CN112289813A - 阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置。阵列基板包括衬底基板和位于衬底基板一侧的第一晶体管；第一晶体管包括第一半导体层，第一半导体层包括沟道区和分别位于沟道区在第一方向上两侧的源区和漏区；第一阻挡结构，第一阻挡结构包括第一子阻挡结构和第二子阻挡结构；第一子阻挡结构位于第一半导体层背离衬底基板的一侧，在垂直于衬底基板所在平面的方向上，第一子阻挡结构至少部分覆盖沟道区；第二子阻挡结构位于沟道区在第二方向上的至少一侧，其中，第一方向与第二方向交叉。根据本申请实施例，能够提高晶体管的稳定性。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展，用户对显示装置的显示性能的要求越来越高。显示装置中，通常利用驱动电路控制发光元件发光显示，驱动电路包括晶体管，若晶体管出现不稳定，则影响显示装置的显示性能。
因此，如何提高晶体管的稳定性成为本领域技术人员急需解决的技术问题。
发明内容
本申请提供一种阵列基板、显示面板及显示装置，能够提高晶体管的稳定性。
一方面，本申请实施例提供一种阵列基板，其包括衬底基板和位于衬底基板一侧的第一晶体管；第一晶体管包括第一半导体层，第一半导体层包括沟道区和分别位于沟道区在第一方向上两侧的源区和漏区；第一阻挡结构，第一阻挡结构包括第一子阻挡结构和第二子阻挡结构；第一子阻挡结构位于第一半导体层背离衬底基板的一侧，在垂直于衬底基板所在平面的方向上，第一子阻挡结构至少部分覆盖沟道区；第二子阻挡结构位于沟道区在第二方向上的至少一侧，其中，第一方向与第二方向交叉。
另一方面，本申请实施例提供一种显示面板，其包括上述实施例所述的阵列基板。
又一方面，本申请实施例提供一种显示装置，其包括上述实施例所述的显示面板。
根据本申请实施例提供的阵列基板、显示面板及显示装置，通过在第一半导体层的沟道区周围设置第一阻挡结构，一方面，第一阻挡结构可用于阻挡氢扩散至第一半导体层的沟道区，从而避免沟道区出现短沟道效应；另一方面，第一阻挡结构可用于阻挡光线照射至第一半导体层的沟道区，从而避免沟道区出现漏电流现象。即根据本申请实施例，能够提高第一晶体管的稳定性。
附图说明
通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显，其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征，附图并未按照实际的比例绘制。
图1示出本申请一种实施例提供的阵列基板的立体结构示意图；
图2至图5示出本申请一种实施例提供的阵列基板的制备流程结构示意图；
图6示出本申请另一种实施例提供的阵列基板的立体结构示意图；
图7示出本申请另一种实施例提供的阵列基板的剖面结构示意图；
图8示出本申请另一种实施例提供的阵列基板的剖面结构示意图；
图9至图14示出本申请一种实施例提供的阵列基板部分膜层的制备流程结构示意图；
图15示出本申请一种实施例提供的显示面板的结构示意图；
图16示出本申请一种实施例提供的显示装置的结构示意图；
具体实施方式
下面将详细描述本申请的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本申请进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本申请，并不被配置为限定本申请。对于本领域技术人员来说，本申请可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本申请的示例来提供对本申请更好的理解。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
应当理解，在描述部件的结构时，当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时，可以指直接位于另一层、另一个区域上面，或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且，如果将部件翻转，该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。
阵列基板通常包括层叠设置的多个膜层，本申请的发明人发现，阵列基板的一些膜层为富氢膜层，即这些膜层含有丰富的氢，例如电容绝缘层、层间介质层(Inter LayerDielectric，ILD)、薄膜封装层(Thin-Film Encapsulation，TFE)等。这些膜层的氢会扩散至晶体管的半导体层的沟道区，例如，氢扩散至包括金属氧化物的半导体层的沟道区，则会造成沟道区出现短沟道效应，进而影响晶体管的稳定性。另外，晶体管的半导体层的沟道区受到光照射之后，会出现漏电流现象，也会影响晶体管的稳定性。
基于上述技术问题，本申请实施例提供一种阵列基板、显示面板及显示装置，以下将结合附图详细说明申请实施例提供的阵列基板、显示面板及显示装置的具体结构。
图1示出本申请一种实施例提供的阵列基板的立体结构示意图。如图1所示，本申请实施例提供的阵列基板100包括衬底基板01、第一晶体管10及第一阻挡结构30。第一晶体管10和第一阻挡结构30位于衬底基板01的同一侧。
第一晶体管10包括第一半导体层11。可以理解的是，第一半导体层11为第一晶体管10的有源层。第一半导体层11包括沟道区111，源区112和漏区113。源区112和漏区113分别位于沟道区111在第一方向X上的两侧。
第一阻挡结构30包括第一子阻挡结构31和第二子阻挡结构32。其中，第一子阻挡结构31位于第一半导体层11背离衬底基板01的一侧。在垂直于衬底基板01所在平面的方向Z上，第一子阻挡结构31至少部分覆盖沟道区111，即第一子阻挡结构31在衬底基板01正投影与沟道区111在衬底基板01正投影至少部分交叠，在垂直于衬底基板01所在平面的方向上，能够对沟道区111进行阻挡保护。
第二子阻挡结构32位于沟道区111在第二方向Y上的至少一侧，进而在第二方向Y上，能够对沟道区111的至少一侧进行阻挡保护。第一方向X和第二方向Y交叉。示例性的，第一方向X和第二方向Y垂直。图1中示出沟道区111在第二方向Y上的两侧均设置有第二子阻挡结构32，因此，在第二方向Y上，能够对沟道区111的两侧均进行阻挡保护。另外，由于沟道区111在第一方向X上的两侧分布有源区112和漏区113，因此，沟道区111在第一方向X上的两侧可不必再设置阻挡结构。
在一些可选的实施例中，第一半导体层11可以包括金属氧化物。例如，铟镓锌氧化物(IndiumGallium Zinc Oxide，IGZO)。如上所述，金属氧化物的半导体层的沟道区受氢影响后，会出现短沟道效应。根据本申请实施例，在第一半导体层10的沟道区111周围设置第一阻挡结构30，第一阻挡结构30可以为挡氢结构，即第一阻挡结构30可用于阻挡氢扩散至第一半导体层10的沟道区111，从而避免沟道区111出现短沟道效应，进而提高第一晶体管10的稳定性。
在另一些可选的实施例中，可以不对第一半导体层11包括的具体材料进行限定。第一半导体层11可以是金属氧化物半导体层，也可以是硅半导体层。示例性的，第一半导体层11可以包括硅。例如，低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)。如上所述，半导体层的沟道区受到光照射之后，会出现漏电流现象。根据本申请实施例，在第一半导体层10的沟道区111周围设置第一阻挡结构30，第一阻挡结构30可以为遮光结构，例如，第一阻挡结构30可以包括非金属材料，非金属材料可以是黑色材料，以使第一阻挡结构30可用于阻挡光线照射至第一半导体层10的沟道区111，从而避免沟道区111出现漏电流现象，进而提高第一晶体管10的稳定性。
在又一些可选的实施例中，第一阻挡结构30可以既用于阻挡氢扩散至第一半导体层10的沟道区111，又用于阻挡光线照射至第一半导体层10的沟道区111，从而既避免沟道区111出现短沟道效应，又避免沟道区111出现漏电流现象，进而提高第一晶体管10的稳定性。
示例性的，第一阻挡结构30可以包括非金属材料。非金属材料可以包括石墨、碳纳米管、聚吡咯、聚苯胺中的至少一种。上述非金属材料均为黑色材料，因此，第一阻挡结构30采用上述材料既能阻挡氢扩散至沟道区111，又能遮光。
在一些可选的实施例中，衬底基板01可以是柔性基板，例如，衬底基板01可以包括聚酰亚胺(Polyimide，PI)。衬底基板01也可以是刚性基板，例如，衬底基板01为玻璃基板。
需要说明的是，图1仅仅示出了一个第一晶体管10，阵列基板100可以包括多个第一晶体管10，本申请对此不作限定。另外，图1中不仅示意出了第一晶体管10的第一半导体层11，应当理解的是，第一晶体管10还包括栅极12、源极13、漏极14等，阵列基板100还包括绝缘层等，对于此，下面的实施例中将会介绍。
在一些可选的实施例中，第一晶体管10包括第一栅极12，第一子阻挡结构31可以复用为第一栅极12。如此，能够简化膜层结构，降低成本。
在另一些可选的实施例中，第二子阻挡结构32也可以复用为第一栅极12。第一子阻挡结构31和第二子阻挡结构32同时复用为第一栅极12，相当于增大了第一栅极12的面积，从而增强第一栅极12的控制能力，能够进一步提高第一晶体管10的稳定性。
示例性的，第一阻挡结构30可以包括金属材料。金属材料可以包括钛(Ti)、铝(Al)、钼(Mo)中的至少一种。第一阻挡结构30由上述金属材料形成时，第一阻挡结构30不仅可以复用为第一晶体管10的第一栅极12，还能够起到挡氢和遮光的作用。
示例性的，第一阻挡结构30可以为金属叠层结构。例如，第一阻挡结构30可以包括层叠设置的三层金属层，外侧的两层金属层的材料可以是钛，中间金属层的材料可以是铝。又例如，第一阻挡结构30可以包括层叠设置的两层金属层，其中一层金属层的材料是钛，另一层金属层的材料是钼。
示例性的，第一阻挡结构30包括金属材料时，可以在金属材料中掺杂电负性较强的非金属元素。例如掺杂掺氮元素、氟元素、磷元素等。由于上述非金属元素的电负性较强，对氢的吸附性能力较强，可以加强对氢的阻隔效果。
应当理解的是，第一子阻挡结构31和第二子阻挡结构32同时复用为第一栅极12时，第一子阻挡结构31和第二子阻挡结构32与第一半导体层11之间应当是绝缘设置的。第一子阻挡结构31和第二子阻挡结构32不复用为第一栅极12时，第一子阻挡结构31和第二子阻挡结构32与第一半导体层11之间可以绝缘设置，也可以非绝缘设置，本申请对此不作限定。
在一些可选的实施例中，第一子阻挡结构31和第二子阻挡结构32可以为一体结构，如此，可在同一工艺步骤中同时形成第一子阻挡结构31和第二子阻挡结构32，以节省工艺步骤，节约成本。
为了使第一子阻挡结构31在第二方向Y上能够完全覆盖沟道区111，第一子阻挡结构31在第二方向Y上的长度可以大于沟道区111在第二方向Y上的长度。另外，为了使第二子阻挡结构32在垂直于衬底基板01所在平面的方向Z上能够完全覆盖沟道区111，第二子阻挡结构32在垂直于衬底基板01所在平面的方向Z上的长度可以大于或等于沟道区111在垂直于衬底基板01所在平面的方向Z上的长度。
图2至图5示出本申请一种实施例提供的阵列基板的制备流程结构示意图。图2至图5所示的结构图可以是图1中A-A向的剖面图，图1中未示出图3至图5中的绝缘层02。
如图2所示，可以在衬底基板01的一侧形成第一半导体层11。如图3所示，可以在第一半导体层11背离衬底基板01的一侧形成绝缘层02，且使绝缘层02覆盖第一半导体层11。示例性的，绝缘层02可以为栅极绝缘层(Gate Insulator，GI)。如图4所示，可以对绝缘层02进行图案化处理。例如，对绝缘层02进行刻蚀处理，得到贯穿绝缘层02的容置腔结构，以容纳后续工艺中形成的第二子阻挡结构32。进一步的，如图5所示，在绝缘层02背离衬底基板01的一侧进行材料沉积，同时形成第一子阻挡结构31和第二子阻挡结构32，即形成的第一子阻挡结构31和第二子阻挡结构32为一体型结构。
在一些可选的实施例中，为了使第一子阻挡结构31和/或第二子阻挡结构32在第一方向X上能够完全覆盖沟道区111，第一子阻挡结构31和/或第二子阻挡结构32在第一方向X上的长度大于或等于沟道区111在第一方向X上的长度。
图6示出本申请另一种实施例提供的阵列基板的立体结构示意图。如图6所示，本申请实施例提供的阵列基板100还可以包括第二阻挡结构40。第二阻挡结构40位于第一半导体层11背离第一子阻挡结构31的一侧，且第二阻挡结构40在第一半导体层11上的正投影与沟道区111至少部分交叠。
同理，第二阻挡结构40可以既用于阻挡氢扩散至第一半导体层10的沟道区111，又用于阻挡光线照射至第一半导体层10的沟道区111，从而既避免沟道区111出现短沟道效应，又避免沟道区111出现漏电流现象，进而提高第一晶体管10的稳定性。
通过设置第二阻挡结构40，可以在第一半导体层11背离第一子阻挡结构31的一侧对沟道区111进行保护，从而对沟道区111进行更大面积的保护。
在一些可选的实施例中，请继续参考图6，第二子阻挡结构32可以与第二阻挡结构40接触设置，第一阻挡结构30和第二阻挡结构40一起围绕沟道区111。第一阻挡结构30和第二阻挡结构40将沟道区111包围起来，从而对沟道区111进行全方位的保护。
为了使第二子阻挡结构32在第二方向Y上能够完全覆盖沟道区111，第二阻挡结构40在第二方向Y上的长度可以大于或等于沟道区111在第二方向Y上的长度。
在一些可选的实施例中，第二阻挡结构40也可以复用为第一栅极12。第一子阻挡结构31、第二子阻挡结构32以及第二阻挡结构40同时复用为第一栅极12，进一步增大了第一栅极12的面积，从而增强第一栅极12的控制能力，能够进一步提高第一晶体管10的稳定性。
在一些可选的实施例中，如图6和图7所示，阵列基板100还包括第二晶体管20。第二晶体管20包括第二半导体层21。第二半导体层21包括硅，第二晶体管20为硅晶体管。例如，第二晶体管20可以为低温多晶硅薄膜晶体管。
其中，图7为图6中B-B向的剖视图。为了清楚的示出第一晶体管10和第二晶体管20，图6中未示出图7中的绝缘层、电容结构等其它膜层结构。
示例性的，阵列基板100可以包括像素电路。像素电路可以包括本申请实施例中的第一晶体管10和第二晶体管20。第一晶体管10为氧化物晶体管，氧化物晶体管漏电流比较小，可以作为像素电路中的开关晶体管，以降低功耗。第二晶体管20为硅晶体管，硅晶体管的迁移率相对较大，可以用于像素电路中的驱动晶体管。
为了使第二晶体管20的源漏极金属与第二半导体层21能够更好的接触，需要对第二半导体层21进行氢氟酸清洗，而氢扩散至第一半导体层11的沟道区，会导致第一半导体层11的沟道区出现短沟道效应。请继续参考图7，第二半导体层21可以位于第一半导体层11靠近衬底基板01的一侧。即第二半导体层21和第二半导体层11非同层设置，尽量避免氢氟酸清洗对第一半导体层11的影响。
在一些可选的实施例中，请继续参考图7，阵列基板100还包括电容60。电容60包括第一极板61和第二极板62。第二晶体管20包括第二栅极22。第二栅极22复用为电容60的第一极板61。应当理解的是，第二极板62和第二栅极22在衬底基板01上的正投影交叠。电容60的第二极板62可以与第二阻挡结构40非同层设置。
在另一些可选的实施例中，如图8所示，电容60的第二极板62可以与第二阻挡结构40同层设置，且电容60的第二极板62与第二阻挡结构40的材料相同。如此，能够在同一工艺步骤中同时形成电容60的第二极板62和第二阻挡结构40，能够节省工艺制程，降低成本。
示例性的，电容60的第二极板62和第二阻挡结构40的材料可以包括钼。当然，电容60的第二极板62和第二阻挡结构40也可以由其它材料形成，本申请对此不作限定。
在一些可选的实施例中，请继续参考图7，第一晶体管10包括第一源极13和第一漏极14，第二晶体管20包括第二源极23和第二漏极24。阵列基板100还可以包括层叠设置的缓冲层03、第一栅极绝缘层51、电容绝缘层52、第一层间介质层53、第二栅极绝缘层54、第三栅极绝缘层55、第二层间介质层56。
缓冲层03位于衬底基板01与第二半导体层21之间。缓冲层03的材料可以包括氮化硅、氧化硅中的至少一种。通过设置缓冲层03，可以更好的防止水汽、氧气等入侵至第二半导体层21，避免第二半导体层21受到损害。
第一栅极绝缘层51位于第二半导体层21与第二栅极22之间，且第一栅极绝缘层51覆盖第二半导体层21设置。电容绝缘层52位于第二栅极22背离衬底基板01的一侧，且电容绝缘层52覆盖第二栅极22。第一层间介质层53位于电容绝缘层52背离衬底基板01的一侧。第二栅极绝缘层54位于第一层间介质层53背离衬底基板01的一侧，第二半导体层11位于第二栅极绝缘层54背离衬底基板01的一侧。第三栅极绝缘层55位于第一半导体层11与第一子阻挡结构31之间，且第三栅极绝缘层55覆盖第一半导体层11。第二层间介质层56位于第一子阻挡结构31背离衬底基板01的一侧，且第二层间介质层56覆盖第一子阻挡结构31。
第一源极13、第一漏极14、第二源极23和第二漏极24均位于第二层间介质层56背离衬底基板01的一侧，且第一源极13、第一漏极14分别通过第一过孔15与第一半导体层11的源区、漏区连接，第二源极23、第二漏极24分别通过第二过孔25与第二半导体层21的源区、漏区连接。
图7和图8中，为了清楚的示出第二子阻挡结构32，第一半导体层11的至少部分沟道区被第二子阻挡结构32遮挡。可以理解的是，第二子阻挡结构32可以贯穿第三栅极绝缘层55。另外，如上文所述，阵列基板的层间介质层为富氢膜层，即第一层间介质层53为富氢膜层，第二阻挡结构40可以设置在第一层间介质层53与第一半导体层11之间，具体的，第二阻挡结构40可以设置在第一层间介质层53与第二栅极绝缘层54之间。
如图7所示，电容60的第二极板62与第二阻挡结构40可以非同层设置。具体的，电容60的第二极板62可以设置在第一层间介质层53与电容绝缘层52之间。
为了节省工艺制程，如图8所示，电容60的第二极板62与第二阻挡结构40可以同层设置。具体的，电容60的第二极板62和第二阻挡结构40均设置在第一层间介质层53与第二栅极绝缘层54之间。
在一些可选的实施例中，如图8所示，阵列基板100还包括源极连接层231和漏极连接层241，源极连接层231和漏极连接层241位于第三栅极绝缘层55背离衬底基板01的一侧。第二过孔25包括第一子过孔251和第二子过孔252，第二源极23、第二漏极24分别通过第一子过孔251与源极连接层231、漏极连接层241连接，源极连接层231、漏极连接层241分别通过第二子过孔252与第二半导体层21的源区、漏区连接。
通过第一子过孔251和第二子过孔252两个浅孔的设置方式，可以降低过孔的刻蚀难度。另外，第二子过孔252可以和容纳第二子阻挡结构32的容纳腔同时形成，然后对第二半导体层21进行氢氟酸清洗，由于连接第一半导体层11和第一源极13、第一漏极14的第一过孔15此时还未形成，因此，可以避免氢氟酸清洗对第一半导体层11的影响。
为了清楚的说明如何避免氢氟酸清洗对第一半导体层11的影响，请参考图9至图14。图9至图14示出本申请一种实施例提供的阵列基板部分膜层的制备流程结构示意图。图9至图14所示的结构图可以是图6中B-B向的剖面图，图6中未示出图9至图14中的绝缘层、电容结构等其它膜层结构。
如图9所示，可以在第一层间介质层53背离衬底基板01的一侧蒸镀金属材料，并进行图案化处理，同时形成电容60的第二极板62以及第二阻挡结构40。
如图10所示，在第二极板62以及第二阻挡结构40背离衬底基板01的一侧形成第二栅极绝缘层54，且使第二栅极绝缘层54覆盖第二极板62以及第二阻挡结构40。
如图11所示，在第二栅极绝缘层54背离衬底基板01的一侧形成第一半导体层11。如图12所示，在第一半导体层11背离衬底基板01的一侧形成第三栅极绝缘层55，且使第三栅极绝缘层55覆盖第一半导体层11。
如图13所示，同时形成第二子过孔252和容纳第二子阻挡结构32的容纳腔320。应当理解的是，容纳腔320并未贯穿第一半导体层11，容纳腔320与第一半导体层11之间间隔有第三栅极绝缘层55。在形成第二子过孔252之后，第二子过孔252漏出了第二半导体层21的源区和漏区，可以对第二半导体层21的源区和漏区进行氢氟酸清洗。由于此时第一过孔15还未形成，即第一半导体层11还没有暴露出来，因此能够更好的避免氢氟酸清洗对第一半导体层11造成影响。
在进行氢氟酸清洗之后，如图14所示，可以沉积金属材料，同时形成源极连接层231、漏极连接层241和第一阻挡结构30。然后，可以再形成阵列基板的第二层间介质层56，同时形成第一子过孔251和第一过孔15，同时形成第一源极13、第一漏极14、第二源极23和第二漏极24等。在此不再详细赘述。
在一些可选的实施例中，如图7或图8所示，阵列基板100可以包括第一平坦层57、第二平坦层58、金属走线层70。第一平坦层57位于第一源极13、第一漏极14、第二源极23和第二漏极24背离衬底基板01的一侧。金属走线层70位于第一平坦层57背离衬底基板01的一侧。第二平坦层58位于金属走线层70背离衬底基板01的一侧。
阵列基板100的信号线可以设置在金属走线层70，例如扫描信号线、数据信号线、电源信号线等。
本申请还提供一种显示面板。图15示出根据本申请一种实施例提供的显示面板的结构示意图。如图15所示，本申请实施例提供的显示面板1000可以包括阵列基板100和对置基板200。其中，阵列基板100为上述任一实施例所述的阵列基板。对置基板200可以为保护盖板，例如玻璃盖板。图15所示的显示面板可以为有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示面板。
本领域内技术人员应该理解，在本申请的其他实现方式中，显示面板还可以微型发光二极管(Micro LED)显示面板，量子点显示面板等。
本申请实施例提供的显示面板，具有本申请实施例提供的阵列基板的有益效果，具体可以参考上述各实施例对于阵列基板的具体说明，本实施例在此不再赘述。
本申请还提供了一种显示装置，包括本申请提供的显示面板。请参考图16，图16是本申请实施例提供的一种显示装置的结构示意图。图16提供的显示装置2000包括本申请上述任一实施例提供的显示面板1000。图16实施例仅以手机为例，对显示装置2000进行说明，可以理解的是，本申请实施例提供的显示装置，可以是电脑、电视、车载显示装置等其他具有显示功能的显示装置，本申请对此不作具体限制。本申请实施例提供的显示装置，具有本申请实施例提供的显示面板的有益效果，具体可以参考上述各实施例对于显示面板的具体说明，本实施例在此不再赘述。
依照本申请如上文所述的实施例，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该申请仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本申请的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本申请以及在本申请基础上的修改使用。本申请仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。
Claims (14)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板和位于所述衬底基板一侧的第一晶体管；
所述第一晶体管包括第一半导体层，所述第一半导体层包括沟道区和分别位于所述沟道区在第一方向上两侧的源区和漏区；
第一阻挡结构，所述第一阻挡结构包括第一子阻挡结构和第二子阻挡结构；
所述第一子阻挡结构位于所述第一半导体层背离所述衬底基板的一侧，在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上，所述第一子阻挡结构至少部分覆盖所述沟道区；
所述第二子阻挡结构位于所述沟道区在第二方向上的至少一侧，其中，所述第一方向与所述第二方向交叉。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一晶体管包括第一栅极，所述第一子阻挡结构复用为所述第一栅极。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一子阻挡结构与所述第二子阻挡结构为一体结构。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一子阻挡结构和/或所述第二子阻挡结构在所述第一方向上的长度大于或等于所述沟道区在所述第一方向上的长度。
5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第二阻挡结构，所述第二阻挡结构位于所述第一半导体层背离所述第一子阻挡结构的一侧，且所述第二阻挡结构在所述第一半导体层上的正投影与所述沟道区至少部分交叠。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第二子阻挡结构与所述第二阻挡结构接触，所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构一起围绕所述沟道区。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述第一阻挡结构包括非金属材料，所述非金属材料包括石墨、碳纳米管、聚吡咯、聚苯胺中的至少一种；
或，所述第一阻挡结构包括金属材料，所述金属材料包括钛、铝、钼中的至少一种。
8.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一半导体层包括金属氧化物。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第二晶体管；
所述第二晶体管包括第二半导体层，所述第二半导体层包括硅，所述第二半导体层位于所述第一半导体层靠近所述衬底基板的一侧。
10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括电容，所述第二晶体管包括第二栅极，
所述第二栅极复用为所述电容的第一极板，所述电容的第二极板与所述第二阻挡结构同层设置，且所述电容的第二极板与所述第二阻挡结构的材料相同。
11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述第一晶体管包括第一源极和第一漏极，所述第二晶体管包括第二源极和第二漏极；
所述阵列基板还包括：
缓冲层，位于所述衬底基板与所述第二半导体层之间；
第一栅极绝缘层，位于所述第二半导体层与所述第二栅极之间，且所述第一栅极绝缘层覆盖所述第二半导体层；
第一层间介质层，位于所述第二栅极背离所述衬底基板的一侧，且所述第一层间介质层覆盖所述第二栅极；
第二栅极绝缘层，位于所述第一层间介质层背离所述衬底基板的一侧，所述第二半导体层位于所述第二栅极绝缘层背离所述衬底基板的一侧；
第三栅极绝缘层，位于所述第一半导体层与所述第一子阻挡结构之间，且所述第三栅极绝缘层覆盖所述第一半导体层；
第二层间介质层，位于所述第一子阻挡结构背离所述衬底基板的一侧，且所述第二层间介质层覆盖所述第一子阻挡结构；
所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极和所述第二漏极均位于所述第二层间介质层背离所述衬底基板的一侧，且所述第一源极、所述第一漏极分别通过第一过孔与所述第一半导体层的源区、漏区连接，所述第二源极、所述第二漏极分别通过第二过孔与所述第二半导体层的源区、漏区连接；
所述电容的第二极板及所述第二阻挡结构位于所述第一层间介质层与所述第二栅极绝缘层之间。
12.根据权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括源极连接层和漏极连接层，所述源极连接层和所述漏极连接层位于所述第三栅极绝缘层背离所述衬底基板的一侧，所述第二过孔包括第一子过孔和第二子过孔，所述第二源极、所述第二漏极分别通过所述第一子过孔与所述源极连接层、所述漏极连接层连接，所述源极连接层、所述漏极连接层分别通过所述第二子过孔与所述第二半导体层的源区、漏区连接。
13.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-12任一项所述的阵列基板。
14.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求13所述的显示面板。
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| GR01 | Patent grant | ||
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