CN117979748A - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开的实施例提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，用于改善显示面板发光亮度不均一的问题。该显示面板包括：阵列基板；多个发光器件，位于阵列基板的一侧；发光器件包括沿远离阵列基板的方向依次层叠的第一电极、发光功能层和第二电极；其中，第一电极包括反射子电极和第二子电极，第二子电极覆盖反射子电极远离阵列基板的一侧表面和反射子电极的侧壁。上述显示面板用于显示图像。

Description

显示面板及其制备方法、显示装置

技术领域

本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称为OLED)显示面板，因具有自发光、驱动电压低、发光效率高、厚度薄、视角广、响应速度快以及可柔性显示等优点，逐渐成为显示领域的主流产品之一，OLED显示面板可广泛应用于智能手机、平板电脑、电视和可穿戴设备(比如手表)等终端产品中。如何避免显示面板存在发光不均一的问题，是显示面板中亟需解决的一个技术问题。

发明内容

本公开的实施例的目的在于提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，用于改善显示面板发光亮度不均一的问题。

为达到上述目的，本公开的实施例提供了如下技术方案：

一方面，提供一种显示面板。所述显示面板包括阵列基板和多个发光器件。所述多个发光器件位于所述阵列基板的一侧；所述发光器件包括沿远离所述阵列基板的方向依次层叠的第一电极、发光功能层和第二电极；其中，所述第一电极包括反射子电极和第二子电极，所述第二子电极覆盖所述反射子电极远离所述阵列基板的一侧表面和所述反射子电极的侧壁。

上述显示面板中，发光器件包括沿远离阵列基板的方向依次层叠的第一电极、发光功能层和第二电极，其中第一电极包括反射子电极和第二子电极，第二子电极覆盖反射子电极远离阵列基板的一侧表面和反射子电极的侧壁，由于第二子电极将反射子电极远离阵列基板的一侧表面完全覆盖，避免了第二子电极对反射子电极的边缘覆盖不全而导致的反射子电极的边缘对应的区域无法发光，因此避免了发光器件的边缘显示不良，提高了发光器件的有效发光区的面积，且第二子电极还覆盖反射子电极的侧壁，位于反射子电极的侧壁的第二子电极与位于其上方的发光功能层和第二电极也可以形成发光区域，进一步提高了发光器件的有效发光面积，因此提高了显示面板发光亮度的均一性。

在一些实施例中，所述第一电极还包括设于所述反射子电极靠近所述阵列基板一侧的第一子电极，所述第二子电极还覆盖所述第一子电极的至少部分侧壁。

在一些实施例中，所述第一子电极包括第一部分和第二部分，所述第一部分相比所述第二部分靠近所述阵列基板，所述第一部分的边界位于所述第二部分的边界外侧；所述第二子电极还覆盖所述第二部分的侧壁。

在一些实施例中，所述第一子电极包括第一部分和第二部分，所述第一部分相比所述第二部分靠近所述阵列基板；所述第二子电极还覆盖所述第一部分和第二部分的侧壁。

在一些实施例中，还包括：像素界定层，所述像素界定层设有多个第一开口，一个所述发光器件的第一电极与一个所述第一开口对应设置；所述第一开口的边界位于所述反射子电极的边界和所述第二子电极的边界之间。

在一些实施例中，在向所述阵列基板的正投影中，所述反射子电极的边界与相对应的所述第一开口的边界之间的距离为2μm～3μm。

在一些实施例中，所述显示面板包括多种颜色的子像素，每个所述子像素包括至少一个所述发光器件，至少两种颜色的子像素的发光器件的第二子电极的厚度不相等。

在一些实施例中，所述多种颜色的子像素包括绿色子像素、蓝色子像素和红色子像素；所述绿色子像素包括第一发光器件，所述蓝色子像素包括第二发光器件，所述红色子像素包括第三发光器件；在所述第一发光器件中，覆盖所述反射子电极远离所述阵列基板的一侧表面的第二子电极具有第一厚度；在所述第二发光器件中，覆盖所述反射子电极远离所述阵列基板的一侧表面的第二子电极具有第二厚度；在所述第三发光器件中，覆盖所述反射子电极远离所述阵列基板的一侧表面的第二子电极具有第三厚度；所述第二厚度大于所述第一厚度，所述第三厚度大于所述第一厚度。

在一些实施例中，所述第二厚度小于或等于所述第三厚度。

在一些实施例中，所述第二厚度与所述第一厚度的比值为2：1～3：1；所述第三厚度与所述第一厚度的比值为2：1～3：1。

在一些实施例中，所述像素界定层还设有第二开口，所述第二开口位于相邻的所述第一开口之间；所述阵列基板包括辅助电极，所述辅助电极位于相邻的所述发光器件之间；所述显示面板还包括设于所述第二开口中的导电垫块和隔离部，所述隔离部位于所述导电垫块远离所述阵列基板的一侧，且所述隔离部与所述第二子电极同层设置；其中，所述导电垫块与所述辅助电极连接，所述导电垫块与所述第二开口的边界之间具有间距，所述隔离部的边缘部分相比于所述导电垫块伸出；所述发光功能层在所述导电垫块与所述第二开口的边界之间断开，相邻的所述第二电极之间通过所述导电垫块连接。

在一些实施例中，所述显示面板还包括设于所述第二开口中的第一连接子电极和第二连接子电极；所述第一电极还包括设于所述反射子电极靠近所述阵列基板一侧的第一子电极，所述第一连接子电极与所述第一子电极同层设置，且位于所述导电垫块和所述辅助电极之间，所述导电垫块通过所述第一连接子电极与所述辅助电极连接；所述第二连接子电极与所述反射子电极同层设置，且位于所述隔离部和所述导电垫块之间。

另一方面，提供一种显示装置。包括如上述任一实施例所述的显示面板，以及，设于所述显示面板的出光侧的盖板。

上述显示装置具有与上述一些实施例中提供的显示面板相同的结构和有益技术效果，在此不再赘述。

又一方面，提供一种显示面板的制备方法，包括：形成阵列基板；在所述阵列基板的一侧形成多个发光器件，所述发光器件包括沿远离所述阵列基板的方向依次层叠的第一电极、发光功能层和第二电极；所述第一电极包括反射子电极和第二子电极，所述第二子电极覆盖所述反射子电极远离所述阵列基板的一侧表面和所述反射子电极的侧壁。

上述显示面板的制备方法具有与上述一些实施例中提供的显示面板相同的有益技术效果，在此不再赘述。

在一些实施例中，形成所述发光器件的第一电极包括：形成第一薄膜，并在所述第一薄膜上形成第一掩膜图案，所述第一掩膜图案覆盖所述第一薄膜中待形成反射子电极的区域；基于所述第一掩膜图案刻蚀所述第一薄膜，形成反射子电极；在形成所述反射子电极的阵列基板上形成第二薄膜，并在所述第二薄膜上形成第二掩膜图案，所述第二掩膜图案覆盖所述第一掩膜图案所在的区域，且所述第二掩膜图案的面积大于所述第一掩膜图案的面积；基于所述第二掩膜图案刻蚀所述第二薄膜，形成第二子电极。

附图说明

为了更清楚地说明本公开中的技术方案，下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。此外，以下描述中的附图可以视作示意图，并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程、信号的实际时序等的限制。

图1为根据一些实施例提供的一种显示装置的示意图；

图2为根据一些实施例提供的显示面板中的一种子像素排布的示意图；

图3为图2中的显示面板沿剖面线AA的局部结构的剖视图；

图4为根据一些实施例提供的一种发光器件的结构图；

图5为图4中的发光器件中的反射子电极和第二子电极的俯视图；

图6为根据一些实施例提供的一种显示面板的结构图；

图7为根据一些实施例提供的显示面板在图6中的虚线圈S处的发光器件的放大图；

图8为图7中的发光器件中的反射子电极和第二子电极的俯视图；

图9为图6中的显示面板的局部放大图；

图10为根据一些实施例提供的另一种显示面板的结构图；

图11为根据一些实施例提供的另一种显示面板的结构图；

图12为根据一些实施例提供的另一种显示面板的结构图；

图13为根据一些实施例提供的另一种显示面板的结构图；

图14为根据一些实施例提供的一种显示装置的结构图；

图15为根据一些实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图；

图16～图22为根据一些实施例提供的一种显示面板中的第一电极的制备方法中各步骤对应的结构图。

具体实施方式

下面将结合附图，对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例性实施例”、“示例”或“一些示例”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。

以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在描述一些实施例时，可能使用了“耦接”和“连接”及其衍伸的表达。术语“连接”应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。术语“耦接”例如表明两个或两个以上部件有直接物理接触或电接触。术语“耦接”或“通信耦合(communicatively coupled)”也可能指两个或两个以上部件彼此间并无直接接触，但仍彼此协作或相互作用。这里所公开的实施例并不必然限制于本文内容。

“A、B和C中的至少一个”与“A、B或C中的至少一个”具有相同含义，均包括以下A、B和C的组合：仅A，仅B，仅C，A和B的组合，A和C的组合，B和C的组合，及A、B和C的组合。

“A和/或B”，包括以下三种组合：仅A，仅B，及A和B的组合。

本文中“适用于”或“被配置为”的使用意味着开放和包容性的语言，其不排除适用于或被配置为执行额外任务或步骤的设备。

另外，“基于”的使用意味着开放和包容性，因为“基于”一个或多个所述条件或值的过程、步骤、计算或其他动作在实践中可以基于额外条件或超出所述的值。

如本文所使用的那样，“约”、“大致”或“近似”包括所阐述的值以及处于特定值的可接受偏差范围内的平均值，其中所述可接受偏差范围如由本领域普通技术人员考虑到正在讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量***的局限性)所确定。

如本文所使用的那样，“平行”、“垂直”、“相等”包括所阐述的情况以及与所阐述的情况相近似的情况，该相近似的情况的范围处于可接受偏差范围内，其中所述可接受偏差范围如由本领域普通技术人员考虑到正在讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量***的局限性)所确定。例如，“平行”包括绝对平行和近似平行，其中近似平行的可接受偏差范围例如可以是5°以内偏差；“垂直”包括绝对垂直和近似垂直，其中近似垂直的可接受偏差范围例如也可以是5°以内偏差。“相等”包括绝对相等和近似相等，其中近似相等的可接受偏差范围内例如可以是相等的两者之间的差值小于或等于其中任一者的5％。

应当理解的是，当层或元件被称为在另一层或基板上时，可以是该层或元件直接在另一层或基板上，或者也可以是该层或元件与另一层或基板之间存在中间层。

本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中，为了清楚，放大了层的厚度和区域的面积。因此，可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此，示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状，而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如，示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状，并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。

参考图1，本公开的实施例提供了一种显示装置1000，显示装置1000为具有图像显示功能的产品。示例性地，该显示装置1000可以为电视机、笔记本电脑、平板电脑、个人数字助理(Personal Digital Assistant；简称：PDA)、移动电话(手机)、表、时钟、计算器、GPS接收器/导航仪、相机、相机视图的显示器(例如，车辆中后视相机的显示器)、可穿戴设备、增强现实(Augmented Reality；简称：AR)设备、虚拟现实(Virtual Reality；简称：VR)设备等任何具有显示功能的产品或者部件。例如，如图1所示，显示装置1000可以为手机。

从显示装置1000的发光类型上看，上述显示装置1000可以是主动发光显示装置，例如OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示装置、QLED(QuantumDot Light Emitting Diodes，量子点电致发光)显示装置。从显示装置1000的形态上看，上述显示装置1000可以是平面显示装置、曲面显示装置或者可折叠显示装置等。从显示装置1000的形状上看，上述显示装置1000可以是矩形或圆形等。本公开的实施例对此不做具体限定。下面以显示装置1000为OLED显示装置，且显示装置1000为矩形作为示例，对本公开的一些实施例进行示意性说明，但是本公开的实施方式不限于此，并且也可以考虑任何其它显示装置，只要应用相同的技术思想即可。

显示装置1000包括显示面板。在显示装置1000为OLED显示装置的情况下，显示面板为OLED显示面板。以下对显示面板的结构进行详细说明。

参考图2，本公开一些实施例提供一种显示面板1001。显示面板1001具有显示区Q1，和与显示区Q1邻接的周边区Q2。周边区Q2可围绕显示区Q1设置一圈，或者，周边区Q2可部分围绕显示区Q1。其中，显示区Q1为显示面板1001上用于显示图像的区域，显示区Q1设置有子像素P，子像素P包括发光器件和与发光器件相连的像素电路，发光器件能够在像素电路的驱动下发光，以支持图像显示。周边区Q2比如可以用于设置栅极驱动电路(Gatedriver on Array，简称：GOA)以及控制信号线(比如时钟信号线、电源电压信号线等)等，栅极驱动电路用于驱动子像素P发光，控制信号线用于为栅极驱动电路提供工作所需的信号。

显示面板1001包括阵列式布置的多个子像素，多个子像素包括三基色子像素，例如红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，从而使得显示面板1001可以实现彩色画面的显示。使子像素显示特定的颜色可以采用多种形式：示例性地，子像素的发光器件中的发光层采用能够激发目标颜色光的材料，例如绿色子像素的发光器件采用可激发绿光的发光层材料，蓝色子像素的发光器件采用可激发蓝光的发光层材料，红色子像素的发光器件采用可激发红光的发光层材料。又示例性地，多个子像素的发光器件均发出单一颜色的光，通过在发光器件的上方设置色转换结构将单一颜色的光转换成目标颜色，示例性地，多个子像素的发光器件均发出白光或蓝光，色转换结构包括绿色色转换部、蓝色色转换部、红色色转换部，白光或蓝光在经过相应的色转换部时就会转换成相应颜色的光。其中，色转换结构可以是采用红绿蓝量子点材料形成的膜层，或者采用红绿蓝色阻形成的膜层，或者两者的结合。

在下文中，以显示面板1001包括WOLED(White Organic Light-Emitting Diode，白光有机发光二极管)显示面板为例进行介绍，但是这并不能理解为对本申请技术方案的限制，在一些其他的实施例中，本申请的技术方案也可以应用于直接使用能够激发目标颜色光的材料形成发光器件的显示面板。

在一些实施例中，参考图3，图3为图2中的显示面板1001沿AA向的局部结构的剖视图，显示面板1001包括层叠设置的阵列基板100、发光器件200、封装结构300和量子点色转换结构400。

参考图3，发光器件200包括沿远离阵列基板100的方向依次层叠设置的图案化的第一电极201、发光功能层202和第二电极203。

本实施例中，第一电极201被配置为发光器件200的阳极，第二电极203被配置为发光器件200的阴极，来自第一电极201的空穴和来自第二电极203的电子在发光功能层202中复合，从而激发出光。在其他实施例中，第一电极201可以被配置为发光器件200的阴极，相应的，第二电极203被配置为发光器件200的阳极。

发光功能层202包括有机发光层EML，在发光器件200为WOLED的情况下，有机发光层由能够发出白光的发光材料形成。且在此情况下，多个子像素的发光器件的有机发光层EML可以连接成整面的结构。

发光功能层202还可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的至少一种。

示例性地，请继续参见图3，发光功能层202还包括空穴注入层HIL，不同子像素的发光器件的空穴注入层HIL相互独立设置。

发光功能层202包括空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层时，这些膜层可为整面结构，当然也可以是相互独立设置。

上述显示面板1001可以是顶发光显示面板，也就是说，光线由发光器件200向背离阵列基板100的方向出射，在此情况下，第一电极201为全反射电极，参考图4，第一电极201沿靠近发光功能层202的方向包括：第一子电极23、反射子电极21和第二子电极22。

第一子电极23被配置为与阵列基板100中的像素电路连接，以便于接收来自像素电路的电压，该电压驱动发光器件200发光。第一子电极23的材料包括氧化铟锡(IndiumTin Oxides，简称：ITO)。

反射子电极21被配置为对发光器件200的光进行反射，以提高垂直方向出光效率的目的，反射子电极21的材料包括金属铝或铝合金，还可以包括其他对光起到反射作用的金属材料。

第二子电极22被配置为发光器件200的第一电极201的主体结构，承担了向发光功能层202提供载流子(空穴或电子)的主要作用，例如当第一电极201为阳极时，第二子电极22为阳极的主体，用于向发光功能层202提供空穴。第二子电极22的材料包括氧化铟锡(Indium Tin Oxides，简称：ITO)。

第二电极203为半透半反电极。在第二电极203被配置为发光器件200的阴极的情况下，第二电极203的材料包括镁银合金或者铟锌氧化物(Indium-Zinc-Oxide，简称：IZO)。多个发光器件200的第二电极203可相互连接形成整面结构。

封装结构300被配置为降低外界环境中的水汽和氧气进入发光器件200内的风险，进而提升显示面板1001的使用寿命。封装结构300可以为封装薄膜，也可以为封装基板。示例性地，参考图3和图4，封装结构300可以为封装薄膜，此时，封装结构300可以包括依次层叠设置的第一无机封装层301、有机封装层302和第二无机封装层303。

示例性地，第一无机封装层301的材料包括氮化硅(SiNx)、二氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiON)中的一种或多种的组合。第一无机封装层301采用化学气相沉积(ChemicalVapor Deposition，简称：CVD)工艺形成。

示例性地，有机封装层302的材料包括丙烯酸基聚合物、硅基聚合物及环氧基聚合物中的一种或多种的聚合物(polymer)组合，采用喷墨打印(Ink Jet Printing，简称：IJP)方式将上述材料制作在第一无机封装层301上，并进行紫外线(ultraviolet，简称：UV)固化，以形成该有机封装层302。

示例性地，第二无机封装层303的材料包括氮化硅(SiNx)、二氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiON)中的一种或多种的组合。第二无机封装层303采用化学气相沉积(ChemicalVapor Deposition，简称：CVD)工艺形成。

继续参考图3，量子点色转换结构400被配置为将发光器件200发出的白光转换成目标颜色的光，量子点色转换结构400包括对应红色子像素设置的红色色转换部401、对应蓝色子像素设置的蓝色色转换部402以及对应绿色子像素设置的绿色色转换部403，由发光器件200发出的白光在经过红色色转换部401、蓝色色转换部402和绿色色转换部403时，分别被转换为红光、蓝光和绿光。

目前，如何改善显示面板1001发光亮度不均一的问题是领域内研究的趋势之一。结合参考图4和图5，本公开的发明人经研究发现，第二子电极22和反射子电极21采用同一道掩膜和一次性刻蚀工艺形成，最终形成的第二子电极22的边缘相对反射子电极21的边缘内缩，之后在形成发光功能层202时，部分发光功能层202的材料会沉积在反射子电极21相对第二子电极22的边缘向外伸出的区域，如图4所示，由于位于反射子电极21相对第二子电极22的边缘向外伸出的区域的发光功能层202材料的底部没有第二子电极22使得反射子电极21的边缘对应的区域无法发光，导致发光器件200的有效发光区的面积小，且位于反射子电极21的边缘区域的发光功能层202的材料不透光，由此导致发光器件200的边缘显示不良，以及显示面板1001发光亮度不均一的问题。

为解决上述技术问题，结合参考图6和图7，在一些实施例中，提供一种显示面板1001，显示面板1001包括：阵列基板100和多个发光器件200。多个发光器件200位于阵列基板100的一侧；发光器件200包括沿远离阵列基板100的方向依次层叠的第一电极201、发光功能层202和第二电极203；其中，第一电极201包括反射子电极21和第二子电极22，如图6、图7和图8所示，第二子电极22覆盖反射子电极21远离阵列基板100的一侧表面和反射子电极21的侧壁。

本公开实施例提供的显示面板1001，由于第二子电极22将反射子电极21远离阵列基板100的一侧表面完全覆盖，避免了第二子电极22对反射子电极21的边缘覆盖不全而导致的反射子电极的边缘对应的区域无法发光，因此避免了发光器件200的边缘显示不良，提高了发光器件200的有效发光区的面积；且第二子电极22还覆盖反射子电极21的侧壁，位于反射子电极21的侧壁的第二子电极22与位于其上方的发光功能层202和第二电极203也可以形成发光区域，进一步提高了发光器件的有效发光面积，因此提高了显示面板1001发光亮度的均一性。

在下文中，本公开的实施例以第一电极201为发光器件200的阳极，第二电极203为发光器件200的阴极为例进行介绍，对于第一电极201为发光器件200的阴极，第二电极203为发光器件200的阳极的情况，也可以采用本公开的上述技术思想解决类似的技术问题。

第二子电极22的材料和功能可参见上文的介绍，此处不再赘述。

在一些实施例中，反射子电极21的厚度为100nm～150nm，例如100nm、120nm、145nm或者150nm。通过使反射子电极21的厚度大于或等于100nm，使得反射子电极21的厚度不至于过薄而容易透光，从而提高对光线的反射效果。通过使反射子电极21的厚度小于或等于150nm，从而有利于显示面板1001的轻薄化。

反射子电极21的材料和功能可参见上文的介绍，此处不再赘述。

在一些实施例中，第一电极201还包括设于反射子电极21靠近阵列基板100一侧的第一子电极23，第一子电极23的材料和功能可参见上文的介绍，此处不再赘述。第二子电极22还覆盖第一子电极23的至少部分侧壁。

示例性的，第一子电极23包括第一部分231和第二部分232，第一部分231相比第二部分232靠近阵列基板100。在制备第一子电极23的过程中，第一部分231和第二部分232可分步形成，第一部分231被配置为对工艺过程中的缺陷进行检测和维修的作用，例如对阵列基板100进行检测和维修。否则在形成反射子电极21后，反射子电极21会遮挡住第一子电极23，就无法对已形成的结构进行缺陷的检测和维修。

第二部分232可以用于减小形成反射子电极21的形成过程中产生的应力，起到缓冲的作用。具体的，在形成第一部分231之后，形成反射子电极21之前，先采用第二部分的材料形成薄膜，然后在该薄膜上形成反射子电极材料的薄膜，之后再刻蚀这两层薄膜形成第二部分232和反射子电极21，由于反射子电极材料的薄膜形成在第二部分材料的薄膜上，因此避免了反射子电极材料的薄膜直接和阵列基板100中的平坦层接触而出现鼓包现象。

上述实施例中，为了更清楚地描述第一子电极23的结构，将第一子电极23划分为第一部分231和第二部分232。在一些实施例中，第一子电极23的第一部分231和第二部分232可以为一体的结构，其材料可以相同，这种情况下，二者之间并不存在物理意义上的界限。

在一些可能的设计中，如图7所示，第一部分231的边界位于第二部分232的边界外侧。第二子电极22还覆盖第二部分232的侧壁。这样使得第一子电极23的第二部分232和反射子电极21可以采用同一张掩膜板以及一次性刻蚀工艺形成，有利于简化制作步骤。

在另一些可能的设计中，第二子电极23还覆盖第一部分231和第二部分232的侧壁。在此情况下，第一部分231的边界可以位于第二部分232的边界外侧，或者，如图10所示，第一部分231的边界与第二部分232的边界齐平。第一部分231的边界与第二部分232的边界齐平，可以使得在形成第一子电极23的第一部分231、第二部分232和反射子电极21时可以采用同一张掩膜板，与第一部分231的边界位于第二部分232的边界外侧相比，可以节省一张掩膜板，由此达到节约成本的效果。

下面对阵列基板100的结构进行示例性介绍。参考图6，阵列基板100包括依次层叠的衬底110和像素电路层120。

衬底110的结构包括多种，具体可以根据实际需要选择设置。衬底可以为刚性衬底。该刚性衬底例如可以为玻璃衬底或聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl methacrylate，简称：PMMA)衬底等。又如，衬底可以为柔性衬底。该柔性衬底例如可以为聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene terephthalate，简称：PET)衬底、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylenenaphthalate two formic acid glycol ester，简称：PEN)衬底或聚酰亚胺(Polyimider，简称：PI)衬底等。

像素电路层120包括多个像素电路。一个像素电路与一个发光器件200连接，被配置为驱动发光器件200进行发光。像素电路层120可以包括多个导电层，多个导电层被配置为形成多个像素电路以及用于驱动像素电路的多条信号线。上述多个导电层形成多个薄膜晶体管，参考图6，图6中仅示出了像素电路层120中的一个薄膜晶体管，像素电路层120包括：设置在衬底110上的遮蔽层11、层叠在遮蔽层11上的缓冲层12、有源层13、栅极绝缘层14，栅极15，层间绝缘层16、源漏导电层SD、钝化层17和平坦层18，有源层13包括沟道区A1和分别位于沟道区A1侧部的导电区A2，导电区A2与源漏导电层SD连接，栅极绝缘层14位于沟道区A1远离衬底110的一侧表面，源漏导电层SD包括源极102和漏极103，钝化层17和平坦层18上设有第一过孔k1，发光器件200的第一子电极23通过第一过孔k1与漏极103连接,层间绝缘层16上设有第二过孔k2，源漏导电层SD通过第二过孔k2与有源层13连接。遮蔽层11能够对有源层13起到保护作用，避免光线照射至有源层13导致薄膜晶体管性能下降。

像素电路层120还包括位于缓冲层12远离衬底110一侧的栅线19,栅线19与缓冲层12之间设有栅极绝缘层14。

在一些实施例中，缓冲层12和层间绝缘层16上设有第三过孔k3，漏极103通过第三过孔k3与遮蔽层11连接，使得遮蔽层11与栅极15和栅线19所在的栅极层形成存储电容，或者，漏极103与栅极15和栅线19所在的栅极层形成存储电容。

继续参考图6，阵列基板100还包括辅助电极D3，辅助电极D3在阵列基板100中可呈网格状结构，发光器件200的第二电极203可以辅助电极D3电连接。在多个发光器件200的第二电极203相互连接形成整面结构的情况下，通过设置辅助电极D3可以降低多个第二电极203相互连接形成整面膜层的压降。

示例性地，辅助电极D3位于相邻的发光器件200之间，这样可以避免遮挡发光器件200发出的光线。

示例性地，辅助电极D3可以与源极102和漏极103同层设置，即辅助电极D3位于源漏导电层SD，这样源漏导电层SD与源极102、漏极103可以通过同一次构图工艺形成，这样有利于简化制作步骤。

继续参考图6，显示面板1001还包括：像素界定层PDL，像素界定层PDL设有多个第一开口z1，一个发光器件200的第一电极201与一个第一开口z1对应设置；第一开口z1的边界位于反射子电极21的边界和第二子电极22的边界之间，即位于图7中所示出的区域M。

例如，结合参考图6和图9，在向阵列基板100的正投影中，第一开口z1的边界位于反射子电极21的边界和第二子电极22的边界之间，反射子电极21的边界与相对应的第一开口z1的边界之间的距离d1为2μm～3μm，例如2μm、2.2μm、2.5μm、2.8μm或者3μm。

例如，如图11所示，在向阵列基板100的正投影中，第一开口z1的边界与第二子电极22的边界重合。这样使得第一开口z1的面积最大，且位于第一开口z1的发光器件200均可发光，因此有利于提高发光器件200的有效发光面积。

例如，如图12所示，在向阵列基板100的正投影中，第一开口z1的边界与反射子电极21的边界重合。这样使得位于第一开口z1中的发光器件200发出的光均可被反射子电极21进行反射，有利于提高显示面板1001的亮度的均一性。

由于第一电极201为全反射电极，第二电极203为半透半反电极，发光功能层202发出的光线在第一电极201和第二电极203之间多次反射，通过全反射使得之前部分无法出射的光改变出射角度后射出。第一电极201、发光功能层202和第二电极203所构成的光学微腔结构(或者说谐振腔)称为微腔器件，当发光器件的发光区位于一个全反射膜和半反射膜构成的谐振腔内，腔长与光波的波长在同一数量级时，特定波长的光会得到选择和加强，光谱发生窄化，此为微腔效应。采用光学微腔结构可以增加谐振波长的发光强度、窄化发光光谱、提高器件的发光效率。

在一些实施例中，显示面板1001包括多种颜色的子像素，每个子像素包括至少一个发光器件200，至少两种颜色的子像素的发光器件200的第二子电极203的厚度不相等。

示例性的，多种颜色的子像素包括绿色子像素、蓝色子像素和红色子像素。如图13所示，绿色子像素包括第一发光器件2001，蓝色子像素包括第二发光器件2002，红色子像素包括第三发光器件2003；在第一发光器件2001中，覆盖反射子电极21远离阵列基板的一侧表面的第二子电极22具有第一厚度H1；在第二发光器件2002中，覆盖反射子电极21远离阵列基板的一侧表面的第二子电极22具有第二厚度H2；在第三发光器件中2003，覆盖反射子电极21远离阵列基板的一侧表面的第二子电极22具有第三厚度H3。

由于第一电极201中的第二子电极22的厚度与发光功能层202中的空穴注入层HIL的厚度对发光器件200的发光效率影响最大，因此空穴注入层HIL的厚度需要与第二子电极22的厚度相匹配。

示例性的，属于绿色子像素的第一发光器件2001中，覆盖反射子电极21远离阵列基板100的一侧表面的第二子电极22的第一厚度H1为例如/>第一发光器件2001中的空穴传输层HIL的厚度为/>例如/>

示例性的，属于蓝色子像素的第二发光器件2002中，覆盖反射子电极21远离阵列基板100的一侧表面的第二子电极22的第二厚度H2为例如/>第二发光器件2002中的空穴传输层HIL的厚度为/>例如/>

示例性的，属于红色子像素的第三发光器件2003中，覆盖反射子电极21远离阵列基板100的一侧表面的第二子电极22的第三厚度H3为例如/>第三发光器件2003中的空穴传输层HIL的厚度为/>例如/>

在一些实施例中，第二厚度H2大于第一厚度H1，第三厚度H3大于第一厚度H1。从而使属于蓝色子像素的第二发光器件2002的第二微腔的长度大于属于绿色子像素的第一发光器件2001的第一微腔的长度，属于红色子像素的第三发光器件2003的第三微腔的长度大于属于绿色子像素的第一发光器件2001的第一微腔的长度，通过对不同的发光器件的第二子电极的厚度进行限定由此使得发光器件的谐振腔的腔长尺寸与对应的光波的波长在相同量级，特定波长的光会得到选择和加强，光谱会发生窄化现象，提高了显示面板1001的色度。

例如，第一厚度H1为第二厚度H2为/>第三厚度为/>

在一些实施例中，第二厚度H2小于或等于第三厚度H3。

示例性的，第二厚度H2小于第三厚度H3。

例如，第二厚度H2为第三厚度H3为/>

示例性的，第二厚度H2等于第三厚度H3。

例如，第二厚度H2为第三厚度H3为/>

在一些实施例中，第二厚度H2与第一厚度H1的比值为2：1～3：1，例如2：1、2.3：1、2.5：1、2.6：1、2.7：1、2.8：1或者3：1。

在一些实施例中，第三厚度H3与第一厚度H1的比值为2：1～3：1，例如2：1、2.3：1、2.5：1、2.6：1、2.7：1、2.8：1或者3：1。

在一些实施例中，继续参考图6，像素界定层PDL还设有第二开口z2，第二开口z2位于相邻的第一开口z1之间。在一些实施例中，继续参考图6，显示面板1001还包括设于第二开口z2中的导电垫块D1和隔离部D2，隔离部D2位于导电垫块D1远离阵列基板100的一侧，且隔离部D2与第二子电极23同层设置，从而隔离部D2和第二子电极23可以通过同一次构图工艺形成，这样有利于简化制作步骤。

其中，结合参考图6与图9，导电垫块D1与第二开口z2的边界之间具有间距d2，隔离部D2的边缘部分相比于导电垫块伸出D1，这样有利于在通过蒸镀或打印形成发光功能层202的情况下，使得发光功能层202可以在隔离部D2的侧面断开，即发光功能层202在导电垫块D1与第二开口z2的边界之间断开，这样可以避免位于第二开口z2中的发光功能层202发光。并且可以保证沉积形成的第二电极203能够进入隔离部D2伸出的边缘部分下方与导电垫块D1形成连接，使得相邻的第二电极203之间通过导电垫块D1连接。

在此基础上，由于导电垫块D1与辅助电极D3连接，从而使得多个发光器件200的第二电极203与辅助电极D3连接，以降低多个第二电极203相连接形成的膜层的压降。

在一些实施例中，继续参考图6，显示面板1001还包括设于第二开口z2中的第一连接子电极D4和第二连接子电极D5。第一连接子电极D4与第一子电极23同层设置，且位于导电垫块D1和辅助电极D3之间，导电垫块D1通过第一连接子电极D4与辅助电极D3连接。具体的，钝化层17和平坦层18中设有贯穿钝化层17和平坦层18的第四过孔k4，第一连接子电极D4通过第四过孔k4与辅助电极D3连接，从而使得相邻的第二电极203依次通过导电垫块D1、第一连接子电极D4，实现与辅助电极D3的连接。

此外，第一连接子电极D4与第一子电极23同层设置，使得第一连接子电极D4和第一子电极23可以通过同一次构图工艺形成，这样有利于简化制作步骤。

第二连接子电极D5与反射子电极21同层设置，且位于隔离部D2和导电垫块D1之间。第二连接子电极D5增加了隔离部D2的高度，从而有效的保证了发光功能层202在隔离部D2的边缘部分断开。此外，第二连接子电极D5与反射子电极21同层设置，使得第二连接子电极D5与反射子电极21可以通过同一次构图工艺形成，这样有利于简化制作步骤。

在一些实施例中，显示面板1001为WOLED显示面板时，显示面板1001还包括设于多个发光器件200的出光侧的封装结构，以及设于封装结构远离阵列基板一侧的量子点色转换结构。

封装结构和量子点色转换结构的具体结构和作用可参考前面的相应的描述，此处不再赘述。

参考图14，本公开的实施例还提供一种显示装置1000，该显示装置1000包括显示面板1001以及设于显示面板1001的出光侧的盖板1002。

需要说明的是，显示面板1001包括前任一实施例提供的显示面板，在此不再赘述。

参考图15并结合参考图6，本公开的实施例还提供一种显示面板的制备方法，包括：

步骤S1：形成阵列基板100；

步骤S2：在阵列基板100的一侧形成多个发光器件200，发光器件200包括沿远离阵列基板100的方向依次层叠的第一电极201、发光功能层202和第二电极203；第一电极201包括反射子电极21和第二子电极22，第二子电极22覆盖反射子电极21远离阵列基板100的一侧表面和反射子电极21的侧壁。

形成发光器件200的第一电极201的步骤包括：在阵列基板100的一侧依次形成第一子电极23、反射子电极21和第二子电极22。其中第一子电极23包括第一部分231第二部分232。下面参考图16～图22，对本实施例提供的发光器件200的第一电极201的制备方法进行具体介绍。

S21：形成第一子电极23的第一部分231。

示例性地，第一部分231的材料包括氧化铟锡(Indium Tin Oxides，简称：ITO)。

S22：参见图16～图18，形成第一子电极23的第二部分232和反射子电极21。

结合参考图16和图17，在形成第一部分231的阵列基板100上依次形成第二部分薄膜2320、第一薄膜210，并在第一薄膜210上形成第一掩膜图案T1，第一掩膜图案T1覆盖第一薄膜210中待形成反射子电极的区域。

第二部分薄膜2320的材料包括氧化铟锡(Indium Tin Oxides，简称：ITO)，第一薄膜210的材料包括金属铝或铝合金，第一薄膜210的材料也可以包括其他对光起到反射作用的金属材料。

第二部分薄膜2320可以用于减小形成第一薄膜210过程中产生的应力，对第一薄膜210的形成起到缓冲的作用，避免第一薄膜210直接在阵列基板100中的平坦层的表面直接形成而出现鼓包现象。

示例性地，参考图16，在第一薄膜210上形成第一掩膜图案T1的步骤包括：在第一薄膜210远离阵列基板100的一侧表面形成第一光刻胶层j1，在第一光刻胶层j1远离阵列基板100的一侧表面形成第一掩模版M1，第一掩模版M1中具有透光区域，在向阵列基板100的正投影中，第一掩模版M1中的透光区域与第一薄膜210中待形成反射子电极的区域交叠,之后对第一光刻胶层j1进行曝光、显影，形成第一掩膜图案T1。

结合参考图17和图18，基于第一掩膜图案T1刻蚀第一薄膜210和第二部分薄膜2320，以使第一薄膜210形成反射子电极21，使第二部分薄膜2320形成第二部分232，第一部分231和第二部分232构成第一子电极23。第一部分231和第二部分232的材料可相同，因此第一部分231和第二部分232可以为一体的结构，二者之间不存在物理意义上的界限。

S23：结合参见图19～图22，形成第二子电极22。

参考图19，在形成反射子电极21的阵列基板100上形成第二薄膜220，包括：

形成电极图案221，电极图案221位于蓝色发光器件区域和红色发光器件区域。在形成电极图案221的阵列基板100上形成子薄膜222，子薄膜222覆盖绿色发光器件区域、蓝色发光器件区域和红色发光器件区域，电极图案221和子薄膜222形成第二薄膜220。

示例性地，电极图案221的厚度为子薄膜222的厚度为/>

结合参考图20和图21，在第二薄膜220上形成第二掩膜图案T2，第二掩膜图案T2覆盖第一掩膜图案T1所在的区域，且第二掩膜图案T2的面积大于第一掩膜图案T1的面积，以使得形成的第二子电极22的面积大于反射子电极21的面积，这样第二子电极22可以将反射子电极21远离阵列基板100的一侧表面以及反射子电极21的侧壁覆盖。

示例性地，参考图20，在第二薄膜220上形成第二掩膜图案T2的步骤包括：在第二薄膜220远离阵列基板100的一侧表面形成第二光刻胶层j2，在第二光刻胶层j2远离阵列基板100的一侧表面形成第二掩模版M2，第二掩模版M2中具有透光区域，在向阵列基板100的正投影中，第二掩模版M2中的透光区域与第二薄膜220中待形成第二子电极的区域交叠,之后对第二光刻胶层j2进行曝光、显影，形成第二掩膜图案T2。

结合参考图21和图22，基于第二掩膜图案T2刻蚀第二薄膜220，形成第二子电极22，形成的第二子电极22覆盖反射子电极21远离阵列基板100的一侧表面和反射子电极21的侧壁。

示例性地，基于电极图案221的厚度为子薄膜222的厚度为/>因此位于蓝色发光器件区域的第二子电极22的厚度为/>位于红色发光器件区域的第二子电极22的厚度为/>位于绿色发光器件区域的第二子电极22的厚度为/>

以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (15)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

阵列基板；

多个发光器件，位于所述阵列基板的一侧；所述发光器件包括沿远离所述阵列基板的方向依次层叠的第一电极、发光功能层和第二电极；

其中，所述第一电极包括反射子电极和第二子电极，所述第二子电极覆盖所述反射子电极远离所述阵列基板的一侧表面和所述反射子电极的侧壁。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一电极还包括设于所述反射子电极靠近所述阵列基板一侧的第一子电极，所述第二子电极还覆盖所述第一子电极的至少部分侧壁。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一子电极包括第一部分和第二部分，所述第一部分相比所述第二部分靠近所述阵列基板，所述第一部分的边界位于所述第二部分的边界外侧；

所述第二子电极还覆盖所述第二部分的侧壁。

4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一子电极包括第一部分和第二部分，所述第一部分相比所述第二部分靠近所述阵列基板；

所述第二子电极还覆盖所述第一部分和第二部分的侧壁。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：像素界定层，所述像素界定层设有多个第一开口，一个所述发光器件的第一电极与一个所述第一开口对应设置；

所述第一开口的边界位于所述反射子电极的边界和所述第二子电极的边界之间。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，在向所述阵列基板的正投影中，所述反射子电极的边界与相对应的所述第一开口的边界之间的距离为2μm～3μm。

7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括多种颜色的子像素，每个所述子像素包括至少一个所述发光器件，至少两种颜色的子像素的发光器件的第二子电极的厚度不相等。

8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述多种颜色的子像素包括绿色子像素、蓝色子像素和红色子像素，所述绿色子像素包括第一发光器件，所述蓝色子像素包括第二发光器件，所述红色子像素包括第三发光器件；

在所述第一发光器件中，覆盖所述反射子电极远离所述阵列基板的一侧表面的第二子电极具有第一厚度；在所述第二发光器件中，覆盖所述反射子电极远离所述阵列基板的一侧表面的第二子电极具有第二厚度；在所述第三发光器件中，覆盖所述反射子电极远离所述阵列基板的一侧表面的第二子电极具有第三厚度；

所述第二厚度大于所述第一厚度，所述第三厚度大于所述第一厚度。

9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第二厚度小于或等于所述第三厚度。

10.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第二厚度与所述第一厚度的比值为2：1～3：1；所述第三厚度与所述第一厚度的比值为2：1～3：1。

11.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述像素界定层还设有第二开口，所述第二开口位于相邻的所述第一开口之间；

所述阵列基板包括辅助电极，所述辅助电极位于相邻的所述发光器件之间；

所述显示面板还包括设于所述第二开口中的导电垫块和隔离部，所述隔离部位于所述导电垫块远离所述阵列基板的一侧，且所述隔离部与所述第二子电极同层设置；

其中，所述导电垫块与所述辅助电极连接，所述导电垫块与所述第二开口的边界之间具有间距，所述隔离部的边缘部分相比于所述导电垫块伸出；

所述发光功能层在所述导电垫块与所述第二开口的边界之间断开，相邻的所述第二电极之间通过所述导电垫块连接。

12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设于所述第二开口中的第一连接子电极和第二连接子电极；

所述第一电极还包括设于所述反射子电极靠近所述阵列基板一侧的第一子电极，所述第一连接子电极与所述第一子电极同层设置，且位于所述导电垫块和所述辅助电极之间，所述导电垫块通过所述第一连接子电极与所述辅助电极连接；

所述第二连接子电极与所述反射子电极同层设置，且位于所述隔离部和所述导电垫块之间。

13.一种显示装置，其特征在于，包括：

如权利要求1～12中任一项所述的显示面板；以及，

设于所述显示面板的出光侧的盖板。

14.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：

形成阵列基板；

在所述阵列基板的一侧形成多个发光器件，所述发光器件包括沿远离所述阵列基板的方向依次层叠的第一电极、发光功能层和第二电极；所述第一电极包括反射子电极和第二子电极，所述第二子电极覆盖所述反射子电极远离所述阵列基板的一侧表面和所述反射子电极的侧壁。

15.根据权利要求14所述的显示面板的制备方法，其特征在于，形成所述发光器件的第一电极包括：

形成第一薄膜，并在所述第一薄膜上形成第一掩膜图案，所述第一掩膜图案覆盖所述第一薄膜中待形成反射子电极的区域；

基于所述第一掩膜图案刻蚀所述第一薄膜，形成反射子电极；

在形成所述反射子电极的阵列基板上形成第二薄膜，并在所述第二薄膜上形成第二掩膜图案，所述第二掩膜图案覆盖所述第一掩膜图案所在的区域，且所述第二掩膜图案的面积大于所述第一掩膜图案的面积；

基于所述第二掩膜图案刻蚀所述第二薄膜，形成第二子电极。