参考图1中所示，该芯片转移装置可以包括第一滚轮1和第二滚轮2，其中：
第一滚轮1表面包括规则排列的多个第一磁性吸附区3，以将LED阵列基板4上的多个LED芯片5分别吸附至对应的第一磁性吸附区3；
第二滚轮2与第一滚轮1间隔预设距离并相对转动，第二滚轮2表面包括规则排列的多个第二磁性吸附区6，以将吸附于多个第一磁性吸附区3的LED芯片5分别吸附至对应的第二磁性吸附区6；
第二滚轮2还用于与驱动电路基板7相对运动，以将其吸附的多个LED芯片5分别转移至驱动电路基板7上的对应位置处。
通过上述芯片转移装置，采用双滚轮装置实现LED芯片的巨量转移，一方面，有利于提高LED芯片的转移效率；另一方面，滚轮可以重复利用，有利于降低LED芯片的转移成本。
下面，将参考图1至图5对本示例实施方式中的上述芯片转移装置的各个部分进行更详细的说明。
在一个实施例中，LED芯片5的相对的第一表面501和第二表面502均包括磁性吸附部；第一滚轮1用以通过第一表面501的磁性吸附部将多个LED芯片5分别吸附至对应的第一磁性吸附区3；第二滚轮2用以通过第二表面502的磁性吸附部将多个LED芯片5分别吸附至对应的第二磁性吸附区6。例如，在一个具体示例中，参考图2中所示，LED芯片5可以包括位于LED阵列基板4的衬底上的N型层，在N型层表面的部分区域层叠生成的发光层、P型层和P电极，N型层表面的另一部分区域生成的N电极，其中，LED芯片5的第一表面501包括P电极表面501a和N电极表面501b，第二表面502位于N型层表面。
在一个实施例中，LED芯片5的第一表面501包括磁性吸附部，可以是P电极、N电极本身为永磁体，也可以是P电极、N电极表面设置一层永磁体。更具体的，可以是P电极、N电极本身为永磁性材料或P电极、N电极表面设置一层永磁性材料，如铝镍钴合金材料、钛钴合金材料、钡铁氧体等，将永磁性材料放置在磁场中被磁化而形成永磁体，磁化方式具体可参考现有技术，此处不再赘述。LED芯片5的第二表面502包括磁性吸附部，可以是N型层本身为永磁体，例如，N型层可以是Cu掺杂GaN磁体、Mn掺杂GaN磁体等，也可以是N型层表面设置一层永磁体。更具体的，可以是N型层本身为永磁性材料或N型层设置一层永磁性材料，将永磁性材料放置在磁场中被磁化而形成永磁体。在一个实施例中，第一表面501的磁性吸附部和第二表面502的磁性吸附部的永磁性材料可以放置于同一磁场中被磁化，磁化后，第一表面501的磁性吸附部的外端和第二表面502的磁性吸附部的外端为异名磁极。
一个实施例中，参考图3中所示，LED阵列基板4上的多个LED芯片5成阵列排列，多个LED芯片5的大小可以相同、方向可以相同，多个LED芯片5之间的横向间距可以一致、纵向间距也可以一致，为了便于操作和降低制造成本，多个LED芯片5之间的横向间距和纵向间距也可以一致。在一个实施例中，第一滚轮1表面包括规则排列的多个第一磁性吸附区3，第一磁性吸附区3的大小可以与LED芯片5的P电极表面501a和N电极表面501b的大小匹配；多个第一磁性吸附区3之间的间距可以与多个LED芯片5之间的横向间距及纵向间距匹配。
在一个实施例中，第一滚轮1与LED阵列基板4相对运动，通过LED芯片5的第一表面501的磁性吸附部将LED阵列基板4上的多个LED芯片5分别吸附至对应的第一磁性吸附区3。相对运动可以是同向运动，也可以是反向运动，例如，参考图1中所示，第一滚轮1与LED阵列基板4相切的位置处，两者的运动方向相同；参考图4中所示，第一滚轮1与LED阵列基板4相切的位置处，两者的运动方向相反。
在一个实施例中，第一滚轮1的多个第一磁性吸附区3设置有磁体，可以是永磁体或电磁体，但不限于此。在一个具体示例中，第一滚轮1的多个第一磁性吸附区3分别设置有电磁体，电磁体包括磁芯和螺旋状围绕磁芯设置的电线圈，磁芯的形状是条形，螺旋状电线圈的轴线方向与第一滚轮1的轴向方垂直，电线圈通电后电磁体产生磁场。可以通过控制电线圈的电流方向，调整电磁体的磁场方向，使电磁体与LED芯片5的第一表面501的磁性吸附部相互接触的一端互为异名磁极。例如，第一表面501的磁性吸附部与第一磁性吸附区3接触的一端为N极，第一磁性吸附区3与第一表面501的磁性吸附部接触的一端的磁极为S极。第一滚轮1与LED阵列基板4相切的位置处，在磁力的作用力下，第一滚轮1通过第一表面501的磁性吸附部将LED芯片5吸附至对应的第一磁性吸附区3上。
在一个实施例中，第二滚轮2与第一滚轮1相对转动，通过LED芯片5的第二表面502的磁性吸附部将吸附于多个第一磁性吸附区3的多个LED芯片5分别吸附至对应的第二磁性吸附区6；相对运动可以是同向转动，也可以是反向转动，例如，参考图1中所示，第一滚轮1与第二滚轮2的转动方向相反；参考图4中所示，第一滚轮1与第二滚轮2的转动方向相同。
在一个实施例中，第二滚轮2的多个第二磁性吸附区6设置有磁体，可以是永磁体或电磁体，但不限于此。在一个具体示例中，第二滚轮2的多个第二磁性吸附区6分别设置有电磁体，电磁体包括磁芯和螺旋状围绕磁芯设置的电线圈，磁芯的形状可以是条形，螺旋状电线圈的轴线方向可以与第二滚轮2的轴向方垂直，电线圈通电后电磁体产生磁场。可以通过控制电线圈的电流方向，调整电磁体的磁场方向，使电磁体与LED芯片5的第二表面502的磁性吸附部相互接触的一端互为异名磁极。例如，第二表面502的磁性吸附部与第二磁性吸附区6接触的一端为S极，第二磁性吸附区6与第二表面502的磁性吸附部接触的一端的磁极为N极。
在一个实施例中，第二磁性吸附区6的磁力大于第一磁性吸附区3的磁力。在一个具体示例中，通过第二磁性吸附区6的电磁体中电线圈的电流大于通过第一磁性吸附区3的电磁体中电线圈的电流，以使第二磁性吸附区6的电磁体的磁场大于第一磁性吸附区3的电磁体的磁场，进而使第二磁性吸附区6的磁力大于第一磁性吸附区3的磁力。第二滚轮2与第二滚轮1相切的位置处，在磁力的作用力下，第二滚轮2通过LED芯片5的第二表面502将LED芯片5吸附至对应的第二磁性吸附区6上。
在一个实施例中，第二滚轮2与第一滚轮1间隔预设距离，预设距离可以与LED芯片5的厚度匹配。在一个实施例中，第二滚轮2的多个第二磁性吸附区6的大小可以与LED芯片5的第二表面502的大小匹配；多个第二磁性吸附区6之间的间距可以与多个第一磁性吸附区3之间的间距匹配。在一个实施例中，参考图5中所示，第二滚轮2表面包括规则排列的多个凹槽8，多个第二磁性吸附区6分别位于对应的多个凹槽8的底部，凹槽8的大小可以与LED芯片5的大小匹配。
在一个实施例中，驱动电路基板7上表面包括多个间隔分布的电极9，电极9包括磁性吸附部，以将第二滚轮2吸附的多个LED芯片5吸附转移至驱动电路基板7。具体的，电极9包括用以与LED芯片5的P电极连接的第一电极9a，和用以与LED芯片5的N电极连接的第二电极9b。电极9包括磁性吸附部，可以是第一电极9a、第二电极9b本身为永磁体，也可以是第一电极9a、第二电极9b与N电极或P电极连接的一端的表面设置一层永磁体。更具体的，可以是第一电极9a、第二电极9b本身为永磁性材料或第一电极9a、第二电极9b表面设置一层永磁性材料，如铝镍钴合金材料、钛钴合金材料、钡铁氧体等，将永磁性材料放置在磁场中被磁化而形成永磁体，磁化方式具体可参考现有技术，此处不再赘述。
在一个实施例中，第二滚轮2与驱动电路基板7相对运动，以将其吸附的多个LED芯片5转移至驱动电路基板7上的对应位置处。相对运动可以是同向转动，也可以是反向转动，例如，参考图1中所示，第二滚轮2与驱动电路基板7相切的位置处，两者的运动方向相同；参考图4中所示，第二滚轮2与驱动电路基板7相切的位置处，两者的运动方向相反。
在一个实施例中，驱动电路基板7上的多个电极9的间距可以与多个第二磁性吸附区6之间的间距匹配。电极9的磁性吸附部的磁力大于第二磁性吸附区6的磁力。电极9的磁性吸附部与LED芯片5的第一表面501的磁性吸附部相互接触的一端的互为异名磁极，例如，第一表面501的磁性吸附部与电极9的磁性吸附部接触的一端为N极，电极9的磁性吸附部与第一表面501的磁性吸附部接触的一端为S极。第二滚轮2与驱动电路基板7相切的位置处，在磁力的作用力下，驱动电路基板7通过第一表面501的磁性吸附部将LED芯片5吸附至对应的电极9上。
在一些实施例中，第一滚轮1与LED阵列基板4相对运动以将LED阵列基板4上的多个LED芯片5分别吸附至对应的第一磁性吸附区3、第二滚轮2与第一滚轮1相对运动以将吸附于第一滚轮1上的多个LED芯片5分别吸附至对应的第二磁性吸附区6、第二滚轮2与驱动电路基板7相对运动以将其吸附的多个LED芯片5转移至驱动电路基板7上的对应位置处的步骤，可以分开进行，也可以连续进行。在一个实施例中，上述步骤连续进行时，LED阵列基板4可以位于最上方，驱动电路基板7位于最下方，第一滚轮1和第二滚轮2位于LED阵列基板4和驱动电路基板7之间，LED芯片5可以不完全从LED阵列基板4上脱离，在LED阵列基板4的衬底上生产规则排列的多个LED芯片5后，控制激光剥离的能量或时间等因素，使LED芯片5与衬底之间经激光镭射后，还存在微弱的残余应力，以使LED芯片5不至于从LED阵列基板4上脱落，并且第一磁性吸附区3的磁力大于LED芯片5与衬底之间的残余应力。
在一个实施例中，芯片转移装置还可以包括驱动部10，驱动部10与第一滚轮1和第二滚轮2分别连接，用以驱动第一滚轮1和第二滚轮2转动。在一个实施例中，驱动部10还可以与LED阵列基板4、驱动电路基板7分别连接，用以驱动LED阵列基板4和驱动电路基板7移动。在一个实施例中，驱动部10可以是电机。
本公开实施例还提供了一种芯片转移方法，该芯片转移方法采用上述实施例所述的芯片转移装置，参考图6中所示，该方法可以包括：
S101：提供一LED阵列基板；
S102：驱动第一滚轮与LED阵列基板相对运动，以将LED阵列基板上的多个LED芯片分别吸附至对应的第一磁性吸附区；
S103：驱动第二滚轮与第一滚轮相对转动，以将吸附于多个第一磁性吸附区的LED芯片分别吸附至对应的第二磁性吸附区；
S104：驱动第二滚轮与驱动电路基板相对运动，以将其吸附的多个LED芯片转移至驱动电路基板上的对应位置处。
在一个实施例中，提供一LED阵列基板的步骤还可以包括：
S1011：在衬底上生成规则排列的多个LED芯片；
S1012：将多个LED芯片从衬底上不完全剥离。
在一个实施例中，步骤S1011中，衬底可以是蓝宝石衬底，但不限于此，在衬底上生成规则排列的多个LED芯片。步骤S1012中，采用激光剥离的技术，并控制激光剥离的能量或时间等因素，使多个LED芯片与衬底之间经激光镭射后还存在残余应力，以使LED芯片不从蓝宝石衬底上脱落。
步骤S102中，第一磁性吸附区3与LED芯片5的第一表面501的磁性吸附部相互接触的一端的磁极互为异名磁极，第一滚轮1与LED阵列基板4相对运动，第一滚轮1通过第一表面501的磁性吸附部将LED阵列基板4上的多个LED芯片5分别吸附至对应的第一磁性吸附区3。
步骤S103中，第二磁性吸附区6的磁力大于第一磁性吸附区3的磁力，第二磁性吸附区6与LED芯片5的第二表面502的磁性吸附部相互接触的一端的磁极互为异名磁极，第二滚轮2与第一滚轮1相对转动，第二滚轮2通过第二表面502的磁性吸附部将吸附于第一滚轮1上的多个LED芯片5分别吸附至对应的第二磁性吸附区6。
步骤S104中，驱动电路基板7的电极9具有磁性吸附部，该磁性吸附部的磁力大于第二滚轮2的第二磁性吸附区6的磁力，驱动电路基板7的电极9与LED芯片5的第一表面501的磁性吸附部相互接触的一端的磁极互为异名磁极，驱动电路基板7与第二滚轮2相对运动，驱动电路基板7通过第一表面501的磁性吸附部将吸附于第二滚轮2上的多个LED芯片5分别吸附至对应位置处。
本公开实施例所述的LED芯片可以是Micro-LED芯片。
本公开实施例中，通过上述芯片转移装置及芯片转移方法，通过设置多对异名磁极并区分其磁力大小，采用双滚轮设计，将LED阵列基板上的多个LED芯片巨量转移至驱动电路基板上，一方面，有利于提高LED芯片的转移效率；另一方面，滚轮可以重复利用，有利于降低LED芯片的转移成本。
需要理解的是，上述描述中的术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开实施例的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本公开实施例中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
在本公开实施例中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本公开的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例进行接合和组合。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。
Claims (10)
1.一种芯片转移装置，其特征在于，包括：
第一滚轮，表面包括规则排列的多个第一磁性吸附区，以将LED阵列基板上的多个LED芯片分别吸附至对应的所述第一磁性吸附区；
第二滚轮，与所述第一滚轮间隔预设距离并相对转动，所述第二滚轮表面包括规则排列的多个第二磁性吸附区，以将吸附于所述多个第一磁性吸附区的LED芯片分别吸附至对应的所述第二磁性吸附区；
所述第二滚轮，还用于与驱动电路基板相对运动，以将其吸附的多个LED芯片分别转移至所述驱动电路基板上的对应位置处。
2.根据权利要求1所述芯片转移装置，其特征在于，所述第二磁性吸附区的磁力大于所述第一磁性吸附区的磁力。
3.根据权利要求1或2所述芯片转移装置，其特征在于，所述多个第一磁性吸附区和第二磁性吸附区设置有磁体。
4.根据权利要求3所述芯片转移装置，其特征在于，所述磁体是永磁体或电磁体。
5.根据权利要求1所述芯片转移装置，其特征在于，所述第二滚轮表面包括规则排列的多个凹槽，所述多个第二磁性吸附区分别位于对应的所述多个凹槽的底部。
6.根据权利要求5所述芯片转移装置，其特征在于，所述LED芯片的相对的第一表面和第二表面均包括磁性吸附部；
所述第一滚轮，用以通过所述第一表面的磁性吸附部将所述多个LED芯片分别吸附至对应的所述第一磁性吸附区；
所述第二滚轮，用以通过所述第二表面的磁性吸附部将所述多个LED芯片分别吸附至对应的所述第二磁性吸附区。
7.根据权利要求1所述芯片转移装置，其特征在于，所述驱动电路基板上表面包括多个间隔分布的电极，所述电极包括磁性吸附部，以将所述第二滚轮吸附的多个所述LED芯片吸附转移至所述驱动电路基板。
8.根据权利要求1所述芯片转移装置，其特征在于，所述预设距离与所述LED芯片的厚度匹配。
9.根据权利要求1所述芯片转移装置，其特征在于，还包括驱动部，与所述第一滚轮和第二滚轮分别连接，用以驱动所述第一滚轮和第二滚轮转动。
10.一种芯片转移方法，其特征在于，采用权利要求1～9任一项所述芯片转移装置，该方法包括：
提供一LED阵列基板；
驱动所述第一滚轮与所述LED阵列基板相对运动，以将所述LED阵列基板上的多个LED芯片分别吸附至对应的所述第一磁性吸附区；
驱动所述第二滚轮与所述第一滚轮相对转动，以将吸附于所述多个第一磁性吸附区的LED芯片分别吸附至对应的所述第二磁性吸附区；
驱动所述第二滚轮与驱动电路基板相对运动，以将其吸附的多个LED芯片转移至驱动电路基板上的对应位置处。
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