CN112291022A - 射频参数检测电路、方法和电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种射频参数检测电路、方法和电子设备，属于通信技术领域。其中，射频参数检测电路，包括：射频芯片、功率放大器、耦合器、调谐器、测试仪和存储器；功率放大器连接于射频芯片与耦合器之间，调谐器连接于耦合器与测试仪之间，且存储器分别与射频芯片、耦合器以及测试仪连接；调谐器的阻抗参数用于与目标天线的阻抗参数匹配，测试仪用于检测经射频芯片和功率放大器的射频发射功率，存储器用于将耦合器的耦合功率与射频发射功率关联存储。本申请实施例能够使耦合功率与功率放大器输出功率之间的关联关系与射频通路的使用环境更加匹配，从而提升TRP的精确度。

Description

射频参数检测电路、方法和电子设备

技术领域

本申请属于通信技术领域，具体涉及一种射频参数检测电路、方法和电子设备。

背景技术

无线通信***中对终端的射频发射功率控制有较为精确的要求，电子设备侧通常会基于基准非易失(Nonvolatile，NV)参数与射频通路的实际射频发射功率进行比较，并根据比较结果动态调整射频发射链路的工作状态，以实现对射频发射功率的精确控制。

在相关技术校准NV参数的过程中，射频通路与测试仪连接，该测试仪的阻抗参数与电子设备的天线的阻抗参数不同，使得校准环境与电子设备的实际使用环境不匹配，进而使得根据校准环境下得出的NV参数调整电子设备的射频发射功率时，将降低射频发射功率的精确度。

发明内容

本申请实施例的目的是提供一种射频参数检测电路、方法和电子设备，能够解决相关技术中获取基准NV参数的方法存在降低了射频发射功率的精确度的问题。

为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：

第一方面，本申请实施例提供了一种射频参数检测电路，包括：射频芯片、功率放大器、耦合器、调谐器、测试仪和存储器；

所述功率放大器连接于所述射频芯片与所述耦合器之间，所述调谐器连接于所述耦合器与所述测试仪之间，且所述存储器分别与所述射频芯片、所述耦合器以及所述测试仪连接；

其中，所述调谐器的阻抗参数用于与目标天线的阻抗参数匹配，所述测试仪用于检测经所述射频芯片和所述功率放大器传输的射频发射功率，所述存储器用于将所述耦合器的耦合功率与所述射频发射功率关联存储。

第二方面，本申请实施例提供了一种射频参数检测方法，应用于第一方面所述的射频参数检测电路，所述方法包括：

获取所述目标天线的目标阻抗参数；

将所述调谐器的阻抗参数调整至所述目标阻抗参数；

基于所述目标阻抗参数控制所述功率放大器输出第一功率；

获取所述耦合器的第一耦合功率，经测试仪检测第一射频发射功率，并将所述第一耦合功率和所述第一射频发射功率关联存储，以得到第一非易失性参数组。

第三方面，本申请实施例提供了一种电子设备，包括：第一方面所述的射频参数检测电路中的射频芯片、功率放大器、耦合器和存储器，且所述电子设备还包括与所述耦合器连接的目标天线，且所述电子设备预先存储有第一方面所述的射频参数检测电路检测到的所述耦合功率与所述射频发射功率的关联关系。

第四方面，本申请实施例提供了一种射频参数处理方法，应用于第三方面所述的电子设备，所述方法包括：

获取目标总辐射功率(Total Radiated Power，TRP)；

基于所述耦合功率与所述射频发射功率的关联关系，调整所述功率放大器的输出功率，以使所述电子设备的总辐射功率为所述目标TRP。

第五方面，本申请实施例提供了一种电子设备，该电子设备包括处理器、存储器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的程序或指令，所述程序或指令被所述处理器执行时实现如第二方面所述的方法的步骤，或者所述程序或指令被所述处理器执行时实现如第四方面所述的方法的步骤。

第六方面，本申请实施例提供了一种可读存储介质，所述可读存储介质上存储程序或指令，所述程序或指令被处理器执行时实现如第二方面所述的方法的步骤，或者所述程序或指令被处理器执行时实现如第四方面所述的方法的步骤。

第五方面，本申请实施例提供了一种芯片，所述芯片包括处理器和通信接口，所述通信接口和所述处理器耦合，所述处理器用于运行程序或指令，实现如第二方面所述的方法，或者实现如第四方面所述的方法。

本申请实施例提供的射频参数检测电路，包括：射频芯片、功率放大器、耦合器、调谐器、测试仪和存储器；所述调谐器的阻抗参数用于与目标天线的阻抗参数匹配，所述测试仪用于检测经所述射频芯片和所述功率放大器传输的射频发射功率，所述存储器用于将所述耦合器的耦合功率与所述射频发射功率关联存储。本申请实施方式中，利用调谐器模拟目标天线的阻抗参数，使得用于校准所述耦合功率与所述射频发射功率之间的关联关系的校准环境，与射频通路在与目标天线连接时的实际使用环境匹配，进而使得根据校准环境下得出的耦合功率与射频发射功率之间的关联关系调整电子设备的射频发射功率，能够提升射频发射功率的精确度。

附图说明

图1是本申请实施例提供的射频参数检测电路在第一工作状态下的电路图；

图2是本申请实施例能够应用的射频通路的电路图；

图3是本申请实施例提供的射频参数检测电路在第二工作状态下的电路图；

图4是VSWR与耦合器的耦合系数的关系图；

图5是本申请实施例提供的射频参数检测电路的工作流程图；

图6是本申请实施例提供的射频参数检测方法的流程图；

图7是本申请实施例提供的射频参数处理方法的流程图；

图8是本申请实施例提供的一种电子设备的结构图；

图9是本申请实施例提供的另一种电子设备的结构图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施，且“第一”、“第二”等所区分的对象通常为一类，并不限定对象的个数，例如第一对象可以是一个，也可以是多个。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

下面结合附图，通过具体的实施例及其应用场景对本申请实施例提供的射频参数检测电路、射频参数检测方法、射频参数处理方法和电子设备进行详细地说明。

请参阅图1，是本申请实施例提供的射频参数检测电路在第一工作状态下的电路图，如图1所示，射频参数检测电路中除了射频通路中的射频芯片1、功率放大器2和耦合器3之外，还包括调谐器5、测试仪6和存储器(未图示)。

其中，调谐器5连接于耦合器3和测试仪6之间，所述存储器分别与射频芯片1、耦合器3以及测试仪6(也可以称之为“综合测试仪”)连接。

在工作中，调谐器5的阻抗参数用于与目标天线4的阻抗参数匹配，测试仪6用于检测射频芯片1和功率放大器2传输的射频发射功率，所述存储器用于将所述耦合器的耦合功率与所述射频发射功率关联存储。

在具体实施中，上述射频参数检测电路能够用于对电子设备内的射频通路进行检测，以获取该射频通路中耦合器3的耦合功率与射频通路的射频发射功率之间的关联关系，这样，在电子设备发射射频信号时，能够根据耦合功率与射频发射功率之间的关联关系动态的调整功率放大器的输出功率的大小，以实现对射频通路的TRP的精确控制。例如：在射频通路的TRP大于目标TRP时，获取耦合器3的耦合功率，并根据该耦合功率与射频发射功率之间的关联关系，使射频芯片1控制功率放大器2的输出功率适当缩小，以使所述射频通路的TRP等于目标TRP。

在实际应用中，待校准的电子设备能够通过校准设备(例如：校准计算机)与测试仪6连接，可以通过电子设备内置的采样芯片将上述耦合器采集到的射频通路上的耦合功率的值输入至存储器中。且上述测试仪与校准设备连接，以使电子设备的射频通路在校准设备的控制下，输出目标功率，并由校准设备测量得到此时的射频发射功率，由电子设备获取耦合器的耦合功率，并共同将该射频发射功率和耦合功率传输至校准设备中，以使校准设备将该射频发射功率和耦合功率传输相互关联，并写入电子设备的存储器中。

在具体实施中，上述调谐器5可以是阻抗参数可调的调谐组件，其具体可以包括：可调电容、可调电阻、电感等阻抗元件。

另外，上述调谐器5的阻抗参数用于与目标天线4的阻抗参数匹配可以理解为：调谐器5的阻抗参数等于目标天线4的阻抗参数。该目标天线4可以是射频通路中的天线。如图2所示，该射频通路可以包括：射频芯片1、功率放大器2、耦合器3和目标天线4。

其中，功率放大器2在射频芯片1的控制下输出目标功率，耦合器3在与功率放大器2输出的目标功率的作用下，向射频芯片1反馈耦合功率，以使射频芯片1基于耦合功率与射频发射功率之间的关联关系和该耦合功率的大小调整功率放大器2的输出功率的大小，从而实现经目标天线4发射目标TRP的射频信号。

在出厂阶段，需要校准射频通路的NV参数，具体可以是不同耦合功率与不同射频发射功率之间的对应关系。

在包括如图2所示射频通路的电子设备发送射频信号时，电子设备侧通常会采用闭环的方式进行功率控制。即控制功率放大器2输出目标功率，耦合器3对功率放大器2的输出功率进行耦合，并将耦合器3的输出功率(即耦合功率)与基准NV参数进行比较，动态调整射频发射通路的工作状态，以实现对射频发射功率的精确控制。

在相关技术中，基准NV参数通过校准的方式进行检测得到，其检测流程为：通过校准工具对电子设备发送命令，使其发射某一目标功率，此时，通过与耦合器耦合的测试仪检测出射频通路的射频发射功率，然后，根据该射频发射功率与耦合功率的对应关系，形成的参数表，以作为基准NV参数存储于电子设备的存储单元中。

在相关技术检测基准NV参数的过程中，作为基准的NV参数是处于传导的状态得到的，即射频通路与测试仪连接，而在电子设备的使用中，射频通路与天线连接，该测试仪的阻抗参数与天线的阻抗参数不同，使得基于测试仪的阻抗参数检测得到的基准NV参数在应用于与天线连接的射频通路时，耦合器的电压驻波比发生变化，若继续基于基准NV参数进行发射功率控制，将造成TRP控制精度低。

例如：如图3所示，耦合器3直接与测试仪6连接，此时，射频通路与测试仪6的连接端口均为50ohm(欧姆)阻抗，即如图3所示实施例中，耦合器3的负载为50ohm，此时，可以假设耦合器3的电压驻波比(Voltage Standing Wave Ratio，VSWR)等于1。但是终端在如图2所示的实际使用环境下，需要通过目标天线4进行功率辐射，即射频发射通路需连接至目标天线4。而目标天线4的阻抗并不是50ohm，则此时，耦合器3的VSWR大于1，其可以取3～5之间，当该VSWR的取值增大时，耦合器3的耦合系数(Coupling Factor，CF)将发生改变，具体的，如图4所示：VSWR的取值越大，则耦合器3的CF值波动越大。

这样，即使功率放大器2输出相同的输出功率，若耦合器3在不同阻抗状态下，其输出的耦合功率的值不同。若耦合器3的CF值波动过大，则在目标天线进行功率辐射时，调用校准状态下(VSWR＝1时)的NV参数进行功率控制，会存在TRP功控不准确的风险。

在具体实施中，可以将目标天线4与网络分析仪(未图示)连接，以通过网络分析仪测试得到目标天线4的阻抗参数，并据此将调谐器5的阻抗参数调整至与目标天线4的阻抗参数一致。

在具体实施中，该网络分析仪可以是射频参数检测电路中的网络分析仪，其可以与调谐器5或者射频芯片1连接，以使调谐器5根据网络分析仪检测得到的阻抗参数进行调整，或者使射频芯片1更具网络分析仪检测得到的阻抗参数控制调谐器5调整阻抗参数。

当然，网络分析仪还可以仅输出检测得到的目标天线4的阻抗参数，以使检测人员将调谐器5的阻抗参数调整至与其一致。

这样，能够使调谐器5模拟目标天线4的阻抗，以使上述射频参数检测电路的阻抗环境与包括目标天线的射频通路的阻抗环境一致，该包括目标天线的射频通路可以是如图2所示射频通路。

另外，射频参数检测电路中的存储器可以是包括如图2所示射频通路的电子设备内的存储器，这样，可以将耦合功率与射频发射功率之间的关联关系存储于电子设备中，以使该电子设备根据预先存储的耦合功率与射频发射功率之间的关联关系控制射频发射功率。

作为一种可选的实施方式，射频参数检测电路还包括：

切换组件(未图示)，所述切换组件与所述调谐器5连接，用于将所述射频参数检测电路的工作状态调整为第一工作状态或者第二工作状态；

其中，在所述第一工作状态下，所述切换组件用于将调谐器5连接于耦合器3与测试仪6之间，所述存储器用于关联存储第一非易失性参数组，所述第一非易失性参数组包括在所述第一工作状态下获取的且相互关联的耦合功率和射频发射功率；

在所述第二工作状态下，所述切换组件用于将调谐器5分别与耦合器3和测试仪6断开，测试仪6与耦合器3连接，所述存储器用于关联存储第二非易失性参数组，所述第二非易失性参数组包括在所述第二工作状态下获取的且相互关联的耦合功率和射频发射功率。

在具体实施中，上述切换组件可以是切换开关或者连接结构(例如：连接接口)，其中，在该切换组件为连接结构时，当调谐器5通过该连接结构连接于耦合器3与测试仪6之间时，射频参数检测电路处于上述第一工作状态；当调谐器5未通过该连接结构连接于耦合器3与测试仪6之间时，射频参数检测电路处于上述第二工作状态。

另外，上述切换组件还可以是阻抗调节装置，其用于调节调谐器5的阻抗状态，以使该调谐器5的阻抗参数与传到测试环境的阻抗参数一致时(例如，同为50ohm)，使射频参数检测电路处于上述第二工作状态。

在具体实施中，如图3所示，上述第二工作状态可以与现有技术中的射频参数检测电路的结构相同，即在耦合器3与测试仪6之间未设置调谐器。

在应用中，上述第一工作状态下检测得到的第一非易失性参数组与第二工作状态下检测得到的第二非易失性参数组能够应用于不同测试环境或者使用环境下的射频功率控制。

例如：在射频参数检测电路安装于电子设备上之前，此时，射频通路未与目标天线4连接，可以采用第二非易失性参数组对射频通路的发射功率进行校准。在射频参数检测电路安装于电子设备上之后，此时，射频通路与目标天线4连接，可以采用第一非易失性参数组对射频通路的发射功率进行校准或者控制。

在一种可选的实施方式中，所述第一非易失性参数组还包括与所述第一工作状态对应的第一指示位；

所述第二非易失性参数组还包括与所述第二工作状态对应的第二指示位。

在具体实施中，每一个第一非易失性参数组包括相互关联的耦合功率、射频发射功率以及所述第一指示位。

其中，所述第一指示位和第二指示位可以是不同的数值、字母或者字符串等。在实际应用中，可以向存储器发送与当前使用环境对应的一个指示位，以使该指示位对应的非易失性参数组生效。

本实施方式中，能够通过切换组件实现灵活的切换射频参数检测电路的工作状态，进一步的，还能够通过将不同工作状态下检测到的非易失性参数组与不同的指示位对应，以在使用非易失性参数组的过程中，能够根据该指示位区分不同的非易失性参数组，从而使与当前使用环境对应的非易失性参数组生效。

在另一种可选的实施方式中，还可以将第一非易失性参数组和第二非易失性参数组分别存储于不同的位置，以在不同使用环境下使对应存储位置的非易失性参数组生效。

这样，可以通过不同的存储位置区分不同的非易失性参数组，从而使与当前使用环境对应的存储位置内存储的非易失性参数组生效。

如图5所示，下面对本申请实施例提供的射频参数检测电路的工作流程，进行具体说明，如图5所示，该射频参数检测电路的工作流程包括：

步骤501、在第二工作状态下进行校准。

在具体实施中，上述第二工作状态又可以称之为常规传导状态，在该状态下调谐器5分别与耦合器3和测试仪6断开。且校准的过程为一迭代过程，且不同的迭代次序中，射频芯片1控制功率放大器2输出不同的目标功率，且每次迭代中，存储器能够获取耦合器3的耦合功率，测试仪6检测得到该射频发射功率，并将同一迭代次序中的耦合功率和射频发射功率关联存储于存储器中。

步骤502、校准NVnormal。

本步骤中，NVnormal表示第二非易失性参数组。

步骤503、在第一工作状态下进行校准。

在具体实施中，上述第一工作状态又可以称之为调谐器5连接于耦合器3和测试仪6之间的工作状态。

相应的，在第一工作状态下的校准过程，与在第二工作状态下的校准过程相同，两者同为迭代过程，在此不再赘述。

步骤504、校准NVantenna。

本步骤中，NVantenna表示第一非易失性参数组。

步骤505、判断指示位Flag＝1？

在具体实施中，在上述Flag＝1时表示第一指示位，在上述Flag＝0时表示第二指示位。

在步骤505的判断结果为“否”的情况下，执行步骤506；在步骤505的判断结果为“是”的情况下，执行步骤507。

步骤506、确定NVnormal生效。

步骤507、确定NVantenna生效。

通过上述工作流程，可以实现本申请实施例提供的射频参数检测电路的各个工作过程，且能够取得相同的有益效果，为避免重复，在此不再赘述。

请参阅图6，是本申请实施例提供的一种射频参数检测方法的流程图，该射频参数检测方法能够应用于本申请实施例提供的电路实施例中的射频参数检测电路，如图6所示，该方法可以包括以下步骤：

步骤601、获取所述目标天线的目标阻抗参数。

步骤602、将所述调谐器的阻抗参数调整至所述目标阻抗参数。

步骤603、基于所述目标阻抗参数控制所述功率放大器输出第一功率。

步骤604、取所述耦合器的第一耦合功率，经测试仪检测第一射频发射功率，并将所述第一耦合功率和所述第一射频发射功率关联存储，以得到第一非易失性参数组。

其中，上述将所述调谐器的阻抗参数调整至所述目标阻抗参数时，以通过所述调谐器模拟目标天线的阻抗参数。

需要说明的是，在所述射频参数检测电路包括切换组件的情况下，所述基于所述目标阻抗参数控制所述功率放大器输出第一功率，可以理解为：将所述射频参数检测电路调整至第一工作状态下，即调整至所述目标阻抗参数的调谐器连接于耦合器与测试器之间时，控制功率放大器输出第一功率。

本实施方式中，上述第一非易失性参数组与本申请电路实施方式中的第一非易失性参数组具有相同含义，在此不再赘述。

作为一种可选的实施方式，所述方法还包括：

将所述射频参数检测电路的工作状态调整为第二工作状态；

控制所述功率放大器输出第二功率；

获取所述耦合器的第二耦合功率，经测试仪检测第二射频发射功率，并将所述第二耦合功率和所述第二射频发射功率关联存储，以得到第二非易失性参数组。

本实施方式中，所述第二工作状态与本申请电路实施例中的第二工作状态，具有相同含义，在此不再赘述。

本方法实施例，能够执行本申请电路实施例中提供的射频参数检测电路执行的各个过程，且能够取得相同的有益效果，为避免重复，在此不再赘述。

本申请实施例还提供一种电子设备，如图2所示，该电子设备包括：本申请实施例提供的任一种射频参数检测电路中的射频芯片1、功率放大器2、耦合器3和存储器(未图示)，且所述电子设备还包括与所述耦合器3连接的目标天线4，且所述存储器预先存储有通过本申请实施例提供的射频参数检测电路检测到的所述耦合功率与所述射频发射功率的关联关系。

在具体实施中，该电子设备可以是移动电子设备，也可以为非移动电子设备。示例性的，移动电子设备可以为手机、平板电脑、笔记本电脑、掌上电脑、车载电子设备、可穿戴设备、超级移动个人计算机(ultra-mobile personal computer，UMPC)、上网本或者个人数字助理(personal digital assistant，PDA)等，非移动电子设备可以为网络附属存储器(Network Attached Storage，NAS)、个人计算机(personal computer，PC)、电视机(television，TV)、柜员机或者自助机等，本申请实施例不作具体限定。

本申请实施例中的电子设备可以为具有操作***的装置。该操作***可以为安卓(Android)操作***，可以为ios操作***，还可以为其他可能的操作***，本申请实施例不作具体限定。

本申请实施例提供的电子设备，能够根据本申请实施例提供的射频参数检测电路检测到的所述耦合功率与所述射频发射功率的关联关系，调整目标天线4的TRP，以提升TRP的控制精确度。

如图7所示，本申请实施例还提供一种射频参数处理方法，该方法能够应用于本申请提供的所述电子设备，如图7所示，该方法可以包括以下步骤：

步骤701、获取目标TRP。

在具体实施中上述目标TRP可以根据网络侧设备发送的控制信令确定，或者根据电子设备的使用场景确定，该获取目标TRP的过程，与现有技术中确定目标TRP的过程相同，在此不再赘述。

步骤702、基于所述耦合功率与所述射频发射功率的关联关系，调整所述功率放大器的输出功率，以使所述电子设备的总辐射功率为所述目标TRP。

在具体实施中，所述射频通路的TRP大小与射频发射功率呈正相关，当确定目标TRP的取值之后，可以确定与该目标TRP对应的目标射频发射功率的取值。

这样，电子设备能够根据耦合器的耦合功率的值，并依此判断与该耦合功率关联的射频发射功率的大小，当该射频发射功率与目标TRP不匹配时，可以经射频芯片调节功率放大器的输出功率的大小，其中，功率放大器的输出功率越大，则TRP取值越高；功率放大器的输出功率越小，则TRP的取值越低。

本实施方式中，基于本方法实施例所应用的电子设备预先存储有上述电路实施例中所述的射频参数检测电路检测到的所述耦合功率与所述射频发射功率的关联关系，则基于该关联关系调整TRP，能够提升TRP的控制精度。

作为一种可选的实施方式，所述方法还包括：

获取非易失性参数指示位；

所述基于所述耦合功率与所述射频发射功率的关联关系，调整所述功率放大器的输出功率，以使所述电子设备的总辐射功率为所述目标TRP，包括：

在所述非易失性参数指示位为第一指示位的情况下，基于第一非易失性参数组调整所述功率放大器的输出功率，以使所述电子设备的总辐射功率为所述目标TRP；

在所述非易失性参数指示位为第二指示位的情况下，基于第二非易失性参数组调整所述功率放大器的输出功率，以使所述电子设备的总辐射功率为所述目标TRP。

本实施方式中，上述非易失性参数指示位与本申请电路实施例中的非易失性参数指示位具有相同含义和相同作用，在此不作具体阐述。

进一步的，所述获取非易失性参数指示位，包括：

获取所述电子设备的应用场景；

在所述应用场景与所述第一指示位关联的情况下，确定获取到的所述非易失性参数指示位为所述第一指示位；

在所述应用场景与所述第二指示位关联的情况下，确定获取到的所述非易失性参数指示位为所述第二指示位。

本实施方式中，将电子设备的应用场景与非易失性参数指示位进行预先关联，这样，可以实现在不同的适用场景下使第一非易失性参数或者第二非易失性参数生效，简化了确定非易失性参数指示位的过程，且使得第一非易失性参数或者第二非易失性参数能够针对不同的使用场景进行便捷的切换。

更进一步的，所述第一指示位关联的应用场景包括传导测试对应的应用场景，所述第二指示位关联的应该用场景包括辐射耦合测试对应的应用场景。

在具体实施中，所述辐射耦合测试下，目标天线与耦合器连接，以通过目标天线发送辐射信号，在该辐射耦合测试对应的应用场景下，射频通路的结构与如图2所示射频通路的结构相同，即该射频通路结构与检测得到第二非易失性参数组的检测环境一致，从而使该应用场景与第二指示位关联。另外，在所述传导测试下，目标天线与耦合器断开，且通过将测试仪连接于射频通路中，以测试该射频通路的射频发射功率，在该传导测试对应的应用场景下，射频通路的结构与如图1所示射频通路的结构相同，即该射频通路结构与检测得到第一非易失性参数组的检测环境一致，从而使该应用场景与第一指示位关联。

本实施方式，能够通过第一指示位和第二指示位实现便捷的切换传导测试和辐射耦合测试分别对应的应用场景下的非易失性参数组的切换，提升切换传导测试和辐射耦合测试分别对应的应用场景的切换灵活性。

可选的，如图8所示，本申请实施例还提供一种电子设备800，包括处理器801，存储器802，存储在存储器802上并可在所述处理器801上运行的程序或指令，该程序或指令被处理器801执行时实现上述射频参数检测方法或者射频参数处理方法实施例的各个过程，且能达到相同的技术效果，为避免重复，这里不再赘述。

需要注意的是，本申请实施例中的电子设备包括上述所述的移动电子设备和非移动电子设备。

图9为实现本申请实施例的一种电子设备的硬件结构示意图。

该电子设备900包括但不限于：射频单元901、网络模块902、音频输出单元903、输入单元904、传感器905、显示单元906、用户输入单元907、接口单元908、存储器909、以及处理器910等部件。

本领域技术人员可以理解，电子设备900还可以包括给各个部件供电的电源(比如电池)，电源可以通过电源管理***与处理器910逻辑相连，从而通过电源管理***实现管理充电、放电、以及功耗管理等功能。图9中示出的电子设备结构并不构成对电子设备的限定，电子设备可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置，在此不再赘述。

在一种实施方式中：

传感器905用于获取所述目标天线的目标阻抗参数；

处理器910用于将所述调谐器的阻抗参数调整至所述目标阻抗参数；

处理器910还用于基于所述目标阻抗参数控制所述功率放大器输出第一功率；

存储器909用于获取所述耦合器的第一耦合功率，经测试仪检测第一射频发射功率，并将所述第一耦合功率和所述第一射频发射功率关联存储，以得到第一非易失性参数组。

可选的，处理器910还用于将所述射频参数检测电路的工作状态调整为第二工作状态；

处理器910还用于控制所述功率放大器输出第二功率；

存储器909还用于获取所述耦合器的第二耦合功率，经测试仪检测第二射频发射功率，并将所述第二耦合功率和所述第二射频发射功率关联存储，以得到第二非易失性参数组。

在另一种实施方式中：

输入单元904用于获取目标总辐射功率；

处理器910用于基于所述耦合功率与所述射频发射功率的关联关系，调整所述功率放大器的输出功率，以使所述电子设备的总辐射功率为所述目标TRP。

可选的，输入单元904还用于获取非易失性参数指示位；

处理器910执行的所述基于所述耦合功率与所述射频发射功率的关联关系，调整所述功率放大器的输出功率，以使所述电子设备的总辐射功率为所述目标TRP，包括：

在所述非易失性参数指示位为第一指示位的情况下，基于第一非易失性参数组调整所述功率放大器的输出功率，以使所述电子设备的总辐射功率为所述目标TRP；

在所述非易失性参数指示位为第二指示位的情况下，基于第二非易失性参数组调整所述功率放大器的输出功率，以使所述电子设备的总辐射功率为所述目标TRP。

可选的，输入单元904执行的所述获取非易失性参数指示位，包括：

输入单元904用于获取所述电子设备的应用场景；

处理器910用于在所述应用场景与所述第一指示位关联的情况下，确定获取到的所述非易失性参数指示位为所述第一指示位；

处理器910还用于在所述应用场景与所述第二指示位关联的情况下，确定获取到的所述非易失性参数指示位为所述第二指示位。

可选的，所述第一指示位关联的应用场景包括传导测试对应的应用场景，所述第二指示位关联的应该用场景包括辐射耦合测试对应的应用场景。

本申请实施例提供的电子设备，能够执行如图6或图7所示方法实施例中电子设备执行的各个过程，且能够取得相同的有益效果，为避免重复，在此不再赘述。

应理解的是，本申请实施例中，输入单元904可以包括图形处理器(GraphicsProcessing Unit，GPU)和麦克风，图形处理器对在视频捕获模式或图像捕获模式中由图像捕获装置(如摄像头)获得的静态图片或视频的图像数据进行处理。显示单元906可包括显示面板，可以采用液晶显示器、有机发光二极管等形式来配置显示面板。用户输入单元907包括触控面板以及其他输入设备。触控面板，也称为触摸屏。触控面板可包括触摸检测装置和触摸控制器两个部分。其他输入设备可以包括但不限于物理键盘、功能键(比如音量控制按键、开关按键等)、轨迹球、鼠标、操作杆，在此不再赘述。存储器909可用于存储软件程序以及各种数据，包括但不限于应用程序和操作***。处理器910可集成应用处理器和调制解调处理器，其中，应用处理器主要处理操作***、用户界面和应用程序等，调制解调处理器主要处理无线通信。可以理解的是，上述调制解调处理器也可以不集成到处理器910中。

本申请实施例还提供一种可读存储介质，所述可读存储介质上存储有程序或指令，该程序或指令被处理器执行时实现上述射频参数检测方法或射频参数处理方法实施例的各个过程，且能达到相同的技术效果，为避免重复，这里不再赘述。

其中，所述处理器为上述实施例中所述的电子设备中的处理器。所述可读存储介质，包括计算机可读存储介质，如计算机只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)、磁碟或者光盘等。

本申请实施例另提供了一种芯片，所述芯片包括处理器和通信接口，所述通信接口和所述处理器耦合，所述处理器用于运行程序或指令，实现上述射频参数检测方法或射频参数处理方法实施例的各个过程，且能达到相同的技术效果，为避免重复，这里不再赘述。

应理解，本申请实施例提到的芯片还可以称为***级芯片、***芯片、芯片***或片上***芯片等。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。此外，需要指出的是，本申请实施方式中的方法和装置的范围不限按示出或讨论的顺序来执行功能，还可包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序来执行功能，例如，可以按不同于所描述的次序来执行所描述的方法，并且还可以添加、省去、或组合各种步骤。另外，参照某些示例所描述的特征可在其他示例中被组合。

通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质(如ROM/RAM、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端(可以是手机，计算机，服务器，空调器，或者网络设备等)执行本申请各个实施例所述的方法。

上面结合附图对本申请的实施例进行了描述，但是本申请并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本申请的启示下，在不脱离本申请宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，均属于本申请的保护之内。

Claims (12)

1.一种射频参数检测电路，其特征在于，包括：射频芯片、功率放大器、耦合器、调谐器、测试仪和存储器；

所述功率放大器连接于所述射频芯片与所述耦合器之间，所述调谐器连接于所述耦合器与所述测试仪之间，且所述存储器分别与所述射频芯片、所述耦合器以及所述测试仪连接；

其中，所述调谐器的阻抗参数用于与目标天线的阻抗参数匹配，所述测试仪用于检测经所述射频芯片和所述功率放大器传输的射频发射功率，所述存储器用于将所述耦合器的耦合功率与所述射频发射功率关联存储。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括：

切换组件，所述切换组件与所述调谐器连接，用于将所述射频参数检测电路的工作状态调整为第一工作状态或者第二工作状态；

其中，在所述第一工作状态下，所述切换组件用于将所述调谐器连接于所述耦合器与所述测试仪之间，所述存储器用于关联存储第一非易失性参数组，所述第一非易失性参数组包括在所述第一工作状态下获取的且相互关联的耦合功率和射频发射功率；

在所述第二工作状态下，所述切换组件用于将所述调谐器分别与所述耦合器和所述测试仪断开，所述测试仪与所述耦合器连接，所述存储器用于关联存储第二非易失性参数组，所述第二非易失性参数组包括在所述第二工作状态下获取的且相互关联的耦合功率和射频发射功率。

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述第一非易失性参数组还包括与所述第一工作状态对应的第一指示位；

所述第二非易失性参数组还包括与所述第二工作状态对应的第二指示位。

4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括：网络分析仪，所述网络分析仪用于与所述目标天线连接，以检测得到所述目标天线的阻抗参数。

5.一种射频参数检测方法，其特征在于，应用于如权利要求1至4中任一项所述的射频参数检测电路，所述方法包括：

获取所述目标天线的目标阻抗参数；

将所述调谐器的阻抗参数调整至所述目标阻抗参数；

基于所述目标阻抗参数控制所述功率放大器输出第一功率；

获取所述耦合器的第一耦合功率，经测试仪检测第一射频发射功率，并将所述第一耦合功率和所述第一射频发射功率关联存储，以得到第一非易失性参数组。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

将所述射频参数检测电路的工作状态调整为第二工作状态；

控制所述功率放大器输出第二功率；

获取所述耦合器的第二耦合功率，经测试仪检测第二射频发射功率，并将所述第二耦合功率和所述第二射频发射功率关联存储，以得到第二非易失性参数组。

7.一种电子设备，其特征在于，包括：如权利要求1至4中任一项所述的射频参数检测电路中的射频芯片、功率放大器、耦合器和存储器，且所述电子设备还包括与所述耦合器连接的目标天线，且所述电子设备预先存储有如权利要求1至4中任一项所述的射频参数检测电路检测到的所述耦合功率与所述射频发射功率的关联关系。

8.一种射频参数处理方法，其特征在于，应用于如权利要求7所述的电子设备，所述方法包括：

获取目标总辐射功率；

基于所述耦合功率与所述射频发射功率的关联关系，调整所述功率放大器的输出功率，以使所述电子设备的总辐射功率为所述目标TRP。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

获取非易失性参数指示位；

所述基于所述耦合功率与所述射频发射功率的关联关系，调整所述功率放大器的输出功率，以使所述电子设备的总辐射功率为所述目标TRP，包括：

在所述非易失性参数指示位为第一指示位的情况下，基于第一非易失性参数组调整所述功率放大器的输出功率，以使所述电子设备的总辐射功率为所述目标TRP；

在所述非易失性参数指示位为第二指示位的情况下，基于第二非易失性参数组调整所述功率放大器的输出功率，以使所述电子设备的总辐射功率为所述目标TRP。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述获取非易失性参数指示位，包括：

获取所述电子设备的应用场景；

在所述应用场景与所述第一指示位关联的情况下，确定获取到的所述非易失性参数指示位为所述第一指示位；

在所述应用场景与所述第二指示位关联的情况下，确定获取到的所述非易失性参数指示位为所述第二指示位。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第一指示位关联的应用场景包括传导测试对应的应用场景，所述第二指示位关联的应该用场景包括辐射耦合测试对应的应用场景。

12.一种电子设备，其特征在于，包括处理器，存储器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的程序或指令，所述程序或指令被所述处理器执行时实现如权利要求5或6所述的射频参数检测方法的步骤，或者所述程序或指令被所述处理器执行时实现如权利要求8-11中任一项所述的射频参数处理方法的步骤。

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