CN112164700B - 阵列基板和显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种阵列基板和显示面板，涉及显示技术领域。阵列基板包括：衬底基板，位于衬底基板一侧的第一功能部，位于第一功能部远离衬底基板一侧的第一连接部，第一功能部和第一连接部通过第一过孔电连接；位于第一连接部远离衬底基板一侧的第一信号部，第一连接部与第一信号部通过第二过孔电连接；第二功能部，位于第一信号部靠近衬底基板的一侧；第二信号部，位于第一信号部远离衬底基板的一侧；第二功能部与第二信号部电连接；沿第一方向第二功能部和第二信号部之间包括第三过孔，第三过孔的深度大于第一过孔的深度，第三过孔的深度大于第二过孔的深度。本发明解决了相邻的第一信号部和第二信号部容易短接的问题。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种阵列基板和显示面板。
背景技术
目前，显示技术渗透到了人们日常生活的各个方面，相应地，越来越多的材料和技术被用于显示屏。显示面板作为显示装置的重要组成部分用于实现显示装置的显示功能。当今，主流的显示屏主要有液晶显示面板以及有机发光显示面板(Organic Light-Emitting Diode，OLED)。
液晶显示面板具有轻薄、功耗低和低辐射等优点，被广泛应用于各种领域。液晶显示面板通常包括相对设置的彩膜基板和阵列基板、以及彩膜基板和阵列基板之间的液晶层，彩膜基板靠近阵列基板的一侧设有黑矩阵和色阻层，显示面板中像素电极与公共电极之间的电场能够使液晶分子发生偏转，液晶分子发生偏转后背光组件产生的光线会透过显示面板，通过调整电场的大小，可以使液晶分子发生偏转的程度不同，而液晶分子发生偏转的程度不同时，显示面板的透光率不同，背光组件透过液晶显示面板的光量不同，由此实现图像的显示；有机发光二极管作为一种电流型发光器件已越来越多地被应用于高性能显示中，OLED显示显示面板具备自发光、广视角、响应速度快、对比度高、色域广、能耗低、面板薄、色彩丰富、可实现柔性显示、工作温度范围宽等诸多优异特性，因此被誉为下一代的“明星”平板显示技术。OLED显示显示面板包括阳极和阴极、以及设置在阳极和阴极之间的空穴传输层、有机发光层和电子传输层，阳极提供空穴注入，阴极提供电子注入，在外界电压的驱动下，由阴极和阳极注入的空穴和电子在有机发光层中复合，形成处于束缚能级的电子空穴对(即激子)，激子辐射退激发发出光子，产生可见光。
现有技术中的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是OLED显示面板和LCD显示装置中的主要驱动元件，随着像素驱动电路越来越复杂，如出现7T1C、16T1C(T指薄膜晶体管、C指存储电容)等具有多个薄膜晶体管的像素驱动电路，需要在像素区域内排布多个信号传递点，现有技术中存在相邻近的信号传递点短路的问题，从而影响显示面板正常显示。
因此，亟需提供一种能够改善相邻近的信号传递点容易短路的阵列基板和显示面板。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种阵列基板和显示面板，从而解决相邻的信号传递点容易短路的问题。
一方面，本发明提供了一种阵列基板，包括：
衬底基板，位于衬底基板一侧的第一功能部，位于所述第一功能部远离所述衬底基板一侧的第一连接部，第一方向上位于所述第一功能部和所述第一连接部之间的第一绝缘层，所述第一功能部和所述第一连接部通过第一过孔电连接；所述第一方向垂直于所述衬底基板所在平面；
位于所述第一连接部远离所述衬底基板一侧的第一信号部，所述第一方向上位于所述第一连接部和所述第一信号部之间的第二绝缘层，所述第一连接部与所述第一信号部通过第二过孔电连接；
第二功能部，位于所述第一信号部靠近所述衬底基板的一侧；
第二信号部，位于所述第一信号部远离所述衬底基板的一侧；所述第二功能部与所述第二信号部电连接；沿所述第一方向所述第二功能部和所述第二信号部之间包括第三过孔，其中，沿所述第一方向，所述第三过孔的深度大于所述第一过孔的深度，所述第三过孔的深度大于所述第二过孔的深度。
另一方面，本发明还提供了显示面板，包括上述的阵列基板。
与现有技术相比，本发明提供的阵列基板和显示面板，至少实现了如下的有益效果：
本发明提供的阵列基板包括衬底基板，位于衬底基板一侧的第一功能部，位于第一功能部远离衬底基板一侧的第一连接部，第一功能部和第一连接部通过第一过孔电连接，还包括位于第一连接部远离衬底基板一侧的第一信号部，第一连接部与第一信号部通过第二过孔电连接；第二功能部，位于第一信号部靠近衬底基板的一侧；第二信号部，位于第一信号部远离衬底基板的一侧；第二功能部与第二信号部电连接；第二功能部和第二信号部之间包括第三过孔，第三过孔的深度大于第一过孔的深度，第三过孔的深度大于第二过孔的深度。由于第一功能部和第一连接部通过第一过孔电连接，而第二功能部和第二信号部之间包括第三过孔，在第一方向上第三过孔的深度大于第一过孔的深度，第三过孔的深度大于第二过孔的深度，即将第一信号部和第二信号部分别设置在不同的膜层，同一膜层中不会同时布设第一信号部和第二信号部，从而减少了同一膜层中设置过多的导电图案，在平行于衬底基板的方向上节省了空间，解决了相邻的第一信号部和第二信号部容易短接的问题。
当然，实施本发明的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1是本发明提供的一种阵列基板的平面结构示意图；
图2是图1中A-A’向的一种剖面图；
图3是现有技术中阵列基板的一种剖面图；
图4是图1中A-A’向的又一种剖面图；
图5是图1中A-A’向的又一种剖面图；
图6是图1中A-A’向的又一种剖面图；
图7是图1中A-A’向的又一种剖面图；
图8是图1中A-A’向的又一种剖面图；
图9是本发明提供的一种像素驱动电路的等效电路图；
图10是图1中P区域的局部放大图；
图11是图10中N-N’向的一种剖面图；
图12是图10中N-N’向的又一种剖面图；
图13是本发明提供的一种显示面板的平面结构示意图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
图1是本发明提供的一种阵列基板的平面结构示意图，图2是图1中A-A’向的一种剖面图。参照图1和图2，本实施例提供了一种阵列基板100，包括：
衬底基板1，位于衬底基板1一侧的第一功能部2，位于第一功能部2远离衬底基板1一侧的第一连接部3，第一方向X上位于第一功能部2和第一连接部3之间的第一绝缘层4，第一功能部2和第一连接部3通过第一过孔K1电连接；第一方向X垂直于衬底基板1所在平面；
位于第一连接部3远离衬底基板1一侧的第一信号部5，第一方向X上位于第一连接部3和第一信号部5之间的第二绝缘层6，第一连接部3与第一信号部5通过第二过孔K2电连接；
第二功能部7，位于第一信号部5靠近衬底基板1的一侧；
第二信号部8，位于第一信号部5远离衬底基板1的一侧；第二功能部7与第二信号部8电连接；沿第一方向X第二功能部7和第二信号部8之间包括第三过孔K3，其中，沿第一方向X，第三过孔K3的深度大于第一过孔K1的深度，第三过孔K3的深度大于第二过孔K2的深度。
具体的，参照图1和图2，第一功能部2和第二功能部7之间相互绝缘，第一信号部5与第二信号部8绝缘，当然向第一信号部5与第二信号部8输入或输出不同的电信号。图1和图2中示例性的示出了第一功能部2和第二功能部7位于同一膜层中，当然第一功能部2和第二功能部7也可以位于不同的膜层中，例如沿第一方向X，第一功能部2位于第二功能部7靠近衬底基板的一侧，或者沿第一方向X，第一功能部2位于第二功能部7远离衬底基板的一侧，本实施例不做具体限定。
可以理解的是本实施例中不对第一功能部2和第二功能部7的确切位置做具体限定，在阵列基板中沿平行于衬底基板所在平面的方向上相邻即可。图2中未对第一绝缘层4、第二绝缘层6进行图案填充。
本实施例中仅示例性的示出第二功能部7与第二信号部8之间仅通过第三过孔K3电连接，当然还可以在第二功能部7与第二信号部8之间设置跨接的金属层，但此时仍是第三过孔K3的深度大于第一过孔K1的深度，第三过孔K3的深度大于第二过孔K2的深度，从而保证第二信号部8与第一信号部5分布在不同的膜层中。
图3是现有技术中阵列基板的一种剖面图，图3中阵列基板000包括衬底基板1’，位于衬底基板1’一侧的第一功能部2’和第二功能部7’，第一功能部2’和第二功能部7’同层设置且互相绝缘，位于第一功能部2’远离衬底基板1’一侧具有第一连接部3’，第一方向X上，第一功能部2’与第一连接部3’之间具有第一绝缘层4’，第一功能部2’与第一连接部3’通过第一过孔K1’电连接，位于第二功能部7’远离衬底基板1’一侧具有第二连接部9’，第一连接部3’与第二连接部9’同层且绝缘，第二连接部9’与第二功能部7’通过第四过孔K4’电连接。位于第一连接部3’远离衬底基板1’的一侧具有第一信号部5’，位于第二连接部9’远离衬底基板1’一侧具有第二信号部8’，第一信号部5’与第二信号部8’同层设置，当然第一信号部5’与第二信号部8’输入或输出不同的信号，沿第一方向X上，第一连接部3’与第一信号部5’通过第二过孔K2’电连接，第二信号部8’与第二连接部9’通过第三过孔K3’电连接，当然沿第一方向X上，第一过孔K1’的深度等于第四过孔K4’的深度，第二过孔K2’的深度等于第三过孔K3’的深度。从图3中可以看出，现有技术中膜层结构中，如果要实现第一信号部5’与第一功能部2’电连接，就需要先通过第一过孔K1’将第一连接部3’与第一功能部2’电连接，然后再通过第二过孔K2’将第一信号部5’与第一连接部3’电连接，如果要实现第二信号部8’与第二功能部7’电连接，就需要先通过第四过孔K4’将第二连接部9’与第二功能部7’电连接，然后再通过第三过孔K3’将第二信号部8’与第二连接部9’电连接。由于实际制程中存在不可避免的对位偏差，所以为了保证连接，第一连接部3’在衬底基板1’所在平面的正投影面积要比第一功能部2’在衬底基板1’所在平面的正投影面积大，第一信号部5’在衬底基板1’所在平面的正投影面积要比第一连接部3’在衬底基板1’所在平面的正投影面积大，所以在第四方向Y上(第四方向Y指平行于衬底基板1’所在平面的方向上)，第一信号部5’占用的空间较大；同理，为了保证连接，第二连接部9’在衬底基板1’所在平面的正投影面积要比第二功能部7’在衬底基板1’所在平面的正投影面积大，第二信号部8’在衬底基板1’所在平面的正投影面积要比第二连接部9’在衬底基板1’所在平面的正投影面积大，所以在第四方向Y上，第二信号部8’占用的空间也较大，在第四方向Y上空间有限的情况下，第一信号部5’与第二信号部8’则在制作过程中容易发生短路。
与现有技术不同，参照图2，本实施例中由于第三过孔K3的深度大于第一过孔K1的深度，第三过孔K3的深度大于第二过孔K2的深度，所以第二信号部8与第一信号部5并不在同层上设置，在第四方向Y上节省了空间，当然由于第一信号部5与第二信号部8不在同层上设置所以也不会发生短路的情况，提高了阵列基板的可靠性。
在一些可选的实施例中，参照图4和图5，图4是图1中A-A’向的又一种剖面图，图5是图1中A-A’向的又一种剖面图。
阵列基板包括第一晶体管T1和第二晶体管T2，第一信号部5为第一晶体管T1的源极S1或漏极D1，第二信号部8为第二晶体管T2的源极S2或漏极D2；
第一功能部2为第一晶体管T1的有源结构，第二功能部7为第二晶体管T2的有源结构，
第一功能部2与第二功能部7同层设置，或者，第一功能部2位于第二功能部7靠近衬底基板1的一侧。
参照图4，图4中第一功能部2与第二功能部7同层设置，图5中第一功能部2位于第二功能部7靠近衬底基板1的一侧，即第一功能部2与第二功能部7不同层设置。当然第一晶体管T1还包括栅极G1，第二晶体管T2还包括栅极G2。
第一晶体管T1和第二晶体管T2沿第四方向Y上排布，其中第一晶体管T1的源极S1(或漏极D1，即第一信号部5)与第二晶体管T2的源极S2(或漏极D2，即第二信号部8)相邻，由于第三过孔K3的深度大于第一过孔K1的深度，第三过孔K3的深度大于第二过孔K2的深度，所以第一晶体管T1的源极S1(或漏极D1)与第二晶体管T2的源极S2(或漏极D2)并不在同层上设置，在第四方向Y上节省了空间，当然由于第一晶体管T1的源极S1(或漏极D1)与第二晶体管T2的源极S2(或漏极D2)不在同层上设置，相应的第一晶体管T1与第二晶体管T2也不会发生短路，提高了阵列基板的可靠性。
此外，参照图5，当第一功能部2位于第二功能部7靠近衬底基板1的一侧时，此时第一功能部2与第二功能部7不同层设置，此时在第四方向Y上能够进一步节省空间。
在一些可选的实施例中，继续参照图4和图5，对于第一晶体管T1，其自身源极S1(或漏极D1)和漏极(源极)21不同层设置，可以理解的是在垂直于衬底基板1所在平面的方向上，漏极21与第一功能部2之间还包括第三连接部22，第三连接部22位于第一功能部2靠近漏极21的一侧，漏极21通过第五过孔K5与第三连接部22电连接，第三连接部22通过第六过孔K6与第一功能部2电连接，在垂直于衬底基板1所在平面的方向上，第五过孔K5的深度大于第二过孔K2和第一过孔K1的深度，如图4和图5所示，第三连接部22与第一连接部3不同层设置，使得第一晶体管T1的源极S1与漏极21不同层设置，这样能够避免第一晶体管T1的源极S1与漏极21发生短路，同时第一晶体管T1的源极S1与漏极21不同层设置在第四方向Y上能够进一步节省空间。同理，第二晶体管T2的源极S2与漏极不同层设置，能够避免第二晶体管T2的源极S2与漏极发生短路，同时第二晶体管T2的源极S2与漏极不同层设置在第四方向Y上能够进一步节省空间。
在一些可选的实施例中，继续参照图2，第一功能部2包括硅或金属氧化物中的一者；第二功能部7包括硅或金属氧化物中的一者。
半导体材料可以为非晶硅、低温多晶硅、及金属氧化物。其中非晶硅与低温多晶硅具有开关速度快及驱动电流大的优点，应用非晶硅与低温多晶硅的晶体管一般用于OLED显示像素驱动及LCD栅极驱动；金属氧化物具有均一性良好及漏电流低的优点，可选的金属氧化物可以为铟镓锌氧化物，应用金属氧化物的晶体管可用于OLED显示像素驱动及LCD显示像素驱动和***驱动电路。
本实施例中第一功能部2与第二功能部7的材料可以相同也可以不同，当第一功能部2为硅时，第二功能部7的材料可以为硅，也可以为金属氧化物，当第一功能部2为金属氧化物时，第二功能部7的材料可以为硅也可以为金属氧化物，第一功能部2与第二功能部7的材料可相同也可以不相同的选择，由此使阵列基板中的薄膜晶体管可以为低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物半导体薄膜晶体管，能够充分发挥低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物半导体薄膜晶体管的优势。
在一些可选的实施例中，参照图6，图6是图1中A-A’向的又一种剖面图。沿第一方向X，第二信号部8和第二功能部7之间包括第二连接部9，第二信号部8与第二连接部9之间通过第三过孔K3电连接，第二连接部9与第二功能部7之间通过第四过孔K4电连接。
参照图6，阵列基板包括衬底基板1，位于衬底基板1一侧的第一功能部2，位于第一功能部2远离衬底基板1一侧的第一连接部3，第一方向X上位于第一功能部2和第一连接部3之间的第一绝缘层4，第一功能部2和第一连接部3通过第一过孔K1电连接；第一方向X垂直于衬底基板1所在平面；位于第一连接部3远离衬底基板1一侧的第一信号部5，第一方向X上位于第一连接部3和第一信号部5之间的第二绝缘层6，第一连接部3与第一信号部5通过第二过孔K2电连接；第二功能部7，位于第一信号部5靠近衬底基板1的一侧；第二信号部8，位于第一信号部5远离衬底基板1的一侧；第二功能部7与第二信号部8电连接，第二信号部8和第二功能部7之间包括第二连接部9，第二信号部8与第二连接部9之间通过第三过孔K3电连接，第二连接部9与第二功能部7之间通过第四过孔K4电连接，当然，该结构中沿第一方向X，第三过孔K3的深度大于第一过孔K1的深度，第三过孔K3的深度大于第二过孔K2的深度，这样能够保证第一信号部5与第二信号部8不会位于同一膜层，在第四方向Y上节省了空间，当然由于第一信号部5与第二信号部8不在同层上设置所以也不会发生短路的情况，提高了阵列基板的可靠性。
在一些可选的实施例中，继续参照图2，沿第一方向X，第二信号部8和第二功能部7之间通过第三过孔K3电连接。
图2中，沿第一方向X上，第二信号部8与第二功能部7之间并没有设置任何跨接膜层，此时一方面由于第二信号部8与第一信号部5不位于同一膜层，第一信号部5与第二信号部8不会位于同一膜层，在第四方向Y上节省了空间，当然由于第一信号部5与第二信号部8不在同层上设置所以也不会发生短路的情况，提高了阵列基板的可靠性。另外由于第二信号部8和第二功能部7之间仅通过第三过孔K3电连接，所以要实现第二信号部8与第二功能部7之间的电连接仅做一次过孔即可，这样第二信号部8在衬底基板1所在平面的正投影可以相对第一信号部5在衬底基板1所在平面的正投影小一些，可实现在第四方向Y上进一步节省空间，防止发生短路，提高阵列基板的可靠性。
在一些可选的实施例中，参照图7，图7是图1中A-A’向的又一种剖面图。图7中阵列基板还包括阻挡层Z，阻挡层Z包括第一阻挡层Z1，第一阻挡层Z1位于第一连接部3远离衬底基板1一侧，且沿第一方向X，第一阻挡层Z1覆盖第一连接部3，第一阻挡层Z1与第一信号部5通过第二过孔K2电连接。
可以理解的是，制作阵列基板时，首先在衬底基板1上形成半导体层，对半导体层进行刻蚀得到第一功能部2和第二功能部7，然后制作第一绝缘层4，然后在第一绝缘层4远离衬底基板1的一侧形成第一金属层，然后在第一金属层远离衬底基板1的一侧形成阻挡层Z，然后利用湿刻工艺对阻挡层Z进行刻蚀得到第一阻挡层Z1，然后再利用干刻刻蚀第一金属层得到第一连接部3，后续在第一阻挡层Z1远离衬底基板1的一侧形成第二绝缘层6，而且需要对第二绝缘层6进行打孔即第二过孔K2，才能够实现第一信号部5与第一连接部3电连接，而在打孔时需要对第二绝缘层6进行刻蚀。现有技术中在第一连接部3远离衬底基板的一侧并没有设置第一阻挡层Z1，所以在刻蚀过程中易造成第一连接部3过刻。而本实施例中在第一连接部3远离衬底基板1的一侧形成一层阻挡层Z，这样当对第二绝缘层6进行刻蚀形成过孔的时候，可以保护第一连接部3这个金属层，以避免第一连接部3造成过刻。
在一些可选的实施例中，参照图8，图8是图1中A-A’向的又一种剖面图。图8中沿第一方向X，第二信号部8和第二功能部7之间包括第二连接部9，阻挡层Z包括沿第一方向X覆盖在第二连接部9远离衬底基板1一侧的第二阻挡层Z2，第二阻挡层Z2与第二信号部8通过第三过孔K3电连接。
可以理解的是，制作阵列基板时，首先在衬底基板1上形成半导体层，对半导体层进行刻蚀得到第一功能部2和第二功能部7，然后制作第一绝缘层4，然后在第一绝缘层4远离衬底基板1的一侧形成第二金属层，然后在第一金属层远离衬底基板1的一侧形成阻挡层Z，然后利用湿刻工艺对阻挡层Z进行刻蚀得到第二阻挡层Z2，然后再利用干刻刻蚀第一金属层得到第二连接部9，后续在第二阻挡层Z2远离衬底基板1的一侧形成第二绝缘层6，而且需要对第二绝缘层6进行打孔即第三过孔K3，才能够实现第二信号部8与第二连接部9电连接，而在打孔时需要对第二绝缘层6进行刻蚀。现有技术中在第二连接部9远离衬底基板1的一侧并没有设置第二阻挡层Z2，所以在刻蚀过程中易造成第二连接部9过刻。而本实施例中在第二连接部9远离衬底基板1的一侧形成一层第二阻挡层Z2，这样当对第二绝缘层6进行刻蚀形成过孔的时候，可以保护第二连接部9，以避免第二连接部9造成过刻。
在一些可选的实施例中，继续参照图7和图8，阻挡层Z包括铟锡氧化物、铟镓锌氧化物、铟锌氧化物、铟镓锌锡氧化物、或镍中的一种或多种。
本发明中为了保护第一连接部3或第二连接部9免受过刻所以需要抗腐蚀，所以在第一连接部3或第二连接部8远离衬底基板1的一侧设置阻挡层Z(第一阻挡层Z1或第二阻挡层Z2)，而且为了实现第一信号部5与第一功能部2之间电连接所以第一阻挡层Z1还需要能够导电，当然为了实现第二信号部8与第二功能部7之间电连接所以第二阻挡层Z2也需要能够导电。铟锡氧化物、铟镓锌氧化物、铟锌氧化物、铟镓锌锡氧化物和镍既抗腐蚀又能够导电，所以阻挡层Z包括铟锡氧化物、铟镓锌氧化物、铟锌氧化物、铟镓锌锡氧化物、或镍中的一种或多种，能够兼具导电作用也能够防止第一连接部3或第二连接部9被过刻。
在一些可选的实施例中，参照图9、图10、图11和图12，图9是本发明提供的一种像素驱动电路的等效电路图，图10是图1中P区域的局部放大图，图11是图10中N-N’向的一种剖面图；图12是图10中N-N’向的又一种剖面图。
结合图9、图10，阵列基板包括像素驱动电路200，像素驱动电路200还包括位于衬底基板1一侧沿第二方向a延伸的数据线10和电源电压信号线PVDD、以及位于数据线10远离衬底基板1一侧的阳极AN，沿第三方向b上，相邻两条数据线10之间依次包括第三晶体管M6、电源电压信号线PVDD和第四晶体管M1，且阳极AN位于数据线10和电源电压信号线PVDD之间；
第三晶体管M6的漏极12与阳极AN电连接，阳极AN复用为第二信号部8，第三晶体管M6的半导体层复用为第二功能部7；电源电压信号线PVDD复用为第一信号部5，第四晶体管M1的源极15复用为第一连接部3，第四晶体管M1的半导体层复用为第一功能部2。
图11和图12中还示出了第三晶体管M6的源极13和栅极G6，而且示出了第四晶体管M1的漏极16和栅极G11。
现有技术中，第三晶体管M6的漏极与阳极电连接时需要在垂直于衬底基板的方向上设置跨接金属层，即跨接金属层位于漏极远离衬底基板的一侧，而该跨接金属层是与电源电压信号线位于同层的，如上所述为了能够达到接触良率，所以在垂直于衬底基板所在平面的方向上，跨接金属层的面积要大于漏极的面积，而跨接金属层与电源电压信号线之间距离较近，一般仅为2μm-3μm，所以该跨接金属层与电源电压信号线容易发生短路。
图11中，阳极AN复用为第二信号部8，第三晶体管M6的半导体层复用为第二功能部7，第三晶体管M6的半导体层14(第二功能部7)与阳极AN仅通过第三过孔K3电连接；电源电压信号线PVDD复用为第一信号部5，第四晶体管M1的源极15复用为第一连接部3，第四晶体管M1的半导体层复用为第一功能部2，电源电压信号线PVDD(第一信号部5)通过第二过孔K2与第四晶体管M1的源极15(第一连接部3)电连接，第四晶体管M1的源极15(第一连接部3)通过第一过孔K1与第四晶体管M1的半导体层(第一功能部2)电连接；由于沿第一方向X，第三过孔K3的深度大于第一过孔K1的深度，第三过孔K3的深度大于第二过孔K2的深度，第三晶体管M6的半导体层14(第二功能部7)与阳极AN仅通过第三过孔K3电连接，本实施例中省去了跨接金属层以及第三晶体管M6的漏极，从而不会发生跨接金属层与电源电压信号线PVDD短路的情况，提高了阵列基板的可靠性。
图12中，阳极AN复用为第二信号部8，第二连接部9复用为第三晶体管M6的漏极12，第三晶体管M6的漏极12(第二连接部9)通过第三过孔K3与阳极AN(第二信号部8)电连接，第三晶体管M6的漏极12(第二连接部9)通过第四过孔K4与第三晶体管M6的半导体层14(第二功能部7)电连接；电源电压信号线PVDD复用为第一信号部5，第四晶体管M1的源极15复用为第一连接部3，第四晶体管M1的半导体层复用为第一功能部2，电源电压信号线PVDD(第一信号部5)通过第二过孔K2与第四晶体管M1的源极15(第一连接部3)电连接，第四晶体管M1的源极15(第一连接部3)通过第一过孔K1与第四晶体管M1的半导体层(第一功能部2)电连接；此时沿第一方向X，第三过孔K3的深度大于第一过孔K1的深度，第三过孔K3的深度大于第二过孔K2的深度，本实施例中省去了跨接金属层，从而不会发生跨接金属层与电源电压信号线PVDD短路的情况，提高了阵列基板的可靠性。
电源电压信号线PVDD本实施例中，第三晶体管M6的漏极12与阳极AN电连接，阳极AN复用为第二信号部8，第三晶体管M6的半导体层复用为第二功能部7；电源电压信号线PVDD复用为第一信号部5，第四晶体管M1的源极15复用为第一连接部3，第四晶体管M1的半导体层复用为第一功能部2，沿第一方向X，第三过孔K3的深度大于第一过孔K1的深度，第三过孔K3的深度大于第二过孔K2的深度，即本发明省去了跨接金属层，从而不会发生跨接金属层与电源电压信号线PVDD短路的情况，提高了阵列基板的可靠性。
在一些可选的实施例中，继续参照图9和图10，像素驱动电路200还包括沿第二方向a排布的参考信号线VREF、第一控制信号线S1、第二控制信号线S2、和发光控制线EMIT，
第五晶体管M2，第五晶体管M2的栅极与第二控制信号线S2电连接，第五晶体管M2的源极与数据线10电连接；
第六晶体管M5，第六晶体管M5的栅极与第一控制信号线S1电连接，第六晶体管M5的源极与参考信号线VREF电连接；
驱动晶体管M3，驱动晶体管M3的栅极与第六晶体管M5的漏极电连接，驱动晶体管M3的源极分别与第四晶体管M1的漏极、第五晶体管M2的漏极电连接，驱动晶体管M3的漏极与第三晶体管M6的源极电连接；
第七晶体管M4，第七晶体管M4的栅极与第二控制信号线S2电连接，第七晶体管M4的源极与驱动晶体管M3的漏极电连接，第七晶体管M4的漏极分别与第六晶体管M5的漏极和驱动晶体管M3的栅极电连接；
第八晶体管M7，第八晶体管M7的栅极与第二控制信号线S2电连接，第八晶体管M7的源极与参考信号线VREF电连接，第八晶体管M7的漏极与第三晶体管M6的漏极电连接。
本实施例中，第三晶体管M6的漏极12与阳极AN电连接，阳极AN复用为第二信号部8，第三晶体管M6的半导体层复用为第二功能部7；电源电压信号线PVDD复用为第一信号部5，第四晶体管M1的源极15复用为第一连接部3，第四晶体管M1的半导体层复用为第一功能部2，沿第一方向X，第三过孔K3的深度大于第一过孔K1的深度，第三过孔K3的深度大于第二过孔K2的深度，即本发明省去了跨接金属层，从而不会发生跨接金属层与电源电压信号线PVDD短路的情况，提高了阵列基板的可靠性。
本实施例还提供了一种显示面板，包括如上所述的阵列基板。请参考图13，图13是本发明提供的一种显示面板的平面结构示意图。图13提供的显示面板1000包括阵列基板100，其中，阵列基板为本发明上述任一实施例提供的阵列基板100。图13实施例仅以手机为例，对显示面板1000进行说明，可以理解的是，本发明实施例提供的显示面板，可以是电脑、电视、车载显示面板等其他具有显示功能的显示面板，本发明对此不作具体限制。本发明实施例提供的显示面板，具有本发明实施例提供的阵列基板的有益效果，具体可以参考上述各实施例对于阵列基板的具体说明，本实施例在此不再赘述。
通过上述实施例可知，本发明提供的阵列基板和显示面板，至少实现了如下的有益效果：
本发明提供的阵列基板包括衬底基板，位于衬底基板一侧的第一功能部，位于第一功能部远离衬底基板一侧的第一连接部，第一功能部和第一连接部通过第一过孔电连接，还包括位于第一连接部远离衬底基板一侧的第一信号部，第一连接部与第一信号部通过第二过孔电连接；第二功能部，位于第一信号部靠近衬底基板的一侧；第二信号部，位于第一信号部远离衬底基板的一侧；第二功能部与第二信号部电连接；第二功能部和第二信号部之间包括第三过孔，第三过孔的深度大于第一过孔的深度，第三过孔的深度大于第二过孔的深度。由于第一功能部和第一连接部通过第一过孔电连接，而第二功能部和第二信号部之间包括第三过孔，在第一方向上第三过孔的深度大于第一过孔的深度，第三过孔的深度大于第二过孔的深度，即将第一信号部和第二信号部分别设置在不同的膜层，同一膜层中不会同时布设第一信号部和第二信号部，从而减少了同一膜层中设置过多的导电图案，在平行于衬底基板的方向上节省了空间，解决了相邻的第一信号部和第二信号部容易短接的问题。
虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。
Claims (9)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底基板，位于衬底基板一侧的第一功能部，位于所述第一功能部远离所述衬底基板一侧的第一连接部，第一方向上位于所述第一功能部和所述第一连接部之间的第一绝缘层，所述第一功能部和所述第一连接部通过第一过孔电连接；所述第一方向垂直于所述衬底基板所在平面；
位于所述第一连接部远离所述衬底基板一侧的第一信号部，所述第一方向上位于所述第一连接部和所述第一信号部之间的第二绝缘层，所述第一连接部与所述第一信号部通过第二过孔电连接；
第二功能部，位于所述第一信号部靠近所述衬底基板的一侧；
第二信号部，位于所述第一信号部远离所述衬底基板的一侧；所述第二功能部与所述第二信号部电连接；沿所述第一方向所述第二功能部和所述第二信号部之间包括第三过孔，其中，沿所述第一方向，所述第三过孔的深度大于所述第一过孔的深度，所述第三过孔的深度大于所述第二过孔的深度，所述第一信号部和所述第二信号部分别设置在不同的膜层；
第一晶体管和第二晶体管，所述第一信号部为所述第一晶体管的源漏或漏极，所述第二信号部为所述第二晶体管的源极或漏极；所述第一功能部为所述第一晶体管的有源结构，所述第二功能部为所述第二晶体管的有源结构，其中，所述第一功能部与所述第二功能部同层设置，或者，所述第一功能部位于所述第二功能部靠近所述衬底基板的一侧；或，
像素驱动电路，所述像素驱动电路还包括位于所述衬底基板一侧沿第二方向延伸的数据线和电源电压信号线、以及位于所述数据线远离所述衬底基板一侧的阳极，沿第三方向上，相邻两条所述数据线之间依次包括第三晶体管、所述电源电压信号线和第四晶体管，且所述阳极位于所述数据线与所述电源电压信号线之间；所述第三晶体管的漏极与所述阳极电连接，所述阳极复用为所述第二信号部，所述第三晶体管的半导体层复用为所述第二功能部；所述电源电压信号线复用为所述第一信号部，所述第四晶体管的源极复用为所述第一连接部，所述第四晶体管的半导体层复用为所述第一功能部；所述第三方向与所述第二方向垂直。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一功能部包括硅或金属氧化物中的一者；
所述第二功能部包括硅或金属氧化物中的一者。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，沿所述第一方向，所述第二信号部和所述第二功能部之间包括第二连接部，所述第二信号部与所述第二连接部之间通过所述第三过孔电连接，所述第二连接部与所述第二功能部之间通过第四过孔电连接。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，沿所述第一方向，所述第二信号部和所述第二功能部之间通过所述第三过孔电连接。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括阻挡层，所述阻挡层包括第一阻挡层，所述第一阻挡层位于所述第一连接部远离衬底基板一侧，且沿所述第一方向，所述第一阻挡层覆盖所述第一连接部，所述第一阻挡层与所述第一信号部通过所述第二过孔电连接。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，沿所述第一方向，所述第二信号部和所述第二功能部之间包括第二连接部，所述阻挡层包括沿第一方向覆盖在所述第二连接部远离衬底基板一侧的第二阻挡层，所述第二阻挡层与所述第二信号部通过所述第三过孔电连接。
7.根据权利要求5所述的阵列基板 ，其特征在于，所述阻挡层包括铟锡氧化物、铟镓锌氧化物、铟锌氧化物、铟镓锌锡氧化物、或镍中的一种或多种。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素驱动电路还包括沿第二方向排布的参考信号线、第一控制信号线、第二控制信号线、和发光控制线，以及：
第五晶体管，其栅极与所述第二控制信号线电连接，其源极与所述数据线电连接；
第六晶体管，其栅极与所述第一控制信号线电连接，其源极与所述参考信号线电连接；
驱动晶体管，其栅极与所述第六晶体管的漏极电连接，其源极分别与所述第四晶体管的漏极、所述第五晶体管的漏极电连接，其漏极与所述第三晶体管的源极电连接；
第七晶体管，其栅极与所述第二控制信号线电连接，其源极与所述驱动晶体管的漏极电连接，其漏极分别与所述第六晶体管的漏极和所述驱动晶体管的栅极电连接；
第八晶体管，其栅极与所述第二控制信号线电连接，其源极与所述参考信号线电连接，其漏极与所述第三晶体管的漏极电连接。
9.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1至8任一所述的阵列基板。
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