CN112242421A - 电致发光设备 - Google Patents

Abstract

本申请涉及电致发光设备。该电致发光设备包括依次堆叠的图像传感器结构、第一光阻挡结构、第一绝缘层和电致发光结构。电致发光结构包括下部电极、设置在下部电极上的发光层以及设置在发光层上的上部电极。第一光阻挡结构具有有效针孔。图像传感器结构包括与有效针孔重叠的有效图像传感器。下部电极不与有效针孔重叠。电致发光设备具有良好的指纹识别功能。

Description

电致发光设备

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年7月17日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0086097号韩国专利申请的优先权以及其权益，所述韩国专利申请的内容通过引用以其整体并入本文中。

技术领域

本公开的各种实施方式涉及电致发光设备。更具体地，本公开的实施方式涉及包括指纹传感器的电致发光设备。

背景技术

电致发光设备通过使用自发射发光二极管而具有快响应速度和高发光效率、亮度和视场。近来，随着以各种方式使用诸如智能电话和平板PC的电致发光设备，已经广泛使用利用用户的指纹等的生物信息认证方法。为了提供指纹感测功能，电致发光设备设置有指纹传感器，使得指纹传感器安装在电致发光设备中或安装至电致发光设备。

例如，指纹传感器可以被配置为光感测型传感器。光感测指纹传感器包括光源、透镜和光学传感器阵列。如果指纹传感器附接到发光面板，则电致发光设备的厚度可能增加，并且电致发光设备的生产成本可能增加。

发明内容

本公开的各种实施方式涉及一种电致发光设备，其比先前的设备薄，同时改善了可靠性。

本公开的实施方式提供了一种电致发光设备，其包括第一绝缘层、电致发光结构、第一光阻挡结构和图像传感器结构，其中：电致发光结构包括设置在第一绝缘层上的下部电极、设置在下部电极上的发光层和设置在发光层上的上部电极，第一光阻挡结构设置在第一绝缘层下方并且包括第一有效针孔，图像传感器结构设置在第一光阻挡结构下方并且包括与第一有效针孔重叠的有效图像传感器，其中下部电极不与第一有效针孔重叠。

在实施方式中，第一光阻挡结构还包括第一虚设针孔，其中第一虚设针孔位于第一有效针孔之间，并且第一有效针孔和第一虚设针孔在平面图中形成单个栅格布置。

在实施方式中，电致发光设备还包括第二光阻挡结构，第二光阻挡结构设置在第一光阻挡结构和图像传感器结构之间并且包括第二光阻挡区域和第二有效针孔，其中第二光阻挡区域不与第一有效针孔重叠并阻挡穿过第一虚设针孔的光，并且第二有效针孔与第一有效针孔重叠。

在实施方式中，电致发光设备还包括第二光阻挡结构，第二光阻挡结构设置在第一光阻挡结构和图像传感器结构之间并且包括第二光阻挡区域和第二有效针孔，其中第二光阻挡区域不与第一有效针孔重叠，并且第二有效针孔与第一有效针孔重叠。

在实施方式中，第二光阻挡区域包括附加针孔。

在实施方式中，电致发光设备还包括设置在附加针孔之上或之下并且与附加针孔重叠的光阻挡构件。

在实施方式中，附加针孔小于第二有效针孔。

在实施方式中，从第一有效针孔的光学中心到下部电极的最短平面距离大于在测量从第一有效针孔的光学中心到下部电极的所述最短平面距离的第一方向上从第一有效针孔的光学中心到第一有效针孔的内壁测量的平面距离。

在实施方式中，下部电极包括在平面图中最最靠近第一有效针孔的光学中心的单个第一下部电极以及在平面图中次最靠近第一有效针孔的光学中心的单个第二下部电极。

在实施方式中，从第一有效针孔的光学中心到单个第二下部电极的最短平面距离是在第二方向上测量的，并且第一方向和第二方向之间的角度不是k×180°，其中k是除零以外的整数。

在实施方式中，下部电极包括在平面图中最最靠近第一有效针孔的光学中心的单个第一下部电极以及在平面图中次最靠近第一有效针孔的光学中心的至少两个第二下部电极。

在实施方式中，下部电极包括在平面图中最最靠近第一有效针孔的光学中心的至少两个第一下部电极。

在实施方式中，电致发光设备还包括设置在第一绝缘层上并覆盖下部电极的边缘的像素限定层以及设置在像素限定层上以高于像素限定层的间隔部，其中从第一有效针孔的光学中心到间隔部的最短平面距离大于从第一有效针孔的光学中心到下部电极的最短平面距离。

在实施方式中，电致发光设备还包括触摸感测结构，触摸感测结构包括触摸感测电极和桥接部并且位于电致发光结构上方，其中桥接部将两个相邻的触摸感测电极彼此电联接，并且从第一有效针孔的光学中心到桥接部的最短平面距离大于从第一有效针孔的光学中心到间隔部的最短平面距离。

在实施方式中，电致发光设备还包括设置在第一绝缘层上并且覆盖下部电极的边缘的像素限定层以及设置在像素限定层上以高于像素限定层的间隔部，其中从第一有效针孔的光学中心到间隔部的最短平面距离大于在测量从第一有效针孔的光学中心到间隔部的所述最短平面距离的第三方向上从第一有效针孔的光学中心到第一有效针孔的内壁测量的平面距离。

在实施方式中，间隔部包括在平面图中最最靠近第一有效针孔的光学中心的单个第一间隔部以及在平面图中次最靠近第一有效针孔的光学中心的单个第二间隔部。

在实施方式中，从第一有效针孔的光学中心到单个第二间隔部的最短平面距离是在第四方向上测量的，并且第三方向和第四方向形成第二角度，并且第二角度不是m×180°，其中m是除零以外的整数。

在实施方式中，间隔部包括在平面图中最最靠近第一有效针孔的光学中心的单个第一间隔部以及在平面图中次最靠近第一有效针孔的光学中心的至少两个第二间隔部。

在实施方式中，间隔部包括在平面图中最最靠近第一有效针孔的光学中心的至少两个第一间隔部。

在实施方式中，电致发光设备还包括触摸感测结构，触摸感测结构包括触摸感测电极和桥接部并且位于电致发光结构上方，其中桥接部将两个相邻的触摸感测电极彼此电联接，并且从第一有效针孔的光学中心到桥接部的最短平面距离大于从第一有效针孔的光学中心到间隔部的最短平面距离。

在实施方式中，电致发光设备还包括触摸感测结构，触摸感测结构包括触摸感测电极和桥接部并且位于电致发光结构上方，其中，桥接部将两个相邻的触摸感测电极彼此电联接，并且从第一有效针孔的光学中心到桥接部的最短平面距离大于在测量从第一有效针孔的光学中心到桥接部所述最短平面距离的第五方向上从第一有效针孔的光学中心到第一有效针孔的内壁测量的平面距离。

在实施方式中，桥接部包括在平面图中最最靠近第一有效针孔的光学中心的单个第一桥接部以及在平面图中次最靠近第一有效针孔的光学中心的单个第二桥接部。

在实施方式中，从第一有效针孔的光学中心到单个第二桥接部的最短平面距离是在第六方向上测量的，并且第五方向和第六方向形成第三角度，并且第三角度是n×180°，其中n是除零以外的整数。

在实施方式中，桥接部包括在平面图中最最靠近第一有效针孔的光学中心的单个第一桥接部以及在平面图中次最靠近第一有效针孔的光学中心的至少两个第二桥接部。

在实施方式中，桥接部包括在平面图中最最靠近第一有效针孔的光学中心的至少两个第一桥接部。

在实施方式中，电致发光设备还包括触摸感测结构，触摸感测结构包括桥接部和设置在与桥接部不同的层上的触摸感测电极，并且触摸感测结构位于电致发光结构上方，其中桥接部将两个相邻的触摸感测电极彼此电联接，桥接部包括与触摸感测电极重叠的重叠区域，并且从第一有效针孔的光学中心到重叠区域的最短平面距离大于在测量从第一有效针孔的光学中心到重叠区域的所述最短平面距离的方向上从第一有效针孔的光学中心到第一有效针孔的内壁测量的平面距离。

在实施方式中，电致发光结构具有其中至少两个发光层重叠的重叠区域，并且第一有效针孔与重叠区域重叠。

在实施方式中，电致发光设备还包括设置在第一绝缘层上并覆盖下部电极的边缘的像素限定层以及设置在像素限定层上以高于像素限定层的间隔部，其中重叠区域不与间隔部重叠。

在实施方式中，电致发光设备还包括设置在第一绝缘层上并覆盖下部电极的边缘的像素限定层以及设置在像素限定层上以高于像素限定层的间隔部，其中间隔部在截面中具有位于间隔部的侧表面和上表面之间的弯曲边缘，间隔部在平面图中具有弯曲边缘，并且间隔部与第一有效针孔重叠。

在实施方式中，图像传感器结构还包括位于有效图像传感器之间的虚设图像传感器。

本公开的实施方式提供了一种电致发光设备，其包括电致发光结构、第一光阻挡结构和图像传感器结构，其中电致发光结构包括设置在绝缘层上的下部电极、设置在下部电极上的发光层以及设置在发光层上的上部电极，第一光阻挡结构位于与下部电极相同的层上，图像传感器结构位于绝缘层下方并包括有效图像传感器，其中电致发光结构包括下部电极、发光层和上部电极彼此重叠以发射光的发光区域，并且第一光阻挡结构包括与有效图像传感器重叠的第一有效针孔。

在实施方式中，第一光阻挡结构与下部电极整体形成为一体。

在实施方式中，第一光阻挡结构不电联接到下部电极，第一光阻挡结构具有不围绕下部电极的岛形状，并且第一光阻挡结构设置为多个。

在实施方式中，第一光阻挡结构电联接到上部电极。

在实施方式中，第一光阻挡结构不电联接到下部电极，第一光阻挡结构具有具备孔的网格形状，并且孔围绕下部电极。

在实施方式中，第一光阻挡结构电联接到上部电极。

在实施方式中，电致发光设备还包括第二光阻挡结构，第二光阻挡结构位于第一光阻挡结构和图像传感器结构之间并且包括第二有效针孔，其中第一有效针孔与第二有效针孔重叠，并且第一有效针孔小于第二有效针孔。

本公开的实施方式提供了一种电致发光设备，其包括电致发光结构、光阻挡结构、图像传感器结构和触摸感测结构，其中电致发光结构包括下部电极、设置在下部电极上的发光层以及设置在发光层上的上部电极，光阻挡结构设置在电致发光结构下方并且包括有效针孔，图像传感器结构设置在光阻挡结构下方并且包括与有效针孔重叠的图像传感器，触摸感测结构包括触摸感测电极和桥接部并且位于电致发光结构上方，其中下部电极不与有效针孔重叠，桥接部将两个相邻的触摸感测电极彼此电联接，并且从触摸感测电极和桥接部的组中选择的至少一个包括与有效针孔重叠的至少一个开口。

在实施方式中，电致发光结构包括下部电极、发光层和上部电极彼此重叠以发射光的发光区域，从触摸感测电极和桥接部的组中选择的至少一个还包括与发光区域重叠的孔，并且开口的尺寸大于孔的尺寸。

附图说明

图1A和图1B是根据本公开的实施方式的电致发光设备的平面图。

图2是根据本公开的实施方式的图1A或图1B中所示的电致发光设备的剖视图。

图3是根据本公开的实施方式的图2的光阻挡结构的平面图。

图4是根据本公开的实施方式的包括图2的光阻挡结构的电致发光设备的平面图。

图5A至图5D是根据本公开的实施方式的像素电路、针孔和图像传感器的布置的平面图。

图6是根据本公开的实施方式的图1A或图1B中所示的电致发光设备的剖视图。

图7是图2中所示的触摸感测结构的平面图。

图8A是图7的部分EA1的放大平面图。

图8B是根据本公开的实施方式的沿着图8A的线I-I'截取的剖视图。

图8C是根据本公开的实施方式的沿着图8A的线I-I'截取的剖视图。

图8D是图8A的部分EA2的放大平面图。

图9A是根据本公开的实施方式的图6中所示的电致发光设备的剖视图。

图9B是图9A的部分EA3的放大剖视图。

图9C是图9A的部分EA4的放大剖视图。

图10是根据本公开的实施方式的图6中所示的电致发光设备的剖视图。

图11是根据本公开的实施方式的图6中所示的电致发光设备的剖视图。

图12是根据本公开的实施方式的图6中所示的电致发光设备的剖视图。

图13是根据本公开的实施方式的图6中所示的电致发光设备的剖视图。

图14是根据本公开的实施方式的图6中所示的电致发光设备的剖视图。

图15是根据本公开的实施方式的图6中所示的电致发光设备的剖视图。

图16是根据本公开的实施方式的图6中所示的电致发光设备的剖视图。

图17是根据本公开的实施方式的图6中所示的电致发光设备的剖视图。

图18是根据本公开的实施方式的图17中所示的电致发光设备的平面图。

图19是根据本公开的实施方式的有效针孔、下部电极、间隔部和桥接部之间的位置关系的平面图。

图20是根据本公开的实施方式的有效针孔、下部电极、间隔部和桥接部之间的位置关系的平面图。

图21是根据本公开的实施方式的图1A或图1B中所示的像素电路的电路图。

图22是根据本公开的实施方式的图21中所示的像素的平面图。

图23是沿图22的线II-II'截取的剖视图。

图24是根据本公开的实施方式的图21中所示的像素的平面图。

具体实施方式

由于本公开允许各种变化和多个实施方式，因此将在附图中示出并在书面描述中详细描述特定实施方式。

在整个公开中，在本公开的各个附图和实施方式中，相同的附图标记可以指代相同的部件。为了清楚地示出，附图中的元件的尺寸可能被夸大。

在下文中，将参考附图详细描述本公开的示例性实施方式。本公开的示例性实施方式不是相互排斥的，而是可以组合使用。

图1A和图1B是根据本公开的实施方式的电致发光设备的平面图。更具体地，图1A和图1B是根据本公开的实施方式的电致发光设备的平面图，该电致发光设备具有其中定位有图像传感器的显示区域。

参照图1A和图1B，根据本公开的实施方式的电致发光设备1包括显示区域DA和非显示区域NDA。

根据实施方式，电致发光设备1可以具有各种形状。例如，电致发光设备1可以具有平坦矩形的形状，其具有分别平行于第一方向DR1和基本上垂直于第一方向DR1的第二方向DR2的两对平行边。电致发光设备1可以在图像显示方向上显示视觉信息。视觉信息可以包括文本、视频、照片、3D立体图像等。

根据实施方式，电致发光设备1可以是完全柔性的或者可以仅在一些区域中是柔性的。作为一个示例，当电致发光设备1是完全柔性的时，电致发光设备1是可卷曲设备。作为另一示例，当电致发光设备1的仅一些区域是柔性的时，电致发光设备1是可折叠设备。

根据实施方式，显示区域DA包括像素电路PC。像素电路PC电连接到图2中所示的电致发光单元ELU。图21中示出了电致发光单元ELU和像素电路PC。

根据实施方式，非显示区域NDA位于显示区域DA的至少一侧上。例如，非显示区域NDA围绕显示区域DA。例如，非显示区域NDA是电致发光设备1的除显示区域DA之外的区域。***布线、***电路、焊盘、虚设像素等位于非显示区域NDA中。

根据实施方式，显示区域DA的至少一个区域是能够感测用户指纹等的感测区域SA。作为一个示例，如图1A中所示，显示区域DA中的仅一些是感测区域SA。作为另一示例，如图1B中所示，整个显示区域DA是感测区域SA。围绕显示区域DA的非显示区域NDA是非感测区域NSA。至少一个图像传感器160a(在下文中，也被称为有效图像传感器160a)位于感测区域SA内。

根据实施方式，电致发光设备1具有图2中所示的其上显示图像的第一表面1a以及图2中所示的与第一表面1a相对的第二表面1b，并且相比于第一表面1a，图像传感器160a更靠近第二表面1b。连接到位于感测区域SA中或邻近感测区域SA的像素电路PC的电致发光单元ELU被用作用于图像传感器160a的指纹感测的光源。更具体地，如图2中所示，从电致发光单元ELU发射的光EL被用户的手指反射以改变成如图2中所示的反射光RL，并且图像传感器160a感测反射光RL。因此，电致发光单元ELU和图像传感器160a两者位于感测区域SA中。由于电致发光设备1不使用外部光源，而是使用电致发光单元ELU作为光源，所以可以减小电致发光设备1的厚度，并且可以降低其制造成本。然而，本公开的实施方式可以采用单独的外部光源来感测指纹，而不限于以上配置。

根据实施方式，除了感测指纹之外，图像传感器160a还可以执行各种功能，例如触摸传感器、扫描仪、相机等的功能。

图2是根据本公开的实施方式的图1A或图1B中所示的电致发光设备的剖视图。图3是根据本公开的实施方式的图2的光阻挡结构的平面图。图4是根据本公开的实施方式的包括图2的光阻挡结构的电致发光设备的平面图。

参照图1A至图4，根据实施方式，电致发光设备1包括具有图像传感器结构160的电致发光面板100。电致发光设备1包括位于电致发光面板100上的触摸感测结构200以及位于触摸感测结构200上的窗300。

根据实施方式，电致发光面板100显示图像。电致发光面板100使用电流作为驱动电源。电致发光面板100可以是有机电致发光面板或无机电致发光面板。替代地，电致发光设备1可以采用使用电压作为驱动电源的发光面板代替电致发光面板100。发光面板可以是液晶面板、电泳面板或电润湿面板。

根据实施方式，电致发光面板100包括发光模块100a、图像传感器结构160和保护层170。

根据实施方式，发光模块100a包括透明层110、光阻挡结构120、像素电路结构130、电致发光结构140和封装结构150。

根据实施方式，透明层110可以包括玻璃、钢化玻璃、透明塑料等，并且可以是刚性的或柔性的。例如，透明层110是衬底。这里，表述“透明层110是衬底”是指在透明层110位于最下方位置处的情况下在透明层110上执行堆叠工艺，或者在透明层110上执行堆叠工艺之后，将位于透明层110下方的结构与透明层110分离，使得透明层110位于最下方位置处。

根据实施方式，像素电路结构130位于透明层110上方。像素电路结构130包括至少一个导电层和至少一个绝缘层。像素电路结构130包括像素电路PC以及连接到像素电路PC的布线，像素电路PC具有诸如晶体管或电容器的电路元件，布线诸如为信号线或电力线。像素电路结构130还包括位于非显示区域NDA中的***布线、***电路等。

根据实施方式，电致发光结构140设置在像素电路结构130上。电致发光结构140包括电致发光单元ELU，该电致发光单元ELU通过接触孔连接到像素电路结构130的像素电路PC。

根据实施方式，封装结构150设置在电致发光结构140上并至少覆盖透明层110的显示区域DA。封装结构150包括第一无机层、在第一无机层上的有机层以及在有机层上的第二无机层。替代地，封装结构150可以是玻璃层。

根据实施方式，光阻挡结构120至少在感测区域SA中位于透明层110和像素电路结构130之间。光阻挡结构120包括针孔120a(在下文中，也称为有效针孔120a)和光阻挡区域120b。光阻挡区域120b包括能够吸收或反射光的光阻挡材料。例如，光阻挡区域120b包括不透明金属。针孔120a是通孔。反射光RL的焦点F位于针孔120a中。

根据实施方式，针孔120a具有相同的尺寸。例如，针孔120a的宽度大约是入射光的波长的十倍或更多，以便防止光的衍射。替代地，在其他实施方式中，针孔120a的尺寸可以不同。

根据实施方式，针孔120a以规则的间距彼此间隔开。如图4中所示，针孔120a形成栅格结构。基于光阻挡结构120和图像传感器结构160之间的距离、发射的光EL的波长以及针孔120a所需的视场(FOV)来确定光阻挡结构120中针孔120a之间的距离。例如，3个至15个像素电路PC可以位于两个相邻的针孔120a之间，以感测相对清晰的指纹的形状。替代地，在其他实施方式中，针孔120a之间的距离可能不一致。

根据实施方式，针孔120a的平面形状可以是圆形、正三角形、正方形和正六边形中的任何一种。替代地，在其他实施方式中，针孔120a可具有除圆形、正三角形、正方形或正六边形以外的平面形状。针孔120a的密度在整个感测区域SA内是均匀的。替代地，在其他实施方式中，针孔120a的密度是不均匀的，使得针孔120a的密度在感测区域SA的第一区域中是高的，而在不同于第一区域的第二区域中是低的。

根据实施方式，光阻挡结构120选择性地透射由接触电致发光设备1的第一表面1a的用户的指纹反射的反射光RL。入射在光阻挡结构120上的反射光RL中的一些被光阻挡区域120b阻挡，而剩余的反射光RL穿过针孔120a到达位于光阻挡结构120下方的图像传感器结构160。

根据实施方式，在平面图中，光阻挡结构120具有大于或等于感测区域SA的面积，使得感测区域SA的轮廓不从光阻挡结构120的轮廓延伸出。作为一个示例，当感测区域SA是整个显示区域DA时，光阻挡结构120具有大于或等于显示区域DA的面积的面积。作为另一示例，当感测区域SA是显示区域DA的一部分时，光阻挡结构120具有等于或大于感测区域SA且等于或小于显示区域DA的面积，或具有与感测区域SA相同的面积。

根据实施方式，图像传感器结构160位于透明层110下方，并且与发光模块100a的至少一个区域重叠。例如，图像传感器结构160附接到透明层110的下部。图像传感器结构160至少与感测区域SA重叠。图像传感器结构160包括间隔开预定距离以具有预定密度的图像传感器160a。

根据实施方式，图像传感器160a接收穿过针孔120a的反射光RL，并产生对应于反射光RL的图像数据。图像数据包括与用户的指纹的谷和脊有关的信息，并且该信息被转换成初步图像。通过相对于初步图像的光学中心反转初步图像来获得反转图像。通过在平面图中将从图像传感器160a获得的反转图像结合在一起来获得单个指纹图像。这里，初步图像的光学中心是初步图像与穿过焦点F的垂直线相交的点。

根据实施方式，保护层170位于图像传感器结构160下方。保护层170通过粘合层附接到图像传感器结构160的下表面。

根据实施方式，触摸感测结构200和窗300位于电致发光面板100上方。

根据实施方式，触摸感测结构200位于电致发光面板100的上表面上，并且感测用户的手指的触摸。

根据实施方式，窗300位于触摸感测结构200上。窗300保护电致发光面板100免受外部冲击。窗300可以是柔性的。在这种情况下，窗300含有无色透明塑料材料，或者窗300是厚度为约25μm至150μm的透明玻璃层。替代地，窗300可以是刚性的。在这种情况下，窗300是厚度大于150μm的透明玻璃层。

根据实施方式，通过指纹识别的安全禁用至少包括第一步骤至第七步骤。

首先，根据实施方式，当由触摸感测结构200确定用户的手指已经与窗300接触时，执行第一步骤以确定是否识别指纹。

作为一个示例，如果接触持续预定时段，例如0.5秒或更长的接触，则可以确定接触是用于识别指纹。作为另一示例，如果接触区域是至少两个或更多个手指，例如通过两个手指双击，则可以确定接触是用于识别指纹。

根据实施方式，当在第一步骤处确定接触是用于识别指纹时，执行第二步骤以接通与接触区域对应的至少一个电致发光单元ELU并向用户的手指发射光。

作为一个示例，位于接触区域中的多个电致发光单元ELU被接通以形成表面光源。更具体地，位于接触区域中的电致发光单元ELU中的至少一些同时发射光。

作为另一示例，位于接触区域中的多个电致发光单元ELU被接通以形成线光源。作为一个示例，位于接触区域中的电致发光单元ELU中的至少一些以扫描方式依次发射光。在这种情况下，发射线性光束以形成直线或曲线。在一个示例中，线性光束从接触区域的一侧到接触区域的另一侧扫描接触区域。在另一示例中，线性光束从接触区域的中心向其边缘扫描接触区域。在又一个示例中，线性光束可以从接触区域的边缘向其中心扫描接触区域。

作为另一示例，仅接触区域中的那些电致发光单元ELU发射特定颜色(诸如具有短波长的蓝色)的光。

根据实施方式，第三步骤用于至少一个图像传感器160a接收来自用户的手指的反射光RL。在第三步骤处，反射光RL穿过针孔120a并入射到图像传感器160a上。

随后，根据实施方式，执行第四步骤以从获自图像传感器160a的图像数据获得初步图像。更具体地，图像传感器160a接收穿过针孔120a的反射光RL，并产生对应于反射光RL的图像数据。图像数据具有与用户的手指的指纹的谷和脊有关的信息，并被转换成初步图像。

接下来，执行第五步骤以从初步图像获得反转图像。更具体地，通过相对于初步图像的光学中心反转初步图像来获得反转图像。

随后，根据实施方式，执行第六步骤，以通过在平面图中将从图像传感器160a获得的反转图像结合在一起来获得单个比较指纹图像。

接下来，根据实施方式，执行第七步骤以将先前存储的参考指纹图像与比较指纹图像进行比较，并由此确定它们是否彼此匹配。当参考指纹图像与比较指纹图像相同时，即参考指纹图像与比较指纹图像相匹配时，可以禁用安全性。相反，如果参考指纹图像与比较指纹图像不同，即与比较指纹图像不匹配，则不禁用安全性。

根据实施方式，电致发光设备1通过图像传感器160a的图像感测来增强触摸感测结构200的触摸输入。作为一个示例，通过同时使用通过触摸感测结构200在接触区域中感测的第一感测信号和从图像传感器160a感测的第二感测信号，可以获得更精确的接触信息，例如接触区域的位置。替代地，如果图像传感器160a具有相对高的灵敏度，则可以在没有触摸感测结构200的情况下获得诸如接触区域的位置的接触信息。此外，如果图像传感器160a具有相对高的灵敏度，则图像传感器160a可以用作拍摄远离电致发光设备1的对象的相机。

图5A至图5D是根据本公开的实施方式的像素电路、针孔和图像传感器的布置的平面图。更具体地，图5A至图5D是示出位于图1A和图1B中所示的显示区域DA的感测区域SA中的像素电路PC、针孔120a和图像传感器160a的相对尺寸、分辨率和/或布置的平面图。

参照图5A，根据实施方式，感测区域SA包括针孔120a和图像传感器160a，针孔120a的数量少于像素电路PC的数量，图像传感器160a的数量少于像素电路PC的数量。例如，针孔120a和图像传感器160a在尺寸上小于像素电路PC，并且在感测区域SA中，针孔120a和图像传感器160a的分布密度小于像素电路PC的分布密度。替代地，针孔120a和图像传感器160a的密度不小于像素电路PC的密度。

根据实施方式，分布在感测区域SA中的针孔120a的数量和间隔与分布在感测区域SA中的图像传感器160a的数量和间隔相同，使得在针孔120a和图像传感器160a之间存在一对一的对应关系。在这种情况下，针孔120a和图像传感器160a彼此重叠。

根据实施方式，针孔120a和图像传感器160a具有相同的尺寸。作为一种替代，针孔120a大于图像传感器160a。作为另一种替代，针孔120a小于图像传感器160a。

参照图5B，根据实施方式，相比于像素电路PC，感测区域SA具有更少的针孔120a，但是相比于像素电路PC，感测区域SA具有更多的图像传感器160a。针孔120a和图像传感器160a的尺寸小于像素电路PC。针孔120a在感测区域SA中具有比像素电路PC更低的分布密度，并且图像传感器160a以比像素电路PC更高的密度紧凑地分布在感测区域SA中。

根据实施方式，图像传感器160a中的一些与针孔120a和/或像素电路PC重叠。替代地，图像传感器160a中的一些与针孔120a和/或像素电路PC重叠，而其他图像传感器160a位于像素电路PC之间的间隙中。

参照图5C和图5D，根据实施方式，分布在感测区域SA中的图像传感器160a具有比图5B中所示的图像传感器160a更小的尺寸和更高的密度。例如，感测区域SA中的图像传感器160a以比针孔120a的间隔小约1/10至1/100倍的间距隔开。在这种情况下，图像传感器160a可以紧凑地分布在感测区域SA中，使得在图像传感器160a与像素电路PC和/或针孔120a之间不再有一对一的对应关系。因此，不管图像传感器160a相对于像素电路PC和/或针孔120a的布置如何，都可以防止或最小化莫尔纹现象。

根据实施方式，针孔120a在感测区域SA中的分布密度等同于或不同于像素电路PC的分布密度。作为一个示例，如图5C中所示，针孔120a在感测区域SA中的分布密度与像素电路PC的分布密度相同。作为另一示例，如图5D中所示，针孔120a在感测区域SA中的分布密度低于像素电路PC的分布密度。

如图5A至图5D中所示，根据实施方式，针孔120a和图像传感器160a规则地布置在感测区域SA中。替代地，在其他实施方式中，针孔120a和/或图像传感器160a可以不规则地分布在感测区域SA内，或者可以在感测区域SA的不同区域中具有不同的密度。

图6是根据本公开的实施方式的图1A或图1B中所示的电致发光设备的剖视图。在这里将省略与图2中所描述的电致发光设备的组件相同或相似的组件的描述。

参照图6，根据实施方式，像素电路结构130用作第一光阻挡结构130，以选择性地阻挡或透射由用户的指纹反射的反射光RL。第一光阻挡结构130包括针孔130a(在下文中，也称为有效针孔130a)。

根据实施方式，第二光阻挡结构120位于第一光阻挡结构130和透明层110之间。第一光阻挡结构130具有多个针孔130a。第一光阻挡结构130的针孔130a与第二光阻挡结构120的针孔120a重叠。

根据实施方式，第一光阻挡结构130的针孔130a具有与第二光阻挡结构120的针孔120a相同的尺寸。替代地，在其他实施方式中，第一光阻挡结构130的针孔130a在尺寸上与第二光阻挡结构120的针孔120a不同。

作为一个示例，如图6中所示，第一光阻挡结构130的针孔130a具有比第二光阻挡结构120的针孔120a更小的宽度。更具体地，第一光阻挡结构130的针孔130a和第二光阻挡结构120的针孔120a分别具有在5μm至20μm范围内的第一宽度和第二宽度，其中第二宽度大于第一宽度。在这种情况下，焦点F位于第一光阻挡结构130的针孔130a处。

作为另一示例，第一光阻挡结构130的针孔130a具有比第二光阻挡结构120的针孔120a更大的宽度。更具体地，第一光阻挡结构130的针孔130a和第二光阻挡结构120的针孔120a分别具有在5μm至20μm范围内的第一宽度和第二宽度，其中第二宽度小于第一宽度。在这种情况下，焦点F位于第二光阻挡结构120的针孔120a处。

图7是图2中所示的触摸感测结构的平面图，图8A是图7的部分EA1的放大平面图。图8B是根据本公开的实施方式沿着图8A的线I-I'截取的剖视图。图8C是根据本公开的实施方式沿着图8A的线I-I'截取的剖视图。图8D是图8A的部分EA2的放大平面图。

参照图1A至图8D，根据实施方式，触摸感测结构200位于电致发光面板100上方。此外，中间绝缘层可以位于封装结构150和触摸感测结构200之间。

根据实施方式，触摸感测结构200包括感测区域SA和围绕感测区域SA的至少一部分的非感测区域NSA。触摸感测结构200的感测区域SA与电致发光面板100的显示区域DA重叠。

根据实施方式，触摸感测结构200包括：感测电极220a，包括第一感测电极220a_1和第二感测电极220a_2；以及桥接部240a，包括第一桥接部240a_1和第二桥接部240a_2。感测电极220a和桥接部240a位于触摸感测结构200的感测区域SA中。第一感测电极220a_1和第一桥接部240a_1在第一方向DR1上交替连接，并且第二感测电极220a_2和第二桥接部240a_2在第二方向DR2上交替连接。第一桥接部240a_1和第二桥接部240a_2在平面图中相交。触摸感测结构200还包括第一绝缘层230和第二绝缘层250，第一绝缘层230和第二绝缘层250的结构将在下面参考图8B和图8C进行描述。

根据实施方式，第一桥接部240a_1在第一方向DR1上延伸并将两个相邻的第一感测电极220a_1彼此连接。替代地，第一桥接部240a_1在第三方向DR3上延伸，并将在第一方向DR1上的两个相邻的第一感测电极220a_1彼此连接。此外，第一桥接部240a_1在第四方向DR4上延伸，并将在第一方向DR1上的两个相邻的第一感测电极220a_1彼此连接。此外，第一桥接部240a_1的第一部分在第三方向DR3上延伸，并且与第一部分连接的第二部分在第四方向DR4上延伸，并且将在第一方向DR1上的两个相邻的第一感测电极220a_1彼此连接。

根据实施方式，第二桥接部240a_2在第二方向DR2上延伸并且将在第二方向DR2上的两个相邻的第二感测电极220a_2彼此连接。替代地，第二桥接部240a_2在第三方向DR3上延伸，并将在第二方向DR2上的两个相邻的第二感测电极220a_2彼此连接。替代地，第二桥接部240a_2在第四方向DR4上延伸，并将在第二方向DR2上的两个相邻的第二感测电极220a_2彼此连接。此外，第二桥接部240a_2的第一部分在第三方向DR3上延伸，并且连接到第一部分的第二部分在第四方向DR4上延伸，并且将在第二方向DR2上的两个相邻的第二感测电极220a_2彼此连接。

第一桥接部240a_1和第一感测电极220a_1位于不同的层处。替代地，第一桥接部240a_1与第一感测电极220a_1集成。第二桥接部240a_2与第二感测电极220a_2集成。替代地，第二桥接部240a_2和第二感测电极220a_2位于不同的层处。

根据实施方式，触摸感测结构200的非感测区域NSA与电致发光面板100的非显示区域NDA重叠。包括焊盘260a的焊盘区域260和连接感测电极220a和焊盘260a的***布线220b位于触摸感测结构200的非感测区域NSA中。

如图7中所示，根据实施方式，***布线220b包括连接到第一感测电极220a_1的第一***布线220b_1和连接到第二感测电极220a_2的第二***布线220b_2。

如图8D中所示，根据实施方式，第一感测电极220a_1包括导电细线280和孔H。导电细线280包括第一导电细线280a和第二导电细线280b。

作为一个示例，第一感测电极220a_1包括平行于第三方向DR3延伸的第一导电细线280a以及平行于第四方向DR4延伸的第二导电细线280b。第一导电细线280a和第二导电细线280b彼此集成。由于第一感测电极220a_1包括第一导电细线280a和第二导电细线280b，因此第一感测电极220a_1具有具备由第一导电细线280a和第二导电细线280b的交叉形成的孔H的网格结构。

根据实施方式，将下部电极(诸如图9A的143)、发光层(诸如图9A的145)和上部电极(诸如图9A的147)中的全部彼此重叠而没有插置绝缘层以实质上发射光的区域定义为发光区域。第一感测电极220a_1的孔H与发光区域重叠。因此，即使第一感测电极220a_1包括柔性不透明金属，它也不会阻挡从发光区域发射的光。如第一感测电极220a_1那样，第二感测电极220a_2、第一桥接部240a_1和第二桥接部240a_2中的至少一个具有具备孔H的网格结构，同时包括柔性不透明金属。

如图8B中所示，根据实施方式，第一感测电极220a_1、第二感测电极220a_2和第二桥接部240a_2设置在封装结构150上。第二感测电极220a_2在第二方向DR2上连接到第二桥接部240a_2。第二感测电极220a_2与第二桥接部240a_2集成。

根据实施方式，覆盖第一感测电极220a_1、第二感测电极220a_2和第二桥接部240a_2的第一绝缘层230设置在封装结构150上。第一绝缘层230包括暴露第一感测电极220a_1的接触孔270。

根据实施方式，第一桥接部240a_1设置在第一绝缘层230上并填充接触孔270。第一桥接部240a_1连接到相邻的第一感测电极220a_1。第二绝缘层250设置成覆盖第一绝缘层230上的第一桥接部240a_1。

根据实施方式，可以通过直接在封装结构150上执行沉积工艺和蚀刻工艺来形成图8B中所示的触摸感测结构200。

更具体地，根据实施方式，通过在封装结构150上执行溅射工艺来形成第一金属层。此后，通过对第一金属层执行蚀刻工艺来形成第一感测电极220a_1、第二感测电极220a_2和第二桥接部240a_2。

随后，根据实施方式，通过化学气相沉积(CVD)工艺形成覆盖第一感测电极220a_1、第二感测电极220a_2和第二桥接部240a_2的初步绝缘层。此后，通过对初步绝缘层执行蚀刻工艺来形成具有暴露第一感测电极220a_1的接触孔270的第一绝缘层230。通过在第一绝缘层230上执行溅射工艺形成第二金属层。随后，通过对第二金属层执行蚀刻工艺来形成连接到第一感测电极220a_1并且填充接触孔270的第一桥接部240a_1。

替代地，根据其他实施方式，如图8C中所示，第一桥接部240a_1放置在封装结构150上。例如，第一桥接部240a_1直接放置在封装结构150上。

根据实施方式，覆盖第一桥接部240a_1的第一绝缘层230设置在封装结构150上。第一绝缘层230包括暴露第一桥接部240a_1的接触孔270。

根据实施方式，第一感测电极220a_1和第二桥接部240a_2设置在第一绝缘层230上。第一感测电极220a_1填充接触孔270。第二桥接部240a_2设置在相邻的第一感测电极220a_1之间。第二绝缘层250设置在第一绝缘层230上并覆盖第一感测电极220a_1和第二桥接部240a_2。

根据实施方式，可以通过直接在封装结构150上执行沉积工艺和蚀刻工艺来形成图8C中所示的触摸感测结构200。

更具体地，根据实施方式，通过直接在封装结构150上执行溅射工艺来形成第一金属层。此后，通过对第一金属层执行蚀刻工艺来形成第一桥接部240a_1。

随后，根据实施方式，通过CVD工艺形成覆盖第一桥接部240a_1的初步绝缘层。此后，通过对初步绝缘层执行蚀刻工艺来形成具有暴露第一桥接部240a_1的接触孔270的第一绝缘层230。通过在第一绝缘层230上执行溅射工艺形成第二金属层。随后，通过对第二金属层执行蚀刻工艺，在第一绝缘层230上形成第一感测电极220a_1、第二感测电极220a_2和第二桥接部240a_2。第二感测电极220a_2在第二方向DR2上连接到第二桥接部240a_2。第二感测电极220a_2与第二桥接部240a_2集成。

根据实施方式，第一感测电极220a_1通过填充接触孔270连接到第一桥接部240a_1。

如图8A中所示，根据实施方式，触摸感测结构200包括单元块UB的反复布置，其中每个单元块UB包括在第一方向DR1上邻近的相邻第一感测电极220a_1的部分、连接相邻第一感测电极220a_1的第一桥接部240a_1、在第二方向DR2上邻近的相邻第二感测电极220a_2的部分、以及连接相邻第二感测电极220a_2的第二桥接部240a_2。

图9A是根据本公开的实施方式的图6中所示的电致发光设备的剖视图。更具体地，图9A示出了位于图1A和图1B中所示的电致发光设备的感测区域中的五个像素。图9B是图9A的部分EA3的放大剖视图。图9C是图9A的部分EA4的放大剖视图。

参照图1A至图9A和图9B，根据实施方式，电致发光设备1包括电致发光面板100、触摸感测结构200和窗300。

根据实施方式，电致发光面板100包括发光模块100a、图像传感器结构160和保护层170。发光模块100a包括透明层110、第二光阻挡结构120、绝缘层131、第一光阻挡结构130、电致发光结构140和封装结构150。

参照图9C，根据实施方式，触摸感测结构200具有图8B中所描述的结构。替代地，根据其他实施方式，触摸感测结构200具有图8C中所描述的结构。

根据实施方式，发光模块100a包括像素P。像素P包括像素电路PC和电连接到像素电路PC的电致发光单元ELU。如图9A中所示，像素电路PC和电致发光单元ELU彼此不重叠。替代地，根据其他实施方式，如图15和图16中所示，像素电路PC的至少一部分与电致发光单元ELU的至少一部分重叠。

回到图9A，根据实施方式，像素P包括第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3。像素电路PC包括第一像素电路PC1、第二像素电路PC2和第三像素电路PC3。

根据实施方式，电致发光单元ELU包括下部电极143、设置在下部电极143上的发光层145以及设置在发光层145上的上部电极147。下部电极143包括第一下部电极143a、第二下部电极143b和第三下部电极143c。发光层145包括第一发光层145a、第二发光层145b和第三发光层145c。电致发光单元ELU可以限定在下部电极143和上部电极147彼此重叠的区域中。电致发光单元ELU包括第一电致发光单元ELU1、第二电致发光单元ELU2和第三电致发光单元ELU3。

更具体地，根据实施方式，第一电致发光单元ELU1包括第一下部电极143a、设置在第一下部电极143a上的第一发光层145a、以及设置在第一发光层145a上的上部电极147。第二电致发光单元ELU2包括第二下部电极143b、设置在第二下部电极143b上的第二发光层145b、以及设置在第二发光层145b上的上部电极147。第三电致发光单元ELU3包括第三下部电极143c、设置在第三下部电极143c上的第三发光层145c、以及设置在第三发光层145c上的上部电极147。

如图9A中所示，根据实施方式，第一电致发光单元ELU1和第一像素电路PC1彼此不重叠。替代地，在其他实施方式中，第一电致发光单元ELU1与第一像素电路PC1重叠。

如图9A中所示，根据实施方式，第二电致发光单元ELU2和第二像素电路PC2彼此不重叠。替代地，在其他实施方式中，第二电致发光单元ELU2与第二像素电路PC2重叠。

如图9A中所示，根据实施方式，第三电致发光单元ELU3和第三像素电路PC3彼此不重叠。替代地，在其他实施方式中，第三电致发光单元ELU3与第三像素电路PC3重叠。

根据实施方式，第二光阻挡结构120包括有效针孔120a和光阻挡区域120b。第二光阻挡结构120选择性地透射由电致发光设备1的第一表面1a上的诸如用户的手指的对象反射的反射光RL。入射到第二光阻挡结构120上的反射光RL中的一些被光阻挡区域120b阻挡，而剩余反射光RL的至少一部分穿过有效针孔120a到达位于第二光阻挡结构120下方的图像传感器结构160。

根据实施方式，图像传感器结构160包括有效图像传感器160a和虚设图像传感器160b，有效图像传感器160a和虚设图像传感器160b以规则的间距分布以具有预定的密度。有效图像传感器160a用于感测第一表面1a上的图像，而虚设图像传感器160b不用于感测第一表面1a上的图像。

根据实施方式，有效图像传感器160a具有与虚设图像传感器160b相同的结构。作为一个示例，有效图像传感器160a的上表面感测图像，并且虚设图像传感器160b的上表面同样可以感测图像。作为另一示例，有效图像传感器160a的上表面和下表面可以感测图像，并且虚设图像传感器160b的上表面和下表面同样可以感测图像。

替代地，在其他实施方式中，有效图像传感器160a具有与虚设图像传感器160b的结构不同的结构。作为一个示例，只有有效图像传感器160a的上表面可以感测图像，而只有虚设图像传感器160b的下表面可以感测图像。作为另一示例，只有有效图像传感器160a的上表面可以感测图像，而虚设图像传感器160b的上表面和下表面都可以感测图像。作为另一示例，有效图像传感器160a的上表面和下表面都可以感测图像，而只有虚设图像传感器160b的下表面可以感测图像。

根据实施方式，图像传感器结构160的有效图像传感器160a配置为使得至少上表面可以感测图像，并输出与通过有效针孔120a由上表面接收的反射光RL对应的电信号作为感测信号。有效图像传感器160a与第二光阻挡结构120的有效针孔120a重叠。虚设图像传感器160b与第二光阻挡结构120的光阻挡区域120b重叠，而不与第二光阻挡结构120的有效针孔120a重叠。

根据实施方式，绝缘层131设置在第二光阻挡结构120上。绝缘层131包括无机绝缘体，诸如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅，以防止来自透明层110的杂质渗入电致发光单元ELU中。然而，在其他实施方式中，绝缘层131包括有机绝缘材料。绝缘层131可以具有单层结构或多层结构。

根据实施方式，第一光阻挡结构130设置在绝缘层131上。第一光阻挡结构130包括有助于感测图像的有效针孔130a和并不有助于感测图像的虚设针孔130b。第一光阻挡结构130包括至少一个绝缘层和至少一个导电层。更具体地，第一光阻挡结构130包括：位于绝缘层131上的第一导电图案137a和第一虚设导电图案138a、覆盖第一导电图案137a和第一虚设导电图案138a并位于绝缘层131上的栅极绝缘层132、位于栅极绝缘层132上的第二导电图案137b和第二虚设导电图案138b、覆盖第二导电图案137b和第二虚设导电图案138b并且位于栅极绝缘层132上的第一层间绝缘层133、位于第一层间绝缘层133上的第三导电图案137c和第三虚设导电图案138c、覆盖第三导电图案137c和第三虚设导电图案138c并且位于第一层间绝缘层133上的第二层间绝缘层134、位于第二层间绝缘层134上的第四导电图案137d和第四虚设导电图案138d、覆盖第四导电图案137d和第四虚设导电图案138d并且位于第二层间绝缘层134上的第三层间绝缘层135、以及位于第三层间绝缘层135上的第五导电图案137e和第五虚设导电图案138e。

根据实施方式，第一导电图案137a可以是图23中所示的第七源电极SE7、第一漏电极DE1、第3b有源图案ACT3b、第3b漏电极DE3b、第4b漏电极DE4b和第4a漏电极DE4a中的任一个。第二导电图案137b可以是图23中所示的第i+1扫描线Si+1、第i发射控制线Ei、第i扫描线Si和第i-1扫描线Si-1中的任一条。第三导电图案137c可以是图23中所示的初始化电力线IPL和电容器上部电极UE中的任一个。第四导电图案137d可以是图23中所示的像素电力线PL、第一连接线CNL1和第二连接线CNL2中的任一个。第五导电图案137e可以是图23中所示的连接图案CNP。

根据实施方式，第一虚设导电图案138a可以是图23中所示的第七源电极SE7、第一漏电极DE1、第3b有源图案ACT3b、第3b漏电极DE3b、第4b漏电极DE4b和第4a漏电极DE4a中的任一个。第二虚设导电图案138b可以是图23中所示的第i+1扫描线Si+1、第i发射控制线Ei、第i扫描线Si和第i-1扫描线Si-1中的任一条。第三虚设导电图案138c可以是图23中所示的初始化电力线IPL和电容器上部电极UE中的任一个。第四虚设导电图案138d可以是图23中所示的第一连接线CNL1、第二连接线CNL2和像素电力线PL中的任一条。第五虚设导电图案138e可以是图23中所示的连接图案CNP。

根据实施方式，第一导电图案137a、第二导电图案137b、第三导电图案137c、第四导电图案137d和第五导电图案137e中的至少两个在平面图中限定第一光阻挡结构130的有效针孔130a。第一光阻挡结构130的有效针孔130a与第二光阻挡结构120的有效针孔120a重叠。

根据实施方式，第一虚设导电图案138a、第二虚设导电图案138b、第三虚设导电图案138c、第四虚设导电图案138d和第五虚设导电图案138e中的至少两个在平面图中限定第一光阻挡结构130的虚设针孔130b。第一光阻挡结构130的虚设针孔130b与第二光阻挡结构120的光阻挡区域120b重叠，而不与第二光阻挡结构120的有效针孔120a重叠。

根据实施方式，第一光阻挡结构130的有效针孔130a在平面图中可以形成栅格布置。此外，第一光阻挡结构130的有效针孔130a和虚设针孔130b在平面图中可以形成单个栅格布置。

根据实施方式，反射光RL中的至少一些传播到第一光阻挡结构130的有效针孔130a之间的区域、第一光阻挡结构130的虚设针孔130b之间的区域以及第一光阻挡结构130的有效针孔130a和虚设针孔130b之间的区域中。然而，反射光RL中的至少一些被第二光阻挡结构120的光阻挡区域120b阻挡。

根据实施方式，第五层间绝缘层136设置在第三层间绝缘层135上并覆盖第五导电图案137e和第五虚设导电图案138e。

根据实施方式，电致发光结构140包括第一电致发光单元ELU1、第二电致发光单元ELU2和第三电致发光单元ELU3，并且设置在第五层间绝缘层136上。

根据实施方式，下部电极143设置在第五层间绝缘层136上。下部电极143是反射性的单独电极，而上部电极147是透明或半透明的公共电极。替代地，在其他实施方式中，下部电极143是透明或半透明的单独电极，而上部电极147是反射性的公共电极。

根据实施方式，两个相邻的下部电极143彼此间隔开第三距离I_3。如图9A中所示，第一下部电极143a和第二下部电极143b彼此间隔开第三距离I_3。

根据实施方式，第一光阻挡结构130的有效针孔130a位于第二像素电路PC2中，并且不与下部电极143重叠。更具体地，第一光阻挡结构130的有效针孔130a不与第二电致发光单元ELU2的第二下部电极143b重叠。

根据实施方式，第一光阻挡结构130的虚设针孔130b位于第三像素电路PC3中，并且不与下部电极143重叠。更具体地，位于第三像素电路PC3中的第一光阻挡结构130的虚设针孔130b不与分别包括在第一电致发光单元ELU1、第二电致发光单元ELU2和第三电致发光单元ELU3中的第一下部电极143a、第二下部电极143b和第三下部电极143c重叠。

替代地，在其他实施方式中，第一光阻挡结构130的虚设针孔130b与下部电极143重叠。在这种情况下，下部电极143阻挡入射到第一光阻挡结构130的虚设针孔130b上的反射光RL。因此，图像传感器结构160可以检测相对清晰的图像。

如图9A中所示，根据实施方式，位于第二像素P2的第二像素电路PC2中的有效针孔130a的光学中心在第五方向DR5上与第一下部电极143a间隔开第一距离D1，而位于第二像素P2的第二像素电路PC2中的有效针孔130a的光学中心在第六方向DR6上与第二下部电极143b间隔开第三距离D3。第一距离D1等于第三距离D3。这里，有效针孔130a的光学中心是穿过焦点F的垂直线与有效针孔130a的中央部分的平面相交的点。如果焦点F形成在有效针孔130a中，则有效针孔130a的光学中心变成焦点F。

如图9A中所示，根据实施方式，有效针孔130a的光学中心与有效针孔130a的内壁ed在第五方向DR5上间隔开第二距离D2，并且在第六方向DR6上间隔开第四距离D4。第二距离D2等于第四距离D4。第二距离D2小于第一距离D1。第四距离D4小于第三距离D3。

根据实施方式，电致发光结构140包括像素限定层141和间隔部142。像素限定层141设置在第五层间绝缘层136上并覆盖下部电极143的边缘。间隔部142设置在像素限定层141上。间隔部142高于像素限定层141。更具体地，间隔部142的上表面高于像素限定层141的上表面。间隔部142包括与像素限定层141相同的材料，并且与像素限定层141集成。两个相邻的间隔部142彼此间隔开第六距离I_6。

根据实施方式，电致发光单元ELU还包括设置在下部电极143和发光层145之间的第一功能层144。第一功能层144是公共层。在这种情况下，第一功能层144位于下部电极143、像素限定层141和间隔部142上方。

根据实施方式，当下部电极143是阳极时，第一功能层144可以是空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)或具有HIL和位于HIL上的HTL的多层结构。

根据实施方式，发光层145是单独层。发光层145可以包括有机电致发光材料或无机电致发光材料。第一发光层145a、第二发光层145b和第三发光层145c分别发射红光、绿光和蓝光。替代地，在其他实施方式中，第一发光层145a、第二发光层145b和第三发光层145c分别发射品红色光、青色光和黄色光。

根据实施方式，第一发光层145a、第二发光层145b和第三发光层145c中的至少两个相邻的层与像素限定层141的没有定位间隔部142的部分PT重叠。例如，如图9B中所示，第一发光层145a和第二发光层145b与像素限定层141的没有定位间隔部142的部分PT重叠。第一发光层145a和第二发光层145b的重叠区域E与第一光阻挡结构130的有效针孔130a重叠。因此，减小第一电致发光单元ELU1、第二电致发光单元ELU2和第三电致发光单元ELU3之间的距离，以获得更高的分辨率并减小由间隔部142对反射光RL的散射，从而获得更清晰的指纹图像。

根据实施方式，电致发光单元ELU还包括设置在发光层145和上部电极147之间的第二功能层146。第二功能层146是公共层。当上部电极147是阴极时，第二功能层146可以是电子注入层(EIL)、电子传输层(ETL)或具有EIL和位于EIL上的ETL的多层结构。

根据实施方式，电致发光单元ELU包括设置在第二功能层146上的上部电极147。上部电极147是阴极。上部电极147是公共电极。

根据实施方式，封装结构150设置在上部电极147上并覆盖上部电极147。封装结构150包括第一无机层、在第一无机层上的有机层以及在有机层上的第二无机层。替代地，在其他实施方式中，封装结构150是玻璃层。

如图9A中所示，根据实施方式，位于第二像素P2的第二像素电路PC2中的有效针孔130a的光学中心在第五方向DR5上与间隔部142间隔开第五距离D5，并且在第六方向DR6上与间隔部142间隔开第七距离D7。第五距离D5等于第七距离D7。第五距离D5大于第一距离D1。第七距离D7大于第三距离D3。

根据实施方式，当第一光阻挡结构130的有效针孔130a和间隔部142彼此重叠时，反射光RL在入射到有效针孔130a上之前被间隔部142吸收或散射，这减弱了反射光RL的强度并由于减弱的反射光RL而导致降低指纹的清晰度。因此，间隔部142设置在像素限定层141上而不与有效针孔130a重叠，从而可以获得相对清晰的指纹图像。

替代地，在其他实施方式中，如果当在平面中观察时间隔部142具有圆形或弯曲边缘，并且当在截面中观察时间隔部142在上表面和侧表面之间具有弯曲边缘，使得间隔部142用作聚光透镜，则间隔部142与第一光阻挡结构130的有效针孔130a重叠。由于间隔部142用作聚光透镜，因此增加了反射光RL的强度，从而可以获得更清晰的指纹图像。此外，由于没有将发光材料应用到间隔部142的上表面，因此可以获得更清晰的指纹图像。

根据实施方式，触摸感测结构200的桥接部240a不与第一光阻挡结构130的有效针孔130a重叠。当桥接部240a与有效针孔130a重叠时，入射到有效针孔130a上的反射光RL被桥接部240a吸收或反射从而被减弱。减弱的反射光RL降低了指纹的清晰度。因此，桥接部240a设置成不与有效针孔130a重叠，从而防止入射到有效针孔130a上的反射光RL的强度降低。

根据实施方式，水平方向上的两个相邻的桥接部240a可以在第五方向DR5上彼此间隔开第七距离I_7。这里，第七距离I_7大于第六距离I_6。

如图9A中所示，根据实施方式，位于第二像素P2的第二像素电路PC2中的第一光阻挡结构130的有效针孔130a的光学中心与邻近光学中心的桥接部240a在第五方向DR5上间隔开第九距离D9，并且在第六方向DR6上间隔开第十一距离D11。第九距离D9等于第十一距离D11。第九距离D9大于第五距离D5。第十一距离D11大于第七距离D7。

根据实施方式，第一光阻挡结构130包括虚设针孔130b。虚设针孔130b与第二光阻挡结构120的光阻挡区域120b重叠。虚设针孔130b与虚设图像传感器160b重叠。穿过虚设针孔130b的反射光RL被第二光阻挡结构120的光阻挡区域120b阻挡。因此，反射光RL不会到达虚设图像传感器160b。

根据实施方式，虚设针孔130b的尺寸等于有效针孔130a的尺寸。在这种情况下，由于其中形成有有效针孔130a的像素电路PC和其中定位有虚设针孔130b的像素电路PC被等同地设计，所以可以增加像素电路PC之间的形成一致性。

替代地，在其他实施方式中，虚设针孔130b的尺寸大于有效针孔130a的尺寸。虚设针孔130b用作通道以去除可能在形成像素电路结构130之后残留在像素电路结构130中的气体或杂质，从而减少当气体或杂质聚集在一个位置时可能出现的缺陷。当虚设针孔130b的尺寸大于有效针孔130a的尺寸时，可以更顺利地去除气体或杂质。

此外，根据另外其他实施方式，虚设针孔130b的尺寸小于有效针孔130a的尺寸，或者不形成虚设针孔130b。穿过虚设针孔130b的一些反射光RL可以传播到有效针孔120a，并穿过有效针孔120a。因此，这被有效图像传感器160a检测为噪声。在这种情况下，获得不清楚的指纹图像。因此，虚设针孔130b的尺寸小于有效针孔130a的尺寸，或者不形成虚设针孔130b，从而减少噪声。

虚设针孔130b可以不与间隔部142和桥接部240a重叠。替代地，根据实施方式，虚设针孔130b与间隔部142和桥接部240a中的至少一者重叠。在这种情况下，可以减少入射在虚设针孔130b上的反射光RL。

根据实施方式，中间层180设置在图像传感器结构160上。中间层180将图像传感器结构160附接到透明层110。例如，中间层180是光学透明粘合剂(OCA)。

根据实施方式，第二光阻挡结构120的光阻挡区域120b被施加预定电压。

当第二光阻挡结构120处于电浮置状态中时，第二光阻挡结构120的电压根据外部影响而改变，从而在电性上不可预见地影响像素电路PC中的晶体管和电容器。因此，根据实施方式，第二光阻挡结构120具有呈预定正电压、预定负电压和预定0V中的一者的基态。也就是说，第二光阻挡结构120被电偏置。此外，当第二光阻挡结构120具有基态时，第二光阻挡结构120连接到电致发光设备1中的至少一个电导体，以用作释放电导体中积聚的任何静电的静电接收构件。

根据实施方式，第一光阻挡结构130的有效针孔130a的内壁ed的一部分由下部电极143的外壁的一部分限定。在这种情况下，第一光阻挡结构130的有效针孔130a的内壁ed的所述部分和下部电极143的外壁的所述部分彼此竖直地对应。这将参考图24进行详细描述。

图10是根据本公开的实施方式的图6中所示的电致发光设备的剖视图。在这里将省略对已经在图1A至图9C中描述的组件的描述。

参照图1A至图10，根据实施方式，第二光阻挡结构120具有附加针孔120c，并且第一光阻挡结构130包括光阻挡构件139(在下文中，也称为下部光阻挡构件139)。

根据实施方式，附加针孔120c用作去除气体或杂质的通道，以减少当气体或杂质聚集在一个位置时可能发生的缺陷。此外，附加针孔120c增加了第二光阻挡结构120的表面积，以增加绝缘层131和第二光阻挡结构120之间的粘合力。

根据实施方式，附加针孔120c的尺寸与有效针孔120a相同。当附加针孔120c与有效针孔120a的尺寸相同时，可以均匀地形成用于形成第一光阻挡结构130的掩模的孔，这简化了制造工艺。

替代地，在其他实施方式中，附加针孔120c的尺寸大于有效针孔120a的尺寸。在这种情况下，附加针孔120c可以更有效地去除气体或杂质。

替代地，在其他实施方式中，附加针孔120c的尺寸小于有效针孔120a的尺寸。当附加针孔120c小于有效针孔120a时，穿过附加针孔120c的反射光RL的强度减弱。因此，可以减少由穿过附加针孔120c的反射光RL产生的噪声。

根据实施方式，附加针孔120c与下部电极143重叠。因此，下部电极143减小了朝向附加针孔120c反射的反射光RL的强度。作为一个示例，位于第一像素P1中的附加针孔120c与第一下部电极143a重叠。作为另一示例，位于第三像素P3中的附加针孔120c与第三下部电极143c重叠。

根据实施方式，第一光阻挡结构130包括光阻挡构件139。光阻挡构件139与附加针孔120c和第一下部电极143a重叠。因此，光阻挡构件139减小了朝向附加针孔120c反射的反射光RL的强度。因此，可以减少由穿过附加针孔120c的反射光RL产生的噪声。

根据实施方式，光阻挡构件139的尺寸大于附加针孔120c的尺寸。因此，光阻挡构件139有效地减小了入射到附加针孔120c上的反射光RL的强度。

根据实施方式，光阻挡构件139设置在其上设置有第一导电图案137a的第一层、其上设置有第二导电图案137b的第二层、其上设置有第三导电图案137c的第三层、其上设置有第四导电图案137d的第四层和其上设置有第五导电图案137e的第五层中的至少一者上。

作为一个示例，根据实施方式，光阻挡构件139具有单层结构。作为另一示例，光阻挡构件139具有多层结构，其包括第一光阻挡层、在第一光阻挡层上的绝缘层和在绝缘层上的第二光阻挡层。

如图10中所示，根据实施方式，光阻挡构件139位于第二光阻挡结构120上方。替代地，在其他实施方式中，光阻挡构件139位于第二光阻挡结构120下方。在这种情况下，光阻挡构件139至少位于有效图像传感器160a和附加针孔120c之间，以阻挡穿过附加针孔120c的反射光RL向有效图像传感器160a传播。

图11是根据本公开的实施方式的图6中所示的电致发光设备的剖视图。在这里将省略对已经在图1A至图10中描述的组件的描述。

参照图1A至图11，根据实施方式，第三光阻挡结构190位于中间层180下方，并位于图像传感器结构160和保护层170之间。

根据实施方式，第三光阻挡结构190防止入射到电致发光设备1的第二表面1b上的光向图像传感器结构160传播。第三光阻挡结构190包括光阻挡材料。光阻挡材料可以是反射材料或光吸收材料。

此外，至少一个中间层可以位于第三光阻挡结构190和图像传感器结构160之间。中间层包括透明绝缘材料。

图12是根据本公开的实施方式的图6中所示的电致发光设备的剖视图。在这里将省略对已经在图1A至图11中描述的组件的描述。

参照图1A至图12，根据实施方式，第三光阻挡结构190具有有效针孔190a和虚设针孔190b。有效针孔190a与图像传感器结构160的虚设图像传感器160b和电致发光结构140的像素限定层141上的间隔部142重叠，但不与有效图像传感器160a重叠。

根据实施方式，有效针孔190a填充有透明绝缘层190a_1。透明绝缘层190a_1包括有机材料。

根据实施方式，入射到电致发光设备1的第二表面1b上的光的一部分被第三光阻挡结构190阻挡，而剩余光的一部分通过有效针孔190a到达虚设图像传感器160b。在虚设图像传感器160b的上表面和下表面中，至少下表面被配置为执行光感测功能，从而检测第二表面1b上的用户的指纹等。这里，当虚设图像传感器160b的光学识别灵敏度相对高时，虚设图像传感器160b用作拍摄与第二表面1b间隔开的对象的相机。

此外，至少一个中间层位于第三光阻挡结构190和图像传感器结构160之间。中间层包括透明绝缘材料。在这种情况下，透明绝缘层190a_1是中间层的一部分。

根据实施方式，有效针孔190a在尺寸上与虚设图像传感器160b相同，或者在尺寸上大于虚设图像传感器160b。在这种情况下，可以防止穿过有效针孔190a并入射到虚设图像传感器160b上的光的强度的减小。

替代地，在其他实施方式中，有效针孔190a在尺寸上小于虚设图像传感器160b。在这种情况下，可以减小穿过有效针孔190a并且然后由有效图像传感器160a感测的噪声光的强度。

根据实施方式，第三光阻挡结构190的虚设针孔190b位于相邻的有效针孔190a之间。残留在电致发光设备1中的气体或杂质可以通过第三光阻挡结构190的虚设针孔190b从电致发光设备1排出。此外，虚设针孔190b增加了第三光阻挡结构190的表面积，这增加了中间层180和第三光阻挡结构190之间的粘合力。

根据实施方式，虚设针孔190b不与有效图像传感器160a重叠。因此，防止从第二表面1b穿过虚设针孔190b的光传播到有效图像传感器160a并充当噪声。

替代地，在其他实施方式中，虚设针孔190b与有效图像传感器160a重叠。在这种情况下，有效图像传感器160a的下表面被配置为不感测光。因此，可以最小化从第二表面1b穿过虚设针孔190b的光传播到有效图像传感器160a以充当噪声的情况。

根据实施方式，第三光阻挡结构190的虚设针孔190b在尺寸上小于有效针孔190a。在这种情况下，可以防止穿过虚设针孔190b入射的光传播到虚设图像传感器160b或有效图像传感器160a并充当噪声

此外，光阻挡构件位于虚设针孔190b和虚设图像传感器160b之间，或者位于虚设针孔190b和有效图像传感器160a之间。光阻挡构件防止穿过虚设针孔190b的光传播到虚设图像传感器160b或有效图像传感器160a并充当噪声。

图13是根据本公开的实施方式的图6中所示的电致发光设备的剖视图。在这里将省略对已经在图1A至图12中描述的组件的描述。

参照图1A至图13，根据实施方式，感测电极220a包括开口220c。例如，如图13中所示，第一感测电极220a_1包括开口220c。开口220c与有效针孔130a重叠。作为一个示例，一个开口220c竖直地对应于有效针孔130a并与有效针孔130a重叠。作为另一示例，至少两个相邻的开口220c竖直地对应于一个有效针孔130a并与一个有效针孔130a重叠。

根据实施方式，开口220c的宽度等于或大于由感测电极220a测量的反射光RL的宽度RLW。例如，如图13中所示，当焦点F位于第一光阻挡结构130的有效针孔130a处时，开口220c的宽度大于有效针孔130a的宽度。因此，可以防止反射光RL被感测电极220a吸收或反射，从而防止反射光RL的强度的降低。

根据实施方式，当桥接部240a相对大时，桥接部240a还包括与有效针孔130a重叠的有效针孔。因此，可以防止反射光RL被桥接部240a吸收或反射，从而防止反射光RL的强度的降低。

根据实施方式，开口220c大于图9A中所示的感测电极220a的孔H。感测电极220a包括图9A中所示的孔H和图13中所示的开口220c两者。桥接部240a也包括图9A中所示的孔H和图13中所示的开口220c两者。

图14是根据本公开的实施方式的图6中所示的电致发光设备的剖视图。在这里将省略对已经在图1A至图13中描述的组件的描述。

参照图1A至图14，根据实施方式，电致发光设备1包括位于第五层间绝缘层136和像素限定层141之间的第四光阻挡结构148。例如，第四光阻挡结构148设置在与下部电极143相同的层上。第四光阻挡结构148具有不围绕下部电极143的岛形状。

根据实施方式，第四光阻挡结构148包括有效针孔148a和虚设针孔148b中的至少一个。

根据实施方式，第四光阻挡结构148的有效针孔148a、第一光阻挡结构130的有效针孔130a、第二光阻挡结构120的有效针孔120a和有效图像传感器160a彼此重叠。因此，反射光RL可以顺序地穿过有效针孔148a、有效针孔130a和有效针孔120a以入射到有效图像传感器160a上。

根据实施方式，第四光阻挡结构148的虚设针孔148b、第一光阻挡结构130的虚设针孔130b、第二光阻挡结构120的光阻挡区域120b和虚设图像传感器160b彼此重叠。因此，在反射光RL顺序地穿过虚设针孔148b和虚设针孔130b之后，反射光RL可以被光阻挡区域120b阻挡并且不入射到虚设图像传感器160b上。

根据实施方式，第四光阻挡结构148的虚设针孔148b与电致发光结构140的像素限定层141上的间隔部142重叠。因此，在反射光RL被间隔部142吸收或散射并且反射光RL的强度降低之后，反射光RL入射到虚设针孔148b上。

根据实施方式，第四光阻挡结构148的虚设针孔148b具有与有效针孔148a相同的尺寸。在这种情况下，可以均匀地形成用于形成第四光阻挡结构148的掩模的孔，这简化了制造工艺。

替代地，在其他实施方式中，第四光阻挡结构148的虚设针孔148b大于有效针孔148a。虚设针孔148b用作去除保留在电致发光设备1中的气体或杂质的通道，以减少当气体或杂质聚集在一个位置时可能发生的缺陷。当虚设针孔130b的尺寸大于有效针孔148a的尺寸时，可以更有效地去除气体或杂质。

替代地，在另外其他实施方式中，第四光阻挡结构148的虚设针孔148b小于有效针孔148a。在穿过虚设针孔148b的反射光RL穿过虚设针孔130b之后，反射光RL中的大部分被第二光阻挡结构120阻挡。然而，反射光RL中的一些可传播通过第二光阻挡结构120的有效针孔120a，从而充当噪声。因此，第四光阻挡结构148的虚设针孔148b可形成为小于有效针孔148a以减少噪声。

根据实施方式，第四光阻挡结构148不电连接到下部电极143。作为一个示例，第四光阻挡结构148是电浮置的。作为另一示例，正电压、负电压或零电压被恒定地施加到第四光阻挡结构148。这可以防止由于第四光阻挡结构148的电压波动而发生串扰。

根据实施方式，反射光RL的焦点在第四光阻挡结构148的有效针孔148a上。在这种情况下，第九距离I_9大于第八距离I_8，第七距离I_7大于第九距离I_9，第四距离I_4大于第八距离I_8，且第五距离I_5大于第四距离I_4。

根据其他实施方式，反射光RL的焦点在第一光阻挡结构130的有效针孔130a上。在这种情况下，第八距离I_8大于第四距离I_4，第九距离I_9大于第八距离I_8，第七距离I_7大于第九距离I_9，且第五距离I_5大于第四距离I_4。

根据另外其他实施方式，反射光RL的焦点在第二光阻挡结构120的有效针孔120a上。在这种情况下，第四距离I_4大于第五距离I_5，第八距离I_8大于第四距离I_4，第九距离I_9大于第八距离I_8，且第七距离I_7大于第九距离I_9。

根据实施方式，上部光阻挡构件位于第四光阻挡结构148的虚设针孔148b上方。上部光阻挡构件防止反射光RL入射到虚设针孔148b上。上部光阻挡构件比虚设针孔148b宽。

根据实施方式，下部光阻挡构件位于第四光阻挡结构148的虚设针孔148b下方。下部光阻挡构件阻挡已经穿过虚设针孔148b的反射光RL。下部光阻挡构件比虚设针孔148b宽。下部光阻挡构件包括第一光阻挡结构130中的光阻挡层的至少一部分。

根据实施方式，光阻挡层是导电层。例如，光阻挡层包括不透明金属。替代地，在其他实施方式中，光阻挡层是绝缘层。例如，光阻挡层包括黑色矩阵材料。

如果第四光阻挡结构148处于电浮置状态中，则第四光阻挡结构148的电压根据外部影响而改变，从而在电性上不可预见地影响像素电路PC中的晶体管和电容器。因此，根据实施方式，第四光阻挡结构148具有呈预定正电压、预定负电压和预定0V中的一者的基态。也就是说，第四光阻挡结构148被电偏置。第四光阻挡结构148电连接到上部电极147。

图15是根据本公开的实施方式的图6中所示的电致发光设备的剖视图。在这里将省略对已经在图1A至图14中描述的组件的描述。

参照图1A至图15，根据实施方式，电致发光结构140包括具有有效针孔148a和虚设针孔148b中的至少一者的第四光阻挡结构148。

根据实施方式，第四光阻挡结构148与下部电极143集成。作为一个示例，位于第二像素P2的第二像素电路PC2中的具有有效针孔148a的第四光阻挡结构148与第二下部电极143b集成。作为另一示例，位于第三像素P3的第三像素电路PC3中的具有虚设针孔148b的第四光阻挡结构148与第三下部电极143c集成。

根据实施方式，由于图15中所示的有效针孔148a和虚设针孔148b与已经在图14中描述的有效针孔148a和虚设针孔148b基本上相同，因此在这里将省略其详细描述。

根据实施方式，由于图15的上部光阻挡构件和下部光阻挡构件与已经参照图14描述的上部光阻挡构件和下部光阻挡构件基本上相同，因此在这里将省略其详细描述。

根据实施方式，由于图15中所示的第九距离I_9、第四距离I_4、第五距离I_5、第八距离I_8和第七距离I_7之间的关系与已经在图14中描述的第九距离I_9、第四距离I_4、第五距离I_5、第八距离I_8和第七距离I_7之间的关系基本上相同，因此在这里将省略其描述。

图16是根据本公开的实施方式的图6中所示的电致发光设备的剖视图。在这里将省略对已经在图1A至图15中描述的组件的描述。

参照图1A至图16，电致发光结构140包括具有有效针孔148a和虚设针孔148b中的至少一者的第四光阻挡结构148。

作为一个示例，位于第二像素P2的第二像素电路PC2中的具有有效针孔148a的第四光阻挡结构148与第一下部电极143a集成。作为另一示例，位于第三像素P3的第三像素电路PC3中的具有虚设针孔148b的第四光阻挡结构148与第二下部电极143b集成。

根据实施方式，由于图16中所示的有效针孔148a和虚设针孔148b与已经在图14中描述的有效针孔148a和虚设针孔148b基本上相同，因此在这里将省略其详细描述。

根据实施方式，由于图16的上部光阻挡构件和下部光阻挡构件与已经参照图14描述的上部光阻挡构件和下部光阻挡构件基本上相同，因此在这里将省略其详细描述。

根据实施方式，由于图16中所示的第九距离I_9、第四距离I_4、第五距离I_5、第八距离I_8和第七距离I_7之间的关系与已经在图14中描述的第九距离I_9、第四距离I_4、第五距离I_5、第八距离I_8和第七距离I_7之间的关系基本上相同，因此在这里将省略其描述。

图17是根据本公开的实施方式的图6中所示的电致发光设备的剖视图。图18是根据本公开的实施方式的图17中所示的电致发光设备的平面图。在这里将省略对已经在图1A至图16中描述的组件的描述。

参照图1A至图18，根据实施方式，电致发光设备1包括第四光阻挡结构148和下部光阻挡构件139。第四光阻挡结构148具有有效针孔148a和虚设针孔148b中的至少一个。

根据实施方式，第四光阻挡结构148和下部电极143设置在相同的层上。第四光阻挡结构148和下部电极143包括相同的材料，并且通过相同的工艺形成。第四光阻挡结构148与下部电极143间隔开。第四光阻挡结构148在平面图中具有围绕下部电极143的网格结构。

根据实施方式，第四光阻挡结构148包括可反射或吸收光的不透明材料。例如，第四光阻挡结构148包括不透明导电材料。不透明导电材料包括金属。

根据实施方式，第四光阻挡结构148通过至少穿透像素限定层141的接触孔CH连接到上部电极147。作为一个示例，接触孔CH穿透像素限定层141。作为另一示例，接触孔CH穿透像素限定层141和间隔部142。

根据实施方式，当第四光阻挡结构148通过接触孔CH连接到上部电极147并连接到图21中所示的第二像素电源ELVSS时，可以减小上部电极147的电压降。

如果第四光阻挡结构148处于电浮置状态中而没有电连接到上部电极147，则第四光阻挡结构148的电压根据外部影响而改变，从而在电性上不可预见地影响像素电路PC中的晶体管和电容器。因此，在其他实施方式中，如果第四光阻挡结构148不电连接到上部电极147，则第四光阻挡结构148具有呈预定正电压、预定负电压和预定0V中的一者的基态。也就是说，如果第四光阻挡结构148不电连接到上部电极147，则第四光阻挡结构148被电偏置。

根据实施方式，由于图17中所示的有效针孔148a和虚设针孔148b与已经在图14中描述的有效针孔148a和虚设针孔148b基本上相同，因此在这里将省略其详细描述。

根据实施方式，由于上部光阻挡构件与已经参照图14描述的上部光阻挡构件基本上相同，因此在这里将省略其详细描述。

根据实施方式，下部光阻挡构件139位于第四光阻挡结构148的虚设针孔148b下方。下部光阻挡构件139阻挡穿过虚设针孔148b的反射光RL。下部光阻挡构件139比虚设针孔148b宽。下部光阻挡构件139包括第一光阻挡结构130中的光阻挡层的至少一部分。在一些实施方式中，光阻挡层是导电层。例如，光阻挡层包括与设置在第三层间绝缘层135上的第五导电图案137e和第五虚设导电图案138e相同的材料，并且在相同的工艺中形成。替代地，在其他实施方式中，光阻挡层是绝缘层。例如，光阻挡层包括黑色矩阵材料。

根据实施方式，由于图17中所示的第九距离I_9、第四距离I_4、第五距离I_5、第八距离I_8和第七距离I_7之间的关系与已经在图14中描述的第九距离I_9、第四距离I_4、第五距离I_5、第八距离I_8和第七距离I_7之间的关系基本上相同，因此在这里将省略其描述。

图19是根据本公开的实施方式的有效针孔、下部电极、间隔部和桥接部之间的位置关系的平面图。至少一个有效针孔需要满足参照图19描述的条件，但不是所有的有效针孔需要满足这些条件。

参考图1A至图8C以及图19，根据实施方式，有效针孔EPH在平面中具有正方形形状。替代地，在其他实施方式中，有效针孔EPH在平面中可以具有矩形、圆形、椭圆形或多边形的形状。

根据实施方式，在图14中所示的第一光阻挡结构130的有效针孔130a、第二光阻挡结构120的有效针孔120a和第四光阻挡结构148的有效针孔148a中，形成焦点F的位置变成图19的有效针孔EPH。

根据实施方式，在平面图中，多个下部电极143、多个间隔部142和多个桥接部240a位于有效针孔EPH周围。下部电极143包括第一下部电极143a、第二下部电极143b和第三下部电极143c。间隔部142包括第一间隔部142a和第二间隔部142b。桥接部240a包括第一桥接部240a_1和第二桥接部240a_2。

根据实施方式，多个下部电极143包括在平面图中最最靠近形成在有效针孔EPH上的焦点F的单个第一下部电极143a。单个第一下部电极143a和焦点F之间的最短距离是第一距离D1，第一距离D1是第一线L1的长度。焦点F在第一线L1的延伸方向上与有效针孔EPH的内壁ed间隔开第二距离D2。第一距离D1等于或大于第二距离D2。例如，第一距离D1大于第二距离D2。

根据实施方式，多个下部电极143包括在平面图中次最靠近形成在有效针孔EPH上的焦点F的单个第二下部电极143b。替代地，在其他实施方式中，多个下部电极143包括在平面图中次最靠近焦点F的至少两个第二下部电极143b。第二下部电极143b和焦点F之间的最短距离是第三距离D3，第三距离D3是第二线L2的长度。焦点F在第二线L2的延伸方向上与有效针孔EPH的内壁ed间隔开第四距离D4。第三距离D3等于或大于第四距离D4。例如，第三距离D3大于第四距离D4。

根据实施方式，多个间隔部142包括在平面图中最最靠近形成在有效针孔EPH上的焦点F的单个第一间隔部142a。单个第一间隔部142a和焦点F之间的最短距离是第五距离D5，第五距离D5是第三线L3的长度。焦点F在第三线L3的延伸方向上与有效针孔EPH的内壁ed间隔开第六距离D6。第五距离D5等于或大于第六距离D6。例如，第五距离D5大于第六距离D6。

根据实施方式，多个间隔部142包括在平面图中次最靠近形成在有效针孔EPH上的焦点F的单个第二间隔部142b。替代地，在其他实施方式中，多个间隔部142包括在平面图中次最靠近形成在有效针孔EPH上的焦点F的至少两个第二间隔部142b。第二间隔部142b和焦点F之间的最短距离是第七距离D7，第七距离D7是第四线L4的长度。焦点F在第四线L4的延伸方向上与有效针孔EPH的内壁ed间隔开第八距离D8。第七距离D7等于或大于第八距离D8。例如，第七距离D7大于第八距离D8。

根据实施方式，多个桥接部240a包括在平面图中最最靠近形成在有效针孔EPH上的焦点F的单个第一桥接部240a_1。单个第一桥接部240a_1和焦点F之间的最短距离是第九距离D9，第九距离D9是第五线L5的长度。焦点F在第五线L5的延伸方向上与有效针孔EPH的内壁ed间隔开第十距离D10。第九距离D9等于或大于第十距离D10。例如，第九距离D9大于第十距离D10。

根据实施方式，第一桥接部240a_1具有与图8A中所示的第一感测电极220a_1重叠的重叠区域a_1，并且触摸感测结构200的光透射率在重叠区域a_1处较低。因此，第五线L5可以被设置在焦点F和在平面中最最靠近焦点F的单个第一桥接部240a_1的重叠区域a_1之间。

根据实施方式，多个桥接部240a包括在平面图中次最靠近形成在有效针孔EPH上的焦点F的单个第二桥接部240a_2。替代地，在其他实施方式中，多个桥接部240a包括在平面图中次最靠近形成在有效针孔EPH上的焦点F的至少两个第二桥接部240a_2。焦点F和在平面中次最靠近焦点F的第二桥接部240a_2之间的最短距离是第十一距离D11，第十一距离D11是第六线L6的长度。焦点F在第六线L6的延伸方向上与有效针孔EPH的内壁ed间隔开第十二距离D12。第十一距离D11等于或大于第十二距离D12。例如，第十一距离D11大于第十二距离D12。

根据实施方式，第二桥接部240a_2具有与图8A中所示的第二感测电极220a_2重叠的重叠区域a_2，并且触摸感测结构200的光透射率在重叠区域a_2处较低。因此，第六线L6可以被设置在焦点F和在平面中次最靠近焦点F的单个第二桥接部240a_2的重叠区域a_2之间。

根据实施方式，第一距离D1、第三距离D3、第五距离D5、第七距离D7、第九距离D9和第十一距离D11分别等于或大于第二距离D2、第四距离D4、第六距离D6、第八距离D8、第十距离D10和第十二距离D12。因此，反射光RL传播的光路的至少一部分被阻挡，以防止反射光RL的强度降低。

根据实施方式，第三距离D3等于或大于第一距离D1。第五距离D5等于或大于第三距离D3。第七距离D7等于或大于第五距离D5。第九距离D9等于或大于第七距离D7。第十一距离D11等于或大于第九距离D9。因此，可以充分确保反射光RL的光路。因此，反射光RL传播的光路的至少一部分可以被阻挡，以防止反射光RL的强度降低。

根据实施方式，第五距离D5和第七距离D7之和等于或大于第一距离D1和第三距离D3之和。第九距离D9和第十一距离D11之和等于或大于第五距离D5和第七距离D7之和。因此，反射光RL传播的光路的至少一部分可以被阻挡，以防止反射光RL的强度降低。

根据实施方式，第一线L1和第二线L2之间的第一角度θ1不是“k×180°”。这里，“k”是除零以外的整数。第三线L3和第四线L4之间的第二角度θ2不是“m×180°”。这里，“m”是除零以外的整数。第五线L5和第六线L6之间的第三角度θ3不是“n×180°”。这里，“n”是除零以外的整数。可以满足第一角度θ1的条件、第二角度θ2的条件和第三角度θ3的条件中的至少一个。因此，形成有效针孔EPH不会阻碍电致发光设备1的分辨率增加。

图20是根据本公开的实施方式的有效针孔、下部电极、间隔部和桥接部之间的位置关系的平面图。在这里将省略对已经在图19中描述的组件的描述。至少一个有效针孔需要满足参照图20描述的条件，但不是所有的有效针孔需要满足上述条件。

参照图1A至图20，根据实施方式，电致发光设备1包括在平面图中最最靠近形成在有效针孔EPH上的焦点F的至少两个下部电极143。焦点F和至少两个下部电极143之间的最短距离是第十三距离D13。第十三距离D13可对应于图19中所示的第一距离D1或第三距离D3。

根据实施方式，电致发光设备1包括在平面图中最最靠近形成在有效针孔EPH上的焦点F的至少两个间隔部142。焦点F和至少两个间隔部142之间的最短距离是第十四距离D14。第十四距离D14可对应于图19中所示的第五距离D5或第七距离D7。

根据实施方式，电致发光设备1包括在平面图中最最靠近形成在有效针孔EPH上的焦点F的至少两个桥接部240a。焦点F和至少两个桥接部240a之间的最短距离是第十五距离D15。第十五距离D15可对应于图19中所示的第九距离D9或第十一距离D11。

根据实施方式，桥接部240a具有与图8A中所示的感测电极220a重叠的重叠区域a，并且触摸感测结构200的光透射率在重叠区域a处较低。因此，第十五距离D15可以被设置在焦点F和最最靠近焦点F的至少两个桥接部240a的重叠区域a之间。

根据实施方式，第十四距离D14等于或大于第十三距离D13。第十五距离D15等于或大于第十四距离D14。因此，可以充分确保反射光RL的光路。因此，可以防止反射光RL的强度降低。反射光RL的强度降低可能是由于阻挡反射光RL传播的光路的至少一部分而引起的。此外，形成在有效针孔EPH上的焦点F与有效针孔EPH的内壁ed之间的距离为长度R1。

图21是根据本公开的实施方式的图1A或图1B中所示的像素电路的电路图。

参照图1A、图1B和图21，根据实施方式，像素Pij布置在电致发光设备1的显示区域DA的第i行和第j列中，其中“i”是自然数，其中“j”是自然数。像素Pij的像素电路PCij联接到显示区域DA的第i扫描线Si和第j数据线Dj。像素电路PCij联接到第一像素电源ELVDD和第二像素电源ELVSS。

根据实施方式，像素Pij包括像素电路PCij和电致发光单元ELUij。像素电路PCij电联接到电致发光单元ELUij。像素电路PCij的外部部分基本上具有诸如正方形或矩形的四边形的形状。

根据实施方式，像素电路PCij还联接到至少一条不同的扫描线。例如，像素电路PCij还联接到第i-1扫描线Si-1和第i+1扫描线Si+1中的至少一条。

根据实施方式，除了第一像素电源ELVDD和第二像素电源ELVSS之外，像素电路PCij还联接到第三电源。例如，像素电路PCij还联接到初始化电源Vint。

根据实施方式，像素电路PCij包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7以及存储电容器Cst。

根据实施方式，第一晶体管T1的源电极经由第五晶体管T5联接到第一像素电源ELVDD。第一晶体管T1的漏电极经由第六晶体管T6联接到电致发光单元ELUij。第一晶体管T1的栅电极联接到第一节点N1。第一晶体管T1响应于第一节点N1的电压控制在第一像素电源ELVDD和第二像素电源ELVSS之间流动的驱动电流，使得驱动电流流过电致发光单元ELUij。

根据实施方式，第二晶体管T2联接在第j数据线Dj和第一晶体管T1的源电极之间。第二晶体管T2的栅电极联接到第i扫描线Si。当从第i扫描线Si接收到栅极导通电压(诸如低电压)的扫描信号时，第二晶体管T2导通以将第j数据线Dj电连接到第一晶体管T1的源电极。因此，如果第二晶体管T2导通，则从第j数据线Dj接收的数据信号被传输到第一晶体管T1。

根据实施方式，第三晶体管T3联接在第一晶体管T1的漏电极和第一节点N1之间。第三晶体管T3的栅电极联接到第i扫描线Si。当从第i扫描线Si接收到栅极导通电压的扫描信号时，第三晶体管T3导通以将第一晶体管T1的漏电极电连接到第一节点N1。

根据实施方式，第四晶体管T4联接在第一节点N1和其上传输初始化电源Vint的初始化电力线IPL之间。第四晶体管T4的栅电极联接到前一扫描线，诸如第i-1扫描线Si-1。当从第i-1扫描线Si-1接收到栅极导通电压的扫描信号时，第四晶体管T4导通，使得初始化电源Vint的电压流向第一节点N1。这里，初始化电源Vint具有等于或小于数据信号的最小电压的电压。

根据实施方式，第五晶体管T5联接在第一像素电源ELVDD和第一晶体管T1之间。第五晶体管T5的栅电极联接到相应的发射控制线，诸如，第i发射控制线Ei。当通过第i发射控制线Ei接收到具有栅极截止电压的发射控制信号时，第五晶体管T5截止，并且第五晶体管T5可以在其他情况下导通。

根据实施方式，第六晶体管T6联接在第一晶体管T1和电致发光单元ELUij之间。第六晶体管T6的栅电极联接到第i发射控制线Ei。当具有栅极截止电压的发射控制信号被提供给第i发射控制线Ei时，第六晶体管T6截止，并且第六晶体管T6可以在其他情况下导通。

根据实施方式，第七晶体管T7联接在电致发光单元ELUij和初始化电力线IPL之间。第七晶体管T7的栅电极联接到后一级的扫描线中的任一条，诸如第i+1扫描线Si+1。当栅极导通电压的扫描信号被提供给第i+1扫描线Si+1时，第七晶体管T7导通，使得初始化电源Vint的电压流到电致发光单元ELUij。

根据实施方式，存储电容器Cst联接在第一像素电源ELVDD和第一节点N1之间。存储电容器Cst存储与在每个帧周期期间提供给第一节点N1的数据信号和第一晶体管T1的阈值电压对应的电压。

根据实施方式，电致发光单元ELUij的阳极经由第六晶体管T6联接到第一晶体管T1，并且电致发光单元ELUij的阴极联接到第二像素电源ELVSS。电致发光单元ELUij发射具有与从第一晶体管T1接收的电流对应的预定亮度的光。传输到像素电力线PL的第一像素电源ELVDD的电压高于第二像素电源ELVSS的电压，以允许电流流到电致发光单元ELUij。在像素Pij的发光周期内，第一像素电源ELVDD和第二像素电源ELVSS之间的电势差等于或高于电致发光单元ELUij的阈值电压。

图22是根据本公开的实施方式的图21中所示的像素的平面图。图23是沿图22的线II-II'截取的剖视图。

根据实施方式，在其上传输扫描信号的扫描线Si-1、Si和Si+1中，第i-1行扫描线被称为“第i-1扫描线Si-1”，第i行扫描线被称为“第i扫描线Si”，并且第i+1行扫描线被称为“第i+1扫描线Si+1”。其上传输发射控制信号的第i行发射控制线被称为“第i发射控制线Ei”。其上传输数据信号的第j列数据线被称为“第j数据线Dj”。其上传输第一像素电源ELVDD的第j列像素电力线被称为“像素电力线PL”。

参照图1A至图8C以及图21至图23，根据实施方式，像素Pij设置在透明层110上。电致发光设备1包括显示区域DA和非显示区域NDA。像素Pij设置在显示区域DA中。

根据实施方式，扫描线Si-1、Si和Si+1向像素电路PCij传输扫描信号。第i发射控制线Ei向像素电路PCij传输发射控制信号。第j数据线Dj向像素电路PCij传输数据信号。初始化电力线IPL向像素电路PCij传输初始化电力。像素电力线PL向像素电路PCij传输第一像素电源ELVDD。

根据实施方式，扫描线Si-1、Si和Si+1在透明层110上沿第一方向DR1延伸。扫描线Si-1、Si和Si+1在第二方向DR2上依次布置。扫描线Si-1、Si和Si+1中的每一条接收扫描信号。扫描线Si-1、Si和Si+1设置在栅极绝缘层132上。

根据实施方式，第i发射控制线Ei在透明层110上沿第一方向DR1延伸。第i发射控制线Ei设置在栅极绝缘层132上。

根据实施方式，第j数据线Dj在透明层110上沿与第一方向DR1相交的第二方向DR2延伸。第j数据线Dj接收数据信号。第j数据线Dj设置在第二层间绝缘层134上。

根据实施方式，像素电力线PL在透明层110上大致沿与第j数据线Dj相同的方向(其为第二方向DR2)延伸。在像素电力线PL上传输第一像素电源ELVDD。像素电力线PL设置在第二层间绝缘层134上。

根据实施方式，初始化电力线IPL在透明层110上沿第一方向DR1延伸。在初始化电力线IPL上传输初始化电源Vint。初始化电力线IPL设置在第一层间绝缘层133上。

根据实施方式，像素Pij包括：电致发光结构140，包括至少一个电致发光单元ELUij；像素电路结构130，包括驱动电致发光单元ELUij的像素电路PCij；以及第二光阻挡结构120，位于像素电路结构130和透明层110之间。

根据实施方式，像素电路结构130包括有效针孔130a。因此，像素电路结构130用作第一光阻挡结构130以选择性地透射由用户反射的反射光RL。在下文中，像素电路结构130被称为第一光阻挡结构130。

根据实施方式，第二光阻挡结构120设置在电致发光结构140和图像传感器结构160之间，以选择性地透射入射的反射光RL。

根据实施方式，第二光阻挡结构120包括有效针孔120a和光阻挡区域120b。光阻挡区域120b包括光阻挡材料。例如，光阻挡区域120b包括不透明金属。

根据实施方式，第一光阻挡结构130包括联接到电致发光单元ELUij的像素电路PCij。

根据实施方式，像素电路PCij包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7以及存储电容器Cst。像素电路PCij设置在绝缘层131上。

根据实施方式，第一晶体管T1包括第一栅电极GE1、第一有源图案ACT1、第一源电极SE1、第一漏电极DE1和第一连接线CNL1。第一栅电极GE1联接到第3b晶体管T3b的第3b漏电极DE3b和第4b晶体管T4b的第4b漏电极DE4b。

根据实施方式，第二晶体管T2包括第二栅电极GE2、第二有源图案ACT2、第二源电极SE2和第二漏电极DE2。

根据实施方式，第三晶体管T3具有双栅极结构以防止电流泄漏。换句话说，第三晶体管T3包括第3a晶体管T3a和第3b晶体管T3b。第3a晶体管T3a包括第3a栅电极GE3a、第3a有源图案ACT3a、第3a源电极SE3a和第3a漏电极DE3a。第3b晶体管T3b包括第3b栅电极GE3b、第3b有源图案ACT3b、第3b源电极SE3b和第3b漏电极DE3b。第3b漏电极DE3b的另一端通过第一接触孔CH1和第二接触孔CH2以及第一连接线CNL1联接到第一栅电极GE1。

根据实施方式，类似于第三晶体管T3，第四晶体管T4具有双栅极结构以防止电流泄漏。换句话说，第四晶体管T4包括第4a晶体管T4a和第4b晶体管T4b。第4a晶体管T4a包括第4a栅电极GE4a、第4a有源图案ACT4a、第4a源电极SE4a和第4a漏电极DE4a。第4b晶体管T4b包括第4b栅电极GE4b、第4b有源图案ACT4b、第4b源电极SE4b和第4b漏电极DE4b。第4a源电极SE4a通过第九接触孔CH9联接到辅助连接线AUX。第4b漏电极DE4b通过第一接触孔CH1和第二接触孔CH2以及第一连接线CNL1联接到第一晶体管T1的第一栅电极GE1。

根据实施方式，第五晶体管T5包括第五栅电极GE5、第五有源图案ACT5、第五源电极SE5和第五漏电极DE5。第五源电极SE5通过第五接触孔CH5联接到像素电力线PL。

根据实施方式，第六晶体管T6包括第六栅电极GE6、第六有源图案ACT6、第六源电极SE6和第六漏电极DE6。第六源电极SE6联接到第一漏电极DE1和第3a源电极SE3a。第六漏电极DE6通过第七接触孔CH7联接到第二连接线CNL2。第二连接线CNL2通过第十接触孔CH10联接到连接图案CNP。连接图案CNP通过穿透第三层间绝缘层135的第十接触孔CH10联接到第二连接线CNL2，并通过穿透第五层间绝缘层136的第十一接触孔CH11联接到电致发光结构140的下部电极143。

根据实施方式，第七晶体管T7包括第七栅电极GE7、第七有源图案ACT7、第七源电极SE7和第七漏电极DE7。第七源电极SE7联接到第六漏电极DE6，且第七漏电极DE7通过第八接触孔CH8联接到初始化电力线IPL，且联接到与第i+1行扫描线对应的像素P(i+1)j的第4a源电极SE4a。

根据实施方式，存储电容器Cst包括电容器下部电极LE和电容器上部电极UE。电容器下部电极LE与第一晶体管T1的第一栅电极GE1集成。电容器上部电极UE与电容器下部电极LE重叠，并且当从平面观察时覆盖电容器下部电极LE。电容器上部电极UE通过第三接触孔CH3和第四接触孔CH4电连接到像素电力线PL。电容器上部电极UE包括与其中形成有第一接触孔CH1的区域对应的开口OPN。第一晶体管T1的第一栅电极GE1通过第一接触孔CH1与第一连接线CNL1联接。

根据实施方式，电致发光单元ELUij包括下部电极143、上部电极147和设置在下部电极143和上部电极147之间的发光层145。下部电极143、发光层145和上部电极147中的全部彼此重叠，而没有插置绝缘层，使得实际发射光的区域为发光区域。

根据实施方式，感测区域SA的第一光阻挡结构130具有与第二光阻挡结构120的有效针孔120a重叠的有效针孔130a。反射光RL的焦点F位于第一光阻挡结构130的有效针孔130a上。在这种情况下，第一光阻挡结构130的有效针孔130a的尺寸小于第二光阻挡结构120的有效针孔120a的尺寸。替代地，在其他实施方式中，反射光RL的焦点F位于第二光阻挡结构120的有效针孔120a上。在这种情况下，第二光阻挡结构120的有效针孔120a的尺寸小于第一光阻挡结构130的有效针孔130a的尺寸。

根据实施方式，第一光阻挡结构130的有效针孔130a由第一导电图案137a、第二导电图案137b、第三导电图案137c、第四导电图案137d和第五导电图案137e中的至少两个限定。

例如，根据实施方式，第一导电图案137a是图23中所示的第七源电极SE7、第一漏电极DE1、第3b有源图案ACT3b、第3b漏电极DE3b、第4b漏电极DE4b和第4a漏电极DE4a中的一个。第二导电图案137b是图23中所示的第i+1扫描线Si+1、第i发射控制线Ei、第i扫描线Si和第i-1扫描线Si-1中的一条。第三导电图案137c是图23中所示的初始化电力线IPL和电容器上部电极UE中的一个。第四导电图案137d是图23中所示的像素电力线PL、第一连接线CNL1和第二连接线CNL2中的一条。第五导电图案137e是图23中所示的连接图案CNP。

根据实施方式，电致发光设备1还包括设置在电致发光结构140上的触摸感测结构200。由于已在图7和图8D中描述了触摸感测结构200，因此在这里将省略其重复描述。

图24是根据本公开的实施方式的图21中所示的像素的平面图。

根据实施方式，图24中所示的第一光阻挡结构130的有效针孔130a由第j数据线Dj、像素电力线PL、第i发射控制线Ei和下部电极143限定。

根据实施方式，第一光阻挡结构130的有效针孔130a的内壁的一部分由下部电极143的外壁的一部分限定。换句话说，第一光阻挡结构130的有效针孔130a的内壁的所述部分和下部电极143的外壁的所述部分彼此竖直地对应。在这种情况下，下部电极143也包括在第一光阻挡结构130中。

虽然上面已经描述了各种示例性实施方式，但是本领域技术人员将理解，在不脱离本公开的范围和精神的情况下，各种修改、添加和替换是可能的。

因此，本说明书中公开的示例性实施方式仅用于说明目的，而不是限制本公开的技术精神。本公开的示例性实施方式的范围由所附权利要求限定。

根据本公开的实施方式的电致发光设备可以通过使用设置在像素中的发光元件作为光源并增加光源的光量来改善指纹感测的精确度。

此外，根据本公开的实施方式的电致发光设备具有设置在像素中的至少一个有效针孔，并且有效针孔与触摸感测结构的一些组件彼此间隔开，从而增加入射到图像传感器上的反射光的强度(或量)，并且从而允许精确地感测用户的指纹，并且实现更纤细的电致发光设备。

Claims (39)

1.电致发光设备，包括：

第一绝缘层；

电致发光结构，包括设置在所述第一绝缘层上的下部电极、设置在所述下部电极上的发光层以及设置在所述发光层上的上部电极；

第一光阻挡结构，设置在所述第一绝缘层下方并且包括第一有效针孔；以及

图像传感器结构，设置在所述第一光阻挡结构下方并且包括与所述第一有效针孔重叠的有效图像传感器，

其中，所述下部电极不与所述第一有效针孔重叠。

2.根据权利要求1所述的电致发光设备，其中：

所述第一光阻挡结构还包括第一虚设针孔，

所述第一虚设针孔位于所述第一有效针孔之间，以及

所述第一有效针孔和所述第一虚设针孔在平面图中形成单个栅格布置。

3.根据权利要求2所述的电致发光设备，还包括：

第二光阻挡结构，设置在所述第一光阻挡结构和所述图像传感器结构之间，并且包括第二光阻挡区域和第二有效针孔，其中：

所述第二光阻挡区域不与所述第一有效针孔重叠并阻挡穿过所述第一虚设针孔的光，以及

所述第二有效针孔与所述第一有效针孔重叠。

4.根据权利要求1所述的电致发光设备，还包括：

第二光阻挡结构，设置在所述第一光阻挡结构和所述图像传感器结构之间，并且包括第二光阻挡区域和第二有效针孔，其中：

所述第二光阻挡区域不与所述第一有效针孔重叠，以及

所述第二有效针孔与所述第一有效针孔重叠。

5.根据权利要求4所述的电致发光设备，其中，所述第二光阻挡区域包括附加针孔。

6.根据权利要求5所述的电致发光设备，还包括：

光阻挡构件，设置在所述附加针孔之上或之下，并且与所述附加针孔重叠。

7.根据权利要求5所述的电致发光设备，其中，所述附加针孔小于所述第二有效针孔。

8.根据权利要求1所述的电致发光设备，其中，从所述第一有效针孔的光学中心到所述下部电极的最短平面距离大于在测量从所述第一有效针孔的所述光学中心到所述下部电极的所述最短平面距离的第一方向上从所述第一有效针孔的所述光学中心到所述第一有效针孔的内壁测量的平面距离。

9.根据权利要求8所述的电致发光设备，其中，所述下部电极包括在平面图中最最靠近所述第一有效针孔的所述光学中心的单个第一下部电极以及在平面图中次最靠近所述第一有效针孔的所述光学中心的单个第二下部电极。

10.根据权利要求9所述的电致发光设备，其中：

从所述第一有效针孔的所述光学中心到单个第二下部电极的最短平面距离是在第二方向上测量的，以及

所述第一方向和所述第二方向之间的角度不是k×180°，其中k是除零以外的整数。

11.根据权利要求8所述的电致发光设备，其中，所述下部电极包括在平面图中最最靠近所述第一有效针孔的所述光学中心的单个第一下部电极以及在平面图中次最靠近所述第一有效针孔的所述光学中心的至少两个第二下部电极。

12.根据权利要求8所述的电致发光设备，其中，所述下部电极包括在平面图中最最靠近所述第一有效针孔的所述光学中心的至少两个第一下部电极。

13.根据权利要求8所述的电致发光设备，还包括：

像素限定层，设置在所述第一绝缘层上并覆盖所述下部电极的边缘，以及

间隔部，设置在所述像素限定层上以高于所述像素限定层，

其中，从所述第一有效针孔的所述光学中心到所述间隔部的最短平面距离大于从所述第一有效针孔的所述光学中心到所述下部电极的所述最短平面距离。

14.根据权利要求13所述的电致发光设备，还包括：

触摸感测结构，包括触摸感测电极和桥接部并且位于所述电致发光结构上方，其中：

所述桥接部将两个相邻的所述触摸感测电极彼此电联接，以及

从所述第一有效针孔的所述光学中心到所述桥接部的最短平面距离大于从所述第一有效针孔的所述光学中心到所述间隔部的所述最短平面距离。

15.根据权利要求1所述的电致发光设备，还包括：

像素限定层，设置在所述第一绝缘层上并覆盖所述下部电极的边缘，以及

间隔部，设置在所述像素限定层上以高于所述像素限定层，

其中，从所述第一有效针孔的光学中心到所述间隔部的最短平面距离大于在测量从所述第一有效针孔的所述光学中心到所述间隔部的所述最短平面距离的第三方向上从所述第一有效针孔的所述光学中心到所述第一有效针孔的内壁测量的平面距离。

16.根据权利要求15所述的电致发光设备，其中，所述间隔部包括在平面图中最最靠近所述第一有效针孔的所述光学中心的单个第一间隔部以及在平面图中次最靠近所述第一有效针孔的所述光学中心的单个第二间隔部。

17.根据权利要求16所述的电致发光设备，其中：

从所述第一有效针孔的所述光学中心到单个第二间隔部的最短平面距离是在第四方向上测量的，以及

所述第三方向和所述第四方向形成第二角度，并且所述第二角度不是m×180°，其中，m是除零以外的整数。

18.根据权利要求15所述的电致发光设备，其中，所述间隔部包括在平面图中最最靠近所述第一有效针孔的所述光学中心的单个第一间隔部以及在平面图中次最靠近所述第一有效针孔的所述光学中心的至少两个第二间隔部。

19.根据权利要求15所述的电致发光设备，其中，所述间隔部包括在平面图中最最靠近所述第一有效针孔的所述光学中心的至少两个第一间隔部。

20.根据权利要求15所述的电致发光设备，还包括：

触摸感测结构，包括触摸感测电极和桥接部并且位于所述电致发光结构上方，其中：

所述桥接部将两个相邻的所述触摸感测电极彼此电联接，以及

从所述第一有效针孔的所述光学中心到所述桥接部的最短平面距离大于从所述第一有效针孔的所述光学中心到所述间隔部的所述最短平面距离。

21.根据权利要求1所述的电致发光设备，还包括：

触摸感测结构，包括触摸感测电极和桥接部并且位于所述电致发光结构上方，其中：

所述桥接部将两个相邻的所述触摸感测电极彼此电联接，以及

从所述第一有效针孔的光学中心到所述桥接部的最短平面距离大于在测量从所述第一有效针孔的所述光学中心到所述桥接部的所述最短平面距离的第五方向上从所述第一有效针孔的所述光学中心到所述第一有效针孔的内壁测量的平面距离。

22.根据权利要求21所述的电致发光设备，其中，所述桥接部包括在平面图中最最靠近所述第一有效针孔的所述光学中心的单个第一桥接部以及在平面图中次最靠近所述第一有效针孔的所述光学中心的单个第二桥接部。

23.根据权利要求22所述的电致发光设备，其中：

从所述第一有效针孔的所述光学中心到单个第二桥接部的最短平面距离是在第六方向上测量的，以及

所述第五方向和所述第六方向形成第三角度，并且所述第三角度为n×180°，其中，n是除零以外的整数。

24.根据权利要求21所述的电致发光设备，其中，所述桥接部包括在平面图中最最靠近所述第一有效针孔的所述光学中心的单个第一桥接部以及在平面图中次最靠近所述第一有效针孔的所述光学中心的至少两个第二桥接部。

25.根据权利要求21所述的电致发光设备，其中，所述桥接部包括在平面图中最最靠近所述第一有效针孔的所述光学中心的至少两个第一桥接部。

26.根据权利要求1所述的电致发光设备，还包括：

触摸感测结构，包括桥接部和设置在与所述桥接部不同的层上的触摸感测电极，并且所述触摸感测结构位于所述电致发光结构上方，其中：

所述桥接部将两个相邻的所述触摸感测电极彼此电联接，

所述桥接部包括与所述触摸感测电极重叠的重叠区域，以及

从所述第一有效针孔的光学中心到所述重叠区域的最短平面距离大于在测量从所述第一有效针孔的所述光学中心到所述重叠区域的所述最短平面距离的方向上从所述第一有效针孔的所述光学中心到所述第一有效针孔的内壁测量的平面距离。

27.根据权利要求1所述的电致发光设备，其中，所述电致发光结构具有至少两个所述发光层重叠的重叠区域，并且所述第一有效针孔与所述重叠区域重叠。

28.根据权利要求27所述的电致发光设备，还包括：

像素限定层，设置在所述第一绝缘层上并覆盖所述下部电极的边缘，以及

间隔部，设置在所述像素限定层上以高于所述像素限定层，

其中，所述重叠区域不与所述间隔部重叠。

29.根据权利要求1所述的电致发光设备，还包括：

像素限定层，设置在所述第一绝缘层上并覆盖所述下部电极的边缘，以及

间隔部，设置在所述像素限定层上以高于所述像素限定层，其中：

所述间隔部在截面中具有位于所述间隔部的侧表面和上表面之间的弯曲边缘，

所述间隔部在平面图中具有弯曲边缘，以及

所述间隔部与所述第一有效针孔重叠。

30.根据权利要求1所述的电致发光设备，其中，所述图像传感器结构还包括位于所述有效图像传感器之间的虚设图像传感器。

31.电致发光设备，包括：

电致发光结构，包括设置在绝缘层上的下部电极、设置在所述下部电极上的发光层以及设置在所述发光层上的上部电极；

第一光阻挡结构，位于与所述下部电极相同的层上；以及

图像传感器结构，位于所述绝缘层下方并包括有效图像传感器，其中：

所述电致发光结构包括所述下部电极、所述发光层和所述上部电极彼此重叠以发射光的发光区域，以及

所述第一光阻挡结构包括与所述有效图像传感器重叠的第一有效针孔。

32.根据权利要求31所述的电致发光设备，其中，所述第一光阻挡结构与所述下部电极整体形成为一体。

33.根据权利要求31所述的电致发光设备，其中：

所述第一光阻挡结构不电联接到所述下部电极，

所述第一光阻挡结构具有不围绕所述下部电极的岛形状，以及

所述第一光阻挡结构设置为多个。

34.根据权利要求33所述的电致发光设备，其中，所述第一光阻挡结构电联接到所述上部电极。

35.根据权利要求31所述的电致发光设备，其中：

所述第一光阻挡结构不电联接到所述下部电极，

所述第一光阻挡结构具有具备孔的网格形状，以及

所述孔围绕所述下部电极。

36.根据权利要求35所述的电致发光设备，其中，所述第一光阻挡结构电联接到所述上部电极。

37.根据权利要求31所述的电致发光设备，还包括第二光阻挡结构，所述第二光阻挡结构位于所述第一光阻挡结构和所述图像传感器结构之间并包括第二有效针孔，其中：

所述第一有效针孔与所述第二有效针孔重叠，以及

所述第一有效针孔小于所述第二有效针孔。

38.电致发光设备，包括：

电致发光结构，包括下部电极、设置在所述下部电极上的发光层以及设置在所述发光层上的上部电极；

光阻挡结构，设置在所述电致发光结构下方并包括有效针孔；

图像传感器结构，设置在所述光阻挡结构下方，并且包括与所述有效针孔重叠的图像传感器；以及

触摸感测结构，包括触摸感测电极和桥接部并且位于所述电致发光结构上方，其中：

所述下部电极不与所述有效针孔重叠，

所述桥接部将两个相邻的所述触摸感测电极彼此电联接，以及

从所述触摸感测电极和所述桥接部的组中选择的至少一个包括与所述有效针孔重叠的至少一个开口。

39.根据权利要求38所述的电致发光设备，其中：

所述电致发光结构包括所述下部电极、所述发光层和所述上部电极彼此重叠以发射光的发光区域，

从所述触摸感测电极和所述桥接部的所述组中选择的所述至少一个还包括与所述发光区域重叠的孔，以及

所述开口的尺寸大于所述孔的尺寸。

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