CN112165326A - 一种小型化集成谐振滤波电感的lc型压控振荡器 - Google Patents
一种小型化集成谐振滤波电感的lc型压控振荡器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112165326A CN112165326A CN202011062089.6A CN202011062089A CN112165326A CN 112165326 A CN112165326 A CN 112165326A CN 202011062089 A CN202011062089 A CN 202011062089A CN 112165326 A CN112165326 A CN 112165326A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mos transistor
- controlled oscillator
- inductor
- type voltage
- resonance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000001808 coupling effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
- H03L7/06—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
- H03L7/08—Details of the phase-locked loop
- H03L7/099—Details of the phase-locked loop concerning mainly the controlled oscillator of the loop
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B1/00—Details
- H03B1/04—Reducing undesired oscillations, e.g. harmonics
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B15/00—Generation of oscillations using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, or using superconductivity effects
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
本发明公开了属于通讯设备领域的一种小型化集成谐振滤波电感的LC型压控振荡器。该LC型压控振荡器包括LC可调电容振荡电路H1、MOS管阻容电路H2和MOS管M1、MOS管M2交叉耦合对管;谐振滤波电感L2与LC谐振腔中的电感L1在垂直放置的情况下处于正交耦合,使得耦合系数趋近于0;该LC型压控振荡器在几乎不增加额外面积的情况下实现了谐振滤波,通过消除掉交叉耦合对管给VCO电路的相位噪声性能带来的影响提升了振荡器的整体性能,实现小型化低相位噪声。
Description
技术领域
本发明属于通讯设备领域,特别涉及一种小型化集成谐振滤波电感的LC型压控振荡器。
背景技术
在差分平衡电路中,电流的奇次谐波总是在差分通路中流动,电流的偶次谐波总是在共模通路中流动。因而在LC-VCO中电流信号中的二次谐波分量将会经过变容管以及交差耦合的MOS对管到地,上面分析的尾电流源就表现为高阻抗来阻止电流的二次谐波分量经过差分MOS对管到地。这样的情况要求有个窄带的电路放入至源极共模点和尾电流管中间,这样做一是能够有效地防止尾电流管的噪声进入谐振回路中,二是又能够在提高源极共模点处的阻抗来防止谐振回路中电流信号的二次谐波部分到地。图1是一个传统的互补型全差分的LC压控振荡器。电感L1与电感L2相距比较远,没有耦合作用;电感L1和电容C的构成谐振电路,给共模点S1处提供一个高阻抗。不但能够有效地减弱尾电流管中的噪声上变频至VCO中的相位噪声,也能够有效地消除掉交叉耦合对管给VCO电路的相位噪声性能带来的不良影响。在申请号为201810039952.2的跨导线性化宽带LC型压控振荡器及可调电容阵列电路中,公开了-一种跨导线性化宽带LC型压控振荡器,包括PMOS管一、PMOS管二、三端差分电感一和偏置电路;但是,上述谐振滤波振荡器在提供优秀的相位噪声的同时也存在一个不足,那就是谐振滤波技术需要至少一个额外的电感(部分设计采用两个电感),从而使得芯片面积大幅增大,成本随着也大幅上升。
发明内容
本发明的目的是提出一种小型化集成谐振滤波电感的LC型压控振荡器,其特征在于,LC型压控振荡器包括LC可调电容振荡电路H1、MOS管阻容电路H2和MOS管M1、MOS管M2交叉耦合对管,MOS管M1的栅极连接到MOS管M2的漏极,MOS管M2的栅极连接到MOS管M1的漏极;MOS管M1和MOS管M2的发射极连接在一起后和谐振滤波电感L2连接;谐振滤波电感L2与LC谐振腔中的电感L1在垂直放置的情况下处于正交耦合,使得耦合系数趋近于0;该LC型压控振荡器在几乎不增加额外面积的情况下实现了谐振滤波,通过消除掉交叉耦合对管给VCO电路的相位噪声性能带来的影响提升了振荡器的整体性能,实现小型化低相位噪声。
所述LC谐振电感L1采用8字型结构,谐振滤波电感L2与八字形的LC谐振电感L1的上下两个环路产生强度相等却方向相反的磁场,使其互相抵消,尽管LC谐振电感L1和谐振滤波电感L2处于重叠放置的情况下,两者之间的耦合系数趋近于0,从而不会影响各自的电感值和品质因素。
本发明的有益效果是本发明的谐振滤波电感与LC谐振腔中的电感在垂直放置的情况下处于正交耦合,使得耦合系数趋近于0。新型的LC型压控振荡器在几乎不增加额外面积的情况下实现了谐振滤波,通过消除掉交叉耦合对管给VCO电路的相位噪声性能带来的影响,提升了振荡器的整体性能,实现小型化和低相位噪声。
附图说明
图1为谐振滤波电感的LC型压控振荡器示意图。
图2为集成正交谐振滤波电感的LC型压控振荡器示意图。
图3为(a)8型电感和(b)正交耦合电感对。
图4:为振荡器的实际示意图。
具体实施方式
本发明提出一种小型化集成谐振滤波电感的LC型压控振荡器,下面结合附图予以说明,
图2所示为集成正交谐振滤波电感的LC型压控振荡器示意图。其中,LC型压控振荡器包括LC可调电容振荡电路H1、MOS管阻容电路H2和MOS管M1、MOS管M2交叉耦合对管,MOS管M1的栅极连接到MOS管M2的漏极,MOS管M2的栅极连接到MOS管M1的漏极;MOS管M1和MOS管M2的发射极连接在一起后和谐振滤波电感L2连接;谐振滤波电感L2与LC谐振腔中的电感L1在垂直放置的情况下处于正交耦合,使得耦合系数趋近于0;该LC型压控振荡器在几乎不增加额外面积的情况下实现了谐振滤波,通过消除掉交叉耦合对管给VCO电路的相位噪声性能带来的影响提升了振荡器的整体性能,实现小型化低相位噪声。
所述LC谐振电感L1采用8字型结构,如图3所示为(a)8型电感和(b)正交耦合电感对。图4所示为8型电感振荡器的实际示意图。其中谐振滤波电感L2与八字形的LC谐振电感L1的上下两个环路产生强度相等却方向相反的磁场,使其互相抵消。(如图2所示),尽管LC谐振电感L1和谐振滤波电感L2处于重叠放置的情况下,两者之间的耦合系数趋近于0,从而不会影响各自的电感值和品质因素。
Claims (2)
1.一种小型化集成谐振滤波电感的LC型压控振荡器,其特征在于,LC型压控振荡器包括LC可调电容振荡电路H1、MOS管阻容电路H2和MOS管M1、MOS管M2交叉耦合对管;其中,MOS管M1的栅极连接到MOS管M2的漏极,MOS管M2的栅极连接到MOS管M1的漏极;MOS管M1和MOS管M2的发射极连接在一起后和谐振滤波电感L2连接;谐振滤波电感L2与LC谐振腔中的电感L1在垂直放置的情况下处于正交耦合,使得耦合系数趋近于0;该LC型压控振荡器在几乎不增加额外面积的情况下实现了谐振滤波,通过消除掉交叉耦合对管给VCO电路的相位噪声性能带来的影响提升了振荡器的整体性能,实现小型化低相位噪声。
2.根据权利要求1所述一种小型化集成谐振滤波电感的LC型压控振荡器,其特征在于,所述LC谐振电感L1采用8字型结构,谐振滤波电感L2与“8”字形的LC谐振电感L1的上下两个环路产生强度相等却方向相反的磁场,使其互相抵消,尽管LC谐振电感L1和谐振滤波电感L2处于重叠放置的情况下,两者之间的耦合系数趋近于0,从而不会影响各自的电感值和品质因素。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011062089.6A CN112165326A (zh) | 2020-09-30 | 2020-09-30 | 一种小型化集成谐振滤波电感的lc型压控振荡器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011062089.6A CN112165326A (zh) | 2020-09-30 | 2020-09-30 | 一种小型化集成谐振滤波电感的lc型压控振荡器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112165326A true CN112165326A (zh) | 2021-01-01 |
Family
ID=73860856
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202011062089.6A Pending CN112165326A (zh) | 2020-09-30 | 2020-09-30 | 一种小型化集成谐振滤波电感的lc型压控振荡器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN112165326A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115102503A (zh) * | 2022-08-23 | 2022-09-23 | 成都爱旗科技有限公司 | 一种基于对角8字形电感的压控振荡器 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102170289A (zh) * | 2011-05-28 | 2011-08-31 | 西安电子科技大学 | 基于电流复用的低功耗正交lc压控振荡器 |
CN102412785A (zh) * | 2011-11-30 | 2012-04-11 | 清华大学 | 一种带有变压器型噪声滤波器的振荡器 |
CN106953598A (zh) * | 2017-03-16 | 2017-07-14 | 杭州电子科技大学 | 一种基于二次谐波交叉注入锁定技术的正交压控振荡器电路 |
CN106972009A (zh) * | 2016-01-13 | 2017-07-21 | 瑞昱半导体股份有限公司 | 集成电感结构 |
CN108199687A (zh) * | 2018-01-16 | 2018-06-22 | 重庆西南集成电路设计有限责任公司 | 跨导线性化宽带lc型压控振荡器及可调电容阵列电路 |
US20200203060A1 (en) * | 2018-12-21 | 2020-06-25 | Realtek Semiconductor Corporation | Inductor device and control method thereof |
-
2020
- 2020-09-30 CN CN202011062089.6A patent/CN112165326A/zh active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102170289A (zh) * | 2011-05-28 | 2011-08-31 | 西安电子科技大学 | 基于电流复用的低功耗正交lc压控振荡器 |
CN102412785A (zh) * | 2011-11-30 | 2012-04-11 | 清华大学 | 一种带有变压器型噪声滤波器的振荡器 |
CN106972009A (zh) * | 2016-01-13 | 2017-07-21 | 瑞昱半导体股份有限公司 | 集成电感结构 |
CN106953598A (zh) * | 2017-03-16 | 2017-07-14 | 杭州电子科技大学 | 一种基于二次谐波交叉注入锁定技术的正交压控振荡器电路 |
CN108199687A (zh) * | 2018-01-16 | 2018-06-22 | 重庆西南集成电路设计有限责任公司 | 跨导线性化宽带lc型压控振荡器及可调电容阵列电路 |
US20200203060A1 (en) * | 2018-12-21 | 2020-06-25 | Realtek Semiconductor Corporation | Inductor device and control method thereof |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115102503A (zh) * | 2022-08-23 | 2022-09-23 | 成都爱旗科技有限公司 | 一种基于对角8字形电感的压控振荡器 |
CN115102503B (zh) * | 2022-08-23 | 2022-11-15 | 成都爱旗科技有限公司 | 一种基于对角8字形电感的压控振荡器 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Vancorenland et al. | A 1.57 GHz fully integrated very low phase noise quadrature VCO | |
CN106877819B (zh) | 基于复合型谐振器的压控振荡器 | |
US6911870B2 (en) | Quadrature voltage controlled oscillator utilizing common-mode inductive coupling | |
CN103166573B (zh) | 压控振荡器 | |
CN110729967B (zh) | 一种具有宽调谐范围的窄带切换毫米波压控振荡器 | |
CN108199687B (zh) | 跨导线性化宽带lc型压控振荡器及可调电容阵列电路 | |
US7268634B2 (en) | Dual-mode voltage controlled oscillator using integrated variable inductors | |
CN102904527B (zh) | 一种电压转换频率线性度补偿的lc振荡器 | |
CN110661490A (zh) | 一种基于四端口耦合网络的耦合压控振荡器 | |
US20140159825A1 (en) | Voltage controlled oscillator with low phase noise and high q inductive degeneration | |
CN110661489A (zh) | 一种新型结构的f23类压控振荡器 | |
US7902930B2 (en) | Colpitts quadrature voltage controlled oscillator | |
CN107248847A (zh) | 一种差分考比兹压控振荡器 | |
CN111478668A (zh) | 一种低闪烁噪声的毫米波压控振荡器 | |
CN112165326A (zh) | 一种小型化集成谐振滤波电感的lc型压控振荡器 | |
CN103475309A (zh) | 一种恒定调谐增益压控振荡器 | |
CN115021681A (zh) | 一种基于f23电感的双模电压波形整形的压控振荡器 | |
KR101562212B1 (ko) | 선형 동조 범위를 갖는 차동 콜피츠 전압제어 발진기 | |
Meng et al. | A 15.2-to-18.2 GHz balanced dual-core inverse-class-F VCO with Q-enhanced 2 nd-harmonic resonance achieving 187-to-188.1 dBc/Hz FoM in 28nm CMOS | |
CN116317954A (zh) | 一种宽调谐范围和低相位噪声的压控振荡器 | |
CN109818578B (zh) | 基于带通滤波器的二次谐波交叉注入正交压控振荡器电路 | |
CN116996021A (zh) | 一种基于磁耦合的宽带压控振荡器 | |
JP2012253561A (ja) | 電圧制御発振器 | |
CN101820249A (zh) | 八相位lc压控振荡电路、片上振荡器的设计方法 | |
CN110719069B (zh) | 一种新型低噪声压控振荡器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210101 |
|
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |