CN112164763B - 有机发光显示面板、制备有机发光显示面板的方法及显示装置 - Google Patents

有机发光显示面板、制备有机发光显示面板的方法及显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN112164763B
CN112164763B CN202011053111.0A CN202011053111A CN112164763B CN 112164763 B CN112164763 B CN 112164763B CN 202011053111 A CN202011053111 A CN 202011053111A CN 112164763 B CN112164763 B CN 112164763B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
metal layer
substrate
display panel
organic light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202011053111.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112164763A (zh
Inventor
刘明
孟秋华
韩林倩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN202011053111.0A priority Critical patent/CN112164763B/zh
Publication of CN112164763A publication Critical patent/CN112164763A/zh
Priority to US17/403,340 priority patent/US20220102448A1/en
Application granted granted Critical
Publication of CN112164763B publication Critical patent/CN112164763B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • H10K59/8052Cathodes
    • H10K59/80522Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/86Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/875Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/8791Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提出了有机发光显示面板、制备有机发光显示面板的方法及显示装置,包括:基板,基板上具有多个有机发光二极管;像素定义层,像素定义层在基板上限定出多个子像素区域;金属层,金属层位于像素定义层远离基板的一侧;抗反射层,抗反射层位于金属层远离像素定义层的一侧,金属层在基板上的正投影位于抗反射层在基板上的正投影的所在范围之内;发光层,发光层位于抗反射层远离金属层的一侧;阴极,阴极位于发光层远离抗反射层的一侧,阴极与金属层搭接。由此,通过抗反射层和金属层的共同作用,有效降低了OLED显示面板的整体结构的反射率,有效提高了显示面板不同区域显示亮度的均一性。

Description

有机发光显示面板、制备有机发光显示面板的方法及显示 装置
技术领域
本发明涉及显示领域,具体地,涉及有机发光显示面板、制备有机发光显示面板的方法及显示装置。
背景技术
有机发光二级管(OrganicLight Emittng Diode,OLED)是自20世纪中期发展起来的一种新型显示技术,OLED作为一种电流型发光器件已越来越多地被应用于高性能显示中。但现有的OLED显示面板在使用过程中易出现屏幕反光和眩光等问题,无法满足日常使用需求。此外,现有OLED显示面板还易出现屏幕不同区域显示亮度不均一的问题。
因此,目前的有机发光显示面板、制备有机发光显示面板的方法及显示装置仍有待改进。
发明内容
本申请是基于发明人对以下问题的发现而做出的:
发明人发现,现有OLED显示面板的色阻结构反射率偏高,屏幕显示效果不佳,需进一步降低其反射率以满足使用要求,例如可通过增大色阻结构的黑矩阵面积以降低色阻结构的反射率,但过大的黑矩阵面积会导致屏幕显示效果变差;也可通过采用黑色像素定义层以降低色阻结构的反射率,但因黑色像素定义层的光密度值偏小,故OLED显示面板的整体结构反射率并未降低,若采用光密度值较大的像素定义层则会引起有机发光二极管导电不良的问题。发明人还发现,现有的OLED显示面板中,由于OLED为顶发射结构,阴极的厚度需要较薄以保证其透光性,但较薄的阴极结构会导致阴极电阻过大,进而导致显示面板出现不同区域显示亮度不均一的现象。
本申请旨在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
在本申请的一个方面,本发明提出了一种有机发光显示面板,包括:基板,所述基板上具有多个有机发光二极管;像素定义层,所述像素定义层在所述基板上限定出多个子像素区域;金属层,所述金属层位于所述像素定义层远离所述基板的一侧;抗反射层,所述抗反射层位于所述金属层远离所述像素定义层的一侧,所述金属层在所述基板上的正投影位于所述抗反射层在所述基板上的正投影的所在范围之内;发光层,所述发光层位于所述抗反射层远离所述金属层的一侧;阴极,所述阴极位于所述发光层远离所述抗反射层的一侧,所述阴极与所述金属层搭接。由此,通过抗反射层和金属层的共同作用,有效降低了OLED显示面板的整体结构的反射率,有效提高了显示面板不同区域显示亮度的均一性。
根据本发明的实施例,所述发光层覆盖所述抗反射层的表面、所述像素定义层的侧壁以及所述子像素区域。由此,通过发光层的断开使得阴极与金属层实现搭接,从而降低阴极电阻。
根据本发明的实施例,形成所述抗反射层的材料的折射率为2~3,形成所述抗反射层的材料的消光系数为0~1,形成所述金属层的材料为金属。由此,利用抗反射层和金属层的共同作用,进一步提高显示面板的性能。
根据本发明的实施例,形成所述金属层的材料包括钼和铝中的至少之一。由此,可利用金属层材料较好的导电性降低阴极的电阻,从而进一步提高面板的显示效果。
根据本发明的实施例,形成所述抗反射层的材料包括氧化钼、氧化铌以及氧化铜中的至少之一。由此,可利用抗反射层材料较好的抗反射性能进一步提高面板的显示效果。
根据本发明的实施例,所述金属层在所述基板上的正投影的边缘与所述抗反射层在所述基板上的正投影的边缘的之间的最小距离为0.5-1.5微米。由此,可利用金属层与抗反射层之间的大小差异令发光层在特定位置断开,进而实现阴极与金属层的搭接。
根据本发明的实施例,所述有机发光显示面板上进一步包括封装结构以及色阻结构,所述色阻结构位于所述封装结构远离所述基板的一侧,所述色阻结构包括黑矩阵以及色阻块。由此,可通过封装结构和色阻结构进一步提高面板的显示效果。
在本发明的另一方面,本发明提出了一种前面所述的有机发光显示面板的方法,包括:在基板的一侧形成像素定义层;在所述像素定义层远离所述基板的一侧形成金属层;在所述金属层远离所述像素定义层的一侧形成抗反射层;在所述抗反射层远离所述金属层的一侧形成发光层;在所述发光层远离所述抗反射层的一侧形成阴极。由此,通过抗反射层和金属层的设置进一步提高面板的显示效果。
根据本发明的实施例,该方法进一步包括:在形成所述抗反射层之后采用刻蚀气体对所述金属层进行刻蚀,以令所述金属层在所述基板上的正投影位于所述抗反射层在所述基板上的正投影的所在范围之内。由此,可通过刻蚀气体的对金属层材料的刻蚀使得金属层形成内缩结构,进而使得发光层在金属层内缩结构处断开。
根据本发明的实施例,所述刻蚀气体为氯气。由此,可通过刻蚀气体对金属层进行刻蚀,从而形成金属层内缩结构。
根据本发明的实施例,所述刻蚀气体为六氟化硫和氧气。由此,可通过刻蚀气体对金属层进行刻蚀,从而形成金属层内缩结构。
在本发明的又一方面,本发明提出了一种显示装置,该显示装置包括前面所述的有机发光显示面板,由此,该显示装置具有前面所述的有机发光显示面板所具有的全部特征及优点,在此不再赘述。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1显示了根据本发明的一个实施例的有机发光显示面板的结构示意图;
图2显示了根据本发明的一个实施例的有机发光显示面板的部分结构示意图;
图3显示了根据本发明的又一个实施例的有机发光显示面板的结构示意图;
图4显示了根据本发明的一个制备有机发光显示面板的流程示意图。
附图标记说明:
1000:有机发光显示面板;100:基板;200:阳极;300:像素定义层;400:金属层;500:抗反射层;600:发光层;700:阴极;800:封装结构;910:黑矩阵;920:色阻块。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。
本申请旨在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
在本申请的一个方面,参考图1,本发明提出了一种有机发光显示面板1000,包括:基板100,基板100上具有多个有机发光二极管;像素定义层300,像素定义层300在基板100上限定出多个子像素区域;金属层400,金属层400位于像素定义层300远离基板100的一侧;抗反射层500,抗反射层500位于金属层400远离像素定义层300的一侧,金属层400在基板100上的正投影位于抗反射层500在基板100上的正投影的所在范围之内;发光层600,发光层600位于抗反射层500远离金属层400的一侧;阴极700,阴极700位于发光层600远离抗反射层500的一侧,阴极700与金属层400搭接。有机发光二极管的阳极200位于子像素区域,阴极700为有机发光二极管的阴极。由此,通过抗反射层和金属层的共同作用,有效降低了OLED显示面板的整体结构的反射率,有效提高了显示面板不同区域显示亮度的均一性。
为了方便理解,下面对该有机发光显示面板可以实现上述有益效果的原理进行简单说明:
现有有机发光显示面板的色阻结构反射率为5.7%左右,反射率偏高,易出现反光和眩光等现象,显示面板整体结构的反射率需降低至5%以下才可满足日常使用的需求。有机发光显示面板为了提高透光率,通常需将有机发光二极管的阴极厚度减薄以降低阴极对发光层出光的影响,但随着阴极的厚度减小,其自身电阻会随之增加,从而使得施加在有机发光二极管两端的电压因阴极电阻过大而产生电压降,导致显示面板上不同区域的亮度显示不均一。参考图2,本发明通过在像素定义层300上设置金属层400和抗反射层500,并将金属层400做成内缩结构。形成抗反射层500的材料具有较好的抗反射性能,例如抗反射层500与金属层400间具有光干涉相消作用,即两光波气相抵消振幅等于零。金属层与抗反射层共同作用进而降低了显示面板整体结构的反射率,减少了反光和眩光等现象的发生。因形成发光层400的材料延展性较差,并且,金属层400在基板100上的正投影位于抗反射层500在基板100上的正投影的所在范围之内,也即是说金属层400的面积小于抗反射层500,且在金属层400和抗反射层500之间形成内缩结构。则当在基板上整面形成发光层600时无法在内缩结构处形成连续膜层,即发光层600在金属层400的内缩结构处断开。由此,金属层400的侧壁部分得以暴露在外,进而在后续在基板上整面形成有机发光二极管的阴极700时,因形成阴极700的材料具有一定的延展性,故阴极700可以在金属层400的内缩结构处形成连续膜层,即阴极700与金属层400实现搭接,形成金属层400的材料为导电性较好的金属材料。通过将阴极与金属层实现搭接,可利用金属层较好的导电性实现辅助阴极的功能,从而降低阴极电阻,进而提高有机发光二极管两端施加电压的稳定,解决亮度不均一的问题。总言之,本发明通过在像素定义层上设置金属层和抗反射层,利用金属层与抗反射层之间的光干涉相消作用有效降低了显示面板整体结构的反射率,将反射率降低到5%以下,达到了使用需求,还利用金属层作为辅助阴极,通过调整刻蚀条件将金属层做成内缩结构,使得发光层断开,进而沉积阴极完成阴极与金属层的搭接,有效降低了阴极电阻,解决了亮度不均问题。
根据本发明的一些实施例,发光层所覆盖的表面不受特别限制,只要其能覆盖子像素区域且不覆盖金属层内缩结构处即可,有助于提升子像素区域的发光性能以及增大阴极与金属层的接触面积,进而降低阴极电阻。例如发光层可以覆盖抗反射层的表面、像素定义层的侧壁以及子像素区域。
根据本发明的一些实施例,形成抗反射层的材料的折射率不受特别限制,材料的折射率越高,使入射光发生折射的能力越强。例如形成抗反射层的材料的折射率范围可以为2~3。当形成抗反射层的材料的折射率位于上述范围内时,所形成的抗反射层厚度适中,抗反射层与金属层之间可具有较好的光干涉相消作用。根据本发明的一些实施例,形成抗反射层的材料的消光系数不受特别限制,例如形成抗反射层的材料的消光系数范围可以为0~1,当形成抗反射层的材料的消光系数位于上述范围内时,所形成的抗反射层厚度适中,抗反射层与金属层之间可具有较好的光干涉相消作用。
根据本发明的一些实施例,形成金属层的材料不受特别限制,例如形成金属层的材料可以为金属。形成金属层的材料应具有较好的导电性,且与抗反射层之间存在光干涉相消作用。本领域技术人员可根据实际情况进行材料的选择。
根据本发明的一些实施例,形成金属层的材料不受特别限制,例如形成金属层的材料可以为钼或者铝中。根据本发明的一些实施例,形成抗反射层的材料不受特别限制,例如形成抗反射层的材料可以为氧化钼、氧化铌以及氧化铜中的至少之一。由此,可利用抗反射层材料较好的抗反射性能进一步提高面板的显示效果。
根据本发明的一些实施例,因内缩结构的存在,金属层在基板上的正投影的边缘与抗反射层在基板上的正投影的边缘的之间应存在一定距离,该距离的最小值不受特别限制,例如金属层在基板上的正投影的边缘与抗反射层在基板上的正投影的边缘的之间的最小距离的范围可以为0.5-1.5微米。当金属层在基板上的正投影的边缘与抗反射层在基板上的正投影的边缘的之间的最小距离小于0.5微米时,金属层的内缩结构的内缩距离不足,发光层无法在金属层内缩结构处形成断开,从而导致阴极无法与金属层搭接以降低阴极电阻。当金属层在基板上的正投影的边缘与抗反射层在基板上的正投影的边缘的之间的最小距离大于1.5微米时,金属层内缩结构的内缩距离过大,阴极材料的延展性不足以满足阴极过长的延展距离,阴极在金属层内缩结构处出现断开,无法实现阴极与金属层的搭接。
根据本发明的一些实施例,参考图3,有机发光显示面板1000可进一步包括封装结构800以及色阻结构,色阻结构位于封装结构远离基板的一侧,色阻结构包括黑矩阵910以及色阻块920。通过封装结构的设置保护显示面板的内部结构不被外界水氧破坏从而导致显示面板的发光缺陷。通过黑矩阵的设置隐藏显示面板内部的电路走线。通过色阻块的设置将发光层发出的光过滤成显示所需要的单色光。
在本发明的另一方面,本发明提出了一种前面的有机发光显示面板的方法,该方法通过抗反射层和金属层的设置进一步提高了有机发光显示面板的显示效果。
具体地,参考图4,该有机发光显示面板的制备方法包括以下步骤:
S100:在基板的一侧形成像素定义层
根据本发明的一些实施例,该步骤在基板的一侧形成像素定义层,像素定义层在基板上限定出多个子像素区域,有助于提高形成子像素时的工艺精度。
S200:在像素定义层远离基板的一侧形成金属层
根据本发明的一些实施例,该步骤在像素定义层远离基板的一侧形成金属层,形成金属层的材料具有较好的导电性能,与阴极搭接后有助于降低阴极电阻,提升显示面板不同区域显示亮度的均一性。
S300:在金属层远离像素定义层的一侧形成抗反射层
根据本发明的一些实施例,该步骤在金属层远离像素定义层的一侧形成抗反射层,形成抗反射层的材料具有较好的抗反射性能,抗反射层与金属层间具有光干涉相消,通过抗反射层与金属层的共同设置进一步降低显示面板整体结构的反射率,有效减少显示面板反光和眩光等现象的发生。
S400:在抗反射层远离金属层的一侧形成发光层
根据本发明的一些实施例,该步骤在抗反射层远离金属层的一侧形成发光层,发光层包括电子注入层、电子传输层、有机发光层、空穴传输层等发光膜层,在外界电压的驱动下,由电极注入的电子和空穴分别通过电子传输层和空穴传输层进入有机发光层,并在有机发光层中复合形成处于束缚能级的电子空穴对即激子,激子辐射退激发发出光子,产生可见光。
S500:在发光层远离抗反射层的一侧形成阴极
根据本发明的一些实施例,该步骤在在发光层远离抗反射层的一侧形成阴极,当在发光层两端施加电压时,电子由阴极注入空穴注入层,并经由空穴传输层进入有机发光层。
为了使得阴极与金属层搭接进而降低阴极电阻,可令发光层在金属层处形成断开。可在形成抗反射层之后对金属层进行刻蚀,使金属层出现内缩结构,当在抗反射层远离金属层的一侧形成发光层时,发光层材料会因延展性不足在金属层内缩结构处出现断开,当在发光层远离抗反射层的一侧形成阴极,阴极材料因具有较好的延展性会在金属层内缩结构处形成连续膜层,从而实现阴极与金属层的搭接。
根据本发明的一些实施例,在形成抗反射层之后可进一步包括:在形成抗反射层之后采用刻蚀气体对金属层进行刻蚀,以令金属层在基板上的正投影位于抗反射层在基板上的正投影的所在范围之内。
根据本发明的一个实施例,刻蚀气体的选择不受特别限制,例如当形成金属层的材料为铝时,刻蚀气体可以为氯气。根据本发明的一个实施例,当形成金属层的材料为钼时,刻蚀气体可以为六氟化硫和氧气。
在本发明的又一方面,本发明提出了一种显示装置,该显示装置包括前面所述的有机发光显示面板,由此,该显示装置具有前面所述的有机发光显示面板所具有的全部特征及优点,在此不再赘述。
下面通过具体的实施例对本申请的方案进行说明,需要说明的是,下面的实施例仅用于说明本申请,而不应视为限定本申请的范围。实施例中未注明具体技术或条件的,按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者,均为可以通过市购获得的常规产品。
实施例1:
1、在基板的一侧形成像素定义层及阳极。
2、在像素定义层远离基板的一侧形成金属层,形成金属层的材料为钼。
3、在金属层远离像素定义层的一侧形成抗反射层,形成抗反射层的材料为氧化铌。
4、采用六氟化硫和氧气对含有像素定义层、金属层以及抗反射层的基板进行刻蚀,令金属层出现内缩结构。
4、在抗反射层远离金属层的一侧形成发光层,发光层在金属层内缩结构处断开。
5、在发光层远离抗反射层的一侧形成阴极,阴极在金属层内缩结构处与金属层搭接。
6、在基板上设置常规的封装结构及色阻结构。
结果表明:显示面板整体结构的反射率为4%,未出现反光和眩光的现象。显示面板不同区域的显示亮度均一性较好。
对比例1:
1、在基板的一侧形成像素定义层及阳极。
2、在像素定义层远离基板的一侧形成发光层。
3、在发光层远离像素定义层的一侧形成阴极。
4、在基板上设置常规的封装结构及色阻结构。
结果表明:显示面板整体结构的折射率为5.7%,出现反光和眩光的现象。显示面板不同区域的显示亮度均一性较差。
在本发明的描述中,术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明而不是要求本发明必须以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“另一个实施例”等的描述意指结合该实施例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外,在不相互矛盾的情况下,本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。另外,需要说明的是,本说明书中,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例,可以理解的是,上述实施例是示例性的,不能理解为对本发明的限制,本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (12)

1.一种有机发光显示面板,其特征在于,包括:
基板,所述基板上具有多个有机发光二极管;
像素定义层,所述像素定义层在所述基板上限定出多个子像素区域;
金属层,所述金属层位于所述像素定义层远离所述基板的一侧;
抗反射层,所述抗反射层位于所述金属层远离所述像素定义层的一侧,所述金属层在所述基板上的正投影位于所述抗反射层在所述基板上的正投影的所在范围之内;
发光层,所述发光层位于所述抗反射层远离所述金属层的一侧;
阴极,所述阴极位于所述发光层远离所述抗反射层的一侧,所述阴极与所述金属层搭接;
其中,所述金属层的面积小于所述抗反射层的面积,且在所述金属层和所述抗反射层之间形成内缩结构,所述阴极在所述金属层的所述内缩结构处形成连续膜层,所述阴极与所述金属层搭接。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述发光层覆盖所述抗反射层的表面、所述像素定义层的侧壁以及所述子像素区域。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,形成所述抗反射层的材料的折射率为2~3,形成所述抗反射层的材料的消光系数为0~1,形成所述金属层的材料为金属。
4.根据权利要求3所述的有机发光显示面板,其特征在于,形成所述金属层的材料包括钼和铝中的至少之一。
5.根据权利要求3所述的有机发光显示面板,其特征在于,形成所述抗反射层的材料包括氧化钼、氧化铌以及氧化铜中的至少之一。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述金属层在所述基板上的正投影的边缘与所述抗反射层在所述基板上的正投影的边缘的之间的最小距离为0.5-1.5微米。
7.根据权利要求1-6任一项所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述有机发光显示面板上进一步包括封装结构以及色阻结构,所述色阻结构位于所述封装结构远离所述基板的一侧,所述色阻结构包括黑矩阵以及色阻块。
8.一种制备权利要求1-7任一项所述的有机发光显示面板的方法,其特征在于,包括:
在基板的一侧形成像素定义层;
在所述像素定义层远离所述基板的一侧形成金属层;
在所述金属层远离所述像素定义层的一侧形成抗反射层;
在所述抗反射层远离所述金属层的一侧形成发光层;
在所述发光层远离所述抗反射层的一侧形成阴极。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,该方法进一步包括:在形成所述抗反射层之后采用刻蚀气体对所述金属层进行刻蚀,以令所述金属层在所述基板上的正投影位于所述抗反射层在所述基板上的正投影的所在范围之内。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述刻蚀气体为氯气。
11.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述刻蚀气体为六氟化硫和氧气。
12.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-7任一项所述的有机发光显示面板。
CN202011053111.0A 2020-09-29 2020-09-29 有机发光显示面板、制备有机发光显示面板的方法及显示装置 Active CN112164763B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011053111.0A CN112164763B (zh) 2020-09-29 2020-09-29 有机发光显示面板、制备有机发光显示面板的方法及显示装置
US17/403,340 US20220102448A1 (en) 2020-09-29 2021-08-16 Organic light emitting display panel, method for manufacturing the same, and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011053111.0A CN112164763B (zh) 2020-09-29 2020-09-29 有机发光显示面板、制备有机发光显示面板的方法及显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112164763A CN112164763A (zh) 2021-01-01
CN112164763B true CN112164763B (zh) 2023-05-26

Family

ID=73862147

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011053111.0A Active CN112164763B (zh) 2020-09-29 2020-09-29 有机发光显示面板、制备有机发光显示面板的方法及显示装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20220102448A1 (zh)
CN (1) CN112164763B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114023909B (zh) * 2021-11-03 2024-03-05 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 显示面板及电子设备
US11552143B1 (en) * 2022-04-29 2023-01-10 Applied Materials, Inc. OLED panel with trench overhang structures

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110212007A (zh) * 2019-06-21 2019-09-06 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示装置以及制作显示基板的方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6037712A (en) * 1996-06-10 2000-03-14 Tdk Corporation Organic electroluminescence display device and producing method thereof
WO2012115016A1 (en) * 2011-02-25 2012-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device using light-emitting device
CN103715231B (zh) * 2013-12-31 2016-11-23 京东方科技集团股份有限公司 有机发光显示面板、显示装置
JP6560847B2 (ja) * 2014-08-07 2019-08-14 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネセンス表示装置
KR102405695B1 (ko) * 2015-08-31 2022-06-03 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20190001629A (ko) * 2017-06-26 2019-01-07 삼성디스플레이 주식회사 발광소자 및 표시패널의 제조방법
US10998514B2 (en) * 2017-12-01 2021-05-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Photoelectric devices and image sensors and electronic devices
KR102454390B1 (ko) * 2017-12-05 2022-10-14 엘지디스플레이 주식회사 전계발광표시장치
CN109065764B (zh) * 2018-08-14 2023-04-28 京东方科技集团股份有限公司 显示面板的制造方法及显示面板
US11309355B2 (en) * 2019-04-26 2022-04-19 Innolux Corporation Display device
CN114514626B (zh) * 2020-09-04 2024-04-02 应用材料公司 具有无机像素包封阻挡层的oled面板
US11778847B2 (en) * 2020-09-23 2023-10-03 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel, method for manufacturing same, and display device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110212007A (zh) * 2019-06-21 2019-09-06 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示装置以及制作显示基板的方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20220102448A1 (en) 2022-03-31
CN112164763A (zh) 2021-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7538485B2 (en) Organic electroluminescent display panel and production method thereof
US9166204B2 (en) Organic light-emitting diode and method of fabricating the same
US7258589B2 (en) Organic electroluminescent device and method of fabricating the same
KR20010023412A (ko) 전계발광 디스플레이
US7645176B2 (en) Organic electro-luminescence display and fabricating method thereof
US11393884B2 (en) Pixel definition layer, array substrate and display panel
CN112164763B (zh) 有机发光显示面板、制备有机发光显示面板的方法及显示装置
US11744131B2 (en) Oled device, method of manufacturing the same, and display panel
CN112885885A (zh) 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
CN110265568A (zh) 一种显示器件及其制备方法
CN113299717A (zh) 显示面板及制备方法、显示装置
CN111223890B (zh) 显示面板及其制备方法与显示装置
CN109768074B (zh) 显示基板及其制造方法、显示面板、显示装置
CN108258023B (zh) 显示背板及其制作方法、显示面板和显示装置
CN114497415B (zh) 显示面板及其制造方法、显示装置
US20050174041A1 (en) Display device with improved light emitting diode and a method of manufacturing the improved light emitting diode
KR101433589B1 (ko) 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
CN114613918B (zh) 显示面板与显示装置
CN219228312U (zh) 显示面板以及显示装置
CN110323356B (zh) Oled显示基板及制造方法、显示装置
US20220352414A1 (en) Combined auxiliary electrode and reflective bank for three-dimensional qled pixel
US20240172486A1 (en) Organic light-emitting display device
EP4131392A1 (en) Display device, and display panel and manufacturing method therefor
CN117979752A (zh) 显示面板、显示面板的制造方法及显示装置
CN117979748A (zh) 显示面板及其制备方法、显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant