CN112186496A

CN112186496A - 一种阻抗匹配方法以及激光器模块

Info

Publication number: CN112186496A
Application number: CN202011003991.0A
Authority: CN
Inventors: 成璇璇; 张博
Original assignee: Accelink Technologies Co Ltd
Current assignee: Accelink Technologies Co Ltd
Priority date: 2020-09-22
Filing date: 2020-09-22
Publication date: 2021-01-05
Anticipated expiration: 2040-09-22
Also published as: CN112186496B

Abstract

本申请实施例公开了一种阻抗匹配方法以及激光器模块，所述方法包括：根据目标阻抗和多层陶瓷基板上的布置器件，确定所述多层陶瓷基板的走线参数，使得所述多层陶瓷基板的阻抗与所述目标阻抗匹配；根据所述走线参数和所述目标阻抗，对所述布置器件进行双电阻匹配，使得所述布置器件的阻抗与所述目标阻抗匹配；其中，所述双电阻包括串联的第一电阻和第二电阻。

Description

一种阻抗匹配方法以及激光器模块

技术领域

本申请涉及光通信技术领域，尤其涉及一种阻抗匹配方法以及激光器模块。

背景技术

在现有的光通信应用中，通常会使用射频(Radio Frequency，RF)信号对激光器芯片进行调制，而只有激光器芯片与射频信号源之间阻抗匹配时，射频信号才能有效地对激光器芯片进行调制。在激光器模块的设计阶段，需要基于激光器芯片的阻抗，调整激光器芯片与射频信号源之间的硬件电路，使两者之间阻抗匹配达到最佳，从而获得质量最佳的调制信号，如何实现阻抗匹配达到最佳需要解决。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例为解决现有技术中存在的至少一个问题而提供一种阻抗匹配方法以及激光器模块。

为达到上述目的，本申请实施例的技术方案是这样实现的：

第一方面，本申请实施例提供一种阻抗匹配方法，所述方法包括：

根据目标阻抗和多层陶瓷基板上的布置器件，确定所述多层陶瓷基板的走线参数，使得所述多层陶瓷基板的阻抗与所述目标阻抗匹配；

根据所述走线参数和所述目标阻抗，对所述布置器件进行双电阻匹配，使得所述布置器件的阻抗与所述目标阻抗匹配；其中，所述双电阻包括串联的第一电阻和第二电阻。

在一种可选的实施方式中，所述走线参数包括以下至少之一：多层陶瓷基板的层数、多层陶瓷基板的厚度、多层陶瓷基板上布线的线宽、多层陶瓷基板上布线的线距。

在一种可选的实施方式中，所述多层陶瓷基板至少包括四层基板。

在一种可选的实施方式中，所述目标阻抗的阻值范围为48Ω-52Ω。

在一种可选的实施方式中，所述布置器件包括以下至少之一：激光器芯片、电吸收调制器、半导体放大电极、增益电极、前镜调节电极、相位调节电极、温度检测模块、鉴相器。

在一种可选的实施方式中，所述布置器件至少包括电吸收调制器的情况下，所述根据所述走线参数和所述目标阻抗，对所述布置器件进行双电阻匹配，包括：

根据所述走线参数和所述目标阻抗，对所述电吸收调制器进行双电阻匹配，使得所述电吸收调制器的阻抗与所述目标阻抗匹配；其中，所述双电阻与所述电吸收调制器连接。

第二方面，本申请实施例提供一种激光器模块，包括：多层陶瓷基板、以及设置在所述多层陶瓷基板上的布置器件和双电阻匹配电路；

其中，所述双电阻匹配电路与所述布置器件通过所述多层陶瓷基板的内层基板上的布线连接，以使得所述布置器件的阻抗与所述多层陶瓷基板的阻抗匹配。

在一种可选的实施方式中，所述多层陶瓷基板至少包括四层基板，其中，

所述布置器件和所述双电阻匹配电路设置在所述多层陶瓷基板的表层基板上。

在一种可选的实施方式中，双电阻匹配电路包括串联的第一电阻和第二电阻。

在一种可选的实施方式中，所述多层陶瓷基板的材料为氮化铝；

所述多层陶瓷基板的厚度为550um。

本申请实施例公开了一种阻抗匹配方法和激光器模块，所述方法包括：根据目标阻抗和多层陶瓷基板上的布置器件，确定所述多层陶瓷基板的走线参数，使得所述多层陶瓷基板的阻抗与所述目标阻抗匹配；根据所述走线参数和所述目标阻抗，对所述布置器件进行双电阻匹配，使得所述布置器件的阻抗与所述目标阻抗匹配；其中，所述双电阻包括串联的第一电阻和第二电阻。本申请实施例中，先对多层陶瓷基板进行阻抗匹配，再通过双电阻匹配的方式对电布置器件进行阻抗匹配，使得多层陶瓷基板和布置器件均与射频信号源的阻抗匹配，从而使得布置器件得到最佳传输功率。

附图说明

图1为本申请实施例提供的阻抗匹配方法的实现流程示意图；

图2为本申请一具体示例提供的一种激光器模块的示意图；

图3a为本申请一具体示例提供的一种多层陶瓷基板的表层基板的示意图；

图3b为本申请一具体示例提供的一种多层陶瓷基板的第一内层基板的示意图；

图3c为本申请一具体示例提供的一种多层陶瓷基板的第二内层基板的示意图；

图3d为本申请一具体示例提供的一种多层陶瓷基板的第三内层基板的示意图；

图4为本申请实施例提供的多层陶瓷基板的带宽测试图；

图5为本申请实施例提供的电吸收调制器的小信号仿真模型；

图6为本申请实施例提供的电吸收调制器的带宽测试图；

图7为本申请实施例提供的电吸收调制器的带宽测试图；

图8为本申请实施例提供的电吸收调制器的带宽测试图。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本申请公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本申请的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本申请，而不应被这里阐述的具体实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本申请，并且能够将本申请公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。

在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本申请更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本申请可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本申请发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述；即，这里不描述实际实施例的全部特征，不详细描述公知的功能和结构。

在附图中，为了清楚，层、区、元件的尺寸以及其相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。

应当明白，空间关系术语例如“在……下”、“在……下面”、“下面的”、“在……之下”、“在……之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在……下面”和“在……下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本申请的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

本申请实施例提供一种阻抗匹配方法，图1为本申请实施例提供的阻抗匹配方法的实现流程示意图，该方法主要包括以下步骤：

步骤101、根据目标阻抗和多层陶瓷基板上的布置器件，确定所述多层陶瓷基板的走线参数，使得所述多层陶瓷基板的阻抗与所述目标阻抗匹配。

在本申请实施例中，为了防止信号的反射，需要基于布置器件和目标阻抗对多层陶瓷基板进行阻抗匹配，使得多层陶瓷基板的阻抗与所述目标阻抗匹配。这里，多层陶瓷基板的阻抗可以理解为是传输线路阻抗。具体地，根据目标阻抗和多层陶瓷基板上的布置器件，确定所述多层陶瓷基板的走线参数。其中，所述走线参数为影响所述多层陶瓷基板的阻抗的参数。

在本申请实施例中，所述布置器件包括以下至少之一：激光器芯片、电吸收调制器、半导体放大电极、增益电极、前镜调节电极、相位调节电极、温度检测模块、鉴相器。在实际应用时，所述布置器件包括激光器芯片、电吸收调制器、半导体放大电极、增益电极、前镜调节电极、相位调节电极、温度检测模块和鉴相器。

在本申请实施例中，所述走线参数包括以下至少之一：多层陶瓷基板的层数、多层陶瓷基板的厚度、多层陶瓷基板上布线的线宽、多层陶瓷基板上布线的线距。在实际应用时，设置在所述多层陶瓷基板上的布置器件的个数，以及布置器件之间的连接走线均会影响所述多层陶瓷基板的层数。而多层陶瓷基板的厚度、多层陶瓷基板上布线的线宽、多层陶瓷基板上布线的线距均为能够直接影响所述多层陶瓷基板的阻抗的参数。优选地，所述多层陶瓷基板的宽度为3500um，长度为2650um，厚度为550um。所述多层陶瓷基板的材料为氮化铝。

在本申请实施例中，所述多层陶瓷基板至少包括四层基板。具体为：一层表层基板和三层内层基板。其中，表层基板上的布线可以为金线，内层基板上的布线可以为钨铜线或金线。需要说明的是，每层基板之间通过通孔连接，所述通孔内填充的材料为钨。在实际应用时，所述表层基板可以为表贴层，用于设置布置器件和电路元件(如电阻、电容、电感等)，所述三层内层基板中的第一内层基板为接地层，所述三层内层基板中的第二内层基板为布线层，所述三层内层基板中的第三内层基板为散热层，其中，所述接地层位于所述表贴层的下方，所述布线层位于所述接地层的下方，所述散热层位于所述布线层的下方。优选地，所述表层基板(表贴层)的厚度为100um，所述表层基板上布线的线宽为0.6um；所述三层内层基板中的第一内层基板(接地层)的厚度为328um，所述三层内层基板中的第二内层基板(布线层)的厚度为100um，所述三层内层基板中的第三内层基板(散热层)的厚度为27um，所述第一内层基板和第二内层基板上布线的线宽为10um，所述第三内层基板上布线的线宽为0.6um。

步骤102、根据所述走线参数和所述目标阻抗，对所述布置器件进行双电阻匹配，使得所述布置器件的阻抗与所述目标阻抗匹配；其中，所述双电阻包括串联的第一电阻和第二电阻。

在本申请实施例中，所述布置器件至少包括电吸收调制器的情况下，根据所述走线参数和所述目标阻抗，对所述电吸收调制器进行双电阻匹配，使得所述电吸收调制器的阻抗与所述目标阻抗匹配；其中，所述双电阻与所述电吸收调制器连接。这里，所述电吸收调制器与所述激光器芯片相连，用于对光信号进行调制。对于所述电吸收调制器来说，其阻抗通常可以视为一个阻容性负载，因此，需要引入双电阻匹配电路来实现阻抗转换，以实现所述电吸收调制器与目标阻抗的匹配。所述双电阻(双电阻匹配电路)与所述电吸收调制器连接。需要说明的是，所述电吸收调制器的阻抗与所述目标阻抗匹配指的是所述电吸收调制器经由双电阻匹配后的阻抗与所述目标阻抗匹配。

此时，所述多层陶瓷基板的阻抗与所述目标阻抗匹配，所述电吸收调制器的阻抗与所述目标阻抗匹配，从而所述电吸收调制器的阻抗与所述多层陶瓷基板的阻抗匹配。当射频信号源与所述电吸收调制器连接时，所述射频信号源与所述电吸收调制器之间的传输线路为所述多层陶瓷基板，那么，所述射频信号源的阻抗即为目标阻抗，所述电吸收调制器的阻抗、所述多层陶瓷基板的阻抗和所述射频信号源的阻抗均匹配，从而所述电吸收调制器得到最佳传输功率。

在本申请实施例中，所述目标阻抗的阻值范围为48Ω-52Ω。也就是说，在阻抗匹配后，所述多层陶瓷基板的阻抗的阻值范围也为48Ω-52Ω；所述布置器件的阻抗的阻值范围也为48Ω-52Ω。

本申请实施例公开了一种阻抗匹配方法，所述方法包括：根据目标阻抗和多层陶瓷基板上的布置器件，确定所述多层陶瓷基板的走线参数，使得所述多层陶瓷基板的阻抗与所述目标阻抗匹配；根据所述走线参数和所述目标阻抗，对所述布置器件进行双电阻匹配，使得所述布置器件的阻抗与所述目标阻抗匹配；其中，所述双电阻包括串联的第一电阻和第二电阻。本申请实施例中，先对多层陶瓷基板进行阻抗匹配，再通过双电阻匹配的方式对电吸收调制器进行阻抗匹配，使得多层陶瓷基板和电吸收调制器均与射频信号源的阻抗匹配，从而使得电吸收调制器得到最佳传输功率。

本申请实施例提供一种激光器模块，图2为本申请一具体示例提供的一种激光器模块的示意图。如图2所示，所述激光器模块包括：多层陶瓷基板110、以及设置在所述多层陶瓷基板上的布置器件和双电阻匹配电路；

其中，所述双电阻匹配电路与所述布置器件通过所述多层陶瓷基板110的内层基板上的布线连接，以使得所述布置器件的阻抗与所述多层陶瓷基板110的阻抗匹配。

在本申请实施例中，为了防止信号的反射，需要基于布置器件和目标阻抗对多层陶瓷基板进行阻抗匹配，使得多层陶瓷基板的阻抗与所述目标阻抗匹配。这里，多层陶瓷基板的阻抗可以理解为是传输线路阻抗。从而传输信号在传输线路上的传输功率可以达到最佳。这里，目标阻抗可以为激光器模块的输入源的阻抗，如射频信号源的阻抗。其中，所述目标阻抗的阻值范围为48Ω-52Ω。需要说明的是，所述电吸收调制器的阻抗与多层陶瓷基板的阻抗匹配指的是所述电吸收调制器经由双电阻匹配后的阻抗与所述多层陶瓷基板的阻抗匹配。

在本申请实施例中，所述多层陶瓷基板110至少包括四层基板，其中，所述布置器件和所述双电阻匹配电路设置在所述多层陶瓷基板110的表层基板111上。所述多层陶瓷基板还包括位于表层基板111下的三层内层基板。其中，表层基板上的布线可以为金线，内层基板上的布线可以为钨铜线或金线。需要说明的是，每层基板之间通过通孔连接，所述通孔内填充的材料为钨。在实际应用时，所述表层基板可以为表贴层，用于设置布置器件和电路元件(如电阻、电容、电感等)，所述三层内层基板依次包括接地层，布线层和散热层，其中，所述接地层位于所述表贴层的下方，所述布线层位于所述接地层的下方，所述散热层位于所述布线层的下方。优选地，所述表层基板(表贴层)的厚度为100um，所述表层基板上布线的线宽为0.6um；所述三层内层基板的厚度依次为328um(接地层)、100um(布线层)和27um(散热层)，所述三层内层基板中接地层和布线层上布线的线宽为10um，所述三层内层基板中散热层上布线的线宽为0.6um。

在本申请实施例中，所述多层陶瓷基板110的材料为氮化铝；所述多层陶瓷基板110的厚度为550um。

在本申请实施例中，双电阻匹配电路包括串联的第一电阻121和第二电阻122。在阻抗匹配过程中，通过调节第一电阻121和第二电阻122的阻值以使得所述布置器件的阻抗与所述多层陶瓷基板的阻抗匹配。在实际应用时，所述第一电阻121和第二电阻122可以为印刷电阻，所述印刷电阻的材料为氮化钽Ta N。

在本申请实施例中，所述布置器件包括以下至少之一：激光器芯片131、电吸收调制器132、半导体放大电极133、增益电极134、前镜调节电极135、相位调节电极136、温度检测模块137、鉴相器138。这里，所述双电阻匹配电路与所述电吸收调制器132通过所述多层陶瓷基板110的内层基板上的布线连接，以使得所述电吸收调制器132的阻抗与所述多层陶瓷基板110的阻抗匹配。

图3a-图3d为本申请一具体示例提供的一种多层陶瓷基板的示意图。图3a为多层陶瓷基板的表层基板的示意图，即多层陶瓷基板的表贴层。如图3a所示，所述表层基板上设置有布置器件和双电阻匹配电路。布置器件包括激光器芯片311、电吸收调制器312、半导体放大电极313、增益电极314、前镜调节电极315和相位调节电极316、温度检测模块137、鉴相器138。双电阻匹配电路包括第一电阻321和第二电阻322。图3b为多层陶瓷基板的第一内层基板的示意图，即多层陶瓷基板的接地层。如图3b所示，第一内层基板上设置有接地电极330。图3c为多层陶瓷基板的第二内层基板的示意图，即多层陶瓷基板的布线层。如图3c所示，布置器件可以通过布线层上的布线进行连接。所述半导体放大电极通过布线341进行电极连接；所述前镜调节电极通过布线342进行电极连接；所述相位调节电极通过布线343进行电极连接；所述温度检测模块通过布线344进行电极连接；所述鉴相器通过布线345进行电极连接。图3d为多层陶瓷基板的第三内层基板的示意图，即多层陶瓷基板的散热层。如图3d所示，散热层上设置有多个通孔350，该通孔内的填充材料为钨，该通孔除了用于进行层与层之间的连接，还可以用于散热。需要说明的是，多层陶瓷基板的每层基板上均设置有多个通孔，所述通孔内的填充材料为钨，所述通孔用于进行层与层之间的连接。

图4为本申请实施例提供的多层陶瓷基板的带宽测试图，如图4所示，本申请中的多层陶瓷基板可获得40GHz以上-3dB的带宽结果。因此，本申请实施例提供的多层陶瓷基板可在保证低增益的情况下，获得高带宽。

图5为本申请实施例提供的电吸收调制器的小信号仿真模型，如图5所示，R1为电吸收调制器的仿真模型的串阻，R1＝10Ω，R2为末端匹配电阻，R2接地。C2为电吸收调制器的焊盘寄生电容，C2＝40fF。R3和C3组成了双电阻匹配电路的等效电路，从而可以通过调节C3约束R2，通过调节R2约束C3，在双重约束下，使得阻抗匹配达到最佳。其中，R3＝1000Ω。这里，R1为双电阻匹配电路中的第一电阻，R2为双电阻匹配电路中的第二电阻。射频信号S参数为射频信号的散射参数。port1为输入端口(如射频信号源)，port2为输出端口，port1和port2的阻抗均为50Ω。当输入的信号经过port1进入电路，信号再通过输出匹配，输出到port2，使得port2的阻抗和port1的阻抗相等，从而实现阻抗匹配。

图6为本申请实施例提供的电吸收调制器的带宽测试图，将C3设置为400fF，以初始值为10Ω，步长为5Ω，调整R2的阻值，得到如图6所示的带宽测试图。如图6所示，在0-5GHz的频段内，随着R2阻值的增加，增益逐渐减小，而在5-20GHz的频段内，随着R2阻值的增加，增益也增加。而R2阻值为40Ω时的曲线的增益的波动最小，因此，将R2的阻值设置为40Ω时，此时的阻抗匹配效果最佳，可以使得电吸收调制器得到最佳传输功率。需要说明的是，理想状态下，增益越接近0dB越好。

图7为本申请实施例提供的电吸收调制器的带宽测试图，将R2设置为40Ω，以初始值为200fF，步长为100fF，调整C3的容值，得到如图7所示的带宽测试图。如图7所示，随着C3容值的增加，带宽逐渐减小。C3容值为200f F-400fF的范围内，均可以满足带宽大于20GHz，增益大于-8dB的需求。

图8为本申请实施例提供的电吸收调制器的带宽测试图，将R2设置为30Ω，C3设置为400fF，得到如图8所示的带宽测试图。如图8所示，根据M5(带宽＝100.0MHz，增益＝－5.683dB)和M4(带宽＝22.50GHz，增益＝－8.512dB)两个数据点的坐标可知，本申请实施例提供的电吸收调制器在增益大于-10dB的情况下，可获得20GHz以上的带宽结果。

基于电吸收调制器的仿真测试结果，优选地，C3设置范围为200fF-400fF，R2设置范围为30Ω-50Ω。C3在200fF-400fF范围内以及R2在30Ω-50Ω范围内，均能够满足带宽大于20GHz，增益大于-8dB的需求，即均能与射频信号源阻抗匹配。

需要说明的是，由于R1为电吸收调制器的仿真模型的串阻，R1的阻值受限于该仿真模型，当仿真模型不同或R1的阻值有所变动时，需要适用性的对R2的阻值进行调整。

可以理解的是，本文描述的这些实施例可以用硬件、软件、固件、中间件、微码或其组合来实现。对于硬件实现，处理单元可以实现在一个或多个专用集成电路(ApplicationSpecific Integrated Circuits，ASIC)、数字信号处理器(Digital Signal Processing，DSP)、数字信号处理设备(DSP Device，DSPD)、可编程逻辑设备(Programmable LogicDevice，PLD)、现场可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array，FPGA)、通用处理器、控制器、微控制器、微处理器、用于执行本申请所述功能的其它电子单元或其组合中。

应理解，说明书通篇中提到的“一个实施例”或“一实施例”意味着与实施例有关的特定特征、结构或特性包括在本申请的至少一个实施例中。因此，在整个说明书各处出现的“在一个实施例中”或“在一实施例中”未必一定指相同的实施例。此外，这些特定的特征、结构或特性可以任意适合的方式结合在一个或多个实施例中。应理解，在本申请的各种实施例中，上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本申请实施例的实施过程构成任何限定。上述本申请实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置和***，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，如：多个单元或组件可以结合，或可以集成到另一个***，或一些特征可以忽略，或不执行。另外，所显示或讨论的各组成部分相互之间的耦合、或直接耦合、或通信连接可以是通过一些接口，设备或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性的、机械的或其它形式的。

上述作为分离部件说明的单元可以是、或也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是、或也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，也可以分布到多个网络单元上；可以根据实际的需要选择其中的部分或全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外，在本申请各实施例中的各功能单元可以全部集成在一个处理模块中，也可以是各单元分别单独作为一个单元，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中；上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用硬件加软件功能单元的形式实现。本领域普通技术人员可以理解：实现上述方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成，前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，执行包括上述方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：移动存储设备、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

本申请所提供的几个产品实施例中所揭露的特征，在不冲突的情况下可以任意组合，得到新的产品实施例。

本申请所提供的几个***或设备实施例中所揭露的特征，在不冲突的情况下可以任意组合，得到新的***实施例或设备实施例。

以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims

1.一种阻抗匹配方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的阻抗匹配方法，其特征在于，

所述走线参数包括以下至少之一：多层陶瓷基板的层数、多层陶瓷基板的厚度、多层陶瓷基板上布线的线宽、多层陶瓷基板上布线的线距。

3.根据权利要求2所述的阻抗匹配方法，其特征在于，

所述多层陶瓷基板至少包括四层基板。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的阻抗匹配方法，其特征在于，

所述目标阻抗的阻值范围为48Ω-52Ω。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的阻抗匹配方法，其特征在于，

所述布置器件包括以下至少之一：激光器芯片、电吸收调制器、半导体放大电极、增益电极、前镜调节电极、相位调节电极、温度检测模块、鉴相器。

6.根据权利要求5所述的阻抗匹配方法，其特征在于，所述布置器件至少包括电吸收调制器的情况下，所述根据所述走线参数和所述目标阻抗，对所述布置器件进行双电阻匹配，包括：

7.一种激光器模块，其特征在于，包括：多层陶瓷基板、以及设置在所述多层陶瓷基板上的布置器件和双电阻匹配电路；

8.根据权利要求7所述的激光器模块，其特征在于，所述多层陶瓷基板至少包括四层基板，其中，

9.根据权利要求7至8中任一项所述的激光器模块，其特征在于，

双电阻匹配电路包括串联的第一电阻和第二电阻。

10.根据权利要求7至8中任一项所述的激光器模块，其特征在于，

11.根据权利要求7至8中任一项所述的激光器模块，其特征在于，

所述多层陶瓷基板的材料为氮化铝；

所述多层陶瓷基板的厚度为550um。