CN112285514A - 晶圆测试装置 - Google Patents

晶圆测试装置 Download PDF

Info

Publication number
CN112285514A
CN112285514A CN201910614513.4A CN201910614513A CN112285514A CN 112285514 A CN112285514 A CN 112285514A CN 201910614513 A CN201910614513 A CN 201910614513A CN 112285514 A CN112285514 A CN 112285514A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
tested
conductive layer
module
holes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910614513.4A
Other languages
English (en)
Inventor
游本懋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
To Mao Electronics Suzhou Co ltd
Chroma ATE Suzhou Co Ltd
Original Assignee
To Mao Electronics Suzhou Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by To Mao Electronics Suzhou Co ltd filed Critical To Mao Electronics Suzhou Co ltd
Priority to CN201910614513.4A priority Critical patent/CN112285514A/zh
Publication of CN112285514A publication Critical patent/CN112285514A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2601Apparatus or methods therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

本申请提供一种晶圆测试装置,用以测试待测晶圆,所述待测晶圆具有多个发光单元。所述晶圆测试装置包含晶圆测试载盘以及软性导电层。所述晶圆测试载盘具有第一表面,第一表面上设置有多个检测部。所述软性导电层可拆卸地设置于第一表面,软性导电层于垂直方向导电,于水平方向不导电。其中当测试待测晶圆时,待测晶圆放置于软性导电层上,且垂直方向上的每一个发光单元经由软性导电层电性连接所述多个检测部其中之一。

Description

晶圆测试装置
技术领域
本申请是有关于一种发光单元的测试装置,特别是关于一种测试晶圆中的发光单元的测试装置。
背景技术
随着激光技术的发展,雷射二极管可以应用在读写数据、通讯、发光、测量距离或感测各种物体等,用途十分地广泛。为了确保雷射二极管出货时的质量,于测试时需要点亮雷射二极管,并且检测雷射二极管的各种光电参数是否正常。一般来说,雷射二极管是利用半导体制程制造出来,基本上雷射二极管可分为边射型(edge emitting)与面射型(surface emitting)两类,近来面射型雷射二极管因结构与特性符合市场需求,渐成生产数量最大的类型。覆晶(flip chip)为半导体晶圆的一种结构,其连外电极做在磊晶结构(epitaxial layer)的反面,封装时可以同时完成固晶与封装电极连接,节省传统打线(wire bonding)的成本与时间。
未来覆晶型式的面射型雷射二极管(flip chip surface emitting laserdiode)将成低廉且广泛应用的光电组件,市场可期,然而任何半导体组件的生产,都必须检验筛选,雷射二极管的特性又与温度有极大关联性,有别于传统非覆晶结构的雷射二极管,覆晶型式的面射型雷射二极管测试尚未有可靠而有效的量产架构提出,本申请的目标,在于提出一快速有效、成本低廉、高可靠度、具备温度控制功能的测试架构,以解决该晶圆的测试难题。
发明内容
有鉴于此,本申请提出一种晶圆测试装置,在晶圆测试载盘上设置有多个检测部,待测晶圆上的多个发光单元可以直接电性连接所述多个检测部,从而不须接触待测晶圆的出光面。并且,晶圆测试载盘上更设置有软性导电层,软性导电层能够紧密接触各种发光单元的表面,可以避免发光单元表面不平整造成电性连接上的问题。因此,本申请的晶圆测试装置可以更有效率地检测待测晶圆上的发光单元。
本申请提供一种晶圆测试装置,用以测试待测晶圆,所述待测晶圆具有多个发光单元。所述晶圆测试装置包含晶圆测试载盘以及软性导电层。所述晶圆测试载盘具有第一表面,第一表面上设置有多个检测部。所述软性导电层可拆卸地设置于第一表面,软性导电层于垂直方向导电,于水平方向不导电。其中当测试待测晶圆时,待测晶圆放置于软性导电层上,且垂直方向上的每一个发光单元经由软性导电层电性连接所述多个检测部其中之一。
于一些实施例中,每一个检测部可以具有第一导电件与第二导电件,所述多个检测部是可以排列成第一数组,其中于第一数组同一行的检测部中,相邻的检测部的第一导电件彼此电性连接,于第一数组同一列的检测部中,相邻的检测部的第二导电件彼此电性连接。此外,每一个检测部可以对应所述多个发光单元其中之一,每一个检测部的第一导电件经由软性导电层电性连接对应的发光单元的第一接触垫,每一个检测部的第二导电件经由软性导电层电性连接对应的发光单元的第二接触垫。另外,晶圆测试装置更可以包含温度控制组件,温度控制组件邻近晶圆测试载盘的第二表面,第二表面相对于第一表面,温度控制组件用以提升或降低晶圆测试载盘的温度。并且,软性导电层具有良好的导热系数。
于一些实施例中,晶圆测试载盘更可以具有多个抽气孔,所述多个抽气孔是排列成第二数组,所述多个抽气孔的一端暴露于第一表面。此外,软性导电层可以具有多个贯孔,所述多个贯孔是排列成第二数组,且每一个贯孔对应所述多个抽气孔其中之一。另外,晶圆测试装置更可以包含抽气模块,抽气模块连接所述多个抽气孔,并依据抽气指令由所述多个抽气孔抽取气体。以及,晶圆测试装置更可以包含气密箱体与加压模块,至少晶圆测试载盘与软性导电层设置于气密箱体的容置空间中,且加压模块用以加压容置空间,使容置空间的气压值大于1atm。
于一些实施例中,晶圆测试装置更可以包含光学检测模块、水平移动模块以及处理模块。光学检测模块可以具有收光部用以接收光线,据以产生检测结果。水平移动模块可以受控于移动指令,据以移动晶圆测试载盘,使所述多个检测部其中之一对准光学检测模块的收光部。处理模块可以电性连接晶圆测试载盘、光学检测模块与水平移动模块,用以执行检测程序,以产生移动指令并接收检测结果。此外,当测试待测晶圆时,待测晶圆的非出光面可以接触软性导电层。
本申请还提供另一种晶圆测试装置,用以测试待测晶圆,待测晶圆具有多个发光单元。晶圆测试装置包含晶圆测试载盘以及软性导电层。晶圆测试载盘具有第一表面与多个抽气孔,第一表面上设置有多个检测部,每一个检测部具有第一导电件与第二导电件,每一个抽气孔的一端暴露于第一表面,所述多个检测部是排列成第一图案,所述多个抽气孔是排列成第二图案。软性导电层可拆卸地设置于第一表面,软性导电层于垂直方向导电,于水平方向不导电。其中软性导电层具有多个贯孔,所述多个贯孔是排列成第二图案,且每一个贯孔对应所述多个抽气孔其中之一。每一个抽气孔与相邻的第一导电件或第二导电件至少有第一距离,每一个抽气孔与相邻的另一个抽气孔至少有第二距离,第一距离小于或等于第二距离。
综上所述,本申请提供的晶圆测试装置可以在不接触待测晶圆出光面的情况下,大量且直接检测待测晶圆上的发光单元晶粒(die)。此外,本申请提供的晶圆测试装置具有软性导电层,发光单元可以经由软性导电层电性连接至检测部,可以克服接触不良的问题。另外,本申请提供的温度控制组件能使晶圆测试载盘上的待测晶圆操作于规范的温度。
有关本申请的其它功效及实施例的详细内容,配合附图说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1A是依据本申请一实施例的晶圆测试装置的功能方块图;
图1B是依据本申请一实施例的部分晶圆测试装置的结构示意图;
图2是依据本申请一实施例的晶圆测试载盘的上视示意图;
图3A是依据本申请一实施例的部分检测部的上视示意图;
图3B是依据本申请一实施例的部分检测部的功能方块图;
图4是依据本申请另一实施例的晶圆测试载盘的上视示意图;
图5A是依据本申请再一实施例的晶圆测试载盘的上视示意图;
图5B是依据图5A的实施例绘示部分检测部的上视示意图;
图6是依据本申请再一实施例的部分晶圆测试装置的结构示意图;
图7是依据本申请又一实施例的晶圆测试载盘的上视示意图;
图8是依据本申请更一实施例的晶圆测试载盘的上视示意图。
符号说明
1晶圆测试装置 10晶圆测试载盘
11软性导电层 12光学检测模块
13温度控制组件 14水平移动模块
15气密箱体 16处理模块
17加压模块 18抽气模块
19载台 DUT待测晶圆
2晶圆测试载盘 20第一表面
200、200a、200b、200c、200d 检测部
202a、202b、202c、202d 第一导电件
204a、204b、204c、204d 第二导电件
206第一驱动电路 208第二驱动电路
4晶圆测试载盘 40第一表面
400检测部 40a定位部
5晶圆测试载盘 50第一表面
500、500a检测部 502a第一导电件
504a第二导电件 506、506a抽气孔
60晶圆测试载盘 600抽气孔
61软性导电层 610贯孔
63温度控制组件 65气密箱体
69载台 690抽气管道
692管路 7、8晶圆测试载盘
70、80第一表面 700、800检测部
706、806 抽气孔
具体实施方式
有关本申请的前述及其它技术内容、特点与功效,在以下配合参考附图的一优选实施例的详细说明中,将可清楚的呈现。以下实施例中所提到的方向用语,例如:上、下、左、右、前或后等,仅是参考附图的方向。因此,使用的方向用语是用来说明并非用来限制本申请。
请参阅图1A,图1A是绘示依据本申请一实施例的晶圆测试装置的功能方块图。如图1A所示,晶圆测试装置1用来对待测晶圆DUT进行测试,待测晶圆DUT上具有多个发光单元(图未示)。在此,待测晶圆DUT内可以具有多个尚未进行晶圆切割(wafer dicing)的晶粒(die),每一个晶粒可以是一个或多个发光单元。所述发光单元例如可以是具有覆晶式(flip chip)结构的雷射二极管(LD),如面射式雷射二极管(vertical cavity surfaceemitting laser,VCSEL)。换句话说,本实施例的发光单元可以朝向一个出光面发出光线,而发光单元与出光面相对的侧面可以有接触垫(contacting pad)以接收驱动信号。
实务上,发光单元的接触垫至少有两个,以雷射二极管为例,所述两个接触垫可以分别是雷射二极管的阳极(anode)与阴极(cathode)。此外,待测晶圆DUT可以定义有一个上表面与下表面,所述上表面可以是待测晶圆DUT中的发光单元的出光面,所述下表面可以是出光面相对的侧面,并且下表面可以露出每个发光单元的接触垫。于所属技术领域具有通常知识者应能了解出光面的意义,本实施例不限制发光单元只能从出光面射出光线,于一个例子中,发光单元可以从出光面可以射出大部分的光线,但发光单元有可能从出光面以外的侧面漏光,致使待测晶圆DUT中的下表面也有可能看的到光线。
晶圆测试装置1可以具有晶圆测试载盘10、软性导电层11、光学检测模块12、温度控制组件13、水平移动模块14、气密箱体15、处理模块16、加压模块17以及抽气模块18。其中,处理模块16分别电性连接晶圆测试载盘10、光学检测模块12、温度控制组件13、水平移动模块14、加压模块17以及抽气模块18。晶圆测试载盘10是用来承载软性导电层11与待测晶圆DUT,以对待测晶圆DUT进行检测程序。在此,晶圆测试载盘10可以放置在载台(未示于图1A)上,且晶圆测试载盘10一侧的表面(第一表面)可以用来接触软性导电层11。软性导电层11并不一定需要固定在晶圆测试载盘10上,例如软性导电层11是可拆卸地设置于第一表面。实务上,软性导电层11可以由一块软性的绝缘材料构成,并且于所述绝缘材料中垂直穿设有大量的金属丝,从而使得软性导电层11可以于垂直方向导电,而于水平方向不导电。于所属技术领域具有通常知识者应可以了解,当待测晶圆DUT放置在软性导电层11上时,待测晶圆DUT上任一位置都会经由软性导电层11电性连接到正下方的晶圆测试载盘10的对应位置上。并且,有别于直接将待测晶圆DUT放置在晶圆测试载盘10的第一表面,可能因为待测晶圆DUT的表面不平整,而使待测晶圆DUT不一定能紧密贴合晶圆测试载盘10的第一表面。由于本实施例的软性导电层11并不是硬质材料,纵使待测晶圆DUT的表面不平整,晶圆测试载盘10经过软性导电层11可以更有效率地接触待测晶圆DUT。
由于软性导电层11已经装设在晶圆测试载盘10上,当待测晶圆DUT被正确地放置在软性导电层11上,即待测晶圆DUT也被晶圆测试载盘10承载。处理模块16可以依据待测晶圆DUT上的检测区域不同,驱动水平移动模块14执行待测晶圆DUT的定位与校准。易言之,处理模块16可以电性连接水平移动模块14并产生移动指令,水平移动模块14依据移动指令移动载台,并由载台连动晶圆测试载盘10,使得承载于晶圆测试载盘10的待测晶圆DUT一起移动。
于一个例子中,晶圆测试装置1如果要测试待测晶圆DUT上的特定发光单元,水平移动模块14需要移动载台,使得载台带动晶圆测试载盘10和待测晶圆DUT,使待测晶圆DUT上的特定发光单元可以对准光学检测模块12。较佳的是,待测晶圆DUT上的特定发光单元可以对准光学检测模块12的收光部(图未示),让待测晶圆DUT上的特定发光单元被驱动或点亮之后,所述特定发光单元产生的光线可以垂直进入收光部,避免光线散出影响检测结果。以实际的例子来说,光学检测模块12可以是积分球(integrating sphere),用来接收待测晶圆DUT上的发光单元产生的光线,以产生数字的检测结果。藉此,处理模块16能够依据光学检测模块12提供的检测结果,分析特定发光单元是否正确且稳定的发出光线,以判断特定发光单元是否正常工作。
另一方面,本实施例不限制水平移动模块14带动载台的手段,例如水平移动模块14可以具有轨道,载台固定于轨道上,使得水平移动模块14可以拉动(pull)或推动(push)载台。因待测晶圆DUT放置在晶圆测试载盘10上,从而当水平移动模块14依据处理模块16的移动指令移动载台时,待测晶圆DUT当然可以随着晶圆测试载盘10与载台一起移动。本实施例的水平移动模块14于检测程序中,水平移动模块14仅需要在一水平面上移动载台和晶圆测试载盘10,不需要垂直移动,且所述水平面可以大致上平行于待测晶圆DUT的出光面。于所属技术领域具有通常知识者可知,若不需要垂直移动载台和晶圆测试载盘10,可以免除光学检测模块12重新对焦或光路调整的步骤。
此外,载台的一侧面可以设置晶圆测试载盘10,而另一侧的表面可以用来接触温度控制组件13。换句话说,温度控制组件13和待测晶圆DUT会位于晶圆测试载盘10的相对两侧,即晶圆测试载盘10的另一侧的表面(第二表面)会邻近温度控制组件13。例如,晶圆测试载盘10的第一表面接触待测晶圆DUT,而晶圆测试载盘10的第二表面接触载台。在此,温度控制组件13可以用电线连接至处理模块16,并由处理模块16控制。此外,温度控制组件13可以使用电阻或主动组件的加热器进行加热,且温度控制组件13也可以使用热电致冷组件(thermoelectric cooler)进行降温。加温或降温的方式很多,本实施例不加以限制,例如还可以用液体、气体进行升温或降温。于所属技术领域具有通常知识者可知,温度控制组件13于升温或降温时,由于温度控制组件13接触晶圆测试载盘10的第二表面,可以利用热传导调整晶圆测试载盘10的温度。从而,与晶圆测试载盘10第一表面侧接触的软性导电层11与待测晶圆DUT也可以通过热传导改变温度。
实务上,本实施例温度控制组件13可以控制待测晶圆DUT的温度,例如处理模块16可以利用温度侦测器(图未示)侦测待测晶圆DUT温度,当待测晶圆DUT测得的温度过高,处理模块16可以启动温度控制组件13(例如热电致冷组件)进行降温。反之,当待测晶圆DUT测得的温度过低,处理模块16可以启动温度控制组件13(例如电阻或主动组件的加热器)进行升温。所述用温度侦测器可以例如设置在载台上,本实施例不加以限制。从而,经由温度控制组件13和载台的热传导,使得载台上的晶圆测试载盘10、软性导电层11及待测晶圆DUT可以保持温度恒定。于实际操作上,往往需要检测待测晶圆DUT中的发光单元在各种不同温度下的光电特性,处理模块16可以设定温度控制组件13维持多个不同的温度,例如,处理模块16可以设定温度控制组件13维持在25度、50度或70度。
另外,晶圆测试装置1可以更具有气密箱体15、加压模块17与抽气模块18,气密箱体15可以用于容置晶圆测试载盘10、软性导电层11、温度控制组件13及待测晶圆DUT。请一并参阅图1A与图1B,图1B是绘示依据本申请一实施例的部分晶圆测试装置的结构示意图。如图所示,晶圆测试载盘10、软性导电层11、温度控制组件13、载台19及待测晶圆DUT可以容置于气密箱体15的内部(容置空间)。加压模块17是用于增加气密箱体15的容置空间中的气压。于一个例子中,加压模块17不设置在容置空间中,例如以用气体管线连接至气密箱体15的容置空间。抽气模块18是用于抽取待测晶圆DUT和软性导电层11之间的空气,较佳的是,抽气模块18可以将待测晶圆DUT和软性导电层11之间抽取至接近真空。又例如,抽气模块18也不设置在容置空间中,例如抽气模块18可以用气体管线连接至待测晶圆DUT和软性导电层11之间。于一个例子中,晶圆测试装置1通过软性导电层11、加压模块17与抽气模块18的配合,将待测晶圆DUT紧密地压紧于软性导电层11上,使得晶圆测试载盘10经过软性导电层11可以更有效率地接触待测晶圆DUT。
以实际操作的例子来说,如果没有气密箱体15,则环境气压常理上大约是1大气压(1atm)。若抽气模块18将待测晶圆DUT和软性导电层11之间抽取至接近真空,则可知待测晶圆DUT和软性导电层11之间与外部相差1atm,即待测晶圆DUT会受到每平方公分1.0336公斤重的压力(1.0336kgw/cm2)压向软性导电层11。软性导电层11的导电阻抗与压力相关,压力不足会造成导电阻抗过高而影响测试的正确性,虽然软性导电层11还是可以服贴于待测晶圆DUT表面,在某些测试条件下,尤其是大电流的测试,必须适度加压以降低导电阻抗至可接受范围,才能做出正确的测试结果。
承接上述,如果有气密箱体15,则加压模块17可以将气密箱体15内部加压超过环境的气压值,例如使容置空间的气压值大于1atm。以加压模块17可以将气密箱体15内部加压至5atm为例,此时若抽气模块18将待测晶圆DUT和软性导电层11之间抽取至接近真空,则可知待测晶圆DUT和软性导电层11之间与外部相差5atm,即待测晶圆DUT会受到每平方公分5.168公斤重的压力(5.168kgw/cm2)压向软性导电层11。显然,通过可以将待测晶圆DUT更紧密地压紧于软性导电层11上,使得晶圆测试载盘10经过软性导电层11可以更有效率地接触待测晶圆DUT。实务上,加压模块17的加压程度也可以自由调整,例如工程师可以设定不同的加压指令。若待测晶圆DUT表面平整性较差,则操作时可以通过加压指令加大一些加压模块17的加压程度,使得待测晶圆DUT每平方公分受到的压力提高。又例如,若待测晶圆DUT表面平整性较好,则操作时可以通过加压指令降低一些加压模块17的加压程度,使得待测晶圆DUT每平方公分受到的压力降低。当然,加压模块17的加压程度也关联于软性导电层11的导电阻抗。于所属技术领域具有通常知识者可知,如果待测晶圆DUT只是轻放于软性导电层11上,纵使待测晶圆DUT已和软性导电层11电性连接,但待测晶圆DUT和软性导电层11之间的导电阻抗仍相对较高。为了使软性导电层11的导电阻抗下降,加压模块17应该适当的加压,将待测晶圆DUT压紧于软性导电层11上。
此外,抽气模块18受控于处理模块16的抽气指令,当抽气模块18收到抽气指令而开始抽气时,将待测晶圆DUT和软性导电层11之间抽取至接近真空,可以使待测晶圆DUT被吸附在软性导电层11和晶圆测试载盘10上。藉此,于移动晶圆测试载盘10时,还可以避免待测晶圆DUT产生不必要的晃动或偏移。以实际的例子来说,晶圆测试装置1于检测状态时,抽气模块18应是保持抽气,使得待测晶圆DUT可以稳固地被吸附在软性导电层11和晶圆测试载盘10上,而晶圆测试装置1于非检测状态时,抽气模块18可以停止抽气,使得工作人员可以更换或调整待测晶圆DUT。
为了更清楚的说明晶圆测试载盘的结构,本实施例特别将晶圆测试载盘另外绘制。请参阅图2以及图3A,图2是绘示依据本申请一实施例的晶圆测试载盘的上视示意图,图3A是绘示依据本申请一实施例的部分检测部的上视示意图。如图所示,本实施例的晶圆测试载盘2可以具有第一表面20,第一表面20设置有多个检测部200。于一个例子中,晶圆测试载盘2可以是一个板体,放置在载台上。在承载待测晶圆DUT时,晶圆测试载盘2的第一表面20可以面向待测晶圆DUT的下表面,多个检测部200可以对应多个发光单元。实务上,晶圆测试载盘2可以随着待测晶圆改变,例如不同的待测晶圆可以选用不同的晶圆测试载盘,或可以依据待测晶圆设计新的晶圆测试载盘。
于一个例子中,每个检测部200会对应一个发光单元。易言之,如果待测晶圆DUT中的多个发光单元排列成第一数组,那么晶圆测试载盘2中的多个检测部200也会排列成第一数组,然而本申请不限制检测部200和发光单元是一对一的对应关系。于另一个例子中,多个检测部也可以只对应一个区域中的某些发光单元,抽样检测待测晶圆中部分的发光单元,而非检测每一个发光单元。
晶圆测试载盘2中的多个检测部200排列成第一数组时,为了方便说明,以图3A的例子来说,有检测部200a、检测部200b、检测部200c以及检测部200d,检测部200a和检测部200b可例如位于所述第一数组的同一列,检测部200c和检测部200d可例如位于所述第一数组的同一列,检测部200a和检测部200c可例如位于所述第一数组的同一行,检测部200b和检测部200d可例如位于所述第一数组的同一行,从而检测部200a、检测部200b、检测部200c以及检测部200d排列成一个2x2的数组。
实务上,多个检测部200可以排列成多个数组,例如图2的多个检测部200可以分成1个5x11的数组、2个3x5的数组、4个2x1的数组以及4个1x1的数组,只要每个数组中的检测部200都可以对应待测晶圆的发光单元,皆应属本实施例的范畴。从另一个角度来说,多个检测部200不一定需要排列成数组,也可以排列成一个或多个特定图案(pattern),同样的,只要图案中的检测部200都可以对应待测晶圆的发光单元,也皆应属本实施例的范畴。值得一提的是,纵使有少数检测部200没有对应到待测晶圆的发光单元,只要这些未对应发光单元的检测部200不会造成检测程序的故障或损害,或是这些未对应发光单元的检测部200可以被很简单地绕过(bypass),仍应属本实施例的简易变化范畴。
以图3A示范的其中一个检测部200a来说,检测部200a可以具有导电件202a(或称第一导电件)与导电件204a(或称第二导电件),导电件202a与导电件204a可以分别对应待测晶圆DUT中同一个发光单元的两个接触垫,例如导电件202a可以对应阳极的接触垫,导电件204a可以对应阴极的接触垫。从而,当检测部200a被驱动时,可以由导电件202a将驱动电流经过软性导电层(未示于图3A)馈入对应发光单元的阳极,并由导电件204a经过软性导电层接收从发光单元阴极离开的驱动电流,形成一个完整的电流回路。当然,本实施例仅示意检测部中导电件与发光单元中接触垫的对应关系,导电件202a也可以对应阴极的接触垫,导电件204a也可以对应阳极的接触垫,只要检测部对应一个发光组件,且两个导电件分别对应不同的接触垫,本实施例不限制第一导电件与第二导电件对应阳极或阴极。
于一个例子中,于同一个数组中,相同一行的检测部的第一导电件彼此电性连接,相同一列的检测部的第二导电件彼此电性连接。换句话说,由于检测部200a和检测部200c位于所述第一数组的同一行,检测部200a的导电件202a与检测部200c的导电件202c可以彼此电性连接。以及,由于检测部200a和检测部200b位于所述第一数组的同一列,检测部200a的导电件204a与检测部200b的导电件204b可以彼此电性连接。同理,检测部200b的导电件202b与检测部200d的导电件202d可以彼此电性连接,检测部200c的导电件204c与检测部200d的导电件204d可以彼此电性连接。
实务上,于检测程序中,检测部200a、检测部200b、检测部200c以及检测部200d可以按一定顺序被驱动。为了方便说明,请一并参阅图3A与图3B,图3B是绘示依据本申请一实施例的部分检测部的功能方块图。如图所示,晶圆测试载盘2可以更具有第一驱动电路206与第二驱动电路208,第一驱动电路206可以具有多个第一端口(图未示),每个第一端口可以电性连接其中一行的检测部,第二驱动电路208可以具有多个第二端口(图未示),每个第二端口可以电性连接其中一列的检测部。
以图3B的例子来说,第一驱动电路206的第一个(其中一个)第一端口可以连接检测部200a以及检测部200c,特别是电性连接导电件202a以及导电件202c,而第一驱动电路206的第二个(另一个)第一端口可以连接检测部200b以及检测部200d,特别是电性连接导电件202b以及导电件202d。另一方面,第二驱动电路208的第一个(其中一个)第二端口可以连接检测部200a以及检测部200b,特别是电性连接导电件204a以及导电件204b,而第二驱动电路208的第二个(另一个)第二端口可以连接检测部200c以及检测部200d,特别是电性连接导电件204c以及导电件204d。
本实施例并不限制第一驱动电路206与第二驱动电路208是否设置在第一表面20上。于一个例子中,第一驱动电路206与第二驱动电路208可以设置在第一表面20,可以避免妨碍待测晶圆DUT放置第一表面20的相对面(第二表面)。此外,第一驱动电路206与第二驱动电路208不仅可以是两个分开的实体电路,实务上也有可能被整合于同一个芯片中。于一个例子中,若是晶圆测试装置更具有图1A的抽气模块18,当抽气模块18收到抽气指令而开始抽气时,可以使待测晶圆DUT被吸附在晶圆测试载盘2上。于另一个例子中,第一表面20上可以设置有气密结构(图未示),图1A的软性导电层11可以大致与第一表面20维持气密。使得待测晶圆DUT放置在软性导电层和第一表面20上时,抽气模块18可以将顺利抽取待测晶圆DUT和软性导电层中间的气体,形成负压环境而把待测晶圆DUT压向软性导电层和第一表面20。
以实际操作来说,当晶圆测试载盘2要检测检测部200a对应的发光单元时,首先要先确保检测部200a对应的发光单元在正确的位子上。于一个例子中,光学检测模块是被固定的,只有晶圆测试载盘2可以被水平移动模块移动。此时,处理模块可以基于默认的坐标参数,输出移动指令控制水平移动模块,将检测部200a对应的发光单元移动到光学检测模块的收光部正下方。接着,处理模块可以控制第一驱动电路206输出驱动信号到第一个第一端口,导通导电件202a以及导电件202c,并且处理模块可以同时控制第二驱动电路208输出驱动信号到第一个第二端口,导通导电件204a以及导电件204b。此时,由于导电件202a以及导电件204a同时被导通,检测部200a对应的发光单元即受到驱动,而产生光线。光学检测模块的收光部接收到发光单元产生的光线后,便可输出检测结果以供处理模块做后续判断。在此,其他的检测部如检测部200c或检测部200b,因为并未同时被导通两个导电件,因此处理模块不会错误地驱动检测部200c或检测部200b对应的发光单元,可以使检测结果不受干扰。
当然,如果晶圆测试载盘2要接着检测检测部200b的发光单元时,处理模块同样可以基于预设的坐标参数,输出移动指令控制水平移动模块,将检测部200b对应的发光单元移动到光学检测模块的收光部正下方。于所属技术领域具有通常知识者可知,在光学检测模块保持不动,仅水平移动晶圆测试载盘2的情况下,光学检测模块到发光单元的距离应保持相同,从而可以节省再次光路调整的时间。接着,处理模块可以控制第一驱动电路206输出驱动信号到第二个第一端口,导通导电件202b以及导电件202d,并且处理模块可以同时控制第二驱动电路208输出驱动信号到第一个第二端口,导通导电件204a以及导电件204b。此时,由于导电件202b以及导电件204b同时被导通,检测部200b对应的发光单元即受到驱动,而产生光线。同样地,光学检测模块的收光部接收到发光单元产生的光线后,便可输出检测结果以供处理模块做后续判断。
此外,为了更快速地确保检测部对应的发光单元在正确的位子上,以利后续检测,晶圆测试载盘更可以有定位部。请参阅图4,图4是绘示依据本申请另一实施例的晶圆测试载盘的上视示意图。如图4所示,与前一实施例相同的是,本实施例的晶圆测试载盘4同样具有第一表面40(例如从图4看入的表面),第一表面40上设置有多个检测部400。与前一实施例不同的是,第一表面40更可具有定位部40a,定位部40a具有特殊的外观形状,而所述外观形状关联于待测晶圆DUT的定位结构。实务上,待测晶圆DUT在制作完成时,往往会预先在待测晶圆DUT的一侧切割出一个缺口,这个缺口即是待测晶圆DUT的定位结构,第一表面40的定位部40a外观形状可以与待测晶圆DUT的定位结构类似,从而可以先将待测晶圆DUT的定位结构对准定位部40a,而使待测晶圆DUT可以快速摆放在第一表面40上的正确位置。本实施例并不限制定位部40a的数量,如果待测晶圆DUT预先设计有多个定位结构,则晶圆测试载盘4也可以设计对应定位结构数量的定位部40a。另外,本实施例也不限制定位部40a的外观形状,只要定位部40a的外观形状能方便待测晶圆DUT的定位结构对准,即属本实施例定位部40a的范畴。于一个例子中,放置在第一表面40上的软性导电层(未示于图4)也可能具有定位部,由于软性导电层会预先对准第一表面40上的正确位置,从而待测晶圆DUT也可能依据软性导电层的定位部快速摆放至正确位置。
另外,为了使抽气模块抽气更有效率,于一个例子中,晶圆测试载盘的第一表面上可以设置有抽气孔。请一并参阅图5A与图5B,图5A是绘示依据本申请再一实施例的晶圆测试载盘的上视示意图。图5B是依据图5A的实施例绘示部分检测部的上视示意图。如图所示,与前述实施例相同的是,本实施例的晶圆测试载盘5同样具有第一表面50(例如从图5A看入的表面),第一表面50上设置有多个检测部500,多个检测部500可以排列成第一数组或第一图案。与前一实施例不同的是,第一表面50更可具有多个抽气孔506,抽气孔506可以排列成第二数组或第二图案,且抽气孔506的一端暴露于第一表面50。
实务上,抽气孔506的数量可以与检测部500的数量相同,也就是说,每一个检测部500中会对应设置一个抽气孔506。以图5B的例子来说,第一表面50上的任一个检测部500a除了可以有导电件502a以及导电件504a之外,更可以有一个抽气孔506a。如此一来,第一数组应与第二数组相同,而第一图案应与第二图案类似,然而因抽气孔506在检测部500内,故第二图案的长与宽(或面积)可能略小于第一图案。
本实施例不限制抽气孔506a于检测部500a里面的位置,或抽气孔506a的外观形状。于一个例子中,抽气孔506a可以对称于导电件502a以及导电件504a,也就是抽气孔506a的中心可以在导电件502a以及导电件504a的中在线。这个好处是,可以使抽气较为均匀,让接触垫经过软性导电层平均压在导电件502a与导电件504a上,避免压力集中在某一个导电件。另外,抽气孔506a暴露于第一表面的外观形状可以是圆形、矩形或其他适当的形状,本实施例在此不加以限制。实务上,抽气孔506a是一端开口于第一表面50,另一端则连接到抽气模块。在此,本实施例不限制抽气孔506a另一端的开口是开在晶圆测试载盘5的哪一个表面,例如抽气孔506a另一端的开口可以开在晶圆测试载盘5的第二表面,第二表面可以恰好是第一表面的背面,从而抽气孔506a可以是上下式的贯孔,并且从晶圆测试载盘5的第二表面连接到抽气模块。又例如,抽气孔506a另一端的开口可以开在晶圆测试载盘5的侧表面,所述侧表面非前述的第一表面或第二表面,从而抽气孔506a可以是从第一表面50垂直进入晶圆测试载盘5,而在晶圆测试载盘5内部为水平式的贯孔,并且从晶圆测试载盘5的侧表面连接到抽气模块。
此外,抽气孔506可以个别连接到抽气模块,或者多个抽气孔506在晶圆测试载盘5内彼此连通,整合成一个开口连接到抽气模块,本实施例不加以限制。另外,本实施例也不限制每个抽气孔506暴露于第一表面的面积,举例来说,检测部500a中的抽气孔506a于第一表面所占的面积,可大致上与导电件502a或导电件504a于第一表面所占的面积相同。
为了更清楚解释待测晶圆DUT如何吸附于晶圆测试载盘,请参阅图6,图6是绘示依据本申请再一实施例的部分晶圆测试装置的结构示意图。如图6所示,假设待测晶圆DUT、晶圆测试载盘60、软性导电层61、温度控制组件63与载台69都放置在气密箱体65内部的容置空间中,软性导电层61与温度控制组件63分别位于晶圆测试载盘60的两侧。详细来说,待测晶圆DUT放置在软性导电层61上,软性导电层61放置在晶圆测试载盘60上,晶圆测试载盘60放置在载台69上,使得待测晶圆DUT、软性导电层61、晶圆测试载盘60与载台69依序为层叠的结构。在此,晶圆测试载盘60可以有多个连通的抽气孔600,软性导电层61也可以有多个贯孔610,而每个抽气孔600可以对应到一个贯孔610。换句话说,抽气孔600的排列方式与贯孔610的排列方式可以大致上相同(例如都是第二图案)。如前所述,抽气孔600可以垂直穿过晶圆测试载盘60,而对应载台69上相应的抽气管道690。抽气管道690于载台69内部可以为水平延伸,并且露出于载台69的侧表面,接着可以用其他的管路692连接到气密箱体65外部的抽气模块(图未示)。气密箱体65的上侧面可以邻近待测晶圆DUT出光面,且所述上侧面可以由透光材料构成。因此,待测晶圆DUT的测试过程中,待测晶圆DUT的发光单元发出的光线可穿透气密箱体65。并由,前述的光学检测模块可以置于气密箱体65上方,以侦测发光单元发出的光线。
回到图5A,图5A虽然示范了抽气孔506的数量可以与检测部500的数量相同,每一个检测部500中会对应设置一个抽气孔506,但实务上只要抽气模块的抽气效率良好,且为了顾及晶圆测试载盘5的结构强度,抽气孔的数量也可以少于检测部的数量。请一并参阅图5A与图7,图7是绘示依据本申请又一实施例的晶圆测试载盘的上视示意图。如图所示,与前述实施例相同的是,本实施例的晶圆测试载盘7同样具有第一表面70(例如从图7看入的表面),第一表面上设置有多个检测部700,多个检测部700可以排列成第一数组或第一图案,且第一表面70同样具有多个抽气孔706,抽气孔706可以排列成第二数组或第二图案。与前一实施例不同的是,第一表面70上的抽气孔706数量较少,并非每一个检测部700中会对应设置一个抽气孔706,而是相隔一行的检测部700才会设置抽气孔706。如此一来,第一数组应大于第二数组,且第一图案所占面积也应大于第二图案所占面积。
当然,本实施例并不限制抽气孔的数量,请一并参阅图7与图8,图8是绘示依据本申请更一实施例的晶圆测试载盘的上视示意图。如图所示,与前述实施例相同的是,本实施例的晶圆测试载盘8同样具有第一表面80,第一表面80具有第一表面(例如从图8看入的表面),第一表面上设置有多个检测部800,多个检测部800可以排列成第一数组或第一图案,且第一表面80同样具有多个抽气孔806,抽气孔806可以排列成第二数组或第二图案。与前一实施例不同的是,第一表面80上的抽气孔806数量又更少了,相隔一行且相隔一列的检测部800才会设置抽气孔806。当然,第一数组应大于第二数组,且第一图案所占面积也应大于第二图案所占面积。
图5A、图7或图8所绘示的抽气孔,实务上可以位于第一表面的周缘之内。此外,为了保持较佳的抽气效果,当待测晶圆DUT放置在第一表面上时,待测晶圆DUT应能盖住这些抽气孔,使得抽气模块抽气时,每一个抽气孔都能够发挥抽取待测晶圆DUT与第一表面间气体的功能。另外,每一个抽气孔与相邻的第一导电件或第二导电件至少有第一距离,每一个抽气孔与相邻的另一个抽气孔至少有第二距离,第一距离小于或等于第二距离。以图5A和图5B的例子来说,导电件502a和导电件504a到抽气孔506a的距离大致相等,定义为第一距离。相邻的抽气孔506之间的距离定义为第二距离,实务上第二距离会大于第一距离。特别是以图8的例子更为明显,相邻的抽气孔806之间至少间隔一整个检测部800的距离,显大于同一个检测部800中的导电件到抽气孔的距离。
于一个例子中,如果待测晶圆DUT内的晶粒较小,则对应到的检测部800尺寸也应较小,此时第一距离可以在0.2-0.4mm之间,实务上第二距离和第一距离的差异可以较大。以第一距离是0.25mm为例,为了兼顾结构强度、抽气与散热的效果,第二距离可以是两倍的第一距离,即0.5mm。于另一个例子中,如果待测晶圆DUT内的晶粒较大,则对应到的检测部800尺寸自然较大,此时第一距离可以在0.5-20mm之间,实务上第二距离和第一距离的差异可以较小。以第一距离是0.5mm为例,为了兼顾结构强度、抽气与散热的效果,第二距离可以恰好是的第一距离,即0.5mm。
于一个例子中,抽气孔与第一表面的周缘有第三距离,第一距离小于或等于第三距离。由图8的例子说明,抽气孔806到第一表面80的边缘的距离,定义为第三距离,所述第三距离应大于或等于同一个检测部800中的导电件到抽气孔的距离。藉此,可以避免抽气孔806因离第一表面80的边缘过近,而产生漏气或第一表面80结构强度不构的问题。
综上所述,本申请提供的晶圆测试装置可以在不接触待测晶圆出光面的情况下,大量且直接检测待测晶圆上的发光单元晶粒(die)。此外,本申请提供的晶圆测试装置具有软性导电层,发光单元可以经由软性导电层电性连接至检测部,可以克服接触不良的问题。另外,本申请提供的温度控制组件能使晶圆测试载盘上的待测晶圆操作于规范的温度。
以上所述的实施例及/或实施方式,仅是用以说明实现本申请技术的较佳实施例及/或实施方式,并非对本申请技术的实施方式作任何形式上的限制,任何本领域技术人员,在不脱离本申请内容所公开的技术手段的范围,当可作些许的更动或修改为其它等效的实施例,但仍应视为与本申请实质相同的技术或实施例。

Claims (15)

1.一种晶圆测试装置,用以测试一待测晶圆,该待测晶圆具有多个发光单元,其特征在于,该晶圆测试装置包含:
一晶圆测试载盘,具有一第一表面,该第一表面上设置有多个检测部;以及
一软性导电层,可拆卸地设置于该第一表面,该软性导电层于一垂直方向导电,于一水平方向不导电;
其中当测试该待测晶圆时,该待测晶圆放置于该软性导电层上,且该垂直方向上的每一该发光单元经由该软性导电层电性连接该些检测部其中之一。
2.如权利要求1所述的晶圆测试装置,其特征在于,每一该检测部具有一第一导电件与一第二导电件,该些检测部是排列成一第一数组,其中于该第一数组同一行的该些检测部中,相邻的该检测部的该第一导电件彼此电性连接,于该第一数组同一列的该些检测部中,相邻的该检测部的该第二导电件彼此电性连接。
3.如权利要求2所述的晶圆测试装置,其特征在于,每一该检测部对应该些发光单元其中之一,每一该检测部的该第一导电件经由该软性导电层电性连接对应的该发光单元的一第一接触垫,每一该检测部的该第二导电件经由该软性导电层电性连接对应的该发光单元的一第二接触垫。
4.如权利要求1所述的晶圆测试装置,其特征在于,该晶圆测试载盘更具有多个抽气孔,该些抽气孔是排列成一第二数组,该些抽气孔的一端暴露于该第一表面。
5.如权利要求4所述的晶圆测试装置,其特征在于,该软性导电层具有多个贯孔,该些贯孔是排列成该第二数组,且每一该贯孔对应该些抽气孔其中之一。
6.如权利要求5所述的晶圆测试装置,其特征在于,更包含一抽气模块,该抽气模块连接该些抽气孔,并依据一抽气指令由该些抽气孔抽取气体。
7.如权利要求6所述的晶圆测试装置,其特征在于,更包含一气密箱体与一加压模块,至少该晶圆测试载盘与该软性导电层设置于该气密箱体的一容置空间中,且该加压模块用以加压该容置空间,使该容置空间的气压值大于1atm。
8.如权利要求1所述的晶圆测试装置,其特征在于,更包含一温度控制组件,该温度控制组件邻近该晶圆测试载盘的一第二表面,该第二表面相对于该第一表面,该温度控制组件用以提升或降低该晶圆测试载盘的温度。
9.如权利要求1所述的晶圆测试装置,其特征在于,更包含:
一光学检测模块,具有一收光部用以接收光线,据以产生一检测结果;
一水平移动模块,受控于一移动指令,据以移动该晶圆测试载盘,使该些检测部其中之一对准该光学检测模块的该收光部;以及
一处理模块,电性连接该晶圆测试载盘、该光学检测模块与该水平移动模块,用以执行一检测程序,以产生该移动指令并接收该检测结果。
10.如权利要求1所述的晶圆测试装置,其特征在于,当测试该待测晶圆时,该待测晶圆的一非出光面接触该软性导电层。
11.一种晶圆测试装置,用以测试一待测晶圆,该待测晶圆具有多个发光单元,其特征在于,该晶圆测试装置包含:
一晶圆测试载盘,具有一第一表面与多个抽气孔,该第一表面上设置有多个检测部,每一该检测部具有一第一导电件与一第二导电件,每一该抽气孔的一端暴露于该第一表面,该些检测部是排列成一第一图案,该些抽气孔是排列成一第二图案;以及
一软性导电层,可拆卸地设置于该第一表面,该软性导电层于一垂直方向导电,于一水平方向不导电;
其中该软性导电层具有多个贯孔,该些贯孔是排列成该第二图案,且每一该贯孔对应该些抽气孔其中之一;
其中每一该抽气孔与相邻的该第一导电件或该第二导电件至少有一第一距离,每一该抽气孔与相邻的另一该抽气孔至少有一第二距离,该第一距离小于或等于该第二距离。
12.如权利要求11所述的晶圆测试装置,其特征在于,该些抽气孔位于该第一表面的周缘之内,且该些抽气孔与该第一表面的周缘有一第三距离,该第一距离小于或等于该第三距离。
13.如权利要求11所述的晶圆测试装置,其特征在于,当测试该待测晶圆时,该待测晶圆放置于该软性导电层上,该待测晶圆的一非出光面接触该软性导电层,且该些抽气孔对应在该非出光面的周缘之内。
14.如权利要求11所述的晶圆测试装置,其特征在于,该第一图案为一第一数组,于该第一数组同一行的该些检测部中,相邻的该检测部的该第一导电件电性连接,于该第一数组同一列的该些检测部中,相邻的该检测部的该第二导电件电性连接。
15.如权利要求11所述的晶圆测试装置,其特征在于,更包含一温度控制组件,该温度控制组件邻近该晶圆测试载盘的一第二表面,该第二表面相对于该第一表面,该温度控制组件用以提升或降低该晶圆测试载盘的温度。
CN201910614513.4A 2019-07-09 2019-07-09 晶圆测试装置 Pending CN112285514A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910614513.4A CN112285514A (zh) 2019-07-09 2019-07-09 晶圆测试装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910614513.4A CN112285514A (zh) 2019-07-09 2019-07-09 晶圆测试装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112285514A true CN112285514A (zh) 2021-01-29

Family

ID=74418998

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910614513.4A Pending CN112285514A (zh) 2019-07-09 2019-07-09 晶圆测试装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112285514A (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003078170A (ja) * 2001-09-05 2003-03-14 Sony Corp 回路素子の検査方法及びその検査構造、回路素子内蔵基板及びその製造方法、並びに電気回路装置及びその製造方法
TW545583U (en) * 2002-05-10 2003-08-01 Chipmos Technologies Inc Modular probe card assembly
CN1449010A (zh) * 2002-03-29 2003-10-15 株式会社东芝 半导体测试装置、半导体器件测试用接触基板、半导体器件的测试方法、半导体器件及其制造方法
CN200947107Y (zh) * 2006-08-04 2007-09-12 宏亿国际股份有限公司 一种晶圆测试卡
US20180040522A1 (en) * 2016-08-08 2018-02-08 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor wafer and method of backside probe testing through opening in film frame
CN109849201A (zh) * 2017-11-30 2019-06-07 北京中科镭特电子有限公司 一种晶圆劈裂装置及其方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003078170A (ja) * 2001-09-05 2003-03-14 Sony Corp 回路素子の検査方法及びその検査構造、回路素子内蔵基板及びその製造方法、並びに電気回路装置及びその製造方法
CN1449010A (zh) * 2002-03-29 2003-10-15 株式会社东芝 半导体测试装置、半导体器件测试用接触基板、半导体器件的测试方法、半导体器件及其制造方法
TW545583U (en) * 2002-05-10 2003-08-01 Chipmos Technologies Inc Modular probe card assembly
CN200947107Y (zh) * 2006-08-04 2007-09-12 宏亿国际股份有限公司 一种晶圆测试卡
US20180040522A1 (en) * 2016-08-08 2018-02-08 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor wafer and method of backside probe testing through opening in film frame
CN109849201A (zh) * 2017-11-30 2019-06-07 北京中科镭特电子有限公司 一种晶圆劈裂装置及其方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI704360B (zh) 覆晶式面射型雷射二極體之晶圓測試裝置
US9038883B2 (en) VCSEL packaging
US10651624B2 (en) Optoelectronic modules having features for improved alignment and reduced tilt
TWI416143B (zh) Method for measuring the performance of electronic parts and measuring performance of electronic parts
TWI459005B (zh) 發光二極體晶片測試器
CN111433900A (zh) 检查装置
JP2007019237A (ja) 両面発光素子用プロービング装置
JP5970552B2 (ja) 試験用治具、検査装置、載置装置および試験装置
TWI674412B (zh) 晶圓測試載盤與晶圓測試裝置
CN111103442A (zh) 晶圆测试载盘与晶圆测试装置
EP3867681B1 (en) Display fabrication microassembly system
US20200303894A1 (en) Fixture assembly for testing surface emitting laser diodes and testing apparatus having the same
TW201307863A (zh) 半導體檢查裝置
US8652857B2 (en) Test apparatus, test method and manufacturing method for testing a device under test packaged in a test package
CN112285514A (zh) 晶圆测试装置
KR101528887B1 (ko) 발광다이오드 스크리닝 장치 및 방법
US20210278382A1 (en) Measurement apparatus for gas sensor
US11293973B2 (en) Optical test equipment with heating function
TWI742884B (zh) 具有加熱功能之光學檢測設備
JP2007288101A (ja) プローバにおけるウエハ保持方法、プローバ及び高熱伝導性シート
CN111929470A (zh) 用于测试面射型激光二极管的夹具组件及其测试设备
EP3882644B1 (en) Substrate support, test device, and method of adjusting temperature of substrate support
US20230253226A1 (en) Chip carrier
US8869386B2 (en) Device for precise assembly of light receiver on substrate
TW202401024A (zh) 用於晶片封裝測試之轉接器裝置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination